1.1 STRUCTURA ATOMULUI + Cea mai mica particula dintr+un element, care pastreaza proprietatile acelui element g General Constants and Conversion Factors Angstrom A 1A = 10-4pm = 10-Fem = 10m Boltzmann's constant & em 1.389 10 /K = 8.6 > 10 oV/K Electron-volt ev TeV 16 10H Eleewonic charge eorg g=16x19PC Micron hn Tum = 10 "em = 19 &m MI Emil Nenometer aaa tam 107 um = 104, Pecmittisity of free space 6, fo = 8.88 x 10-"* Fem Permeability of fice space sto fin = 40 x 10 Lic Planck's constant i 6008 » 10M S ‘Thermal voltaze Ve HE /g 0.026 at 300°K Velocity of light in tree 2.998 510 om, 8 ‘space Semiconductor Constants si Ge Gads Sid» Relative dielectric constant "7 16.0 1a 3 Bandgap enerey. E,(eV) 1 0.06 14 Intrinsic carrier concentration, 1.5 x 10! x10 1s x 108 a, (em at 300 °K)ISTORIC Termenul de atom apare peniru prima data catre anul 450 Filozoful grec dezvolta teoria conform careia materia nu este infinit divizibila $i introduce notiunea de atomos, ceea ce nu poate fi divizat. Cativa ani mai tarziu, , un discipol al lui Leucip, defineste materia ca fiind un ansamblu de particule indivizibile, invizibile si eterne: atomul. Aceasta noua conceptie nu a fost rezultatul unor observatii sau experiente, ci mai degraba al unor intuitii. Teoria a fost dezvoltata ulterior de apoi de poetul latin . Au trecut insa 2000 de ani pana cand teoria atomica a fost formulata stiintific. in anul ——_, fizicianul si chimistul englez a elaborat 0 teorie atomica proprie care explica afirmand ca din moment ce substantele se combina numai in proportii integrale, atomii trebuie s4 existe la baza materiei.rela sto sone (olgdeges st otitis sen Numarul Atomic=numarul de protoni continut de nucleu La stone neutrii electric, numarul de protoni si electroni este egal\ PATURI ELECTRONICE SI ORBITE Ee e Energiile corespunzitoare electrouilor sunt mirimi discrete $i crese odata cu distanta fat de nucleu Electronii graviteaz& pe orbite (nivele energetice) ce sunt grupate in “paturi cheraeice’, nolate Gu KLMN ce In ficare piturd sunt un numir bine definit de nivele energetice ce pot fi ocupate (Ne=2: 8: 18; 32: ete) Electronii din ultima patur’ sunt electronii de valent ce sunt slab legati, sunt implicati in reactiile chimice $i determin’ proprietatile electrice ale substantelor Utilizaren modefului echivalent de benzi enerzetice Tonizarea =procesul de captare sau pierdere a unor electroni din BV datorita miegorarii St = electroni. DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICETABELUL LUI MENDELEEV = = + Numarul atomic si numarul electronilor de valenta determina pozitia 1n tabel Dials lols ls (sow was esse ase = TABELUL LUI MENDELEEV rs |SEMICONDUCTOARE,CONDUCTOARE = SIL IZOLATOARE = + Energia electronului este 0 in afara atomului + La conductoare campul electric este mai putin L intens in zona Benzii de ValentaCARACTERIZAREA CONDUCTIBILITATI MATERIALELOR (REZISTIVITATEA SI BANDA INTERZISA) = Ioloams Cnc ‘Sevivondacior Tbeulator 0 8a emai 30 r10" a (icon) = = a (es aa ECU Htatey eit). SILICIU SI GERMANIU wil (STRUCTURA & LEGATURI COVALENTE) * Structura atomica + Forma cristalizare * Reprezentare conventionalaSARCINI ELECTRICE 2 CONDUCTOARELE INTRINSEC] == + T=0K el in BV + T>0K apar perechi electron-gol y= BR) pentu Sija T= 300° My = (5.23 x 10°)@00)"e (mci, sma) n= 18 10% em Gon.atsi= $x 10% em Be)CONDUCTIA ELECTRICA IN SEMICONDUCTOARE = ‘erere! + Curenti de drift ~E , ° Curenti de difuzie ~A Wee HHL Yap = gE eny, eu EE) = +e L EDV dp = Fep +E) = +p lpE Se= Cy E+ ely = OE T= eMg + epg — conductvitate J (Ajem?) ¢ (em)! He 1350em?/Vs, My B0en?/V-3, “™obiltale JoerteietnBn ag pg eV ty ADSEMICONDUCTOARE e EXTRINSECI TIP N = + Dopare + Extrinsecin + Extrinseci p + Nd -donori * Na -acceptori Ny ay BTdsi)SEMICONDUCTOARE EXTRINSECI TIP P zJONCTIUNEA PN NEPOLARIZATAMARIMI ELECTRICE IN ONCTIUNEA PN NEPOLARIZATA &= + PN abrupta si regiunea de trecere complet saracita LAT (Se Vp= kT /e, k= Boltzmann T=300°R. Fp=0026V Sago elo tonciunoe de prea dace: ao 07) (5% 10) = aon él em? JvJONCTIUNEA PN = POLARIZATA INVERS EA. ° a aan) a {__,_ —__ ee + cxesie difercula itera de poteaisl(bariera) + seextinderezinacs goia (de trate) + seade nmarl pertateilor majoritari eqpabi sa diftzeze peste bateta ce potential + ewsntul de camp al putatoilor minositar (sare apor prin generare tennica de perechi elevtron-gol) rare avelasi + curentl invers pri jonctiune va fi dee foerie mic (negli).. \CONCENTRATIA PURTATORILOR e , LA POLARIZARE INVERSA © -w,0 Ww x pregion a-regionJONCTIUNEA PN POLARIZATA DIRECT recjutea p. Jneiunes ragunes n, ce atererta interna ptenal (arera) curertul de corn alprttoricr mincrtan ricsereoza reqiures galka (de ranciie) (core ar prin ganerae to7mica do gerechi état nurnarl puttacoror mjorton Stor gl ane aeetas tapatil 30 diueeze peste narera He + Curent cet prin netuna va act focental deci crete curertulcecfurie ——SemmanicsbvCONCENTRATIA PURTATORILOR Ee LA POLARIZARE DIRECTA G@= pest et ee tence, gion diffusion~ \ECUATIA CARACTERISTICI STATICE ‘ (SHOCKLEY) ip= tle — 1] 71 curentul de saturate al diodet i (depinde de materialul semiconductor i } si de temperatura): f q= sercina elementara; k= constanta lui Boktzman; T= temperatura absolutaVALORI APROXIMATIVE & CURENTULUI PRIN DIODA Nand n= tele) —1]=-16 Neo og carmen ‘Siem sa70v <4 ip 1[2) 1] a9 M [ttt ] 4.92 ma b) tp — 0.70 Siies ie) a | = (10-380 — 1] = 10-4VARIATIL ALE CARACTERISTICL e TENSIUNEA DE STRAPUNGERE = 1 Ge vacinia cu. Fp= 0.7 (Si) Fp= 03 (Ge) TENSIUNE DE DESCHIDERE| teneiae Zener (2 5N)METODA GRAFICA 2 R= 2k) as Diode dV pes 7% 1+ tas unc Statice Punctioncre pee (P88) Preapta de sarcina (otatica saa de CC) Ont Ves =IpR+V¥op oe 2 2 a SpoorANALIZA ITERATIVA e = ee bo fe (presupanemU, =0.5V | ie fe Veins <0ms a ai =0,6319V oO Eaa-U, 10V-0,5V taConduetne = 75. y, fe vo Simplu Corect daca V>>0,7V Se aplica in circuitele pentru care tensiunile sunt mari in comparatie cu tensiunea de deschidere a diodeiREZISTENTA DE PUNCT STATIC CIN CC) a (©) Fp=-1V p= b= -1 a Foy _ ‘Masursves cw Ohmetrul Fo Pax toateREZISTENTA MEDIE IN C& a 2mm rez. a fi mai mare si ta ‘Valoarea medie este wtila atunei cand curentil prin dioda vaniaza intre aceste limite Geomettic avem na segment de dreapta coarecuun 'paralel cu caractetistica diodei tasata penta tensaini mai atari ca tensimnea de deschidere aMODELUL ECHIVALENT PENTRU CC Nad Heaney = 8¥s_ 08V-OTV _ 01 Te" a OMA Oma 10m arto a HR =ANALIZA CIRCUITELOR = CU DIODE_EX1 = Ecuatiile sunt valabile numai daca Ep, > Up oa = aaa ideala scurtcircuit:ANALIZA CIRCUITELOR CU DIODE_Ex2 (@) Schema eectrica (©) Schema ecivatenia presupunand DI off {D2 on (Op. diode ideale) (deoarece rezutea gy = TV, aceasta stare nu este posiilay (© Schema echivalenta presupunand D1 on siD?2 off {aceasta stare este corecta deoarece rezulta ip, BOZIAIY si pp negativa)___INREGIM VARIABIL LA SEMNAL MIC ‘ MODELAREA DIODE! SEMICONDUCTOARE = | iMATENUATOR CONTROLAT a ANALIZA& DE CC a a a ————— 2-107 50-10 3 2030 <<1002 2K PSR aT a 10° =30 negatv (a cresteroa temperatuni scade VZ.). Diodele cu multiplicare tn avalansa au coeficient de temperatura pozitiv > inparticular diodele Zener cuVZ= 5, 1V, au CT~OmVie la curent mic Pe de alta parte pentru DZ de 6.8V, au CT~ 2mv/C. (easnuainvexse peat 100°C parametii odes sunt descr n tel) ~ Td, — are = le, 1) ay OHO dpc 250) = 0072)05) = 054 Denavece caeficenl de eaupaatien este posiy e+ osy os y YVALORI MEDI, VALORIEFEVTIVE inAPLICATIL DIODE = REDRESARE MONO-ALTERNANTA GeAPLICATII DIODE REDRESARE BI-ALTERNANTASe emose: 120 V (rms), 60 Hz ae Vy =0.7V. vo(max) =9¥ Red eu pet median s(x) = yomax) + Vy = 940.7 = 9.7 PLY = va(max) = 2vg(man) — ¥, = 20.0.7 = 18.7V ‘Kedresor in punie ys(max) = vo(max) +20 = 942(07)= 10.4V vs(max) — V, = 194-07 =9.7VEDRESOR MONOFAZAT MONOALTRNANTA GS CU FILTRU CAPACITIV = tt T ‘ wo) c T 2 [JomFORME DE UNDA IDEALE =—\ FORME DE UNDA REALE 5EVALUAREA RAPIDA e A CAPACITATI DE FILTRARE c= RC>>T pentru Acc Vy Curentul de descarcare Vy poate fi aproximat R At, =T- At, x7 Ciel w=, RCEXEMPLIFICARE = V,=10V f=50Hz, R,=1002 Aveisv c=? Ave als FeRe Te ea OM T5ryR 15-50-1001 3°3 #F > 1333 pF alegem un condensator electrolitic C=1500uF/25V..XEMPLE DE CIRCUITE LIMITATOARE = Ex Wy =3.3Vi Min =8.3V i 1, <07V Tensiunea de intrare ¥y este data de: v,=15 sin(w/) Caractenstica generala de transterJO, Portion of tg clipped 4 \ ety diet / Digde Don ty (V) 6 Both diodes off \y Diode D2 onCIRCUITE DEMODIFICARE & NIVELULUI DE CC =