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8SEMICONDUCTORES

Ejerciciosdelcaptulo

1.TEORABANDAS.CONDUCTORESYAISLANTES.
SegndijimosenelCaptulo2,enlostomosaislados,esdecir,tanalejadosdeotros
quenoseaapreciablelainteraccinconstos,loselectronescorticalesestn
distribuidosenergticamentesegnvaloresdiscretosquevienendeterminadosporlas
solucionesdelaecuacinfundamentaldelaMecnicaCunticaqueeslaEcuacinde
Schrdinger(E.S.)(SchrdingeryDirac,NobeldeFsicaen1933).Acadaelectrn
corticalcorresponden4nmerosdenominadosnmeroscunticos:n,l,ml,yms.El
nmerocunticondeterminaelnivelenergticooloqueeslomismosumayoro
menoralejamientodelncleo.Laenergadeloselectronesesnegativa(hayque
aportarenergaparadesligarlosdeltomo)ymayorenergaequivaleams
alejamientodelncleo.Aspues,loselectronesslopuedenposeerunosniveles
energticosdeterminados,ycualquierotraenergaestara"prohibida".Estemodelode
nivelesdeenergadiscretos,estdeacuerdoconlasobservacionessobreemisiny
absorcindeluzengasesincandescentes,dondeseobservanespectrosdiscretos.
Enunslidocristalinoexisteunadistribucinregulardetomosenelespacio,que
constituyelallamadaredcristalina.Enalgunosslidosestadistribucinregularse
manifiestamacroscpicamenteenformasgeomtricasllamadascristales,(cuarzo,
diamante,..).
Enlosslidoscristalinos,lasinteraccionesentrelostomosdelaredhacenqueel
problemadeladistribucinenergticadeloselectronesseamuchsimoms
complicadoqueenuntomoaisladopero,dentrodelospostuladosdelaM.C.,resulta
razonablesuponerquelosnivelespermitidosalconjuntodeelectronesdelslido,se
acumulanenbandasdeenergaseparadasunasdeotrasporintervalosobandasde
energaprohibidas.Laemisindeluzporslidosincandescentesesunhecho
experimentalqueavalalaanteriorhiptesis.Dentrodecadabandapermitidalos
nivelesestarantanprximosentres,quelasconsideraremosbandaspermitidas
continuas.
Sisuponemosunslidocristalinoalatemperaturade0K(situacininalcanzable),los
electronesocuparanlosnivelesdeenergapermitidosmsbajosposible.Cabrandos
posibilidades:
1. Labandapermitidademayorenergaestocupadaparcialmente.
2. Labandapermitidademayorenergaesttotalmentevacaytodaslasdems
estnllenas.

Labandademayorenerga,tantosiestvacaparcialmentellena,sellamabanda
deconduccin,mientrasquelasiguientedemenorenergalallamaremosbandade
valencia.Enelprimercaso,loselectronesdelabandadeconduccinpuedentomar
energadeuncampoelctricoaplicadoypasaranivelessuperiorescompatiblesconel
principiodeexclusindePauliincrementandosumomentocintico.Lainteraccin
conpartculasdelcristalpodrdarlugarasaltosdeenergaalainversa.Estosupone
desdeluegoelabandonodelceroabsolutoylaaparicindeundesplazamientodela
cargaelctrica,esdecirunacorriente.Elmaterialportantoseraunconductor.Tales
elcasodelosmetales.Enelsegundocaso,enlasbandastotalmentellenanoson
posibleslasinteraccionesquesupongansaltosdeunosnivelesaotros,segnel
principiodeexclusin.Lasinteraccionesposiblesimplicaransaltosalabandade
conduccin(queesttotalmentevaca),perolacantidaddeenerganecesariasera
muygrandeyelprocesonopuededarsecercadelceroabsoluto.Porlotanto,abajas
temperaturas,elmaterialtieneuncomportamientodeaislante.Eselcasodelos
materialesnometlicosconenlacescristalinoscovalentes.
Ladistincinclaraentremetalesynometalesabajastemperaturasdesaparececuando
nosalejamosdelceroabsoluto.Enefecto,laagitacintrmicapermitelossaltosdesde
labandadevalenciaaladeconduccin,conloquestaapareceparcialmenteocupada
comoenlosmetales.
Enlosmetalesatemperaturasdetrabajo,unaumentodelatemperaturasetraduceen
unaumentodelaagitacintrmica,loqueasuvezproduceunamayorfrecuenciade
lasinteraccionesentreelectronesypartculasyporconsiguiente,unadisminucindel
recorridomediodeloselectronesentrechoques,unadisminucindelavelocidad
mediadelosmismosyfinalmenteunadisminucindelaconductividad.
Enlosmaterialescristalinosnometlicos,unincrementodelatemperaturaaumentala
probabilidaddesaltosdesdelabandadevalenciaaladeconduccin.Alquedarambas
parcialmenteocupadas,yasonposibleslosintercambiosdeenergaentrenivelesdela
mismabanda.Alavezaumentalaagitacintrmicacomoenlosmetales.Setratade
losmecanismosopuestosynosepuedeafirmarsilaconductividadaumentaro
disminuir.Dehechopuedeocurrirlounoporotro,segnelordendemagnituddela
temperatura.
Enlosmetales,loselectronesqueocupanlabandadeconduccinsonloselectrones
noligadosatomosindividualesyconstituyenloquesueledenominarsegasde
Fermi.Laimagennocuntica(clsica)seraladeunaespeciedeplasmadeelectrones
enelqueestninmersoslostomosionizados(enlacesmetlicos).Elrestodelos
electronesligadosatomosindividualesocuparanlasbandasinferiores(totalmente
llenas).

2.SEMICONDUCTORES.ELECTRONESYHUECOS.
2.1Semiconductoresintrnsecos.
Elsemiconductormsimportanteessindudaelsilicio(Si)denmeroatmico14y
pertenecientealgrupoIVAdelaclasificacin
peridica,grupoalquetambinpertenecenel
carbono(C,nmeroatmico6)yelgermanio
(Ge,nmeroatmico32).Loselementosde
estegruposecaracterizanporposeerenla
ltimacapacuatroelectrones.Cristalizantodos
ellosenelmismosistemaylaceldayunitaria
esuntetraedroregularconunelectronescada
vrticeyunomsenelcentro.Elenlace
covalenteconsisteenlacomparticindelos
cuatroelectronesdevalenciadecadatomo
conloscuatrotomoscontiguosparasimular
asunaestructuraconochoelectronesenla
capamsexterna,quecorrespondeaunestadocristalinodegranestabilidad.
Laanchuradelabandaprohibidaesmuydiferenteparaestostresmateriales.Parael
carbono(estructuradiamante)esdeunos13eV,ladelsilencioesde1,1eV
aproximadamenteyladelgermanio0.7eV.Ladelcarbonoresultatangrandequela
probabilidaddesaltosentrebandadevalenciaybandadeconduccinesprcticamente
nulayelmaterialesunaislante.Paraelgermanioysilicioelvalorestalquela
probabilidadnoesnulayademsdependefuertementedelatemperatura.Porello
estosdosmaterialesqueformanpartedelgrupodelosllamadossemiconductores.
Comohemosvisto,fueradelceroabsoluto,tantoenlabandadeconduccincomoen
labandadevalenciaexistenelectronesynivelesdesocupados,porloque,alaplicarun
campoelctrico,sepuedeproducirunaabsorcindeenergaporpartedelos
electronesyporlotantounarrastredelosmismos.Hayporlotantounacorriente
elctricaenlaqueintervienenlasbandasdeconduccinydevalencia.
Enlabandadeconduccinelmecanismoesanlogoalqueseexplicalaconductividad
delosmetales.Enladevalencia,elmecanismopuedeinterpretarsedeformadiferente.
Cadaniveldesocupadocorrespondealabandonodeunelectrnquehapasadoala
bandadeconduccin,odichodeotraforma,alaroturadeunenlacecovalente.Sien
labandadevalencia,unelectrncambiadenivelcomoconsecuenciadesuarrastre
poruncampoelctrico,osea,unelectrndeunenlacecovalenteintactoloabandona
ypasaacompletarotropreviamenteroto,podramosdescribirestemecanismocomo
siloquesedesplazarafueseelenlacerotoenlugardelelectrn.Naturalmenteel

enlaceroto,quecorrespondeaunniveldesocupado,sedesplazaensentidocontrarioa
loselectrones.Resultaconvenienteconsideraralenlacerotocomounacargaelctrica
mvil,alaquedenominaremosunhueco,einterpretarlacorrienteelctricacomo
formadapordostiposdeportadores:loselectronesdelabandadeconduccin(cargas
mvilesnegativas)yloshuecosdelabandadevalencia(cargasmvilespositivas).
Estamossuponiendouncristalsinimpurezasnidefectos.Unsemiconductorasse
denominasemiconductorintrnseco.Losportadoresdecorrienteexisten,segnlo
explicado,porparejas.Estamossuponiendoque
tenemosenergatrmica,esdecirquenoestamosenel
cerogradoskelvin.Entonces,unelectrndelabanda
devalenciapuedeincrementarsuenergatomndolade
laagitacintrmicaypasandoalabandade
conduccindondeexistennivelesdesocupados.Asse
creaunaparejadeportadoreselectrnhueco.Este
mecanismosedenominageneracindeparesy
naturalmentedependerdelatemperatura.Elproceso
inverso,esdecir,laprdidadeenergadeunelectrn
delabandadeconduccinpasandoaladevalencia,se
puedeconsiderarcomolaaniquilacindeunpar
electrnhuecoysedenominarecombinacindepares.
Larecombinacinesunmecanismodetipoestadsticoyporlotantodependerdel
nmerodeelectroneslibresydelnmerodehuecos.Generacinyrecombinacinson
mecanismosantagnicosyladensidaddeelectrones,n,ydehuecos,p,ensituacinde
equilibrioseestablecerncuandolastasasdegeneracinyrecomendacinsean
iguales.Llamaremosnjalnmerodeparesenunsemiconductorintrnseco,
naturalmentedependerdelatemperatura,T,yenestecasoseverificar:
n=p=nj(T)
Constante

n
p
Material
( .cm) dered
2
1 1
2
cm .V .s cm .V1.s1
x1010m

Densidad
(g.cm3)

Temp.de
fusin
C

Banda
prohibida

(eV)

Si

1350

480

2.5x105

5.43

11.8

2.33

1415

1.11

Ge

3900

1900

43

5.66

16

5.32

936

0.67

2.2Semiconductoresextrnsecos,TiposNyP.
Lossemiconductoresrealesnosonnuncapurossinoquetienenimpurezas,esdecir
notodoslostomossondelelementobase(Siporejemplo).Sinembargo,seintenta
quelasimpurezasincontroladasseansumamenteescasas,paralocualelprocesode

fabricacindebeserextraordinariamentecuidadoso.Porelcontrario,seaaden
impurezasdedeterminadotipoyenproporcionescuidadosamentecontroladas.Asse
tienendostiposdesemiconductoresimpurificados,denominadosextrnsecos.
2.2.1SemiconductorestiposN.
CuandolasimpurezasaadidassonpredominantementedelgrupoVAdelatabla
peridica(fsforo(P),arsnico(As),antimonio(Sb)),elsemiconductorsedenomina
tipoNylasimpurezassedenominandonantes.Lostomosdeestegrupoposeenensu
ltimacapa5electrones.Asporejemplo,siuntomodeSi,porejemplo,es
sustituidoporuntomodeAs,trasformarlos4enlacescovalentesconlos4tomos
deSivecinos,quedaunelectrndeltomodeAssinemparejaryporlotantotan
dbilmenteligadoaltomodeAs,queatemperaturapocoporencimadel0Kquedar
libre,esdecir,ocupandounniveldelaBC.Comoestoocurrirconcadatomode
impurezadeAs,enlaBCtendremos,ademsdeloselectronesdebidosalageneracin
depares,unelectrnporcadatomodeimpurezadonante,osea,quetendremosms
electronesenlaBCquehuecos:n>p.Aspues,losportadoresmayoritariossonlos
electronesylosminoritariossonloshuecos.Enlaprctica,enlosSCtipoNlos
electronesdelaBCsonensumayoradonadosporlostomosdeimpurezadonante,
hastaelpuntoquesepuedesuponerquenNd,siendoNdladensidaddeimpurezas
donantes(ndetomosdeimpurezaen1cm3).
2.2.2SemiconductorestiposP.
CuandolasimpurezasaadidassonpredominantementedelgrupoIIIAdelatabla
peridica(aluminio(Al),galio(Ga),indio(In)),elsemiconductorsedenominatipoP
ylasimpurezassedenominanaceptantes.Lostomosdeestegrupoposeenensu
ltimacapa3electrones.Asporejemplo,siuntomodeSi,essustituidoporun
tomodeGa,trasformarlos4enlacescovalentesconlos4tomosdeSivecinos,
quedaunenlacesincompletar.Atemperaturapocoporencimadel0Kloocuparun
electrndelaBV,quedejarunhuecolaBV.Comoestoocurrirconcadatomode
impurezadeGa,enlaBVtendremos,ademsdeloshuecosdebidosalageneracinde
pares,unhuecoporcadatomodeimpurezaaceptante,osea,quetendremosms
huecosenlaBVqueelectronesenlaBC:p>n.Aspues,losportadoresmayoritarios
sonloshuecosylosminoritariossonloselectrones.Enlaprctica,enlosSCtipoP,
loshuecossonensumayoradebidosalostomosdeimpurezaaceptante,hastael
puntoquesepuedesuponerquepNa,siendoNaladensidaddeimpurezasaceptantes
(ndetomosdeimpurezaporcm3).
Comohemosdicholatasadegeneracindepares,(T),(ndepareselectrn
huecogeneradosporunidaddetiempo)esnicamentedependientedelatemperatura.

Elprocesoantagonista,larecombinacinoaniquilacindepares,esprobabilsticoy
porlotantolatasadepareselectrnhuecoaniquiladosporunidaddetiempo,ser
proporcionalalproducton.p.Cuandoambosmecanismosestnequilibradosn.p=
(T),conindependenciadelgradodeimpurificacin.Porlotanto,paraunSC
intrnseco,severificarqueni2=(T);yfinalmentedelasdosrelacionesanterioresse
deducelallamadaleydeaccindemasas:
n.p=ni2(8.1)
Aspues,paraunSCtipoNreal,sepuedeconsiderarquenNdyporla(8.1)pni2
/Ndynaturalmentenp;igualmente,paraunSCtipoP,pNaynni2/Nayn
p.
3.DISTRIBUCINENERGTICADELOSELECTRONES.
Elproblemaquenosinteresaresolverseformularadelasiguientemanera:dentro
deunabandapermitida,porunidaddevolumen,yaunatemperaturaT,queremos
averiguarcuntoselectronestienenenergascomprendidasentreEyE+dE.
Supongamosqueconocemosladensidaddeestadosdeenergapermitidos,S(E),osea,
elnmerodeestadospermitidosporunidaddeintervaloenergtico.Enestecasoel
nmerodeestadosparaunintervalodeenergacomprendidoentreEyE+dEser:
dS(E)=S(E).dE(8.2)
SupongamosquetambinconociramoslaprobabilidaddequeunniveldeenergaE
estocupadoporunelectrnalatemperaturaT.Estaprobabilidad,serfuncinen
generaldelaenergaydelatemperatura.EsladenominadafuncindeFermi,
F(E,T).Ahora,elnmerodeelectronesconenergascomprendidasEyE+dEser:
dn(E,T)=S(E).F(E,T).dE(8.3)
quetambinpuedeponerseas:

=S(E).F(E,T).dE(8.4)
queesladistribucinenergticadeFermnDiracSommerfieldoabreviadamente,ley
dedistribucinFDS.Aspues,elproblemahaquedadoseparadoendos:
1. determinacindeladensidaddeEstados,S(E).

2. determinacindelafuncindeFermi,F(E,T).
4.DENSIDADDEESTADOSENLASBANDAS.
Ladensidaddeestados,(ladeduccinnolaharemos,perolapodemosproporcionara
losalumnosqueestninteresados),resultaser:
a. enlabandadeconduccin:

(8.5)

(8.6)

enestas,ECeselniveldeenergamsbajodelabandadeconduccin.
Cualquierelectrnpuedeirperdiendoenergacintica(sevaadeteniendo)
descendiendodenivelhastallegaraEC.Deaququepuedainterpretarseeste
fondodelabandadeconduccincomolaenergapotencialdelelectrn,pueses
laquelequequedaaldetenerse.PorlamismaraznEECeslaenerga
cinticadelelectrndeenergatotalE.
LaKCengloba,ademsdeconstantesuniversales,mc3/2dondemCeslallamada
masaefectivaquenoesigualalamasaenreposodeunelectronesaislado,si
biennodifieremuchodeella.
b. enlabandadevalencia:

(8.7)

(8.8)

enestas,Eveselniveldeenergamsaltodelabandadevalencia.LaKvengloba,
ademsdeconstantesuniversales,mv3/2dondemveslallamadamasaefectivadel
huecoquenodifieremuchodelamasaenreposodelelectrnaislado(verlafigura1).
5.PROBABILIDADDEOCUPACIN

LasideasdelaMecnicaCunticaylaEstadsticadeBoltzmannospermitiran
deducirlaexpresindelaprobabilidaddeocupacindeunnivelEaunatemperatura
T.Estaexpresinnotieneencuentasielnivelcorrespondientequeestocupadono:

paralabandadevalencia,teniendoencuentaquehemosjustificadolaconvenienciade
referirnosaloshuecosenlugardealoselectrones,convendrconsiderarla
probabilidaddequeunniveldeestedesocupado,quecorrespondealaprobabilidadde
existenciadeunhueco:

Laexpresin(8.9),delaquehemosdeducidola(8.10),eslallamadafuncinde
Fermi.EnellaapareceEF,queesunaenergaquesedenominaniveldeFermi,yque
tieneunimportantesignificadodeladescripcindelcomportamientodelos
semiconductores.
5.1DiscusindelafuncindeFermi.
aextrapolacinalceroabsoluto(T=0K)
SiE>EF.............F0
SiE<EF.............F1
loquequieredecirqueenelceroabsolutonohayelectronesporencimadelnivelde
Fermiy,pordebajodelmismo,todoslosnivelesestarnocupados.Porconsiguiente,
dadaladiferenciacinquehemosestablecidoanteriormenteentresemiconductoresy
aislantes,resulta:
1. Enlosconductores,elniveldeFermisesitadentrodelabandade
conduccinestandoocupadostodoslosnivelespordebajodelnivelde
FermiynohabiendoelectronesconenergasuperioresaEF.
2. Enlossemiconductores,elniveldeFermiestarforzosamentelabanda
prohibidaentreladeconduccinyladevalencia.
bFueradelceroabsoluto(T>0K):

SiE=EF.............F=1/2
F=0yF=1sonasntotasacualquierT.(verfiguras)

6.LOCALIZACINDELNIVELDEFERMI.
aconductores:
YahemosdichoqueelniveldeFermiseencuentraenlabandadeconduccin.Si
extrapolamosalceroabsoluto,todoslosnivelescomprendidosentreEcyEFestarn
ocupados,porloqueparacalcularcuntoselectronesdelabandadeconduccinhay
porunidaddelvolumenbastarintegrarlafuncinSc(E)entreEcyEF:

HemossupuestoqueKCslodependedelatemperatura,porloquesehasacadofuera
delaintegral.Estoesaproximadamenteciertoparalabandadeconduccindelos
metales.Comoladensidaddeelectronesenlabandadeconduccinnodependedela
temperatura,conociendodichadensidad,N=n(0),podemoslocalizarelniveldeFermi
apartirdela(8.11):

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b- semiconductores:

Paraempezar,supondremosquelasbandasdeconduccinydevalenciaconsus
respectivosportadoreselectronesyhuecos,tienenuncomportamientosimtrico.Ms
concretamentesupongamosdosintervalosestrechosentreE1yE1+dEenlabandade
conduccinyentreE2yE2dEenlabandadevalencia,talesqueE1+E2=EC+EV.A
amboslescorresponderlamismadensidaddeestadosyporlotantolarelacinentre
elnmerodeelectronesydehuecosendichosintervalosenergticosser:

Si E1-EF y EF-E2 son suficientemente mayores que kT, las exponenciales sern mucho
mayores que la unidad y por lo tanto la (8.31) podra escribirse as:

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y podemos escribir:

endonde:

eslaseparacinenergticadelniveldeFermirespectoalnivelcentraldelabanda
prohibidaqueestentrelasdeconduccinyladevalencia.Luegopodremosponerla
(8.7)as:

comola(8.10)esindependientedelaparejadenivelesdeE1yE2elegidos,pondremos
ponerlafinalmenteas:

ecuacinquenossitaelniveldeFermiconrelacinalasbandasdeenerga.Si
consideramosademslaleydeaccindemasas,podemosescribirla(8.11)as:

EnlossemiconductorestipoN,n>p,locualimplicaqueE>0,esdecirqueelnivel
deFermiseaproximaalabandadeconduccintantomscuantomsfuertemente
impurificadoest.ParafuertesimpurificacionessernNdy

EnlossemiconductorestipoP,p>n,locualimplicaqueE<0,esdecirqueelnivel
deFermiseaproximaalabandadevalenciatantomscuantomsfuertemente
impurificadoest.ParafuertesimpurificacionesserpNay

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Paralossemiconductoresintrnsecos,p=n,loqueimplicaqueE=0,esdecirque
elniveldeFermiestexactamenteenelcentrodelabandaprohibida.
Siseelevalatemperatura,ni(T)creceytanton/nicomon/ptiendenalaunidad,lo
queequivaleadecirquelosmaterialestiendenacomportarsecomointrnsecospara
temperaturaselevadas.
7.LAUNINNP.
LaunindeuncristaldeunsemiconductortipoNconotrotipoPtieneun
comportamientoquelahaceinteresanteenaplicacionestantoanalgicascomo
digitales.Estaunindalugaraunafamiliadedispositivosbsicosdenominados
diodosyaotrosdispositivosmscomplejosytecnolgicamenteanmsinteresantes,
quesedenominantransistoresdeunin.
ParadescribirelcomportamientodelauninNP,nosbasaremosenlas
propiedades,descritasanteriormente,delossemiconductoresintrnsecosydopados.El
procesodefabricacinimplicadoparunapartedeuncristaldeformaquesecomporte
comodetipoPyotrapartedelmismodeformaquesecomportecomodetipoN.Es
decir,enningnmomentolaspartesNyPestnseparadas.Sinembargo,para
describirlosfenmenosqueexplicanelcomportamientodelaunin,resulta
pedaggicosuponerqueinicialmentelosbloquesNyPestnseparadosyqueenalgn
instanteinicialseunen.Hechaestasuposicin,vamosadescribirloqueocurreapartir
delinstanteinicial.
7.1Uninenequilibrio.
Naturalmentesuponemosquecadaunodelosbloquesestinicialmentedescargado
(carganetacero).Porlotantoentreambosbloquesnohayinicialmented.d.p.Enel
bloqueNtenemosabundanciarelativadeelectroneslibres(),connivelesdeenerga
delaBC(portadoresmayoritariosenN)yescasezdehuecos(+),(portadores
minoritariosenN).AnlogamenteenelbloquePabundanloshuecos(+)
(mayoritariosenP),yescaseanloselectroneslibres()(minoritariosenP).Porlo
dicho,tiendeaproducirseunfenmenodetiponoelctricosinotermodinmico,
consistenteenladifusindeelectronesdesdedondeabundan(bloqueN)haciadonde
escasean(bloqueP),yanlogamentesedifundiranloshuecosdesdeelbloquePal
bloqueN.Porssolaladifusindaralugaraunaintensidaddecorriente(corrientede
difusin),,ID,enelsentidodeP>N.

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Figura 8.6
En cuanto hayan transcurrido unos instantes y se haya difundido una cierta cantidad de
portadores, segn lo explicado antes, el bloque N, que ha perdido electrones y ha ganado huecos,
va cargndose positivamente y, de la misma forma, el bloque P, que ha perdido huecos y ganado
electrones, va cargndose negativamente. Por consiguiente, aparece una d.d.p. entre N y P de
manera que el N que a mayor potencial respecto a P. Pero esta d.d.p. producir un arrastre de
cargas negativas (electrones libres) de P--->N y positivas (huecos) de N--->P. Es decir, tiende a
producirse una intensidad de corriente de arrastre, IA, que ir en el sentido de N--->P, o sea,
sentido contrario a la de la corriente de difusin.

Figura 8.7
Los procesos mencionados, difusin y arrastre, son contrapuestos y llegar un momento en que
ambos alcancen un equilibrio dinmico de tal manera que la intensidad de corriente a travs de la
unin ser: ID + IA = 0.
Si suponemos que la unin entre los bloques es abrupta, una vez alcanzado el equilibrio, la
difusin de portadores de cada bloque hacia el otro habr dejado en cada uno de ellos una regin
prcticamente vaca de portadores. Esas dos regiones, de anchuras WN y WP (Figura 8.7), forman
conjuntamente la llamada zona de deplecin de anchura WZ = WN + WP . En la semizona WN

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hay una densidad de carga espacial (no mvil) +, mientras que en la semizona WP habr una
densidad de carga espacial (no mvil) - (figura 8.7). En la zona ms impurificada la anchura ser
menor. As, en el ejemplo de la figura 8.7, como Nd > Na, vemos que WN < WP. Igualmente, al
estar cargado positivamente el bloque N y negativamente el P, aparece una d.d.p. entre los
bloques, distribuida en la zona de deplecin, que se denomina potencial de contacto, V0, estando
a mayor potencial el bloque N que el bloque P, como vemos en la figura 8.8.

Figura 8.8
La suposicin de que la unin es abrupta no es muy realista, ya que los mtodos de fabricacin
hacen que las impurificaciones varen de forma gradual. As pues, los resultados que vayamos
deduciendo slo tienen un valor cualitativo, suficiente por ahora.
El potencial de contacto en las uniones de N-P resulta ser:

Para la uniones de Si y para una temperatura de 300 K (unos 27 C), V0 es del orden de 0.7 (V) y
la mitad para uniones de Ge. Con las mismas premisas simplificadoras, se llega a la expresin de
la anchura de la zona de deplecin:

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siendo la constante dielctrica del semiconductor. Para los diodos de Si, V0 es del orden de unos
0.7 V.
La zona de deplecin tiene una cierta analoga con un condensador, como se define en
Electrosttica, ya que hay 2 cargas enfrentadas iguales y de signos opuestos y un dielctrico entre
ambas. Por ello la unin presenta un efecto capacitivo, que tiene una gran importancia en el
funcionamiento dinmico de los diodos.

7.2Uninfueradelequilibrio(polarizada).
Acabamos de ver que el equilibrio de la unin se produce por la igualacin de la intensidad de
corriente de difusin y la intensidad de corriente debida al arrastre (ID = - IA). Si aplicamos una
d.d.p. exterior a la unin, su efecto primario ser lgicamente romper el equilibrio a favor de uno
de los dos mecanismos descritos. Por lo tanto, habr dos formas de polarizar la unin, segn se
favorezca uno u otro mecanismo.
7.2.1 Polarizacin directa.
Vamos a suponer que aplicamos por medio de una fuente de energa elctrica una d.d.p. externa
de valor V voltios, de manera que el polo positivo de la fuente est ms cerca del bloque P y el
polo negativo, ms cerca del bloque N (figura 8.9).

Figura 8.9
La d.d.p. exterior, V, aplicada se sumar al potencial de contacto, V0, y el resultado es que el
potencial total en la unin ser: VT = V0-V, considerando que V > 0. Por lo tanto el
mecanismo de arrastre ser menor al ser VT <V0 (Figura 8.10). Como el mecanismo de
difusin es independiente de la d.d.p. en la unin, en este caso el equilibrio se rompe a favor de la
difusin y tendremos una intensidad de corriente neta no nula, I, en el sentido del bloque P --->
N. La polarizacin directa favorece por lo tanto el paso de portadores mayoritarios de cada
bloque hacia el otro (huecos de P---> N y electrones de N---> P. Cuanto mayor sea V, ms se
favorece este paso de portadores mayoritarios y como estos son muy abundantes, cabe esperar

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que la intensidad a travs de la unin, I, sea creciente con V y que pueda alcanzar valores muy
elevados.
Los electrones de N pasan a P, por lo que deben ser repuestos por el circuito exterior unido al
polo negativo de la fuente, lo que es coherente con el hecho de que la corriente I circule del polo
positivo, a travs de la unin, hacia el polo negativo. Los electrones provenientes de N se
encuentran en P con abundancia de huecos, por lo que la probabilidad de que se recombinen
pares electrn-hueco ser muy elevada. As pues, en P van desapareciendo huecos, por que pasan
a N y/o por que se recombinan con electrones provenientes de N. El circuito exterior unido al
polo positivo se encarga de reponer huecos capturando electrones de valencia del bloque P, lo que
tambin es coherente con la intensidad circulante I.

Como vemos en la figura 8.10, la barrera de potencial, VT,disminuyerespectoaV0,aligual

queelcampoelctricoenlaunin,Eylaanchuradelazonadedeplecin.Tambin
disminuyerespectoalequilibriolacapacidaddelaunin.
7.2.2Polarizacininversa.
Alcontrarioquelosupuestoanteriormente,aplicamos,pormediodeunafuentede
energaelctrica,unad.d.p.externadevalorVvoltios,demaneraqueelpolopositivo
delafuenteestmscercadelbloqueNyelpolonegativo,mscercadelbloqueP
(figura8.11).

17

Figura8.11
AhoratenemosqueVT=V0+V,siendoV>0yporlotanto,alserVT>V0,(Figura8.12)se

vefavorecidoelmecanismodearrastrefrentealdedifusin,loqueimplicaque
tendremosunaintensidaddecorrientenetanonula,I,enelsentidodelbloqueN>
P.Lapolarizacininversafavoreceporlotantoelpasodeportadoresminoritariosde
cadabloquehaciaelotro(huecosdeN>PyelectronesdeP>N.Cuantomayor
seaV,mssefavoreceestepasodeportadoresminoritariosycomoestossonmuy
escasos,cabeesperarquelaintensidadatravsdelaunin,I,sesaturerpidamente
conVcreciente,sinllegaraalcanzarvaloreselevados.Elvalordeestacorriente,poco
dependientedelatensin,V,aplicadayfuertementedependientedelatemperatura,
tieneunvalormuypequeo(delordendelosA)ysedenominacorrientedesaturacin.
LadesignaremoscomoIS.

18

Comovemosenlafigura8.12,labarreradepotencial,VT,aumentarespectoaV0,al
igualqueelcampoelctricoenlaunin,Eylaanchuradelazonadedeplecin.
Tambinaumentarespectoalequilibriolacapacidaddelaunin.
8.ELDIODODEUNIN.
EldispositivodeestadoslidomssimpleesenrealidadlauninNPtalcomoha
sidodescritadeformasimplificadaenel7yquesedenominatecnolgicamentediodo
deunin.Elcomportamientosimplificadocorrespondedeestediodoidealizado
respondealasiguienteexpresin:

denominadaecuacindeSchockley.Larepresentacingrficalavemosenlafigura
8.14(a).Enellaobservamosqueenpolarizacindirectaeldispositivosecomporta
comounaresistenciapequea(casicomouncortocircuito),mientrasqueen
polarizacininversaeldispositivoescomounaresistenciamuyelevada(casiun
circuitoabierto).

19

a)pol.directab)pol.inversa
Figura8.13
Enlasfiguras8.14(b)y8.15(a)y(b),vemosotrasaproximacionesdeldiodo,
vlidascadaunadeellasendiferentescircunstancias.Elhechodequeentodocasoel
diodopresentedosestadostannetamentediferenciadoshacequeeldiodopuedaservir
pararepresentarfsicamentelos2valoresdeunavariablebinaria;porejemplo,el
estadodepolarizacindirecta,queenloscircuitosdigitalessesueledenominarON,
podrarepresentarelvalor1deunavariablebooleana,mientraselestadode
polarizacininversa,oestadoOFF,podrarepresentarelvalor0delamismavariable.
Aspues,sepuedendisearcircuitosdigitalesusandodiodosdeunin;sinembargo,
portratarsedeelementospasivos,suutilidadenestecampoeslimitada.

(a)(b)
Figura8.14

20

(a)(b)
Figura8.15
8.1Limitacionesdelosdiodosreales.
Tantoensentidodirectocomoensentidoinverso,eneldiodoseproduceuna
disipacindeenergacalorfica,queelevalatemperaturadelauninporencimadela
temperaturaambiente.Asuvezhayunacesindecalordesdeeldiodoalambiente.La
temperaturaalcanzadaporlauninsepuedecuantificardeformaaproximadaporuna
expresincomoesta:

dondeTaeslatemperaturaambiente,Ilaintensidadquecirculaporeldiodo,Vla
d.d.p.entrelosextremosdeldiodoyeslallamadaresistenciatrmicadeldiodo.Esta
dependerdelasfacilidadesdelcircuitopararefrigerarse:cuantomenorsea,ms
potenciapodrdisipareldiodosincalentarsepeligrosamente.Porlotantoen
polarizacindirectahabrunaintensidadImax,quenodebersobrepasarseparano
alcanzarunatemperaturaexcesiva(175a200C).Ensentidoinverso,laintensidades
muypequea(Is),perocrececonlatemperaturaysisesobrepasaunciertovalorde
d.d.p.Vmax,puedeproducirseunefectodeinestabilidadtrmicarealimentadoque
acabequemandoeldiodo.Estosefectosyotrosqueveremosacontinuacinnoestn
descritosporningunodelosmodelossimplificadosquehemosvistoanteriormente.
Enpolarizacininversapuedepresentarseelllamadoefectoavalancha:sila
tensininversaaplicadaalcanzaundeterminadovalor,elcampoelctricopuede

21

acelerarlospocoselectroneslibresdelazonadedeplecin,que,asuvez,pueden
arrancarporcolisinelectronesdevalencia.Estossonasuvezaceleradosalcanzando
granvelocidadysiendocapacesdecolisionaryarrancarnuevoselectrones.Porlo
tantosellegaaproducirunaavalanchadecorrienteinversa,queenlosdiodos
ordinariosproduciraprobablementeunaexcesivaelevacindelatemperaturaysu
avera.
8.2Tiposdediodos.
Ademsdeldiodoordinario,queresponderatendrauncomportamientodescrito
aproximadamenteporunodelosmodelosdelasfiguras8.14y8.15,determinadas
variantesdediodosdeuninpresentanenalgunascircunstanciascomportamientos
singulares,quepuedenaprovecharseenciertasaplicacioneselectrnicas.Astenemos
unaampliagamadediodos:
diodosordinarios
fotodiodosPINyAPDdeavalancha
diodosZenner
diodostunel
diodosemisoresdeluzLED
diodosoclulasfotovolticas
Diodosordinarios:seaprovechasucomportamientodecasicortocircuitoensentido
directoycasicircuitoabiertoeninverso.Sontilesporlotanto,entreotros,en
circuitosrectificadores(conversoresdec.a.enc.c.),encircuitosdigitales(matricesde
diodos).
FotodiodosPINyAPDdeavalancha:sondiodosquetrabajanenpolarizacin
inversa.Atravsdefibrapticapuedenrecibirimpulsosluminosos,deformaque,
antesderecibirtalimpulso,elnmerodeelectroneslibresenlazonadedeplecinno
essuficienteparadesencadenarlaavalancha(elfotodiodonoconduce).Alllegarel
impulsoluminosos,losfotonesliberanelectronesysedesencadenalaavalancha(el
fotodiodoconduce).Naturalmente,estosdiodosestndiseadosparasoportarsindao
laavalancha.

22

DiodosZenner:sondiodosquetrabajantambinconpolarizacininversa.Esta
produceenparteunefectodeavalancha,peroademshayunpasodeportadorespor
efectotnel.
Esteefecto,demaneraalgosimplista,consisteenlosiguiente:supongamosqueuna
partculacargadasemuevehaciaunareginenlaquehayunabarreradepotencialde
alturaV.LaenergacinticainicialdelacargaesEc;cuandoentraenlabarrerade
potencialpartedesuenergacintica(1/2mv2)sevatransformandoenenerga
potencial,loqueimplica,segnlaFsicaClsica,quelaenergacintica,oloqueeslo
mismo,lavelocidaddisminuye.SiqV>Ec,lapartculallegarapararse,esdecir,no
podratravesarlaregin.ElrazonamientoanteriorescorrectosegnlaFsica
Newtonianaylaconclusinesquenohayefectotunel.
LaMecnicaCunticaexplicaelfenmenodeformatotalmentedistinta:la
partculaesconsideradanocomouncorpsculolocalizado,sinocomounaonda
(funcindeonda),cuyaamplitudrepresentaraunaprobabilidaddelocalizacin.
Cuandolapartculaondaalcanzalabarreradepotencialenparteserefleja,
(probabilidaddequelapartculanopaselabarrera),yenparteserefracta,
(probabilidaddequelapartculaatravieselabarrera).Esdecir,hayunaprobabilidad
nonuladequelapartculapaseatravsdelabarrera(comoporuntnel),esdecirhay
efectotnel.EnestecasolaexperienciadaralaraznalaM.Cuntica.

23

EldiodozennerpresentaunacaractersticaI>Vcomolaquevemosenlafigura
8.16.Vemosquetrabajandoenlazonazenner,eldiodomantieneunatensinfija,Vz,
conindependenciadelacorrientequecircule,osea,esunestabilizadordetensin.
Susnumerosasaplicacionesenloscircuitossebasanenestapropiedad.
Diodostnel:Silosdiodoszenneraprovechanelefectotnelconpolarizacin
inversa,losdiodostnelsebasanenelmismoefecto,perotrabajandoconpolarizacin

24

directa.Sinembargo,paraquesemanifiesteelefectotnelsefabricandeformaque
losbloquesNyPestnmuchomsdopadosqueenlosdiodosordinarios.Elresultado
esuncomportamientomuydiferentealdelosdiodosordinarios(Figura8.17).Loms
curiosoeslazonaderesistenciaincrementalnegativa,esdecirunareginenlaqueun
incrementopositivodelatensinVsetraduceenunincrementonegativodela
intensidadI.Lasaplicacionesdelosdiodostnelaprovechanprecisamenteestazona.

DiodosemisoresdeluzLED:sondiodosfabricadosconunsemiconductor
compuesto.Sucpsulaestransparenteparadejarpasarlaluz(fotones)emitidacuando
serecombinanenlazonadedeplecinhuecosyelectronesentrnsito.Laintensidad
delaluzemitidapuedemodularsevariandolatensindirectaaplicada.Elcolordela
luzdependedelsemiconductor;as:
Semiconductor

Color

AsGa

infrarrojo

PGa

verde

AsPGa

diferentes segn proporcin de As y P

Seutilizanparalosmandosadistanciaporinfrarrojos,eindicadores(displays)
alfanumricos.LatecnologadelosLEDseestdesarrollandocontinuamente.Se
fabricanyaLEDdeluzblanca(mezcladeloscoloresfundamentalesrojo,verdey
azul)ydeintensidadluminosaelevadaaprecioscompetitivos,loqueexplicaque
vayansustituyendoalaluzdeincandescenciayfluorescenteeniluminacinurbanay
domsticayotrasaplicaciones.Porejemplo,estnutilizndosecadavezmsen
pilotoseintermitentesdecoches,semforosy,porsupuestopanelesmuralesde
publicidadoinformacin.Elrendimiento(intensidadluminosa/watio)esmucho
mayor,porloqueelconsumoenergticoesmuchomenorqueenlossistemas
tradicionales.

(a)(b)(c)(d)(e)
Figura8.18
LossmbolosdelosdiodosnombradossonlosquevemosenlaFigura8.18):

25

(a)diodoordinario;(b)diodozenner;(c)diodotnel;(d)fotodiodo;(e)LED.
9.ELTRANSISTORDEUNIN.
Comodijimosalcomienzodelcaptulo,combinando2unionesNPseconsigueun
dispositivoconprestacionesmuchomsinteresantestodavaquelasdelosdiodos
vistosanteriormente.El17dediciembrede1947puedeconsiderarselafechaenque
JohnBardeenyWalterBrattainculminanlostrabajosqueconducenalainvencindel
transistordeunin.Eltransistorconsisteen3bloquesdesemiconductordopadosNP
NPNP.ElprimertransistoreradeGeytipoPNP.Actualmenteelsemiconductor
utilizadoesprcticamentesiempreSiysonmuchomsabundanteslostiposNPN
quelosPNP.Enlasfiguras8.19y8.20vemoslaestructuraesquemticarespectiva
delos2tiposdetransistoresmencionados.Lageometrarealdeuntransistordelos
queformanpartedeunchipnoseparecemuchoaeseesquema,quenicamentenos
vaaservirparaexplicarsufuncionamientodeformasencilla.

a)esquemab)smbolocircuito
Figura8.19

a)esquemab)smbolocircuito
Figura8.20
9.1Polarizacindeltransistor.

26

UnaformahabitualdepolarizaruntransistorNPNeslaquevemosenlafigura
(8.21),queesunaestructuraqueseconocecomoemisorcomn.Cuandolaentradaes
baja(0voltiosrespectodetierra),porelcolectornopasacorrienteyporlotantola
salidaesalta.Cuandolaentradaesalta,circulaunacorrienteelevadaporlaresistencia
decolectoryporlotantolasalidaesbaja.Esdecir,eltransistorsecomportacomouna
puertaNO.
Igualmente,unaformahabitualdepolarizaruntransistorPNPeslaquevemosen
lafigura(8.22),queesunaestructuraqueseconocecomoemisorcomn.Cuandola
entradaesalta(0voltiosrespectodetierra),porelcolectornopasacorrienteyporlo
tantolasalidaesbaja.Cuandolaentradaesbaja,circulaunacorrienteelevadaporla
resistenciadecolectoryporlotantolasalidaesalta.

Figura8.21

27

Figura8.22
10.ELTRANSISTORDEEFECTODECAMPO(FET).
LaintensidaddecorrientealaentradadeunapuertaformadaporuntransistorNPN
comoeldelasfigurasanterioresesbastantealta(impedanciadeentradabaja),loque
implicaquelasalidadeunapuertanopuedaconectarseamuchaspuertasdetipo
NPN.Paraqueunasalidadeunapuertapuedallevarseamuchasentradasdeotras
tantaspuertas,seraconvenientedeestasentradasprecisaranmuypocacorrientede
entrada(impedanciadeentradamuyalta)yestoseconsigueconotrosdispositivos
denominadostransistoresdeefectodecampo.ElprimerFETfueelJFETotransistor
deefectodecampodeunin.
10.1EltransistorJFET.
Suestructuracorrespondealesquemadelafig.8.23,(canalN).Enlamismafigura
vemossupolarizacinysusmboloenloscircuitos.

28

Figura8.23
Talcomovemosenlafigura8.23,latensinVGSpolarizalauninpuertacanalen
sentidoinverso,porloquelazonadedeplecinseadentrarenelcanalestrechndolo.
Adems,alestarpolarizadaensentidoinversolauninGS,secomprendequela
intensidaddecorrientedepuerta,IG,seamuypequea,comosepretenda.Variandoel
valordelatensindeentrada,VGS,modulamoslaanchuradelcanalyporlotantola
intensidaddesumidero,ID,ylatensindesalida,VDS.Cuantomayorseaelmdulode
VGS,menorserelvalordeIDD,yparaunvalordeVGSsuficientementegrandeen
mdulo(peronegativo),laintensidadIDDseharcero.SepuedefabricarunJFETcon
canaltipoP,quefuncionaradeformaanloga,perocontodaslaspolarizaciones
invertidasycontodaslasintensidadesconsentidosopuestosalosquevemosenel
casodescrito.

29

CaractersticasdesalidadeunJFETcanalN
10.2 El transistor MOSFET de empobrecimiento.
Suestructuraestrepresentadaesquemticamenteenlafig.8.24ay8.24benla
quevemosigualmenteelsmboloenloscircuitosylaformadepolarizarel
dispositivo.Entreelterminalmetlicodelapuerta,G,yelcanalNhayunacapa
aislantedexidodesilicio(MOS),loquehacequelacorrientedepuerta,IG,seanula
(impedanciadeentrada~).

30

Figura8.24a.EstructuraypolarizacindelMOSempobrecimientocanalP

31

Figura8.24b.EstructuraypolarizacindelMOSempobrecimientocanalN
Habitualmentesefabricanconelsustratoconectadointernamentealafuente,porlo
queeldispositivosepresentacomountriterminal.Variandoelvalordelatensinde
entrada,VGS,modulamoslaanchuradelcanalyporlotantolaintensidaddesumidero,
ID,ylatensindesalida,VDS.TalcomovemosenlaFig.8.25,paraunvalorfijode
VDS,cuantomspositivasealatensinVGS,mayorserlaintensidadIDcirculando
desdeelsumideroalafuente(S)alsumidero(D),ydelamismamanera,cuantoms
negativaseaVGS,menorserelvalordeID.Estaintensidadestransportadaporlos
electronesmayoritariosenelSi,tipoN,delcanalyespositiva(porserentranteal
transistorporD).LatensinVGS,puedesernegativasicambiamoslapolarizacinVGG.
ParaunvalordeVGSsuficientementegrandeenmdulo(peronegativo),laintensidad
IDseharcero.
LascaractersticasdesalidadelMOSFETdeempobrecimientosonporlotanto
similaresalasdelJFET,salvoqueenaquelsiempretenamosqueVGSerasiempredel
mismosigno(Figura8.25).

32

Figura8.25
Comovemos,sefabrican2tiposdeMOSFETdeempobrecimientocon
complementarios,quefuncionarandeformaanloga,perocontodaslas
polarizacionesinvertidasyconlasintensidadesconsentidosopuestos.
10.3 El transistor MOSFET de enriquecimiento.
El ms importante de los dispositivos por la generalidad de su utilizacin en los
circuitos digitales y sobre todo en los ordenadores es el MOSFET de enriquecimiento.
Suestructuraestrepresentadaesquemticamenteenlafig.8.26enlaquevemos
igualmenteelsmboloenloscircuitosylaformadepolarizareldispositivo.Entreel
terminalmetlicodelapuerta,G,yelcanalNhay,comoenelMOSFETde
empobrecimiento,unacapaaislantedexidodesilicio(MOS),porloquelacorriente
depuerta,IG,tambinesnula(impedanciadeentrada~).

33

Figura8.26a.EstructuradelMOSenriquecimientocanalN

Figura8.26b.EstructuradelMOSenriquecimientocanalP
EJERCICIOS

CAPTULO 8

34

EF1. Calcule la densidad de tomos aceptantes que deberemos aadir a un cristal de silicio
intrnseco para convertirlo en tipo P con una resistividad de 10 cm. Calcule qu proporcin
sobre el nmero de tomos total suponen las impurezas.
EF2. Calcule la resistencia de una bloque de silicio de longitud l =1 mm y de dimetro D =0.1
mm de silicio intrnseco a 20 C. Lo mismo si aadimos impurezas de P en proporcin 1/106.
(Utilice como datos la resistividad del Si, las movilidades de electrones y huecos. Calcule
tambin el nmero de pares electrn-hueco existentes en el SC intrnseco.
EF3. Compare el nmero de pares electrn-hueco por cm3 con el nmero de tomos de Si por
cm3 en un cristal de Si intrnseco a temperatura ambiente.
=========================================
EF4. Una unin N-P de Ge con N = 1022 m-3 y N = 3 x 1024 m-3, (300 K) = 43 cm para el
semiconductor intrnseco. Calcular:
d

a - la densidad de portadores miniritarios en cada bloque

b - la d.d.p. de contacto, V

c - la anchura de la zona de deplecin (anchura de cada semizona).

=========================================
EF5. En el circuito de la figura, selecione conjuntos de todas las variables para que el transistor
est:
a - En ON (saturacin); b- En OFF (corte); c - en la regin activa.

=========================================
EF6. Calcule las intensidades que figuran indicadas en cada una de las figuras (de las I1 e I2 de la
ltima haga una representacin grfica cualitativa). Las resistencias en ohmios.
=========================================

35

1- El nmero de protones de un tomo de Si es:

a- 2
b- 8
c- 14
d- 4
2- El nmero de electrones en la ltima capa de un tomo de Si es:
a- 2
b- 8
c- 14
d- 4
3- El nmero cuntico n de los tomos de valencia de un tomo de Si es:
a- 0
b- 3
c- 1/4
d- 2
4- Un SC intrnseco:
a- No tiene impurezas
b- No tiene portadores mayoritarios
c- No tiene portadores
d- No tiene banda prohibida
5- La generacin de pares electrn-hueco:
a- Crece cuando el SC se enfra
b- Depende del tipo de impurezas predominantes
c- Aumenta cuando el SC se calienta

36

d- Slo se produce en los SC intrnsecos

6- La recombinacin de pares:
a- Crece cuando el SC se enfra
b- Es proporcional al producto n.p
c- Es proporcional al n atmico del SC
d- Crece cuando el SC se calienta
7- Si un SC tipo N:
a- El NF est en la BV
b- El el NF est en la BP y prximo a la BC
c- El el NF est en la BC y prximo a la BP
d- El el NF est en la BV
Ejercicio terico 1: Explique cualitativamente la ley de accin de masas para materiales
semiconductores.
Ejercicio terico 2: Explique cualitativamente qu ira ocurriendo a medida que un SC tipo N va
tomando ms temperatura.