EL TRANSISTOR COMO CONMUTADOR

INTRODUCCIN
1.- EL INTERRUPTOR A TRANSISTOR
Un circuito bsico a transistor como el ilustrado en la Figura 1 a), conforma un
circuito inversor; es decir que su salida es de bajo nivel cuando la seal de entrada
es alta y viceversa.
El mismo est calculado de manera que el transistor est en la zona de corte
(punto B) o saturacin (punto A), Figura 1 d), dependiendo si el valor de la funcin de
entrada vale 0 +V, respectivamente. Trabajando de esta manera el transistor se
comporta como un interruptor controlado, realizando transiciones entre la
saturacin y el corte.
Se observa que el interruptor est controlado por la corriente de base: Cuando
el transistor est al corte no fluye corriente y el interruptor est abierto (Figura 1c),
cuando el transistor est saturado fluye la mxima corriente de colector y el
interruptor est cerrado (Figura 1b).
Vcc

Rc

+V

Vcc

Vcc

Rc

IC

Rc
A

VE
R1

R2

a)

VCE

b)

c)

d)

Figura 1: Circuito de conmutacin bsico: a) Configuracin. b) Llave cerrada

(punto A). c) llave abierta (punto B). d) Recta de carga y puntos de
funcionamiento.
1.1 Tiempos de conmutacin del transistor
En la Figura 2 se representa la respuesta del transistor del circuito de la Figura
1 cuando se aplica a su entrada un impulso rectangular.
Desde el instante en que la tensin aplicada en el borne VE pasa del valor 0 a
+V, hasta que la intensidad de colector alcanza el 90% de su valor final Ics, y el
transistor llega a la saturacin, se observa que transcurre un cierto tiempo llamado
ton. Igualmente, desde el momento en que la tensin en el borne VE pasa del valor +V
a 0 hasta que la intensidad del colector alcanza el 10% de Ics transcurre un tiempo
llamado toff. Siendo ton el tiempo de conmutacin del estado de corte al de saturacin
o tiempo de encendido, mientras que a toff se lo denomina tiempo de conmutacin del
estado de saturacin al corte, o tiempo de corte o apagado.
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Tiempo de retardo: td (delay time): Intervalo de tiempo entre el punto

correspondiente al instante de aplicacin de la seal de entrada y el punto en que la
seal de salida toma el 10% de su valor final.
Este tiempo de retraso se debe, principalmente a dos factores:
1.- Cuando un transistor acta como conmutador, se lo polariza inversamente
para llevarlo al corte, con lo cual la capacidad de la juntura base-emisor se carga a
ese valor de tensin negativa; por tal razn para pasarlo a la conduccin (saturacin)
se necesita de cierto tiempo para descargar y cargar ese condensador. A mayor valor
de polarizacin inversa mayor ser ese retardo.
2.- Se requiere de cierto tiempo para que la corriente de emisor se difunda a
travs de la regin de la base.

VE

+V
0

tensin de entrada

to

t1

corriente de colector

Figura 2: Tiempos de conmutacin del transistor

Tiempo de subida o crecimiento: tr (rise time): Intervalo de tiempo entre
los puntos correspondientes al 10 y 90% de la forma de onda ascendente de la
corriente de colector.
El tiempo de crecimiento es una funcin de la frecuencia de corte alfa, f; y
tambin depende inversamente de la cantidad de corriente de apertura; mientras
mayor sea la corriente de apertura, menor ser el tiempo de crecimiento.
Tiempo de almacenamiento: ts (storage time): Intervalo de tiempo entre
el instante en que la tensin de entrada comienza el descenso y el punto
correspondiente al 90% de la forma de onda descendente de la corriente de colector.
El tiempo de almacenamiento es una funcin de hfe, y de las corrientes de apertura y
cierre.
La no respuesta del transistor durante el tiempo ts a la anulacin de la
excitacin, se debe a que el transistor en saturacin tiene una carga en exceso de
portadores minoritarios almacenados en la base. El transistor no puede responder
hasta que ese exceso de carga de saturacin se haya eliminado. En el caso extremo
este tiempo ts puede ser de dos a tres veces el tiempo de subida o de bajada a travs
de la regin activa. Al emplear transistores de conmutacin donde la velocidad resulta
de verdadero inters, la mayor ventaja se obtiene cuando se reduce el tiempo de
almacenamiento.
Se puede reducir el tiempo de almacenamiento proporcionando una corriente
inversa de base de manera que extraiga los portadores en exceso de la base,
UNSJ- ELO I- El transistor como conmutador
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aumentando as la velocidad de disminucin del nmero de portadores almacenados

en exceso.
Un condensador C, llamado condensador de rapidez, elegido apropiadamente y
colocado en paralelo con la resistencia de base R1 (Figura 1-a) har que ts se reduzca
considerablemente.
El condensador de rapidez tambin proporciona un impulso de corriente inicial
cuando el transistor se conmuta al estado de conduccin, reduciendo de este modo el
tiempo de retardo (td) y el de subida (tr).
Tiempo de cada tf (fall time): Intervalo de tiempo entre los puntos
correspondientes al 90 y 10% de la forma de onda descendente de la corriente de
colector.
Tiempo de conexin o encendido TON = td + tr: Resulta de la suma de los
tiempos de retardo td y de subida tr . Es el tiempo total para pasar del corte a la
saturacin.
Tiempo de desconexin o apagado TOFF = ts + tf: Es la suma de los
tiempos de almacenamiento tS ms el de cada tf. Es el tiempo total para pasar de la
saturacin al corte.
Tiempo total de conmutacin TT = (td + tr) + (ts + tf) = TON + TOFF
Los tiempos de encendido (TON) y apagado (TOFF) limitan la frecuencia
mxima a la cual puede conmutar el transistor.

Fmx

TON

1
1

TOFF TT

En la Tabla 1 se detallan los tiempos de respuestas de algunos transistores

utilizados en conmutacin, de acuerdo a las hojas de datos dadas por el fabricante.
Aplicaciones
Transistor

Pot.

(mn/mx)

hfe

td
(ns)

tr
(ns)

ts
(ns)

tf
(ns)

ton
(ns)

toff
(ns)

(MHz)

100/300

15

20

200

60

35

250

300

fT (mn)

PXT2222A
NPN-(Philips)

Propsitos
grales.
Ptot= 1,25W

PMBT2369
NPN-(Philips)

Alta Velocidad
Ptot= 250 mW

40/120

10

10

10

20

500

MPS3904
NPN-(Philips)

Propsitos
generales.
Ptot= 500mW

100/300

50

60

1000

200

110

1.200

180

Tabla 1: Valores comparativos de los tiempos de conmutacin de diferentes

transistores.
http://www.chipcatalog.com/Cat/835.htm
http://www.datasheet4u.com/
http://www.datasheetcatalog.com/philips/70/
http://www.alldatasheet.co.kr

En los circuitos interruptores a transistor, el tiempo de encendido: TON de un

transistor, definido anteriormente como el retardo de tiempo entre el instante de
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aplicacin de un pulso de entrada y el momento en que la corriente de salida toma el

90% de su valor final, NO se emplea para analizar el retraso de la propagacin, por
dos motivos: Primero, la entrada a la puerta no es un impulso cuadrado, sino que
tiene un tiempo de subida no nulo. Segundo, la entrada no necesita alcanzar el 90%
de su valor para que la puerta cambie de estado. Por lo tanto el tiempo que se utiliza
es el tiempo de propagacin:
Tiempo de retardo de propagacin: El tiempo que tarda un interruptor a
transistor en responder a una seal de entrada es lo que se llama tiempo de retardo
de propagacin tpd. La Figura 3 ilustra grficamente los conceptos tpdf y tpdr
aplicados al caso de un circuito que realiza la funcin lgica inversin.

Figura 3: Tiempo de retardo de propagacin

tpdr = tpd,LH = tpd+ = Tiempo de retraso cuando la salida alcanza el 50% del
nivel al pasar del nivel bajo al alto.
tpdf = tpd,HL = tpd- = Tiempo de retraso cuando la salida del interruptor
alcanza el 50% del nivel al pasar del nivel alto hacia el nivel bajo.
Ordinariamente tpd+ es mayor que tpd- a causa de la inevitable capacidad en
la salida del interruptor.
Por lo tanto el tiempo que tarda un interruptor a transistor en responder a una
seal de entrada, definido como tiempo de propagacin medio, es la media aritmtica
entre los tiempos medios de propagacin del cambio de estado de la entrada a la
salida en los casos en que sta pasa del estado 1 al 0, y viceversa, es decir:
tpd= (tpdf + tpdr) / 2
Con lo cual la frecuencia mxima de utilizacin del transistor estar dada por:
fmx.=1/2 tpd

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2.-LIMITACIONES DE FRECUENCIA DE LOS TRANSISTORES

Ciertos transistores presentan una ganancia aprovechable en frecuencias de
cientos de MHz, mientras que otros no funcionarn con frecuencias superiores a los
50 kHz.
Las caractersticas dadas por los fabricantes o los manuales de transistores
indican, por lo general, uno o ms parmetros que describen el comportamiento de
los transistores en funcin de la frecuencia. Los tres parmetros de frecuencia ms
comnmente indicados son:
Frecuencia de corte beta o de emisor comn: f, es la frecuencia para la
cual la ganancia de corriente hfe, del transistor en configuracin emisor comn cae
1/ 2 0 ,7 0 7, por lo tanto f es la frecuencia de corte en la que la ganancia en corto
circuito en configuracin emisor comn, cae 3 dB, Figura 4.

Figura 4: Caractersticas frecuenciales.

Frecuencia de transicin o de corte: fT, Se define como la frecuencia para la cual
la ganancia de corriente, hfe, del transistor en configuracin emisor comn, se hace
igual a la unidad, con lo cual se considera que es la mxima frecuencia de operacin
del transistor.

iC
h fe 1
ib

i (dB) = 20 log 1 = 0 dB

Se deduce tambin que fT = hfe. f, llamado producto ganancia-ancho de banda.

Frecuencia de corte alfa o de base comn: f, es la frecuencia para la cual
la ganancia de corriente hfb (), en configuracin base comn cae 0,707; por lo tanto
f es la frecuencia de corte en la que la ganancia de corto circuito en configuracin
base comn, cae 3 dB.
Bibliografa:
MANDADO Enrique; Sistemas Electrnicos Digitales. Marcombo Boixareu Editores. Barcelona, 1991.
SCHILLING Donald, BELOVE Charles; Circuitos Electrnicos, discretos e integrados. Marcombo Boixareu
Editores. Barcelona, 1985.
BOYLESTAD Robert, NASHELSKY, Louis; Electrnica: Teora de circuitos y dispositivos electrnicos.
Pearson Educacin. Mxico, 2003.
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