BAB IV

HASIL DAN PEMBAHASAN

4.1 Hasil Karakterisasi Difraksi Sinar-X (XRD)

Pola difraksi sinar-X (XRD) yang dihasilkan film tebal keramik CuFeO4
yang dibakar selama 2 menit pada suhu 1000 oC ditunjukkan oleh Gambar 4.1

Gambar 4.1 Pola difraksi sinar-X film tebal keramik CuFe2O4 yang
dibakar pada suhu 1000 oC selama 2 menit

Pola difraksi sinar-X untuk film tebal keramik CuFe2O4 yang dibakar
selama 10 menit dan dibakar selama 60 menit pada suhu 1000 oC dapat dilihat
pada Gambar 4.2.

31

32

(a)

(b)
Gambar 4.2 Pola difraksi sinar-X film tebal keramik CuFe2O4 yang
dibakar pada suhu 1000 oC selama (a) 10 menit (b) 60 menit

33

Puncak-puncak yang muncul pada pola difraksi pada Gambar 4.1 dan 4.2
dicocokkan dengan pola difraksi standar (JCPDS) untuk CuO, Fe2O3 dan
CuFe2O4. Selain itu, digunakan pola difraksi standar untuk Al2O3. Hal ini
dilakukan untuk melihat kemungkinan adanya berkas sinar-X menembak kristal
substrat Al2O3.
Pola difraksi sinar-X pada gambar 4.1 masih terlihat adanya kehadiran
fase Fe2O3 dan CuO tidak terlihat. Hal ini terjadi karena CuO dan Fe2O3 belum
bereaksi seluruhnya membentuk CuFe2O4 akibat waktu pembakaran yang terlalu
pendek. Sedangkan pola difraksi sinar-X pada Gambar 4.2a merupakan pola
difraksi untuk film tebal keramik CuFe2O4 yang dibakar pada suhu 1000 oC
selama 10 menit. Pada Gambar 4.2a juga masih terlihat adanya kehadiran fase
Fe2O3 akibat belum bereaksi seluruhnya membentuk CuFe2O4. Namun, kehadiran
fase Fe2O3 pada pembakaran 10 menit lebih sedikit jika dibandingkan pembakaran
2 menit. Walaupun demikian, fase CuFe2O4 terlihat lebih dominan sehingga dapat
dikatakan bahwa pada pembakaran 2 menit dan 10 menit sudah terbentuk keramik
CuFe2O4. Pola difraksi sinar-X pada Gambar 4.2b menunjukkan fase CuFe2O4
dimana fase CuO dan Fe2O3 sudah tidak terlihat. Hal ini berarti bahwa CuO dan
Fe2O3 telah bereaksi seluruhnya membentuk keramik CuFe2O4.
Berdasarkan data JCPDS (Joint Committee of Powder Diffraction
Standarts) nomor 34-0425, diketahui bahwa CuFe2O4 memiliki struktur kristal
tetragonal, sehingga untuk menentukan parameter kisi a dan c digunakan
persamaan 2.8. Panjang gelombang sinar-X yang digunakan sebesar 1,5406 .
Perhitungan parameter kisi a dan c ditunjukkan pada Lampiran 2. Hasil

34

perhitungan nilai parameter kisi a dan c film tebal keramik CuFe2O4 ditunjukkan
pada Tabel 4.1 berikut.
Tabel 4.1 Perhitungan nilai parameter kisi a dan c untuk film tebal keramik
CuFe2O4 yang dibakar pada suhu 1000 oC dengan waktu pembakaran yang
berbeda-beda
No.
1.
2.
3.

Waktu pembakaran
(menit)
2
10
60

Parameter kisi a = b
()
5,90973
5,89063
5,85648

Parametet kisi c
()
8,89446
8,35508
8,48072

Berdasarkan tabel 4.1 terlihat adanya perbedaan nilai parameter kisi ketiga
film tebal keramik CuFe2O4. Walaupun demikian, waktu pembakaran tidak
berpengaruh pada nilai parameter kisi. Perbedaan nilai parameter kisi ini terjadi
akibat adanya kehadiran cacat kristal. Hal ini dibuktikan dengan tidak munculnya
beberapa puncak pada sudut tertentu serta bergesernya beberapa sudut tertentu
yang menghasilkan puncak ketika dibandingkan dengan data pola difraksi standar
pada JCPDS. Kehadiran cacat kristal ini menyebabkan jarak antar atom dalam
kristal berubah, sehingga parameter kisi berubah.

4.2 Hasil Karakterisasi Struktur Mikro (SEM)

Hasil karakterisasi struktur mikro Scanning Electron Microscope (SEM)
film tebal keramik CuFe2O4 yang dibakar pada suhu 1000 oC dengan waktu
pembakaran 2 menit dan 10 menit dapat dilihat pada Gambar 4.3.

35

(a)

(b)
Gambar 4.3 Struktur mikro film tebal keramik CuFe2O4 yang dibakar
pada suhu 1000 oC selama (a) 2 menit (b) 10 menit

36

Struktur mikro untuk film tebal keramik CuFe2O4 yang dibakar pada suhu 1000
o

C selama 60 menit ditunjukkan oleh Gambar 4.4

Gambar 4.4 Struktur mikro film tebal keramik CuFe2O4 yang dibakar
pada suhu 1000 oC selama 60 menit

Berdasarkan Gambar 4.3 dan Gambar 4.4 terlihat perbedaan ukuran butir
antara film tebal keramik CuFe2O4 yang dibakar pada suhu 1000 0C selama
2 menit, 10 menit dan 1 jam. Film tebal keramik CuFe2O4 yang dibakar selama
2 menit mempunyai ukuran butir lebih kecil dibandingkan dengan film tebal
keramik CuFe2O4 yang dibakar pada suhu 1000 oC selama 10 menit. Selanjutnya,
ukuran butir film tebal keramik CuFe2O4 yang dibakar selama 10 menit lebih kecil
dibandingkan dengan ukuran butir film tebal keramik CuFe2O4 yang dibakar
selama 60 menit.
Tabel 4.2 menunjukkan hasil perhitungan butir rata-rata dengan
menggunakan metode garis Heyn untuk film tebal keramik CuFe2O4 yang dibakar

37

pada suhu 1000 oC selama 2 menit, 10 menit dan 60 menit. Perhitungan ukuran
butir rata-rata melalui metode garis Heyn seperti yang dibicarakan pada bagian
3.6.2 dapat dilihat pada bagian Lampiran 3.

Tabel 4.2 Ukuran butir rata-rata keramik CuFe2O4 yang dibakar

pada suhu 1000 oC dengan waktu film tebal pembakaran yang
berbeda-beda
Waktu pembakaran (menit)
2
10
60

Ukuran butir rata-rata (m)

2,8
3,1
3,6

4.3 Hasil Karakterisasi Listrik

Pengukuran nilai resistansi listrik terhadap suhu R = f(T) film tebal
keramik CuFe2O4 telah dilakukan. Nilai konstanta termistor B diperoleh dari
gradien kurva ln R versus T-1. Gradien fungsi ln R = f(T-1) merupakan nilai
konstanta termistor B tersebut. Hasil pengukuran R = f(T) untuk film tebal
keramik CuFe2O4 yang dibakar selama 2 menit, 10 menit dan 60 menit
ditunjukkan pada bagian Lampiran 4.
Perbandingan nilai hambatan listrik terhadap suhu untuk masing-masing
film tebal keramik CuFe2O4 dengan waktu pembakaran yang berbeda ditunjukkan
pada Gambar 4.5 berikut.

38

Gambar 4.5 Perbandingan grafik nilai hambatan listrik terhadap waktu film
tebal keramik CuFe2O4 yang dibakar pada suhu 1000 oC dengan waktu
pembakaran yang berbeda-beda
Berdasarkan Gambar 4.5 dapat dilihat bahwa semakin lama waktu
pembakaran akan menghasilkan gradien yang semakin kecil. Besarnya gradien
grafik menunjukkan besarnya sensitivitas termistor. Untuk waktu pembakaran
yang lebih pendek akan menghasilkan ukuran butir yang kecil. Ukuran butir yang
kecil akan menghasilkan jumlah batas butir yang banyak. Batas butir yang banyak
akan memiliki energi batas butir yang besar. Akan tetapi, meningkatnya suhu
pengukuran, maka energi batas butir akan menurun, hal ini mengakibatkan jalan
bebas rata-rata muatan pembawa semakin besar. Akibatnya resistansi film tebal
keramik CuFe2O4 menurun.
Gambar 4.6 menunjukkan perbandingan grafik ln R terhadap nilai T-1.
Gradien grafik menunjukkan nilai konstanta termistor B. Keramik CuFe2O4 yang

39

dibakar pada suhu 1000 oC selama 2 menit memiliki kemiringan grafik yang lebih
besar dibandingkan dengan waktu pembakaran 10 menit dan 60 menit. Hal ini
berarti bahwa keramik CuFe2O4 yang dibakar pada suhu 1000 oC selama 2 menit
memiliki nilai konstanta termistor paling besar. Sedangkan untuk keramik
CuFe2O4 yang dibakar pada suhu 1000 oC selama 60 menit memiliki konstanta
termistor B paling kecil.

Gambar 4.6 Perbandingan grafik ln R = f(T-1) film tebal keramik

CuFe2O4 yang bakar pada suhu 1000 oC dengan waktu pembakaran
yang berbeda-beda
Penentuan nilai sensitivitas termistor diperoleh dengan menggunakan
persamaan 2.14. Nilai sensitivitas termistor pada suhu 298 K diperoleh dengan
mensubstitusikan nilai B dan T ke persamaan 2.12. Sedangkan nilai hambatan
listrik pada suhu ruang (298 K) diperoleh dengan mensubstitusikan nilai T pada
persamaan grafik ln R=f(T-1) untuk masing-masing keramik CuFe2O4 yang

40

dibakar selama 2 menit, 10 menit dan 60 menit. Perhitungan nilai sensitivitas

termistor ditunjukkan pada Lampiran 5.
Tabel 4.3 menunjukkan perbandingan nilai konstanta termistor B,
sensitivitas termistor dan hambatan listrik pada suhu ruang untuk keramik
CuFe2O4 yang dibakar pada suhu 1000 oC selama 2 menit, 10 menit dan 60 menit.

Tabel 4.3 Perbandingan nilai konstanta termistor B, sensitivitas termistor

dan hambatan listrik pada suhu ruang untuk film tebal keramik CuFe2O4 yang
dibakar pada suhu 1000 oC untuk waktu pembakaran yang berbeda-beda
No.

1.
2.
3.

Waktu
pembakaran
(menit)
2
10
60

Konstanta
Termistor B
(K)
3705,5
3285,7
2929,9

Sensitivitas
Termistor
(%K-1)
-4,17
-3,70
-3,30

Hambatan listrik
pada suhu ruang
298 K (M)
206.45
28.16
20.87

Berdasarkan tabel 4.3 terlihat bahwa film tebal keramik CuFe2O4 yang dibakar
pada suhu 1000 oC

selama 2 menit memiliki nilai konstanta termistor B,

sensitivitas termistor dan hambatan listrik pada suhu ruang paling besar.
Sedangkan film tebal keramik CuFe2O4 yang dibakar pada suhu 1000 oC selama
60 menit memiliki nilai konstanta termistor B, sensitivitas termistor dan
hambatan listrik pada suhu ruang paling kecil. Jika ditinjau dari nilai konstanta
dan sensitivitas termistor, film tebal keramik CuFe2O4 yang paling baik
diaplikasikan untuk komponen utama termistor adalah film tebal keramik
CuFe2O4 yang dibakar pada suhu 1000 oC dengan waktu pembakaran selama
2 menit. Walaupun demikian, film tebal keramik CuFe2O4 yang dibakar selama
60 menit memiliki keunggulan dalam hal tegangan kerja yang digunakan dalam

41

rangkaian sensor suhu karena memiliki hambatan listrik yang kecil. Jika hambatan
listrik film tebal keramik CuFe2O4 kecil, maka tegangan kerja yang digunakan
juga tidak harus bernilai besar. Hal ini berbeda

dengan film tebal keramik

CuFe2O4 yang dibakar selama 2 menit, supaya arus listrik yang mengalir dapat
terbaca, maka tegangan kerja yang digunakan harus bernilai besar.