Semiconductores Diapositivas

Tema 3: Semiconductores
DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS
Llus Prat Vias

Escola Tcnica Superior dEnginyers de Telecomunicaci de
Barcelona (ETSETB)
Universitat Politcnica de Catalunya
Dispositivos Optoelectrnicos
3.- Semiconductores
3.1.- Algunas notas sobre la historia de los semiconductores
3.2.- Estructura cristalina y portadores de corriente
3.3.- Bandas de energa en un semiconductor
3.4.- Semiconductor intrnseco, extrnseco tipo N y extrnseco tipo P
3.5.- Generacin y recombinacin de portadores
3.6.- Corrientes de difusin y de arrastre. Resistencia de un semiconductor
3.7.- Ecuaciones de continuidad
3.8.- Cargas y campos en un semiconductor
3.9.- Diagrama de bandas de energa
3.10.-Anlisis de la unin PN
3.11.-Capacidades de transicin y de difusin.
3.12.-Semiconductores de gap directo y de gap indirecto
3.13.-Absorcin de radiacin por un semiconductor
3.14.-La unin PN bajo iluminacin
3.1.- ALGUNAS NOTAS SOBRE LA HISTORIA DE LOS SEMICONDUCTORES

1782: Alexander Volta introdujo el nombre de semiconductores para denominar una
categora de materiales de resistividad intermedia entre los conductores y los aislantes
1873: Willoughby Smith descubre que el selenio aumenta su
conductividad al ser iluminado.
1906: Greenleaf Pickart descubre que el silicio, la galena i
otros cistales se pueden usar como detectores de ondas de
radio presionando sobre ellos un hilo metlico (bigote de
gato)
1938: Walter Schottky publica la teoria del diodo metal-semiconductor
1942: El norteamericano de origen austraco Karl Lark-Horovitz
consigue obtener cristales de germanio de alta pureza y calidad. Los
dopa con otros elementos y realiza rectificadores para radar. Eran
dispositivos fiables, reproducibles y fabricados en gran cantidad. Los
semiconductores empiezan a ser aceptados por la comunidad cientfica
NACE LA ELECTRNICA MODERNA: EL TRANSISTOR BIPOLAR

EL PROBLEMA. La electrnica de las vlvulas de vaco consumia
mucha energa, ocupaba mucho espacio y era muy frgil. El
director de Bell Labs, Mervin Kelly organiza en 1945 un grupo de
investigacin para encontar un amplificador de estado slido.
1947, 23 de desembre: William Schockley, Walter Brattain i John
Bardeen descubren el transistor bipolar, un transistor de puntas de
contacto sobre germanio, mientras pretendian realizar un transistor
de efecto de campo. Premi Nobel lany 1956.
El nombre del nuevo dispositivo

proviene de la contraccin
transfer resistor (1948).
1952: Primera aplicacin: amplificadores para sordos

1954: Primera radio a transistores: Regency-TR1. Precio: 49,95$
+ 3,95$ por el estuche de piel + 7,50$ por el auricular.
Problemas de los transistores de germanio: mal funcionamento
al aumentar la temperatura. Potencia de salida pequea.
Alternativa: el silicio. Misma columna tabla peridica pero
ms resistivo. Pero no se sabia obtenerlo puro y cristalino.
1954: Gordon Teal, fabrica los primeros transistores bipolares de
silicio en Texas Instruments. Se confirma un excelente
comportamiento con la temperatura.
Primeros transistores de silicio

(1954)
LA INVENCIN DEL CIRCUITO INTEGRADO

1958: Texas Instruments contrata a Jack Kilby el mes de
mayo. En las vacaciones de verano queda solo en la
fbrica y se dedica a jugar realizando un circuito
biestable con todos los componentes (R, C, transistores)
de silicio. Los suelda con hilos y funciona.
Despues realiza un oscilador de fase en un nico cristal de
germanio con tecnologa mesa y conecta los componentes
con hilos. Vuelva a funcionar.
1959, febrero: Jack Kilby patenta su invento: el circuito
slido.
1959, julio: Robert Noyce, de forma independiente, patenta un
circuit integrat de silicio con tecnologia planar. Se le considera coinventor del circuito integrado.
1968, Robert Noyce y Gordon Moore fundan INTEL, lempresa
lider de microprocessadors.
SE CREA EL PRIMER MICROPROCESADOR INTEL 4004

1969: INTEL recibe el encargo de la empresa japonesa Busicom
para fabricar una calculadora de 12 chips.
1970: Federico Faggin es contractado por INTEL para desarrollar
este proyecto. Despues de muchos retardos el primer chip no
funciona y Busicom rechaza el contracto. INTEL lo comercialitza
como un chip programable de propsito general. Tiene un xito
comercial inesperado.
Consistia en un conjunto de 3 chips con chip ROM de
2 kbits, un chip RAM de 320 bits y el procesador de 4
bits. Todo encapsulado en un DIP de 16 pins.
El processador 4004 tenia 2300 transistores
realizados con tecnologia PMOS de 10 m de
anchura de lnia. Utilizaba un seal de reloj de 108
KHz y el chip era de 13,5 mm2
LA MICROELECTRNICA: UNA CARRERA DESENFRENADA

1964: Gordon Moore de INTEL pronostica
que el nmero de transistors en un C.I. se
duplicar cada 18 mesos: llei de Moore
El pronstico se ha cumplido durante 50
aos. El desarrollo de loa C.I. ha sido la
base de la revolucin informtica que ha
traido la red planetaria basada en internet.
Nombre de dispositius per xip
1010
Memries DRAM
108
256k
80286
64k
16k
105
1k
4k
8080
4004
103
calculadora
1970
Cuando la microelectrnica llegua a su

fin, la nanotecnologa tomar el relevo?
80386
6800
Z80
75 mm
1974
8048
32032
250M
Pentium
III
Pentium
Pro
Merced
4M
106
104
64M
16M
Microprocessadors
107
102
Esta revolucin se ha basado en la

planificacin de la investigacin y
desarrollo de los C.I.: ROADMAP que ha
permitido superar todos los obstculos que
se presentaban y ofrecer C.I. mejores y
ms baratos.
Llei de Moore
la complexitat
es duplica
cada 1,5 anys
109
1M
Pentium
80486
Pentium
II
68020
8086
300 mm
200 mm
100 mm
1978
125 mm
1982
150 mm
1986
1990
1994
1998
2002
Any
10 m
Amplada de lnia
Freqncia
1000 MHz
1 m
100 MHz
10 MHz
0,1 m
1975
1981
1978
1987
1984
1993
1990
1 MHz
2005
1999
2002
Evoluci de la lnia mnima en el silici i la velocitat

doperaci del circuit digital
3.2.- ESTRUCTURA CRISTALINA Y PORTADORES DE CORRIENTE

Cada tomo est unido a cuatro tomos vecinos
mediante cuatro enlaces covalentes. La repeticin
de esta estructura conduce a la clula cristalina
bsica: un cubo cuya arista mide 5,43 angstroms.
En el cristal de silicio hay 51022 tomos por cm3.
Modelo de enlaces: representacin bidimensional
de la estructura cristalina tridimensional.
Si en la estructura descrita se aplica un campo

elctrico no circulara corriente, ya que todas las
cargas estan ligadas.
Para que circule corriente se requiere que hayan
cargas mviles que se desplacen por la accin del
campo elctrico. Son los denominados portadores
de corriente.
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PORTADORES DE CORRIENTE: ELECTRONES LIBRES Y HUECOS

Si un electrn de un enlace covalente captura un
cuanto de energa puede romper el enlace y
convertirse en un electrn libre: portador de corriente
de carga q.
El enlace covalente roto se mueve por el cristal de la
misma forma que lo hara una carga positiva, que se
denomina hueco: portador de corriente de carga +q.
(q = carga del electrn = 1,610-19 culombs)
Magnitudes fundamentales en semiconductores:
n = concentracin de electrones libres = n
electrons libres por centmetro cbico.
p = concentracin de huecos = n de huecos por
centmetro cbico.
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3.3.- MODELO DE BANDAS DE ENERGA DE UN SEMICONDUCTOR

El modelo de bandas de energa de un semiconductor consiste en la descripcin de las energas
que tienen o pueden tener los electrones del semiconductor.
De forma similar a lo que ocurra en el pozo de potencial y en el modelo cuntico del tomo,
los tomos del cristal crean una funcin potencial V(r) que provoca que la energa y el
momento de los electrones estn cuantificados: solo estn permitidos determinados valores.
El electrn en el semiconductor se comporta segn su doble naturaleza cuntica: como
partcula de energa E y momento p, y como onda con longitud de onda y frecuencia f.
E
Consideremos inicialmente un electrn libre (fuera del cristal) que
tiene una energa cintica E:
1
1
1 2 1 h
E = mv 2 =
(mv) 2 =
p =
2
2m
2m
2m 2
h2
k = 2 k2
8 m
En donde se ha usado la hiptesis de De Broglie entre p y k ( por
esto se suele denominar a k momento cristalino). La relacin
entre E y k es una parbola y estn permitidos todos los valores de
E y de k.
Consideremos ahora un electrn en un cristal unidimensional formado por una hilera de

tomos.
Cuando una onda electromagntica incide en un cristal cada tomo re-emite la onda en todas
las direcciones. Las ondas re-emitidas por los tomos se suman y se crean fenmenos de
interferencia. Sea un electron avanzando hacia las x crecientes (funcin de onda +). La
interferencia ser constructiva cuando n = 2a. Para estas longitudes de onda el electrn es
reflejado y cambia al sentido de las x decrecientes (funcin de onda -).
Pero como se sigue cumpliendo la condicin de
interferencia constructiva, el electron vuelve a
ser reflejado de nuevo por el cristal hacia las x
crecientes: el cristal impide la propagacin de
este electrn (onda estacionaria).
Cuando ocurren estas reflexiones la relacin
parablica E(k) del electrn libre se modifica
y aparecen bandas prohibidas en los valores
de k (k = 2/) en los que el cristal impide la
propagacin.
Adems, la ecuacin de Schrdinger muestra que en un cristal la funcin de onda es peridica

con perodo 2/a. Y como es peridica basta con tomar un solo perodo. La anterior grfica de
la derecha muestra los valores permitidos de E en funcin de k, y se denomina esquema de
bandas de energa en zona reducida del cristal unidimensional.
En un cristal tridimensional el electrn encontrar distintas familias de planos paralelos segn
sea la direccin de su movimiento. Cada una de estas familias de planos paralelos tendr una
separacin distinta entre ellos que provocarn reflexiones del electrn (paquete de ondas) para
distintos valores de k. En estos casos de dibuja el diagrama E(k) en distintas direcciones del
cristal (en la figura direccin <100> hacia la izquierda y en direccin <111> hacia la derecha.
La proyeccin de estas
curvas sobre el eje de
ordenadas muestra los
niveles permitidos y
prohibidos de energa
que pueden tener los
electrones en el
semiconductor.
E
Banda de conduccin
(electrones libres)
Ec
Eg : Banda prohibida
Ev
Banda de valencia
(electrones ligados)
x
Banda de conduccin: niveles de energa de los electrones libres (por encima de Ec).
Banda de valencia: energa de los electrones de valencia en los enlaces (por debajo de Ev)
Banda prohibida: intervalo de energa entre Ec y Ev. Ningn electrn puede estar en esta banda.
Su anchura es Eg = Ec-Ev: es la mnima energa que se requiere para romper un enlace covalente.
E
Electrn libre
Perdida de energa per colisiones
Eo
Ec
Cuando un electrn de valencia de

energa Ei captura un cuanto EQ, su
energa pasa a Eo = Ei + EQ, siempre que
Eo est en la banda de conduccin. Si EQ
es inferior a Eg ningn electrn de
valencia podr pasar a la banda de
conduccin.
Este electrn libre tiene una energa
cintica Eo-Ec.
Banda de conduccin
(electrones libres)
EQ
Banda prohibida Eg
Ev
Cuanto
Banda de valencia
(electrones ligados)
Ei
hueco
Se genera un hueco en el nivel Ei con

energa cintica Ev-Ei.
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3.4.- SEMICONDUCTOR INTRNSECO

Semiconductor intrnseco: semiconductor puro i perfectamente cristalno.
Sus portadors se generan por pares: electrn libre y hueco.
Por tanto n = p = ni
(ni = concentraci intrnseca). Se demuestra que:

ni = AT3/2e(-Eg/2KT)
ni aumenta con T: hay ms cuantos de energa
trmica disponibles para romper enlaces.
ni disminuye cuando aumenta Eg: cuando ms
fuerte sea el enlace habrn menos enlaces rotos.
Eg = 1.1 eV para el silici (Si)

= 0.68 eV para el Germani (Ge)
= 1.43 eV para el Arseniuro de Galio (AsGa)
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SEMICONDUCTOR TIPO N
Semiconductor extrnseco tipo N: semiconductor
dopado con impurezas donadoras en el que los
electrones libres son mayoritarios.
Impureza donadora: tomo capaz de dar fcilmente
un electrn libre (para el silici son tomos
pentavalentes com el fsforo).
El quinto electrn est debilmente ligado al tomo.
Con poca energa salta a la banda de conduccin:
nivel donador Ed. Cuando este electrn abandona el
tomo de impureza sta se ioniza positivamente.
Al aumentar la temperatura desde el cero absoluto,
primero saltan los quintos electrones de las
impurezas. Solo a T altas es significativa la ruptura
de enlaces covalentes. Se demuestra que:
n0 = [ND+ + (ND+2 + 4ni2)1/2] / 2
p0 = ni2/n0
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SEMICONDUCTOR TIPO P
Semiconductor extrnseco tipo P: semiconductor

dopado con impurezas aceptoras en el que los huecos
son mayoritarios.
E
+4
+4
+4
Impureza aceptora: tomo capaz de aceptar

fcilmente un electrn de valencia (para el silici son
tomos trivalentes como el boro).
Ec
+3 o
+4 o
+4
o
o
+4
+4
Ea
Ev
+4
a)
b)
n, p
Al aumentar la temperatura desde el cero absoluto,

primero saltan electrones de la banda de valencia a
los niveles Ea, generando huecos. Solo a altas T es
significativa la ruptura de enlaces covalentes.
p
NA
n
Le falta completar el cuarto enlace covalente. Hay

que dar muy poca energa a un electrn de un enlace
vecino para que salte al enlace incompleto: nivel
aceptor Ea. Cuando un electrn es aceptado por el
tomo de impureza ste se ioniza negativamente.
p0 = [N-A + (N-A2 + 4ni2)1/2] / 2

T=0K
T = Baixa
T = Moderada
T = Alta
n0 = ni2/p0
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3.5.- GENERACIN Y RECOMBINACIN DE PORTADORES

Generacin: Creacin de un par electrn-hueco
mediante captura de un cuanto de energa
trmica (fonn), electromagntica (fotn) o
cintica. Se cuantifica por g = n portadores
generados por cm3 y por segundo.
Recombinacin: Aniquilacin de un par
electrn-hueco por reconstruccin del enlace
covalente. Se emite la energa de exceso. Se
cuantifica por r = n de portadores
recombinados Por cm3 y por segundo.
En los procesos de recombinacin

las flechas van en sentido contrario
E
Perdida de energa por

colisiones
Cuanto
absorbido
EQ
Tiempo de vida de un portador: tiempo

transcurrido desde la generacin hasta la
recombinacin.
Cuanto
emitido
Rgimen estacionario: situacin en la que r =

g, y que por tanto n i p son constantes. Un caso
significativo es el del equilibrio trmico a una
T determinada: rth = gth i n = n0, p = p0
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3.6.- CORRIENTE DE DIFUSIN

Movimiento de agitacin trmica de los portadores: aleatrio
(similar al de las molculas de un gas)
Difusin de portadores: movimiento de los
portadores que tiende a igualar las
concentraciones en todos los puntos.
Es originado por la agitacin trmica.
Hay un desplazamiento neto de portadores
desde los puntos de mayor hacia los de menor
concentracin.
Corrientes de difusin:
Jdp = -qDpdp/dx
Jdn = +qDndn/dx
Dp, Dn = constantes de difusin

Jdp, Jdn = densidades de corriente de difusin
de huecos y de electrones (A/cm2)
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CORRIENTE DE ARRATRE
Arrastre de portadores: superpuesto al movimiento de
agitacin trmica. Movimiento con velocidad constante.
Velocidad de arrastre de los portadores: inicialmente
proporcional al campo elctrico. Despus satura a un valor
aproximado de 107 cm/s. Para campos dbiles:
vp = pEel
vn = -nEel
p, n = movilidad de huecos y de electrones

Corrientes de arrastre: corriente originada por un
campo elctrico (Eel)
Jap = q.p.vp
Jan = qnvn
Los huecos se mueven en el mismo sentido que Eel.

Los electrones en sentido contrario, pero llevan la
corriente elctrica de arrastre en el mismo sentido que
los huecos.
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RESISTENCIA DE UN SEMICONDUCTOR
Concepto: cuando se aplica una tensin V a un semiconductor homogneo circula una
corriente proporcional a V: I = V/R.
Si el semiconductor es homogneo al aplicar la tensin V se origina un campo elctrico en
su interior dado por: Eel = V/L
Este campo elctrico origina una corriente de arrastre: I = Iap+Ian = qApvp+qAnvn
Si el campo elctrico es dbil las velocidades de arrastre son proporcionales a Eel. Por tanto:
I = qA[pp + nn]Eel
Finalmente,
R = V/I = (L/A)
= 1/;
= q[pp + nn]
= conductividad del semiconductor

Nota: Si Eel es intenso la velocidad deja
de ser proporcional a Eel y la expresin
de R no es vlida
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3.7.- EQUACIONES DE CONTINUIDAD

Concepto: incremento de la concentracin en un volumen diferencial como resultado del
balance entre la generacin, la recombinacin, el flujo de portadores que entran y que salen
Continuidad de huecos:
dp/dt = (g r) (1/q)(dJp/dx)
Continuidad de electrones:
dn/dt = (g r) + (1/q)(dJn/dx)
Aproximacin:
Si la concentracin de mayoritarios es aproximadamente
la de equilibrio, solo se resuelve la ecuacin de
continuidad de minoritarios aproximada de las siguientes
formas:
p p0 1 J p
p
= g ext
p
t
q x
n n0 1 J n
n
= g ext
+
n
t
q x
con gext = generacin no trmica, p = tiempo de vida de

los huecos, n = tiempo de vida de los electrones.
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EJEMPLO: APLICACIN A UN SEMICONDUCTOR ILUMINADO

Enunciado del problema: Se quiere conocer como varia la concentracin de minoritarios
(huecos) en un semiconductor N homogneo (no hay variacin con x), si a partir de t = 0 se
le ilumina generndose gL huecos por cm3 y por segundo.
Al ser homogneo: dJp/dx = 0

Ecuacin a resolver: dp/dt = gL (p-p0)/p
Condicin inicial: continuidad de los huecos en
t = 0: p(0) = p0
Solucin: p = p0 + gLp[1 exp(-t/p)]
Nota: Exceso final p = gLp, a partir de 3p
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3.8.- CARGAS Y CAMPOS EN UN SEMICONDUCTOR

Densidad de carga:
Ley de Gauss:
(x) = q[p(x) n(x) + ND+(x) NA-(x)]
dEel/dx = /
Campo elctrico y potencial: dV/dx = - Eel

P
N
Ejemplo: unin PN
Suponiendo la densidad de carga de la figura y que Eel = 0 si x < xP:
Eel ( x) =
( x)
dx
V ( x) = Eel ( x)dx
| Eel max | = qN A xP /
V = (1 / 2)( xP + x N )| Eel max |
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3.9.- DIAGRAMA DE BANDAS DE ENERGIA

Concepto: Representacin de los niveles de energa (Ec,
Ev,..) en funcin de la posicin x. Proporciona informacin
sobre los campos elctricos y las diferencias de potencial en
el interior del dispositivo:
Eel ( x) =
1 dE fi
q dx
V ( x) V ( x0 ) =
1
E fi ( x) E fi ( x0 )
q
siendo Ef = nivel de Fermi y Efi = nivel de Fermi intrnseco.

El nivel Efi = (Ec+Ev)/2. Las concentraciones en equilibrio
trmico en un punto vienen dadas por:
n0 = ni e
( E f E fi ) / KT
p0 = ni e
( E f E fi ) / KT
Construccin: se demuestra que el nivel Ef en equilibrio trmico es constante a travs del

dispositivo. Un dopado variable hace variar Efi(x), y como est en medio de la banda, varan
Ec y Ev. La derivada de Efi proporciona Eel(x).
Interpretacin: Un electrn de energa E1 tiene una energa cintica Ecin = E1 Ec. Cuando
las bandas se doblan la energa cintica del electrn disminuye (Eel lo frena) hasta que se
anula (velocidad cero) cuando toca el nivel Ec.
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3.10.- LA UNIN PN.

Supongamos un dopado NA constante en la parte P y un dopado ND constante en la parte N. En la
parte P hay iones negativos fijos NA- y huecos mviles. En la parte N hay iones positivos fijos
ND+ y electrones mviles.
Cuando las dos partes entran en contacto aparece una diferencia de
concentracin en los huecos entre las partes P y N que origina una
corriente de difusin que tiende a igualar la concentracin. Los huecos
van de P a N y disminuye su concentracin en la parte P. Algo similar
ocurre con los electrones que van por difusin de N hacia P,
disminuyendo su concentracin en el lado N.
Las impurezas ionizadas estn fijas en el cristal y no se desplazan.
Aparece una carga neta negativa en la parte P: P(x) = q[p(x) n(x) NA] -qNA (suponiendo, n(x)
y p(x) << NA), y una carga neta positiva en la parte N: N(x) = q[p(x) n(x) + ND] +qND
Estas cargas originan un campo elctrico que va de N hacia P, que origina una corriente de
arrastre que se opone a la de difusion. Cuando se alcanza el equilibrio trmico la corriente de
difusin de huecos es balanceada en cada punto por la corriente de arrastre de huecos, y la
corriente de difusin de electrones es tambin balanceada en cada punto por la de arrastre de
electrones. Se establecen unas concentraciones fijas de electrones y de huecos.
ANLISIS DE LA ZONA DE CARGA ESPACIAL (ZCE)

En equilibrio trmico hay un dipolo de carga en la regin de transicin que genera un campo
elctrico y ste una diferencia de potencial entre la parte N y la parte P.
Debe haber neutralidad de carga: qNAwdP = qNDwdN
wdP
wdN
Integrando la densidad de carga se obtiene el campo elctrico, y luego

integrando el campo elctrico se obtiene el potencial. El modulo del
valor mximo del campo elctrico en la unin, y la anchura de la zona
de carga de espacio wd vienen dados por:
Eel max =
wdP wdN
2q N A N D
(Vbi VD )
N A + ND
wd = wdP + wdN =
2
q
1
1
+
(Vbi VD )
N A ND
En equilibrio trmico, cuando VD = 0, la diferencia de potencial entre la parte N y la parte P

es Vbi, denominado potencial de difusin y vale Vbi = (KT/q)ln(NAND/ni2). Cuando se aplica
una polarizacin VD a la unin PN, la diferencia de potencial en la unin pasa a ser Vbi - VD
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EL DIODO DE UNIN PN
El diodo semiconductor est constituido por una unin PN. La regin
P es el nodo del diodo y la regin N el ctodo.
Presenta el efecto rectificador: permite el paso de corriente cuando la
tensin aplicada a P es mayor que la aplicada a N, y bloquea el paso
de corriente cuando la tensin aplicada cambia de signo.
Unin PN sin polarizar: corriente nula. El campo elctrico en la regin
de transicin confina a los electrones en la regi N i a los huecos en la
regin P. Los huecos van por difusin de P a N, pero el campo elctrico
los devuelve a la regin P. Los electrones van per difusin de N a P,
pero el campo elctrico los devuelve a N.
Unin PN con polarizacin directa: corriente de P a N. La tensin de
polaritzacin VD disminuye el campo elctrico en la regi de
transicin. Pasan huecos de P a N electrones de N a P.
Unin PN con polarizacin inversa: No pasa corriente. La
polaritzacin aumenta el campo elctrico en la regi de transicin.
No pueden pasar huecos de P a N ni electrones de N a P.
P
+ + + +
+ + + +
+ + + +
P
+ + + +
+ + + +
+ + + +
P
+ + + +
+ + + +
+ + + +
N
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
N
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
N
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
BANDAS DE ENERGA Y EFECTO RECTIFICADOR

El diagrama de la unin PN en equilibrio trmico
muestra que todos los electrones de la parte N con
energa inferior a la barrera que presenta el nivel Ec
no pueden pasar a la regin P. Se demuestra (ley de
Fermi) que la concentracin de electrones en la
banda de conduccin disminuye exponencialmente
al aumentar E. Como no hay prcticamente
electrones que puedan superar la barrera, la corriente
de electrones de N a P ser aproximadamente cero.
Un razonamiento similar rige para los huecos.
Al polarizar directamente (VD > 0) disminuyen las
barreras y hay una parte importante de electrones
que pueden ir de N hacia P y de huecos que pueden
ir de P haca N. Por tanto, circula corriente. En
cambio, con polarizacin inversa aumentan las
barreras y los portadores no pueden pasar al otro
lado, por lo que la corriente es nula.
ECUACIN DEL DIODO

En polarizacin directa (VD>0) la regin P inyecta huecos a
la regin N y la regin N inyecta electrones a la regin P,
ya que el campo elctrico en la ZCE disminuye. Los
portadores inyectados a la regin adyacente son
recombinados por los mayoritarios de la regin,
recorriendo una distancia media L: longitud de difusin. Se
demuestra que L = (D). Tambin hay un cierta
recombinacin en la ZCE.
La corriente por el diodo es
ID = Is[exp(VD/Vt)-1]
Lp
Ln
denominada ecuacin del diodo
Is = corriente inversa de saturacin = Ani2 : varia con T y con Eg. Para el silicio un valor tpico
es 10-15 A, para el AsGa puede ser de 10-22 A. Notar que en inversa (VD<0) ID = -Is que es
prcticamente cero.
= factor de idealidad del diodo. Suele variar entre 1 y 2.
El diodo conduce una corriente apreciable cuando VD > V, V = tensin de codo o tensin
umbral: V = Vtln(IDref/Is). Para el silicio con IDref = 1 mA V = 0,7 V; para el AsGa V = 1,2 V.
18/13
RUPTURA DE LA UNIN
Cuando VD < 0 aumenta Eel en la regin de transicin.

Cuando alcanza un valor determinado (Erupt) empieza a
circular corriente negativa (de ctodo a nodo): se produce la
ruptura de la unin.
Tensin de ruptura = Vz = -VD|Eelmax = Erupt
Eelmax = E rupt = [(2q/)[NAND/(NA+ND)](Vbi+Vz)]1/2
Mecanismos de ruptura:
Avalancha: un portador adquiere energa
cintica del campo elctrico i arranca
otros electrones de valencia por colisin.
Efecto zener o efecto tnel: El propio campo
elctrico arranca electrones de los enlaces
covalentes. Hace un tnel a travs de la
banda prohibida.
10/13
3.11.- CAPACIDADES DE TRANSICIN Cj Y DE DIFUSIN

La anchura de la ZCE wd varia con la polarizacin aplicada VD. Al aumentar VD la ZCE se
hace mas delgada.
Para permitir este adelgazamiento de la ZCE hay que inyectar huecos desde el exterior del
terminal P para neutralizar a las impurezas aceptoras negativas del borde de la ZCE, y
electrones desde el terminal N para neutralizar a las donadoras del otro borde. Efecto
capacitivo: se almacena carga en la ZCE cuando varia VD.
Cj = - dQj/dVD = A/wd
Al aumentar VD aumenta p(x) en todos los

puntos. Se pasa de una curva p(x) a otra curva
de valores mayores.
Aumenta el nmero de huecos almacenados en la regin neutra N, QspN , y el nmero de
electrones almacenados en la regin neutra P, QsnP Efecto capacitivo:
Cs = d(QspN + QsnP)/dVD = t(Is/Vt)exp(VD/Vt);
t = tiempo de trnsito
1113
MODELO DINMICO DE LA UNIN PN

El circuito equivalente del diodo est formado por una fuente de corriente dependiente de
la tensin entre terminales (ecuacin del diodo en rgimen estacionario) y dos
condensadores en paralelo: Cj y Cs (en la figura Cs se denomina CD)
iD = ID + CjdVD/dt + CsdVD/dt
con
ID = Is[exp(VD/Vt) -1]
1313
3.12.- SEMICONDUCTORES DE GAP DIRECTO Y DE GAP INDIRECTO

Un semiconductor se denomina de gap directo cuando el mnimo de la banda de conduccin y
el mximo de la banda de valencia se dan para el mismo valor de k. De lo contrario es de gap
indirecto. As por ejemplo, el silicio es de gap indirecto y el Arseniuro de Galio de gap directo.
Cuando un electrn en un semiconductor absorbe o emite un cuanto de energa realiza la
transicin entre dos puntos de las curvas del diagrama E(k). En estas transiciones se debe
conservar la energa y el momento cristalino:
Eef = Eei Ecuanto ;
kef = kei kcuanto
con el signo + cuando se absorbe un cuanto y el cuando se emite un cuanto.

El fotn tiene una k muy pequea comparada
con las k tpicas del electrn. Por esto:
Ee 0 = Eei E fotn ;
ke 0 = kei
Las transiciones que implican fotones son saltos

verticales en el diagrama E(k).
En la figura, la absorcin directa de un fotn es una transicin vertical desde la banda de

valencia a la de conduccin. Cuando un electrn hace una transicin vertical desde la banda
de conduccin a la de valencia emite un fotn.
Tambin son posibles las transiciones indirectas que consisten en la absorcin/emisin
simultnea de un fotn y un fonn. El salto vertical corresponde al fotn y el cambio de k se
debe al fonn. La transicin indirecta tiene una frecuencia mucho menor que la directa.
En equilibrio trmico los electrones tienden a
ocupar los niveles ms bajos de energa en cada
banda. Por esto, los electrones libres residen en
los valles de la banda de conduccin, y los
huecos en las cimas de la banda de valencia.
En la recombinacin, un electrn de conduccin
pasa al lugar de un hueco. Si el semiconductor es
de gap directo, se har una transicin vertical con
emisin de un fotn. En el semiconductor de gap
indirecto normalmente se emite un fonn (calor).
3.13.- ABSORCIN DE LA RADIACIN POR UN SEMICONDUCTOR
Cuando un fotn penetra dentro de un semiconductor puede crear un par electron hueco si su
energa es superior a la banda prohibida del semiconductor:
E ft = hf =
hc 1,24 eV m
=
Eg
El flujo de fotones de longitud de onda a una distancia x de la superficie iluminada viene

dado por:
( , x) = ( ,0)e ( )x
siendo () = coeficiente de absorcin.
La generacin de pares electrn hueco a una distancia x de la superficie iluminada generados
por una radiacin de longitud de onda es
g L ( x, ) =
d ( )
= ( ) (0)e ( ) x
dx
COEFICIENTE DE ABSORCIN.
La inversa del coeficiente de absorcin, 1/(), es la profundidad de penetracin de la
radiacin en el semiconductir, ya que es igual a la distancia media que penetra un fotn en
un semiconductor antes de ser absorbido.
Cuando () = 0 el fotn no es
absorbido ya que su penetracin seria
infinita. Notar que esto ocurre cuando
(m) < 1,24/Eg(eV).
El coeficiente de absorcin toma un
valor elevado cuando la absorcin es
directa. En los semiconductores de gap
indirecto como el silicio y el germanio,
el coeficiente de absorcin toma valores
muy pequeos para valores de
prximos a Eg, debido a que la
absorcin de estos fotones debe ser
indirecta.
2.14.- LA UNIN PN BAJO ILUMINACIN
Potencia
Curva diodo
en oscuridad
ID
disipada
VD
Para hallar la caracterstica corriente tensin de la unin

PN bajo iluminacin hay que resolver las ecuaciones de
continuidad en las regiones neutras incluyendo el
trmino gL(x).
Curva diodo
en iluminacin
Para tener una visin cualitativa del resultado se

aproxima gL(x) por un valor constante GL. Se obtiene la
siguiente expresin:
I L = qAGL [ Ln + L p + wZCE ]
regi P
I D = I s [eVD / Vt 1] I L
Ln
wzce
Lp
regi N
Cuando el dispositivo permite la entrada de luz en su

interior se produce una generacin adicional de
portadores debido a gL. La tasa de generaci de
portadores a una distancia x de la superficie iluminada
es gL(x) = gL(0)exp(-x).

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Tema 3: Semiconductores

Llus Prat Vias

3.1.- ALGUNAS NOTAS SOBRE LA HISTORIA DE LOS SEMICONDUCTORES

NACE LA ELECTRNICA MODERNA: EL TRANSISTOR BIPOLAR

El nombre del nuevo dispositivo

1952: Primera aplicacin: amplificadores para sordos

Primeros transistores de silicio

LA INVENCIN DEL CIRCUITO INTEGRADO

SE CREA EL PRIMER MICROPROCESADOR INTEL 4004

LA MICROELECTRNICA: UNA CARRERA DESENFRENADA

Nombre de dispositius per xip

Cuando la microelectrnica llegua a su

Esta revolucin se ha basado en la

Evoluci de la lnia mnima en el silici i la velocitat

3.2.- ESTRUCTURA CRISTALINA Y PORTADORES DE CORRIENTE

Si en la estructura descrita se aplica un campo

PORTADORES DE CORRIENTE: ELECTRONES LIBRES Y HUECOS

3.3.- MODELO DE BANDAS DE ENERGA DE UN SEMICONDUCTOR

Consideremos ahora un electrn en un cristal unidimensional formado por una hilera de

Adems, la ecuacin de Schrdinger muestra que en un cristal la funcin de onda es peridica

Perdida de energa per colisiones

Cuando un electrn de valencia de

Se genera un hueco en el nivel Ei con

3.4.- SEMICONDUCTOR INTRNSECO

(ni = concentraci intrnseca). Se demuestra que:

Eg = 1.1 eV para el silici (Si)

Semiconductor extrnseco tipo P: semiconductor

Impureza aceptora: tomo capaz de aceptar

Al aumentar la temperatura desde el cero absoluto,

Le falta completar el cuarto enlace covalente. Hay

p0 = [N-A + (N-A2 + 4ni2)1/2] / 2

3.5.- GENERACIN Y RECOMBINACIN DE PORTADORES

En los procesos de recombinacin

Perdida de energa por

Tiempo de vida de un portador: tiempo

Rgimen estacionario: situacin en la que r =

3.6.- CORRIENTE DE DIFUSIN

Dp, Dn = constantes de difusin

p, n = movilidad de huecos y de electrones

Los huecos se mueven en el mismo sentido que Eel.

= conductividad del semiconductor

3.7.- EQUACIONES DE CONTINUIDAD

con gext = generacin no trmica, p = tiempo de vida de

EJEMPLO: APLICACIN A UN SEMICONDUCTOR ILUMINADO

Al ser homogneo: dJp/dx = 0

3.8.- CARGAS Y CAMPOS EN UN SEMICONDUCTOR

(x) = q[p(x) n(x) + ND+(x) NA-(x)]

Campo elctrico y potencial: dV/dx = - Eel

3.9.- DIAGRAMA DE BANDAS DE ENERGIA

siendo Ef = nivel de Fermi y Efi = nivel de Fermi intrnseco.

Construccin: se demuestra que el nivel Ef en equilibrio trmico es constante a travs del

3.10.- LA UNIN PN.

ANLISIS DE LA ZONA DE CARGA ESPACIAL (ZCE)

Integrando la densidad de carga se obtiene el campo elctrico, y luego

En equilibrio trmico, cuando VD = 0, la diferencia de potencial entre la parte N y la parte P

BANDAS DE ENERGA Y EFECTO RECTIFICADOR

ECUACIN DEL DIODO

denominada ecuacin del diodo

Cuando VD < 0 aumenta Eel en la regin de transicin.

3.11.- CAPACIDADES DE TRANSICIN Cj Y DE DIFUSIN

Al aumentar VD aumenta p(x) en todos los

MODELO DINMICO DE LA UNIN PN

3.12.- SEMICONDUCTORES DE GAP DIRECTO Y DE GAP INDIRECTO