Separuh Pengalir / Transistor

unit 4:
Memahami struktur binaan simbol
skematik , ciri-ciri SCR, DIAK, TRIAK, FET,
MOSFET dan UJT.

Melakarkan gambarajah struktur binaan dan

simbol skematik bagi SCR, DIAK, TRIAK, FET,
MOSFET dan UJT

Menyatakan perbezaan di antara FET dan BJT.

IF

Arus Penahan
I G2>I G

I G1=0

SCRON

Voltan Pecah Tebat

SCR OFF
VBRF2

VR
Arus Sekat Songsang

VBRF1

VF

Arus Sekat Depan

IR

Separuh Pengalir / Transistor

4.0

Pengenalan
Unit-unit sebelum ini membincangkan peranti-peranti separuh pengalir yang sangat
popular dalam litar elektronik. Selain daripada diod dan transistor, terdapat
beberapa peranti-peranti separuh pengalir yang digunakan dalam litar elektronik.
Antaranya ialah SCR, DIAK, TRIAK, FET, MOSFET dan UJT.

4.1

SCR

4.1.1 Pengenalan
SCR merupakan peranti 4 lapis ( tiristor ) yang mempunyai 3 terminal iaitu anod,
katod dan get. Secara asasnya, SCR sama seperti satu diod penerus yang
mempunyai elemen kawalan.
SCR banyak digunakan sebagai peranti pensuisan di dalam aplikasi kawalan
kuasa. Struktur asas bagi SCR ialah seperti rajah 4.1 dan simbol skematik bagi
SCR ialah seperti rajah 4.2.

P
N

Anod

Katod

P
G
N

Get
K

Rajah 4.1: Struktur Binaan SCR

Rajah 4.2 : Simbol SCR

2

Separuh Pengalir / Transistor

4.1.2 Lengkuk Cirian I-V bagi SCR

Rajah 4.3 menunjukkan gambarajah lengkuk cirian I-V bagi SCR.
IF

Arus Penahan
IG2>IG

IG1=0

SCRON

Voltan Pecah Tebat

SCR OFF
VBRF2

VR
Arus Sekat Songsang

VBRF1

VF

Arus Sekat Depan

IR

Rajah 4.3 : Lengkuk Cirian I-V bagi SCR

Lengkuk cirian SCR hampir sama dengan lengkuk cirian diod biasa kecuali
terdapatnya sebahagian kawasan di peringkat awal yang menggambarkan arus
depan yang tersekat seketika.
Semasa pincang depan (VF), ketika IG=0, tiada arus anod (IA) yang dialirkan oleh
SCR itu kecuali sedikit arus bocor. Sekalipun VF dinaikkan, IA tetap tiada melainkan
sedikit kenaikan arus bocor. Arus pada paras ini dinamakan Arus Sekat Depan (
Forward Blocking Current ).
Dengan keadaan IG masih 0 dan VF terus dinaikkan, akan sampai pada suatu nilai
voltan di mana IA tiba-tiba mengalir dan meninggi dengan cepat. Nilai VF pada
masa itu khususnya dinamakan Voltan Pecah Tebat Depan (Forward Breakover
Voltage, VBRF1). VBRF1 ialah ketika IG = 0.
Jika ada IG ( disebabkan oleh voltan positif kepada pintu ), yang di dalam rajah itu
dilabelkan sebagai IG2, kejadian voltan pecah tebat depan akan berlaku lebih awal
lagi (VBRF2). Takat VBRF boleh direndahkan lagi dengan menambahkan nilai IG.
Begitulah seterusnya sehingga jika IG dilaras kepada suatu nilai yang cukup tinggi,
SCR akan berlagak seperti diod biasa.
Sewaktu SCR dipincang songsang (VR), SCR tidak akan mengalirkan arus kecuali
sedikit arus bocor atau arus sekat songsang. Jika VR terlalu tinggi, akan sampai ke
takat voltan pecah tebat songsang. SCR bertindak seperti diod biasa dalam
keadaan pincang songsang.

Separuh Pengalir / Transistor

Arus Penahan ( Holding Current ) ialah paras di mana arus SCR berpindah dari
keadaan tersekat ( OFF ) kepada keadaan pengaliran ( ON ).
Semasa pincang hadapan, SCR mempunyai dua keadaan operasi iaitu keadaan
OFF dan ON ( rujuk rajah 4.3 ). Semasa keadaan OFF , SCR bertindak seperti
litar terbuka manakala semasa keadaan ON SCR bertindak seperti litar tertutup.
Semasa pincang songsang, SCR bertindak seperti litar terbuka.
Rajah 4.4 menunjukkan keadaan SCR semasa pincang depan dan pincang
songsang.

+Vcc

+Vcc

R1

+Vcc

R1

R1

+
Vcc
-

S1

tanpa
isyarat
picuan

- Vcc

S1

diberi
isyarat
picuan

SCR pincang depan

+
0V
-

R1

Vcc
+

S1

SCR
pincang
songsang

Rajah 4.4 : Keadaan SCR semasa pincang depan dan pincang songsang
4.1.3 Operasi SCR
Seperti diod biasa, untuk membolehkan arus mengalir melalui SCR, anod mestilah
diberikan voltan pincang depan. Namun begitu, bagi SCR, voltan pincang depan itu
masih belum boleh mengalirkan arus. Hanya setelah get diberikan voltan positif
yang seketika ( denyut ) dengan magnitud yang cukup, barulah berlaku pengaliran
arus dari anod ke katod.

Separuh Pengalir / Transistor

Sebaik saja SCR beroperasi, voltan denyut positif pada get tadi sudah tidak
diperlukan lagi, get telah hilang daya kawalannya. Walaupun denyut positif itu
kemudiannya dihapuskan, SCR masih boleh terus mengalirkan arus tinggi tanpa
henti.
Operasi SCR hanya boleh dihentikan dengan beberapa cara, di antaranya ialah
dengan : memutuskan litar laluan arus SCR, misalnya dengan meletakkan alat
pemutus litar pada mana-mana tempat laluan arus.
memintaskan anod dan katod.
mematikan bekalan voltan positif pada anod.
menukar kekutuban voltan kepada anod itu menjadi negatif.

Separuh Pengalir / Transistor

4.2

TRIAK

4.2.1 Pengenalan
TRIAK merupakan peranti 5 lapis yang boleh mengalirkan arus dua arah. TRIAK
juga boleh dipicu pada get dengan voltan picuan positif atau negatif.
Seperti SCR, TRIAK juga merupakan peranti 3 terminal. Bezanya ialah SCR
mengalirkan arus satu arah sahaja tetapi TRIAK mengalirkan arus dua arah.
TRIAK boleh diumpamakan dua SCR yang disambung selari dan berlawanan arah
seperti rajah 4.5. Oleh kerana Anod SCR 1 disambung dengan Katod SCR 2, maka
terminal TRIAK dilabelkan MT1 (main terminal 1) dan MT2 (main terminal 2).
Terminal get masih digunakan pada TRIAK kerana terminal get SCR 1 dan SCR 2
dicantumkan.
Rajah 4.6 menunjukkan struktur binaan dan simbol skematik bagi TRIAK .

MT2

K
SCR 2

SCR 1
K

G
MT1

Rajah 4.5 : Litar setara TRIAK menggunakan SCR

Separuh Pengalir / Transistor

MT2

N4

MT2

P1

N3

N1
P2

MT1

N2
MT1

Rajah 4.6 : Struktur Binaan dan Simbol skematik TRIAK

4.2.2 Lengkuk Cirian I-V bagi triak
Rajah 4.2.3 menunjukkan gambarajah lengkuk cirian I-V bagi TRIAK.

IMT

-VBR( R )1

-VBR( R )2

IH1
IH2

-VMT

VMT
-IH2
-IH1

VBR( F )2

VBR( F )1

-IMT

Rajah 4.7 : Lengkuk Cirian I-V bagi TRIAK

Lengkuk cirian TRIAK hampir sama dengan lengkuk cirian SCR kecuali semasa
pincang songsang.
Semasa pincang songsang, lengkuknya adalah sama dengan lengkuk semasa
pincang depan tetapi berlawanan arah. Ciri-ciri lain adalah sama dengan ciri-ciri
lengkuk cirian SCR. Contohnya, voltan pecah tebat akan berkurang apabila arus
get bertambah.

Separuh Pengalir / Transistor

4.3

DIAK

4.3.1 Pengenalan
Untuk memudahkan perbincangan kita, DIAK adalah sama dengan TRIAK yang
tidak mempunyai terminal get. Oleh sebab itu DIAK adalah peranti 2 terminal yang
dilabelkan MT1 (main terminal 1) dan MT2 (main terminal 2) sahaja. Rajah 4.8
menunjukkan simbol skematik bagi DIAK.
DIAK juga boleh diumpamakan seperti diod yang mempunyai 4 lapisan. Rajah 4.9
menunjukkan struktur binaan bagi DIAK. Bezanya ialah diod mengalirkan arus satu
arah sahaja tetapi DIAK mengalirkan arus dua arah. Apabila MT1 positif, laluan
arus ialah melalui P2-N2-P1-N1. Sebaliknya bila MT2 positif, laluan arus ialah melalui
P1-N2-P2-N3.
MT2

MT1

Rajah 4.8 : Simbol Skematik DIAK

Separuh Pengalir / Transistor

MT2
N1
P1
N2
P2

N3
MT1

Rajah 4.9 : Struktur Binaan DIAK

4.3.2 Lengkuk Cirian I-V bagi DIAK

Rajah 4.10 menunjukkan gambarajah lengkuk cirian I-V bagi DIAK.
IMT

IH1
-VBR( R )
-VMT

VMT
VBR( F )
-IH1

-IMT

Rajah 4.10 : Lengkuk Cirian I-V bagi DIAK

Lengkuk cirian DIAK hampir sama dengan lengkuk cirian TRIAK kecuali ciri-ciri get
tidak ada.
Berlainan dengan SCR dan TRIAK, DIAK hanya akan beroperasi apabila voltan
merentasinya melebihi voltan pecah tebat. DIAK tidak mempunyai get yang boleh
mengurangkan voltan pecah tebat.
DIAK boleh mengalirkan arus dua arah. Oleh itu lengkuk cirian DIAK semasa arus
bertentangan arah adalah sama. ( rujuk rajah 4.10 )
9

Separuh Pengalir / Transistor

UJIKAN KEFAHAMAN ANDA SEBELUM MENERUSKAN INPUT

SETERUSNYA.DAN .
SEMAKLAH JAWAPAN ANDA PADA MAKLUMBALAS DI HALAMAN BERIKUTNYA.
SELAMAT MENCUBA !!!!!!

1. Lakarkan struktur binaan dan simbol skematik bagi :i.

ii.
iii.

SCR
TRIAK
DIAK

2. Nyatakan 2 syarat untuk mengoperasikan SCR

3. Nyatakan 2 syarat untuk mematikan SCR.
4. Namakan terminal-terminal TRIAK.
5. Bolehkah terminal get bagi TRIAK dipicu dengan voltan picuan negatif?
6. Pada julat manakah DIAK biasanya mula mengalirkan arus?

10

Separuh Pengalir / Transistor

1.
P
N

Anod

Katod

Get
K

Struktur Binaan SCR

Simbol Skematik SCR

MT2
N4

MT2

P1
N1
P2

N3
G

N2

MT1

MT1

Struktur Binaan TRIAK

MT2
N1

Simbol Skematik TRIAK

MT2

P1
N2

P2

N3

MT1

MT1
Struktur Binaan DIAK

Simbol Skematik DIAK

11

Separuh Pengalir / Transistor

2. Dua syarat untuk mengoperasikan SCR ialah :i)

voltan pincang hadapan merentasi anod dan katod
ii)
diberi voltan picuan positif pada terminal get.

3. Dua syarat untuk mematikan SCR ialah :i)

putuskan laluan arus ke SCR
ii)
pintaskan anod dan katod

4. Terminal-terminal TRIAK ialah :i)

Terminal utama 1 ( MT1 )
ii)
Terminal utama 2 ( MT2 )
iii)
Get

5. Boleh

6. Diak biasanya mula mengalirkan arus apabila voltan merentasi DIAK melebihi voltan
pecah tebat.

12

Separuh Pengalir / Transistor

4.4

Transistor Kesan Medan ( FET )

4.4.1 Pengenalan
Transistor yang dipelajari sebelum ini ialah dalam kategori transistor dwipolar, iaitu
melibatkan kedua-dua pembawa arus elektron dan hol. Transistor tersebut juga
tergolong di dalam jenis komponen atau alat terkawal arus (current controlled
device).
Satu lagi kategori transistor ialah transistor unipolar iaitu yang hanya melibatkan
salah satu pembawa arus majoriti. Salah satu transistor unipolar yang sering
digunakan ialah Transistor Kesan Medan (Field Effect Transistor) atau ringkasnya
dipanggil FET. Ia merupakan komponen atau alat terkawal voltan (voltage
controlled device).
FET adalah terdiri daripada dua kategori iaitu JFET ( Junction FET ) dan MOSFET
( Metal-oxide semiconductor FET ). Dalam input 4.4 ini, kita membincangkan JFET
dan input 4.5 membincangkan MOSFET.

4.4.2 JFET
Rajah 4.11 menunjukkan struktur binaan FET. Ia terbina daripada satu bar
semikonduktor bahan jenis N yang dari dua hujungnya diterbitkan elemen atau kaki
yang satunya bernama Punca (Source) dan satu lagi bernama Parit (Drain). Di
tengah-tengah bar tersebut terdapat dua bahan jenis P yang bersetentang, dan
darinya diterbitkan satu elimen bernama Pintu (Gate). Untuk kemudahan,
kadangkala huruf-huruf S, D dan G akan digunakan sebagai singkatan bagi punca,
parit dan pintu.
Oleh kerana bar yang digunakan di antara punca dan parit ialah dari semikonduktor
bahan jenis N, maka FET ini dikenali dengan nama FET Saluran N. Rajah 4.11
menunjukkan lukisan simbol skematik baginya. Perhatikan bahawa anak panah
pintu menunjuk ke dalam.

13

Separuh Pengalir / Transistor

D
D
N
P

G
S

S
Rajah 4.11 : Struktur binaan dan Simbol Skematik bagi FET saluran N
Satu jenis FET lagi ialah FET Saluran P. Rajah 4.12 menunjukkan struktur
binaannya, di mana bar yang digunakan ialah bahan jenis P dan ditengahtengahnya dua bahan jenis N yang bersetentang. Namun demikian tidak ada
perbezaan pada nama-nama elemen. Cuma sedikti perubahan pada lukisan simbol
skematiknya seperti yang ditunjuk di rajah 4.12 iaitu anak panah pintu menunjuk ke
luar.
D
D
P
G

G
S

S
Rajah 4.12 : Struktur binaan dan Simbol Skematik bagi FET saluran P

Untuk mudah mengingati simbol skematik kedua-dua jenis ini, ingatkan saja
bahawa yang ditunjuk oleh anak panah ialah bahan jenis N. Jika anak panah
menunjuk ke dalam, maka yang ditunjuk ialah bahan jenis N untuk saluran.
Jika anak panah menunjuk ke luar, maka yang ditunjuk ialah bahan jenis N untuk
pintu.
14

Separuh Pengalir / Transistor

Perhatikan juga pada rajah struktur binaan bahawa di antara bahan untuk saluran
dan bahan untuk pintu terdapat cantuman P-N yang tentunya mempunyai kesankesan keujudan kawasan kesusutan dan voltan sawar.

4.4.3 Perbandingan di antara JFET dengan Transistor Dwipolar.

Jika dari segi bentuk fizikal, tidak banyak perbezaan yang ketara di antara keduadua jenis transistor ini, malahan kedua-duanya agak sama. Tanpa merujuk kepada
nombor pengenalan dan buku manual, agak sukar untuk membezakannya. JFET,
seperti juga transistor dwipolar biasa, mempunyai tiga kaki.
Dari segi penggunaannya di dalam litar-litar elektronik, JFET juga boleh bertugas
sebagai amplifier. Cara sambungan dan pendawaiannya juga tidak banyak
bezanya. JFET, seperti juga transistor biasa, disambungkan dengan tatarajah
punca sepunya, di mana litar pintu-punca menjadi terminal masukan dan litar paritpunca menjadi terminal keluaran.
Namun, dari segi prinsip dan ciri-cirinya, perbezaan di antara JFET dengan
transistor dwipolar biasa tetap ada, di antaranya ialah:
JFET tatarajah punca-sepunya mempunyai kerintangan masukan yang
sangat tinggi, lebih kurang 100M ohm ( kerana litar masukannya ialah di
antara pintu-punca yang dipincang songsang )
JFET ialah alat terkawal voltan, transistor biasa ialah alat terkawal arus.
JFET ialah transistor unipolar, iaitu melibatkan satu jenis pembawa arus
majoriti sahaja. Transistor biasa ialah dwipolar, kerana melibatkan
kedua-dua jenis pembawa arus.
JFET tidak terlalu sensistif kepada perubahan suhu sekitar. Pembawa
arus minoriti tidak meninggalkan kesan-kesan besar. Tiada pengaruh
Beta.
JFET mempunyai tatalaku Hukum Kuasa Dua, di mana, arus keluaran
berubah dengan kuasa dua masukan. Ciri seperti ini tidak ada pada
transistor biasa. Ada beberapa litar elektronik yang memerlukan ciri
seperti ini.
JFET mempunyai kadar bising dalaman yang rendah dari transistor
biasa. Oleh itu ia kerap digunakan dalam amplifier hi-fi dan alat terima
radio FM.

15

Separuh Pengalir / Transistor

4.5

MOSFET

4.5.1 Pengenalan
MOSFET adalah kategori kedua bagi FET. MOSFET (metal-oxide semiconductor
FET) mempunyai terminal-terminal seperti JFET iaitu punca, parit dan get. Yang
membezakan MOSFET dengan JFET ialah terminal get diasingkan dengan saluran
(channel) oleh satu lapisan silikon oksida (SiO2). Oleh sebab itu, arus get menjadi
semakin kecil. MOSFET juga dipanggil sebagai IGFET (insulated-get FET).
Terdapat dua jenis MOSFET, iaitu MOSFET ragam susutan dan peningkatan
(depletion-enhancement mode) dan MOSFET ragam peningkatan sahaja
(enhancement-only mode).

4.5.2 MOSFET Ragam Susutan Dan Peningkatan ( DE MOSFET )

DE MOSFET boleh beroperasi secara ragam susutan dan ragam peningkatan
dengan hanya menukar polariti voltan antara get dan punca (VGS). Bila VGS adalah
negatif, DE MOSFET beroperasi secara ragam susutan. Sebaliknya bila VGS adalah
positif, DE MOSFET beroperasi secara ragam peningkatan.
Rajah 4.13 dan 4.14 menunjukkan struktur binaan dan simbol DE MOSFET.
Merujuk kepada struktur binaan, kita dapati saluran (channel) bersambung dari
parit ke punca. Ini menyebabkan arus parit (ID) boleh mengalir walaupun VGS=0.
D

N
G
P
G

N
S

S
Rajah 4.13 : Struktur Binaan dan Simbol Skematik DE MOSFET
16

Separuh Pengalir / Transistor

D
D
P
G
N

P
S

Rajah 4.14 : Struktur Binaan dan Simbol Skematik DE MOSFET

4.5.3 MOSFET Ragam Peningkatan Sahaja ( E MOSFET )

E MOSFET boleh beroperasi secara ragam peningkatan sahaja. Ia beroperasi

dengan nilai VGS yang besar.
Struktur binaan E MOSFET berbeza dengan DE MOSFET. Rajah 4.15
menunjukkan struktur binaan dan simbol E MOSFET.
Merujuk kepada struktur binaan, kita dapati saluran (channel) tidak bersambung
antara parit dan punca. Ini menyebabkan arus parit (ID) tidak boleh mengalir jika
VGS=0.
D
D
N
G
P

N
S

D
D
P
G
N

P
S

Rajah 4.15 : Struktur Binaan dan Simbol Skematik E MOSFET

17

Separuh Pengalir / Transistor

4.6

Transistor Ekasimpang ( UJT )

Satu lagi komponen semikonduktor yang termasuk dalam keluarga transistor ialah
Transistor Ekasimpang ( Unijunction Transistor ) atau ringkasnya dipanggil UJT.
UJT berbeza dengan diod kerana UJT mempunyai 3 terminal. UJT berbeza dengan
FET kerana UJT tidak boleh menguatkan isyarat. UJT boleh mengawal kuasa AU
yang besar dengan isyarat yang kecil.
Rajah 4.16 menunjukkan struktur binaan UJT. Ia berbina daripada satu bar
semikonduktor bahan jenis N yang diserap untuk mempunyai sedikit saja pembawa
arus majoriti, dan dari dua hujungnya diterbitkan dua terminal Tapak. Tapak yang di
atas dilabel sebagai B2 dan yang di bawah sebagai B1.
Suatu lapisan bahan jenis P ditampalkan ke bar bahan N itu dan darinya diterbitkan
terminal Pengeluar (E). Pengeluar diserap supaya mengandungi banyak pembawa
arus majoriti. Lukisan simbol skematik bagi UJT ialah seperti rajah 4.16
UJT biasanya digunakan di dalam litar aplikasi: Kawalan fasa
Pensuisan
Pemasa
Penjana isyarat
B2
B2

E
B1

B1
Rajah 4.16 : Struktur binaan dan simbol skematik bagi UJT.
18

Separuh Pengalir / Transistor

UJIKAN KEFAHAMAN ANDA SEBELUM MENERUSKAN INPUT

SETERUSNYA.DAN .
SEMAKLAH JAWAPAN ANDA PADA MAKLUMBALAS DI HALAMAN BERIKUTNYA.
SELAMAT MENCUBA !!!!!!

Tuliskan YA atau TIDAK pada kotak yang disediakan.

YA / TIDAK
1

FET ialah peranti unipolar.

FET ialah alat terkawal arus.

Punca dan parit merupakan satu bar separuh pengalir.

FET mempunyai tiga terminal iaitu Parit, Punca dan Get.

JFET terdiri daripada jenis saluran N sahaja.

Anak panah pada simbol JFET menunjukkan bahan jenis N.

Terminal get MOSFET diasingkan oleh lapisan SiO2

Saluran DE MOSFET tidak bersambung dari parit ke punca.

UJT ialah peranti unipolar

10

UJT mempunyai tiga terminal iaitu Pengeluar, Pemungut dan

Tapak.

19

Separuh Pengalir / Transistor

Ya

Tidak

Ya

Ya

Tidak

Ya

Ya

Tidak

Ya

10

Tidak

PENILAIAN KENDIRI
20

Separuh Pengalir / Transistor

TAHNIAH ! ANDA TELAH MENGHAMPIRI KEJAYAAN. SILA CUBA SEMUA SOALAN

DALAM PENILAIAN KENDIRI INI DAN SEMAK JAWAPAN ANDA PADA
MAKLUMBALAS YANG DISEDIAKAN.
JIKA ADA MASALAH TIMBUL , SILA BERBINCANG DENGAN PENSYARAH ANDA.
SELAMAT MENCUBA SEMOGA BERJAYA !!!!!!
4.1

Terangkan makna istilah yang diambil dari lengkuk cirian SCR berikut:i)

Arus Sekat Depan

ii)

Arus Sekat Songsang

iii)

Arus Penahan

iv)

Voltan Pecah Tebat

4.2

Nyatakan dua perbezaan di antara SCR dan TRIAK.

4.3

Bagaimanakah kedudukan SCR di dalam TRIAK.

4.4

Nyatakan dua perbezaan di antara SCR dan DIAK.

4.5

Apakah yang membezakan JFET dan MOSFET.

4.6

Senaraikan perbezaan di antara JFET dan transistor biasa.

4.7

Nyatakan 2 perbezaan di antara DE MOSFET dan E MOSFET.

4.8

Senaraikan litar-litar yang menggunakan UJT.

Tugasan:
Terangkan operasi semikonduktur-semikonduktur berikut:i)
FET
ii)
MOSFET
iii)
UJT
iv)
SCR
v)
TRIAK
vi)
DIAK
( Tempoh penulisan tugasan ialah 2 minggu. )

MAKLUMBALAS
PENILAIAN KENDIRI

21

Separuh Pengalir / Transistor

4.1

4.2

4.3

4.4

Arus Sekat Depan :

Arus bocor yang mengalir semasa voltan

pincang depan dan voltan merentasi SCR
tidak melebihi voltan pecah tebat.

Arus Sekat Songsang :

Arus bocor yang mengalir semasa voltan

pincang songsang.

Arus Penahan :

Paras di mana arus SCR berpindah dari

keadaan tersekat kepada keadaan
pengaliran.

Voltan Pecah Tebat :

Nilai voltan di mana selepas voltan ini, arus

akan meningkat dengan cepat. Di dalam
SCR, terdapat dua voltan pecah tebat iaitu
voltan pecah tebat semasa pincang depan
dan voltan pecah tebat semasa pincang
belakang.

SCR

TRIAK

i. Mengalirkan arus satu arah

Mengalirkan arus dua arah

ii. Perlu voltan picuan positif untuk

beroperasi

Boleh menerima voltan picuan

positif dan negatif untuk
beroperasi.

Di dalam TRIAK, kedudukan SCR adalah seperti 2 SCR disambung

selari dan bertentangan arah.

SCR

DIAK

i. mengalirkan arus satu arah

mengalirkan arus dua arah

ii. beroperasi bila diberi voltan picuan

positif pada get

beroperasi bila voltan merentasi

diak melebihi voltan pecah tebat.

22

Separuh Pengalir / Transistor

4.5

Yang membezakan JFET dan MOSFET ialah terminal get. Terminal get
MOSFET diasingkan dengan satu lapisan SiO2.

4.6

Perbezaan di antara FET dan transistor biasa ialah : impedan masukan tinggi.
alat kawalan voltan.
melibatkan satu pembawa arus majoriti sahaja.
tidak sensitif pada haba.

4.7

DE MOSFET

E MOSFET

i. boleh beroperasi secara ragam

peningkatan dan ragam susutan

hanya boleh beroperasi secara

ragam peningkatan sahaja.

ii. saluran bersambung dari parit ke

punca.

saluran tidak bersambung antara

parit dan punca.

4.8.

Litar-litar yang menggunakan UJT ialah litar pemasa, kawalan fasa, pensuisan
dan litar penjana isyarat.

Tugasan
Untuk menyiapkan tugasan, anda perlu:a. mendapatkan buku-buku Electronics, Basic Electronics atau Electronics
Principle.
b. Rujuk bab atau index untuk mendapat tajuk FET, MOSFET, UJT, SCR, TRIAK
dan DIAK.
c. Dapatkan bagi setiap peranti:i. Simbol skematik
ii. Struktur binaan
iii. Lengkuk cirian I-V
iv. Operasi
v. Litar contoh.
d. Setelah anda dapat melaksanakan langkah a hingga c, mulakan penulisan
tugasan. Mulakan tugasan dengan tajuk pengenalan dan diakhiri dengan
kesimpulan.
e. Setelah anda berpuas hati dengan isi-isi dalam penulisan, rujuk pensyarah anda
untuk mendapat kepastian.

23