Professional Documents
Culture Documents
Elektro7 PDF
Elektro7 PDF
TRANZISTORI
,.
75
Kod unipolarnih tranzistora, izlazna struja je struja veinskih nosilaca koja nastaje
uz zanemarivo malo djelovanje manjinskih nosilaca. Oni se lake proizvode od
bipolarnih tranzistora i zauzimaju malo prostora kada se proizvode u tehnici
integriranih krugova. Imaju vrlo veliku ulaznu impedanciju, tako da ih se moe
usporediti s elektronikim cijevima. Unipolarni tranzistor kao i elektronika cijev je
naponski upravljiv elektroniki element, to je velika prednost prema bipolarnom
tranzistoru koji je strujno upravljivi element.
(/
(
75
,.
oformljena su podruja P tipa, meusobno povezana i jako dopirana (P+) koja s manje
dopiranim (N) kanalom ine PN spoj, a cijelo to podruje naziva se upravljaka
elektroda (end. gate). Ukoliko se na krajeve kanala sa slobodnim prikljukom
upravljake elektrode, dovede napon UDD, tada e kroz njega potei struja veinskih
nosilaca - elektrona. Jakost ove struje odreena je Ohmovim zakonom, odnosno
naponom UDS i otporom kanala. Izvor (S) je kraj kroz koji veinski nosioci ulaze u
kanal, ponor (D) je onaj kraj kroz koji veinski nosioci izlaze iz kanala. Podruja
upravljakih elektroda mogu se dobiti legiranjem, difuzijom ili nekom drugim
postupkom, a jedan tip konstrukcije FET-a dobiven procesom difuzije prikazan je
slikom 180.
Proces zapoinje s podlogom P tipa, na kojoj se difuzijom donorskih primjesa
oformi kanal N tipa. Tada se difuzijom primjesa P tipa (akceptorskih primjesa) na N
kanalu oformi jedna strana upravljake elektrode, dok drugu stranu predstavlja
podloga. Na kraju se nanosi metal za mjesta prikljuaka.
(/
(
72
75
,.
(/
(
Kako kanal ima odreeni otpor, struja ID stvara na njemu pad napona, koji ovisi o
jakosti ove struje. Napon izmeu upravljake elektrode (G) i neke toke na kanalu,
nee biti konstantan du kanala zbog razlike pada napona na dijelu otpora izvora (S)
do promatrane toke. To e dovesti do razliitog irenja osiromaenog sloja du
kanala, a najiri je u podruju prikljuka izvoda (D), jer su na tom dijelu PN spojevi
najvie inverzno polarizirani.
Ako se spoje upravljaka elektroda i izvor (slika 181) i za razliite napone UDS
mjeri struja ID, tada se dobivenim vrijednostima moe nacrtati krivulja prikazana na
istoj slici.. Kada je UDS=0 i ID=0, du kanala nema pada napona, tako da je i napon
izmeu svake toke na kanalu i izvora (S) jednak nuli. U podruju napona UDS=0 do
nakog napona manjeg od UP, porast struje je priblino linearan. Daljnjim porastom
napona UDS nastaje znatno proirenje osiromaenog sloja, koje dovodi do znatne
promjene otpora kanala, pa se kod napona UP dolazi do struje zasienja IDSS. Daljnjim
poveanjem napona UDS dolazi do neznatnog poveanja struje ID. Kada se postigne
struja zasienja, oblik osiromaenih slojeva je takav da eli zatvoriti ili prekinuti
kanal, pa se napon kod kojeg se to dogaa naziva napon prekida ili dodira (eng.
pinch off voltage) ili Vp. Podruje karakteristike izmeu UDS=0 i UDS=UP naziva se
triodno podruje, jer je ovaj dio slian karakteristici elektronike cijevi - triode.
Daljnjim poveanjem napona UDS dolazi do proboja, pri emu e se tranzistor
73
75
,.
(/
(
,.
UP
75
(/
(
U GS
Ako se izraz za prijenosnu karakteristiku I D = I DSS 1
derivira, dobiva se:
UP
U 1 2 I DSS U GS
dI D
= I DSS 1 GS 2
1
=
i ako se obje strane pomnoe s
dU GS
UP UP
UP
UP
u DS
i D = g m uGS +
, koji se moe prikazati ekvivalentnom shemom kao na slici 185.
rd
,.
Osim naziva Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) moe
se nai naziv tranzistor s efektom polja s izoliranom upravljakom elektrodom, a
proizvode se u dva podtipa: s kanalom N tipa i s kanalom P tipa. Struktura MOSFETa prikazana je slikom 186, gdje su na podlozi od visokootpornog poluvodikog
materijala P tipa (Si) difuzijom oformljena dva podruja od jako dopiranog materijala
N tipa.
(/
(
75
Jedno podruje predstavlja izvod (D), a drugo izvor (S), a cijela povrina je
prekrivena slojem silicijevog dioksida, na kojem su napravljeni otvori prema N
podruju i oformljeni metalni prikljuci za izvod i izvor. Na povrini izmeu podruja
izvoda i izvora postavlja se metal koji predstavlja upravljaku elektrodu (G). Ovo
doarava tzv. sendvi strukturu: metal-oksid-poluvodi, odakle i naziv MOS
tranzistor. Na slici 186 prikazana je struktura MOS tranzistora s efektom polja s
kanalom N tipa. U normalnom radu napon izmeu izvoda (D) i izvora (S) prikljuen
je tako da pozitivan pol doe na prikljuak izvoda, pa ako je pri tome prikljuak
upravljake elektrode (G) slobodan, dva N podruja i zajednika podloga P tipa
predstavljaju dvije PN diode (suprotno orjentirane) izmeu kojih je serijski vezan
otpornik. Kako oba spoja ne mogu biti propusno polarizirana, tako se cijeli spoj
ponaa kao veliki otpor izmeu izvoda i izvora. Ako se podloga P tipa povee na
prikljuak izvora (S) na PN spoju izvor-podloga nema napona, a PN spoj izvodpodloga ostaje inverzno polariziran. Dovoenjem napona na upravljaku elektrodu s
pozitivnim potencijalom u odnosu na izvor (S), u podlozi se stvaraju negativni nosioci
naboja - elektroni, koji za podlogu P tipa predstavljaju manjinske nosioce. Oni e biti
privueni na metalnu plou, koja je na pozitivnom potencijalu, ali na nju ne mogu stii
jer se izmeu ploe i podloge nalazi izolirajui oksid, tako da se oni skupljaju ispod
ploe u podruju izmeu izvoda i izvora, stvarajui na taj nain kanal N tipa kako je
to prikazano slikom 187. Jakost struje izvoda (D) je to vea to je vei broj nosilaca
stvorenih naboja na strani upravljake elektrode, a vei pozitivni potencijal na njoj
stvara vei broj nosilaca naboja. Potencijalom na upravljakoj elektrodi je tako
mogue upravljati strujom izvoda (D).
76
(/
(
75
,.
,.
I D = K / 2(U GS U GS 0 )
gdje je K konstanta MOSFET-a, UGS0 napona praga. Iz nagiba prijenosne
karakteristike moe se odrediti parametar strmina gm tranzistora, kao i otpor izvoda
rd, koji se kao i kod spojnog tranzistora s efektom polja odreuju iz izraza:.
promjena I D
I D
gm =
, kada je napon UDS konstantan, ili g m =
,a
promjena U GS
U GS U DS = const .
promjena U DS
U DS
rd =
, kada je napon UGS konstantan, ili rd =
.
promjena I D
I D U GS = const .
75
(/
(
U DD U DS
RL
RL
Ekvivalentni strujni krug za izmjenini signal na ulazu pojaala prikazan je slikom
191, pri emu se koristi ekvivalentna shema tranzistora s efektom polja (slika 185).
Pomou tog ekvivalentnog kruga izvode se izrazi za naponsko pojaanje, ulaznu i
izlaznu impedanciju.
,.
75
=
= gm R L
Uu
Uu
Uu
Pri niskim i srednjim frekvencijama izlazna impedancija je:
Z i = R L rd rd
Za visoke frekvencije moraju se uzeti u obzir parazitni kapaciteti izmeu elektroda.
Ulazna impedancija pojaala predstavlja paralelan spoj RG i RGS, pa se zbog toga
to je RGS obino puno vee od RG moe ulazna impedancija izraziti:
ZuRG .
(/
(
ZADATAK 1:
N-kanalni spojni FET u pojaalu na slici 192 ima slijedee parametre: IDSS=8mA,
UP=4V, =200. Odrediti statiku radnu toku i pojaanje AV=uiz/uul te ulazni i izlazni
otpor sklopa.
Zadano je:
UDD=50V
Rg=10k
RD=10k
RP=15k
RG=1M
RS=500
79
UDD
RD
CP
CG
UDSQ
UGSQ
RP
RG
RS
ug
uiz
uul
,.
Rg
IG=0
Rizl
Rul
Slika 192.
Iz (3) slijedi IDQ=8 10 (1+(-1.5)/4) =3mA
Iz (1) dobiva se UDSQ=50-3.10-3(10000+500)=18.5V
-3
75
ID/mA
IDQ
UGSQ=-1.5
(/
(
-4
UGS/V
80
id
rd
Ugs
rd
gmUgs
Uiz
,.
Slika 194.
id
Rg
gmUgs
75
RG
uul
RP
uiz
Riz
(/
(
Rul
RD
RS
Ug
rd
81
rd
ugs=-idRS
Riz=u/i=RD (u/id)
u=id(RS+rd)-ugs
u=id(RS+rd)+idRS
Riz=RD ( RS(1+)+rd)=9.5k
ugs
u
RD
,.
RS
ZADATAK 2:
Odredite statiku radnu toku sklopa na slici 197. MOSFET ima slijedee parametre:
K=1.25mA/V2, UGS0=1V.
Zadano je:
UDD=20V
R1=16k
R2=4.3k
RD=3.5k
RS=500
75
UDD
R1
RD
IG=0
ID/mA
(/
(
UGSQ
R2
IDQ
RS
UGS/V
0 UGS0
Slika 197.
UGSQ
82
UDD
R1
IG=0
IG=0
FET
RGG
UGG
,.
R2
(/
(
75
RGG=(R1 R2)=3390
UGG=UDD.R2/(R1+R2)=4.23V
Obzirom da je ulazni otpor FET-a vrlo velik struja IG=0 te vrijedi slijedea relacija:
UGG=UGS+ID.RS
K
2
Jednadba MOSFET-a glasi I D = (U GS U GS 0 ) gdje je: K-konstanta MOSFET-a,
2
UGS0-napon praga,UGS-napon izmeu kontrolne elektrode i uvoda, ID- struja odvoda.
Za statiku analizu vrijedi:
IDQ=K/2.(UGSQ-UGS0)2
UGG=UGSQ+IDQ.RS
to nakon uvrtavanja daje UGSQ1=3V i UGSQ2=-4,2V, ali prema prijenosnoj
karakteristici na slici 198 kao rjeenje slijedi UGSQ=3V i IDQ=2.5mA
Za izlazni dio sklopa vrijedi jednadba: UDSQ=UDD-IDQ.(RD+RS)
UDSQ=20-2.5.10-3(3500+500)=10V
ZADATAK 3:
Za JFET u sklopu pojaala sa zajednikim uvodom na slici 200 zadana je izlazna
karakteristika prema slici 201. Odredite vrijednosti otpora RD i RS tako da radna toka
ima slijedee parametre UGSQ=-2V, UDSQ=15V, IDQ=3.5mA. Ucrtajte statiki i
dinamiki radni pravac. Nacrtajte shemu za reim malog signala te odredite
Avg=uiz/ug. Zadano:
UDD=30V
RG=1M
C
Rg=500
=200 gm=2.35mA/V
Na slici je prikazan n kanalni spojni FET.
Iz izlaznog dijela kruga slijedi jednadba statikog radnog pravca:
UDD=UDSQ+IDQ(RD+RS)
(1)
Prema slici 201 toka 1 ima koordinate (0,UDD/RD+RS), toka 2 (UDD,0).
83
id
UDD
Rg
RD
Ug
RG
RS
CS
,.
Slika 200.
Obzirom da je struja upravljake elektrode priblino nula zbog velikog ulaznog otpora
FET-a slijedi: UGSQ=-IDQRS
(2)
Iz jednadbe: (2) RS=UGSQ/IDQ=-(-2)/3.5.10-3=572
(1) RD+RS=(UDD-UDSQ)/IDQ=4.3k RD=3728
iD/mA
UGS=0V
10.5
75
IDQ=3.5
10 UGSQ=15 20
-1V
dinam.r.p.
stati.r.p.
-2V
-3V
-4V
28 2 30
uDS/V
(/
(
Rg
Ug
RG
uul
gmUgs
S
Avg=uiz/uul.uul/ug
uiz=-gmUgs.(rd RD)
uul/ug=RG/(RG+Rg)
rd
RD
uiz
,.
(/
(
75
Zajedniki sloj naziva se baza (B), a vanjski slojevi emiter (E) i kolektor (C).
Simbol tranzistora PNP tipa je razliit od NPN tipa po smjeru strelice koja se nalazi
na emiterskom kraju. Dogovorom se uzima, da je smjer struje pozitivan kada ona tee
u tranzistor.
Ako na krajevima tranzistora nema prikljuenog napona, sve su struje jednake nuli.
Na PN spojevim oformljuju se energetske barijere kao kod PN dioda, pa ako se
promatra simetrian (iako je u praksi nesimetrian) tranzistor ( podruje emitera i
kolektora identine fizike dimenzije i koncentracije primjesa), onda dvije energetske
barijere imaju iste vrijednosti q0U0, kako je to prikazano slikom 203.
,.
75
(/
(
(/
(
75
,.
,.
Ako se u ulaznom krugu iskljui napon polarizacije UBE, odnosno otvori ulazni
krug, a ostavi napon polarizacije UCB, pokazati e se da kroz inverzno polarizirani
kolektorski PN spoj tee inverzna kolektorska struja ICB0. Ona tee u istom smjeru u
kojem tee struja nosilaca koji potiu iz emitera i preko baze difundiraju u podruje
kolektora i koja predstavlja glavninu kolektorske struje IC. Iz uvjeta da je zbroj svih
struja, sa slike 206, koje teku u tranzistor jednaka nuli slijedi:
IB+IC+IE=0, a kako je kolekrorska struja jednaka:
IC=-IpC+InC, emiterska struja je: IE=IpE+InE, a uvoenjem faktora strujnog pojaanja
I pC
=
za spoj zajednike baze slijedi da je kolektorska struja:
IE
IC=-IE+ICB0.
U spoju zajednikog emitera se tako dobiva izraz:
a
I
1
I
IC =
I B + CB0 , pa zamjenom
= i CB0 = I CE0 dobiva se izraz:
1 a
1 a
1
(/
(
75
Promatrajui tranzistor kao etveropol i parametre koji utjeu na njegov rad mogu
se postaviti etiri vrste karakteristika: ulazna, izlazna, prijenosna i povratna. Kao to
je poznato tranzistor se moe spojiti u tri osnovna spoja: zajednikog emitera,
zajednike baze i zajednikog kolektora. Za uporabu tranzistora kao pojaala najee
se koristi spoj zajednikog emitera, a za odreivanje karakteristika tranzistora u tom
spoju koristi se strujni krug prikazan slikom 207.
88
,.
75
(/
(
75
,.
(/
(
90
RP
ICQ
R1
Ucc
,.
ZADATAK 1:
Odredite otpore R1 i R2 da bi se ostvario maksimalni hod kolektorske struje. Zadano
je:Ucc=15V, RP=1k, RE=0.5k, =100 (faktor istosmjernog pojaanja)
IBQ
75
UCEQ
UBEQ
IEQ
(/
(
R2
RE
iC/mA
IB=150A
15
IB=100A
10
IB=50A
ICQ=5mA
IB=25A
0
uCE/V
15
10
UCEQ=UCC/2=15/2=7.5V
ICQ=(UCC-UCEQ)/(RP+RE)=7.5/1500=5mA
Sa slike takoer oitavamo IBQ=50A to moemo provjeriti i analitiki iz izraza
IBQ=ICQ/=0.005/100=50.10-6A.
Za odreivanje bilo kojeg parametra ulazni dio sklopa se nadomjeta po Thevenenu
(slika 214)
UBB=UCC.R2/(R1+R2) RBB=R1.R2/(R1+R2)
Obzirom da se u naem primjeru trae otpori R1,R2 slijedi:
R1=RBB.UCC/UBB
R2=RBB/(1-UBB/UCC)
75
Ucc
R1
IBQ
,.
UCEQ=7.5V
(/
(
UBEQ
R2 IEQ
RE
RBB
IBQ
UBEQ
UBB
IEQ
RE
Slika 214.
RE
RBB=0.1.500.101=5050
R1=5050.15/3.45=21900
UBB=3.45V
R2=5050/(1-0.23)=6550
ZADATAK 2:
Odredite statiku radnu toku sklopa prema slici 215. Pretpostavite da je frekvencija
ulaznog signala takva da kondenzatori predstavljaju kratki spoj.
RE=0.5k
RP=1k
=100
UCC=15V
Zadano:
RC=1k
a) statika analiza
Frekvencija =0
1/C= , kondenzatori predstavljaju otvoreni kraj
Budui da je =100>>1 slijedi ICQ=IEQ
Uzevi u obzir ova dva uvjeta iz izlaznog dijela sklopa slijedi prema slici 215
jednadba statikog radnog pravca na kojem lei statika radna toka:
UCEQ=UCCICQ(RC+RE) (1)
ICQ
R1
RC
,.
UCC
CC
IBQ
R2
IEQ
RE
RP
CE
Slika 215.
(/
(
uul
75
UCEQ
b) dinamika analiza
uul
ic
uce
RBB
RC
RP
Slika 216.
RBB=R1.R2/(R1+R2)
Iz izlaznog dijela sklopa prema slici 216 dobiva se jednadba dinamikog radnog
pravca: uce=-ic.RC.RP/(RC+RP)
ic=-uce(RC+RP)/RC.RP
93
,.
(/
(
75
-pomo}ni pravac
statiki radni pravac
dinamiki radni pravac
uCE(V)
3.75 5
Slika 217.
10
15
ZADATAK 3:
Odredite h parametre za sklop prema slici 218. Zadano je: R1=2, R2=6, R3=4
i1
u1
i2
R2
R1
R3
Slika 218.
u2
U1
R1 R2
=
= 1500
I 1 U 2= 0 R1 + R2
U1
R1
h 12 =
=
= 0.25
U 2 I 1= 0 R1 + R2
I
R1
h21 = 2
=
= -0.25
I1 U 2 = 0
R1 + R2
I2
R1 + R2 + R3
h 22 =
=
= 0.375S
U 2 I 1= 0 ( R1 + R2 ) R3
h 11 =
R1
CG
CC
iiz
75
iul
UCC
RC
ICQ
,.
ZADATAK 4:
Tranzistor u pojaalu (spoj zajednikog emitera) sa slike 219 ima slijedee parametre:
=hfe=100
hoe=10S
hre=10-4, parametar hie odredite iz statike analize.
a) nacrtajte nadomjesni sklop pojaala za mali signal s he parametrima
b) odredite ulazni i izlazni otpor uz hre,hoe=0
c) izraunajte strujno pojaanje AI=iiz/iul uz hre,hoe=0
IBQ
UCEQ
uul
R2
IEQ
RE
(/
(
ug
Rg
RP
CE
Riz
Rul
Zadano je:
uiz
Slika 219.
UCC=24V
R1=50k
R2=10k
RC=3.8k
RE=2.2k
RP=1k
Kondenzatori predstavljaju kratki spoj na frekvenciji izmjeninog signala.
U analizi pojaala za mali signal koristimo se teoremom superpozicije te promatramo
statiku (kojom odreujemo parametre tranzistora) i dinamiku.
Statika analiza
Prema slici 220 slijedi:
RBB=R1.R2/(R1+R2)=8.33k
UBB=UCC.R2/(R1+R2)=4V
95
Ucc
ICQ
R1
RC
IBQ
UCEQ
IBQ=(UBB-UBEQ)/(RBB+(1+)RE
IBQ=14.3A
hie=m.UT/IBQ=0.025/14.3.10-6
hie=1.75k
UBEQ
IEQ
RE
,.
R2
75
hreUce
C
hoe
hfeIb
(/
(
E
Slika 221. Hibridni nadomjesni sklop bipolarnog tranzistora
Nadomjesna shema pojaala za na primjer prikazana je na slisi 222, gdje su
istosmjerni izvori kratko spojeni.
Rg
hie
iul
Ug uul
RBB
iiz
ib
RC
hreuce
hfeib
hoe
RP
E
Riz
Rul
Slika 222. Nadomjesni sklop pojaala
b) ulazni i izlazni otpor
Slijedi prema slici 222:
uiz
,.
ZADATAK 5:
Za pojaalo prema slici 223 (spoj zajednikog kolektora) izraunajte ulazni otpor
pojaala, strujno AI=iiz/iul i naponsko pojaanje AV=uiz/uul.
UCC
CG
IBQ
iul
R1
CC
RC
ICQ
Rg
uul
75
UCEQ
UBEQ
R2
(/
(
Rul
Zadano:
RE
IEQ
ug
iiz
UCC=25V
RP=1k
CE
RP
uiz
Slika 223.
R1=65k
=hfe=100
R2=10k
RC=2k
CG,CE,CC
RE=1k
iul
hie
RG
ib
RBB
uul
Rul
hfeib
RE
Riz
,.
Slika 224.
AI=7.28
(/
(
75
AI=iiz/iul=iiz/ib ib/iul
iiz/ib=RE(1+hfe)/(RE+RP)
ib/iul=RBB/(RBB+hie+(1+hfe)(RE RP))
AV=uiz/uul=iizRP/iulRul=AIRP/Rul=0.98
98
RP
uiz
ug
iiz