" ACERCA DE LOS AUTORES C. J. SAVANT, Jr., es un ingeniero dedicado a la educacién. Recibi6 su Ph.D. cum laude del California Institute of Technology y ha impartido cétedra en el sistema de la California State University, en los campus de Long Beach y Los Angeles. El doctor Savant posee el “Premio al Profesor Distinguido” otorgado por la California State University y constantemente es elegido por sus alumnos como el “profesor ‘més querido del Departamento de Ingenieria Eléctrica” en la misma universidad. MARTIN S. RODEN es Jefe del Departamento de Ingenierfa Eléctrica y de Computacién en la California State University en Los Angeles. Et Dr. Roden recibié su BSEE summa cum laude del Polytechnic Institute of Brooklyn, y Iuego 1pas6 cinco.aiios haciendo investigacién en los Laboratorios Bel, el lugar de na- cimiento del transistor. Su interés en la educacién lo llev6 a la academia, donde ‘ocup6 los cargos de Jefe de Departamento, Decano Asociado, Decano y Vicepre- sidente Asociado varias veces. Sin embargo, el principal amor del profesor Roden sigue siendo la ensefianza, por lo cual se le otorg6 el Premio al Profesor Distin~ guido de la Universidad. Es un miembro muy activo de la TEEE, obtuvo el Premio al Consejero mas Distinguido, y es miembro del Institute for the Advancement of Engineering. GORDON CARPENTER es un Teniente Coronel retirado de la Fuerza Aérea de Jos Estados Unidos, donde acumul6 més de veinteafios de experiencia en el disefio - y desarrollo de alta tecnologia para el equipo de la USAF. Esta experiencia hizo al profesor Carpenter muy realista eh sus métodos de educacién de los futuros inge- nieros. En su carrera en la Fuerza Aérea como director de R&D, entrené nuevos ingenieros para desarrollarespeciicaciones de hardware a partir de requerimientos de sistemas y asegurar que el hardware pueda constrirse para cumplir esas es- pecificaciones. El. Coronel Carpenter es un convencido partidario de la educacién orientada al disefo, y su experiencia prictica ha sido esencial para este texto.VvPREFACIO La presente obra ha sido escrita para utilizarse como texto en los cursos de electronica bésicos en programas de pregrado en ingenieria. El libro cubre tres 4&reas:- dispositivos discretos, circuitos integrados lineales y circuitos integrados Ip lp Sale | 7 i | | 1 ein esa “y » © cen directo. La regi6n desértica disminuye de tamafio debido a la atraccién de pportadores mayoritarios al lado opuesto. Esto es, el potencial negativo a la derecha atrae huecos a la regi6n p, y viceversa. Con una regién desértica més pequefi, la ccorriente puede fluir con mayor rapidez. Cuando se polariza en directo, Ip—Ig = 1 después.de alcanzar el equilibrio, donde I es la corriente a través de la unin. Por otra parte, si la tensiGn se aplica como en la figura 1.11(c), el diodo se polariza en inverso. Los electrones libres se llevan del material n hacia la derecha; ¥¥. del mismo modo, los huecos se llevan hacia la iaquierda. La region desértica se hace mds ancha y el diodo actéa como un aistante. Cuando se polariza en inverso, Is — Ip =1 luego de alcanzar el equilibrio, donde I es 1a corriente a través de la unién. Operacién del diodo En Ja figura 1.12 se ilustran las caracterstcas de operacién de un diodo préctico. Esta curva difiee de la caracteristica ideal de la figura 1.9(b) en los siguientes puntos: conforme la tensién en directo aumenta més allé de cero, la corriente no fluye de inmediato. Es necesaria una tensién minima, denotada por V. pare ‘obtener una coriente significativa. Conforme la tensintiende a exceder V,, 18 ¢0- ‘miente aumenta con rapidez. La pendiente de la curva caracteristica es grande pero zo infinita, como en el caso del diodo ideal. La tensién minima necesaria para obte~ net una corriente signficativa, V,, es aproximadamente 0.7 V para semiconductores, 39 Ma12 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Figura 12 (Caracterieas de operacion del did, Repion de polaiacisn Regi de potarizacion en decto 02 a7 “ onesie | ¥ Si de perdida rest» & pura de svalancha e silcio (a temperatura ambiente) y 0.2 V para semiconductores de germanio. La Giferencia de tensi6n para el silico y el germanio radica en la estructura at6mica de los materiales. Para diodos de arseniuro de galio, V, es més 0 menos 1.2 V. ‘Cuando el diodo esté polarizado en inverso, existe una pequefia corriente de fuga. Esta corriente se produce siempre que la tensién sea inferior a la requerida para romper la unién. La comiente de fuga es mucho mayor para los diodos de ermanio que para los de silicio 0 arseniuro de galio. Si la tensién negativa es lo suficientermente grande como para estar en la regién de ruptura, podria destruirse un iodo normal. Esta tensién de ruptura se define como tensién inversa pico (PIV, ‘peak inverse voliage) en-las especificaciones del fabricante (el Ap. D contiene hhojas de especificaciones representativas. A menudo se hard referencia a ellas en €l texto, por lo que serfa convenient tomar unos minutos para localizarlas en este momento). La curva de la figura 1.12 no esté a escala en la regiOn inversa, ya ‘que la ruptura por avalancha suele tener valores negativos de tensién elevados Ggeneralmente 50 V 0 més). El dafio al diodo normal en ruptura se debe a 1a avalancha de electrones, que fluyen a través de la unién con poco incremento en la tensién, La corriente muy grande puede destruir el diodo si se genera excesivo calor. Esta ruptura a menudo se conoce como la tensién de ruptura del diodo (Ve.Figura 1 Models de diodes 1.23 1.2. Diodos semiconductores. 13 o7v i Ry Diode ieat (@) Modelo en ed (ateto einvers) ie R (®) Modelo simple en ca pars el diodo poarizado en Inver (© Modelo en ca par el diodo polarzado en directo Los diodos se pueden construir para utilizar Ia tensién de ruptura a fin de simular un dispositive de control de tensiGn. El resultado es un diodo Zener, que se analiza en la seccién 1.6. Modelos de suito equivalentes del diodo El circuito mostrado en la figura 1.13(a) representa un modelo simplificado del diodo de silicio bajo condiciones de operacién en od tanto en directo como en inverso, Las relaciones para este modelo se aproximan a las curvas de oper del diodo de la figura 1.12. El resistor Ry representa la resistencia en polarizacién inversa del diodo y, por lo general, es del orden de megaohms (M2), El resistor Ry representa la resistencia de blogue y contacto del diodo, y suele sex menor que ‘50.2. Cuando se encuentra polarizado en directo, el diodo ideal es un cortocireuto, © resistencia cero. La resistencia de circuito del diodo préctico modelado en la figura 1.13(a) es, BUR Ry a14 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Bajo condiciones de polaizaci6n en inverso, el diodo ideal tiene resistencia infnita (Circuito abierto), y la resistencia de circuito del modelo prictco es R. El diodo ‘deal que es parte del modelo de la figura 1.13(a) esté polaizado en directo cuando Ja tensiGn entre sus terminales excede de 0.7 V. Los modelos de cicuito en ca son mis complejos debido a que la operacién el diodo depende de la frecuencia. En la figura 1.13(b) se muestra un modelo simple en ca para un diodo polarizado en inverso. El capacitor, C, representa Ja capacitancia de unin, En la figura 1.13(c) se muestra el circuito equivalente fen ca para un diodo polarizado en directo. El modelo incluye dos capacitores, el capacitor de difusién, Cp, y el capacitor de unin, Cy. La capacitancia de Gifusién, Cp, se aproxima a cero para diodos polarizados en inverso. La resistencia dindmica es ra y esté dada por la pendiente de 1a caractefstica tensiGn-corriente. ‘A bajas frecuenci, los efectos capacitivos son pequefios yr es el inico elemento significativo. 1.3 FISICA DE LOS DIODOS DE ESTADO SOLIDO ‘Ahora que se ha analizado ta construccién del diodo y presentado una breve in- toducci6n a los modelos pricticos del diodo, se explorarén algunos aspectos més 0), entonces predomina el primer término en el paréntesis y la corriente esté dada aproximadamente por oo (2) a3) Estas ecuaciones se ilustran en la figura 1.15, La corriente de saturacién inverss, I, es funcifn de la pureza del material, de 1a contaminacién y de la geomeisia del diodo. La constante empirica, n, es un ‘mero propiedad de la construccién del diodo y puede variar de acuerdo con los, niveles de tensiGn y de corriente. Sin embargo, algunos diodos operan sobre un intervalo considerable de tensién con una constante n aceptable. Sin = 1, el valor de nV es de 26 mV a 25°C. Cuando n= 2, nVz tiene un valor de 52 mV. Para diodos de germanio, por lo comin se considera que n es 1. Para diodos de silicio, la teoria de Sah-Noyce-Shockley (SNS) (47) predice que n deberta ser 2. Aunque se predice el valor de 2, muchos diodos de siicio operan con n en el intervalo 1.3 a 1.6. El valor de n puede variar un poco, inclusive en una produccién particular debido a la tolerancia durante la fabricacién, la pureza del material y los niveles de contaminacién ((36], Sec. 1.2). ‘Ya se tiene la informacién necesaria para evaluar la relacién entre la corriente y Ia tensién en un punto de operacién Q. Aunque las curvas para la regién en directo mostradas en la figura 1.15 recuetdan una Iinea recta, se sabe que la linea no es recta, ya que sigue una relaciGn exponencial. Esto significa que la penidiente de Ia linea se modifica conforme cambia ‘p. Se puede diferenciar la expresin de Ja ecuacién (1.3) para encontrar la pendiente en cualquier 4p dada: io [o()] wp 7 a4) Para eliminar la funcién exponencial, se resuelve la ect (1.2) a fin de obtener 44Figura 1.15 Relacién tension-comiene en el dodo 1.3.3 1.3. Fisica de los diodos de estado s6lido 17 ip= le a (Sat region dec) vy % (Toda ta curva) Entonces, al sustituir esta expresién en la ecuacién (1.4) se tiene dip Go+h dap ~ Vp La resistencia dinmica, rg, ¢s el reciproco de esta expresién, 0 Vp _ nVr rae OE we *°GD+T) iD ‘Aunque se sabe que rz cambia cuando cambia ip, se puede suponer fija para un intervalo de operacién espectico. Se utiliza el témino Ry para denotar la resistencia del diodo en directo, la cual se compone de rq y la resistencia de contacto. Efectos de la temperatura La temperatura tiene un papel importante en la determinacién de las caracteristicas ‘operacionales de los diodos. Los cambios en estas caracteristicas provocados por cambios de temperatura requieren ajustes en el disefio y empaquetado de los Circuitos. 4518 Capitulo 1 Anélisis de cireitos con diodos semiconductores Figura 1.16 Dependencia de Ip hacia a TT To la tempera. T>T\>T Vy Conforme aumenta la temperatura, disminuye la tensién de encendido V,. Por ‘otra parte, un descenso en la temperatura provoca un incremento en V,. Esto se ilustra en la figura 1.16. Aqui V, varia linealmente con la temperatura de acuerdo ccon la siguiente ecuacién (se supone que la corriente del diodo, ip, se mantiene cconstante): Vy(Ty) — Va(To) = R(T — To) donde T, = temperatura ambiente, 0 25°C 1, = nueva temperatura del diodo en °C V,(T,) = tensi6n del diodo a temperatura ambiente Vy 4k = coefciente de temperatura en VC tensién del diodo a la nueva temperatura ‘Aunque de hecho k varia con cambios en los parémetros de operacién, la préctica estindar en ingenier‘a permite suponer que es constante. A continuacin se mues- tran valores de k para varios tipos de diodos ({50}, Sec. 1.11): -2.5 mVFC. para diodos de germanio -2.0 mVFC para diodos de silicio 1:5 mVFC para diodos de Schottky 46Ejercicios 1.3. Fisica de los diodos de estado sélido, 19 V,(Ts) es igual a los valores mostrados abajo. iodos de silicio: o1v diodos de gemanio: 02V diodos Schottky: 03V iodos de arseniuro de galio: | 12 V La oomtiente de saturacién en inverso, I,, es otro parmetro que depende de Ja temperatura. Aumenta aproximadamente 7.2%/°C para diodos tanto de silicio como de germanio. En otras palabras, J, se duplica mas o menos por cada 10°C de stimento en la temperatura. La expresiGn para lacorrente de satuacién inversa en funcién de la temperatura es IT) = ToD exp [l(a - 7)} donde kj =0.072/C y T, y 7; son dos temperaturas difereites. Esta expresi6n se puede simplificar y reeseribir como: ToT) = Lo(TAPPO as) Esta simplificacién es posible porque On 2 1.1 Cuando un diodo esta en conducci6n a 25°C, hay una cafda de 0.7 V entre sus terminales. {Cudl es la tensi6n, V;, a través del diodo 2 100°C? Reps Vz =0.55.V 1.2 El diodo deserito en el ejercicio D1.1 se enfria a ~100°C, {CuAl es la tensi6n necesaria para establecer una corriente apreciable a la nueva temperatura? Resp: Vy =0.95.V Lineas de carga del diodo ‘Como el diodo es un dispositivo no lineal, se deben modificar las técnicas estindar de anilisis de circuitos. No se pueden escribir ecuaciones simples y resolver para las variables, ya que las ecuaciones s6lo son vélidas dentro de una regién particular de operacién. a a20 Capftulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Figura 117 (Giuita con dodo. (2) Circuito del diodo Vs Noo 81180 + Yoo (©) Linea de carga en ef dodo ‘A menudo un cfreuito cofitiene fuentes de ed y fuentes variables en el tiempo, Si se hace a las fuentes variables iguales a cero, la nica energia suministrada a Jos circuitos proviene de las fuentes de ed. Con las fuentes variables en el tiempo fuera del circuito, la tensién y la corriente en el diodo definen lo que se conoce como punto de operacién en reposo (punto Q). En la figura 1.17(@) se ilustra un circuito con un diodo, un capacitor, una fuente y dos resistores. Si se denomina a la corriente y a la tensién del diodo como las dos incdgnitas del circuito, se necesitan dos ecuaciones independientes que incluyan estas dos incégnitas para encontrar una soluciGn nica para el punto de operaciGn, Una de las ecvaciones es la restriccién proporcionada por los elementos conectados al diodo. La segunda es la relacién real entre corriente y tensién para el diodo. Estas dos ecuaciones se deben resolver simultdneamente para determinar la tensi6n y la comtiente en el diodo. Esta solucién simulténea se puede llevar a cabo en forme gréfica. ‘Si en primer luger se toma la condicién de cd, la fuente de tensién se vuelve simplemente Vs, y el capacitor es un circuito abierto (es decir, la impedancia del 481.3. Fisica de los diodos de estado sélido 21 capacitor es infinita a frecuencia cero). Por tanto, la ecuacién de lazo se puede escribir como Vs = Vp +Vai = Vp $i + IDR Vp =-Rilp +Vs a6 Esta es Ia primera de dos ecuaciones que incluyen la corriente y la tensién del dodo. Es necesario combinarla con la caracteristica del diodo y resolver para el punto de operacin, La gréfica de esta ecuacién se muestra en la figura 1.17(0) y se etiqueta como “linea de carga en cd”. La grafica de la caracteristica del diodo también se muestra en el mismo conjunto de ejes. La interseccién de las dos ‘praficas da la solucién simultinea de las dos ecuaciones y se etiqueta como “punto Q” en la figura, Este es el punto en el cual opera el circuito con las entradas variables iguales a cero. La Q (quiescent) denota condicién de reposo. ‘Si ahora se aplica una sefial variable en el tiempo ademés de la entrada de cd, cambia uina de las dos ecuaciones simultineas. Si se supone que la entrada variable es de una frecuencia suficientemente alta como para permitir la aproximacién del capacitor como un cortocircuito, Ia nueva ecuacién est dada por (1.7): ‘vs = vg + ig(R; || Re) v= =(R || Radia +s an De los mychos parémetros, sélo se han considerado los componentes variables en el tiempo. (Nétese la utilizaci6n de letras mintsculas para las variables. Considérese la simbologia de etiquetas presentada al principio del. texto.) Entonces, el valor total de los pardmetros esté dado por y la ecuaci6n (1.7) se vuelve vp = Vpg = -(R: || ReXip -Ipg)+ Esta itima ecuacin se etiqueta como “linea de carga en ca” en la figura 1.1700). La linea de carga en ca debe pasar a través del punto Q, ya que en los momentos en que la parte variable se hace cero, las dos condiciones de operacin (ed ¢8) deben coincdir. Por tanto, la lina de carga en ca se determina de manera nica ~ 4922 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Ejemplo 1.1 h La fuente de tensién, ug = 1.1+0.1 sen 1000t +e coloca a través de una combinacién en serie de un diodo y un resistor de 100 2, ‘como se muestra en la figura 1.18. Encuéntrese la corriente, ip, si SOLUCION Se utiliza LTK para la ecuaciGn en ed a fin de obtener Vs=V,+IpRy Ip= mA Esto fija el punto de operacién en cd del diodo. Se necesita determinar la resistencia dindmica (se utiliza el simbolo Ry en vez de ra, porque el primero incluye la resistencia de contacto) para poder establecer la resistencia de la uni6n polarizada cen directo para la sefial de ca. ‘Utilizando 1a ecuacién (1.4a) y suponiendo que la resistencia de contacto es despreciable, se tiene ‘Ahora se puede reemplazar el diodo por un resistor de 10.9, con Ja salvedad de que permanezca polarizado en directo durante todo el periodo de la sefial de entrada de ca. Utlizando otra vez LTK, se obtiene v= Ryiet Ria jge te - 1 sen 10008 4 Ry + Re Tio 0.91 sen 10008 mA. Por tanto, la corriente del diodo esté dada por ip =4+0.91 sen 1000t mA Como ip siempre es positiva, el diodo se encuentra polarizado en directo todo el tiempo, y la soluciGn esté completa. ’ 50Figura 1 Citta con dodo en 13.5 13.6 1.3. Fisica de los diodos de estado sélido 23 bs 1000 Si la amplitud de la corriente en ca es mayor que el valor de la corriente en cd, la solucién se debe modificar. En ese caso, cuando la amplitud de corriente en ca cn la parte negativa es mayor que el valor en ed, el diodo se polariza en inverso y Iacomene se nul: Esa stucin se anaza en a seceida 18 ¢ Capacidad de manejo de potencia Los diodos se clasifican de acuerdo con su capacidad de manejo de corriente. Las ccaracteristicas se determinan por la construccién fisica del diodo (por ejemplo, el tamafo de la unin, el tipo de empaque y el tamafio del diodo). Las especificaciones de! fabricante se utilizan para determinar la capacidad de potencia de un diodo para ciertos intervalos de temperatura. Algunos diodos, como los de potencia, se clasifican por su capacidad de paso de cortiente. La potencia instanténea disipada por un diodo se define por medio de la ex- presién de la ecuacién (1.8): P= vip as) Capacitancia del diodo El circuito equivalente del diodo incluye un pequefio capacitor. El tamafio de este ‘capacitor depende de la magnitud y polaridad de la tensién aplicada al diodo, asf ‘como de las caracteristicas de la unién formada durante la fabricacién. En el modelo simple del diodo de unién mostrado en la figura 1.19, la region alrededor de la unién es deficiente efi electrones y huecos. En el lado p de la unién existe una gran concentracién de huecos, mientras que en el lado m la concen- tracin de electrones es grande. La difusién de estos electrones y huecos se produce cerca de la unién, provocando una corriente de difusin inicial. Cuando los huecos se difunden hacia la region n a través de la unién, se combinan répidamente con los clectrones mayoritarios presentes en el drea y desaparecen. Del mismo modo, los electrones se difunden a través de la uni6n, se recombinan y desaparecen. Esto forma una regién desértica (a veces llamada regidn de carga espacial) cerca de la tunién debido a la recombinacién de electrones y huecos. Conforme se aplica una tensin inversa a través de la uni6n, esta regién se ensancha, provocando que la regiOn desértica aumente de tamaiio. st24 Capitulo 1 Andlisis de cireuitos con diodos semiconductores Movimiento de hucos debido place ives Movinieno de elon dehido 2 polars aves LL Region _! estes txo——9 <0 SO | of @ lectin eee Figura L19- Modelo de diode y circuit equivalent La regiGn desértica acta como aislante. Por tanto, un diodo polarizado en inverso acta como un capacitor cuya capacitancia varia en raz6n inversa ala raiz cuadrada de la tension a través del material semiconductor. La capacitancia equivalente para diodos de alta velocidad es inferior a5 pF. ‘Esta capacitancia puede llegar a ser tan grande como 500 pF en diodos de alta co- rriente (baja velocidad). Se deben consultar las especificaciones del fabricante para Vase Por tridngulos semejantes, se encuentra 56 a14 Rectifcacion 29 Lines A: descarga del capacitor Pendiente = my [fo Lies Pen ma RiCAV _ T+ Via) Vass) Vea OD T (,,Vew-AV) _TQ- AV/Vau) zy) Sustituyendo T = 1/ fp, donde f, es el niimero de pulsos por segundo (el doble de la frecuencia original), se obtiene (yee Te eva) aie ea, meg -ag Pen gle 2Vaue [,__AV refyRac = M¥ae | — AY) pero como , av Wan <' se desprecia el segundo término para obtener nV is InfyRiC = a30 Capitulo 1 Anélisis de cireutos con diodos semiconductores = 2Vntc BVI RL Esta formula representa una solucién conservaiiva del problema de disefo: si la linea recta nunca pasa por debajo de Va, la curva exponencial estard de seguro por encima de este valor. Una regla préctica que se sugiere utilizar en el disefio es elegir SVnie C= RE a19) Se utiliza ahora 1a ecuacién (1.10) para resolver la capacitancia en el ejemplo presentado antes. Se supone que la entrada es una sinusoide de 60 Hz de 100 V de amplitad y que el valor aceptable més bajo en la tensi6n de salida es 95 V. Por tanto, para este ejemplo, Vege = 100 V, AV =5 V, y la frecuencia, después de la rectficaci6n de onda completa, ¢s fp =120 Hz Por tanto, de la ecuacién (1.10), 500 _ 0.133 SxmM0rR, Re Este anilisis muestra que se puede disefiar un filtro para limitar el rizo-de salida de un rectficador. El tamafo del rizo suele ser un importante parémetro de diseiio. Como este rizo no sigue una forma estindar (por ejemplo, senoidal o en diente de sierra), se necesita alguna manera de caracterizar su tamafio. La tensiGn de rizo, Ve(rms) esté dada por [Notese que se usa v3 en vez de V2 en el denominador. El dltimo niimero se debe utilizar para encontrar el valor ms de una sinusoide, que es la amplitud dividida por V2. Para una onda en diente de sierra, el valor rms es la amplitud dividida por v3. Estas cifras se verifican tomando la rafz cuadrada del promedio del cuadrado de la forma de onda sobre un periodo. La forma del rizo es més parecida a una forma de onda en diente de sierra que a una sinusoide. Se supone que el valor promedio de la tensin de rizo se encuentra en el punto medio de la forma de onda (¢sto es una aproximacién). Si se define la diferencia entre el méximo y el minimo como Vs(p-p) para el rizo pico a pico, el promedio o valor de cd es os 58Ejercicios 1.3 Demodulacin 31 Yep Vie = Vase — O 2 El factor de rizo se define como Ve(ems) factor de rizo = 7 18 13 El circiito de la figura 1.24 se utiliza para rectificar una sinusoide de 100 V ims y 60 Hz. La tensidn de salida minima no debe caer por debajo de 70 V, y el transformador tiene una razén de vueltas de 1:2. La resistencia de carga es 2 kM. {Qué valor de capacitor se necesita a través de Ry? Resp: 66 uF 14 La salida de un rectificador de media onda tiene 50 V de amplitud a 60 Hz. ‘Suponiendo que no existe resistencia en directo en el diodo, jcuél’es la minima cearga que se debe afiadir al circuito cuando se usa un capacitor de 50 uF para ‘mantener la tensi6n minima por encima de 40 V? Resp 133 Kk DLS Un rectificador de onda completa similar al mostrado en la figura 1.24 tiene ‘un wansformador con una raz6n de vueltas de 5:1. {Qué capacitancia se requiere ppara mantener una tensi6n minima de 10 V en una carga de 100 © si la sefial de ‘entrada es de 110 V rms a 60 Hz, como se muestra en Ja figura? 85 pF D1S6 Si la tensién de entrada en el ejecicio D1.5 varfa entre 110 V y 120 V mms 2 60 Hi, ;qué capacitancia se necesita para mantener un minimo de 10 V en la carga? Resp: 161 uF DEMODULACION La modulacién de amplitud (AM) es un método para trasiadar una sefial de baja frecuencia a una frecuencia superior para su transmisién a través de un canal. La forma de onda de AM se caracteriza por la siguiente ecuacién: vu) = VO +mf(eysenwet 5932 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Figura 127 AM y el proceso de detect, Audio Yim + 1) tm + 1) (2) Onda de RF modulada donde wn € we (6) Adicion de un fluo eapscivo donde m es el indice de modulacién, f(t) es una sefial normalizada (amplitud Jimitada@ la unidad) de baja frecuencia que se desea transmitr, y wes la frecuencia’ de la portadora. La figura 1.27(a) constituye un bosquejo de una forma de onda de AM caracteristica. La linea superior discontinua, etiquetada como “audio”, esté dada por Vil+mso) - La demodulaci6n, también conocida como deteccién, es el proceso de comenzar con la forma de onda modulada de la figura 1.27(a) y procesarla de manera que se obtenga Ia sefial de audio, o la envolvente de la gréfica. Este proceso no es muy diferente del de rectificaciGn, excepto porque en el caso de la rectficacion la sefial con la que se empieza es una sinusoide de amplitud constante. Esto es, la rectficacién se puede considerar un caso especial de la demodulaci6, donde f(t) 5 una constante. Si se construye un rectificador pero se permite que la salida varie con tanta rapidez como varia f(t), se habré construido un demodulador. El circuito de Ia figura 1.27(b) realiza una rectificacion de media onda sobre la entrada y produce una sefal de salida, como se muestra. Si ahora se coloca tun capacitor en paralelo con el resistor, el efecto es proporcionar un decaimiento exponéncial entre pulsos, como se hizo en la figura 1.25, que muestra la salida de un filtro rectificador. Por tanto, con una adecuada eleccidn de pardmetros, a salida del circuito de la figura 1.27(c) es aproximadamente igual a la sefial de audio. * 60Ejercicios 1.6 Diodos Zener’ 33 La constante de tiempo del circuito (el producto de la resistencia y la capacitan- cia) se debe elegir con cuidado para no distorsionar la sefial modulante (audio). Si la constante de tiempo se selecciona en forma adecuada, la salida sigue los picos de Ja sefial pulsante rectificada, Si es muy grande; la sefial de audio se distorsiona, ya aque la salida pierde algunos de los picos (es decir, no es capaz de cambiar con la suficiente rapidez). Si la constante de tiempo es muy pequefia, existiré demasiado rizo en la forma de onda de la salida. Se puede utilizar la aproximacién por Iineas rectas (véase Fig. 1.26) para obtener la siguiente ecuacién de disefio. Para esta ecuacién, se supone que f(t) es una sinusoide de frecuencia w.. osm Rc > El lado izguierdo de esta ecuacién es la pendiente, my, del andlisis de la secci6n anterior. El lado derécho es la maxima pendiente de la sefial de audio (es deci, el rméximo valor de la derivada de Vm senist). Resolviendo para el valor Iimite de la capacitancia, se encuentra peti oRpm aan Esta eouacién se puede utilizar para seleccionar el valor del capacitor cuando se conoce la resistencia de carga. DLT Una portadora de radiofrecuencia de 15 MHz se modula con una sefial de ‘5 KHz con un indice de modulacién de 0.5. Si la resistencia de carga del detector tes 5 KA, ;qué valor de capacitor se debe afiadir en paralelo a la carga para filtrar Ja seal de radiofrecuencia? Rep: 0013 4F DL Si el capacitor detector del ejercicio D1.7 se cambia a 0.01 pF, jhasta qué valor se puede elevar la frecuencia modulante para filtrar la RF al mismo grado ue en el ejercicio D1.7? Resp: 6.37 kHz DIODOS ZENER lOTECA El diodo Zener es un dispositive donde la contaminacién se realiza de tal forma i6n caracterfstica de ruptura 0 avalancha, Vz, es muy pronunciada. 634 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores 1.6.1 Si la tensi6n en inverso excede la tensiGn de ruptura, el diodo normalmente no se Gestruye. Esto siempre que la corriente no exceda un maximo predeterminado y el dispositivo no se sobrecaliente. ‘Cuando un portador generado en forma térmica (parte de la corriente de satu- zacién inversa)atraviesa la barrera de la uni6n (véase Fig. 1.14) y adquiere energia el potencial aplicado, el portador choca con iones en el cristal e imparte sufi- ciente energia para romper un enlace covalente. Ademds del portador original, se genera un nuevo par electr6n-hueco que puede tomar suficiene energia del campo aplicado para chocar con jones en ouo cristal y crear nuevos pares electén-hueco. Esta acci6n continta y asf se rompen los enlaces covalentes; este proceso se conoce como muliplicacién por avalancha 0 ruptura por avalancha. Existe un segundo mecanismo por el cual se rompen los enlaces covalentes. La utilizacién de un campo eléctrico bastante fuerte en la unién puede provocar Ja ruptura directa del enlace. Si el campo eléctrico ejerce una fuerza intensa en tun electrén de enlace, el electén se extrae del enlace covalente provocando Ta multiplicacin de pares elect6n-hueco. Este mecanismo se lama ruptura Zener El valor de la tensién inversa al eual se produce este fendmeno se controla con la cantidad de contaminante en el diodo. Un diodo fuertemente contaminado tiene ‘baja tensién de ruprura Zener, mientras que un diodo poco contaminado tiene una tension de ruptura Zener elevada, ‘Aunque se describen dos mecanismos distintos para que se produzca la ruptura, 1 menudo se intereambian."Con valores de tensiGn por arriba de aproximadamente 10 V, el mecanismo predominante es la ruptura por avalancha ((35], Sec. 29). Como el efecto Zener (avalancha) se produce en un punto predecible, el diodo se puede utilizar como referencia de tensiGn. La tensién inversa a la cual se produce la avalancha se lama tensién Zener La caraceristica de tin diodo Zener tipico se muestra en la figura 1.28, El sim- bolo de cireuito para el diodo Zener es diferente del de un diodo regulary se ilustra cn Ja figura 1.28 La méxima coniente inversa, Inu que puede soporar el diodo depende del disefo y la construccién de’éste. La corriende de pérdida (zm) por de- ‘bajo del vértice de la curva caraceristica generalmente se supone que €5 0.1 Tz max. La utiizaciOn de Izqia asegura que 1a curva de avalancha permanezca paralela al ee ip entre Iznix € Tzmn- La cantidad de potencia que el diodo puede soportar © Pz = IzmisVz Regulador Zener Se puede utilizar un diodo Zener como regulador de tensién en la configuracién ‘mostrada en Ta figura 1.29. Bn Ia figura se ilustra una carga cuya resistencia puede variar sobre un intervalo particular. Este circuito se disefia de tal forma que el diodo opere en la regi6n de ruptura, aproximindose asf a una fuente ideal de tensi6n. La tensi6n de salida permanece relativamente constante aun cuando la tensién de ta fuente de entrada varfe sobre un intervalo més © menos amplio ({49], Sec. 4.4). 621.6 Diodos Zener 35 Figura 128 ip iodo Zener Regidn de Region de polazacién directa polarizacisn inversa Tenis 10% lets Diedo Diode Fame Figura 129 Regular Zener Es importante conoter el intervalo de la tensi6n de entrada y de la corriente de carga para disefiar este circuito de manera apropiada. La resistencia, Ry, debe set tal que el diodo permanezca en el modo de tensién constante sobre el intervalo completo de variables. ‘La ecuacién de nodo para el circuito de la figura 1.29 da move wove ay 6336 Capitulo 1 Andlisis de cicuitos con diodos semiconductores ara asegurar que el diodo permanezca en la regi6n de tensién constante (ruptura), se examinan los dos extremos de las condiciones de entrada-salida. 1. Lacomriente a través del diodo iz es minima cuando la corriente de carga iz méxima y la fuente de tensién vs es minima. 3 2. La comriente a través del diodo iz es méxima cuando la corriente de carga iz es minima y la fuente de tensiGn vs es méxima, Cuando estas caracteristicas de los dos extremos se insertan en la ecuacion (1.12), se encuentra Condcion 1: Ry = enV (0.13% Condcin 2: Ri = Pome SVE (1.136) Se igualan (1.13a) y (1.13b) para obtener (5 min ~ Va (Ti, mio + 12 mtx) = (V5 mix ~ Vz) mtx + 12 rain) (1.13¢), En un problema prictico, es razonable suponer que se conoce el intervalo de tensiones de entrada, el intervalo de corriente de salida en la carga y el valor de tensiGn Zener deseado. La ecuacién (1.13¢) representa por tanto una ecuacién en dos inc6gnitas, las corrientes Zener méxima y minima. Se encuentra una segunda ecuaciGn examinando la figura 1.28. Para evitar la porcién no constante de la curva caracteristica, se utiliza la regla prictica de que la méxima corriente Zener debe ser al menos 10 veces mayor que la minima ((46], Sec. 5.4); esto es, Tenia = 0.12 wis Este es un criterio de disefio aceptable. ‘Ahora se escribe Ia ecuaci6n (1.13c) como Vs mia = Ve MTina + Tas) = Vs max ~ Vali mts + 0.12 mis) Resolviendo entonces para la méxima cortiente Zener, se obti Tenia Ve — V5 nin) + Lz ae(V5 nts ~ V2) =" Venn — 0.902 — 0.1V 5 mis Tents ‘Ahora que se tiene la maxima corriente Zener, el valor de FR se puede caleular de Ia ecuacién (1.13a) 0 de la (1.136). $$ $_________«a1.6 Diodos Zener 37 Ejemplo 1.2, |, Disefio de un regulador Zener Diséfiese un regulador Zener (Fig. 1.30) para cada una de las siguientes con- diciones: ‘a, La comiente en Ia carga varia de 100 mA 2 200 mA y la fuente de tensiGn varia de 14 V a 20 V. >, La comiente en la carga varfa de 20 mA a 200 mA y la fuente de tensién varia de 10.2 a 14 V. Utilicese un diodo Zener de 10 V en ambos casos. SOLUCION a. El disezio consiste en elegir el valor apropiado de la resistencia, Ry, y la esti- smacién de potencia para el Zener. En primer lugar se utilizan las ecuaciones de esta seccién para calcular la méxima corriente en el diodo Zener y luego encontrar el valor del resistor de entrada. De la ecuacién (1.14), se obtiene ).1(10 — 14) + 0.2020 ~ 10) 14 = 0.910) — 0.120) = 0.533 A Teee* 3 Entonces, de la ecuaci6n (1.136), se obtiene R; como sigue: Vmax ~ Vo Tent * Tinie No es suficiente especificar s6lo la resistencia de Rj, también se debe se- leccionar el resistor apropiado que maneje la potencia estimada. La maxima potencia esté dada por el producto de la tensién por la corriente, utilizando el méximo de cada valor. Pr= Inmis(V5 mss ~ Vz) (Tz mts + Tasmta)(VS max ~ Vz) 63 x 10= 6.3 W Feo x = Regulador con diodo ener.38 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Por siltimo, se debe realizar la estimacién de potencia del diodo Zener. La méxima potencia disipada en el diodo Zener esté dada por el producto de la tensi6n y la cortiente. Pz =VzTz i= 10x 053=5.3W b. Repitiendo los pasos para los parémetros de la parte (b), se obtiene 0.02(10 — 10,2) +0.2(14 ~ 10) 10.2 = 0.9(10) = 0.1(14) Te nis 48 El valor negativo de 12 mie indica que el margen entre Vsmin y Vz no es lo bastante grande para permitir la variacin de la corviente en la carga. Esto es, bajo la condicién del peor caso de 10.2 V de entrada y 200 mA de comriente en la carga, no es posible para el Zener mantener 10 V a través de sus terminales. Por tanto, el regulador no opera correctamente para ninguna eleccién de resistencia, may El cireuito regulador Zener de la figura 1.30 se puede combinar con el rectifi- cador de onda completa de la figura 1.24 para obtener el regulador Zener de onda completa de la figura 1.31 El componente Ry se llama resistor de sangria y se utiliza para proporcionar un trayecto de descarga para el capacitor cuando se quita la carga. Por lo comin, los resistores de sangria son resistencias altas para que no absorban wna potencia significativa cuando el circuito esté en operacién. Como Rr es mucho mayor que R;, se desprecia en el siguiente andlisis El valor de Cy se encuentra adaptando la ecuacin (1.10) a esta situacién, La resistencia en la ecuacién es la resistencia equivalente a través de Cp. El diodo Zener se reemplaza por una fuente de tensiOn, Vz. La resistencia equivalente es entonces la combinacién en paralelo de Rr y Rj. Como Re es mucho mayor que Ry, la resistencia es més o menos igual a R;, Puesto que la tensién a través de Rj no cae a cero, como es el caso del rectificador de onda completa, en la ecuacién (1.9) Voss s¢ debe reemplazar por la excursi6n total de tensién. Por tanto, el capacitor queda especificado como en la ecuacién (1.15), donde se supone que @ (ia raz6n del transformador) es 1. Figura 1.31 Regulador Zeer de onda complet R, Dh AT - no ® -} % pt +1.6.2 1.6 Diodos Zener 39 SVs = Ve) Cr SER. ay Latensién més grande que se coloca sobre el regulador es Vs mux. Como antes, AV esl rizo pico a pico yf, la frecuencia fundamental dela forma de onda rectificada {(s decir, el doble de la Frecuencia original para rectificacién de onda completa). Diodos Zener précticos y porcentaje de regulaci6n En la seccin anterior se supuso que el diodo Zener era ideal. Esto es, en la regién de ruptura por avalancha, el diodo se comporta como fuente de tensién constante. Esta suposicién significa que la curva de Ja figura 1.28 es una linea vertical en la regiGn de ruptura. En la prictica, esta curva no es vertical, y la pendiente es provocada por una resistencia en serie, La tensiGn de ruptura es entonces una funcién de la corriente en vez de una constante. El diodo Zener préctico se modela, como se muestra en la figura 1.32. Este modelo reemplaza al diodo Zener con un iedo ideal en serie con una resistencia, Rz. Para mostrar los efectos de este resistor en serie, se resuelve nuevamenté el ejemplo 1.2. Se supone que se incorpora un diodo Zener préctico en el circuito, con una resistencia de diodo Rz = 20. En ese ejemplo, se utiliza el circvito de la figura 1.30 como un regulador donde 1a méxima corriente Zener es 0.53 A. Se supone que Iz mia e el 10% de Izmec, 0 0.053 A. Debido a Rz, la tensién de salida (a través de la carga) ya no es la constante 10 V. Los valores minimo ¥y méximo de esta tensién se encuentran a partir de la figura 1.32, utilizando los ‘valores de corriente minimo y maximo, La tensi6n a través del diodo ideal de la figura 1.32 es 10 V, por lo que se puede escribir Vonin = 10+ (0.053 x 2) = 10.1 V Vomx = 10+ (0.53 x 2)= 11.1 V Figura 1.32. Cizeuito Zener equivalent 4 Me o740 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Ejercicios El porcentaje de regulacién se define como la excursién de tensiGn dividida entre cl valor de latensi6n nominal. A menor porcentaje de regulacién, mejor regulador. Por tanto, en este ejemplo, Vo mix ~ Vo min _ Hel = 10.1 rcentaje de reg. = eu TOE Vomekal 0 0.1, 0 10% Este valor d& regulaciin es pobre, y la regulacién se incrementa Limitando la corriente en e) Zener a un valor més pequefio. Esto se consigue utilizando un amplificador en serie con la carga. El efecto de este amplificador es limitar las variaciones de coriente a través del diodo Zener. Estos amplifcadores se estudian en el capitulo 6. _ DL9 Un circuito regulador Zener (véase Fig, 1.30) tiene una entrada cuya tensién varfa entre 10 y 15 V y una carga cuya cortiente varfa entre 100 mA y 500 mA. Encuénrense los valores de Ri ¢ Iz ux Suponiendo que se utiliza un Zener de 6. 33.0; 132A DJ.10 En el ejercicio D1.9, encuéntrense las estimaciones de potencia para el diodo Zener y para el resistor de entrada. Resp. 7.94 W; 128 W D1.11 En el ejercicio D1.9, encuéntrese el valor del capacitor necesario si la fuente es la salida de un rectificador de media onda con una entrada de 60 Hz. Resp. 3800 uF D112 Si no se ulizara el resistor, Re, en el circuito de la figura 1.31, y hubiera un transformador de derivacin central 4:1 con una entrada de 120 V rms a 60 Hz, {qué valor para R; seia necesario para mantener 10 V a través de una carga cuya Comrente varfa ene 50 mA y 200 mA? SupSngase que la tensiGn minima permitida en Ja entrada del regulador es 14 V. Rep: 1489 D113 {Qué valor de capacitor es necesario en el regulador del ejercicio D112 para mantener una tensi6n minima de 14 V? asp 697 pF D1.14 En el circuito del ejercicio 1.12, supéngase que la tensiGn de entrada varia de 110 V a 120 V ims a 60 Hz. Selecci6nese un valor de capacitancia que se se een17 1.7 Disefto de una fuente de poder usando un circuito integrado 41 acomode tanto.a una variacién de corriente de carga de 50 mA a 200 mA como a la variacién de tensi6n de entrada especificada. Resp: C= 922 pF DISENO DE UNA FUENTE DE PODER USANDO UN CIRCUITO INTEGRADO - Los reguladores se empaquetan como circuitos integrados (CD; como ejemplo, se enfocari la stencién sobre la serie MCT8XX. Las hojas de especificaciones apropiadas aparecen en el apéndice D, y se deben considerar durante la siguiente exposicién, Se pueden obtener varias tensiones diferentes de la serie de CI 7800; éstas son 5, 6, 8, 8.5, 10,12, 15, 18 y 24 V. Todo lo que se requiere para disefiar un regulador alrededor de uno de estos Cl es Seleccionar el transformador, los diodos yee fitz. En la figura 1.33 se muestra un circuito caracterfstico. ‘La hoja de expeciticaciones para este Cl indica que debe existir una tierra comin centre Ia entrada y la salida, y que la tension mfnima en Ia entrada del CI debe estar al menos:2 6 4 V por encima de la salida regulada. Para asegurar esta thtima condicién, es necesaro fltrar la salida del rectificador. En la figura 1.33, Cr realiza este fltrado cuando se combina con la resistencia de entrada del CI. La resistencia de entrada equivalente més pequefa del CI esté dada por Vs nia/Itnsa- Entonces 5(V5 mix — Vi) OF Ban fyVsmelloa aan donde Vsnis es la tensién més grande que se aplica al CI, AV es la cafda de tensién del capacitor (es decir, la tensién pico mAs pequefa aplicada al CI menos 1a tensi6n de satida del CI més 4 V) y fp ¢s el nimero de pulsos por segundo. El capacitor de salida, C, se afiade para ayudar a aislar los efectos de la variacién de cargas de cualquier otro. El capacitor corta las variaciones de alta frecuencia provenientes de la circuiteria de carga. Figura 1.33 Fuente de alimentacion eguada, Sy bt Ba . Enade sv, } He 1 ce Dcrne 2 ce BV 6942 Capitulo 1 Anélisis de circuitos con diodos semiconductores Los reguladores de 1a serie MC7900 son idénticos a los de la serie 7800, con la ‘excepcién de que los primeros proporcionan tensiones reguladas de salida negativas en vez de positivas. Ejemplo 1.3 |, ‘Supngase que se desea disefiar un circuito regulador con CI para generar 12 V de salida en una carga cuya corriente varfa de 5 a 800 mA. SOLUCION Se usa el cireuito de la figura 1.33 con un regulador 7812. La salida del transformador esté dada por una onda senoidal rctificada completa de amplitud 115V2/6, 0 27.1 V (cero a pico) a 120 Hz. ‘La tensién minima que se desea en la entrada del CI es Vomin = 124214 V donde se utilizan 2 V por arriba de la salida deseada La resistencia equivalente de carga mas pequefia es la raz6n entre la minima tensi6n y la méxima cortiente, 0 16 Ruel peor caso) = => = 20 0 La diferencia de tensi6n entre el maximo y el mfnimo es V=M1=16=111V Entonces, de la ecuaciGn (1.15), se resuelve para el filtro capacitor: s@7. = Th 1G@r60)20 c Utilizando un capacitor de al menos 451 iF, se asegura que el regulador propor- cione 12 V regulados para cualquier carga que consuma una corriente de hasta 800 mA. —, Ejercicios DLS Se utiliza un CI MC7812 como regulador con un transformador con deri- vvaci6n central para hacer la rectificacién de onda completa de una sefal de 40 V de amplitud pico a pico. {Cudl es el capacitor mas pequefio que se requiere para roporcionar una salida de 12 V a 400 mA? Resp. 332 UF 7018 18 Recortadores y fijadores 43 D1A6 En el ejercicio D1.15 se utiliza un MC7808 en lugar del MC7812. {Cudl es el capacitor de menor valor necesario para filtar la sefial rectificada de onda completa? Resp: 332 uF RECORTADORES Y FIJADORES 1.81 Los diodos tienen otras aplicaciones apane de la rectificaciGn y la detecci6n. Entre ellas estén las de recortar una sefial de entrada o limitar s6lo partes de Ia sefal. Los iodos también se utilizan para restablecer un nivel de od a una sefial de entrada, Recortadores Los cireuitos recortadores se utilizan para climinar parte de una forma de onda {que se encuentre por encima 0 por debajo de algiin nivel de referencia. Los cireuitos recortadores se concen a veces como limitadores, selectores de amplitud 0 rebanadores. Los circvitos de rectificacién de Ja secci6n anterior utiizan una accién recortadora de nivel cero, Si se afade una bateria en serie con el diodo, un cireuito rectifcador recortard todo lo que se encventre por encima o por debajo del valor de la bateria, dependiendo de la orientacién del diodo. Esto se ilustra en la figura 1.34. Para las formas de onda de salida indicadas.en la figura 1.34 se supone que los <éiodos son ideales. Se extiende esta suposiciGn para el circuit de la figura 1.34(@) mediante Ia inclusién de dos parimetros adicionales en el modelo del diodo. Pri- mero, se supone que se debe sobrepasar una tensién V, antes de que el diodo conduzea. Segundo, cuando el diodo conduce; se incluye una resistencia en di- recto, Ry. El efecto de V, es hacer que el nivel de recorte sea V, + Vp en vez de Vp. El efecto de la resistencia es cambiar la accién reconadora plana a una {que sigue a la tensién de entrada en forma proporcional (es decir, un efecto de division de tensi6n). La salida resultante se calcula como sigue, y se ilustra en la figura 1.35 ((34), Sec. 102) Para Ww Vaty voip e+ (Va+ Ve ee “aR ORR, Los recortes positive y negative se pueden realizar simnulténeamente, El resul- tado es un recortador polarizado en paralelo, que se diseha utilizando dos diodos n44 Capitulo 1 Analisis de circuitos con diodos semiconductores PPL Figura 134 Ciruitosreconadores tipcos 1 dos fuentes de tensién orientadas de forma opuesta. El circuito produce una onda 4e salida como.la mostrads en la figura 1.36 cuando se suponen diodos ideales. La textensién a diodos précticos es paralela al andlisis que conduce a los resultados de Ja figura 1:38. Otro tipo de recortador es el polarizado en serie, que se muestra en la figura 1.37. La bateria de 1 V en serie con Ja entrada provoca que la sefial de entrada se superponga en una tensién de cd de —1 V en vez de estar simétrica alrededor el eje cero. Suponiendo que este sistema utiliza un diodo ideal, se encuentra que el diodo de la figura 1.37(a) conduce s6lo durante la porcién negativa de la sefial de entrada condicionada (es decir, desplazada). Cuando el diodo se encuentra fen conduccién, la salida es cero. Se tiene una salida distinta de cero cuando el iodo no conduce. En la figura 1.37(b), lo contrario es cierto. Cuando la sefial condicionada es positiva, el diodo conduce y existe sefialen la salida, pero cuando ¢l diodo esté apagado, no hay sefial de salida. Aunque la operacion de los dos nR18 Recortadores y fiadores 45 aes { Forma de onda de salida pars el cieuito dela igus | 134) Figura 136 Recortador con polarizacin en paral circuitos és diferente, las dos salidas son idénticas. En la figura 1.37(c) y (€) se invierte la polaridad de la bateria, y en la salida se obtienen las formas de onda mostradas. 1.8.2 Fijadores Una forma de onda de tensiOn se puede desplazar afadiendo en serie con ella una fuente de tensi6n independiente, ya sea constante o dependiente del tiempo. La ‘fiacidn es una operacién de desplazamiento, pero la cantidad de éste depende de la B46 Capitulo 1 Andlisis de ciruits con diodos semiconductores Ver th yom 2 \ sity » ofS, Waiv Vm met (9) Enda (0) Create Bador (@) Salida cuando Vp < Vin Figura 138 Circuito fjador. 741.9. Tipos alternos de diodos 47 v6 (¥) ve) 7 4 4 -— eq £ = aL o OR % OF . t i eae (@) Envada (©) Fijador con constante de tiempo grande (0) Silida con consante etempo pequeta Figura 139° Fijscén ence. forma de onda real. En la figura 1.38 se muestra un ejemplo de fijaci6n. La forma de onda de entrada se encuentra desplazada por una cantidad que leva el valot pico de la onda desplazada al valor Vp. Por tanto, la cantidad de desplazamiento cs la cantided exacta necesaria para cambiar el méximo original, Vm, al nuevo méximo, Vp. La forma de onda se “fj” al valor Vp. Si la forma de onda en la entrada cambia, la cantidad de desplazamiento se modifica de manera que la salida siempre se fija en Vp. Asf el circuito de fijacién proporciona un componente de ced necesario para lograr el nivel de fijacién deseado. Un circuito de fjacién esté compuesto de una baterfa (0 fuente de ed), un diodo, tun capacitor y un resistor. El resistor y el capacitor se eligen de tal forma que la constante de tiempo sea grande. Es deseable que el capacitor se cargue a un vvalor constante y permanezea en ese valor durante el periodo de la onda de entrada. Si se cumple esta condicin y se supone que la resistencia en directo del diodo es cero, la salida es. una reproduceién de la entrada con el desplazamiento adecuado. ‘Cuando la salida trata de exceder Vp, el diodo se polariza en directo y la salida se limita a Vp. Durante esos instantes, el capacitor se carga.’ Cuando se alcanza el ‘estado estacionario, el capacitor se carga al valot Ve =Vn- Va En la figura 1.39 se ilusta un eircuito de fjaci6n donde la salida se fija a cer0 (es decir, no existe bateria, por lo que Vz = 0). Como el diodo se encuentra en direcci6n opuesta al de circuito previo, se fja el minimo en lugar del méximo de la salida, Se muestra el circuito con una onda cuadrada como entrada. Es impor- tante que la tensién a través del capacitor permanezca aproximadamente constante Glurante el semiperiodo de la onda de entrada. Una regla prictica de disefio es hacer que la constante de tiempo RC tenga al menos cinco veces la duracién del semiperiodo (es decir, cinco veces ty — to 0 f2 ~ ty). En este caso, el circuito RC tiene menos del 20% de la constante de tiempo para cargarse o descargarse durante el semiperiodo. Esto coloca el valor final en poco menos del 18% del valor inicial (@ sea, exp(~0.2) = 0.82). Si la constante de tiempo es muy pequefa, la onda se distorsiona, como se muestra en la figura 1.39(c). ((6, Sec. 1.22.) Para reducir el error a menos del 18%, se puede incrementat Ia constanté de tiempo (por ejemplo, 10 veces la duraciGn del semiperiodo). 75 748 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores 1.9 TIPOS ALTERNOS DE DIODOS 1.94 Esta seccién presenta brevemente los siguientes tipos de diodos: ‘© Schottky ‘© Varactor Tinel Emisor de Juz Fotodiodo PIN Diodos Schottky El diodo Schottky se forma al enlazar un metal, como aluminio o platino, a sili- cio de tipo n. Se utiliza a menudo en circuitos integrados para aplicaciones de conmutacién de alta velocidad. Su simbolo y su construcci6n se muestran en la figura 1.40. EI diodo Schottky tiene una caracterfstica de tensién contra corriente similar a la del diodo de unién pn de silicio, excepto porque la tensién en directo, V;, €5 0.3 V en vez de 0.7 V. Cuando el diodo Schottky se opera en modo directo, se induce corriente por el movimiento de electrones del silicio de tipo lo largo de ta unién y a través del metal. Como los electrones se mueven casi sin resistencia’ a través de los metales, el tiempo de recombinacién es pequefio, del orden de 10 ps. Esto es més répido que un diodo ordinatio de unién pn. Por tanto, el diodo Schottky es de gran valor en aplicaciones de conmutacién de alta velocidad. La capacitancia asociada con el diodo es pequefia. EI material metélico en el contacto I y la regién n poco contaminada forman una unién rectificadora, mientras que la regién n muy contaminada y el contacto 2 forman un contacto éhmico. Los electrones en direccién directa del silicio de tipo n cruzan la uniGn hacia el metal, donde existen muchos electrones disponi- bles. Esto produce un dispositivo de portadores mayoritarios que contrasta con Jos diodos estindar de unién pn, donde los portadores minoritarios determinan las caracteristicas de! diodo. El diodo Schottky a veces se denomina diodo de barrera, ya que se forma una barrera a tavés de la unién debido al movimiento de electrones del semiconductor ala interfaz metdlica. Los diodos Schottky son dtiles en 1a tecnologia de CI porque resultan féciles de fabricar y pueden construirse al mismo tiempo que-los otros componentes del cireuito integrado (chip). La fabricacién de un diodo Schottky en un circuito integrado requiere de un paso menos que Ia fabricaci6n de un diodo de unién pm, ya {que éste necesita Ia difusién adicional del tipo p. Las caracteristicas de bajo ruido del diodo Schottky lo hacen ideal para aplicaciones en supervisién de potencia de radiofrecuencias de bajo nivel, en detectores de alta frecuencia y en mezcladores de radar Doppler. 16(9 Conduccéa Figura 140__Diodo Schott. 1.9.3 1.9.4 1.9 Tipos alternos de diodos 49 Regién de resistencia negatva Cavapa 1 dodo toma Figura 141" Caractertcas del dio eine Diodos varactor Los diodos de unién pn normales exhiben capacitancia cuando se operan en modo de polarizacién inversa. El diodo varactor se fabrica especificamente para operar en este modo. La capacitancia es una funcién de la inversa de tensién. Por tanto, el diodo actia como capacitor variable, donde el valor de Ja capacitancia es una funcién de la tensién de entrada, ‘Un uso comin de este diado es en el ascilador controlado por tensién (VCO, voltage controlled oscillator). Ei VCO es un generador senoidal-cuya frecuencia de salida depende de la tensién de entrada. Diodos tunel (diodo Esaki) El diodo tinel esté més contaminado que el diodo Zener, provocando que la zona desértica sea pequefia. Esto aumenta la velocidad de operacién, por lo que el iodo tinel es dtil en aplicaciones de alta velocidad. Conforme aumenta la po- Jarizacién directa, la corriente aumenta con mucha rapidez hasta que se produce la ruptura. Entonces la corriente cae répidamente. Esta caracteristica se muestra en Ja figura 1.41. La regin de pendiente negativa de la caracteristica se puede rmodelar como resistencia negativa en serie con una fuente de od. El diodo ttinel €$ stil debido a esta regiOn de resistencia negativa. Como ejemplo, se puede uti- lizar en conjunci6n con un circuito sintonizado para producir un oscilador de alta frecuencia y alta Q. La regién de resistencia negativa de un diodo tinel se desarrolla de manera caracteristica en el intervalo de 50 mV a 250 mV. Esta tensiGn relativamente baja limita sus aplicaciones ((36}, Sec. 3.4). Diodos emisores de luz y fotodiodos. Ciertos tipos de diodos son capaces de cambiar la fuente de energia eléctrica en fuente de energia luminica. El diodo emisor de luz (LED, light emitting diode) 750 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores transforma la corriente eléctrica en luz, Es stil para diversas formas de despliegues, ya veces se puede utilizar como fuente de luz para aplicaciones de comunicaciones por fibra éptica. Un electrén puede caer de la banda de conduccién a un hueco y liberar energta fen la forma de un fotén de luz. La relacién entre momento y energia en el silicio y el germanio es tal que el electrén libera su energfa como calor cuando regresa de Ia banda de conduccién a la de valencia. Sin embargo, en un cristal de arseniuro de galio el electron produce un fotn cuando regress ée la banda de conduccién a la de valencia, Aungue no existen suficientes electrones en un cristal intrinseco para producir luz visible, cuando se aplica polarizacién directa, se inyecta ‘un gran niimero de electrones del material n al p. Estos electrones se combinan con Inuecos en el material p en el nivel de energfa de la banda de valencia, y se liberan fotones. La intensidad de la luz es proporcional a la velocidad de recombinacién de electrones y, por tanto, proporcional a la cortiente del diodo. El diodo de arseniuro de galio emite ondas de luz en una longitud de onda cercana a ta banda infrarroja. Para producir luz en el intervalo visible, se debe mezclar fosfuro de galio con el arseniuro de gali, Un fotodiodo realiza la funcién inversa al LED. Esto es, transforma la fuente de energia luminica en corriente eléctrca. Se aplica polarizacién inversa al fotodiodo y la cortiente de saturaci6n inversa se controla por la intensidad de luz que ilumina €l diodo. La luz genera pares electrén-hueco, que inducen corriente. El resultado es una “fotocortiente” en el circuito extemo, que es proporcional a la intensidad de luz efectiva en el dispositivo. Este se comporta como generador de corriente Constante mientras la tepsiGn no exceda la tensi6n de avalancha. Los tiempos de respuesta son inferiores @ I 4s. La sensibilidad del diodo se puede aumentar si el frea de 1a unin se hace mayor, ya que se pueden colectar més fotones, pero esto también aumenta el tiempo de respuesta pues la capacitancia de unién se vuelve mayor. En la figura 1.42 se muestra un fotodiodo. La coriente inversa, —Iy, aumenta conforme lo hace la intensidad de luz, H. Se puede utilizar la ecuacién (1.18) para estimar la corriente del fotodiodo, Ip: [p= nH 18) eficiencia cuéntica carga del electr6n: 1.6 x 107 C @ x A= intensidad de luz en fotones/s densidad de flujo de fotones en fotones/s-cm? rea de la uni6n en em? Muchos detectores de luz de silicio consisten en un fotodiodo de unién y un amplificador, casi siempre en un circuito integrado, Se deja el anslisis de este tipo de dispositivo para el capitulo 3, 8Figura 142 El fotadiodo. 110. Especifcaciones de los fabricantes 51 ys si 19.5 1.10 Diodos PIN Un diodo que tiene una regién poco contaminada y casi intrinseca entre las regio- nes p y n se llama diodo PIN. El nombre se deriva del material intrinseco entre las capas p y n. Debido a su construcci6n, ef diodo PIN tiene baja capacitan- cia y, por tanto, encuentra aplicacién en frecuencias alts. Cuando se polariza en directo, a inyeccién de portadores minoritarios aumenta la conductividad de 1a regi6n intrinseca. Cuando se polariza en inverso, la regiOn i se vacia totaimente de portadores y la intensidad del campo a través de la regién es constante. La estimacién méxima de tensidn del diodo se determina por la intensidad del campo cerftico para la avalancha y el espesor de la regin i. ‘Los diodos PIN se utilizan en conmutadores de radiofrecuencia, alteradores y esplazadores de fase en radiofrecuencia, Con una corriente de control variable, los diodos PIN se utilizan en modulacién de amplitud ((36], Sec. 3.4). ESPECIFICACIONES DE LOS FABRICANTES La construccién de un diodo determina la cantidad de cortiente que es capaz de ‘manejar, Ia cantidad de potencia que puede disipar y la tensién inversa pico que puede soportar sin dafiarse. Cada fabricante desairolla estos criterios en las ho- Jas de especificaciones del dispositive. Algunos ejemplos de especificaciones del fabricamte se dan en el apéndice D. ‘A continuaci6n se listan Jos parémetros principales que se encuentran en la hoja de especificaciones del fabricante de un diodo rectificador: 1, Tipo de dispositive con el niimero genérico de los niimeros del fabricante. 2. Tensién inversa pico (PIV). 3. Maxima corriente inversa en PIV. 4, Maxima corrente de ed en directo. 7952 Capinulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Corriente promedio de media onda rectificada en directo. 5. Méxima temperatura de la unién. Curvas de degradacién de corriente. CCurvas caracteristicas para cambios en temperatura de tal forma que el dis- positivo se pueda estimar para altas temperaturas En el caso de los diodos Zener, por lo general aparecen los siguientes parémetros en las hojas de especificaciones: ‘Tipo de dispositvo con el nsimero genético 0 el nimero del fabricante Tensi6n Zener nominal (tensién de ruptura por avalanchs), Tolerancia de tensién. . Maxima disipacion de potencia (a 25°C). Coniente de prueba, Iz7. Impedancia dinimica a Iz7- Corriente de venice Maxima temperatura en la unin Coeficiente de temperatura. Curvas de degradacién para alta, temperaturas, ‘Se escogerd un ejemplo de especificaci6n y se verd la informacién suministrada por la hoja de especificaciones. Utilizando el diodo rectificador 1N4001 mostrado en el apéndice D, se encuentra la siguiente lista 1. PIV =50V. 2. Maxima corriente inversa (a la tensién en cd estimada) a 25°C = 10 wA. A 100°C la maxima corriente es SHA. 3. Méxima cafda instantnea de tensiGn en directo 2 25°C 4. Comrente recificada promedio en directo a 25°C = 1 A. 5. Intervalo de temperatura en Ia unin para operaciéa y almacenamiento (T}) = 65° a +175°C. 6. Se presenta una figura de temperatura contra montaje en un circuito impreso pata varias cargas 7. Se presenta una figura para efectos de longitud de Ia terminal para cargas resitivas contra temperatura, Av. En la figura 1.43 se muestra una tipica curva de degradacién de corriente, Esta ‘curva indica el ajuste requerido en la corriente estimada conforme la temperatura umenta més alld del ambiente. A menudo se presenta una curva similar para degradacion de potencia. Nétese que el fabricante no proporciona las curvas de degradacién estindar para el IN4001. Sin embargo, la informacién brindada es mds que suficiente para asegurar que el diodo de unién no se sobrecaliente al operar en varios modos circuitaes. En la prictica, los disefiadores deben asegurar que el diodo esté sujeto a valores de corriente que se encuentren al menos entre el 20% y e1 30% por debajo de los valores méximos publicados. En algunas aplicaciones (como las militares © cespaciales), se requiere un ajuste de hasta 50%. 80Figura 148 CCuva de degradcion de comin Problemas 53 Itoi) Nanuet tempera det empague 8 ‘al ocure 1a Gegratacion PROBLEMAS 1.1 Bosquéjese la salida del circuito mostrado en la figura P1.1 cuando la entrada, ‘y,, e§ una onda cuadrada de 100 V pico a pico con un periodo de 2 s. Supbngase que el diodo es ideal 1.2. Bosquéjese la salida del circuito mostrado en la figura P1.2 (el diodo es ideal) cuando v, es: ‘a, Una onda cuadrada de 100 V pico a pico con periodo de 2 s. ’b. Una onda senoidal de 100 V pico a pico con un periodo de 2 s. cc. Una onda triangular de 40 V pico a pico con un periodo de 2 s. k sooka. +[ xa + 4 kA ER. v Figura PLA Figura P12 1.3 Bosquéjese ia salida del circuito mostrado en la figura P1.3 cuando v, es una ‘onda senoidal de 100 V pico a pico con un periodo de 2 s. Supéngase que €l diodo es ideal. 8154 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores chagwin % Figura PLS 14 Si Ia carga de salida de un rectificador de media onda es 10 kM, zqué valor de capacitor se requiere para obtener una tensién de salida que no varie més del 5%? La tensiGn de entrada es de 100 V rms a 60 Hz. Remitase a la figura P11. Dibiijese la forma de onda de 1a salida. LS Si la carga de salida de un rectificador de onda completa es 10 kM, zqué valor de capacitor se requiere para mantener una tensién de salida que no varfe més del 10%? La entrada es de 100 V rms a 60 Hz. Remitase a la figura P13. Dibijese 1a forma de onda de la salida, 1.6 Una seftal de radiofrecuencia (rf) de 2 MHz se modula con una sefial de 15 . KiHz, con indice de modulacién de 0.5. ,Qué capacitancia se debe utilizar a través de un detector de 2 KS de carga para fltrar la ef sin afectar la sefial modulante? 1.7 Grafique Ip contra Vp para un diodo de silicio si la corriente de saturacién inversa, 1p =0.1 HA utilizando n= 1.5 para el silicio. Determinese también la tensién de encendido del diodo. Grafique Ip contra Vp para un diodo de germanio si la corrente de saturacién inversa, Zp =0.01 mA. Determinese también la tensin de encendido para el iodo (esta curva se puede tazar en la misma gréfica que la del problema 1.7). Un diodo particular tiene una corriente de saturaci6n inversa de 0.2 yA, n= 1.6 y Vp = 26 mV. Determinese la corriente del diodo cuando la tensién a wavés de éste es 0.4 V. Determinese también la resistencia én directo del iodo en este punto de operacién, 1.10 Para el circuito mostrado en la figura P1.4, determinese la comiente a través del diodo cuando la tensign de ed a través de éste es de 0.6 V para el intervalo de corriente y nV = 40 mV. 100 20 10.sen1000¢ mV v Figura PLA Figura PLS. 82Problemas. 55 1.11 Para el circuito mostrado en la figura P1.S, determinese J para cada caso. 1. Cuando los diodos se consideran ideales. ’b. Cuando los diodos no se consideran ideales con Ry = 10 2 y Vp =0.7 V. Igndrese la corriente de saturaci6n inversa. 1.12 Un diodo Zener se conecta en un circuito, como se muestra en la figura P1.6. ~""" {ual es el valor de la resistencia R; que mantiene la tensiGn en la carga a 12 V (Vz) si la corriente en Ia carga es 1 A y la tensién de entrada varia de 14 2 20 V? {Cudl es el margen de potencia necesario para el resistor y el iodo Zener? Figara PIL6 1L.13 Si un diodo Zener se conecta en un circuito como el mostrado en la fi- ‘ura P16, ;cudl es el valor del resistor Rj que mantiene la tensi6n en la carga a 12 V (Vz) cuando la carga varfa de 50 mA a $00 mA y Ia tensién de entrada varia de 15 a 20 V? Determinese el margen de potencia requerido ‘para el resistor y el diodo Zener. 1.14 El regulador Zener mostrado en la figura.P1.7 utiliza un diodo Zener de 20 'V para mantener 20 V constantes a través de la resistencia de carga, Ry. SSi la tensién de entrada varfa de 32 a 43 V y la corriente en la carga varia de 200 mA 2 600 mA, selecciénese el valor de Rj para mantener la tensién cconstante a través de la carga. Determinese el margen de potencia para el resistor y el diodo Zener. SupGngase que Rz =0. 145 El regulador Zener mostrado en la figura P1.7 utiliza un diodo Zener de 9 V para mantener 9 V constantes a través de le carga, con una entrada que varia entre 16 y 25 V y una salida que varia entre 100 mA y 800 mA. Considérese que Rz =0. a. SelecciGnese el valor de R necesatio y determinese el requerimiento mé- imo de potencia Figura PLT56 Capitulo 1 Andtisis de circuitos con diodos semiiconductores b. Determinese e! margen de potencia del diado Zener. . Caledlese la variacién pico a pico en la salida si Rz 19. 1.46 Considerando que no existen pérdidas en los diodos rectificadores de laf gura P18, gcudl es el valor de R; necesario para mantener Vi, a 16 V con una corienteen la carga de 1 A utlizando un diodo Zener de 16 V? vy varia entre 110 y 120 V rms a 60 Hz. Supéngase que Rz = 0. La tensi6n hacia el regulador debe ser al menos 5 V arriba de Vz. _ 2a ieee [. : L Figura PLS 1.17 Suponiendo que no existe caida de tensi6n en el diodo rectificador de la figura PL, jeudl es el valor necesario de R; para mantener Vz, a 16 V con tuna carga de 1 A? La tensin de entrada al transformador es de 110 2 120 V rms a 60 Hz. La salida filtrada del rectficador no debe variar més de 5 V. Determinese el margen de potencia necesario para el resistor y el diodo Zener. 1.18 Usilizando los valores para la tensiGn de entrada a Rj del problema 1.17 pero con un Zener de 12 V, zeudl debe ser el valor de R; para mantener 12 V en la saida sila carga varia de 20 mA a 600 mA? {Qué tamafio debe tener el capacitor? 1.19 Utilizando el cireuito de la figura P1.8 y suponiendo que no hay pérdidas en los diodos rectficadores, cual es el valor de Rj para mantener 12 V a través de la carga utlizando un Zener de 12 V cuando v; es de 110 a 120 V rms a 60 Ha2? La salida del rectificador cae 20% debido al tamafo del capacitor, C1, y la carga varia de 20 mA a 500 mA. {Cul es el tamatio del capacitor? 1.20 Repftase el problema 1.19 utilizando un MC7812 para reemplazar el reguladot discreto mostrado. Determinese el minimo tamafio necesario del capacitor. \. "1.21 Con una forma de onda de entrada de 10senw, jeual es la forma de onda de salida para los circuitos recortadores mostrados en la figura 1.9? Suponga ue todos los diodos son ideales. % “La@)isehese un fijador que proporcione +2 V de nivel fjo a una onda de entrada “ cuadrada para el cigcuito mostrado en la figura P1.10. La magnitud de la ‘onda cuadrada de entrada es +4 V con un periodo de 100 ys. “S728 En tos circuits recortadores con diodos de la figura PILI1, vy = 20senast, R=2kO y Vp= 10 V. La tensién de referencia se obtiene de una terminal en un divisor de 10 k9 conectado a una fuente de 100 V. Despréciense todas a4 oeProblemas 57 ° ® Figura PLO s—t 4 2Ko w= Figura PLO Figura PILL las capacitancias. La resistencia en directo del diodo es 100.9, Rr = 00, y Vy =0. Dibéjense las formas de onda de entrada y salida, Apliquese el teorema de Thévenin para la red divisora de la tensi6n de referencia, 1.24-a, La tensiGn de entrada, v, al recortador mostrado en la figura P1.12(a) ~~ varia en forma lineal de 0 a 175 V. Bosquéjese la tensién de salida v, en Ja misma gréfica que la entrada. Supéngase diodos ideales. b. Repitase la parte (a) para el circuito'de la figura P1.12(b).. Figura PLA58 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Figura PLAS x 11.25 Una fuente ideal de tensi6n senoidal de 10 k#tz cuyas excursiones pico son de + 10 V con respecto a tierra se aplica al cireuito fijador con diodo de la figura P1.13. Supéngase que R= 00, R, = 0, C = 1yiF, el diodo tiene una Ry = 00, Ry =0y Vy =0, y la resistencia de la fuente es cero. Bosquéjese Ia forma de onda en la salida, 1.26 La sefial mostrada en la figura P1.13 con una frecuencia de 10 kHz se aplica al cirenito, con valores Ry = 0, R= 10k, C= 1pF, Ry =0, R, = o0'y V, =0, a. Bosquéjese la forma de onda en la salida, vo. \ b. Repitase la parte (a) si R= 1k y C=0.14F. 1.27 {Qué tipo de reconador se necesita para obtener las formas de onda ilustradas en Ja figura P1.14? SupGngase que la entrada es 10 sent volts. Dibijense y etiguétense los circuitos. ®, vot lO “\ ° 1 : @ Figura PLisProblemas adicionales 59 PROBLEMAS ADICIONALES PALI fie una fuente de energfa con un rectificador de media onda que tiene ‘una entrada de 120 V ems a 60 Hz, con una salida méxima de 17 V y una mfnima de 12 V. La fuente debe proporcionar energia @ un cir- cuito electrénico que necesita una corriente maxima de 1 A. Determine configuracién del cieuito la razén de voeltas del transformador y el tamafio Gel capacitor. Suponga que los diodos y el transformador son ideales. PA1.2 Repita el problema anterior con un rectificador de onda completa. PA13 Determine el valor del capacitor para el circuito mostrado en la figura 1.24 cuando a = 6 y Ry = 50. La tensiOn minima en la carga no debe caer més de un 20%. PALA Disefte una fuente de energia con un recificador de onda completa, un transformador con raz6n de vueltas de 4:1 con deivaciGn central y un diodo Zener de 8 V y 2 W, que proporcione 8 V constantes a una carga que varia de 200 a 500 ®. La tensién de entrada al ransformador es de 120 V rms, {60 Hz, Ignore las pérdidas en el transformador y los diodos. Determine 8 Tua © To b. Rey Vou ¢. El valor del capacitor necesaro. 4. El porcentaje de regulacion cuando Rz = 2 9. PALS Disefe una fuente de energia regulada con un recificador de onda completa, tun transformador con razén de vuelta de 5:1 con derivaci6n central y un diodo Zener de 8 V y 2 W, que proporcione 8 V constantes a una carga {que varia de 100 a $00 ©. La tensiGn de entrada al transformador es de 120 V ims, 60 Hz. Ignore las pérdidas en el transformador y los diodos. Determine 8 Tem © Te b. RLY Vow ¢. El valor del capacitor necesario, 4. El porcentaje de regulacién cuando Rz = 2.9. e. La potencia de Ri. PALL6 a. Dibuje la sefial de salida para el circuito mostrado en la figura PA1.1(3) situ =9sen 1000¢ V. Muestre los valores maximo y minimo en el dibujo y la ecuacién de las curvas para diferentes intervalos de tiempo. Suponga ‘que los diodos son ideales. ». Repita el problema para la figura PAL.1(b). 8760 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores 2ka 2ka DD RD * sian Cu 2a Zak we . wy - ST 6 ® © Figura PALL PA17 Disefie un circuito recortador para obtener Ia salida mostrada en Ia fi- gura PA12 a partir de una onda cuadrada simétrica de +10 V. Suponga que V;, =0.7 V. PALS Disefie un circuito sujetador para obtener 1a salida mostrada en la figu- ra PAIL.3. Suponga que el capacitor disponible es de 0.1 uF y que la entrada es vy = Ssen25000¢ V. Suponga que V; = 0.7 V. PAL Seleccione un resistor para limitar la corriente e iluminar en forma adecuada tun LED cuando se aplican 8 V al LED. Figura PAL? Figura PALS 882.0 AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION INTRODUCCION El andlisis bésico de eiruitos es el estudio de la interconexiGn de dispositivos pa- sivos y fuentes. Los dispositivos pasivoslineales incluyen resistores, capacitores « inductores. Estos dispositivos realizan las operaciones lineales de multiplicaci6n proporcional, itegraciGn y diferenciaci6n. Las fuentes independientes son de co- Trienteo de tensidn, y los valores de sus salidas no dependen de ningin otro valor nel circuit, Las fuentes dependientes se caracterizan por tenet una corriente 0 tensiGn de salida,funci6n de un parimetro en algina rama del circuito separada de ‘quella de Ia fuente. Por lo general, las fuentes dependientes surgen del modelado de dispositivos activos como los transistores bipolares de uni6n, los transistores de efecto de campo y los amplificadores operacionales. El estudio de dspositivos activos en este libro se inicia con el transistor bipolar e unién. En 1948 John Bardeen, Walter H. Brattain y William Shockley de Bell Telephone Laboratories construyeron y probaron el primer transistor. Era un dispositive imperfecto (no refinado) de baja ganancia; en realidad, no tenfa mayores propésitos que los de experimentar en el laboratorio. Por oa parte, en Ia industria €l tubo de vacfo reinsba en aplicaciones que iban desde bienes de consumo hasta sos militares. Sin embargo, existfan algunas funciones que el tubo no podia desempefar sin un gran gasto. Ain més, ciertas aplicaciones eran imposibles de lograr utilizando tubos de vacio. Poco después de la invencién del transistor, los 61 8962 Capitulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de unién 24 ingenieros vieron sus ventajas en pequefios dispositivos portétiles y empezaron a ‘mejorar su desempefio. El resultado fue una continua evolucién que condujo al transistor de hoy en dia. Durante los aiios sesenta, los procesos y métodos de fabricaci6n se mejoraron de forma tal que el transistor pudo construitse de manera confiable. Esto produjo una explosién en la industria electr6nica, pues muchos productos se podfan construir en forma barata. La capacidad de manejar potencia ¥ las frecuencias mAximas de operacién se inerementaron de forma constante en teste periodo. En la actualidad el transistor ha reemplazado casi completamente al tubo de vacio, excepto en algunas aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia, FUENTES DE TENSION Y DE CORRIENTE DEPENDIENTES Las fuentes dependientes producen una tensién o corriente cuyo valor est determi- nado por la existencia de una tensiGn o corriente en otro lugar del circuito (nétese aque los dispositivos pasivos producen una tensién o corriente cuyo valor se deter- ‘mina por una tensién o corriente en el mismo lugar del circuito). Las fuentes de tensién y corriente dependientes o independientes son elementos activos, esto es, ccapaces de suministrar energfa a algin dispositivo extemno. Los elementos pasivos no pueden generar energia, aunque pueden almacenar cantidades finitas de ésta para su distribucién posterior, como es el caso de los capacitores e inductores. En la figura 2.1 se muestra un circuito que comtiene una fuente dependiente. La fuente de tensién depende del valor de la tensién, Vaz. El factor de amplificacién es 4. La ley de tensiones de Kirchtioff (LTK) se aplica al lazo para obtener 10 = (S000) + 4Vp2 — Vier = (S000) + 3V 2 Entonces, utilizando la ley de Ohm, se obtiene Vine = -(1000) ‘Sustituyendo esto en la ecuacién de lazo, se tiene 10 = (5000) + 3V pz = (5000)I — (3000) = (2000) Por tanto, I=SmA Vm=-3V y 902.1 Fuentes de tensi6n y de corriente dependientes 63 ska. a Rr RB gy. riko $Y ‘Figura 2.1 Cucuito con una foene de tension dependiente Figura 22 Circuito con una fuente de coniente dependiente La tensi6n a través de la fuente dependiente es dos veces mayor que la de la fuente independiente. ‘Si Ia baterfa de 10 V se reemplaza por una fuente de tensi6n alterna, la tensién a través de la fuente dependiente tendré el doble de amplitud que la entrada y estaré 180° fuera de fase. ‘Ahora se analizaré un circuito simple que contiene una fuente de corriente dependiente, como el mostrado en la figura 2.2, Nétese que este circuito s6lo cuenta, con una fuente dependiente y resistores; no existe una fuente independiente de cenergfa, Por tanto, sin conexiones externas, el circuito se mantendré con corrientes y tensiones cero para cada rama (verifiquese que haciendo todos-los parémetros iguales a cero se satisfacen las leyes de corriente y de tensién de Kirchhoff). Este Circuito tiene interés s6lo cuando se conectan circuitos adicionales (en este caso, a las terminales A y B). ‘Se encontrard el equivalente de Thévenin del circuito visto a través de estas dos terminales. La tensién de circuito abierto es cero, por lo que todo el circuito es equivalente a una sola resistencia. La resistencia de Thévenin no se puede encontrar utilizando combinaciones simples de resistores debido a la presencia de la fuente dependiente, Tampoco se puede encontrar utilizando la técnica de evaluar la tensiGn, de circuito abierto y hacer un cortocircuito en la corriente para luego tomar la raz6n, Ambas cantidades son cero, por lo que’este método conduce a una respuesta, indeterminada. El método mds utilizado en este tipo de problemas es suponer que se aplica una fuente de corriente o tensién a las terminales, evaluar la tensién 0 corriente resultante, y entonces tomar la razén para encontrar la resistencia. ‘Supéngase que se aplica una corriente ig como se muestra con Iineas punteadas cen la figura. La ley de corrientes de Kirchhoff (LCK) (anilisis de nodos) en el nodo 1 da aCapitulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de unién Sustituyendo i, = ¥o/4000 en la ecuacién anterior, se tiene Tuy = 1509 = 0 20, + 3ve = 400i Se utiliza Ia regla de Cramer para resolver este sistema de ecuaciones y obtener 0 ig x 4000] _ (28000. 21-30 = (3110). V La resistencia equivalente, Rr, se obtiene dividiendo v, por i, para obtener Bry =—3.11 k2 EI hecho de que Ia resistencia sea negativa sugiere una ganancia de potencia, © amplifcacin, Este cieuito no consume enerpia. Al contrario, 1a suministra, 6 produce ganancia de potencia. En la figura 23 se ilustra una configuracién comin en andlisis de circuitos de estado sélido. Se encontraré la ganancia de tensién y de corriente de este sistema, La ganancia de tensiGn se define como la raz6n de la tensiGn de salida a la de entrada. Del mismo modo, la ganancia de corriente es la raz6n de corriente de salida a comriente de entrada. La corrente de entrada es uy _ 20senwt mV Be a = 2Osenat wa Se puede utilizar una relacién de divisor de cortiente para encontrar iy 2000(20 sen wt uA) "2000 + 2000 ae = 10senwt yA. La tensién de salida esté dada por 100! x (10 k9 |} 10k) donde | indica una combinacién de resistores en paralelo. ‘Y9 = —(500000)i; = ~500000(10 x 10~* senust ~Ssenut V 92Figura 23 ‘Gteito de estado sido equivalent. 2.2. Transistors bipolares 65 hs, «| = Dosense 240$ 2k oka $1080 Entonces, utilizando una relacién de divisor de corriente, se encuentra que la co- rriente de salida es 10000(—100%3) _ 10000 + 10000, ~50i La ganancia de tensién es ve _ ~Ssenut ai” Dodsenwt =~ La ganancia de corriente es =50(10 HA) 25 TRANSISTORES BIPOLARES. El transistor es un dispositivo de tres terminales, a diferencia del diodo, que tiene dos terminales, Este consiste en un material de tipo p y uno de tipo n; el transistor ‘consiste en dos materiales de tipo m separados por un material de tipo p (transis- tor npn) o en dos materiales p separados por un material n (transistor pnp). En la figura 2.4(a) se incluye la representacin esquemética de un transistor (22) Las tres capas o secciones diferentes se identifican como emisor, base y colector. El emisor, capa de tamaio medio diseRiada para emitit 0 inyectar electrones, esté bastante contaminado, La base, con una contaminacién media, es una capa delgada Gisefiada para pasar electrones. El colector, capa grande disefiada para colectar electrones, esté poco contaminado. El transistor se puede concebir como dos uniones pn colocadas “espalda contra espalda’; éstas se denominan transistores bipolares de unién (BIT, bipolar junction transistor.66 Capitulo 2 Amplficadores con transistores bipolares de unin EL wansstor bipolar. Figura 24 Base Coector ° fopPy oe? kb a Emisor Cokeeor oe Base CColector » Jel» Base TEmisor ——Calesior aa (@ Simbolos de cito (Coo —L Trayecora de electones libres Reign eutrica —¥ (©) Diagrams potencil colina Para explicar Ia operacin del transistor, se desarrolla un modelo matemético simple basado en las caractersticas operacionales del dispositivo para Ia regién en la que se esté trabajando, A fin de mantener Ia sencillez del modelo, se restinge el andlisis a bajas frecuencias. En el capitulo 3 se modifica este modelo simple para inclur ls resistencias de entrada. Luego, en el capitulo 10, se amplia el modelo y se incluyen componentes adicionales para poder analizar la operaci6n del transistor en alta frecuencia El presente modelo es sufciente para exponer los conceptos y disefia varias api- caciones tiles en baja frecuencia. Intencionalmente se presenta poco complicado, dde manera que es posible encontrar soluciones de forma cerrada a las ecuaciones resultantes. No obstante, si se requieren resultados més exactos, puede ser ne- cesario el andlsis por computador. Se ha desarrollado un programa de andlisis apoyado por computador, que se conoce como SPICE (simulated program with integrated circuit emphasis, véase el Ap. A y (36), pég. 254) y utiliza el modelo de Gummel-Poon ((16}, pég. 286). Muchas compaias estadounidenses vilizan SPICE para desarrollar circuitos de muchos transistores y también para realizar anilisis de “peor caso” en cicuitos y determinar los efectos de la tolerancia de los, ccomponentes. Enel capitulo 10 se comentan modelos similares al de Gummel-Poon wtilizado ‘en SPICE, considerando el anélisis y el disefio en alta frecuencia. et23° Operacién del transistor 67 2.3 OPERACION DEL TRANSISTOR ‘Una explicacién sencilla pero efectiva de la operacién del transistor npn se leva a cabo utilizando la téenica de diagramas de barrera de potencial de la figura 2.4(b). Este método ilustra de manera simplificada la operacién bésica de un transistor bipolar de tal forma que se puedan entender ejemplos de circuitos sencillos. Cuando ta unién base-emisor se polariza en directo y la unin base-colector en inverso, los electrones que dejan el material x del emisor s6lo ven una barrera de potencial pequetia en la unién np. Como la barrera de potencial es pequefia, muchos de los clectrones tienen la suficiente energia para legar al tope de ella. Una vez en el tope, los electrones se mueven facilmente a través del material p (base) a la unién ‘pn (base-colector), Cuando se acercan a esta unin, log electrones se encuentran bajo la influencia de la fuente de tensiGn positiva y se mueven con mucha rapidez conforme descienden en la bartera de potencial. Si se reduce la polarizacién en directo de la unin base-emisor, aumenta la altura de la barrera de potencial. A los electrones que dejan el emisor les seré més dificil alcanzar el tope. Los electrones aque lo alcanzan son aquellos con mayor cantidad de energia, y los que alcanzarén 1 colector. Por tanto, una reduccién de la polarizacién en directo provoca que la corriente a través del transistor se reduzca en forma considerable. Por otra parte, al incrementar la polarizacin en directo de la uni6n base-emisor se reduce la barrera de potencial y se permite el flujo de un mayor nmero de electrones a través del transistor._ El flujo de corriente en un transistor de.unién también se puede entender me- diante 1 examen del comportamiento de los portadores de carga y las regiones desérticas. Estas regiones se indicaron en la figura 2.4(b). Nétese que como la “inién base-emisor esté polarizada en directo, la regiOn desértica es relativamente delgada, Lo inverso es correcto para la unién base-colector, Un gran miimero de portadores mayoritaros (electrones) se difunde a través de la unién base-emisor, puesto que ésta se halla polarizada en directo. Estos electrones entran a la regi de la base y tienen dos opciones. Podrfan dejar esta regiGn a través de la conexién con las fuentes de alimentacién o continuar hacia la regi6n de colector a través de la amplia regién deséntica de la unin polarizada en inverso. Lo normal seria esperar que la mayor parte de esta corriente regresara a la fuente, excepto por las siguientes observaciones. Como la region de base es muy delgada, estos electrones necesita viajar una distancia més corta para ser atraidos por la fuente positiva del colector. Ademés, el material de la base posee una conductividad baja, por Io que el trayecto hacia la terminal de la fuente presenta alta impedancia. En realidad, ‘una cantidad muy pequefia de los electrones deja la base a través de la conexién con la fuente; Ia mayor parte de la corriente fluye hacia el colector. EI transistor de unin bipolar presenta ganancia de corriente, lo cual se puede utilizar para amplifcar sefiales. En la figura 2.5 se muestra el_circuito equivalente simplificado de un transistor npn. Por lo general, este modelo es adecuado para el disefio y andlisis de muchos circvitos. En la figura 2.6 se muestra un circuito simple para obtener ganancia de co- riente. Se aplica una fuente de tensiGn a través de la unién base-emisor, y se 95,68 Capitulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de unin Figura 25 (Gireuito equivaleme Smplieado del wansistr. Figura 26 Gitevit simple de = coriente de base f= comiene de colector sg =coniene de enisr ‘R= resiencaemte bese yemitr Bue Cot: a Cas Foene lio te P* Scape Ear ® » conecta una resistencia entre colector y emisor. En la figura 2.6(6) se muestra el sismo circuit, donde el transistor se reemplaz6 por el modelo de la figura 2.5. Debido a la presencia de la fuente dependiente, una comrente en Ja terminal de ‘base controla la corriente del colector al emisor. La fuente de corriente en el co- lector depende de la cortiente de base, ip. Conforme aumenta ip, la corriente de colector, ic, aumenta en forma proporcional. La constante de proporcionalidad se ama bera (8). En la figura 2.7 se muestra una versiGn refinada de este modelo, conacida como ‘modelo de Ebers-Moll (32}. La uni6n base-emisor actéa como un diodo polarizado en directo con una corriente ég + ic. La unin base-colector esté polarizada en inverso y exhibe una corriente de fuga pequeta, Icpo, y una corriente grande, Big. Esta thima es provocada por la interaccién de cortientes en la base. Queda claro que en Nétese que la direccién positiva de las corrientes de base y de colector se define entrando al transistor, y en forma inversa para la corriente del emisor. Esta es una simple convencién, y se podria haber invertido cualquiera de las direcciones. E] modelo de Ebers-Moil incluye una cortiente, I¢go, que es independiente de la cortiente de base. 96Figura 2.7 ‘Modelo de Ebers Moll Figura 28 (Comets interas en an 23 Operacién del ransistor 69 ape Jeao LF pn ¢ 2 2s. Ne 2 aes Toe fa tic| Mie B Flesones inyectados | Gifeadoy ei + Hene Hewes (© Visa simptiicata La ganancia de corriente en base comin, a, se define como la raz6n del cambio en la corriente de colector al cambio en la corriente de emisor, suponiendo que Ia tensién entre el colector y la base es constante. Por tanto, Ai! Bishop constante Esto se muestra de manera gréfica en la figura 2.8, donde ego es Ia corriente de fuga entre base y colector. Se desea encontrar una relacién entre las corrien- tes de base y de colector. La corriente de colector se encuentra al observar la figura 2.8(b): ig =ais+lcs0 22) 9770» Capttuto 2 Amplificadores con transistores bipolares de unin CComiinando las ecuaciones (2.1) y (2.2), se encuentra la corriente de emisor, ip=aiz+lcp0+is y resolviendo para la corriente de base, ip =ix(l-0)~ leno e Se puede eliminar ig de Ia ecuaciGn (2.3) reescribiendo la ecuscién (2.2) como wic=Jcao @ ig Por dltimo, esto se sustituye en Ia ecuacién (2.3) para obtener una relacién entre ip, ic ¢ leo: & TopoX(t— a) ipe Tcso” 24) Mavic Topo La ganancia de corriente en base comtin, a, suele estar entre 0.9 y 0.999. Por tanto, el inverso se puede aproximar a la unidad, dando asf 1a pole _o55 Beta (6) se utiliz6 antes (véase Fig. 2.6) para definir la raz6n entre cambios de corriente de colector y cambios de corriente de base. Esto es, Por tanto, se diferencia la ecuacién (2.4) y se reacomodan los términos. Los valores tpicos de 9 se hallan entre 10 y 600. Haciendo la sustitucién para , se tiene ic ip= 2 -k in =F - leno 982.4 24 Cireuitos con transistores 71 Por lo general, se puede despreciar Igo, pues es pequefia en magnitud, Por tanto, “ie ® Bi es) El término.'se conoce como factor de ganancia a seal grande o factor de ampli- ‘ficacién enced. Por tanto, se vuelve al modelo original simplificado. En la préctica, ‘el valor de 8 varia con la corriente de base. -Existen inconvenientes én el disefo debido a las variaciones de f por los cambios de corriente en el transistor. Ademés, durante la fabricaci6n del transistor, se producen variaciones en el valor de beta dentro de un mismo lote de producciéa, Por tanto, dos transistores fabricados al mismo tiempo tendrén diferentes valores de 8, aun en los mismos niveles de corriente. Esto leva al desarrollo de un procedimiento de disefio que haga al valor de la coriente de colector relativamente independiente de los cambios en B. Estos métodos se comentan en la seccin 2.5. ‘Otra suposicign que se realiza a menudo como simplificacién es que la cortiente de colector es aproximadamente igual ala coriente de emisor. Esto es, como Igo resulta pequefia comparada con ic y como @ esth entre 0.9 y 0.999, se tiene ictis . 26) CIRCUITOS CON TRANSISTORES 2.4.1 Configuraciones comunes en circuitos Existen tes configuraciones usadas en circuitos de tansistores, La més utlizada es la de amplificador en emisor comin (EC), ass llamada porque el emisor se encuentra tanto en el lazo de entrada como en el de salida. El siguiente circuito ‘mis utilizado es Ia configuraci6n en colector comin (CC), también conocida como ‘emisor seguidor, La tercera configuraci6n es el circuit en base comin (BC). En 1a figura 29 se muestran ejemplos de estas configuraciones de amplificadores y se ilustran los cicuitos que utilizan transistores npn. En este capitulo se considera el disefio de la polarizaciOn, o cicuito en ed. Est& caracterizado por el resistor de base, Rp, el resistor de emisor, Re, el resistor de colector, Ro, y la fuente de tensién, Voc. La técnica de polarizacién para el amplificador EC es la misma que para la configuracién BC, por lo que se consi- deran juntas. La configuracién CC se considera por separado. Cuando se utlizan transisores pnp, se invierten las polaridades de las tensiones de Va y Voc. pero los cireuitos equivalentes desarrollados en ca se mantienen igual. 9972 Capttulo 2. Amplificadores con transistores bipolares de unién Figura 29 Ciruitos amplicadores. 2.4.2 Vee Vex Vee (b) Cotecor comin (© Base coma (emis seuidor) Curvas caracteristicas Como el transistor es un dispositivo no lineal, una forma de definir su operacion es usar una serie de curvas caracteristcas de manera similar las utilizadas en el capitulo anterior para los diodos. Existe un conjunto de curvas para cada tipo de transistor. Como no se estd tratando con dispositivos de dos terminales, las ecua- ciones incluyen al menos tres variables, Por tanto, se utilizan curvas paramétricas para describir el comportamiento del transistor. En la figura 2.10 se muestran dos agréficas caracteristicas. En la figura 2.10(a) se ilustra la corriente del emisor como funcién de la tensiOn entre 1a base y el emisor cuando uce se mantiene cons- tante, Notese que, como se podrfa esperar, esta curva es similar a'la del diodo, ya que constituye la caracteristica de la comriente en una unién simple. Se dibuja tuna Iinea de carga utlizando las dos intersecciones con los ¢jes. Cuando ig = 0, vee = Vp. La otra imerseccién se encuentra haciendo vax = 0. El punto donde la Tinea de carga cruza Ja curva de ig. contra ugg se llama punto de operacién, 0 punto Q. La pendiente de la linea de carga es —1/(Rs+Rp). Estoes, la resistencia cequivalente vista por las terminales de base y de emisor es simplemente Re + Rs. La pendiente de la curva caracteristica es 1/ra, donde ra es la resistencia dindmica de la unin base-emisor del transistor. Esta pendiente se puede calcular a partir de Ia ecuacién (1.1) y de las simplificaciones que le siguen. Como esta es una unién pn, nVz = 26 mV (suponiendo wna unién de silicio a temperatura ambiente). To- ‘mando la derivada de la ecuacién (1.1) y realizando las simplificaciones adecuadas, se encuentra que la resistencia dindmica es aproximadamente 0.026 Teg donde Iq es la corriente del emisor en el punto Q. 100Figura 210 (Curvas carmueristcas de () Caraceisica eolctoremisor Como ip = ic/B, 1a unién base-emisor es similar a ta del diodo. Por tanto, ppara una unién polarizada en directo, (oo) Para un diodo de silicio, n tiene un valor de 1.3 a 1.6. Sin embargo, en transistores de silicio, el valor de n esté cercano 2 la unidad debido a los efectos de recombinacién provocados por las corrientes de base y de colector combinadas cen Ia regin del emisor. Los transistores de difusién exhiben un ineremento del 10 al 20% en el valor de n para niveles de corriente por artiba del intervalo normal de operaci6n del transistor. En este texto, se utlizardn n= 1 y nV =26 mV para transistores de silicio. ‘Una extensién en linea recta de la curva caracteristica intersecarfa el eje vss en 0.7 V para transistores de silicio, 0.2 V para germanio y 1.2 V para dispositivos de arseniuro de galio. Si ahora ip se mantiene constante, la uni6n colector-emisor se define por la curva de ic contra uc mostrada en la figura 2.10(b). Como puede verse en esta curva tipica; 1a corriente de colector es casi independiente de la tensién entre el colector y el emisor, vee, dentro del “intervalo lineal” de operacién. Cuando dip esth prOxima a cero, ic se acerca a cero de manera no lineal. Esto se conoce ‘como operacin en la regiGn de corte. Para la secci6n de las curvas caractertsticas donde vce se acerca a cero, ic es méxima. Esta regiGn, conocida como regién de saturacién, no es Stil para amplificar debido a la operaciGn no linea. ‘Las curvas caracteristicas son curvas paramétricas de ic contra vce, con ip como parimetro. En Ia figura 2.11 se muestra un ejemplo de una familia de dichas curvas. Cada tipo de transistor tiene su propio conjunto tnico de curvas caractertsticas. 10174 Capltulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de unién de los transistors, ‘Como ejemplo del uso de las curvas caracteristicas, se analizard el circuito de la figura 2.12. Aplicando LTK alrededor del lazo de colector emisor, se obtiene Vee ioRc+vce+izke (27) Como ig es aproximadamente igual a ic, la ecuacién (2.7) se puede simplifi ‘ear, como se hizo en la ecuacién (2.8) Voo =ic(Re + Rs)+vce 28) La ecuacién (2.8) define una relaci6n lineal entre ic y veg. Esto es, Veo ~ vce Re+Re 29) Una forma de’graficar esta linea recta es resolver las dos intersecciones con los ejes. Si ic =0, vce = Vee. Si vce =, entonces ig = VOC °* Re +Re La linea de carga en od esté graficada sobre las curvas caracterfsticas de Ia figura 2.11. Cuando se trate el disefio, se verd la forma apropiada de seleccionar los Pardmetros del ciruito. Por ahora, se supondré que el punto de operacién, el punto Q, se puede seleccionar en cualquier lugar de la linea de carga. El punto 10225 25. Elamplifcador EC 75 tendré las coordenadas Vegg ¢ Icq, los valores en el punto de operacién de vce & ig, respectivamente. El panto de operaci6n es el valor de seal nulo para vce & tc. EL AMPLIFICADOR EC Figura 213 ‘Amplifcadar de wansi emir comin npr. ELEC, o amplificador emisor comin, se llama asf porque las corrientes de base y {de colector se combinan en el emisor. En la figura 2.13 se muestra la configuracién de] amplificador, donde se seleccioné un transistor npn como ilustracign. En primer lugar se analiza el circuito de la figura 2.13 bajo condiciones de cd. La fuente variable, vse hace igual a cero, La LTK en el lazo de base se escribe como IpRp+Vee~- Vos =0 2.10) Recuérdese que Vag esté entre 0.6 y 0.7 V para transistores de silicio, pero en este libro se utilizaré el valor 0.7 V a menos que se especifique otro valor. ‘Se escribe ahora la LTK a través del lazo de colector-emisor como sigue: Vee = Rele+Ver Entonces aan La eouacién (2.11) define la linea de carga, que se dibuja en las curvas carac- terfsticas de la figura 2.14(a). Ahora se puede seleccionar sobre la linea de carga €l punto Q, © punto de operacién, que se define como el punto de sefial cero. Si se supone ahora una entrada de ca v, = V senut 10316 Capitulo 2 Amplficadores con transistores bipolares de unién Figura 214 CCuvas caracerscas para 1 amplicador EC. (@) Cuvas carscteritica del eanssior | at oD Do» “ 2 | ' nada sali (©) Cuvas de coriete en a entrada y la da Ja onda de salida se puede encontrar de manera gréfica. Moviendo el punto de ‘operacién hacia arriba y abajo a lo largo de la linea de carga conforme cambia ip, se pueden graficar ic; ip y vce, como se muestra en la figura 2.14. Se determinaré el cambio en la corriente de colector para un cambio dado en la corriente de base. Esta relacién es la ganancia de corriente, que se define como aie ais : 32ma * 400 yA ~ a 104Figura 215 ‘Amplieador EC con resistor en el emisor. 2.5.1 25 Elamplifcador EC 77 En la figura 2.14, Aic y Aig se len como: las excursiones totales en estos pardmetros. Tal ganancia es Ia que hace importante a este dispositivo para muchas aplicaciones de ingenieria El amplificador EC con resistor en el emisor En le figura 2.15 se ilustra un circuito EC al cual se afadi6 un resistor en el emisor. Se escriben las ecuaciones de Kirchhoff en el lazo emisor-colector para determinar Ta Iinea de carga en ed. Con referencia a la figura 2.15(a) se encuentra Voo = Rolo +Vox+Rele Como Ic ¢s aproximadamente igual a In, se obtiene Veo - Vee lo= “Fears 212) Si Io =0, entonces Veg = Veo Este punto de operacién se encuentra en Ia regién de corte. Si Veg =0, se obtiene fon etce Re+Re 10578 Capitulo 2. Amplifcadores con transistores bipolares de union Este punto se encuentra en la regi6n de saturacién. La linea de carga resultante sth dibujada en la figura 2.15(). ‘Al utilizar el transistor en emisor comiin se evité la regin.no lineal de las courvas caracteristicas que ocurren en niveles bajos de ic (corte) y en valores bajos de vce (saturaci6n), A menudo, al disefar un amplificador con transistor se desea tuna salida con méxima excursién no distorsionada. Si la sefial de entrada en ca es simetrica alrededor de cero, se puede obtener una excursién-méxima colocando él panto @ evel cents de nines de carga, Por tanto, Vorg = ~$2 Esta ecuaciOn establece a Vong € Jeg. Ademis, debido a que la unin base-emisor actéa como un diodo, Veg = Vy Escribiendo las ecuaciones de la LTK alrededor del lazo de 1a base, se obtiene Von = Reip +vse+icRe Nétese que se utilizan letras minisculas y subindices en maysiscutas para las va- riables. Esto indica valores touales (ed + ca). Este es un momento adecuado para revisar las convenciones de notacién presentadas al inicio él texto. Debido a que Bis se tiene Reic Vea=—G +VeeticRs y el punto de operacién, Ven ~ Vee Joa = Re]B+ Re 2.13) La tensién, Vee, se considera constante @ temperatura ambiente (25°C) y tiene tun valor cercano a 0.7 V para transistores de silicio. Con el fin de evitar ta utlizacién de dos fuentes de cd separadas, se puede utilizar una red de divisiGn de tensién para suministrar la fuente de od al circuito de base, como se muestra en la figura 2.16. Los valores para Ry y Ro determinan la ubicacién del punto Q. 106 >Figura 216 ‘Cielo de transistor com ‘una fuente 25 Elamplifcador EC 79 Vee Si en la figura 2.16 la combinaci6n de fuente y resistor conectados a la base se reemplaza por un equivalente de Thévenin, el nuevo eircuito es idéntico al de la figura 2.15. Por tan a4) RiRa Rm = Pi R= Ro = 9 (2.15) Se puede resolver para Ri y Ry sustituyendo la ecuacién (2.14) en la ecuacién sy 2.16 ean Es necesario determinar Ry y Ra para establecer el punto de polarizacién requerido. El andlisis de la seccin anterior supone que la corriente del colector es igual a la 7° Se encuentran Res = Re || Ru, = 500 2 y Rea = Ro + Re = 1.1 kO. Vogq se encuentra como en el paso 3, Veg = Veo ~ IoqRea = 5 — (2.16 x 107?)(1.1 x 10°) Entonces Vice = Vezg + lqRee = 1.96 + (2.76 x 1079500) 34 Como el punto @ se halla en la mitad inferior de la linea de carga de ca, la méxima excursiGn simétrica en Ia tensién de salida es Ucq(Re | Rr) = 2(2.76 x 107*)(500) = 2.76 V 1222.9 Andlisis y disefto en ca 95 En este ejemplo, el punto Q no se encuentra en la mitad de la linea de carga, de manera que la excursi6n en la salida no es méximia. Sin embargo, si la sefial de entrada es pequefia y no se requiere méxima salida, se puede utilizar una Icq pequefta para reduc Ia potencia disipada en el circuito. —: Ejemplo 2.4 | Disefto Seleceiénese Ry y Ry para méxima excursiOn en la tensi6n de salida en el circuito de fa figura 2.22. SOLUCION Siguiendo los pasos de disefio de la seccién 2.9.2, se determina primero la [cg del circuito: Yoo ___$ 2+ Reg” S00 1105 71 Teq= como Reg = Re || Ry = 5009 Rea = Re + Rg = 100.9 Para méxima excursién, Vice = 2Vceq entonces, Vong esté dado por Vogg = (3.13 mA\(500 9) = 1.56 V La intersecci6n de la Iinea de carga de ca con el eje vce es V’ce. Como “ evo Voc = 3.12 V 12396 Capttulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de unién De las especificaciones del fabricante en el apéndice D, la para el 2N3903 es aproximadamente 140. Rp se hace igual a 0.18Re, y entonces Vo «01x10 [10] o07 104 v Como se conocen Vap y Rp, se encuentran Ry y Re: Re 1400 1=Vae/Veo ~ 1= 1.0875 RaVeo _ 1400x5 Ven 1.04 R, = LITER = 6.7 kD ‘La méxima excursi6n en Ia tensi6n de salida, ignorando las no linealidades de saturacién y corte, serfa entonces méxima excursién de salida = 2c9(Re || Rr) 23.13 mA)(S00 2) 13 V Las Iineas de carga se muestran en las curvas caracterfsticas de Ia figura 2.23, ‘Se controla la méxima potencia disipada por el transistor para asegurar que no exceda las especificaciones. De la ecuacién (2.22), se obtiene Premise) = (1056 VB13 mA) = 4.88 mW Figura 2.23 Lineas de carga para el ejemplo 24 124Ejercicios 29 Andlisis y disefo en ca 97 Este valor se encuentra dentio de los 350 mW méximos dados por la hoja de cespecificaciones. La maxima eficiencia de conversién es x 10-3/2)*1000/2 x 100 Sx 313K 104378470 OO” 2.9.3 Disefio por debajo de m: D2.9 Remitase a la figura 2.19 y encuéntrese 1a excursi6n pico a pico en Ja tension de salida cuando R, = 2k, Ry = 15k, Re = 200 0, Ro =2k2, Ry =2 KN, B= 200, Vaz =0.7 Vy Veo =15 V. Resp: 63 V pico a pico 2.10 En el eercicio D28, diséfese el amplifcador para méxima excirsén simé- ttica encontrando los valores de Ry y Re. Resp: Ry =4.5 KM; Ry = 36 kD 2.11 ;Cual es la maxima excursi6n simétrica de tensi6n para la configuracién del ejercicio D2.107 Resp: 8.8 V pico a pico ‘D2.12 ;Cuél es la potencia de salida para el.amplificador del ejercicio D2.10? {Cudl es la potencia suministrada al amplificador? Resp: 4.9 mW; 71.7 mW (ima excursion Como se coment6 antes, no siempre es deseable disefiar un amplificador para ‘maxima excursién posible. Si la sefial de entrada es pequeia el punto de operacién se mueve sélo una distancia pequefia en ambos lados del punto Q y nunca Tlega cerca del corte ola saturaci6n. En ese caso, disefiar un amplficador con el punto Q en Ja mitad de Ja linea de carga desperdicia potencia. La potencia disipada en condicin estacionaria es més de la necesaria para operar sin distorsén. En esta secci6n, se modifica el riteio anterior de disefio para permitr la localizaci6n del punto Q por debajo del centro de la Iinea de carga Supéngase que se desea disefiar para una cortiente estacionaria, Teg = ble @31) donde 1, es la intersecciGn de la linea de carga de ca con el eje ic y-es igual a Fig. 220) 12598 Capitulo 2. Amplificadores con transistores bipolares de unién 210 ie 2.32) Aquf 6 es un ndmero entre Oy 1, igual a 0.5 para el caso de méxima excursiGn simétrica. Ahora bien, como Tog = 61 se puede resolver la ecuacién (2.32) para Vega a fin de obtener Vere 2.33) = dlogRea 6 ‘Como el punto Q también debe estar sobre la linea de carga de cd, se obtiene Vezq = Voc ~IcaRea 234) Igualando la ecuacién (2.33) a la ecuacién (2.34), se tiene (~ BcqRee 6 Veo - logRes y resolviendo para Ic, se obtiene Veo 100 = TOR/6+ Ra a Nétese que si 6 = 0.5, la ecuacin (2.35) se reduce @ Vee 100" + Ra) ‘como se encontré antes, AMPLIFICADOR EMISOR SEGUIDOR (COLECTOR COMUN) El amplificador emisor seguidor (ES), © colector comin (CO), se ilustra en la figura 2.24. Su salida se toma de emisor a tierra en vez de tomarla de colector a tierra, como en el caso del EC. Este tipo de configuracién para el amplificador se utiliza para obtener ganancia de corriente y ganancia de potencia. 126Figura 224 Eaisorsegudor, 2.10 Amplificador emisor seguidor (colector comiin) 99 NOTA: A To largo de ese texto, cuando en wn crt tu capacitor no tenga ‘ueta, 5 supone que 34 capa- Citancia tende a info (es decir, et un concerto pore todat las sees de frecuen oa). ELEC tiene un desfisamiento de 180° entre 1as tensiones de base y de colector. Esto es, conforme la sefial de entrada aumenta de valor, la sefial de salida dis- minuye, Por otra parte, para un ES, la sefal de salida esti en fase con la sefial de entrada. El amplificador tiene una ganancia de tensién ligeramente menor que uno, Por otro lado, la ganancia de cortiente es significativamente mayor que uno. Notése que el colector no necesita resistor (Re = 0), y no se requiere un capacitor de paso en el emisor. Este circuito se analiza en la misma forma que para el emisor comin. Las \inicas diferencias son los valores que se utilizan para Rez y Reg. Para el emisor seguidor de la figura 2.24, Rea = Re || Ry Rea = Re yy la Tinea de carga de ed esté dada por la ecuacién ig = Moe = Hee) ° Rea La linea de carga de ca, bajo condiciones de méxima excursién, se encuentra de la misma forma que para el cicuito emisor comin. Para méxima excursin, el punto @ se localiza en Flog coerce 00" Rest Rea (Re Rr) + Re Vegq = IoqRea = Ioq(Re || Rx) 127 le100 Capitulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de unién 2.10.1 Andlisis en ca y disefio de amplificadores ES Los procedimientos para andliss y para disefio de amplificadores ES son los mismos ue para amplificadores EC. Los Unicos cambios se dan en las ecuaciones para Res, Rea y la excursién en la tensién de salida. La excursién de salida para el ES estd ada por Vor = 2ig(amplitud maxima) x (Re || Rr) 236) Ejemplo 2.5 } Disefio En el couito dela Agura 2.25), encuéntense los valores de Ry y Ry que pro- poreionen la mixima excursién simétrica en la saliga como se muestra en Ia f ura 2.25(0). Supéngase que se uli un transistor 2N2222 (ase Ap. D para hojas de datos) con una 6 promedio de 100. SOLUCION Rea = Re = 600.2 Rea = Re || Ry = 3000 Pp 00" Fea + Rea 600+ 300 3.3 mA Entonces Vegq = IcoRee = (13.3 x 10°*)(300) = 4 V ‘Figura 2.25 Amplifcador ES pars el eemplo 25. Voc = 12 anna B= 100 1282.10 Amplificador emisor seguidor (colector comin) 101 Para reducir los efectos de las variaciones en 8, se elige Rg =0.1BRz =0.1(100 x 600) = 6k Vop=Vae+Ico (42-+Rs) 8 ‘6000 sons (2 st) <948v De las ecuaciones (2.16) y (2.17), se obtiene a S000 28.5 xn i= TVp/Veo 19.48/10 ~ _ RaVoo _ 6000% 12 _ Ry= Relee . OOF? o7s94n De la ecuacién (2.36), se encuentra =2ca(Re || Rx) = 2(0.0133)(300) = _méxima excursiGn de 98V Ejemplo 2.6 |, Analisis Encuéntrense el punto @ y la excursi6n en la tensién de salida para el circuito de Ia figura 2.25(a) con Ry = 10 Ky Re = 20k. SOLUCION Utilizando las ecuaciones (2,14) y (2.15), se obtiene Rp = Ril] R= 6672 RiVeo _ 12010 x 10°) _ eee Risk; 30x10 a De la ecuacién (2.13), se tiene Tog x oR = Vee ___4-07 ©8* Rg]B+Rs — 6670/100+ 600 =4.9 mA La excursin de salida esté dada por excursion de salida = 2/cq(Rz lj Ru) (4.95 x 1079)(300) = 2.98 V 129102 Capitulo 2 Amplificadores con transistors bipolares de unién 5 fctma) Lineas de carga para el sjemplo 26. ee (W) Esto es menor que la méxima excursién de salida posible. Continuando el andlisis, Veeq =Vec ~ IcaRe = 12 — (4.95 x 10°°}600) = 9.03 V Veo = Vero + Ieq(Re || Rt) 9.03 + (4.95 x 10°*)(300) = 10.52 V 10.52 To= Sa = 35.1 mA Las Ifneas de carga para este problema se muestran en la figura 2.26. Ejercicios / D2.13 {Cual es la maxima excursi6n simétrica de tensién para el amplificador de la figura 2.24, donde Voc = 15 V, Ri = 8 kM, R2=2kN, Re =1kN, Ry =1kN, Vap=07V y B=80? Resp: 7.8 V pico a pico © D24 En el ejercicio D2.13, rediséiese el amplificador para la méxima excursion simétrica de tensiGn. {Cudles son los nuevos valores para Ri, Re ¥ Voy»)? Resp. 36.4 kM; 10.3 KM; 10 V pico a pico D215 {Cudl es la eficiencia de conversiGn del amplificador diseftado en el ejercicio D214? Resp 8 % 130 i:Problemas 103 PROBLEMAS: 4 24 Encvéntrese la localizaci6n del punto Q del amplificador mostrado en la figura P2.1, donde se utiliza un transistor npn. SupSngase que Veo = 10 V, Von =1V, Rp = 10K9, Re = 20, Re = 100 2, 8 = 100, Toso = 0 )-y Veg =0.7 V, ;Cudl es la nueva posicién del punto Q si Rp = 1k? # 2.2 Eneuéntrese. Ia localizacién del punto Q del amplificador mostrado en la figura P2.1 si se utiliza un trinsistor pnp y Voc = -12 V, Vap = -1V, Rp = 10k, Ro =1kM, Re = 100, 6 = 100y Vez = ~0.7 V. {Cua es 1a nueva posicién del punto Q si el valor de Rp se cambia a 1k? Figura P22 Figuea P22 23 Bneuéntrense los valores de Ry y Ry necesarios para colocar el punto Q del cireuito de la figura P2.2(a) en el centro de la linea de carga de od. Supéngase que Voc = -25 V, Ro =2kR y Re =1 KM, y que B tiene los siguientes valores a. B=150 100 / 2d Encuéntrese le méxima excursién pico a pico de ic en el circuito de la figura P2.2(0). Supéngase que Ry = 1 kM, Rr = 7 KO, Voc = 24 V, Reo = DKA, Re = 400 0 y B = 100, Dibjese la linea de carga de od. 2.8 Repftase 1 problema 24 si el valor de Re cambia a 10 kM y los demés valores permanecen iguales. E / 2.6 Con el circuito del problema 2.5, encuéntrense los valores de Ry y Ry que proporcionen la méxima excursiGn pico a pico posible de ic. Dibijese Ia linea de carga. 2.7 Para el amplificador del problema 2.5, calcilese lo siguiente a. Potencia stiministrada por la batert ». Potencia disipada por Ri, Ro, Re y Re. c. Potencia disipada por la unin de colector.. 131104 Capitulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de unién © 28 Para el amplificador del problema 2.6, caleilese lo siguiente: a. Potencia suministrada por la baterfa. b. Potencia disipada por Ri, Ra, Re y Ro. ¢. Potencia disipada por la unin de colector. Compérense las respuestas con las del problema 2.7. 2.9 Para el amplificador de la figura P2.2(b), donde Ry = 3%, Ry = 20k, Re =1k2, Re = 2002, 6 = 100 y Veo = 20 V, encuéntrese la posicién ‘del punto Q. El transistor se reemplaza por oto con diferente 2. Encuéntrese el valor minimo requeride de f para que Jeg no cambie més del 10%. * 2.10 Utilicese el amplificador de la figura P2.3, Encuéntrense los valores de Fi y Re para obtener Jeg = 10 mA. b. Encuéntrense la excursin simétrica en la salida para los resistores de la parte (a). «. Dibjense las lineas de carga de ca y ed. 4. Dibsjense las formas de onda de ic y vee. nov nv Figura P23 1241 Utilicese el amplificador de la figura P2.3. 1a, Encugntrense los valores de Ri y Re para Jog = 30 mA. ». Encuéntrense la excursién simétrica en la salida utlizando los valores de Ja parte (@. ¢. Dibdjense las lineas de carga de ca y ed. ___ @, Dibijense tas formas de onda de ic y vor. | 2.12 Utiticese el amplificador de la figura P23. a. Encuéntrense los valores de Ri y Ra para lograr méxima excursién simé- ttica. ». Determinese el valor de la mxima excursién simétrica obtenida en la parte (a). «. Dibijense las lineas de carga de ca y cd, 4. Bosquejense las formas de onda para ic y vos. So 132Y aa3 a44 { 2as Y 246 -2Vv Problemas 105 Utilicese el amplificador de Ia figura P24. a. Encuéntrense los valores de R, y R para Ic, b. Encuéntrense la excursién simétrca en la tensin de salida para los valores de la pane (a). ¢. Dibijense las lineas de carga de ca y ed. 4. Determinense Ja potencia disipada por el transistor y la potencia disipada por Rr. Utilicese el amplificador mostrado en la figura P2.4. a. Encuéntrense los valores de Ry y Ra pata log = 4 mA. bb, Encuéntrese la excursiGn simétrica en la tensi6n de salida para los valores de la parte (a). c, Dibijedse las Iineas de carga de ca y ed. 4. Determinense la potencia disipada por el transistor y la potencia disipada por Rr. Utilfcese el amplificador de la figura P24. a. Encuéntrense los valores dé Ry y Re necesarios para lograr m&xima ex- ccursién simétrica b. Determinese Ja excursi6n simétrica en la tensién de salida para los valores de la parte (@). ¢. Dibijense las lineas de carga de ca y cd. 4. Determfnense la potencia disipada por el transistor y 1a potencia disipada por Ry. Determinese el valor de Re para méxima excursiGn simétrica en la salida para el circuito de la figura P2.5. Supéngase que se utiliza un transistor pnp. Dibijense las Iineas de carga de ca y cd. {Cudl es el valot pico a pico de la ‘méxima tensi6n simétrica en la salida? ed 4H Figura F26 133,106 Capitulo 2 Amplificadores con iransistores bipolares de unién V 2.7 Seleccionense Jog y Vegg para méxima excursién simétrica en la tensin de salida para el circuito de la figura P2.6. 4. Determinense los valores de Ri y Rz con el fin de conseguir este punto : de operacién. >. Encuéntrese la méxima excursién simética en la tensién de salida, . Determinense la potencia disipada por el transistor y la potencia entregada a la carga ¥ 2.18 Utlfcese el circuito de la figura P2.7. a, Encuéntrense [eg y Vora. ». Determinese si el amplificador es estable para grandes cambios en 8. Puede suponerse que i se encuentra en el intervalo 150 < f < 250. «. Dibijense las lineas de carga, 4. Determinese la excursin simétrica en la tensiGn de salida, aay Figura P28 1249 Usilicese el circuito de la figura P2.8. ; a. Encvéntrense los valores de Ri y Ro si log =6 mA. | '. Dibijense ls lineas de carga de ca y ed 5 ¢. Determinese la excursion simétrica en la tensién de salida, 4. Encuéntrense la potencia disipada por el transistor y la potencia entregada a la carga. Uiilfese el circuto de la figura P2.8 a, Encuéntrense los valores de Ri y Ra si Io ». Dibijense las ineas de carga de ca y ed. ¢. Determinese la excursién siméirica en la tensin de salida, 4, Encuéntrense la potencia disipada por el transistor y la potencia entregada ala carga. 1221 Usilicese el cieuito de la figura P2.8. a Eneuéhtrense los valores de Ry y Ry necesarios para conseguir la méxima cexcursin simétrica posible. x ». Dibijense las lineas de carga de ca y od. 10 ma. 134Figura P29 v2.22 223 224 2.28 ¥ 2.26 Problemas 107 cc. Determinese ta méxima excursién simétrica en la tensién de salida. 4. Encuéntrese la potencia disipada por el transistor y la potencia entregada ala carga, Utilicese et amplificador emisor seguidor de la figura P2.9. a. Determinense los valores de Vozg € Ica. », Determinese la excursién en la tensiGn de salida. c. Encugntrense la potencia entregada ala carga y laestimacién de la potencia requerida por el transistor. Figura P2.10 Utiicese el amplificador emisor seguidor mostrado en la figura P2.10. a. Determfnense los valores de Voeg € Ica: b. Dibujense las lineas de carga de ca y cd. c. Determinese el valor de la excursi6n simétrica en la tension de salida, 4. Al resistor de 1k se le coloca un capacitor en paralelo. Describa los cambios que ocurren en la operacién del circuito. Determ{nese la méxima excursiGn simétrica en la tensiGn de salida para el cir- ccuito de Ia figura P2.10 seleccionando nuevos valores para Ri y Ra. Cudles son los valores para estos resistores? Dibdjense las nuevas lineas de carga. Al resistor Re se le coloca un capacitor en paralelo en el circuito de la figura P2.10. Determinese la maxima excursién simétrica en la tensién de salida seleccionando nuevos valores para Ri y Rs. {Cusles son los valo- Fes de estos resistores? Encuéntrense 1a potencia entregada a la carga y la estimacién de potencia necesaria det transistor. Seleccionando nuevos valores para Ry y Ra, determinese la méxima excursién simétrica en la tensiGn de salida para el circuit de la figura P2.8 si el resistor de carga se reduce a 500 . Encuéntrense la potencia entregada a la carga y la estimacién de potencia del transistor. 135108 Capitulo 2. Amplificadores con transistores bipolares de unin PROBLEMAS ADICIONALES PA21 Encuentre la méxima amplitad pico a pico de ic en el circuito de la figura PA2.1. Suponga que Voc = 24V, Ro = 2k9, Re = 4002 y B= 100. Dibuje Ia Iinea de carga en od cuando a. Ry=1kQ; R= 7 kk 1 RQ Rp = 35 kD cc. Rp=1 KO; Rp =3 KO PA2.2 Encuentre la excursién simétrica pico a pico de ic en el circuito de la figura PA2.2 cuando Ry = 5 kM, Ry = 50k, Veo = 12 V, Vaz = 0.7 V, Re =300 9, 6 = 200 y Ro = Rr =5 k0. Vee RE Re . cue cue I oi . Rg ke R Figura PAD Figura PA22 = PA23 Con el circuito del problema 2.2, encuentre los valores de Ri y Ro que proporcionen la méxima excursién pico # pico posible en ic. Difbyje las lineas de carga. PA24 Para el amplificador del problema 2.2, calcule lo siguiente: i a La potencia suministrada por la baterta b. La potencia disipada por las resistencias Rj, Ra, Re y Re. { ¢. La potencia disipada por la unién del colector. PA2S Para el amplificador del problema 23, calcule lo siguiente: a. La potencia suministrada por la bater ». La potencia disipada por las resistencias Ri, Ra, Re y Ro. ; . La potencia disipada por la unién del colector. Compare sus respuestas con las del problema 2.4 'PA26 Para el amplificador de la figura PA2.2, Ry = 3 kM, Ry = 20 kM, Ro = Ry = 1k2, Re = 200 2, 8 = 100 y Voo = 20 V, encuentre la posicién {el punto Q. El transistor se reemplaza con otro de f distinta, Encuentre ! el valor minimo de 6 para que Teg no cambie mis del 10% 136Problemas adicionales 109 ~ PAZ Se aplica una fuente de tensin directamente ala base de un transistor npn ‘como se muestra en la figura PA2.3. La resistencia interna de la fuente Se ‘muestra como Rj. Determine Jeg, Vorg y Vo cuando la entrada de ca es cero, (Suponga que 8 = 100 y Veg = 0.7 V.) o3v “sv — 12k ska. Coe skag 2k 500.0 | sv Figura PAZ3 Figura PAZ PA28 En el problema anterior, ;qué valor de resistor ser necesario afadir a la resistencia de la fuente para que la salida del circuito sea 3 V cuando n=O? ~PA2.9 Analice el circuito mostrado en la figura PA2.4 y determine lo siguiente (suponga que Vag = 0.7 V y B = 100}: Tea y Vera: b. La excursiGn simétrica ala sada, ¢. La potencia suministrada por la bari @. La potencia de salida en ca, . Las lineas de carga para el amplificader. “PA2.10 Disefie un amplificador emisor comin utilizando el circuito mostrado en Jn figura PA2.5 para obtener la méxima excursin simétrica en Ia tensi6n de sada. El disedo debe tener una polarizacién estable en ed. (Utlice Vg = -0.6 V y B= 200.) Determine: a. Joa ¥ Vora: b. Riy Re. ¢. Méxima excursin simitica en la tensin de salida @ La estimacién en la potencia del transistor requerido. e. La potencia de sada en ca. 'PA2-11 Disefe un ampliicador emisor comtn estable ala polaizaci6n uilizando €lcircuito mostrado en la figura PA2.6 para obtener una tensin de salida de 1 V cero a pico. (Suponga Vpg = 0.7 V y 8 = 200) Este amplificador utilizar la minima potencia de Ia bateréa. Determine: 137-—— 110 Capitulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de unién Figura PA2S cuando f = 200 y Vag =0.7 V: . To9 ¥ VeEo: b. La excursion simética de a salida. ¢. La potencia suministrada por la baer. 4 e La potencia de salida en ca. -gv sey rn 2a aka : Coe cue coe | FS : a or t—k 5 a rag . - won E> 5 R, L Ll 2o0 jong. kee ~ t -éy o6v Figura PAD a Icg y Vera. b. Riy Ra. PA2.12 Diseie un amplfcador emisor seguidorutilizando un transistor npn. con réxima excursin simétrca de salida para las siguientes especificaciones Rg = 250 2 Voc = 12V, Re = Ry = 8.9, Vaz = 0.7V y 8 = 200. ‘También, determine P,(ca), la potencia suministrada por la baterfa, y la > Hy A By >> ty ts seu09 somo yy ao yt “4 Y oat PY “apr09 sti 0g om it ow yy 1 _ Ryle >>! 9s ‘seu09 seus | pee = Pit (Cap epenise e1ap epuany.| _(1¥) a19EH09 op eDuEUED, we op SeuojesnGyu09 seiueveyp Sb) ENE SeINWNOI LE EIGeL Caeeyned 1472 § 4 gu dy vr § oy : s stKkle Le g Mad a upios seq § ‘oynane 0109 99 Sy 420 = § a E 5 2 i. we 3 sem + j 2 § 8 fon gy a a = pans passer a & cna wa (29) ws creme oR mH oa ba naa ide ep SouoppeINByUOD SejUBLeNp Se BEd SeqUojeANDe SOUND) z'E BIGEL snyedes uo> 120Figura 33 (Canfiguacion EC. 3.3.2. Ganancia de ten: 3.3 Parémetros enEC 121 () Modelo en ca Bi, Red BR Re (e) Entrada y sada separadas La ecuacién (3.10) es Ia forma larga de la ecuacién y requiere s6lo una aproxi- rmacién, esto es, 8 > 1. La ecuacién (3.11) esté en forma corta porque requiere axis sions de ae Re < ‘

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