Kelompok 3 :

1. Shabrina Hayu Adhani

2. Rizki Dwi Herdianti
3. Suwastika Wijayanti

(24040113120015)
(24040113120020)
(24040113140070)

Sintesis Lapisan Tipis ZnO dengan Metode Deposisi Magnetron Sputtering

I.

Peendahuluan
Zinc Oxide (ZnO) merupakan semikonduktor dengan sturktur wurzite yang
memiliki energi gap 3,2 eV pada suhu ruang dan 3.44eV pada suhu 4K. Lapisan
tipis ZnO memiliki karakterisk yang unik karena memiliki ikatan kuat antara
molekulnya, memiiki kualitas optic yang baik, stabilitas ekstrem dan sifat
pzoeoelectric yang baik., hal ini menyebabkan ZnO bamyak dipelajari dari berbagai
bidang dan memiliki kemampuan potensial untuk dikembangkan dalam berbagai
macam teknologi. Seperti lapisan konduksi tranparan (elektroda) pada divais dan sel
surya, light emitor diode (LED) dan diode laser.Keuntungan yang lain yang didapat
ialah ZnO di bandingkan dengan material lain lebih murah dan menjadi potensi tinggi
pada aplikasi industry.
Berbagai macam teknik telah digunakan dalam fabrikasi lapisan tips ZnO,
seperti CVD, sol-gel, spraypyrolysis, molecular beam epixaty , pulsed laser
diposition, vacuum air deposition dan magnetron sputtering. Pada penelitian ini
metode deposisi yang digunakan adalah magnetron sputtering.

II.

Magnetron Sputtering
Magnetron sputtering adalah salah satu metode deposisi PVD yang merupakan
proses pelapisan menggunakan plasma dimana, material yang tersputter keluar akibat
dari tembakan ion-ion plasma pada permukaan target. Ruang vakum pada mesin
pelapisan PVD terisi oleh gas-gas inert dengan tegangan tinggi, kemudian terbentuk
sinar yang menghasilkan percepatan ion-ion pada permukaan target dan pelapisan
plasma, ion-ion gas inert akan melepas materi yang tersputter.
Perbedaan magnetron sputtering dengan teknologi sputtering yang lain adalah
pada magnetron sputtering menggunakan medan magnet untuk menjaga bahwa
plasma berada didepan target dan secara intensif menembakan ion-ion.

III.

IV.

Eksperimen
Substrat yang digunakan untuk deposisi adalah kaca preparat dengan dimensi
12mm x10mm X1 mm yang dibersihkan secara ultrasonic menggunakan aseton dan di
bilas dengan alcohol dan dikeringkan pada suhu kamar. Tekanan pada ruang vakum
yang bekerja adalah 2 x 10-6 Torr. Pada frekuensi radio (rf) terjadi selama 1.5 jam.
Setelah itu argon atau campuran argon dengan oksigen bertemu. Sputtering ini bekerja
pada power dc dengan aliran arus 0.25 A atau pada (rf) power ysng digunakan
125/250 W untuk deposisi langsung dari target. Selama proses deposisi substrat di
puter secara rotasi dengan kecepatan 3rpm.
Struktur permukaan dan morfologi melintang dan lapisan tipis diamati dengan
FEG-SEM (Philips XL-30S) dan fase karakterisasi oleh X-ray diffractometer (Bruker
D8) menggunakan radiasi Cu K.
Hasil Eksperimen
4.1 Mikrostruktur
4.1.1 Sputtering deposition dari target ZnO
Untuk deposisi dengan sputtering secara langsung dari target ZnO
dengan sumber dc, morfologi permukaan menunjukkan bahwa dengan
tekanan Ar yang rendah (2.0mTorr) permukaan pada lapisan tidak datar
namun menunjukkan terbentuknya pulau-pulau oksida pada cluster yang
lebih kecil. Jumlah pulau oksida ini akan semakin mengecil dengan
peningkatan tekanan, ukuran cluster juga meningkat. Dengan tekanan yang
bekerja pada Ar 10.00mTorr, permukaan menjadi datar dan rata tanpa pulaipulau. Pada saat tekanan pada Ar dinaikkan terus menerus, ukuran bulir
tidak berubah banyak tetapi pinggiran bulir tersebut menjadi lebih tumpul.
( Gbr a & b)

Lapisan tipis ZnO dengan rf sputtering menunjukkan hasil yang mirip,

semakin tinggi tingkat tekanan maka akan semakin rata permukaan yang
dihasilkan. Perbedaan dengan dc sputtering, rf sputtering menghasilkan
cluster-cluster yang lebih beasar namun dengan ukuran bulir yang lebih
kecil didalam. (Gbr c)

4.1.2

Reactive sputteringdeposisi dari target Zn

Deposisi ractive magnetron sputtering pertama kali dilakukan dengan
dc power. Pada tekanan paling rendah, lapisan yang terbentuk tidak
uniform; pulau besar (~150-250nm) terbentuk diantara pulau kecil
(~70nm). Pulau-pulau ini dan clusternya terbentuk dari bulir-bulir yang
lebih kecil (~10-25nm), dengan membentuk struktur berpori ketika diamati
dari potongan melintang. Dengan peningkatan tekanan parsial oksigen
(pO2) menjadi 1mTorr, ukuran bulir rata-rata meningkat menjadi ~29nm,
dan pulau besar menjadi hilang. Ketika total semua tekanan termasuk
oksigen ditingkatkan terus menerus, lapisan yang terbentuk dari bulir-bulir
ukuran ~53nm terbentuk. Morfologi potongan melintang menunjukkan
perbedaan yang lebih pada struktur coloum dimana kekosongan masih
terlihat. Bias negative muncul akibat dari efek morfologi. Untuk
perbandingan, deposisi menggunakan -50V, deposisi dengan bias -150V
menunjukkan hasil yang lebih uniform dan lapisan yang lebih padat,
terbentuk dari bulir-bulir dengan ukuran rata-rata ~24nm.
Lembaran kecil Al diletakkan pada target Zn untuk deposisi lapisan
tipis Al-doped ZnO (~2at.%Al). Perbandingan dengan lapisan yang tidak
menggunakan dopping, lapisan yang di doping dengan Al terlihat
membentuk lapisan yang lebih uniform dengan ukuran bulir yang lebih
kecil. Secara umum, potongan melintang pada lapisan ini menunjukkan
bahwa bulir-bulir tersebut membentuk sturktur coloum yang berbeda
dengan ZnO tanpa Al doping. (gbr d-f)

Semua lapisan menunjukkan bahwa pada (0 0 2) terlihat puncak

dengan intensitas yang rendah, dan lapisan dengan doping Al intensitas
(0 0 2)nya menurun pada suduttertentu. (Gb 2)

Dengan reactive magnetron sputtering menggunakan rf, dapat

diamati bahwa bias negative yang digunakan memiliki peran tertentu yang
menunjukkan keseragaman dan kepadatan dari lapisan. Lapisan dengan bias
-50 V lebih seragam daripada yang lain, sementara itu lapisan dengan bias
-100V menunjukkan hasil struktur yang paling padat diantara sampel yang
lain. Telah diketahui bahwa peningkatan tegangan bias data meningkatkan
energy rata-rata yang digunakan ion-ion untuk menumbuhkan lapisan, oleh

karenanya terjadi peningkatan mobilitas adatom pada permukaan. Lapisan

ZnO yang tidak terdoping menunjukkan hasil ukuran bulir yang regular, hal
ini mengindikasi bahwa doping Al dapat member pengaruh buruk pada
penumbuhan kristal. Pengurangan jarak antara substrat dengan target tidak
mengubah ukuran bulir yang signifikan, tetapi mengarah pada pembentukan
cluster-cluster kecil dimana berisi bulir-bulir dengan ukuran kecil. Potongan
melintangnya menunjukkan bahwa lapisan tipis ini memiliki sturktur
coloum dengan penuruan jumlah pori-pori atau lubang uang sangat
signifikan/ ada eksitasi rf, orientasi (0 0 2) terpenuhi pada semua sampel.
V.

Kesimpulan
Lapisan tipis ZnO di deposisikan pada substrat kaca dengan proses sputtering
langsung atau reactive menggunakan dc atau rf power. Deposisi sputtering secara
langsung dari target oksida sangat dipengaruhi oleh level tekanan pada chamber yang
digunakan. Tekanan yang tinggi menghasilkan lapisan yang halus dan fitur morfologi
yang regular. Deposisi dengan reactive sputtering sangat bergantung pada tekanan
pasial oksigen dan tekanan total. Tekanan yang tinggi menyebabkan pembentukkan
lapisam dengan ukuran bulir yang besar dan kualitas kristal yang bagus. Lapisan ZnO
dengan deposisi menggunakan rf powe pada umumnya lebuh bagus daripada lapisan
yang dibentik dari deposisi dengan dc power.
VI.

Daftar Pustaka
K.B. Sundaram, A.Khan, Characterization and Optimization of Zinc Oxide films by
r.f. Magnetrin Sputtering. Thin Solid Films 295 (1997): 87-91.
W. Gao, Z.W. Li, ZnO Thin Films Produced by Magnetron Sputtering. Ceramics
International 30 (2004): 1155-1159.