7.

TRANZISTORI
Tranzistori su aktivni poluvodiki elementi, u pravilu s tri elektrode, a preteito se
upotrebljavaju kao pojaala ili elektronike sklopke. Njegov naziv dolazi od Transfer
Resistor (prijenosni otpornik), a moe biti bipolaran ako korisnu struju kroz njega
ine i manjinski i veinski nositelji naboja ili unipolaran ako je struja posljedica
djelovanja veinskih nosilaca.
Bipolarni tranzistori nazivaju se jo i spojni (eng. junction), a mogu biti PNP ili
NPN tipa.
Unipolarni tranzistori jo se nazivaju i tranzistori s efektom polja (eng. Field Effect
Transistor), a postoje dva osnovna kontrukcijska oblika: spojni tranzistori s efektom
polja (Junction Field Effect Tranzistor) i metal oksidni poluvodiki tranzistor s
efektom polja (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Tranzistor) ili skraeno FET i
MOSFET.
Bipolarni i unipolarni tranzistori imaju slinu temeljnu poluvodiku strukturu, ali
su bitno razliiti u nainu upravljanja izlaznom strujom.
7.1. Unipolarni tranzistori
Kod unipolarnih tranzistora, izlazna struja je struja veinskih nosilaca koja nastaje
uz zanemarivo malo djelovanje manjinskih nosilaca. Oni se lake proizvode od
bipolarnih tranzistora i zauzimaju malo prostora kada se proizvode u tehnici
integriranih krugova. Imaju vrlo veliku ulaznu impedanciju, tako da ih se moe
usporediti s elektronikim cijevima. Unipolarni tranzistor kao i elektronika cijev je
naponski upravljiv elektroniki element, to je velika prednost prema bipolarnom
tranzistoru koji je strujno upravljivi element.
7.1.1. Spojni tranzistor s efektom polja
Spojni tranzistori s efektom polja se proizvode: s kanalom N tipa i s kanalom P
tipa. Pojednostavljena struktura FET-a s kanalom N tipa prikazana je slikom 179.

Slika 179. Pojednostavljena struktura spojnog tranzistora s efektom polja

Komadi materijala N tipa koji predstavlja kanal, ima oblik tapa, iji krajevi se
nazivaju izvod ili ponor (eng. drain) i izvor (eng. source). Na drugim stranama kanala
1

oformljena su podruja P tipa, meusobno povezana i jako dopirana (P+) koja s manje
dopiranim (N) kanalom ine PN spoj, a cijelo to podruje naziva se upravljaka
elektroda (end. gate). Ukoliko se na krajeve kanala sa slobodnim prikljukom
upravljake elektrode, dovede napon UDD, tada e kroz njega potei struja veinskih
nosilaca - elektrona. Jakost ove struje odreena je Ohmovim zakonom, odnosno
naponom UDS i otporom kanala. Izvor (S) je kraj kroz koji veinski nosioci ulaze u
kanal, ponor (D) je onaj kraj kroz koji veinski nosioci izlaze iz kanala. Podruja
upravljakih elektroda mogu se dobiti legiranjem, difuzijom ili nekom drugim
postupkom, a jedan tip konstrukcije FET-a dobiven procesom difuzije prikazan je
slikom 180.
Proces zapoinje s podlogom P tipa, na kojoj se difuzijom donorskih primjesa
oformi kanal N tipa. Tada se difuzijom primjesa P tipa (akceptorskih primjesa) na N
kanalu oformi jedna strana upravljake elektrode, dok drugu stranu predstavlja
podloga. Na kraju se nanosi metal za mjesta prikljuaka.

KA
ONI

Slika 180. Konstrukcija FET-a dobiven procesom difuzije

Ako se na upravljaku elektrodu (G) prikljui negativan potencijal u odnosu na
potencijal izvoda (S), osiromaeni slojevi PN spojeva se proire jer su PN spojevi
polarizirani u inverznom smjeru, i to vie u podruju kanala, a manje u podruju
upravljake elektrode zbog razliitih koncentracija primjesa (slika 179). Iz osiromaenog
sloja strujni nosioci su difundirali preko spoja, ostavljajui pozitivne ione na N strani i
negativne ione na P strani. Ukoliko se taj inverzni napon povea, poveati e se i debljina
osiromaenog podruja kanala, to znai, da e se poveanjem inverznog napona izmeu
upravljake elektrode i izvora smanjiti vodljiva irina kanala, zbog ega e porasti otpor
kanala, odnosno opasti e struja kanala pri konstantnom naponu na krajevima kanala.
Doda li se potroa u seriju s naponom UDD prema izvodu (D), promjena struje ID
dovodi do pada napona na potroau, tako da uz malu promjenu napona na
upravljakoj elektrodi dolazi do velike promjene izlazne struje. Za odreenu
vrijednost inverznog napona UGS kanal cijelom svojom irinom postaje nevodljiv i
struja kroz njega je tada jednaka nuli.
Sam naziv efekt polja dolazi iz injenice da su osiromaena podruja u kanalu
rezultat djelovanja elektrinog polja na inverzno polariziranim PN spojevima
upravljaka elektroda (G) - kanal. Naziv unipolarni, vidi se, dolazi zbog toga to
struju izvoda ini samo jedan tip nosilaca naboja - elektrona kod N-kanalnog FET-a,
odnosno upljina kod P-kanalnog.

LEKTR

7.1.2. Karakteristika FET-a N tipa

Na ponaanje spojnog tranzistora s efektom polja bitno djeluje osiromaeni sloj PN
spoja. Njegov utjecaj najbolje se moe pokazati ako se promatra karakteristika
IDS=f(UDS) kada je UGS=0, kako je to prikazano slikom 181.

A
NIK
Slika 181. Prikaz osiromaenog sloja pri UGS=0 i funkcija ID=f(UDS)
Kako kanal ima odreeni otpor, struja ID stvara na njemu pad napona, koji ovisi o
jakosti ove struje. Napon izmeu upravljake elektrode (G) i neke toke na kanalu,
nee biti konstantan du kanala zbog razlike pada napona na dijelu otpora izvora (S)
do promatrane toke. To e dovesti do razliitog irenja osiromaenog sloja du
kanala, a najiri je u podruju prikljuka izvoda (D), jer su na tom dijelu PN spojevi
najvie inverzno polarizirani.
Ako se spoje upravljaka elektroda i izvor (slika 181) i za razliite napone UDS
mjeri struja ID, tada se dobivenim vrijednostima moe nacrtati krivulja prikazana na
istoj slici.. Kada je UDS=0 i ID=0, du kanala nema pada napona, tako da je i napon
izmeu svake toke na kanalu i izvora (S) jednak nuli. U podruju napona UDS=0 do
nakog napona manjeg od UP, porast struje je priblino linearan. Daljnjim porastom
napona UDS nastaje znatno proirenje osiromaenog sloja, koje dovodi do znatne
promjene otpora kanala, pa se kod napona UP dolazi do struje zasienja IDSS. Daljnjim
poveanjem napona UDS dolazi do neznatnog poveanja struje ID. Kada se postigne
struja zasienja, oblik osiromaenih slojeva je takav da eli zatvoriti ili prekinuti
kanal, pa se napon kod kojeg se to dogaa naziva napon prekida ili dodira (eng.
pinch off voltage) ili Vp. Podruje karakteristike izmeu UDS=0 i UDS=UP naziva se
triodno podruje, jer je ovaj dio slian karakteristici elektronike cijevi - triode.
Daljnjim poveanjem napona UDS dolazi do proboja, pri emu e se tranzistor

EKTRO

najvjerojatnije unititi, tako da je normalni rad tranzistora s efektom polja u podruju

zasienja.
Ako se izmeu upravljake elektrode i izvora prikljui napon UGS tako da jo vie
inverzno polarizira PN spojeve, onda i pri naponu U DS=0 postoji osiromaeno
podruje u kanalu ija irina ovisi o naponu U GS. Tako se u odnosu na U GS=0 u
podruju malih napona, od UDS=0 kanal ima vei otpor, pa krivulja ID=f(UDS) u tom
podruju ima manji nagib. Nia struja zasienja se postie na niim vrijednostima
napona UDS, tako da se uz razliite napone UGS dobiva skup krivulja prikazan slikom
182, koji se naziva izlazna karakteristika tranzistora.

K
ONI

Slika 182. Skup krivulja ID=f(UDS) pri UGS=const. za FET

Sa slike je vidljivo da se napon UP smanjuje ako se poveava inverzna polarizacija
PN spojeva izmeu upravljake elektrode i kanala. Ukoliko se mjeri ID uz konstanatan
UDS i promijenjiv UGS dobiva se prijenosna karakteristika FET-a, koja je prikazana
slikom 183.

LEKTR
Slika 183. Prijenosna karakteristika FET-a ID=f(UGS) uz UDS=const.
Osim ve opisanog N kanalnog FET-a postoji i P kanalni, kod kojeg je kanal P tipa, a
upravljake elektrode su N tipa. Princip rada obje vrste je jednak, uz osnovnu razliku u

smjeru napona za postizanje inverznog napona PN spoja upravljaka elektroda - kanal.

Simboli oba tipa FET-a prikazani su slikom 184.

N kanalni FET P kanalni FET

Slika 184. Grafiki simboli za spojni tranzistor s efektom polja
Prijenosna karakteristika FET-a priblino se moe prikazati
jednadbom:
2
U GS

I I

UP

Iz nagiba prijenosne karakteristike moe se odrediti parametar gm tranzistora, koji

se kao i kod elektronikih cijevi naziva strmina. Kako se nagib prijenosne
karakteristike mijenja s promjenom napona UGS, tako i strmina gm ovisi o toci na
karakteristici na koju se odnosi. Vrijednost gm daje proizvoa tranzistora u sklopu
tehnikih podataka, a eksperimentalno se moe odrediti pomou izraza:
promjena I D
I D
, a
U
GS U DS const.
gm
,
kada
je
napon
U
konstantan,
ili
g

DS
m
promjena GS
U
izraava se u S ili mA/V.
Drugi parametar tranzistora, znaajan za izmjenini signal je otpor izvoda rd, a
definira se:
promjena U DS
r
, kada je napon UGS konstantan, ili r U
DS
..

d
d
UGS const
I
D
promjena I D
D

DSS

7.1.3. Ekvivalentna shema tranzistora za mali signal

U GS

Ako se izraz za prijenosnu karakteristiku I I

dI

U GS
I DSS 1

2
dU GS
UP

IDSS dobije se:

2I

I
I

D
D

U GS

U P

DSS

U GS

1
U

derivira, dobiva se:

UP

i ako se obje strane pomnoe s

UP

iz ega slijedi da je:

g

, pa je:
DSS

UP
UP
uDS
u
, koji se moe prikazati ekvivalentnom shemom kao na slici 185.
GS
rd

DSS

i g

DSS

DSS

Slika 185. Ekvivalentna shema FET-a za mali signal

7.1.4. Struktura i karakteristika MOS tranzistora s efektom polja (MOSFET)

Osim naziva Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) moe
se nai naziv tranzistor s efektom polja s izoliranom upravljakom elektrodom, a
proizvode se u dva podtipa: s kanalom N tipa i s kanalom P tipa. Struktura MOSFETa prikazana je slikom 186, gdje su na podlozi od visokootpornog poluvodikog
materijala P tipa (Si) difuzijom oformljena dva podruja od jako dopiranog materijala
N tipa.

Slika 186. Struktura MOSFET-a s kanalom N tipa

Jedno podruje predstavlja izvod (D), a drugo izvor (S), a cijela povrina je
prekrivena slojem silicijevog dioksida, na kojem su napravljeni otvori prema N
podruju i oformljeni metalni prikljuci za izvod i izvor. Na povrini izmeu podruja
izvoda i izvora postavlja se metal koji predstavlja upravljaku elektrodu (G). Ovo
doarava tzv. sendvi strukturu: metal-oksid-poluvodi, odakle i naziv MOS
tranzistor. Na slici 186 prikazana je struktura MOS tranzistora s efektom polja s
kanalom N tipa. U normalnom radu napon izmeu izvoda (D) i izvora (S) prikljuen
je tako da pozitivan pol doe na prikljuak izvoda, pa ako je pri tome prikljuak
upravljake elektrode (G) slobodan, dva N podruja i zajednika podloga P tipa
predstavljaju dvije PN diode (suprotno orjentirane) izmeu kojih je serijski vezan
otpornik. Kako oba spoja ne mogu biti propusno polarizirana, tako se cijeli spoj
ponaa kao veliki otpor izmeu izvoda i izvora. Ako se podloga P tipa povee na
prikljuak izvora (S) na PN spoju izvor-podloga nema napona, a PN spoj izvodpodloga ostaje inverzno polariziran. Dovoenjem napona na upravljaku elektrodu s
pozitivnim potencijalom u odnosu na izvor (S), u podlozi se stvaraju negativni nosioci
naboja - elektroni, koji za podlogu P tipa predstavljaju manjinske nosioce. Oni e biti
privueni na metalnu plou, koja je na pozitivnom potencijalu, ali na nju ne mogu stii
jer se izmeu ploe i podloge nalazi izolirajui oksid, tako da se oni skupljaju ispod
ploe u podruju izmeu izvoda i izvora, stvarajui na taj nain kanal N tipa kako je
to prikazano slikom 187. Jakost struje izvoda (D) je to vea to je vei broj nosilaca
stvorenih naboja na strani upravljake elektrode, a vei pozitivni potencijal na njoj
stvara vei broj nosilaca naboja. Potencijalom na upravljakoj elektrodi je tako
mogue upravljati strujom izvoda (D).

Slika 187. Nastajanje kanala N tipa prikljukom potencijala na MOSFET

Za napon UGS=0 i struja ID=0, a uz pozitivniji potencijal na upravljakoj elektrodi i
vodljivost kanala je vea. Zbog toga to je upravljaka elektroda izolirana od kanala,
12
14
ulazni otpor tranzistora je vrlo velik i iznosi oko 10 do 10 Ohma. Tako se moe
pokazati da je izlazna struja praktiki upravljana bez ulazne struje u ulaznom krugu
tranzistora..
Drugi tip MOSFET-a se dobije ako se tvorniki oformi kanal, neznatnom
difuzijom primjesa istog tipa kao i izvor i izvod. Kod ovog tranzistora za napon
UGS=0 tee znatna struja izvoda IDSS (ako izmeu izvoda i izvora postoji napon), jer
takav kanal ima odreenu vodljivost i bez utjecaja elektrinog polja izmeu
upravljake elektrode i podloge. Izlazne i prijenosne karakteristike ovog tipa
MOSFET-a sline su karakteristikama spojnog FET-a kako je to prikazano slikom
188.

Slika 188. Izlazne i prijenosne karakteristike MOSFET-a s tvorniki izvedenim

kanalom N tipa
Kod MOSFET-a bez tvorniki oformljenog kanala prijenosna karakteristika se
nalazi samo u podruju pozitivnih vrijednosti napona UGS, za tranzistor s kanalom N

tipa, dok se za tranzistor s ugraenim kanalom prijenosna karakteristika nalazi za oba

polariteta napona UGS (slika 188).
Simbol tranzistora s ugraenim kanalom prikazan je slikom 189b, dok je MOSFET
bez ugraenog kanala prikazan slikom 189a.

a) MOSFET bez ugraenog kanala b) MOSFET s ugraenim kanalom

Slika 189. Simboli MOSFET-a
Prijenosna karakteristika MOSFET-a takoer se priblino moe prikazati jednadbom:

I D K / 2U GS U GS 0
gdje je K konstanta MOSFET-a, UGS0 napona praga. Iz nagiba prijenosne
karakteristike moe se odrediti parametar strmina gm tranzistora, kao i otpor izvoda
rd, koji se kao i kod spojnog tranzistora s efektom polja odreuju iz izraza:.
promjena I D
I D
,a
U GS U DS const.
gm
,
kada
je
napon
U
konstantan,
ili
g

DS
m
GS
promjenaUU
promjena
DS
r
, kada je napon UGS konstantan, ili r U
DS
..

d
const
d
U
GS
I
D
promjena I D
2

7.1.5. Pojaalo s unipolarnim tranzistorom

Pojaalo sa spojnim tranzistorom s efektom polja u spoju zajednikog izvora (S)
prikazano je slikom 190.

Slika 190. Pojaalo s FET-om u spoju zajednikog izvora

Iz slike je, po smjeru strelice na simbolu tranzistora, vidljivo da se radi o
tranzistoru s kanalom N tipa. Kada nema ulaznog izmjeninog signala, kroz tranzistor
tee istosmjerna struja ID, a izmeu izvoda i izvora postoji istosmjerni napon UDS.
Istosmjerni napon izmeu upravljake elektrode (G) i izvora (S) UGS jednak je naponu
-UG, ako se zanemari ekstremno mala struja upravljake elektrode. Pad napona na RL
jednak je IDRL, a kondenzator C1 i otpornik RG slue za odvajanje izvora ulaznog
signala od pojaala, isto kao i kondenzator C2 za odvajanje pojaala od potroaa.
Za izlazni krug pojaala vrijedi:

UDS=UDD-IDRL iz ega slijedi: I D UDD

U DS
RL
RL
Ekvivalentni strujni krug za izmjenini signal na ulazu pojaala prikazan je slikom
191, pri emu se koristi ekvivalentna shema tranzistora s efektom polja (slika 185).
Pomou tog ekvivalentnog kruga izvode se izrazi za naponsko pojaanje, ulaznu i
izlaznu impedanciju.

Slika 191. Ekvivalentni strujni krug pojaala s FET-om za izmjenini signal

Uz rd>>RL, to je najei sluaj, naponsko pojaanje je:
Ui
A
I D
gm U u g R
V
m L

R
L
Uu
RL
Uu
Uu
Pri niskim i srednjim frekvencijama izlazna impedancija je:
Z i R L rd rd
Za visoke frekvencije moraju se uzeti u obzir parazitni kapaciteti izmeu elektroda.
Ulazna impedancija pojaala predstavlja paralelan spoj RG i RGS, pa se zbog toga
to je RGS obino puno vee od RG moe ulazna impedancija izraziti:
ZuRG .
ZADATAK 1:
N-kanalni spojni FET u pojaalu na slici 192 ima slijedee parametre: IDSS=8mA,
UP=4V, =200. Odrediti statiku radnu toku i pojaanje AV=uiz/uul te ulazni i izlazni
otpor sklopa.
Zadano je: UDD=50V
Rg=10k
RD=10k
RP=15k
RG=1M RS=500
Da bi odredili statiku radnu toku potrebno je pronai UDSQ, UGSQ, IDQ.
Slijedi: iz izlaznog dijela sklopa: UDSQ=UDD-IDQ(RD+RS)
(1)
iz ulaznog dijela sklopa:
UGSQ+IDRS=-IGRG=0ID=-UGSQ/RS (2)
2
jednadba FET-a:
ID=IDSS(1+UGSQ/UP)
(3)
gdje je:IDSS struja odvoda u podruju zasinja pri naponu UGS=0
UP napon praga.
Struja IG=0 iz razloga to je ulazni
otpor2 FET-a vrlo
velik.
2.
.
Uvrstivi (2) u (3) slijedi: UGSQ IDSS/UP +UGSQ(2 IDSS/UP+1/RS)+IDSS=0
Kao rjeenja ove kvadratne jednadbe po UGS slijede UGSQ1=-10.5V i UGSQ2=-1.5V.
Prema prijenosnoj karakteristici na slici 193 slijedi kao mogue rjeenje za radnu
toku UGSQ=-1.5V.

U DD
RD
CP
CG

IG = 0
UDSQ

Rg

UGSQ
u ul

RP

RG

u iz

RS

ug

R ul

R izl

Slika 192.
Iz (3) slijedi IDQ=8 10 (1+(-1.5)/4) =3mA
.
-3
Iz (1) dobiva se UDSQ=50-3 10 (10000+500)=18.5V
.

-3

I D /mA

I DQ

-4

UGSQ =-1.5

UGS/V

Slika 193. Prijenosna karakteristika n kanalnog spojnog FET-a

Dinamiki parametri se izraunavaju iz podataka u statikoj analizi:
dI D
2I
U
g

(1
) -strmina se dobiva kao parcijalna derivacija
m
DSS
GS
dU GS

UP
UP
struje po naponu u statikoj radnoj toki.
. .
-3 .
gm=2 8 10 /4 (1+(-1.5)/4)=2.5mA/V
.
Relacija gm rd= poznata je kao Barkhausenova relacija i vrijedi kod svih realnih
naponom upravljanih elektronikih elemenata pa tako i kod FET-a, gdje je -faktor
pojaanja, rd-dinamiki otpor.
.
-3
Slijedi rd=/gm=200/2.5 10 =80k.
Nadomjesni sklop FET-a prikazan je na slici 194.

id

G
rd

gmUgs

rd
Uiz

Ugs

Slika 194.

Nadomjesni sklop sa strujnim

Nadomjesni sklop s
naponskim izvorom u izlaznom krugu
izvorom u izlaznom
krugu
Nadomjesni sklop pojaala u reimu malih signala prikazan je na slici 195.
D

id
g m U gs

Rg

rd

G
RD

RP

u iz

S
Ug

RG

u ul

R ul

RS

Slika 195. Nadomjesni sklop

pojaala
.

Naponsko pojaanje AV=uiz/uul=uiz/id id/uul

uiz=-id(RD RP) id=ugs/(RS+rd+(RD RP))
ugs=uul-idRS
id/uul=/((1+)RS+rd+(RD RP))
RD RP
=-6.43
R
AV
D
RP

1
R

r RD RP
S

R R
D

Rul=RG=1M

R iz

Izlazni otpor sklopa odreuje se tako da se odspoji potroa i na njegovo mjesto

umetne idealni naponski izvor, te odredi omjer napona tog izvora i struje koju vue
sklop gledano s izlaznih prikljunica (slika 196).

rd

ugs=-idRS
Riz=u/i=RD (u/id)
u=id(RS+rd)-ugs
u=id(RS+rd)+idRS
Riz=RD ( RS(1+)+rd)=9.5k

u gs
u

RD

RS

Slika 196. Odreivanje izlaznog otpora sklopa

ZADATAK 2:
Odredite statiku radnu toku sklopa na slici 197. MOSFET ima slijedee parametre:
2
K=1.25mA/V , UGS0=1V.
Zadano je: UDD=20V
R1=16k
R2=4.3k
RD=3.5k
RS=500
U DD
R1

RD
I D /mA

IG = 0

UGSQ
R2

I DQ
RS
UGS/V
0 UGS0

Slika
197.

UGSQ

Slika 198. Prijenosna karakteristika

n kanalnog MOSFET-a obogaenog
tipa

UDD

R1
IG=0

IG=0
FET

R2

RGG
UGG

Slika 199. Nadomjetanje ulaznog dijela sklopa po Thevenenu

.

RGG=(R1 R2)=3390
UGG=UDD R2/(R1+R2)=4.23V
Obzirom da je
ulazni otpor FET-a vrlo velik struja IG=0 te vrijedi slijedea relacija:
.
UGG=UGS+ID RS
K
Jednadba MOSFET-a glasi
ID
UGS 0 2 gdje je: K-konstanta MOSFET-a,
GS
U
2
UGS0-napon praga,UGS-napon izmeu kontrolne elektrode i uvoda, ID- struja odvoda.
Za statiku analizu vrijedi:
.
2
.
IDQ=K/2 (UGSQ-UGS0)
UGG=UGSQ+IDQ RS
to nakon uvrtavanja daje UGSQ1=3V i UGSQ2=-4,2V, ali prema prijenosnoj
karakteristici na slici 198 kao rjeenje slijedi UGSQ=3V i IDQ=2.5mA
.
Za izlazni dio sklopa vrijedi
jednadba: UDSQ=UDD-IDQ
.
-3
(RD+RS) UDSQ=20-2.5 10 (3500+500)=10V
ZADATAK 3:
Za JFET u sklopu pojaala sa zajednikim uvodom na slici 200 zadana je izlazna
karakteristika prema slici 201. Odredite vrijednosti otpora RD i RS tako da radna toka
ima slijedee parametre UGSQ=-2V, UDSQ=15V, IDQ=3.5mA. Ucrtajte statiki i
dinamiki radni pravac. Nacrtajte shemu za reim malog signala te odredite
Avg=uiz/ug. Zadano:
UDD=30V
RG=1M
C
Rg=500
=200 gm=2.35mA/V
Na slici je prikazan n kanalni spojni FET.
Iz izlaznog dijela kruga slijedi jednadba statikog radnog pravca:
UDD=UDSQ+IDQ(RD+RS)
(1)
Prema slici 201 toka 1 ima koordinate (0,UDD/RD+RS), toka 2 (UDD,0).

id

U DD

Rg
RD

Ug

RG

RS

CS

Slika 200.
Obzirom da je struja upravljake elektrode priblino nula zbog velikog ulaznog
otpora FET-a slijedi: UGSQ=-IDQRS
(2)
.
-3
Iz jednadbe: (2) RS=UGSQ/IDQ=-(-2)/3.5 10 =572
RD+RS=(UDD-UDSQ)/IDQ=4.3k RD=3728
10.5

UGS = 0V

i
D /mA

8
7

-1V

dinam.r.p.
stati.r.p.

-2V

I DQ = 3.5

-3V
-4V
0

28 2 30

10 UGSQ = 15
20

uDS/V

Slika 201. Radni pravac u polju izlaznih karakteristika

LEKTRO

Da bismo nacrtali nadomjesnu shemu za reim malog signala potrebno je odrediti

.
-3
dinamiki otpor rd=/gm=200/2.35 10 =85k
D
G
id

Rg

Ug

u ul

g m U gs

u /u

Avg=uiz/uul ul
.
uiz=-gmUgs (rd

RG

RD )

uul=Ugs u. iz/uul=-g.m(rd RD)

rd

RD

u iz

uul/ug=RG/(RG+Rg)

Avg=-gm (rd RD) RG/(RG+Rg)=-8,4

7.2. BIPOLARNI TRANZISTORI

Bipolarni tranzistor je sastavljen iz kompaktne cjeline dva PN spoja, tako da se
izmeu dva prijelazna podruja PN spoja nalazi poluvodiki sloj koji je zajedniki za
oba PN spoja. Ako je taj zajedniki sloj od materijala N tipa, radi se o bipolarnom
tranzistoru PNP tipa, a kod NPN tipa taj je sloj iz materijala P tipa, kako je to
prikazano slikom 202.

Slika 202. Struktura i simboli oba tipa bipolarnih tranzistora

Zajedniki sloj naziva se baza (B), a vanjski slojevi emiter (E) i kolektor (C).
Simbol tranzistora PNP tipa je razliit od NPN tipa po smjeru strelice koja se nalazi
na emiterskom kraju. Dogovorom se uzima, da je smjer struje pozitivan kada ona tee
u tranzistor.
Ako na krajevima tranzistora nema prikljuenog napona, sve su struje jednake nuli.
Na PN spojevim oformljuju se energetske barijere kao kod PN dioda, pa ako se
promatra simetrian (iako je u praksi nesimetrian) tranzistor ( podruje emitera i
kolektora identine fizike dimenzije i koncentracije primjesa), onda dvije energetske
barijere imaju iste vrijednosti q0U0, kako je to prikazano slikom 203.

Slika 203. Tranzistor PNP tipa bez polarizacije i energetske razine

Prikljukom napona na tranzistor (slika 204) PN spojevi se polariziraju i to:

emiterski PN spoj u propusnom smjeru, a kolektorski u nepropusnom smjeru.

Slika 204. Normalno polarizirani PNP tranzistor s energetskim razinama

Energetska barijera na emiterskom PN spoju je sniena za q 0UEB, gdje je UEB
napon polarizacije emiterskog spoja u propusnom amjeru, dok e se na kolektorskom
spoju poveati za q0UCB, gdje je UCB napon polarizacije kolektorakog PN spoja u
nepropusnom smjeru. Kako je emiterski PN spoj polariziran u propusnom smjeru,
struja veinskih nosilaca tee preko ovog spoja. Emiter i kolektor sadre upljine kao
veinske nosioce, dok baza N tipa sadri elektrone kao veinske nosioce (slika 205).

Slika 205. Struktura struja u normalno polariziranom PNP tranzistoru

Zbog polarizacije emiterskog PN spoja u propusnom smjeru emitersko podruje

emitira (stoga naziv emiter) upljine u prostor baze, gdje predstavljaju manjinske
nositelje. U prostor baze se u istom omjeru ubacuju veinski nosioci - elektroni, kako
bi se ouvala elektrina neutralnost baze. Jedan dio upljina ubaenih u podruje baze
iz emitera, rekombinira se s elektronima koji se nalaze u bazi kao veinski nosioci.
Gubitak ovih elektrona zbog rekombinacije se nadoknauje elektronima iz vanjskog
izvora UCC (kojim je emiterski PN spoj polariziran u propusnom smjeru). Kako je
vrijeme ivota manjinskih nosilaca u bazi relativno dugako i ako je irina baze,
odnosno duina puta od emiterskog do kolektorskog podruja dovoljno mala, to se
konstrukcijom tranzistora efikasno postie, relativno veliki broj upljina emitiranih iz
emitera u bazu dolazi do kolektorskog PN spoja. Za manjinske nosioce - upljine koje
prelaze bazu, nepropusna polarizacija kolektorskog spoja predstavlja propusni smjer,
tako da upljine stiu u podruje kolektora, gdje se skupljaju i predstavljaju veinske
nosioce. Ovo skupljanje je znakovito za kolektor (od eng. collect - skupljati). Struja
ovih upljina, koje potiu iz emitera, predstavlja glavninu struje kolektorskog PN
spoja polariziranog u nepropunom smjeru. Manji dio kolektorske struje ine vlastiti
manjinski nosioci kolektorskog PN spoja, tako da se pristizanje upljina u kolektor
kompenzira pristizanjem istog broja elektrona iz vanjskog izvora u obliku kolektorske
struje IC. Njihovom rekombinacijom u podruju kolektora odrava se elektrina
ravnotea ovog podruja. upljine koje se emitiraju u bazu se kompenziraju odlaskom
istog broja elektrona iz emitera u vanjski krug prema izvoru napajanja u obliku
emiterske struje IE, te se na taj nain odrava ravnotea.
Sliaan proces kretanja nosilaca naboja se odigrava i kod tranzistora NPN tipa,
kada je u podruju normalne polarizacije, kao je to prikazano slikom 206.

Slika 206. Struktura struja u normalno polariziranom NPN tranzistoru

Kada se na krajeve emiterskog PN spoja, polariziranog u propusnom smjeru, malo
mijenja napon UBE dolazi do male promjene struje baze, ali to dovodi do znatnog
poveanja emisije manjinskih nosilaca u podruju baze, a time i do znatnog poveanja
kolektorske struje IC, pri znatnom izlaznom naponu UCE, to na kraju ima za
posljedicu znatno poveanje emiterske struje IE. To znai da se malom ulaznom
snagom upravlja velikom izlaznom snagom, ako se na izlazu prikljui odgovarajui
omski potroa.

Ako se u ulaznom krugu iskljui napon polarizacije UBE, odnosno otvori ulazni
krug, a ostavi napon polarizacije UCB, pokazati e se da kroz inverzno polarizirani
kolektorski PN spoj tee inverzna kolektorska struja ICB0. Ona tee u istom smjeru u
kojem tee struja nosilaca koji potiu iz emitera i preko baze difundiraju u podruje
kolektora i koja predstavlja glavninu kolektorske struje IC. Iz uvjeta da je zbroj svih
struja, sa slike 206, koje teku u tranzistor jednaka nuli slijedi:
IB+IC+IE=0, a kako je kolekrorska struja jednaka:
IC=-IpC+InC, emiterska struja je: IE=IpE+InE, a uvoenjem faktora strujnog pojaanja
I pC
za spoj zajednike baze slijedi da je kolektorska struja:
IE
IC=-IE+ICB0.
U spoju zajednikog emitera se tako dobiva izraz:
a
ICB0
1
I
I
, pa
I
i CB0 I
CE0 dobiva se izraz:
zamjenom
1

C
B

1a
1a
IC=IB+ICE0, gdje je - faktor strujnog pojaanja u spoju zajednikog emitera, a
ICE0 - reverzna struja zasienja u istom spoju. Kako je vrlo blizu jedinici, faktor
strujnog pojaanja moe biti i nekoliko stotina. U analizi rada tranzistora najee se
umjesto simbola upotrebljava hFB, a umjesto hFE.
7.2.1 Karakteristike bipolarnih tranzistora
Promatrajui tranzistor kao etveropol i parametre koji utjeu na njegov rad mogu
se postaviti etiri vrste karakteristika: ulazna, izlazna, prijenosna i povratna. Kao to
je poznato tranzistor se moe spojiti u tri osnovna spoja: zajednikog emitera,
zajednike baze i zajednikog kolektora. Za uporabu tranzistora kao pojaala najee
se koristi spoj zajednikog emitera, a za odreivanje karakteristika tranzistora u tom
spoju koristi se strujni krug prikazan slikom 207.

Slika 207. Strujni krug za odreivanje karakteristika tranzistora u spoju

zajednikog emitera
Za odreivanje ulazne karakteristike tranzistora promatra se kako ulazna struja IB
ovisi o ulaznom naponu UBE, pri konstantnom izlaznom naponu UCE. Ova
karakteristika objanjava kako e se opteretiti izvor signala, ako se spoji na ulazni
krug. Ovisnost ulazne struje IB o ulaznom naponu UBE prikazan je ulaznom
karakteristikom na slici 208.

Slika 208. Ovisnost struje IB=f(UBE) uz UCE=const. (ulazna karakteristika)

Izlazne karakteristike pokazuju ovisnost izmeu izlazne struje IC i izlaznog napona
UCE, a daju se ili uz konstantan ulazni napon U BE ili ulaznu struju IB. Ove
karakteristike najee se upotrebljavaju, jer daju informaciju o ponaanju tranzistora.
Na izlaznoj karakteristici mogu se opaziti tri podruja rada tranzistora: 1 podruje
zapiranja ili prekida, 2 aktivno podruje i 3 podruje zasienja (slika 209).

EKTR

Slika 209. Ovisnost struje IC=f(UCE) uz IB=const. (izlazne karakteristike)

U podruju zapiranja oba PN spoja su polarizirana u nepropusnom smjeru, pa kroz

tranzistor teku samo male struje. Za primjenjene napone tranzistor prua veliki otpor.
U aktivnom podruju emiterski PN spoj je polariziran u propusnom smjeru tako da
emiter emitira u podruje baze manjinske nosioce koje kolektorski PN spoj skuplja.
U podruju zasienja oba PN spoja su polarizirana u propusnom smjeru, tako da
oba PN spoja u podruje baze emitiraju manjinske nosioce ali nasuprot jedan drugom,
pri emu kolektorska struja ostaje konstantna ak i pri veoj baznoj struji ili naponu
UBE. Izmeu kolektora i emitera djeluje napon zasienja, pa tranzistor prua mali
otpor prikljuenom naponu.
Iz karakteristika, moe se vidjeti da postoji beskonaan broj moguih stanja
tranzistora, ako se pod stanjem podrazumjeva odnos napona i struje na njegovim
krajevima.

Ako se analizira pojaalo s bipolarnim tranzistorom moe se vidjeti da je stanje

istosmjernog napona i struje tranzistora opisano radnom tokom. Pod radnom tokom
podrazumjeva se toka koja predstavlja stanje napona i struja na izvodima tranzistora
bez prikljuenog signala na ulazu pojaala. Radna toka lei na radnom pravcu koji je
temelj za prouavanje struja i napona u odreenom strujnom krugu. Stoga se radni
pravac crta u istom koordinatnom sustavu zajedno s izlaznim karakteristikama
tranzistora (slika 210).

Slika 210. Karakteristike tranzistora s ucrtanim radnim pravcem

Kada na ulazu pojaala djeluje promjenjivi signal, naponi i struje na krajevima
tranzistora ne ostaju vie na vrijednostima odreenim radnom tokom, ve se
mijenjaju po dinamikom pravcu u ritmu ulaznog signala.
7.2.2. Ekvivalentni strujni krug tranzistora
Promatra li se tranzistor u sva tri mogua spoja moe ga se zamijeniti s
etveropolom. Kod analize tranzistora kao aktivnog linearnog etveropola, pri emu je
jedan kraj tranzistora zajedniki za ulazni i izlazni par prikljunica, pojmovi reima
rada u praznom hodu i reima rada u kratkom spoju odnose se samo na promjenjive
komponente struje i napona. Za odreivanje znaajki takvog etveropola najee se
primjenjuju hibridni parametri.
Prema poznatoj teoriji etveropola hibridni parametri se oznaavaju:
h11=hi
-ulazni parametar (eng. input)
h12=hr
-povratni parametar (eng. reverse)
h21=hf
-parametar pojaanja (eng.
forward) h22=ho
-izlazni parametar (eng.
output)
Ovisno o spoju uz oznaku indeks oznake h parametra dodaje se oznaka zajednike
elektrode.

Ekvivalentna shema bipolarnog tranzistora za mali signal prikazana je slikom 211.

Slika 211. Nadomjesna shema bipolarnog tranzistora

ZADATAK 1:
Odredite otpore R1 i R2 da bi se ostvario maksimalni hod kolektorske struje. Zadano
je:Ucc=15V, RP=1k, RE=0.5k, =100 (faktor istosmjernog pojaanja)
Ucc
I CQ

R1

RP

I BQ
UCEQ
U BEQ
R2

I EQ

RE

Slika 212. Pojaalo s bipolarnim NPN

tranzistorom
Da bi tranzistor radio kao pojaalo u normalnom aktivnom podruju moraju biti
zadovoljena dva uvjeta: 1. spoj emiter-baza propusno polariziran 2. spoj kolektor baza
nepropusno polariziran. U naem primjeru prikazan je NPN bipolarni tranzistor za
koji vrijedi da je UBEQ=0.7V uz oznaen polaritet.
. se jednadba
.
Iz izlaznog dijela sklopa dobiva
statikog radnog pravca:
R -I R
UCEQ=UCC-ICQ P EQ E
gdje su IEQ -struja kroz emiter i ICQ -struja kroz kolektor u statikoj analizi kojom
pronalazimo statiku radnu toku.
Za tranzistor vrijedi IEQ=ICQ+IBQ
ICQ=IBQ
Obzirom da je >>1. slijedi
I
=I
tako
da
jednadba statikog radnog pravca ima
EQ
CQ
.
oblik UCEQ=UCC-ICQ (RP+ RE)
Statiki radni pravac ucrtavamo zajedno sa izlaznim karakteristikama tranzistora.
Uvjet za maksimalni hod kolektorska struje je da radna toka bude na sredini
dinamikog radnog pravca. U naem primjeru nema reaktivnih komponenata te su
dinamiki i statiki pravac isti.

i C /mA

Nagib statikog radnog pravca je -1/(RP+RE)

I B = 150 A

15

I B = 100 A

10

I B = 50A

ICQ = 5mA

I B = 25A
0

10

uCE/V

15

UCEQ = 7.5V

Slika 213. Radni pravac u polju izlaznih karakteristika

Sa slike 213 oitavamo

UCEQ=UCC/2=15/2=7.5V
ICQ=(UCC-UCEQ)/(RP+RE)=7.5/1500=5mA
Sa slike takoer oitavamo IBQ=50A to moemo provjeriti i analitiki iz izraza
.
-6
IBQ=ICQ/=0.005/100=50 10 A.
Za odreivanje bilo kojeg parametra ulazni dio sklopa se nadomjeta po Thevenenu
(slika 214) UBB=UCC.R2/(R1+R2) RBB=R1 .R2/(R1+R2)
Obzirom. da se u naem primjeru trae otpori R1,R2 slijedi:
R1=RBB UCC/UBB
R2=RBB/(1-UBB/UCC)
Ucc
R1
R BB

I BQ

U BEQ
R 2I EQ

I BQ

U BEQ
RE

U BB

I EQ

RE

Slika 214.
Prema slici 214 slijedi:
.
UBB=IBQRBB+UBEQ+IEQRE=IEQ/(1+) RBB+UBEQ+IEQRE
IEQ=(UBB-UBEQ)/(RE+RBB/(1+))=ICQ
Parametar mijenja se u masovnoj proizvodnji tranzistora kod tranzistora istog tipa u
irokom rasponu iznosa, npr.izmeu 100 i 300 te nastojimo da karakteristika sklopa
to manje ovisi o tom parametru.
Iz tog razloga treba RE>>RBB/(1+) RBB<<RE(1+)
U praksi je dovoljno pretpostaviti RBB=0.1(RE(1+))
92

RE

RBB=0.1 500 101=5050

.
R1=5050 15/3.45=21900

UBB=3.45V
R2=5050/(1-0.23)=6550

ZADATAK 2:
Odredite statiku radnu toku sklopa prema slici 215. Pretpostavite da je frekvencija
ulaznog signala takva da kondenzatori predstavljaju kratki spoj.
Zadano:
RC=1k
RE=0.5k
RP=1k
=100
UCC=15V
a) statika analiza
Frekvencija =0
1/C= , kondenzatori predstavljaju otvoreni
kraj Budui da je =100>>1 slijedi ICQ=IEQ
Uzevi u obzir ova dva uvjeta iz izlaznog dijela sklopa slijedi prema slici 215
jednadba statikog radnog pravca na kojem lei statika radna toka: UCEQ=UCCICQ(RC+RE) (1)
UCC
ICQ

R1

RC
CC

I BQ
UCEQ
RP
u ul

R2

I EQ

RE

CE
Slika 215.

b)

dinamika

u ul

analiza

ic

uce

R BB

RC

RP

Slika 216.
.
RBB=R1 R2/(R1+R2)
Iz izlaznog dijela sklopa prema slici 216 dobiva se jednadba dinamikog radnog
.
.
.
pravca: uce=-ic RC RP/(RC+RP)
ic=-uce(RC+RP)/RC RP

9
3

Statika radna toka mora se nalaziti na statikom i dinamikom pravcu, a obzirom da

su to razliiti pravci jer u krugu postoje reaktivne komponente moramo nai presjek
pravaca.
Dinamiki pravac moe se napisati kao:
.
.
iC-ICQ=-(uCE-UCEQ) (RC+RP)/RC RP
gdje je:iC-ukupna struja
ICQ-istosmjerna komponenta struje
uCE-ukupni napon UCEQ-istosmjerna komponenta napona
Za toku 1 vrijedi uCE=0 iC=2ICQ (za maksimalni hod kolektorske struje radna toka
treba biti na polovici dinamikog
radnog pravca) te se dobiva :
.
ICQ=UCEQ.(RC +RP )/RC PR
(2)
Iz jednadbi (1) i (2) slijedi:
UCC

UCEQ
(R
R )
)(
R
R
C

RC R P
UCC

ICQ

RC R E

R R
C P
R R
C

UCEQ=3.75V
ICQ=7.5mA
Isti rezultat bi se dobio grafikim postupkom prema slici 217:
iC = uCE
+ )/R CRP
i C (mA)
.
15
(RC RP
1
-pomo}ni pravac
statiki radni pravac
dinamiki radni pravac

10

7.5
5

uCE(V)
3.75 5
Slika 217.

10

15

ZADATAK 3:
Odredite h parametre za sklop prema slici 218. Zadano je: R1=2, R2=6, R3=4
i

R2

Slika 218.
u1

R1

R3

u2

Prema definiciji
jednadbe
etveropola pomou h-parametara glase:
.
.
U1=h11. I1+h12. U2

I2=h21 I1+h22 U2

h11
I
h

U1

1 U 20

12

h21
I
h 22
U

U1

0.25

R1
R R

U
I2

R1 R2
1500
R
R

I10

R1

R
R

1 U 20

I2

2 I 10

-0.25

R1 R2 R3

0.375S
)
(RR
R
3

ZADATAK 4:
Tranzistor u pojaalu (spoj zajednikog emitera) sa slike 219 ima slijedee parametre:
-4
=hfe=100
hoe=10S
hre=10 , parametar hie odredite iz statike analize.
a) nacrtajte nadomjesni sklop pojaala za mali signal s he parametrima
b) odredite ulazni i izlazni otpor uz hre,hoe=0
c) izraunajte strujno pojaanje AI=iiz/iul uz hre,hoe=0
UCC
I CQ

R1
i ul

RC
CC

I BQ

CG

i iz

UCEQ
RP

Rg
u ul
ug

R ul
Zadano je:

u iz

I EQ
R2

RE

CE

R iz

Slika 219.

UCC=24V
R1=50k
R2=10k
RC=3.8k RE=2.2k
RP=1k
Kondenzatori predstavljaju kratki spoj na frekvenciji izmjeninog signala.
U analizi pojaala za mali signal koristimo se teoremom superpozicije te promatramo
statiku (kojom odreujemo parametre tranzistora) i dinamiku.

Statika analiza
Prema slici 220 slijedi:

RBB=R1 R2/(R1+R2)=8.33k
.
UBB=UCC R2/(R1+R2)=4V

Ucc
ICQ

R1

IBQ=(UBB-UBEQ)/(RBB+(1+)RE
IBQ=14.3A
.
.
-6
hie=m UT/IBQ=0.025/14.3 10
hie=1.75k

RC

I BQ
UCEQ

U BEQ
R2

I EQ

RE

Slika 220. Nadomjesna shema za

statiku analizu
Nadomjesni sklop tranzistora za mali signal prikazan je na slici 221.
B

h ie
h re U ce

hoe

h fe I b

E
Slika 221. Hibridni nadomjesni sklop bipolarnog tranzistora
Nadomjesna shema pojaala za na primjer prikazana je na slisi 222, gdje
su istosmjerni izvori kratko spojeni.
Rg

i ul
Ug

h ie

i iz

ib
u ul

R BB

RC
h re u ce

h fe i b

hoe

RP

E
R iz

R ul
Slika 222. Nadomjesni sklop pojaala
b) ulazni i izlazni otpor

u iz

Slijedi prema slici 222:

Rul=RBB hie/(RBB+hie)=1450 ,uz hre=0

Riz=RC=3800

strujno pojaanje AI=iiz/iul

.
AI=iiz/ib ib/iul
-jer se struja ib javlja u ulaznom i izlaznom dijelu
sklopa.
Izlazni dio sklopa:
uiz=iiz.R P
uiz=-hfei (R
b P R C)
iiz/ib=-hfe(RP RC)/RP
Ulazni dio sklopa:
(iul-ib)RBB=hieib
ib/iul=RBB/(RBB+hie)
RBB
iiz
RC
A I i h R
R =-65.4
h
R
ib fe
i

c)

ul

BB

ie

ZADATAK 5:
Za pojaalo prema slici 223 (spoj zajednikog kolektora) izraunajte ulazni otpor
pojaala, strujno AI=iiz/iul i naponsko pojaanje AV=uiz/uul.
UCC
ICQ
R1
CG

iul

CC

RC

IBQ
UCEQ

Rg

iiz

UBEQ
uul

R2

IEQ

RE

RP

CE

uiz

ug

R ul
Zadano:

Slika 223.
UCC=25V
RP=1k

R1=65k
=hfe=100

R2=10k
RC=2k
CG,CE,CC

Iz statike analize slijedi:

.
RBB=R1 R2/(R1+R2)=8.67k
UBB=UCCR2/(R1+R2)=3.33V
UBB=IBQRBB+UBEQ+(+1)IBQRE
IBQ=24A
.
-6
hie=UT/IBQ=0.025/24 10 =1040
Prema slici 224 slijedi:
uul=ibhie+(1+hfe)ib(RE RP)
1
i i
ib
uul=(iul-ib)RBB
iul
ul b
Rul u uul u
l u

ul

1/Rul=1/RBB + 1/(hie+(1+hfe)(RE RP)) Rul=7420

RE=1k

iul

h ie

RG
ug

iiz

ib
u ul

R BB

h fe i b

R ul
.

C
Slika
224.

RE

R iz

RP

u iz

AI=iiz/iul=iiz/ib ib/iul
iiz/ib=RE(1+hfe)/(RE+RP)
ib/iul=RBB/(RBB+hie+(1+hfe)(RE RP))
AV=uiz/uul=iizRP/iulRul=AIRP/Rul=0.98

AI=7.28