2.

BLM: YARILETKENLER ve DYOTLAR

2.1. Yariletken Malzemeler ve zellikleri
Elektronik devre elemanlarnn ou yariletken malzemeler kullanlarak retilir.
Silikon, elektronik devre eleman ve entegre devre retiminde en ok kullanlan yariletken
malzemedir.
2.1.1. Saf yariletkenler
Bir atom ekirdek ve ekirdek etrafnda yerleen negatif ykl elektronlardan
oluur. ekirdek ise pozitif ykl protonlardan ve yksz netronlardan oluur. Elektronlar
ekirdein etrafnda orbital ad verilen deiik uzaklklarda bulunur. Elektron ekirdekten
uzaklatka enerjisi artar. ekirdekten en uzak orbitaldeki elektronlar valans elektronlar
olarak adlandrlr ve atomun temel kimyasal zelliklerini bu elektronlar belirler.
Periyodik tablodaki elementler valans elektronlarnn saysna gre belirlenir. Tablo
2.1de ok kullanlan yariletkenlerin periyodik tablodaki yerleri gsterilmitir. Karbon,
silisyum ve germanyum asl yariletkenler olup 4 valans elektronuna sahiptirler.
Tablo 2.1.
III
B
Al
Ga

IV
C
Si
Ge

V
P
As

ekil 2.1ada 4 valans elektronuna sahip silikon atomunun birbirleri ile etkileime
girmemi hali grnmektedir. Silikon atomlar birbirlerine yeterince yaklatrlrsa valans
elektronlar kristal yap oluturacak ekilde bir araya gelir. ekil 2.1bde grld gibi
tetrahedral yap olutururlar. Bu yapda valans elektronlar kovalent ba oluturarak
atomlar tarafndan ortaklaa kullanlrlar. Germanyum, Galyum Arsenid ve ou
yariletkenler tetrahedral yapdadrlar. ekil 2.1cde 5 silikon atomundan oluan yapnn iki
boyutlu grnm gsterilmektedir. Bu yapnn en nemli zelliklerinden birisi en dtaki
Silikon atomlarnn valans elektronlar yeni Si atomlar eklemeye msait olmasdr. Bylece
byk bir kristal elde edilebilir. Bu yapda
de her bir elektron olabilecek en dk
enerji seviyesindedir. Bu yapya kk bir elektrik alan uygulandnda her bir elektron ait
olduu atoma sk skya bal olduundan hareket etmezler. Dolaysyla
de Silikon
bir yaltkandr. Dolaysyla bir tayc hareketi olmaz.

2. BLM: YARILETKENLER ve DYOTLAR

Si

Si

Si

Si

Si
Si

Si

Si

Si

Si

(a)

(b)
ekil 2.1. Kristal yapdaki Silikon atomlar.

(c)

Eer scaklk artarsa valans elektronlar sl enerjileri de artar. Kovalent ba kracak

kadar enerji kazanan elektronlar kovalent ba kopararak orijinal pozisyonlarn
deitirirler. Bu durum ekil 2.2de gsterilmitir. Bundan sonra elektron kristal ierisinde
serbest olarak hareket edebilir.

Si

Si

Si + Si

Si

Si

Si

Si

Si

e-

ekil 2.2. T0Kde kovalent ban krlmas.

Maddenin toplam yk sfr (ntr) olduundan eer elektron kovalent ba koparp
orijinal pozisyonundan hareket ederse boaltt noktada pozitif ykl bir empty state,
oluur. Eer scaklk ok artarsa daha ok elektron kovalent ba kopararak serbest hale
gelir ve onlarn yerinde yeni empty state oluur. Sonu olarak elektronun yeterli enerjiyi
bulup atomdan ayrlmas ile yapda elektron - delik ifti olumu olur.
Elektronun kovalent ba koparmak iin sahip olmas gereken bir minimum enerji
deeri vardr. Bu enerji miktarna maddenin bandgap enerjisi, Eg, denir. Yaltkanlarn
bandgap enerjisi olduka yksek olup 3 ile 6 eV civarndadr. Dolaysyla bu maddelerde
oda scaklnda serbest elektron bulunmaz. Buna karn iletkenler ise olduka dk
bandgap enerjiye sahip olduklarnda ok sayda serbest elektron bulunur.
2. BLM: YARILETKENLER ve DYOTLAR

Yariletkenlerin bandgap enerjileri ise 1eV civarndadr. Serbest elektronlarn

hareketi bir akma neden olur. Benzer ekilde elektronlarn boaltt pozitif ykl empty
stateler de hareket ederler. Bu pozitif ykl paracklara delik ad verilir. Bylece
yariletkende negatif ykl elektronlar ile pozitif ykl delikler olmak zere iki tip ykl
parack akm oluturur.
Elektronlarn ve deliklerin younluu yariletkenin en nemli parametrelerinden
biridir. nk yariletkenden akm direkt olarak etkilerler. Intrinsic semiconductors (saf
yariletken) tek kristalli yariletkenlerdir ve ierisinde baka tip atom bulunmaz. Saf bir
yariletkende elektron ve delik younluu birbirin eittir. Dolaysyla saf yariletkenlerin
tayc younluunu ifade etmek iin ifadesi kullanlr. Saf yariletkenler iin tayc
younluu (elektron ve delik younluu birbirine eittir),

(2.1)

eklinde ifade edilebilir. Burada

elektron ve delik younluuna bal sabitler,
-3
malzemeye bal bir sabit (cm ), Eg bangap enerji (V) (iletkenlik band ile valans band
arasndaki enerji fark), T scaklk (K), k ise Boltzman sabitidir (8,62.10-5eV/K). Tablo 2.2de
baz yariletken maddeler iin bandgap deerleri verilmitir.
Madde
Silicon (Si)
Gallium Arsenid (GaAs)
Germanium (Ge)
Tablo 2.2
2.1.2. Katklanm yariletkenler

Eg(eV)
1,1
1,4
0,66

Saf yariletkenlerde elektron ve delik says ok dk olduundan yariletkende ok

az akm akabilir. Ancak yariletkene belirli miktarda baka saf maddeler eklenerek elektron
ve delik younluu artrlabilir. Silikon (IV grup yariletken) iin en uygun katk maddesi III
veya V grup yariletkenlerdir.
Katk maddesi olarak en ok kullanlan V grup yariletkenler Fosfor ve Arseniktir.
Katk maddesi olarak fosfor kullanldnda fosforun valans elektronlarnn drd silikon
ile kovalent ba oluturmak iin kullanlr (ekil 2.3). Beinci elektronun ekirdee olan
ba azalr ve oda scaklnda bu elektron ekirdekten ayrlmak iin gerekli olan enerjiye
sahip olur. Bylece bu elektron kristal ierisinde serbeste hareket edebilir ve
yariletkende elektron akm oluturur.

2. BLM: YARILETKENLER ve DYOTLAR

ekil 2.3. Fosfor atomlar katklanm Silikon kristali.

Fosfor atomu kristal yapya serbest elektron verdiinden donor impurity olarak
adlandrlr. Fosfor atomu elektron vererek pozitif yk olmasna ramen fosfor atomu
hareketsizdir ve akm oluturmaz. Yani bir yariletkene donor impurity eklendiinde
kristal yapya serbest elektron verilirken pozitif ykl delik olumaz. Bu ilem doping
olarak adlandrlr ve yariletkendeki serbest elektron younluunu ayarlamamza yarar.
Donor impurity atom ieren yariletken n tipi yariletken olarak adlandrlr.
Unutmamak gerekir ki n tipi yariletkende Si atomlarn valans elektronlarnn yeterli
enerjiyi bularak atomdan ayrlmas ile de serbest elektronlar meydana gelir. Ancak bu
elektronlarn says katk atomundan gelen elektronlarn saysndan ok ok azdr. Bylece
n tipi yariletkende Si atomundan gelen az sayda delik (aznlk taycs), Si ve katk
atomundan gelen ok sayda da elektron (ounluk yaycs) bulunur.
Silikon katklamada en ok kullanlan III grup element ise bordur. Silikon
atomlarnn yerine bor atomlar eklendiinde bor atomlarnn valans elektronlarnn
silikon atomlar ile kovalent ba oluturur (ekil 2.4). Bu durumda Silikon atomu bir ba
daha yapabilecek elektronu kalr. Komu silikon atomlarnn valans elektronlar
yerlerinden ayrlarak ve yerlerinde bo bir delik brakarak silikon atomunun son elektronu
ile drdnc ba oluturur. Sonuta Bor atomu negatif yke sahip fakat hareketsiz iken
oluan delik hareket ederek delik akm oluturabilir. Burada bor atomuna acceptor
impurity (elektron alarak safl bozan) ad verilir. Bu ilem de doping olarak
adlandrlr ve yariletkendeki delik younluunu kontrol etmede kullanlabilir. Bu ekilde
elde edilmi yariletkenler p tipi yariletken (pozitif ykl tayclar olutuundan) olarak
adlandrlrlar.
Safl bozan atom (impurity atoms) ieren yariletkenler extrinsic
semiconductors, katkl yariletkenler olarak adlandrlrlar. Katklama ilemi elektron ve
delik younluunu ayarlama imkan verir. Bylece yariletkenin iletkenlii ayarlanabilir.

2. BLM: YARILETKENLER ve DYOTLAR

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

ekil 2.4. Bor atomlar katklanm Silikon kristali.

Isl dengede olan bir yariletkenin elektron ve delik younluu aadaki gibi ifade
edilebilir.
(2.2)
Burada n0 sl dengedeki elektron younluu, p0 sl dengedeki delik younluu, ni asl, z
tayc younluudur.
Oda scaklnda (
) her bir donor atomu yariletkene bir tane elektron
verir. Eer donor younluu , saf yariletken (intrinsic) younluundan olduka fazla ise
dir. Bu durumda delik younluu,
(2.3)
olur. Benzer ekilde oda scaklnda (
) her bir acceptor atomu yariletkene bir
tane delik verir. Eer acceptor younluu , saf yariletken (intrinsic) younluundan
olduka fazla ise
dir. Bu durumda elektron younluu,
(2.4)
olur.
n tipi yariletkenlerde serbest elektronlarn says serbest deliklerin saysndan
olduka fazla olduundan majority carrier (ounluk tayclar) olarak adlandrlrlar.
Delikler ise minority carrier (aznlk tayclar) olarak adlandrlr. P tipi yariletkenler
iin ise tam tersidir.

2. BLM: YARILETKENLER ve DYOTLAR

2.1.3. Srklenme ve difzyon akmlar

Yariletkenlerde elektronlarn ve deliklerin hareket etmesine neden olan iki
mekanizma vardr: birincisi elektrik alann neden olduu srklenme akm, ikincisi tayc
younluunun deimesinden kaynaklanan difzyon akmdr.
Srklenme akmnn nasl olutuunu anlamak iin ekil 2.5ade gsterildii gibi n
tipi bir yariletkene bir elektrik alan uygulayalm. Uygulanan elektrik alan, elektronlar
negatif ykl olduundan elektronlara elektrik alann tersi ynde bir kuvvet uygular.
Elektrik alan altndaki elektronlarn hz aadaki gibi ifade edilebilir.
n tipi yariletken

p tipi yariletken

vdn

P+

vdp

Jn

(a)

Jp

ekil 2.5.

(b)

(2.5)

Burada
elektronun hareket yetenei olup birimi
elektronun yariletken
ierisinde ne kadar iyi hareket edebildiini gsterir. Az katkl silikon iin bu deer yaklak

civarndadr. Formldeki eksi iareti elektrik alann yn ile hareket ynn

ters olduunu gsterir. Elektrik alann oluturduu elektron srklenme akmnn

younluu
,
(2.6)
eklinde ifade edilebilir. Burada n elektron younluu, e ise elektronun ykdr. Genel
olarak srklenme akm negatif yklerin tersi yndedir. Dolaysyla n tipi yariletkenlerde
srklenme akm elektrik alanla ayn yndedir.
Benzer bir analiz p tipi yariletken iin de yaplabilir (ekil 2.5b). Delikler pozitif
yke sahip olduklarndan elektrik alan deliklere alanla ayn ynde kuvvet uygular. Bylece
deliklerin hz,
(2.7)
eklinde ifade edilebilir. Burada p deliklerin hareket yeteneini gsteren katsaydr.
Dk katkl silikon iin p yaklak 480 cm2/V-s civarndadr. Bu da elektronun hareket
2. BLM: YARILETKENLER ve DYOTLAR

yeteneine gre olduka dktr. Elektrik alann oluturduu delik srklenme akmnn

younluu
,
(2.8)
eklinde ifade edilebilir. Burada p deliklerin younluudur. Grld gibi p tipi
yariletkende elektrik alann etkisi ile deliklerin oluturduu srklenme akm elektrik
alanla ayn yndedir.
Bir yariletken elektron ve delikleri beraber ierdiinden toplam srklenme akm,
+

(2.9)

olur. Burada
olup yariletkenin iletkenliidir (
). letkenlik
elektron ve delik younluu ile doru orantldr.
Difzyon ile ykler yksek younluklu blgeden dk younluklu blgeye doru
hareket derler. Bu kinetik teorinin istatistii ile alakaldr. Elektronlarn ve deliklerin
yariletken ierisinde difzyon ile hareketinde, ortalama hzlar scaklk ile, ynleri ise
kafesteki atomlar ile olan rastgele etkileimlerine baldr.
2.1.4. pn jonksiyonu
pn jonksiyonu en basit yariletken dzeneklerdir. ekil 2.6ada tipik bir pn
jonksiyonunun kesiti gsterilmitir. Pn jonksiyonu homojen olarak katklanm p ve n tipi
iki blgeden oluur. P tipi blge Bor gibi acceptor yariletken ile katklanmtr. Dolaysyla
bu blgede delikler ounluk tayclardr. Benzer ekilde n tipi blge ise fosfor veya
Arsenik gibi donor yariletken ile katklanmtr. Dolaysyla bu blgede elektronlar
ounluk tayclardr. Alminyum kontak ise p ve n tipi blgelere balantlar salar. ekil
2.6bde pn jonksiyonun bir boyutlu basitletirilmi kesiti gsterilmitir. ekil 2.6cde ise
emas gsterilmitir.
n ve p tipi yariletkenler birletirildiinde snr blgede tayc younluklarnda ani
bir deime olur. n tipi blgede fazla elektronlar p tipi blgeye ve p tipi blgede fazla olan
delikler de n tipi blgeye doru difzyon ile hareket ederler. Sonuta n tipi blgede fazla
olan elektron younluu ve p tipi blgede fazla olan delik younluu hzla azalr. Bu blge
fakirlemi blge olarak adlandrlr. Tayclarn bu hareketi sonucu, deliklerin p tipi
blgeden ayrlmas ile p tipi blgede negatif ykl, hareketsiz acceptor iyonlar kalr.
Dolaysyla jonksiyon snrnn p tipi blgesi negatif yklenmi olur. Benzer ekilde n tipi
blgeden elektronlarn ayrlmas ile n tipi blgede pozitif ykl hareketsiz donor iyonlar
kalr. Dolaysyla jonksiyon snrnn n tipi blgesi pozitif yklenmi olur. Bu ykler
fakirlemi blgede n tipi blgeden p tipi blgeye doru bir elektrik alann olumasna
neden olur. Bu alan da elektron ve deliklerin difzyon yoluyla geiini engeller ve
elektronlarn p tipi blgeden n tipi blgeye (elektronun yk negatif olduundan etkiyen
2. BLM: YARILETKENLER ve DYOTLAR

kuvvet alann ynne zttr) deliklerin de n tipi blgeden p tipi blgeye srklenme yoluyla
geiini salar. Denge durumunda srklenme akm dfizyon akmna eit fakat ters
yndedir. Bylece yariletkenden net bir akm akmaz. Yukarda anlatlanlar ekil 2.7de
zetlenmitir.

ekil 2.6.
ekil 2.7de pn jonksiyonuna herhangi bir gerilim uygulanmad durumda akm
ynleri, yk younluklar, elektrik alan ve elektrostatik potansiyelin deiimi gsterilmitir.
Diyagramdan da grld gibi p tipi blge n tipi blgeden daha fazla katkland iin p
tipi blgedeki iyon younluu daha fazladr. Ayrca yine diyagramdan grld gibi
jonksiyonlar arasnda bir potansiyel fark vardr. Bu potansiyel fark potansiyel bariyeri
olarak adlandrlr ve aadaki gibi tanmlanr.
[
Burada

sl gerilim olup,

(2.10)
olup sl gerilim (volt-equivalent

of temperature, scaklktan kaynaklanan gerilim), ni saf yariletkenin younluu, NA ve ND

acceptor ve donor younluudur.

2. BLM: YARILETKENLER ve DYOTLAR

ekil 2.7.

2. BLM: YARILETKENLER ve DYOTLAR