4.

BLM: BPOLAR JONKSYON TRANZSTRLER

4.1. Bipolar Jonksiyon Tranzistrn Temel Yaps
Bipolar jonksiyon tranzistrler (BJT), iki n tipi yariletken blge arasna ince bir p
tipi yariletken (npn tranzistr) ya da iki p tipi yariletken blge arasna ince bir n tipi
yariletken (pnp tranzistr) katklanarak yaplan ulu bir aktif devre elemandr.
BJTde iki adet pn jonksiyon vardr. Her bir pn jonksiyonun iletim ve tkama olmak
zere iki modu olduundan tranzistrn drt alma modu vardr. Temel alma
prensibi bir utan akan akmn dier iki u arasna uygulanan gerilim ile kontrol
edilmesidir. Tranzistrden akan akm delikler ve elektronlar oluturduundan bipolar
adn almtr. ekil 4.1ada npn tranzistrn bde pnp tranzistrn basitletirilmi
yaps gsterilmitir.

ekil 4.1. npn ve pnp tranzistrn basitletirilmi yaps.

npn tranzistrde n tipi blgelerden biri emetr (yayc) dieri ise kolektr
(toplayc) ucunu ve p tipi blge ise baz ucunu oluturur. pnp tranzistrde p tipi
blgelerden biri emetr dieri ise kolektr ucunu ve n tipi blge ise baz ucunu
oluturur. Emetr ve kolektr blgeleri elektriksel olarak zde deildir, yani katk
younluklar farkldr. rnein kabaca karlatrma asndan emetr blgesinin katk
younluu
mertebelerinde ise baz blgesi
, kolektr blgesi ise
mertebelerindedir.
leri aktif mod
ekil 4.2de gsterildii gibi baz - emetr jonksiyonu iletim ynnde baz
kolektr jonksiyonu tkama ynnde kutuplandnda emetr blgesindeki elektronlar
ince baz blgesini geerek kolektr blgesine ularlar. Bu gei srasnda elektronlarn
bir ksm baz blgesindeki delikler ile birleir. Tranzistr bu ekilde kutulandnda
tranzistr ileri aktif modda alr.
Baz - emetr jonksiyonu iletim ynnde kutuplandndan emetr akm,
(

olur. Burada diyot akm ifadesinde bulunan emisyon katsays bir (

Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler
Dr. smail TEKN

(4.1)
) alnmtr.
1

ekil 4.2. Tranzistrn ileri aktif modda kutuplanmas.

Emetr blgesinden kolektr blgesine gelen elektronlar kolektr akmn
meydana getirir (baz kolektr jonksiyonu tkama ynnde kutuplanm olmasna
ramen). Kolektr akmnn deeri emetr blgesinden gelen elektron younluuna
baldr. Emetr blgesinden gelen elektron younluu da emetr akmna baldr.
Dolaysyla kolektr akm emetr akm ile doru orantldr.
(4.2)
Burada
katsays bire yakn, birden kk bir deer olup ortak baz akm kazanc
adn alr. Emetr akmn emetr blgesinden baz blgesine geen elektronlar belirler.
Bu elektronlarn byk bir ksm baz blgesinden kolektr blgesine geerek kolektr
akmn olutururlar. ok az bir ksm ise baz blgesinde delikler ile birleir. Bundan
dolay kolektr emetr akm ile kolektr akm hemen hemen birbirine eittir.
Tranzistr ileri aktif modda kutuplandnda emetr blgesindeki elektronlar
baz blgesine geerken baz blgesindeki delikler de emetr blgesine geerler.
Tranzistr ileri aktif modda kutuplandnda elektronlarn ve deliklerin hareketi ekil
4.3de gsterilmitir.

ekil 4.3. leri aktif modda kutuplanm npn tranzistrde elektronlarn ve deliklerin
hareketi.
Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler
Dr. smail TEKN

Eer n tipi blgenin katk younluu p tipi blgenin katk younluundan

olduka yksek ise emetr blgesinden baz blgesine geen elektronlarn says, baz
blgesinden emetr blgesine geen deliklerin saysndan olduka fazla olur. Baz ve

kolektr akmlarnn her ikisi de

ile orantldr.
(4.3)
Burada ya ortak emetr akm kazanc ad verilir ve tranzistrn en nemli
parametrelerinden birisidir. Deeri genel amal tranzistrler iin yaklak olarak 50 ile
800 arasndadr. Deeri retim parametrelerine ve ortam scaklna bal olduundan
kataloglarda deeri bir aralk olarak verilir (rnein 100 ile 450 arasnda).
ekil 4.4de npn tranzistrl ortak emetrl devre gsterilmitir. Burada emetr
ucu hem baza uygulanan gerilimin negatif ucuna hem de kolektre uygulanan gerilimin
negatif ucuna ortaktr. Bundan dolay ortak emetrl devre olarak adlandrlr. Burada
ve
deerleri baz - emetr jonksiyonu iletim ynnde, baz - kolektr jonksiyonu
ise tkama ynnde olacak ekilde seilmitir. Akm ynleri ekil zerinde
gsterilmitir.

ekil 4.4. npn tranzistrl ortak emetrl devre.

Devreden,
(4.4)
olduu grlr. Eer
ise baz - emetr jonksiyonu iletimde olmayacandan
dolaysya
olur. Bu durumda tranzistr kesimdedir denir.
Eer tranzistr bir nokta (dm) gibi grrsek,
(4.5)

Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler

Dr. smail TEKN

yazlabilir. Eer tranzistr ileri aktif modda ise

denklem
(

olduundan yukardaki

(4.6)

olur. Buradan,

(4.7)

olur. Bylece kolektr akm,

(4.8)

olur. Burada,

(4.9)

deeri ortak baz akm kazanc olarak adlandrlr. rnein

olur. artka deeri bire daha ok yaklar.

ise

pnp tranzistrn yaps ve almas

ekil 4.5de pnp tranzistr ileri aktif modda kutuplandnda elektronlarn ve
deliklerin hareketi gsterilmitir. Baz - emetr jonksiyonu iletim ynnde
kutuplandndan emetr blgesindeki ounluk taycs olan delikler baz blgesine
geerler. Buradan kolektr blgesine geerler ve kolektr akmn oluturur. Deliklerin
bir ksm baz blgesinde elektronlarla birleir. Baz blgesindeki ounluk taycs olan
elektronlar da emetr blgesine geerler. Baz - emetr jonksiyonu iletim ynnde
kutuplandndan emetr akm baz emetr geriliminin eksponansiyel fonksiyonudur.
Emetr akm,

(4.10)

olur. Burada
gerilimi emetr ile baz arasna uygulanan gerilimdir. Kolektr akm da
baz emetr geriliminin eksponansiyel fonksiyonudur.

Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler

Dr. smail TEKN

ekil 4.5. pnp tranzistr ileri aktif modda kutuplandnda elektronlarn ve deliklerin
hareketi.

Burada

(4.11)

pnp tranzistrn ortak baz akm kazancdr. Baz akm ise,

eklindedir.

(4.12)

pnp tranzistrn ortak emetr akm kazancdr.

Tranzistr sembolleri
ekil 4.6da npn tranzistrn blok diyagram ve devre sembol gsterilmitir.
Emetr ucundaki ok emetr akmnn ynn gsterir ve npn tranzistrde emetr
ucundan darya dorudur.

ekil 4.6. npn tranzistrn blok diyagram ve sembol.

ekil 4.7de pnp tranzistrn blok diyagram ve devre sembol gsterilmitir.
Burada emetr akmnn ynn emetr ucundan ieriye dorudur.

Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler

Dr. smail TEKN

ekil 4.7. pnp tranzistrn blok diyagram ve sembol.

Tablo 4.1de npn ve pnp tranzistrlerin akm gerilim ilikisi zetlenmitir. Burada
ifadesi sadece lineer blgede geerlidir.
npn tranzistr

pnp tranzistr

Her iki tranzistr iin

(

Tablo 4.1. npn ve pnp tranzistrlerin akm gerilim ilikisi.

Tranzistrn akm - gerilim karakteristikleri
Tranzistrn giri ve k karakteristikleri olarak adlandrlan iki nemli
karakteristii vardr. npn tranzistrl ortak emetrl devre iin giri karakteristii baz emetr gerilimi ( ) ile baz akmnn ( ) deiimini gsteren karakteristiktir. Baz
emetr blgesi bir diyot olduundan bu karakteristik normal diyot karakteristiidir.
k karakteristii ise kolektr - emetr gerilimi ( ) ile kolektr akmnn ( )
deiimini gsteren karakteristiktir. ekil 4.8de tranzistrn k karakteristii
gsterilmitir.

Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler

Dr. smail TEKN

ekil 4.8. Tranzistrn k karakteristii.

npn tranzistrde tranzistrn ileri aktif modda olmas iin baz - emetr
jonksiyonun iletimde baz - kolektr jonksiyonun ise tkamada olmas gerekir. Baz kolektr jonksiyonun tkamada olmas iin
( ) olmas gerekir.
Early gerilimi: npn transistr ileri aktif modda kutuplandnda (baz - emetr
jonksiyonu iletimde ve baz - kolektr jonksiyonu tkamada)
gerilimi sabit iken
gerilimi artrlrsa tkamada olan baz - kolektr jonksiyonunun fakirlemi blgesi
geniler (
gerilimi artndan). Bu da baz blgesinin daralmasna ve dolaysyla
baz blgesindeki aznlk tayclarnn younluunun artmasna neden olur. Bylece baz
blgesindeki difzyon akm artar. Bu da kolektr akmnn artmasna neden olur. leri
aktif modda kolektr akmnn
gerilimi ile deiimi,
(

)(

(4.13)

eklinde ifade edilebilir. Burada

Early gerilimi olup tipik deeri 50V ile 300V
arasndadr. Aada ortak emetrl devrenin akm gerilim karakteristikleri zerinde
Early gerilimi gsterilmitir. Erinin eimi kolektrden bakldndaki k direncini
verir. Bu diren,

Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler

Dr. smail TEKN

eklinde bulunabilir. Buradan k direnci,

olur.
Tranzistrn bozulma gerilimi ve akm
Tranzistrn terminaller arasndaki gerilim veya bir terminalden akan
akm belirli snrlar getiinde tranzistr bozulur. Tablo 4.2de bu gerilim ve akmlar
zetlenmitir. Bu tablodaki deerler BC547B iin verilmitir. Tranzistrn nemli
parametreleri ise Tablo 4.3de verilmitir. Verilen deerler BC547B iindir.

Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler

Dr. smail TEKN

Sembol Parametre
Kolektr - baz
gerilimi
Kolektr emetr gerilimi
Emetr - baz
gerilimi
Kolektr akm
(dc)

Deer

Aklama
Kolektr - baz geriliminin maksimum
deeridir.
Kolektr
emetr
geriliminin
maksimum deeridir.
Emetr - baz geriliminin maksimum
deeridir.
Kolektr akmnn maksimum deeridir.

Kolektr blgesinde harcanan gcn

maksimum deeridir. Tranzistrde
Kolektrde
harcanan gcn byk ksm kolektr
harcanan g
blgesinde harcandndan tranzistrde
harcanan
g
yerine
kolektrde
harcanan g deeri verilmitir.
Jonksiyon
Herhangi bir jonksiyonun scakl bu
scakl
deeri gememelidir.
Depolama
Tranzistrn
depolama
scaklk
scakl
araldr.
Tablo 4.2. BC547B npn tranzistrnn snr deerleri.
Sembol

Parametre
Kolektr sznt
akm

Deer

dc akm kazanc
(
(
(

Kolektr - emetr
doyum gerilimi
Baz - emetr doyum
)
gerilimi

Baz - emetr iletime

geme gerilimi
Akm kazanc
band genilii
arpm

k kapasitesi
Giri kapasitesi
Tablo 4.3. Tranzistrn nemli parametreleri.

Aklama
Tranzistr tkamada olduunda
kolektrden akan akm.
Tranzistrn kolektr akm ile
baz akmn oran ( )
Tranzistr doyumda olduunda
kolektr - emetr gerilimi.
Tranzistr doyumda olduunda
baz - emetr gerilimi.
Baz emetr jonksiyonun iletime
gemesi iin gerekli minimum
gerilim.
Akm kazanc band genilii
arpm. ounlukla kazancn bir
olduu band genilii olarak
adlandrlr.
Tranzistrn k kapasitesi
Tranzistrn giri kapasitesi

Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler

Dr. smail TEKN

4.2. Tranzistrl devrelerin dc analizi

En temel tranzistrl devre ekil 4.9ada gsterilen ortak emetrl devredir.
Tranzistrn emetr ucu topraa baldr. Burada tranzistr olarak npn tranzistr
kullanlmtr. ekil 4.1bde bu devrenin dc edeer devresi gsterilmitir. Tranzistr
ileri aktif modda kabul edelim. Bu durumda kolektr akm baz akmnn bir fonksiyonu
olur (
). imdilik tkamada olan baz kolektr jonksiyonunun sznt akmn ve
Early etkisini ihmal edelim. Baz akm,

ekil 4.9. npn tranzistrl ortak emetrl devre ve dc edeeri.

(

(2.14)

eklinde bulunabilir. Kolektr akm iin ise,

(2.15)
yazlabilir. Emetr akm da,
(
olur.

(2.16)

gerilimi ise,
(2.17)
(2.18)

eklinde yazlabilir. tranzistrde harcanan g ise,

Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler

Dr. smail TEKN

10

(2.19)

( ) deeri
eklindedir.
olduundan
nin yannda ihmal edilebilecek
kadar dktr. Dolaysyla tranzistrde harcanan g kabaca,
(2.20)
yazlabilir.
rnek 4.1: Aada gsterilen devredeki tranzistr iin
olarak veriliyor. Baz, kolektr ve emetr akmlarn,
harcanan gc hesaplaynz.

( )
ve
gerilimini ve tranzistrde

zm: Baz, kolektr ve emetr akmlar srasyla,

(

(
olarak bulunur.

gerilimi,

olur. Tranzistrde harcanan g ise,

(

olarak bulunur.
Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler
Dr. smail TEKN

11

imdi de ekil 4.10ada gsterilen pnp tranzistrl ortak emetrl devrenin dc

analizini yapalm. Bunun iin ekil 4.10bde gsterilen edeer devreyi kullanalm.
Edeer devrede akm ynlerinin ve gerilim polaritelerinin npn tranzistrn tersi
olduunu dikkat edelim. edeer devreden hareketle baz akm,

ekil 4.10. pnp tranzistrl ortak emetrl devre ve dc edeeri.

(

)
(

(2.21)

olur. Kolektr ve emetr akm ise,

(2.22)
(
olur.

(2.23)

gerilimi ise,
(2.24)
(2.25)

eklinde yazlabilir.
rnek 4.2: Aada gsterilen devredeki tranzistr iin
olarak veriliyor. Baz, kolektr ve emetr akmlarn ve
direncinin deerini hesaplaynz.
Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler
Dr. smail TEKN

ve
olmas iin

12

zm: nce devrenin dc edeer devresini izelim.

V 5V
+

VEB
-

B
IB

I C
C

RB
VBB

RC

Baz, kolektr ve emetr akmlar srasyla,

(

)
(

olarak bulunur. Devrenin sa kolu iin,

yazlarak

olmas iin

direncinin deeri,

Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler

Dr. smail TEKN

13

olarak bulunur.
4.3. Yk dorusu ve transistrn alma modlar
ekil 4.11de gsterilen ortak emetrl devrenin analizini ekil 4.6da gsterilen
giri ve k yk dorular ile de yapabiliriz. ekil 4.11ada B-E jonkisyonunun akm
gerilim karakteristii (
(
), giri karakteristii) ve giri yk dorusu
gsterilmitir.

ekil 4.11. Giri ve k yk dorular.

Giri yk dorusu devrenin baz - emetr evrimine Kirchhoff gerilim yasas
uygulanarak bulunabilir.
(2.26)
ekil 4.11bde de tranzistrn k karakteristii (
( )) zerinde k
yk dorusu gsterilmitir. k yk dorusu ise devrenin kolektr - emetr evrimine
Kirchhoff gerilim yasas uygulanarak bulunabilir.

(2.27)

Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler

Dr. smail TEKN

14

(2.14) eitlii kolektr akm ile kolektr emetr geriliminin deiimini veren
yk dorusu denklemidir. Tabi ki u an tranzistrn dc analizini yaptmzdan bu yk
dorular dc yk dorulardr. Tranzistrn giriine ac iaret uyguladmzda durumda
elde edilen dorular ac yk dorulardr. ac yk dorularn ilerde inceleyeceiz.
ekil 4.6deki yk dorusu zerindeki deerler rnek 4.1de verilen deerlerden
elde edilmitir. rnek 4.1de
,
ve
olarak bulunmutu.
Eer
geriliminin deeri
( ) deerinden kk ise tranzistrden
herhangi bir akm akmaz (
) ve tranzistr kesimdedir (sznt akmlar
ihmal edilmitir). Bu durumda
direnci zerinde bir gerilim dm olmayacandan
dur.
geriliminin deeri artrlr ve
( ) deerine aarsa tranzistr iletime
geer (ileri aktif) baz akm akmaya balar. Dolaysyla kolektr akm akar. Bu
durumda
( ),
ve
dir.
geriliminin deeri artmaya devam
ederse baz akm da artar dolaysyla kolektr akm da artar. Belli bir noktadan sonra
geriliminin artsa da kolektr akm artmaz. Bu noktada tranzistr doyumdadr.
Tranzistr doyumda olduunda baz kolektr jonksiyonu iletimde olur ve baz akm ile
kolektr akm arasndaki lineer iliki bozulur. Akm kazanc lineer blgedeki duruma
gre daha az olur. tranzistr doyumda olduunda kolektr emetr geriliminin deeri
( ) ile gsterilir ve deeri 0,1V ile 0,3V arasndadr (katalogda veriliyor).
( )
( )
rnek 4.3): Aada gsterilen devredeki tranzistr iin
,
ve
olarak veriliyor. Tranzistrn ileri aktif modda m yoksa doyumda
olduunu belirleyiniz.

zm:
direncinin giri ucuna 8V uygulandndan (
iletimdedir. Dolaysyla baz akm,
(

)) tranzistr

olarak bulunur. lk olarak tranzistr ileri aktif modda kabul edelim. Bu durumda
forml geerlidir. Buradan kolektr akm,
Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler
Dr. smail TEKN

15

olur. Kolektr emetr gerilimi ise,

olarak bulunur. Ancak Soruda verilen npn tranzistrl ortak emetrl devrede
gerilimi negatif olamaz. Dolaysyla bata kabul ettiimiz tranzistrn ileri aktif blgede
olduu kabul doru deildir. Tranzistrn iletimde olduunu bildiimizden geri tek
seenek tranzistrn doyumda olduu gerei kalr. Tranzistrde doyumda ise
( )
dur. Buradan ( ) akmn bulalm.
(

olarak bulunur. Baz emetr gerilimi ise hala

dolaysyla baz akm
dir. Bu durumda kolettr akmnn baz akmna oran,

olur. Grld gibi doyumda akm kazanc dan kktr. Bu durum hem npn hem de
pnp tranzistrler iin geerlidir. Doyumda akm kazanc,

olarak tanmlanr. yani zorlanm olarak tanmlanr ve

dir.
Tranzistrn dier bir alma modu geri aktif moddur. Bu modda baz emetr
jonksiyonu tkamada, baz kolektr jonksiyonu ise iletimdedir. Bu tranzistrn kolektr
ucu emetr, emetr ucu da kolektr gibi davranr. Bu mod kuvvetlendiricilerde
kullanlmaz. Sadece saysal elektronik devrelerde kullanlr. Tranzistrn alma
modlar Tablo 4.4de gsterilmitir. ekil 4.12de de her bir durum iin devre modelleri
gsterilmitir. ekil 4.12ada kesim, bde ileri aktif cde doyumda dde de geri aktif
modlar gsterilmitir.

Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler

Dr. smail TEKN

16

Baz emetr
Baz kolektr
Tkama
Tkama
letim
Tkama
letim
letim
Tkama
letim
Tablo 4.4. Tranzistrn alma modlar.

Mode
Kesim
leri aktif
Doyum
Geri aktif

C
IC=0
B
IB=0
IE=0

(a)

FIB
B

IC<0

IC

IB

VBE(FA)=0,7V
IE
E

(b)

IC
VBC(SAT)=0,6V

VBC(RA)=0,7V

IB

RIB

VBE(SAT)=0,8V

IB

IE
E

ekil 4.12. Tranzistrn alma modlar.

IE<0
E

(d)

Tranzistrn almasn anlamak iin gerilim gei erisinden yararlanlabilir.

Gerilim gei erisi, giri gerilimi ile k geriliminin deiiminin izildii eridir. Bir
rnek zerinde inceleyelim.
rnek 4.4: Aada gsterilen npn ve pnp tranzistrl ortak emetrl devrelerin
( )
( )
gerilim gei erisini elde ediniz. npn tranzistr iin
,
( )
( )
ve
, pnp tranzistr iin
,
ve
, olarak
veriliyor.

zm:
npn tranzistrl devrenin analizi
Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler
Dr. smail TEKN

17

ise Qn tranzistr kesimdedir. Bu durumda

,
dur.
olduunda ise iletime gemeye balar ve ilk olarak ileri aktif moddadr. Bu
durumda baz ve kolektr akmlar,
(

olur. k gerilimi ise,

olur. giri ve k gerilimleri arasndaki bu bant tranzistr doyuma gidene kadar

( )
geerlidir. tranzistr doyuma gittiinde
olur. Tranzistr doyuma
gtren giri geriliminin deerini ise yukardaki formlden bulabiliriz.

olarak bulunur. Gerilim gei erisi ekil 3.13de gsterilmitir.

pnp tranzistrl devrenin analizi
pnp tranzistrn iletime gemesi iin
( ) olmaldr. Yani
,
,
olmaldr.
olduunda tranzistr iletimdedir.
olduunda tranzistr kesimdedir. Bu durumda
,
dur.
olduunda tranzistr ileri aktif modadr.
daha da azaltlrsa tranzistr
( )
( )
doyuma gider. leri aktif modda
olur. Bu durumda baz ve kolektr akmlar,

olur. k gerilimi ise,

Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler

Dr. smail TEKN

18

( )
olur. Bu eitlik tranzistr doyuma gidene kadar geerlidir. Doyumda
olduundan
olur. Dolaysyla yukardaki
eitlik
aralnda geerlidir. yukardaki eitlikten hareketle
olduunda
olur. yani giri gerilim 2,8Vun altna dtnde tranzistr
doyuma gider. Gerilim gei erisi ekil 4.13de gsterilmitir.

ekil 4.13.
4.4. Temel Tranzistrl Devreler
Ortak emetrl, ortak kolektrl ve ortak bazl olmak zere tip tranzistrl
devre vardr. Ortak emetrl devrede emetr ucu ile toprak ucu arasna diren
balanabilir. Emetr direncinin etkisi ileri incelenecek. Bu devreleri bir rnek ile
inceleyelim.
rnek 4.5: Aada gsterilen emetr direnli ortak emetrl devrenin Q alma
( )
( )
noktasn belirleyiniz. Tranzistr iin
,
ve
olarak veriliyor.

Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler

Dr. smail TEKN

19

zm: Devrenin baz - emetr evrimine Kirchhoff gerilim yasas uygulanrsa,

(

yazlabilir. Tranzistr ileri aktif modda kabul edelim. Bu durumda emetr akm iin
(
) yazlabilir. Bu durumda baz akm,
(
(

)
)

olur. Kolektr emetr akmlar ise,

olarak bulunur. Kolektr emetr gerilimi ise,

olarak bulunur.
gerilimi pozitif ktna gre tranzistrn ileri aktif modda olduu
kabul doru. Devrenin yk dorusunu elde edelim.
[

Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler

Dr. smail TEKN

20

elde edilir. Devrenin yk dorusu ve Q alma noktas aada gsterilmitir.

rnek 4.6: Aada gsterilen ortak bazl devrede

iin

ve

ve
direnlerinin deerlerini hesaplaynz. Tranzistr iin
alnz.

olmas
(

ve

zm: Devrenin baz - emetr evrimine Kirchhoff gerilim yasas uygulanrsa,

(

olarak bulunur. Devrenin emetr kolektr evrimine Kirchhoff gerilim yasas

uygulanrsa,

Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler

Dr. smail TEKN

21

olarak bulunur.
rnek 4.7: Aada gsterilen ortak kolektrl devrede
( )
direncinin deerlerini hesaplaynz. Tranzistr iin

olmas iin
ve

alnz.

zm: Devrenin kolektr - emetr evrimine Kirchhoff gerilim yasas uygulanrsa,

olarak bulunur. Buradan kolektr ve baz akmlar bulunabilir.

Devrenin emetr - baz evrimine Kirchhoff gerilim yasas uygulanrsa,

(

)
(

olarak bulunur.

Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler

Dr. smail TEKN

22

4.5. Tranzistrn temel kullanl alanlar

Tranzistrn anahtarlama ve kuvvetlendirme olmak zere iki nemli grevi
vardr. ekil 4.14de evirici olarak adlandrlan bipolar tranzistrl devre
gsterilmitir. Burada tranzistr anahtar olarak alr. Bu durumda tranzistr ya
doyumdadr ya da kesimdedir. Burada yk, bir LED ya da bir motor olabilir. Giri
gerilimi,
( ) ise tranzistr kesimdedir. Dolaysyla
dr.
Kolektr akm sfr olduundan yk zerinde bir gerilim dm olmayacandan
dir. rnein yk bir LED ise kolektr akm sfr olduundan (LEDden akm
akmayacandan) LED k vermez.

ekil 4.14. Bipolar evirici devre.

Giri iareti
olduunda
tranzistr doyumdadr. Burumda,
(

ise (

)
(

ykn i direncidir)

(2.28)

(2.29)

(2.30)

olur. Tranzistrn anahtar eleman olarak kullanld en temel uygulama tranzistrl

lojik devrelerdir. ekil. 4.14de evirici devre gsterilmitir. ekil. 4.15de gsterilen
devrede her iki giri de sfr ise her iki tranzistr de kesimdedir. Dolaysyla
dir.
ve
olduunda ise Q1 tranzistr doyumda, Q2 tranzistr ise
hala kesimdedir. Q1 tranzistr doyumda olduundan
( ) olur.
ve
Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler
Dr. smail TEKN

23

olduunda ise Q1 tranzistr kesimde, Q2 tranzistr ise doyumdadr. Q2

tranzistr doyumda olduundan
( ) olur. Her iki giri de
olduunda ise her iki tranzistr de doyumdadr ve k yine
( )dr.
Aadaki tabloda girilerin deiik durumlar iin kn durumu gsterilmitir. bu
tablodan da grld gibi bu ilem NOR ilemidir.

ekil 4.15. Tranzistrl NOR kaps.

0
0

(
(
(

)
)
)

ekil 4.16ada gsterilen evirici devresi kuvvetlendirici olarak da kullanlabilir.

nce eviricinin gerilim gei erisini karalm ve bunun zerine ac iaret ilave edelim.
( )
( )
Tranzistr iin
,
ve
alalm. Diren deerleri
,
alalm. Giri gerilimi,
( ) olduunda tranzistr
kesimdedir. Dolaysyla
,
dr. Giri gerilimi,
( )
olduunda tranzistr iletime geer ve lineer blgededir. Bu durumda baz akm,
(

olur. k gerilimi ise,

olur. Bu eitlik tranzistr lineer blgede olduu srece geerlidir. Doyum snrnda da
( )
geerlidir. Doyumda
dr. Buradan hareketle yukardaki eitlikte
Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler
Dr. smail TEKN

24

alnrsa
olarak bulunur. Giriin bu deerinden sonra tranzistr
doyumdadr ve k gerilimi
dur. ekil 4.16bde devrenin gerilim gei erisi
gsterilmitir.

ekil 4.16. Evirici ve eviricinin gerilim gei erisi.

Eriden grld gibi
iin tranzistr ileri aktif blgenin tam
ortasnda kutuplanmtr.
luk dc giri iareti iin k gerilimi eriden de
grld gibi
dur. ekil 4.17ada gsterildii devrenin giriine dc iarete
ilave olarak bir de ac iaret uygulayalm. Bu durumda baz akm
gerilimi sabit
alnarak,
(

olur. k gerilimi ise,

olur. Bu iaretin
luk ksm
luk dc iaretten,
luk ksm ise
lik
giri iaretinden gelir. Grld gibi devre giriine uygulanan ac iareti 4 kat
kuvvetlendirerek ve fazn evirerek ka aktarmtr. Bu durum ekil 4.17bde
gsterilmitir. ekilden de grld gibi sinzoidal giri iareti bozulmadan yine
sinzoidal olarak kuvvetlendirilmitir. Eer dc giri iareti
olursa tranzistr
doyumda olur ve k iareti
olur. B durumda ac iaret uygulanrsa ekil
4.17cde grld gibi giriin pozitif alternansnda tranzistr doyumda olacandan
kta gzkmez. Negatif alternansnda ise tranzistr lineer blgededir ve kta
Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler
Dr. smail TEKN

25

kuvvetlendirilmi olarak gzkr. Dolaysyla tranzistr doyumda kutuplanrsa giri

iaretinin sadece yar periyodu kuvvetlendirilmi olur. Dier yar periyot ise kta
gzkmez. Buradan da grld gibi tranzistr kuvvetlendirici olarak kullanlacaksa
tranzistrn alma noktas ok nemli olur.

ekil 4.17. Tranzistrn kuvvetlendirici olarak kullanlmas.

4.6. Tranzistrn ngerilimlemesi
Lineer bir kuvvetlendirici yapmak iin tranzistr ileri aktif modda ve Q alma
noktasn yk dorusunun tam ortasnda olacak ekilde kutuplamalyz. Bunun iin
ngerilimleme yapmalyz. eitli ngerilimleme devrelerini inceleyelim.

Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler

Dr. smail TEKN

26

4.6.1. Tek direnli ngerilimleme

ekil 4.18ada en basit ngerilimleme devresi gsterilmitir. ngerilimleme
direnci ile yaplmaktadr.
kapasitesi ise dc iaretler iin ak devre, girie
uygulanan iaretin frekansna gre de ksa devre olacak ekilde yeterince byk
seilmitir. Bylece giri iareti ok az bir zayflama ile tranzistrn bazna iletilir.
kapasitesinin deeri 1-10F arasndadr. Tam deeri girie uygulanan iaretin
frekansna gre seilir ve ileride bu konuyu inceleyeceiz.

ekil 4.18. Tek direnli ngerilimleme devresi ve Thevenin edeeri.

rnek 4.8: ekil 4.18ada gsterilen devrede
, tranzistr iin
( )
ve
olarak veriliyor. Q alma noktasnda
iin

ve

,
ve

direnlerinin deeri ne olmaldr? Hesaplaynz.

zm: Devrenin Thevenin edeeri ekil 4.19bde gsterilmitir. Kolektr direnci,

olur. Buradan

direncinin deeri,
(

olarak bulunur. Yk dorunu izelim. Yk dorusunun denklemi, Bunun iin

gerilimlerinin maksimum deerleri,
Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler
Dr. smail TEKN

ve
27

eklinde bulunur. Bunun iin

olur. Bu durumda
(

ve

akmnn maksimum deeri (doyumda iken maksimum

) alnr.),

gerilimlerinin maksimum deerleri (kesimde iken olur ve kesimde

dr.),

olur. Yk dorusu ve Q alma noktas aada gsterilmitir.

imdiye kadar tranzistrn akm kazanc y sabit aldk. Ancak belli bir
tranzistr tipi iin deeri belirli say deildir. rnein BC547B tipi npn tranzistrn
deeri katalogda 200 ile 450 arasnda verilmitir. Dolaysyla devre tasarlarken
deerini belirli bir deer almak doru deildir. l aleti ile tranzistrn
deeri
llebilir. Bu lm sonucuna gre hesaplamalar yaplabilir. Ancak devredeki
tranzistr bir nedenle (rnein bozulduu iin) deitirilirse ayn tip tranzistr dahi
taklsa alma noktas deiir. Bundan dolay tranzistrl devrelerde ya olan
bamll azaltmak gerekir. Yukardaki rnek iin nn etkisini inceleyelim.
ve
iin yukardaki analizleri tekrarlayalm.
(

Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler

Dr. smail TEKN

(Deimedi)

28

Aada farkl

deeri iin alma noktalar gsterilmitir.

50

100

150

Q alma noktas

Grld gibi
iin yk dorusunun tam ortasnda kutupladmz
devrenin alma noktas deimesi ile ok farkl noktalara kaymtr. Ayrca
bulduumuz ngerilimleme direncinin deeri
olduka byktr. zellikle
entegre teknolojisinde byk deerli diren kullanmak ok zordur. nk 50kun
zerindeki direnler chip ierisinde ok fazla yer kaplar (bir tranzistrn kaplad
alann yaklak 100 kat). Ayrca byk deerli direnlerin toleranslar daha genitir.
Dolaysyla ngerilimlemede kullanacamz direnlerin deeri mmkn mertebe kk
olmaldr.
4.6.2. Gerilim blc ile ngerilimleme
ngerilimleme ekil 4.19ada gsterildii gibi gerilim blc direnler ile de
yaplabilir. ekil 4.19bde de devrenin Thevenin edeeri gsterilmitir. Bu edeer
devredeki Thevenin gerilimi,

Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler

Dr. smail TEKN

29

(2.31)
Thevenin direnci de,
(2.32)
eklindedir. Baz emetr blgesine Kirchhoff gerilim yasas uygulanrsa,
(

(2.33)

+VCC

+VCC
R1

ICQ

RC

RTH

CC
vS +

VTH

R2

IBQ

RC
+
VCEQ
-

(b)
(a)
ekil 4.19. Gerilim blc ile ngerilimlenmi ortak emetrl devre ve Thevenin
edeeri.
yazlabilir. Buradan baz akm,
(

(2.34)

olur.
rnek 4.9: ekil 4.19ada gsterilen devrede
( )
(
tranzistr iin
,
Devrenin Q alma noktasn belirleyiniz

,
ve

,
ve
olarak veriliyor.

zm: Devrenin Thevenin edeeri ekil 4.192bde gsterilmitir. Burada Thevenin

gerilimi ve Thevenin direnci,

Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler

Dr. smail TEKN

30

olarak bulunur. Baz akm,

(

ve

Aada farkl

iin yukardaki analizleri tekrarlayalm.

iin yk dorusu zerinde Q alma noktas gsterilmitir.

IC
6mA
4,95mA

150
100

3,3mA

50

1,65mA

2,1

5,6

8,7

12

Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler

Dr. smail TEKN

VCE(V)
31

4.6.3. Emetr direncinin ngerilimlemeye etkisi

ngerilimleme gerilim blc ile yapldnda ngerilimlemede kullanla
direnlerin deeri azalmakla birlikte ya olan duyarllk azalmamtr. ya olan
duyarllk azaltmak iin ekil 4.20ada gsterildii gibi emetr toprak arasna bir diren
balanr. Bu diren geribesleme grevi grr. Herhangi bir nedenden (scaklk
artndan veya nn artmasndan) dolay kolektr akm arttnda doal olarak
emetr akm da artar. Dolaysyla emetr gerilimi de artar (
). Bu durumda
gerilimi azalr.
azalnca baz akm azalr. Baz akm azalnca da kolektr akm
azalr. Dolaysyla kolektr akmndaki art emetr direncinin yapt geri besleme ile
kompanze edilmi olur.
+VCC

+VCC
R1

ICQ

RC

RTH

CC

vS +

R2

VTH

RE

IBQ

RC
+
VCEQ
RE

(b)
(a)
ekil 4.20. Gerilim blc ile ngerilimlenmi emetr direnli ortak emetrl devre ve
Thevenin edeeri.
Thevenin gerilimi,
(2.35)
Thevenin direnci de,
(2.36)
eklindedir. Baz emetr blgesine Kirchhoff gerilim yasas uygulanrsa,
(

(2.37)

yazlabilir. Buradan baz akm,

Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler
Dr. smail TEKN

32

(
(
olur. Kolektr emetr gerilimi ise

(2.38)

)
alnarak,

(2.39)
(

rnek 4.10: ekil 4.20ada gsterilen devrede

,
,
,
( )
( )
ve
tranzistr iin
,
ve
olarak veriliyor. Devrenin Q alma noktasn belirleyiniz.
zm: Devrenin Thevenin edeeri ekil 4.20bde gsterilmitir. Burada Thevenin
gerilimi ve Thevenin direnci,

olur. Baz ve kolektr akmlar ise,

(
(

olarak bulunur.

deeri ise,
(

olur.

nin ve

nin maksimum deerleri,

Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler

Dr. smail TEKN

33

olarak bulunur. Yk dorusu ekil 4.21de gsterilmitir.

ve
yukardaki analizleri tekrarlayalm.
baz ve kolektr akmlar ise,
(
(

olarak bulunur.

)
)

deeri ise,
(

olur.

iin

baz ve kolektr akmlar ise,

(
(

olarak bulunur.

)
)

deeri ise,
(

olur.
ekil 4.21de farkl
iin yk dorusu zerinde Q alma noktas
gsterilmitir. ekilden de grld gibi
direncinin eklenmesi ile Q alma
noktasnn deiimine olan bamll azalmtr.

IC
5mA

150
2,4mA
2,25mA
1,9mA

100
50

6,6 7,4
ekil 4.21. farkl

12 VCE(V)

iin yk dorusu.

Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler

Dr. smail TEKN

34

4.7. Tranzistrn kk iaret edeer devresi

Tranzistrl devrelerin dc analizini yaparken byk iaret edeer modeli
kullanlabilir. Bu modelde tranzistr ileri aktif modda ise
( ) ve
dir. Bu model zellikle Q alma noktasnn belirlenmesinde kullanlabilir. Ancak
tranzistrl devrenin giriine bir ac iaret uygulandnda bu model kullanlamaz. Q
alma noktas belirlendikten sonra devrenin giriine bir ac iaret uygulandnda
( )
civarnda kk deiimler yapar. Bu durumda artk
gerilimini sabit alamayz. Ayrca baz ve emetr akmlar da artk sabit deildir. ekil
4.22de tranzistrn giriine dc ve ac iaret uyguland durumlar iin
(
)
karakteristii gsterilmitir. Dolaysyla byk iaret edeer devresi tranzistrn ac
davrann analiz etmek iin yeterli deildir.

iB

IB

ib

VBE(on)

IBQ

VBE

VBEQ
vbe

vBE

(a)

(b)
ekil 4.22. Tranzistrn giriine dc ve ac iaret uyguland durumlar iin
karakteristii

Tranzistrl bir devrenin giriine ac iaret uygulandnda tranzistrn

davrann analiz etmek iin tranzistrn kk iaret edeer devresini incelemek
gerekir. Tranzistrn kk iaret edeeri birka ekilde yaplabilir. Genellikle hibrid
modeli ya da h parametreleri modeli kullanlr. Biz burada h parametreleri modelini
kullanacaz. Tranzistr ekil 4.23ada gsterildii gibi giri ve k portlarndan oluan
iki portlu bir devre gibi dnlebilir. Tranzistrn ileri aktif modda kutuplandn
kabul ederek giri ve k portlarndaki akm ve gerilimler arasndaki iliki,

Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler

Dr. smail TEKN

35

ekil 4.23. Ortak emetrl npn tranzistr ve ortak emetrl bipolar tranzistrn h
parametreleri modeli.

(2.40)

eklinde yazlabilir. Bu eitlik ortak emetrl h parametrelerini elde etmede

yararlanlabilir. Bu eitlikten hareketle tranzistrn kk iaret h parametreleri
edeer devresi elde edilebilir. ekil 4.23bde tranzistrn kk iaret h parametreleri
edeer devresi gsterilmitir.

Elektronik Devre Elemanlar, Blm 4: Bipolar Tranzistrler

Dr. smail TEKN

36