5.

BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER

Alan etkili tranzistrler (Field - effect transistor, FET) genel olarak metal oksit
yariletken alan etkili tranzistrler (MOSFET) ve jonksiyonlu FET olmak zere iki ana
gruba ayrlrlar. Jonksiyonlu FETler de pn jonksiyonlu FET (JFET) ve metal yariletken
alan etkili tranzistr (MESFET) olmak zere iki gruba ayrlrlar. MOSFETlerde NMOS ve
PMOSlar beraber kullanlarak (CMOS) ok kk alanlara daha fazla tranzistr
sdrldndan zellikle saysal devrelerde MOSFETler kullanlr. JFETler ise ok az
kullanlr.
MOSFETlerin BJTlere gre bir takm avantajlar vardr:
1. MOSFETler gerilim kontroll olduundan devrenin almas iin akma ihtiya
duymazlar. Lojik geiler dnda beslemeden (sznt akmlar hari) akm
ekmezler. Dolaysyla statik g harcamalar BJTli devrelere gre ok ok azdr.
2. MOSFETler BJTye gre ok daha az yer kaplar.
3. Diyot, diren gibi ilave devre elemanlarna (koruma elemanlar hari) ihtiya
duymazlar.
Dezavantajlar ise,
1. Yke verebilecekleri akm BJTye gre daha azdr. Dolaysyla daha yavatrlar.
2. Akm kazanlarn BJTden daha azdr.
5.1. Metal Oksit Yariletken Alan Etkili Tranzistrler (MOSFETLER)
5.1.1. Metal oksit kapasite
Metal oksit yariletken alan etkili tranzistrler (MOSFET, ksaca MOS) saysal
devrelerde en ok kullanlan devre elemandr. MOSFETlerin temelini metal oksit
yariletken kapasite oluturur. ekil 5.1de metal oksit yariletken kapasitenin yaps
gsterilmitir. Burada metal olarak nceleri genellikle alminyum kullanlmtr.
Sonralar ise yksek iletkenlie sahip polikristal silikon tabaka kullanlmtr. Ancak
hala eski isimlendirme kullanlmaktadr. Oksit tabakas olarak SiO 2 kullanlr. Burada tox
oksit tabakasnn kalnl, ox ise dielektrik sabitidir.
Metal
tox

ox

Isolator
(oxide)

Semiconductor substrate

ekil 5.1. Metal oksit yariletken kapasite.

5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER
Dr. smail Tekin

MOS tranzistrlerin alma prensibi paralel plakal kapasitenin alma

prensibine benzer. ekil 5.2ada paralel plakal kapasiteye gerilim uygulanmas
gsterilmitir. Burada st plakada negatif ykler alt plakada ise pozitif ykler birikir ve
ekilde gsterildii gibi iki plaka arasnda bir elektrik alan meydana gelir.

---------

-------------d

E - field

++++++++++

oksit layer
++++++++

E - field

p - type

(a)

(b)
ekil 5.2. Paralel plakal kapasiteye ve p tipi MOS kapasiteye gerilim uygulanmas.
ekil 5.2bde p tipi tabana sahip bir MOS kapasiteye gerilim uygulanmas
gsterilmitir. st tabaka ayn zamanda kap (gate, G) olarak da adlandrlr ve negatif
ykldr. Elektrik alann yn de ekilde grld gibidir. Bu alann etkisi ile p tipi
blgedeki delikler p tipi yariletken ile oksit blgesinin kesiim noktasna doru hareket
ederler. Bylece p tipi yariletkenin oksit tabakasna yakn blgedeki delik younluu
dier blgelere gre daha fazla olur.
ekil 5.3de ayn MOS kapasiteye ters gerilim uygulanm hali gsterilmitir. Bu
durumda pozitif yk st plakada oluur ve elektrik alan yn bir ncekinin tersi olur.
Oksit tabakasna yakn blgedeki delikler aaya doru itilirler. Deliklerin itilmesi ile bu
blgede aznlkta olan elektronlar ounluk haline gelir. Aznlk tayclarnn ounluk
tayclar haline geldii bu blge electron inversion layer olarak adlandrlr. Eer
kapya uygulanan gerilim artrlrsa elektrik alann iddeti de artar. Oksit tabakas ile p
tipi blgenin kesime blgesinde elektron younluunun fazla olduu blgenin genilii
kapya uygulanan gerilime baldr.
Electron
inversion
layer

++++++++
oksit layer

--------+

E - field

+
-

p - type

ekil 5.3. p tipi MOS kapasitenin kap ucuna pozitif gerilim uygulanmas.

5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER

Dr. smail Tekin

ekil 5.4de n tipi tabana sahip MOS kapasiteye gerilim uygulanmas

gsterilmitir. Burada da benzer bir mekanizma vardr. Burada deliklerin ounluk
tayclar haline geldii blge hole inversion layer olarak adlandrlr.
Hole
inversion
layer

--------oksit layer
++++++++
V

E - field

n+

n - type

ekil 5.4. n tipi MOS kapasitenin kap ucuna negatif gerilim uygulanmas.
Enhancement mode tabiri inversion layer oluturmaya yetecek kadar kapya
gerilim uygulandn gsterir. P tipi tabana sahip bir MOS kapasitede electron
inversion layer olumas iin kapya pozitif bir gerilim uygulanmaldr. Benzer ekilde n
tipi tabana sahip bir MOS kapasitede hole inversion layer olumas iin kapya negatif
bir gerilim uygulanmaldr.
5.1.2. MOSFETin yaps
ekil 5.5de metal oksit yariletken alan etkili transistorn (MOSFET)
basitletirilmi kesiti gsterilmitir. Kap, oksit ve p tipi blgeler MOS kapasitedekinin
aynsdr. Kaynak ve aka terminalleri olmak zere iki yeni n tipi blgeler eklenmitir.
S

W
n+

n+

L
p type

ekil 5.5. N kanall MOSFETin yaps.

ekil 5.6ada gsterildii gibi MOSFETe herhangi bir gerilim uygulanmadnda
kaynak ve aka terminalleri arasnda p tipi blge vardr. Bu ekil 5.6bde gsterildii
gibi ters balanm iki diyot ile gsterilebilir. Bu durumda teorikte akm sfrdr. Eer
kapya inverse layer oluturacak kadar bir gerilim uygulandnda n tipi kaynak blgesi
5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER
Dr. smail Tekin

ve n tipi aka blgesi n tipi kanal ile birbirlerine balanrlar (ekil 5.6c). nversion
layerde tayclar elektronlar olduundan bu tip MOSFET n kanall MOSFET veya ksaca
NMOS olarak adlandrlr. NMOSda aka - kaynak geriliminin uygulanmas ile
elektronlar kaynaktan akaa doru akarlar (akm yn ise tersidir). Akan akmn deeri,
inversion layerdaki tayc younluuna dolaysyla da kap gerilimine baldr. Kap
blgesi kaynak ve aka arasndaki kanaldan oksit tabakas ile ayrldndan teorik
olarak kapdan akm akmaz. Benzer ekilde kanal ile taban da birbirinden fakirlemi
blge ile ayrldndan tabana doru da bir akm akmaz.
G
S

n+

n+

L
p type

(a)

(c)

(b)

ekil 5.6. NMOSun yaps ve gerilim uygulanmas.

5.1.3. MOS transistorlerin alma modlar

ekil 5.7de MOS transistorlerin sembolleri gsterilmitir. Burada NMOS ve
PMOSun 3 terminalli ve 4 terminalli sembolleri gsterilmitir. Eer 5. Terminal (body,
B) gsterilmemi ise bu gvdenin NMOSda GNDye PMOSda ise VDDye baland
anlamna gelir.

D
G

D
G

S
(a) 4 Terminalli NMOS

S
(b) 3 Terminalli NMOS

D
G

D
G

(c) 4 Terminalli PMOS

(d) 3 Terminalli PMOS
ekil 5.7. MOS transistorlerin 3 terminalli ve 4 terminalli sembolleri.
5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER
Dr. smail Tekin

Eik gerilimi: NMOSda akatan kaynaa bir akmn akmas iin kap - kaynak gerilimi,
NMOSun eik geriliminden byk olmal (
) ve aka - kaynak gerilimi de
sfrdan byk olmaldr (
). Eik gerilimi NMOSun yapsna ve fiziksel boyutuna
baldr. NMOSda eik gerilimi pozitif iken PMOSda negatiftir. Eik geriliminin deeri
,
(|

|)

(5.1)

eklinde tanmlanr. Burada

;
(VSB; kaynak - gvde) olduundaki eik
gerilimi, ; body effect coefficient olarak tanmlanr ve
(5.2)

eklinde tanmlanr. Burada

; kap blgesindeki dielektriin birim alanndaki
kapasitesi ( ), q; elektronun yk, ; silikonun dielektrik sabiti, ; p tipi tabann
katk younluudur. (5.1) nolu eitlikte ; elektrostatik Fermi potansiyeli olup, NMOS
ve PMOS iin,
(5.3)

(5.4)
eklinde tanmlanr. Burada NA; acceptor younluu, ND; donor younluu, q; elektronun
yk, ni saf yariletkenin younluu, k; Boltzman sabiti, T; Kelvin cinsinden scaklktr.
Kesim modu: Eer
deeri NMOSun eik geriliminden kk ise NMOS tkamadadr
ve akatan kaynaa bir akm akmaz (ID=0).
Lineer mod:
deeri NMOSun eik gerilimini adnda
ise aka akm
akmaya balar (ekil 5.8a). Kanal ierisinde herhangi bir x noktasndaki gerilim V(x)
olmak zere, bu nokta iin kap - kanal gerilimi
dir. Bu gerilimin kanaln
tamamnda eik gerilimini atn kabul edersek, x noktasndaki birim alandaki yk
miktar,
[

(5.5)

olur. Bu durumda akm, tayclarn (elektronlarn) srklenme hz ile akm tayacak

tayclarn yknn arpmdr.
5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER
Dr. smail Tekin

(5.6)
olur. Elektronlarn srklenme hz, elektronlarn hareket yetenei (
elektrik alann arpmna eittir.

, m2/V.s) ile

(b)

(a)
ekil 5.8.

(5.7)
(5.5) ve (5.7) eitlikleri (5.6)da yerlerine konursa,
[

(5.8)

olur. Bu eitlik,
[

(5.9)

eklinde yazlabilir. xin 0dan Lye Vnin de 0dan VDSye kadar integrali alnrsa,

(5.10)

ve bu integral alnrsa ve dzenlenirse lineer modda aka akm,

[

(5.11)

(5.12)

veya

5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER

Dr. smail Tekin

eklinde

ifade

edilir.

Burada

olup

iletkenlik

parametresidir

(transconductance parametresi) ve ileride ayrntl incelenecektir.

Doyum modu:
iken VDS artarsa ve
deerine ularsa (5.5)
eitliine gre kanaln aka ucunda yk younluu sfr olur (ekil 5.8b). VDS daha
artrlrsa (5.5) nolu eitlik ile verilen yk miktar iaret deitirir. Yani
olduunda kanalda pozitif yk oluur. (5.12) nolu eitlik
deerine kadar
geerli olduundan bu deer doyum gerilimi olarak alnabilir. (5.12) nolu eitlikte
alnarak doyumda aka akm,
[

]
(5.13)

olur. Buradan grld gibi doyumda NMOS mkemmel bir akm kayna gibi
davranr. Aka akm sadece VGS deerine baldr. Ancak gerekte bu tam doru
deildir. nk kanaln boyu VDS deerinden bamsz deildir. VDS deeri arttnda
aka blgesindeki fakirlemi blge geniler ve kanaln boyu azalr. (5.13) nolu
eitlikten grld gibi kanaln boyu azaldnda aka akm artar. Bu etki dikkate
alndnda aka akm,
(5.14)
eklindedir. Burada ya kanal boyu modlasyon parametresi denir ve deneysel olarak
bulunur. kat says kanal boyu ile ters orantldr.
ekil 5.9da MOSun akm - gerilim karakteristii gsterilmitir. Akm gerilim
karakteristiinde belli VGS deeri iin aka akmnn VDS ile deiimi gsterilmitir. Bu
karakteristik BJTnin k karakteristiine benzemektedir. nemli tek fark giri
parametresinin (BJTde baz akm, MOSda VGS) art ile aka akm lineer artmaz.
BJTde baz akm iki katna ktnda kolektr akm da iki katna kar. MOSda ise
durum ayn deildir. Bunun nedeni MOSda aka akmnn VGS deerine quadratic olarak
bal olmasdr. Grafikte lineer blge
erisinin sol tarafdr. Sa taraf ise
doyum blgesidir. BJTde olduu gibi kesim blgesi aka akmnn sfr olduu blgedir.

5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER

Dr. smail Tekin

ID(mA)
VDS= VGS- VT

VGS4

VGS3
VGS(V)

VGS2
VGS1
VGS VT

VDS(V)

ekil 5.9. MOSun akm - gerilim karakteristii.

5.1.5. MOSun iletkenlik parametresi
letkenlik parametresi k, MOS transistorun fiziksel zelliklerine baldr. Birimi
dir ve
(5.15)
eklinde tanmlanr. Burada ; tayclarn hareket yetenei,
; kap blgesindeki
dielektriin birim alanndaki kapasite ( ), W; kanaln genilii (m) ve L; kanal
boyudur (m). NMOS iin elektronlarn hareket yeteneinin tipik deeri,
(5.16)
PMOS iin deliklerin hareket yeteneinin tipik deeri,
(5.17)
eklindedir.
5.1.5. PMOSun alma modlar
PMOSun alma modlar NMOSun alma moduna benzer. Sadece akm ynleri
ve gerilimlerin polariteleri farkldr. PMOSun alma modlar aada zetlenmitir.
Kesim:

olduunda aka akm,

5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER

Dr. smail Tekin

(5.18)
olur.
Lineer mod:

ve

olduunda aka akm,

[(

(5.19)

eklinde ifade edilir.

Doyum modu:

ve

olduunda aka akm,

(

(5.20)

veya
(

) (

(5.21)

olur.
5.1.7. Kanal gei sresi (transit time, tt)
MOSFETlerde yaylm gecikmesini belirleyen en temel parametre tayclarn
kanal gei sreleridir. Uzun kanall MOSFETlerde (kanal boyu 2mden byk)
kanaldaki ortalama kanal elektrik alan,
(5.22)
eklinde ifade edilir. Burada L kanal boyudur. Tayclarn hz ise,
(5.23)
olur. Burada

; MOSFETin yapsna gre elektronun veya deliklerin hareket

yeteneidir. Bylece gei sresi

(5.24)

5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER

Dr. smail Tekin

olur. Formlden de grld gibi gei sresi kanal boyunun karesi ile doru
orantldr. Kanal boyu ne kadar kk olursa gei sresi de o kadar kk olur.
5.1.8. Azaltlm mod MOSFETler
imdiye kadar incelediimiz MOSFETler artrlm mod (enhancement-mode)
MOSFETler olarak adlandrlr. nk bu MOSFETlerde kanal, kanaldaki tayc says
artrlarak oluturulur. Bunun tam tersi ekilde alan MOSFETler de vardr. Yani
herhangi bir gerilim uygulanmadnda savak kaynak arasnda bir kanal var iken gerilim
ile kanaldaki tayc says azaltlarak kanal kapatlr. Bu tip MOSFETlere azaltlm
mod (depletion-mode ) MOSFETler ad verilir. Bu tip MOSFETler normalde iletimde
iken gerilim uygulanarak kesime gtrlr. ekil 5.10da n tipi azaltlm mod
MOSFETin yaps gsterilmitir.

ekil 5.10. n tipi azaltlm mod MOSFETin yaps

Kap ucuna herhangi bir gerilim uygulanmadnda kanal vardr ve kaynaktan
savaa bir akm akar (ekil 5.10a). Kanal ortadan kaldrmak iin MOSFETin kap ucuna
(
) negatif gerilim uygulanr. Uygulanan gerilim ile kanaldaki elektronlar tabana
doru hareket ederler ve kanaldaki elektron says hzla azalr (ekil 5.10b ). Bylece
kanaln iletkenlii ve savak akm azalr.
gerilim eik gerilimine eit kanal tamamen
kapanr ve savak akm sfr olur. Kapanan kanal kap ucuna pozitif bir gerilim
uygulanarak tekrar alabilir (ekil 5.10c).
Azaltlm mod MOSFETlerin akm gerilim karakteristikleri artrlm mod
MOSFETlerin akm gerilim karakteristii ile ayndr. Sadece n tipi azaltlm mod
MOSFETlerin eik gerilimi negatiftir. ekil 5.11de azaltlm mod MOSFETlerin akm
gerilim karakteristii gsterilmitir. Karakteristikten de grld gibi kap ucuna
herhangi bir gerilim uygulanmadnda kanal iletimdedir. Pozitif uygulandnda
kanaldaki elektron says artacandan akan akm artarken negatif gerilim
uygulandnda kanaldaki elektron says azalr ve dolaysyla akm azalr. Negatif
gerilimin deeri eik gerilimine ulatnda kanal tamamen kapanr.
5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER
Dr. smail Tekin

10

ekil 5.11. Azaltlm mod MOSFETlerin akm gerilim karakteristii.

5.1.9. MOSFETlerin sembolleri
n tipi artrlm mod MOSFETlerin devre sembolleri ekil 5.12de gsterilmitir.
ekil 5.12adaki sembolde dik srekli izgi kap ucunu, kesikli dik izgi kanal, izginin
kesikli olmas MOSFETin artrlm tip olduunu, srekli izgi ile kesikli izgi arasndaki
boluk kap ucu ile kanal arasndaki yaltkan blgeyi gsterir. Okun ynnn tabandan
kanala doru olmas elektronlarn tabandan kanala doru hareket ettiini gsterir.

ekil 5.12. n tipi artrlm mod MOSFETlerin devre sembolleri.

ou uygulamada taban kaynak ucuna baldr. Bundan dolay ekil 5.12b ve cde
semboller daha ok kullanlr. zellikle basitlik asndan cdeki sembol ok kullanlr.
5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER
Dr. smail Tekin

11

ekil 5.13de de p tipi artrlm mod MOSFETlerin devre sembolleri

gsterilmitir.

ekil 5.13. p tipi artrlm mod MOSFETlerin devre sembolleri.

ekil 5.14de ise n tipi azaltlm mod MOSFETlerin devre sembolleri
gsterilmitir. Burada savak, aka ve kanal srekli izgi ile gsterilmitir. izginin
srekli olmas savak ile aka arasnda srekli bir kanaln olduunu gsterir.

ekil 5.15. n tipi azaltlm mod MOSFETlerin devre sembolleri.

ekil 5.15de p tipi azaltlm mod MOSFETlerin devre sembolleri gsterilmitir.

5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER

Dr. smail Tekin

12

ekil 5.15de p tipi azaltlm mod MOSFETlerin devre sembolleri.

5.2. MOSFETli Devrelerin dc Analizi
Burada analizler yaplrken devrelerde direnler kullanlmtr. Ancak entegre
ierisinde direnler ok yer kapladndan MOSFETli devrelerde direnler de
MOSFETlerden elde edilir. Basitlik olmas iin burada direnler kullanlacaktr.
5.2.1. Ortak kaynakl devrenin dc analizi
En temel MOSFETli devrelerden bir tanesi ortak kaynakl devredir. ekil 5.16da
n tipi artrlm mod MOSFETli ortak kaynakl devre rnei gsterilmitir. Devrede
MOSFETin kaynak ucu topraa balanmtr ve kaynak ucu hem giri iaretine hem de
k iaretine ortaktr.

ekil 5.16. n tipi artrlm mod MOSFETli ortak kaynakl devre.

5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER

Dr. smail Tekin

13

ekil 5.17de ortak kaynakl devrenin dc edeeri gsterilmitir. Kapdan akm

akmadndan kap ucunun gerilimi gerilim blcden hareketle,

ekil 5.17. n tipi artrlm mod MOSFETli ortak kaynakl devrenin dc edeeri.
(5.25)
eklinde bulunabilir. Bu gerilimin deerinin eik geriliminden byk olduunu ve
tranzistrn doyumda olduunu kabul ederek aka akm,
(5.26)
olur.

gerilimi ise,
(5.27)

olur. Tranzistrde harcanan g ise kapdan ucundan akm ekilmediinden,

(5.28)
olur.
rnek 5.1: Aada gsterilen ortak kaynakl devrede
,
,
,
,
ve
olarak veriliyor. Tranzistr
zerinde harcanan gc hesaplaynz.

5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER

Dr. smail Tekin

14

zm: Kap gerilimi,

olur. Tranzistr doyumda kabul edersek aka akm,

olur.

gerilimi ise,

olur. Tranzistrde harcanan g ise,

olarak bulunur.
olduundan (
) bata tranzistrn
doyumda olduu kabul dorudur. Genel olarak MOSFETli lineer kuvvetlendiricilerde
MOSFETler doyumdadr.
ekil 5.18de p tipi artrlm mod MOSFETli ortak kaynakl devre rnei
gsterilmitir. Devrede MOSFETin kaynak ucu beslemeye balanmtr. Besleme ucu ac
edeer devrede topraa balandndan devre ortak kaynakldr. Devrenin dc analizi n
tipi MOSFETli devreninkine benzer. Kap gerilimi,

5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER

Dr. smail Tekin

15

ekil 5.18. p tip artrlm mod MOSFETli ortak kaynakl devre.

(5.29)
eklinde bulunabilir.

gerilimi ise,
(5.30)

eklindedir.
aka akm,

olduunu ve tranzistrn doyumda olduunu kabul ederek

(5.31)
olur.

gerilimi ise,
(5.32)

olur. Tranzistrde harcanan g ise kapdan ucundan akm ekilmediinden,

(5.33)
olur. Eer hesaplama sonucunda elde edilen deer
artn salyorsa
MOSFET doyumda kabul dorudur. Salanmyorsa lineer blgededir.
rnek 5.2: ekil 5.18de gsterilen p tipi MOSFETli ortak kaynakl devrede
,
,
,
,
ve
olarak veriliyor.
Aka akmn ve
gerilimini hesaplaynz.

5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER

Dr. smail Tekin

16

zm: Kap gerilimi,

olur.

gerilimi ise,

Tranzistr doyumda kabul edersek aka akm,

olur.

gerilimi ise,

olur.
(
,
) art salanmadndan
MOSFETin doyumda olduu kabul doru deildir. Dolaysyla MOSFET lineer
blgededir. Lineer blgedeki aka akm ifadesi kullanlrsa,
[
eitlii zlrse,

olarak bulunur. Bu durumda

]
gerilimi,

olur.
art salandndan tranzistr lineer blgededir. Yukardaki
denklemde ikinci kk
dir. Bu aka akm iin
deeri
dur.
Bu deer de MOSFETin doyumda olduunu gsterir. Ancak yukarda MOSFETin
doyumda olmad grldnde aka akmnn doru deeri
dir.
rnek 5.3: Aada gsterilen n tipi MOSFETli ortak kaynakl devrede

olmas isteniyor. Tranzistr iin

ve

ve
olarak

veriliyor. Devredeki direnlerin deerini belirleyiniz.

5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER

Dr. smail Tekin

17

zm: MOSFET doyumda kabul edelim. Bu durumda aka akm ifadesinden

gerilimi,

olarak bulunur. Kap ucundan akm akmadndan kap gerilimi sfrdr. Dolaysyla,

olur. Buradan

direnci,

olarak bulunur. Aka gerilimi ise,

olur. Bylece

direnci,

olarak bulunur. Grld gibi

art salandndan (
) MOSFETin doyumda olduu kabul dorudur.

5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER

Dr. smail Tekin

18

Soru 1.1: Aada gsterilen n tipi MOSFETli ortak kaynakl devrede

ve
olarak veriliyor. ve gerilimlerini ve akmn
belirleyiniz.
(p ucu: nce kap gerilimini bulunuz. Daha sonra gerilimini cinsinden ifade
ediniz, aka akm ifadesinden aka akmn bulunuz. Sonra srasyla ve
gerilimlerini bulunuz. Cevaplar
,
,
).

rnek 5.4: Aada gsterilen p tipi MOSFETli ortak kaynakl devrede

ve

olmas isteniyor. Tranzistr iin

ve devrede

ve

olarak veriliyor. Devredeki direnlerin deerini

belirleyiniz.

5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER

Dr. smail Tekin

19

zm: MOSFET doyumda kabul edelim. Bu durumda aka akm ifadesinden

gerilimi,

olarak bulunur. Kap gerilimi ise,

olur. Buradan

direncinden akan akm,

olarak bulunur.

ve

direnlerinden ayn akm aktndan,

olarak bulunur.

direnci ise,

olur. Aka gerilimi ise,

olur. Bylece

direnci,

olarak bulunur.

5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER

Dr. smail Tekin

20

Soru 1.2: Aada gsterilen p tipi MOSFETli ortak kaynakl devrede

ve
olarak veriliyor. ve gerilimlerini ve
akmn belirleyiniz.
(p ucu: nce kap gerilimini bulunuz. Daha sonra gerilimini cinsinden
ifade ediniz, aka akm ifadesinden aka akmn bulunuz. Sonra srasyla ve
gerilimlerini bulunuz. Cevaplar
,
,
).

ekil 3.32

Yk dorusu ve alma modlar

Yk dorusu kullanlarak MOSFETin alma blgesi kolayca belirlenebilir.
rnek 5.1de gsterilen ortak kaynakl devreyi ele alalm. Bu devrenin yk dorusu ekil
5.19da gsterilmitir. Burada aka akmnn
gerilimi ile deiim erisi zerinde yk
dorusu gsterilmitir. Devrede
gerilimi,

ekil 5.19. Ortak kaynakl devrenin yk dorusu.

5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER
Dr. smail Tekin

21

(5.34)
eklinde yazlabilir. Buradan Aka akm,
(5.35)
eklinde yazlabilir. Bu denklem aka akmnn
gerilimine bal doru denklemidir.
iin
,
iin
dir. Tranzistrn Q alma noktas her
zaman yk dorusu zerindedir.
Eer
gerilimi
eik geriliminden kk ise MOSFET kesimdedir.
gerilimi artrlrsa ve
eik gerilimine ulatnda MOSFET iletime geer ve tranzistr
doyumdadr. Eer
gerilimi artrlmaya devam ederse yk dorusu zerindeki Q
alma noktas lineer blgeye doru hareket eder. Yk dorusu zerinde doyum gei
noktas olarak gsterilen nokta doyum snrdr. Bu noktada
dir.
rnek 5.5: Aada gsterilen n tipi MOSFETli ortak kaynakl devrede

ve
olarak veriliyor. Doyum gei noktasndaki
gerilimini ve
aka akmn hesaplaynz.

zm: Doyum gei noktasnda,

dir. Ayn zamanda

gerilimi iin,

Yazlabilir. Doyum snrnda aka akm hala,

eklinde ifade edilebilir. bu deer yukardaki eitlikte yerine konursa,

5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER

Dr. smail Tekin

22

olur. Bylece doyum gei noktas iin,

olur. Dzenlenirse,

olur.

e bal ikinci dereceden denklem zlrse,

olarak bulunur. Aka akm ise,

olarak bulunur.

Soru 1.3: Soru 1.2de verilen devrenin yk dorusunu iziniz ve doyum gei
noktasnn parametrelerini belirleyiniz.
Cevaplar
,
,
).

5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER

Dr. smail Tekin

23

Kaynak direnli ortak kaynakl devre

BJTli kuvvetlendiricilerde Q alma noktasnn tranzistrn parametrelerine
olan bamlln azaltmak iin emetre bir diren balanr. Benzer bir uygulama ortak
kaynakl devrede de yaplr. Ortak kaynakl devrede tranzistrn parametrelerine
(kanal boyu, kanal genilii, oksit tabakasnn genilii, taycnn hareket yetenei, vb.)
olan bamll azaltmak iin kaynak ucuna bir diren balanr.
rnek 5.6: Aada gsterilen n tipi MOSFETli ortak kaynakl devrede

ve n gerilimleme direnlerinden akan akmn

olmas

isteniyor. Tranzistr iin

ve
olarak veriliyor. Devredeki
direnlerin deerini belirleyiniz.

R1

R2

zm:

RD

RS

direncinin deeri,

olarak bulunur. Aka direnci ise,

olarak bulunur. n gerilimleme direnlerinin toplam ise,

5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER

Dr. smail Tekin

24

olarak bulunur. Aka akmndan hareketle,

olarak bulunur.

gerilimi,
[

olduundan

direnci,
[

olarak bulunur.

direnci ise,

olur.
5.3. Jonksiyonlu Alan Etkili Tranzistrler
Jonksiyonlu alan etkili tranzistrlerin (JFET) pn jonksiyonlu alan etkili tranzistr
(pn JFET) ve metal - yariletken alan etkili tranzistr (MESFET) olmak zere iki tr
vardr. Jonksiyonlu FETlerde kanaln iletkenlii kanala uygulanan alan ile kontrol edilir.
JFETler MOSFETlerden daha nce yaplmasna ramen MOSFETlerin avantajlarndan
dolay JFETlerin kullanm gnmzde snrldr. MOSFETlerin en nemli avantaj
akaca ve kapya uygulanan gerilimlerin ayn polaritede olmasdr. JFETlerde ise ters
polariteli olmas gerekir. MOSFETlerin giri direnci JFETlerden daha yksektir. Ayrca
MOSFETlerin retimi JFETlerden daha kolaydr.
5.3.1. Pn JFETin ve MESFETin yaps ve alma prensibi
Pn JFETin yaps ve alma prensibi
ekil 5.20de pn JFETin yaps gsterilmitir. Kapy oluturan iki p tipi
yariletken blge arasna n tipi bir blge yerletirilmitir. n tipi blgede ounluk
tayclar olan elektronlar uygulanan gerilimin etkisi ile kaynaktan akaca doru
hareket ederler. Dolaysyla aka akm akatan kaynaa doru akar. Burada kanal n tipi
yariletken olutuundan bu tip pn JFETler n tipi pn JFET olarak adlandrlr. p kanall
pn JFETlerde ise iki n tipi yariletken blge arasna p tipi bir blge yerletirilmitir.
Delikler kaynaktan akaca doru hareket ederler. p kanall pn JFETlerde akm yn ve
gerilimlerin polariteleri n tipinin tam tersidir. Ayrca deliklerin hareket yetenei
5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER
Dr. smail Tekin

25

elektronlarn hareket yeteneinden az olduundan p kanall JFETler dk

frekanslarda alrlar. Ayrca akm kazanlar daha dktr.

ekil 5.20. n kanall pn JFETin yaps.

ekil 5.21de n kanall pn JFETe gerilim uygulanmas gsterilmitir. ekil
5.21ada gsterildii gibi eer kap ucuna herhangi bir gerilim uygulanmazsa (kaynak
ucu toprakta) ve pozitif bir
gerilimi uygulanrsa akatan kaynaa doru bir akm
akar. n tipi kanal, bir diren gibi davrandndan
nin kk deerleri iin aka
akmnn
gerilimi ile deiimi lineerdir.

(a)

ekil 5.21. n kanall pn JFETe gerilim uygulanmas.

Eer kap ucuna negatif bir gerilim uygulanrsa kap - kanal jonksiyonu tkama
ynnde kutuplanm olur. Dolaysyla fakirlemi blge geniler, Kanaln direnci artar
5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER
Dr. smail Tekin

26

ve aka akm azalr (ekil 5.21b). Eer uygulanan negatif gerilim daha artrlrsa kanal
daha da daralr ve aka akm daha da azalr (ekil 5.21c). Kanal tamamen kapatan kap
gerilimi pinchoff gerilimi olarak adlandrlr. Grld gibi pn JFETler normalde
iletimdedir ve kesime gtrmek iin kap ucuna yeterli byklkte negatif bir gerilim
uygulanmaldr.
Kap gerilimi sfr iken
gerilimi artrlrsa kanaln akaca yakn blgelerinde
daralma olur. Dolaysyla kanaln direnci artar ve
gerilimi ile aka akmnn art
azalr. Bu durum ekil 5.22de gsterilmitir. Bu durumda kanaln direnci kanaln
boyuna baldr. Eer
gerilimi daha da artrlrsa ekil 5.22cde gsterildii gibi
kanaln akaca yakn ksm iyice kapanr. Bu gerilim deerinden sonra
gerilimi
artrlsa da aka akm artmaz (kanaln ucu da tam olarak kapanmaz).

ekil 5.22. n kanall pn JFETde aka akmnn

ile deiimi.

MESFETin yaps ve alma prensibi

Normal bir pn diyotta ounluk tayclarnn yannda aznlk tayclar da
vardr. Bu aznlk tayclar diyodun anahtarlama hzn snrlayan en nemli etkendir.
Bundan kurtulmak iin Schottky bariyer diyodu ad verilen metal - yariletken diyotlar
kullanlr. Bu diyotlarda akm sadece ounluk tayclar (elektronlar) ile salanr.
Dolaysyla bu diyotlar olduka hzl diyotlardr. Bu diyotlarn bir dier avantaj eik
gerilimlerinin normal diyotlara gre dk olmasdr (
civarnda).
ekil 5.23de MESFETin yaps gsterilmitir. Yaltkan bir taban zerine n tipi
blge oluturulur. Daha sonra katk younluu yksek olan aka ve kaynak ksmlar
oluturulur. Yapya dikkat edilirse kap ucunda bir pn jonksiyon olmad grlr.
Burada metal -yariletken bir jonksiyon vardr. Kap ucuna uygulanan gerilim ile kap
elektrodu ile altndaki n tipi blge arasndaki fakirlemi blgenin genilii ayarlanr.
Bylece kanaln iletkenlii kap gerilimi ile kontrol edilmi olur. Kap ucuna uygulanan
5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER
Dr. smail Tekin

27

negatif gerilim deeri yeterince byk ise fakirlemi blge tabana kadar ulaabilir ve
kanal kapanr (pinchoff gerilimi). Yapdan da grld gibi kap ucuna herhangi bir
gerilim uygulanmadnda MESFET iletimdedir.

ekil 5.23. MESFETin yaps.

5.3.2. JFETlerin akm gerilim karakteristikleri
ekil 5.24de n kanall ve p kanall JFETlerin sembolleri, kap kaynak gerilimleri
ve akm ynleri gsterilmitir. Eer JFET doyum modunda kutuplanmsa akm gerilim
ilikisi,

ekil 5.25. n kanall ve p kanall JFETlerin sembolleri, kap kaynak gerilimleri ve akm
ynleri.

(5.36)

eklindedir. Burada
olduundaki doyum akm,
ise pinchoff gerilimidir.
ekil 5.25de n kanall ve p kanall JFETlerin ideal akm gerilim karakteristikleri
gsterilmitir. n kanall JFETlerde pinchoff gerilimi ve
gerilimi negatif olduundan
oran pozitiftir. p kanall JFETlerde ise pinchoff gerilimi ve
gerilimi pozitif
oran pozitiftir.
olduundan
5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER
Dr. smail Tekin

28

n kanall JFETlerde doyum art

eklindedir.

, p kanall JFETlerde ise

ekil 5.25. n kanall ve p kanall JFETlerin ideal akm gerilim karakteristikleri.

ekil 5.26da n kanall ve p kanall JFET doyumda iken aka akmnn
ile deiimi gsterilmitir.

ekil 5.26. n kanall (a) ve p kanall (b) JFET doyumda iken aka akmnn
deiimi.

gerilimi

gerilimi ile

JFETlerde aka akmnn

deiimi belli bir noktadan sonra deiimi ekil
5.25de gsterildii gibi sabit deildir. BJTlerde Elarly olayna benzer bir olay burada da
sz konusudur ve akmnn
deiimi aadaki gibidir.

(5.37)

k direnci ise,

5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER

Dr. smail Tekin

29

) |

(5.38)

ifadesinden hareketle (5.37) eitliinin trevi alnrsa,

) ]

(5.39)

olur.
MESFETlerin akm - gerilim karakteristii ise MOSFETlerin akm - gerilim
karakteristiine benzer.
5.3.3. JFETlerin dc analizi
rnek 5.7: Aada gsterilen n kanall JFETli devrede
,
,
olarak veriliyor.
ve
olmas iin devredeki direnlerin deerini
hesaplaynz.

zm: JFETi doyumda kabul ederek,

(

gerilimi,
(

olarak bulunur.
buradan hareketle

direnci,

5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER

Dr. smail Tekin

30

olarak bulunur. Devreden,

olarak bulunur.
,
doyumda olduu kabul dorudur.

olduundan JFETin

rnek 5.8: Aada gsterilen n kanall JFETli devrede

,
olarak veriliyor.
ve

,
,
olmas iin devredeki

direnlerin deerini hesaplaynz.

zm: JFETi doyumda kabul ederek,

(

gerilimi,
(

olarak bulunur. Devreden,

olarak bulunur. Buradan kap gerilimi,

5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER

Dr. smail Tekin

31

olarak bulunur. Gerilim blcden,

(

)(

olarak bulunur. Devreden

direnci,

olarak bulunur.
,
doyumda olduu kabul dorudur.

,5

rnek 5.9: Aada gsterilen MESFETli devrede

olarak veriliyor.
ve
direnlerin deerini hesaplaynz.

olduundan JFETin

,
,
olmas iin devredeki

zm:

5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER

Dr. smail Tekin

32

direncinin deeri,

olarak bulunur.

olur.
5.5. FETlerin Temel Kullanm Alanlar
Bipolar tranzistrler gibi FETler de anahtarlama ve kuvvetlendirme yaparlar.
ekil 5.27de NMOS evirici devresi gsterilmitir.
ise MOSFET kesimdedir,
dolaysyla
dr.
direnci zerinde gerilim dm olmadndan
olur.

ekil 5.27. NMOS evirici.

olduunda MOSFET iletime geer ve ilk olarak
olduundan doyum modundadr. Eer giri artrlrsa
gerilimi azalr ve belli bir giri
geriliminden sonra doyumdan karak lineer blgeye geer.
olduunda ise
MOSFET artk lineer blgededir. BJTden farkl olarak MOSFETler anahtar olarak
kullanldnda ya kesimdedir ya lineer blgededirler.
ekil 5.28de NMOS NOR kaps gsterilmitir. Her iki giri de sfr olduunda her
iki tranzistr de kesimde olacandan
olur. Herhangi bir giri
olduunda girii lojik 1 olan MOSFET iletime geer ve lineer
blgededir. k ise en dk deerinde olur.

5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER

Dr. smail Tekin

33

ekil 5.28. NMOS NOR kaps

rnek 5.10: ekil 5.28de gsterilen NMOS NOR kapsnda MOSFETler zde olup

,
olarak veriliyor.
dr. Girilerin tm lojik
durumlar iin den akan akm ve k gerilimini hesaplaynz.
zm: Her iki giri de sfr olduunda her iki tranzistr de kesimde olacandan
olur.
direncinden akm akmaz. Eer
ve
ise M1
MOSFETi lineer blgede, M2 MOSFETi ise kesimdedir. Bu durumda aka akm,
[

Eitlii zlrse

olarak bulunur. Buradan aka akm,

olarak bulunur.
Eer
ve
kesimdedir ve yine
ve
Her iki giri de
durumda den akan akm

ise M2 MOSFETi lineer blgede, M1 MOSFETi ise

olur.
ise her iki MOSFET de lineer blgededir. Bu
olur. yani,
[

5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER

Dr. smail Tekin

]
34

Eitlii zlrse

]
olarak bulunur. Buradan

olur. Aka akmlar ise

den akan akm,

olur.

ekil 5.29da MOSFETin kuvvetlendirici olarak kullanlmas gsterilmitir. Q

alma noktas
ve
direnleri ile ayarlanr. Girie sinzoidal iaret uygulandnda
bu iaret dc iarete ilave olur. Q alma noktas giri iaretine bal olarak ekilde
gsterildii gibi yk dorusu zerinde aaya ve yukarya hareket eder.

ekil 5.29. NMOSlu ortak kaynakl kuvvetlendirici.

5. BLM: ALAN ETKL TRANZSTRLER

Dr. smail Tekin

35