6.

BLM: G ELEMANLARI
6.1. Tristr (Silicon-Controlled Rectifier, Silikon Kontroll Dorultucu)
Tristrler, genel olarak yksek akm ve gerilimlerde kullanlan bir anahtarlama
elemandr. Tranzistr gibi kuvvetlendirme iin kullanlamaz. Germanyumun sznt
akm silikona gre fazla olduundan Germanyum kullanlmaz. Bundan dolay silikon
kontroll dorultucu olarak adlandrlr. ekil 6.1ada tristrn iyaps bde ise sembol
gsterilmitir. ekil 6.1adan da grld gibi tristr drt katmanl, ulu bir devre
elemandr. Ular anot, katot ve kap ucudur. almas normal bir diyottan farkldr.
Tristrn iletime gemesi iin anot geriliminin katot geriliminden yksek olmas
yetmez. Ayrca kap ucuna ksa sreli darbe uygulamak gerekir. Bu darbenin srekli
olmas gerekmez. Tristr iletime getikten sonra bu darbe kesilebilir. letime getikten
sonra tristrn direnci
ile
arasndadr. Tkama blgesi direnci ise
den
byktr.

(a)
(b)
ekil 6.1. Tristrn i yaps ve devre sembol.
Tranzistr ile kyaslandnda tristrn en nemli avantajlar, tranzistr n
gerilimlemeye ihtiya duyarken tristrde byle bir eye gerek yoktur. Ayrca tranzistr
anahtar olarak kullanldnda doyum ve kesim blgelerinde alr. Eer iletim
blgesinde giri gerilimi tranzistr doyuma gtrecek kadar yksek deilse tranzistr
kesimde olmaz, ileri aktif blgede olur. Yani iletim ve kesim dnda ara bir durum da sz
konusudur. Tristrde ise byle bir ara durum yoktur. Tristr ya iletimdedir, ya da
kesimdedir.
Tristrler
gibi yksek gerilimlerde,
gibi yksek akmlarda ve
gibi yksek glerde alabilen bir g elemandr. zellikle, hz kontrol
devrelerinde, g anahtarlama devrelerinde, rle srme devrelerinde, faz kontrol
devrelerinde, dc/ac inverterlerde, k iddeti kontrol devrelerinde sklkla kullanlrlar.
6.1.1. Tristrn yaps ve almas
ekil 6.2de gsterildii gibi tristr npn ve pnp tranzistrlerden olumu gibi
dnlebilir. ekilden de grld gibi anot ucuna katot ucundan daha fazla gerilin
uygulanmas anottan katota doru bir akmn akmas iin yeterli deildir.
1

(a)
(b)
ekil 6.2. Tristrn iki tranzistrl edeer devresi.
ekil 6.3ada grld gibi kap ucuna herhangi bir iaret uygulanmad
durumda
ve
tranzistrleri kesimde kalr ve anottan katota doru sadece sznt
akmlar akar. ekil 6.3bde gsterildii gibi kap ucuna yeterince byk (
tranzistrn iletime geirecek kadar) bir gerilim uygulanrsa
ve
tranzistrleri
iletime geer (ekil 6.3c). Tristr iletime getikten sonra kap gerilimi kaldrlsa da
tristr iletimde olmaya devam eder. Bu durumda Q2 tranzistrnn baz akm Q1
tranzistr tarafndan salanr. Kapya uygulanacak darbenin sresi dk akmlarda
(Amper mertebelerinde)
ile
arasndadr. Yksek akmlarda ise (yzlerce
Amper)
ile
arasndadr.

(a)

(b)

(c)
ekil 6.3. Tristrn kapal ve ak konumu.
letimdeki tristr, kap gerilimi kesilerek tkamaya gtrlemez. Bunun iin ya
kap ucuna ekil 6.3bde gsterildii gibi negatif bir darbe uygulanr (bu, ok kullanl
bir yntem deildir. Uygulanacak ters gerilim yeterince yksek olmaldr. Bu ters
gerilimle Q2 tranzistrnn baz emetr fakirlemi blgesi geniletilmi olur. Genelde
dk akmlarda 10Aden kk akmlarda kullanlr.) ya da ekil 6.4de gsterildii gibi
tristrden akan akm kesilir (tristrden akan akm tutma akmndan
kk ise
tristrn kesime gittii kabul edilir.). Baka bir yntem de anot katot geriliminin
polaritesini evirmektir. Akm kesme ilemi ekil 6.4a ve bde gsterildii gibi iki ekilde
yaplabilir. Bunun iin eitli devreler kullanlabilir. ekil 6.5de bu devrelerin bir rnei
gsterilmitir.

(a)
(b)
ekil 6.4. Tristrden akan akmn kesilmesi.
Bu devrede tranzistrn giriine bir darbe uygulayarak tranzistr iletime
(doyuma) geirilir. Bu durumda tristrn ularna ters gerilim uygulanm gibi olur. Bu
da tristrden ters ynde akm akmasna neden olacaktr. Tristrn kesime gitmesi iin
bu ters gerilimin yaklak
ile 30 arasnda tristre uygulanmas gerekir.
3

(b)
(a)
ekil 6.5. Tristrden akan akm kesen elektronik devre rnei.
6.1.2. Tristrn karakteristikleri ve parametreleri
ekil 6.5de tristrn akm - gerilim karakteristii gsterilmitir. Karakteristiin
nemli noktalarn aklayalm.
(breakover voltage), tristrn iletime gemesi iin anot - katot arasna
( )
uygulanmas gereken minimum gerilimdir. Kap ucuna herhangi bir gerilim
uygulamadan yeterince
gerilimi uygulayarak da tristr iletime geirilebilir. Ancak bu
gerilimin deeri olduka yksektir (yaklak 50V ile 500V arasnda). Bu gerilim deeri
bir kez aldktan sonra bu deerin altna inse de artk tristr iletimde kalmaya devam
eder. Eer kap ucuna uygun darbe uygulanrsa bu gerilim nemli oranda azalr.
Grafikten de grld gibi bu gerilimin deeri kap akmna baldr.
Peak reverse voltage, tristre ters gerilim uygulandnda diyotta olduu gibi
bir akm akmaz. Ancak bu ters gerilimin deeri geri krlma gerilimini (peak reverse
voltage) aarsa avalans olay balar ve ters ynde byk miktarda akm akar. zellikle
ac gerilimlerde tristr zerinde nemli ters gerilimler olabilir. Dolaysyla ac gerilimlerle
alrken bu ters akmn snrlandrlmas gerekir. Yoksa tristr bozulur.
Holding current, tristr kesime gittiinde zerinden akan akmn maksimum
deeridir. Genelde mA mertebesindedir. rnein bir tristrn tutma akm
ise
tristr kesime gittiinde zerinden akan akm
altna dm ise tristr artk
kesimdedir.
Forward current / On-state current, tristr iletimde iken zerinden geecek
akmn maksimum deeridir.
Gate trigger current, tristrn iletime gemesi iin kap ucundan akmas
gereken minimum kap akmdr. mAler mertebesindedir.
Gate trigger voltage, tristrn iletime gemesi iin uygulanmas gereken
minimum kap gerilimidir. Birka Volt mertebesindedir.
Forward peak gate current, kap ucuna uygulanacak ks sreli akmn
maksimum deeridir.

ekil 6.5. Tristrn akm - gerilim karakteristii.

6.1.3. Tristr uygulamalar
Tristrl yarm dalga dorultma
Tristr kullanlarak faz kontroll dorultma ilemi gerekletirilebilir. ekil
6.6ada tristrl yarm dalga dorultma devresi gsterilmitir. ebeke gerilimi trafo ile
istenen deere drlr. Yk tristrn anodu ile trafo k arasna balanr. Tristrn
kap akmn kontrol etmek iin tristrn kap ucu ile kaynak arasna bir direnci
balanmtr. ebeke geriliminin pozitif alternansnda uygun kap akm da salanrsa
tristr iletime geer. Kap akm ne kadar yksek olursa tristrn iletime gemesi iin
gerekli gerilim o kadar kk olur. Tristrn ac ebeke geriliminin hangi noktasnda
iletime geecei kap akm ile kontrol edilebilir (ekil 6.6b). Negatif alternansta tristr
tkamada olacaktr. Tristr zerinde den negatif gerilim deeri tristrn reverse
breakdown voltage deerinden kk olmaldr. Aksi takdirde tristr zarar grebilir.
Trafonun k gerilimi,
( ) eklinde yazlrsa, yk zerindeki gerilimin
ortalama deeri,

ekil 6.6. Tristrl yarm dalga dorultma.

5

( )

( )

| ]
(6.1)

olur. Ykten akan ortalama akm ise,

[

(6.2)

olur. Formlden de grld gibi as deitirilerek dorultucunun knda elde

edilen iaretin ortalama deeri ayarlanabilir. Dorultma ileminin diyot ile yapldn
daha nce grmtk. Ancak diyotlu dorultma devresi ile trafonun k geriliminin
maksimum deerinde bir dorultma yaplr. Bunun altnda istenen bir deer elde etmek
mmkn deildir. Tristrl dorultma devresinde ise maksimum deerin altnda istenen
bir deer ayarlanabilir.

rnek 6.1:
lk bir lambann yayd k iddeti tristrl yarm dalga
dorultma devresi ile ayarlanmak isteniyor. Tristrn tetikleme as
ise lamba
zerindeki gerilim efektif deeri ne olur? Hesaplaynz.
zm: ac gerilimin zamanla deiimi,

eklindedir. Lambaya uygulanan gerilimin efektif deeri,

)|

olur.
6

))

Tristrl tam dalga dorultma

ekil 6.7ada tristrl tam dalga dorultma devresi gsterilmitir. Devre ortak
ulu trafolu diyotlu dorultma devresi ile birebir ayndr. Sadece diyotlar yerine
tristrler almtr. Ayrca trsittn kap akmn kontrol eden devre de vardr. Pozitif
alternansta SRC1 iletimde iken negatif alternansta SCR2 iletimdedir (trafonun ortak ulu
olduunu dikkat ediniz). Yk zerindeki ortalama gerilim ve ykten akan ortalama akm,

ekil 6.7. Tristrl yarm dalga dorultma.

( )

( )

| ]
(6.3)

olur. Ykten akan ortalama akm ise,

[

(6.4)

olur.

rnek 6.2:
lk bir lambann yayd k iddeti tristrl tam dalga
dorultma devresi ile ayarlanmak isteniyor. Tristrn tetikleme as
ise lamba
zerindeki gerilim efektif deeri ne olur? Hesaplaynz.
zm: ac gerilimin zamanla deiimi,

eklindedir. Lambaya uygulanan gerilimin efektif deeri,

)|

))

olur.
6.2. Silikon kontroll anahtar (silicon controlled switch, SCS)
Silikon kontroll anahtarn yaps ekil 6.8ada gsterilmitir. ekilden de
grld gibi yaps, tristre benzer. Anot, katot, anot kaps ve katot kaps olmak
zere drt terminali vardr. ekil 6.8bde devre sembol gsterilmitir.

ekil 6.8. Silikon kontroll anahtarn yaps ve devre sembol.

Silikon kontroll anahtar, hap itibariyle tristre benzemekle beraber tristrden
en nemli fark, kap ucundan iletime ve kesime gtrlebilmesidir. Tristr kap
ucundan tetiklenerek iletime geirilebilirken, ayn kap ucundan kesime gtrlemez.
Silikon kontroll anahtar ise, ekil 6.9da tranzistr edeeri zerinde gsterildii gibi
her iki kap ucundan da iletime ve kesime gtrlebilir. Tristrde olduu gibi burada da
rnein katot kap ucuna yeterince byk ve yeterli srede bir darbe uygulanrsa, npn
tranzistr iletime geer. Kolektr emetr gerilimi azalacandan pnp tranzistrn
emetr gerilimi baz geriliminden yksek olacandan pnp tranzistrde iletime geer.
Bylece Silikon kontroll anahtar iletime gemi olur. Benzer ekilde anot kapsna da
8

yeterince byk ve yeterli srede bir negatif darbe uygulanrsa yine silikon kontroll
anahtar iletime geer.

ekil 6.9. Silikon kontroll anahtarn tranzistr edeeri.

letimdeki silikon kontroll anahtarn katot kapsna yeterince byk ve yeterli
srede negatif bir darbe uygulanrsa, bu darbe npn tranzistrn baz - emetr
jonksiyonun fakirlemi blgesini geniletir ve kesiem gtrr. Dolaysyla pnp
tranzistr de kesime gider ve silikon kontroll anahtar kesime gitmi olur. Tristrde
olduu gibi silikon kontroll anahtar da anot akm kesilerek (tutma akmn altnda
olacak ekilde azaltlarak) de kesime gtrlebilir.
Silikon kontroll anahtar, kontrol acndan tristrden daha avantajl olmakla
birlikte yksek glerde kullanlamazlar. Genel olarak anot akm
ile 3
arasnda, zerinde harcanan g ise
ile
arasndadr. Ayrca tristrn
kesime gitmesi yaklak
arasnda olurken silikon kontroll anahtarn kesime
girmesi ise 1
arasnda olur.
ekil 6.10da silikon kontroll anahtarl alarm devresi gsterilmitir. Burada
direnci a veya scakla bal direnci deien bir sensr direntir. Katot kap gerilimi
bu direncin deeri ile ayarl diren tarafndan belirlenir. direncinin deeri azaldnda
ve belirli bir eik deerde katot gerilimi silikon kontroll anahtar iletime geirecek
deere der. Bu durumda SCS iletime geer ve alarm devresinin rlesi eker.

ekil 6.10. Silikon kontroll anahtarl alarm devresi.

9

Anot kaps ile besleme arasndaki

luk diren ise SCSnin yanllkla
tetiklenmesini engellemek iin kullanlr. Yksek frekansl bir iaret SCSyi iletime
geirebilir. Bunun temel sebebi de kaplar arasndaki kaak kapasitedir. Sfrlama
anahtar SCSyi aan ve onu kesime gtren, yeniden almaya hazr hale getiren
anahtardr.
6.3. Kapdan kapatlan tristr (Gate Turn-off Tyristor, GTO)
Kapdan kapatlan tristr (GTO), yksek glerde kullanlan zel bir tristr
eididir. Tristrden farkl olarak kap gerilimi ile iletime ve kesime gtrlebilir. ekil
6.11ada yaps, bde ise sembol gsterilmitir. Tranzistr edeeri tristr ile ayndr.
Yaps da tristr ile hemen hemen ayn olmakla birlikte katot blgesi ok blgeden
oluur ve ortak anotu ve kaps olan ok sayda tristrden oluur.

(a)

(b)
ekil 6.11. GTOnun yaps ve sembol.

GTO, kap gerilimi ile iletime kesime gtrlebilmekle birlikte, iletime geirmek
iin gerekli kap akm tristre gre olduka yksektir. Tristr iin tetikleme akm
,
civarnda iken GTOnun tetikleme akm Amperler mertebesindedir. Kesime gtrmek
iin uygulanmas gereken akm ise daha fazladr. letime geme sresi tristr ile hemen
hemen ayn iken kapanma sresi olduka dktr ve SCSden de daha iyidir. Aadaki
tabloda ayn gteki tristr ile GTOnun nemli parametreleri karlatrmal olarak
verilmitir.
Parametre

Aklama

Tristr (1600V, 350A)

letimde
zerinde
den gerilim

1,5V

letime geme sresi

Kap akm
Kesime gitme sresi

10

GTO (1600V, 350A)

3,4V

6.4. Diyak
Her iki ynde de akm geiren bir g elemandr. Bu da ac uygulamalarda diya
avantajl klar. ekil 6.12de diyan yaps, sembol ve akm - gerilim karakteristii
gsterilmitir. Akm - gerilim karakteristiinden grld gibi her iki ynde de ka
gerilimi (breakover voltage) vardr ve bu deerler birbirine yakndr. Devre
sembollerinden de grld gibi katot ucu yoktur, her iki uta anot olarak adlandrlr
(anot 1, anot 2).

(b)

(a)

(c)
ekil 6.12. Diyan yaps, sembol ve akm - gerilim karakteristii.
6.5. Triyak
letime gemesi kap tarafndan kontrol edilen bir diyaktr. ekil 6.13de triyan
yaps, sembol ve akm - gerilim karakteristii gsterilmitir. Akm - gerilim
karakteristiinde diyaktan farkl olarak tutunma akm da vardr.

11

(a)

(b)

(c)
ekil 6.13. Diyan yaps, sembol ve akm - gerilim karakteristii.
6.6. Tek eklemli tranzistr (Unijonction Transistor, UJT)
ekil 6.14ada tek eklemli tranzistrn i yaps, bde ise sembol gsterilmitir.
ekil 6.14adan da grld tek eklemli tranzistr, alminyum ubuktan, n tipi
yariletkenden ve ommik kontaklardan oluur. Alminyum ubuk ile n tipi yariletken
arasnda p-n eklemi sz konusudur. Tabiki bu p-n diyottaki gibi bir eklem deildir.
Alminyum ubuk ierisinde az sayda bulunan (katklama ile elde edilmediinden) p
tipi yariletken ile n tipi yariletken arasndaki eklemdir. ki adet ommik kontak
olduundan iki kontakl diyot olarak da adlandrlr. Alminyum ubuk B2 kontana
daha yakn yerletirilmitir. ekil 6.14bde de devre sembol gsterilmitir. UJT ulu
bir elemandr. Ular emetr, B1 (Base 1) ve B2 (Base 2)dir. Akm ynleri ve uygulanmas
gereken gerilim polariteleri sembol zerinde gsterilmitir.

12

(b)
(a)
ekil 6.14. Tek eklemli tranzistrn iyaps ve sembol.
ekil 6.15de ise UJTnin edeer devresi gsterilmitir. Edeer devre bir
diyottan, bir direnten ve bir ayarl direnten oluur. Emetr akm sfrken
dir. Emetr akm
ile
arasnda deitiinde,
direnci
ile
arasnda deiir.
direni genel olarak
ile 10k arasnda deiir.
direnci
zerindeki gerilim,

ekil 6.15. UJTnin edeer devresi.

(6.5)
olur. Emetr akm sfrken,
(6.6)
oran,
13

(6.6)
ile gsterilir. Emetr ucuna
deerinden diyodun eik gerilimden (
arasnda) daha byk bir gerilim uygulanrsa UJT iletime geer. UJTnin iletime gemesi
iin emetr ucuna uygulanmas gereken gerilimin deeri,
(6.7)
olur. ekil 6.16da UJTnin gerilim - akm karakteristii gsterilmitir. Belirli bir
gerilimi iin emetr gerilimi belirli bir deere aarsa UJT iletime geer. Yukarda da
akland gibi UJT iletime getikten sonra
akm artarken
direnci azalr.
Dolaysyla (eta) azalr, (6.7)ye azalr.

ekil 6.16. UJTnin gerilim - akm karakteristii.

UJTler, osilatr, tetikleme, faz kontrol, zamanlama, reglatr devreleri gibi bir
ok devrede yaygn bir ekilde kullanlr.

14