TRANSISTORT BIPOLAR ME

KONTAKT

BAZAT E TRANSISTORIT BIPOLAR ME KONTAKT

Transistori bipolar me kontakt BJT (nga anglishtja Bipolar Junction
Transistor), ka tri shtresa gjysmpruese me doping t ndryshm dhe
prmban dy kontakte pn.

Kolektori

Kolektori

C
IC

IC
n
Baza

IB

p
n

p
Baza

IB

n
p

IE
Emiteri

E
(a)

IE
Emiteri

E
(b)

Struktura themelore dhe simboli i transistorit bipolar: (a) tipi npn dhe (b) tipi
pnp

Transistori diskret
Kontakti i emiterit
emiteri

Kontakti i bazs
baza

kolektori
Kontakti i kolektorit

Transistori i integruar
Kontakti i emiterit Kontakti i bazs Kontakti i kolektorit
emiteri

baza

kolektori
Difuzioni izolues p+
Rrjedha izoluese n

Substrati p+

Shtresa nnkolektor n+

Prerja teknologjike e transistorit bipolar diskret dhe atij t integruar

Transistori npn: modi aktiv i puns

transistori shfrytzohet si komponent amplifikuese,
kontakti baz-emiter (B-E) sht i polarizuar drejt
kontakti baz-kolektor (B-C) ka polarizim revers,
konfiguracioni i till quhet modi aktiv i puns ose regjioni aktiv.

Kontakti Kontakti
B-C
B-E

iE

n
Injektimi
i
elektroneve

RE

VBE
iB

VBB

iC
C
RC

B
-

+
VCC

Transistori npn i idealizuar me polarizim n modin aktiv t puns

E(n)
Injektimi
i elektroneve

B(p)
Ideale (lineare)
n(x)
Me
rekombinim
Gjrsia e bazs
neutrale

Koncentrimi i elektroneve n regjionin e bazs

Rryma e emiterit

vBE / VT
vBE / VT

I E I S e
1 I S e

C(n)

Rryma e kolektorit paraqet numrin e elektroneve t injektuara

q mbrrijn n kolektor,

iC F iE I S e

vBE / VT

ku F sht nj konstant me vler afr 1, por gjithmon m

t vogl se 1.
Ky parametr quhet amplifikimi i rryms pr baz t
prbashkt.

Rryma e bazs
p

elektronet

E
iE

iC

vrimat

iB1

iB2
iB

B
Rrjedha e vrimave formon nj pjes t rryms s bazs.
Kjo komponent sht gjithashtu funksion eksponencial i tensionit B-E,
pr shkak t polarizimit t drejt t ktij kontakti, prandaj mund t
shkruhet

iB1 e

vBE / VT

 Disa elektrone rekombinohen me bartsit kryesor, vrimat, n baz.

Elektronet t cilat rekombinohen duhet t zvendsohen prmes
terminalit t bazs.
Rrjedha e elektroneve t tilla paraqet komponentin e dyt t rryms s
bazs.
Kjo rrym e rekombinimit sht n proporcion t drejt me numrin e
elektroneve t injektuara nga emiteri,

nga na tjetr sht funksion eksponencial i tensionit B-E, prandaj mund t

shkruhet

iB 2 e

vBE / VT

Amplifikimi i rryms pr emiter t prbashkt

rryma e kolektorit dhe rryma e bazs kan lidhshmri lineare,
prandaj mund t shkruhet

iC
bF
iB

ose

F IS v
iB
e
bF

Be

/ VT

Parametri b sht prforcimi i rryms pr emiter t

prbashkt N kt situat t idealizuar,
b konsiderohet t jet konstante pr cilindo transistor t
dhn.
Vlera e b sht zakonisht n brezin prej 50 < b > 300, por
mund t jet m i madh ose m i vogl pr komponent
speciale.

C
RB

RC

vCE

E
iE

B
+
vBE
_
VBB

iC

VCC

Qarku me transistor npn

VCC vCE iC RC
Pr shkak se emiteri sht lidhja e prbashkt, ky qark quhet
konfiguracioni me emiter t prbashkt.

iC b iB

 Nse sht VB = 0, kontakti B-E do t ket tension zero t

zbatuar, prandaj iB = 0, q implikon se edhe iC = 0.
Ky kusht quhet kushti i shkyjes.
Nse transistori bipolar trajtohet si nj nyje e vetme, ather,
sipas ligjit t Kirchhoff-it, do t kemi

iE iB iC
Nse transistori sht i polarizuar n modin e drejt aktiv,
ather

iC b iB

 b
iE
iC
1 b

iE (1 b ) iB
bF
F
1 bF

F quhet prforcimi i rryms pr baz t prbashkt dhe gjithmon

sht pak m i vogl se 1
Mund t vrejm se nse bF = 100, ather F = 0.99, pra F sht
vrtet ka vler afr 1.
prforcimi i rryms pr emiter t prbashkt n varshmri t
prforcimit t rryms pr baz t
prbashkt

bF

1 F

Transistori pnp: modi aktiv i puns

p

vrimat

RE

elektronet

RC

iB

VBB

VCC

Rrjedha e rrymave t elektroneve dhe vrimave n

transistorin e tipit pnp

IE IS e

vEB / VT

1 ISe

iC F iE I S e

vEB / VT

vEB / VT

 ku F prsri paraqet prforcimin i rryms pr baz t prbashkt.

Rryma e bazs sht shuma e dy komponentve.
Komponenti i par vjen nga elektronet q rrjedhin nga baza n
emiter, si rezultat i polarizimit t drejt t kontaktit E-B.
Komponenti e dyt vjen nga rrjedha e elektroneve nga burimi n
baz pr zvendsimin e elektroneve t humbura pr shkak t rekombimit
me vrima n baz.
Kahja e rryms s bazs sht nga terminal i bazs, dhe kjo rrym
sht gjithashtu funksion eksponencial i tensionit E-B

F I S vEB / VT
iB
e

bF

Parametri b sht prforcimi i rryms pr emiter t prbashkt pr

tipin pnp t transistorit.

 Transistori si komponent me tri terminale dalse mund t lidhet n tri

konfiguracione themelore n qark:

(1) n konfiguracion me emiter t prbashkt;

(2) n konfiguracion me baz t prbashkt dhe
(3) n konfiguracion me kolektor t prbashkt.

Konfiguracioni me emiter t prbashkt: (a) me transistor t tipit pnp

transistor t tipit npn, (b) me transistor t tipit pnp me polarizim pozitiv

Modi i ngopjes

Modi aktiv

Modi i bllokimit

Karakteristikat dalse tension-rrym t transistorit n

konfiguracion me emiter t prbashkt

ANALIZA NJKAHORE (DC) E QARQEVE ME TRANSISTOR

Qarku me emiter t prbashkt

(a) Qarku me emiter t prbashkt; (b) skema

ekuivalente njkahore.

 Rryma e bazs sht

VBB VBE (on)

IB
RB

VBB > VBE(on), q do t thot se IB > 0.

VBB VBE (on)

Kur sht

transistori sht i shkyur dhe IB = 0.

Pr pjesn kolektor-emiter t qarkut, mund t shkruajm

IC b I B
ose

dhe

VCC IC RC VCE

VCE VCC IC RC
VCE VBE (on)

N ekuacionin e fundit gjithashtu kemi prvetsuar se

, q do t thot se
kontakti B-C ka polarizim revers dhe transistori sht n modin aktiv t puns.

ANALIZA NJKAHORE (DC) E QARQEVE ME

TRANSISTOR
Qarku me emiter t prbashkt

(a) Qarku me emiter t prbashkt; (b) skema

ekuivalente njkahore

Rryma e bazs sht

VBB VBE (on)

IB
RB
VBB > VBE(on), q do t thot se IB > 0.
Kur sht V V (on) , transistori sht i shkyur dhe IB = 0.
BB
BE

Pr pjesn kolektor-emiter t qarkut, mund t shkruajm

IC b I B

VCC IC RC VCE

VCE VCC IC RC

 N ekuacionin e fundit gjithashtu kemi prvetsuar se

VCE VBE (on)
,
q do t thot se kontakti B-C ka polarizim revers dhe
transistori sht n modin aktiv t puns.

Drejtza e puns dhe modet e puns

Modi aktiv

Ngopja
Drejtza e puns

Rryma e bazs
dhe tensioni B-E
Pika Q
Karakteristika e
kontaktit B-E

Drejtza e puns
Bllokimi (prerja)

(a) Karakteristikat B-E dhe drejtza hyrse e puns dhe (b)

karakteristikat dalse dhe drejtza e puns C-E

VBB VBE
IB

RB
RB
Pr konturn C-E, ekuacioni i ligjit t dyt t Kirchoff it mund t
shkruhet si

VCE VCC IC RC
ose n formn

IC

VCC
VCE

RC
RC

Ekuacioni i fundit paraqet ekuacionin e drejtzs s puns, dhe tregon

raportin linear n mes t rryms s kolektorit dhe tensionit kolektor-emiter.

Polarizimi i transistorit bipolar

(a) Qarku me emiter t prbashkt me nj rezistenc t vetme t

polarizimit n baz dhe (b) qarku ekuivalent njkahor.

Qarku me emiter t prbashkt me ndars t tensionit pr polarizim n

qarkun e bazs dhe (b) qarku ekuivalent njkahor me qark ekuivalent t
Thevenin-it.

 Qarku m s lehti mund t analizohet duke formuar qarkun ekuivalent t

Thevenin-it pr konturn e bazs.
Kapaciteti i kuplimit vepron si qark i hapur pr sinjal njkahor.
Tensioni ekuivalent i Thevenin-it sht

VT [ R2 /( R1 R2 )]VCC
rezistenca ekuivalente e Thevenin-it sht

RT R1 R2
Me zbatimin e ligjit t dyt t Kirchoff it npr konturn B-E,
fitohet

VT I BQ RT VBE (on) I EQ RE

 Nse transistori sht i polarizuar n modin aktiv, ather

I EQ (1 b ) I BQ

rryma e bazs sht

I BQ
Rryma e kolektorit sht

I CQ b I BQ

VT VBE (on)

RT (1 b ) RE
b [VT VBE (on)]

RT (1 b ) RE

Qarku i ndarsit t tensionit R1 dhe R2 mund ta polarizoj transistorin n modin

aktiv me vlera t rendit t ult kilooma, pr dallim nga qarku me nj rezistenc t
vetme q krkonte rezistenc t rendit megaoma.

Prandaj ky qark i polarizimit pothuajse prdoret m s shpeshti edhe n

qarqet e integruara.

Amplifikatori linear me transistor bipolar

Pika Q n bllokim

Pika Q pr regjionin aktiv

Pika Q
Pika Q n ngopje

(a) qarku themelor i amplifikatorit me transistor; (b)

karakteristikat prcjellse

Analiza grafike dhe qarku ekuivalent alternativ (AC)

(a) Qarku me emitter t prbashkt me burim t sinjalit t ndryshueshm kohor n seri me burim
njkahor; (b) karakteristikat e transistorit, drejtza njkahore dhe ndryshimet sinusoidale t rryms
s bazs, rryms s kolektorit dhe tensionit kolektor-emiter

 Pasi q amplifikatori sht linear mund t zbatohet metoda e

superponimit,
analiza njkahore (dc) dhe ajo alternative (ac) e qarkut mund
t bhet ndaras.
Pr t fituar amplifikator linear, rrymat dhe tensionet ac duhet
t jen mjaft t vogla q ta mbajn varshmrin lineare n
mes t sinjaleve ac.
Pr plotsimin e ktij kushti, sinjalet e ndryshueshme n koh
prvetsohet se jan sinjale t vogla, q do t thot se
amplitudat e sinjaleve ac jan mjaft t vogla q ti mbajn
relacionet lineare.

Pjerrtsia

Koha

Koha

Rryma e bazs n varshmri nga tensioni baz-emiter me

sinjalin sinusoidal t superponuar

 Relacioni n mes t rryms s bazs dhe tensionit baz-emiter mund t

shkruhet si

IS
iB
e
1 bF

vBE

VT

tensioni baz-emiter i prmban t dy komponentt (dc dhe ac) ai mund t

shkruhet si

vBE VBEQ vbe

IS
iB
e
1 bF

VBEQ vbe

V
T

IS

e
1 bF

VBEQ

VT

vbe
V
T

IS
e
1 bF

VBEQ

VT

IS
e
1 bF

iB I BQ e

vbe

VT

VBEQ

VT

Rryma e bazs e shprehur n kt form, nuk mund t shkruhet si nj

rrym ac e superponuar n vlern dc t piks s puns.
Por nse , ather antari eksponencial mund t zbrthehet n seri t
Taylor-it, dhe t merret vetm antari linear. Ky prafrim paraqet at se
ka nnkuptohet me sinjal t vogl. Pastaj do t fitohet

I BQ
vbe
iB I BQ (1 ) I BQ
vbe I BQ ib
VT
VT

 ku ib sht rryma sinusoidale e bazs e dhn me

I BQ
ib
vbe
VT

Rryma sinusoidale (ac) e bazs linearisht varet nga tensioni baz-emiter.

iB I BQ ib
iC ICQ ic

vCE VCEQ vce

vBE VBEQ vbe
Nse burimi i sinjalit, vS, sht zero, ather nga konturat baz-emiter dhe
kolektor emiter mund t shkruajm

VBB I BQ RB VBEQ

VCC ICQ RC VCEQ

Kur t merren parasysh edhe sinjalet sinusoidale kto ekuacione bhen

VBB vS iB RB vBE

VBB vS ( I BQ ib ) RB (VBEQ vbe )

VBB I BQ RB VBEQ ib RB vbe vS
prandaj mund t shkruhet

vS ib RB vbe
ekuacionini konturs s bazs pr t gjith antart dc t barabart me
zero.

 Ekuacioni i konturs kolektor emiter sht

VCC IC RC vCE ( ICQ ic ) RC (VCEQ vce )

VCC ICQ RB VCEQ ic RC vce
Pr sinjale ac, kur t gjith antart dc barazohen me zero, do t fitojm

ic RC vce 0

Qarku ekuivalent ac i amplifikatorit n konfiguracion me emiter t

prbashkt me transistor npn

Faleminderit per durim