FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation Silizium-HF-Leistungstransistor KT 925 in Epitaxie-Planar-Technologie uassR Tat 35490 Grenzwerve Rarzcharakteisik Panel edges) Typ _‘Rerascen ln wie @ HP-Leitungsansior im Metall Se Ket stn Ges Kolektar/Basts-Epecmoang! Uao @ Treiber- und Endstufentransistor in Xt Emir Sang von 3 Ege sendem im Freqensboreich von {itr tier annie Lo e100 bis 00 Mie beh 12 Betebs Eitri Seamne tao M Spinning Krnsa.n 4 e Tranaoren sind nicht feblanpas Erne Ss Sanepeschatt etrtom'(eptzentom)™ fetlod 1 2 Tramsistortetroden sind vom Ge- sas o6ao fae nolan Eros 100 _ Eran 3383) a 1 Bisa beding io Anatea-mine Gesamte? Po 1 Blt ting (8. = 40°C) KT925A 5S therm milich Erase 2° Kapazitit der Anschlisse EVER. 5 Sprstichtenpeatr ata ~ss 0 Kurzeichen yp Vim aetitcempnatuanch 2 y=20m0Tip=50 9 eyamien —_—————_—_ ws ™ Emitter! Ceo PF] 18 Geniuse Kollektor/ Cko PF) 1S Gensuse Thermische Kennwerte Bass/Geniuse Cho F095 Kwan we Induktvitdt der Anschisse ras 5 wimensestne Rac fe rasa » Kurzzeichen op. Erase _ Erosn.r {4 Emirs) 10 Kolletior Lk fal] 28 Bass {tanh 2s Dynamische Kennwerte Masbita ; Feancer(etingmer) Typ __—~Keveiben inp Transitegene i i eto Ue = 109) 5] te-0e0 Erma so am e-08 Ere Som t-19) EPSsBr i ‘tn ‘nage! Vast eeomerrestinod crane a fi V2 Matbid und. Anschutbe (foams 03) ts sora (oamume:resosw) Kross 8 fannie = 10) 50 Einbauhinweise (oammies=30 xras8 ” (f= 400 MHz; Pi, = 5,0W) 40 © Anschiiisse diirfen bis auf eine Min- Aeaenptng Pas Asai esinge von 4mm gekirt werden t-onm xrnsa wo @ Das Kiveen mut ohne Kraftinvir tasiaw rss BOS fang die Gehturedureuhrungen econ Erin wai der Atsehivtahneneregen reas rst Bi @ Losstensstnd zum Gehiuse ‘Ruckwirkungszetkonstante? 2m ips mindestens 3mm (Warme mBplichst Wari : sofuhren) ttm) xrmsa op Se sal 6a ba 270° KTO2SB 23S eu ial 6 bei 270°C e- 129 Era itd Kollektor/Basis-Kapazitat? Cexo (DF) | Weg = 1260) Literatur | eras oe Ersase 1 abetetaentven ronson Erne os Teter 1 Ban 197 TS Ele 8ST, Mo 1 Caaieh ei Ug =ia6vi gee 2 = SMle o FA 2/90 - 77Statstische Kennwerte! od A ee amet Betingaes) Te fanaa ain oe mee Koaekovner Resse Toa aA CRESNiR st)” Tas o1 a0 ose onus mrs 03 jar bone aes te (2A) tase ermsa on tay erat 3 i: (a=3s¥) Ear to ataor ees Pare ers 2» Sie os Faicn doe Kalokorsvoma pete tie vane r= ome — _ = = Tie-rtaf] oa Tee Fig al] | er SV ‘A fs siti | wl sl Lo ‘ oe elt Bid 4: Abningigkeit dos Basiastroms von der Basis/Emittor Spannung Bild 6: GroBsignal-Verstarkung als Funk ‘on der Kollektor/Emiter-Spannung bet 2100 Miz REET) le *F1Uee) [lism | a4 ; ’ oe es wile 0 Eg ed Bid 7: Ausgangskennlininfeld dex Bid8: Auspungshennlnienald dos mngskenntinienteld det Tan: “Transistors KTSIE A Transistors T8255 Sstoren KT S25. und KTSZ5T Srarae ‘ress I Serer] ] aul Teese fylbenzey Or et a 38 s pO s TI “| oa Gt | ” WA | | | ] i | a iid 0: Ausgengsleistung sls Funktion Bild 11: Ausgangsleistung als Funktion Bild 12: Ausgangsleistung als Funktion jor Eingangsleistung beim KTS25A der Eingang dot Eingangslaietong beim KTS25B und Kraze ch. 78 - FA2/90