Médulo 3 y 4: Generador Fotovoltaico, parte 1 Energia Solar Fotovoltaica P77 PESTS) i Fuente de energia vasa ¢Infinta, en esencla /inguna emision (no contribuye sensbiemente a lz contaminackin é al cambio climsuco global) (Corto pay back de la energia) Bajos costos de operacién No tiene partes méviles (sin desgaste) ]Operacisn a temperatura ambiental (n0 hay problemas de seguridad) Alta fablidad en médulos (> 20 afos) Modular (se pueden hacer aumentos peauefios 0 grandes) Se puede integrar en las estructuras de construcciones nuevas 0 existentes Desafios de la tecnologia Fotovoltaica & e as are) Tire eter Cha Costo y valor de by Morar ia inegracién con ]generacién de electricidad _lastedes y edificios. Bajarlos costos de inversion Diseno de componentes y fen todos los componentes _contrclesinteligentes. | Aumentar I eficencia de Jgeneracién y almaceramiento, Fuerte: EU PV Technology PlatformMédulo 3 y 4: Generador Fotovoltaico, parte 1 Curva do Exporioncia FV desdo 1979 ($ de 2008/Wp) Precio daT Gar 7 Predueconacumuls ets EL, AT eae 1A : x Photovakaik-Madulpreise oa 00001 000: ott 1 10 Kumulierte Photovoltaic Medulpredultion 100 GW,Médulo 3 y 4: Generador Fotovoltaico, parte 1Médulo 3 y 4: Generador Fotovoltaico, parte 1 Energia Solar Fotovoltaica Fundamentos de la generacién de electricidad con sistemas fotovoltaicos EI Médulo fotovoltaico = Efecto fotovoltaico = Célula solar + Caracteristicas eléctricas = De la célula al médulo én de médulos = Asoci EL Sistema forovotialco Acumulador Regulador de carga Convertidor DC/DC Convertidor DC/AC fotovolta ‘Estructura cristalina (Diamante) ‘= Semiconductores: Si, Ge, AsGa ‘Enlace Covalence ‘ands de conduccion 0 < Ey < Se, semicond. Banda de E, > 4 eV, aisantes Energia prohibidaMédulo 3 y 4: Generador Fotovoltaico, parte 1 Interaccién Luz - Cristal Célula Solar ene- Material p (Boro, 3e) Impureza Aceptora vu IA VA VA WA na THE Ne Ag Sn xe ‘au ig “7 ‘bb Bi Po ‘At RnMédulo 3 y 4: Generador Fotovoltaico, parte 1 VILL =@ | OS ss /Médulo 3 y 4: Generador Fotovoltaico, parte 1 Silicio ‘Monocrystalline Multicrystalline Caracteristicas eléctricas Fotocarriente Intercambio de energia ente fotones y red cristina + Tera fotenes A Retejados Ae =Noatsortaos No encuentran efact ke = hhMédulo 3 y 4: Generador Fotovoltaico, parte 1 Banda de energia prohibida La Banda de ener rida rael Ses 1.12 eV (donde 1 eV = 1.6 x 104 oer nena ae Site Para la energia forovottaica, la fuente de energia son los fosones de la energiselectromagnticadel sol Para ta ceula dest, Fotonescon A > 1-11 ym tlenenenerga menorque lo 1,1 2¢V neceitadosparaexctar un Re et tas re or arco Foteescondc 1.11 patina sg uiens extorenleaie! oom ee ato coer ized mae se erp enor ern Z =a i FOZ pm m | ee i Be Legere me eet ee {teammate wawsengman) ‘ian is a fraccién _mdxira_ posible dela enercia del sol que ora se: converte con una céula sola de sili es aproximadamente de un 44%. Es ear, las Imiacones inpuestas por la banda prohibka (Bandgap) del silo Inter la tfiienciade sci. 6Médulo 3 y 4: Generador Fotovoltaico, parte 1 8 E ‘Spectral irradiance Win4mn"t 2 & Usable Parts of AM.5-Spectrum Depending on MaterialMédulo 3 y 4: Generador Fotovoltaico, parte 1 Funciones derespuesta especial de nateialPV lusrandosu slecividadpara coavertiria lradanciaenelecuicléad Relative Response Be Fee g Caracteristicas eléctricas (II) Tensién de circuito abierto Generacién = Recombinacién G-05V=0 G20 V =Voc Voc =Caracteristica del material <- Célula solar con carga te vee 20 10Médulo 3 y 4: Generador Fotovoltaico, parte 1 Ecuacién del Diodo phe » Pra una temperatura arrbiente de 300K, AE casas " Kelvin), yeas ia carga del electron. “Wy. att: \e T J. : donde Io es Ia corriente de saturadon en oscuidad da dodo, V la tensa Aplicada dodoy m el iacor de Healdad del dodo. ‘dono k os la constania de Botzmann, Tia tomparatura del diode (on grades Unién P-N iluminada 11Médulo 3 y 4: Generador Fotovoltaico, parte 1 | kay 4 Mit 7, Fh SAO y | Efecto fotoeléctrico fecto foivelicirco: los electrones se desplaran a la banda de conduccicn por el porte enorgatce de fotones (Es 6!4). * Alluminar una unién p.n, el eampe eléctrice doa uniin conduse lo pertaderasy difieuta larecombinacion. * La fotocorriente es ahora aprovechable pa un cieuto externo (cortanie de Tiuminacten, corrionte de goneracien) = La presercia de tenskin en los terminales de la uniin (por ejempb, cakia de tension en una. vesisionsia alimeniasa por la fotoooriente) favorece la ecombinacion (coriente de ascurldadocorriente de dodo), La absorciin de un fotoncrea un par elecuén- hueco. Idealmant los poradoresminositaries [on ste a0 un hueco) lo hace taves de launlon y llega aser tn portador mayortaio, después de pasar a Uaves dela carga el econ se ‘enaientracon unhuiecoy completael dreulto 12Médulo 3 y 4: Generador Fotovoltaico, parte 1 Electrical characterization of PV modules Nominal power: Maximal power in STC (units: W or Wp) water Characteristic curve |-V: avin power pln Polen tes Pe f hey Veo Corriente de Cortocircuito Kon I{V=0) 5 Ip 01 =I, ‘Tension de Circuito Abierto wd, Ba tee Vere We 0) hin ty 1g. =m Dig +t) = Pi Ey Donde ke>> Iy al, Panto demésima potencia . Coenen) ° von Wal O “en dee V) Vig < ¥ Igc=4A > Voc=0,627 —amedio sol sc=2 > Voc=0,610 Ej: La curve | ~Vde una caida foovolsica. Considere una celda de 100-cm%con ‘do orculto Celda fotovoltaica x0 15Médulo 3 y 4: Generador Fotovoltaico, parte 1 Celda fotovoltaica FF = Factorde forma = Py /(cVoc)=(Vi Id WscVoe) ELFF para celdas de buena calidades mayor que 75% Dependencia de la irradiancia + Fotecorriente proporcional a intensidad de radiscién > Ica G + Relacién logaritmica can taneién de circuito abiert: Vac Vaai* mk Tie In(X) (ensjén de cicuto ablertoa 1 Sol ¢s Voc 1 Soles equivalentea 1000 i= con una masa de aire AM = 1) +E factor de forma aumenta ligeramente, ‘+ La eficiencia crece de forma logaritmica hasta determinaio nivel 2 16Médulo 3 y 4: Generador Fotovoltaico, parte 1 Influenciadela Temperatura Se estrecha al salto entre banda de velencie y conduccién: aumenta Igeramentaftocomente isminuye Inealmente fa tensién de circuito abierto: dVidT, = -23 mV anid T= ~0.4 WC 3 Disminuye el factor de forma la eiciencia: 17Médulo 3 y 4: Generador Fotovoltaico, parte 1 y de la Temperatura Celda fotovoltaica — 1 rd Po organ eeMédulo 3 y 4: Generador Fotovoltaico, parte 1 Caracterizacién de células solares (y paneles fowvaltaicos) ELECTRICA Condiciones Esténdar de Medica (CEM) [Standard Test Conditions, STC] G= 1000 Wim? (=G*) =i! Incidencls normal 5 Disurttuctin especual AM1.5G Te= 25°C Te *) TERMICA ag TOC G= 800 Wim? (Temperatura Nominal de Operacién 20°C de Célula) Incidencia normal 7 = INOC = 20°C Distribucién espectral AM1.5G 300 Win? Velocidad del viento = 1 m/s Circuito equivalente- Resistencia serie y paralelo ou we oe OS v0 ron Teteeeta) vers Te ieife to taftnen gm Fo tst8)] 19Médulo 3 y 4: Generador Fotovoltaico, parte 1 Rocitencia Serio: Curva Rosistanciade contactos matalcos con-al semiconductor Resistonciade capas semiconducores Resistonciade alla de metalzacion esistenciaparaleo: Cuva LV Fugas de corrianigen bordes de cule + Garocreutos motaicos Canines de dfustnen fronteras de grano tet neo et En condiciones estandaresa 25°C Taya tenn Esta eauacién no tone solurién expla len T+ ety Pg he V=V-ER, Curva VI Real Ie =Coientecortocrcuito Voc Tensién de circultoabiero = Conere de mximapotenci Vu = Tension de maxima potencia y= Poteela mica MV FF = Factorde forma = Py MlscVoe) lelectra aires p= Pa SmAreaceta $6 G= iraaanca Re 40 20Médulo 3 y 4: Generador Fotovoltaico, parte 1 ia de la temperatura y la irradiancia IRRADIANGA, |= Comtentede conocreutio Dependent lined Muy Pequena <0.199/°C~Nula eis, fe lester co = Tensién de circuito abierto Voc = Voct -2,35mV/C (Te = Te Inset pa adandain 2 z gu _ 10 328 E10 Foo 2 29 Sox ug Be Bor 20 8 = acl 1 $ 8 » &