Bir yükselteci FET, MOSFET yada BJT ile yapmak mümkündür.Burada sadece BJT li yükselteçler açıklanacaktır.

Yükselteçlerin kullanılma amaçları çok farklıdır. Yükselteçleri küçük

sinyal yükselteçleri ve güç yükselteçleri olarak da ikiye ayırabiliriz .Bu bölümlerde çoğunlukla güç yükselteçlerinden birazda ve yeri geldiğinde yükseltecin bayaslanma yöntemine
göre küçük sinyal yükselteçleride anlatılacaktır.

Güç yükselteçlerinden beklentilerimiz nelerdir? Örneğin bir ses yükselteci olabilir, bir motoru çeviren yükselteç olabilir, bir vericinin güç yükselteci olabilir. Bunların hepsinin
özelliklerinin farklı olmasına rağmen tek ortak noktaları küçük bir sinyal ile büyük güç üretmek ortak noktalarıdır.

Güç yükselteçlerinin özellikleri;

Mümkün olduğunca giriş sinyalinin değeri ne olursa olsun çıkışa sabit bir katsayı ile büyüterek aktarmasıdır. Yani doğrusal (LINEAR) olması istenir. Fakat güç yükselteçleri doğrusal
değildir (NON-LINEAR).

Kendi üzerlerinde güç harcamaları istenmez. Daha doğrusu YÜKSEK VERİMLE çalışmaları istenir. Yani bir güç yükseltecinin çıkışından 100W alsak transistörlerin hiç ısınmaması
gibi.

Girişteki sinyalin hiç bozulmadan çıkışına aktarılması istenir. Daha iyimser bir değimle en az bozulmayla aktarması istenir. (Bozulma, burulma= Distortion) Burada 3 tip
distorsiyondan söz edebiliriz.

1- Frekans distorsiyonu: Girişteki sinyalin frekansı ne olursa olsun çıkışa aktarılması istenir. Fakat devrede olabilecek kondansatörler buna izin vermez. Ne olursa olsun her
yükseltecin mutlaka bir üst frekans sınırı vardır. Direk kuplajlı yükselteçlerde frekans DC den (0Hz) den başlar.

2- Faz distorsiyonu: Devrenin yapılama şekli ve kondansatör, bobin gibi devre elemanlarından oluşur. Devrenin girişine uygulanan sinyalin başlama zamanı ve yönü çıkışta aynı
anda görülmüyorsa faz distorsiyonu var demektir. Faz bozulması ses devreleri, RF gibi yerlerde önemsenmez. Fakat TV gibi ekran taramalarının önem kazandığı yerlerde faz
distorsiyonu hiç olmamalıdır.

3- NON-LINEAR distorsiyonu: Bu bozulma ikiye ayrılır: a) Harmonik distorsiyonu: Transistörün doğrusal çalışmaması ve aşırı sinyal girişlerinde çıkışta sinyalin doyum yada kesime
uğraması ile olur. Ses yükselteçlerinde ve genlik modülasyonlu devrelerde hiç istenmez. Bazende siyal bilerek harmonik distosiyonuna uğratılır. Bu devreler frekans çoklayıcı
devrelerdir. Harmonik ve frekans çoklayıcı devreleri daha sonra anlayacağım. b) Intermodülasyon distorsiyonu: İki yada daha fazla sinyalin yükselteç içinde karışması ile olur. Bu
distorsiyon sonucunda yükselteç çıkışında bu sinyallerin toplamları, farkları ve kendileri görülür.

Güç yükselteçlerini bayas özelliklerine göre sınıflara ayırıyoruz. Bunlar A SINIFI, B SINIFI, AB, SINIFI ve C SINIFI yükselteçlerdir. Bu sınıflandırmayı tamamen devre içindeki
transistörün yada transistörlerin bayaslanmasına göre yapıyoruz. Eski sayılarda bu konuyu bulabilirsiniz. Hatırlamanız için transistörün aktif bölgede, doyum bölgesinde ve kesim
bölgesinde çalıştırılması demek yeterli olacaktır.

Yükselteçleri sınıflarına göre anlatmadan önce konumuz Güç Yükselteçleri olduğu için önce güç eşitlikleri konusunu açıklamak istiyorum.

Güç Eşitlikleri
Güç yükselteçlerinde bizi ilgilendiren şey güç kaynağından çekilen gücün ne kadarının transistör üzerinde harcandığı ne kadarının yük üzerine aktarıldığıdır. Eğer transistör üzerinde
fazla güç harcarsak transistörde fazla ısınacaktır. Sonuçta fazla ısınan her şey gibi transistörde yanar. Transistörün fazla ısınmasını önlemek için, transistör üzerinde oluşan ısıyı
hızla üzerinden çekmek gerekir. Bu işi de ısıya havaya kolayca aktaran alüminyum soğutucularla yetmezse ilave olarak soğutucu fanlarla yaparız. Bazı çok özel yükselteçlerde
(büyük güçlü radyo vericileri gibi) su suğutmalı sistemler bile kullanılmaktadır.

Güç Verimi:
Güç verimi, bir yükseltecin yük üzerinde harcanan gücün, güç kaynağından çekilen güce oranına denir. Yük üzerinde harcanan güç AC ise AC gücün rms değeri kullanılır. (rms; AC
sinyalin DC ye karşılık gelen değeridir.)
%Verim=(PLrms /PDC) x 100
DC giriş gücü, güç kaynağı Vcc ile ortalama akımının (yaklaşık olarak Q noktasındaki Ic akımı) çarpımına eşittir.

Pdc=Pcc= Vcc x Ic

Yük üzerinde harcanan AC güç, çıkış geriliminin rms değeri ile, çıkış akımının rms değerinin çarpımına eşittir. Eğer dalga şeklimiz sinüs ise bunun rms değeri sinyalin tepeden
tepeye (peak to peak) değerinin 2\/¯2 bölümüne eşittir. Bu durumda yük üzerinde harcanan AC güç;

Pac=PL(max) = (Vpp x Ipp) / (2\/¯2 x 2\/¯2)

Pac=PL(max) = (Vpp x Ipp) / 8
Formülleri kullanılarak bulur.

Transistörün Maksimum Güç Kaybı:

Transistörlü bir güç yükselteci tasarlanırken o transistörün üzerinde harcanacak güç katalog değerinin üzerinde olmayacak şekilde tasarlanır. Bunun için kullanılan parametreler,
katlogtan bulunan maksimum kollektör akımı Icmax, maksimum kollektör gerilimi Vcmax, transistörün güç kaybı Pt değerleridir. Ayrıca transistörün AC yük doğrusu ile DC yük
doğrusu arasıda kalan bölgedeki alanda çalıştırılmasına dikkat edilir. Bu alana transistörün güvenli çalışma alanı denir. Transistör üzerindeki güç kaybını çok basit olarak aşağıdaki
formülerle de bulabiliriz.
Pt=Ic x Vce

Yükselteçleri genel olarak anlatmak çoğu zaman yetersiz kalmaktadır. Hatta genel bir yükseltecin çizimi bile tam olarak fikir vermez. Bunun nedeni yükseltecin türü ses frekans mı,
yüksek frekans mı olduğu hem çizimi hem de açıklamasını çok değiştirir. Bende güç yükselteçlerini önce ses sonra yüksek frekans olarak ayırarak anlatacağım. Önce ses frekans
yükselteçleri.

A Sınıfı Güç Yükselteçleri

Şekil 1.
Yukarıdaki devrenin bayası R1 ve R2 dirençleri tarafından sağlanmaktadır. Devrenin DC kararlılığını sağlamak için RE direnci kullanılmıştır. Devrenin AC kazancını artırmak için CE
kondansatörü RE direncine paralel bağlanmıştır. Devrenin RL yük direnci transistörün kollektörüne bir trafo ile bağlanmış olup kollektöre RL' olarak yansır. Kollektöre yansıyan yük
empedansının değeri

RL'=(N12 /N22) RL
eşitliği ile verilir.

Transformatör kuplajının bazı avantajları vardır.

1. Transformatör kuplajında yük üzerinde DC akım olmadığından, RL üzerinde DC güç kaybı olmayacaktır. Bu durum özellikle yük bir hoparlör veya servo motor olduğu zaman
önemlidir. DC akım çıkış yükünün performansını düşürür.

2. Eğer transformatörün primer direnci (empedansı değil) ihmal edilebilirse kollektör gerilimi Vc, Vcc kaynak gerilimine eşit olur. Böylece bu tür devreleri küçük kaynak gerilimleri
ile kullanmak mümkün olur.

3. Transformatör, empedans uygunlaştırması yaptığından alçak empedanslı yüklerin (hoparlör, anten gibi) yüksek empedans olan kollektöre bağlamak mümkün olur.

Bunların yanında transformatörün dar bantlı, ağır ve geniş hacimli olduğunu da unutmamak gereklidir.

Aşağıdaki şekilde A sınıfı yükseltecin basitleştirilmiş şekli görülmektedir. Bu devrede kollektör besleme gerilimi

Vcc'= Vcc-VE

eşitliği ile verilmiştir. Beyz bayas devresinin eşdeğer voltaj değeri ve direnci

VBB= (R2/(R1 + R2)) x Vcc

RB=R1//R2

olarak verilmiştir.

Şekil 2.

Toplam kollektör akımı İc, DC (Ic) ve AC (ic) yük

akımlarının toplamından oluşur.
İc=Ic + ic

Çıkış trafosunun primer sarımı L bobini ile temsil edilmiştir. Bobin, DC akıma kısa devre etkisi göstereceğinden RL' yük direnci üzerinde DC gerilim düşmesi olmayacaktır. RL'
üzerindeki AC gerilim düşümü

Vo= ic x RL'

değerine eşit olur. Kollektör emitör arasındaki anlık gerilim değeri

Vce= Vcc' + vo =Vcc' + (ic x RL')

Yukarıdaki denklem aşağıdaki şekilde AC yük doğrusunu ifade eder. Q noktasındaki, kollektör - emitör gerilimi Vcc' değerine, kollektör akımı ise Ic değerine eşittir. A sınıfı
çalışmada Q noktası yük doğrusu üzerinde her iki tarafa eşit olarak salınacağından, AC kollektör gerilimi Vm=Vcc' , tepe değerine ulaşır ve toplam kollektör geriliminin değişmesi 0
volt ile 2 x Vcc' değeri arasıda olur. Distorsiyon ve non-linear çalışmadan kaçınmak için kollektör gerilimindeki salınımdan daha düşük değerde tutulur.

Şekil 3.

Vi giriş gerilimi örneğin bir sinüs ise, AC kollektör sinyal akımının ortalama yada DC değeri Sıfır olacaktır. Bu durumda, yalnızca DC kollektör akımı, besleme kaynağında çekilen
gücü oluşturacaktır. Bu gücün değeri
Pcc= Pdc= Vcc' x Ic

Bu eşitliğe göre, A sınıfı yükselteçte DC kaynaktan çekilen güç SABİT olup, Vcc' kollektör gerilimi ile DC kolektör akım ı Ic değerine bağlıdır. (Ses yükselteçlerinde A sınıfı
yükselteçler çok düşük distorsiyonları ile ünlüdür. Bu nedenle A sınıfı güç yükselteçleri biraz pahalıdır. Bu yükselteçlerin volümü kısık da olsa "hatta en kısık olsa da" iyice açık da
olsa hep aynı sıcaklıkta kalır. Bu durum tecrübeyle sabittir.) Yük üzerine beslenen AC güç değeri

PL=Pac=RL' x (Irms)2
olarak belirlenir. Eşitlikteki Irms değeri, trafonun primerindeki AC yük akımıdır. Kollektör beslemesinden çekilen toplam güç, yük üzerine beslenen güç ile, transistörde kollektör
kaybı olarak kaybolan gücün toplamına eşittir.

Pcc=PL + Pc

Değeri kollektör kaybını verir. DC çalışma şartlarında (giriş sinyali sıfır iken) PL=0 ve Pcc=Pc=Vcc' x Ic değerindedir. Bu eşitlik, giriş sinyali bulunmadığı zamanda bile, kollektör
kaybının maksimum olduğunu gösterir. Yük üzerine beslenen maksimum güç, maksimum kollektör gerilimi (AC) ile maksimum AC kollektör akımının çarpımına eşittir. Buna göre

PL(max) = Vrms(max) x Irms(max)

PL(max)= 0,5 x Vcc' x Ic
değerine eşit olacaktır. A sınıfı bir yükselteç için maksimum verim

Verim= PL(max)/Pcc
Verim=(0,5 x Vcc' Ic) / (Vcc' x Ic )
Verim= 0,5 yada %50 dir.

Pratikte %50 verime bile erişilemez. Çünkü yük doğrusunun kenarlarında transistör non-linear bölgelerde çalışır ve kabul edilemeyecek bir distorsiyon oluşur.

A sınıfı bir yükselteçte yük üzerine beslenecek maksimum güç (sinüs giriş sinyali için)

PL=Pc(max)=0,5 x Vcc' x Ic

olarak verilir.
B Sınıfı Push-Pull Yükselteç
B sınıfı çalışmada transistörlerin her ikisi de kesime (cut-off) bayaslanır. Şimdi düşünelim. Tek transistörlü bir yükselteci kesime bayaslarsak giriş sinyalinin sadece pozitif
bölümlerini yükseltecekti. Negatif bölümlerinde ise transistör kesimde kalacaktı. Aslında B-Sınıfı yükselteçlerde transistörlerin her ikisi aynı anda çalışmaz. Giriş sinyalinin pozitif
bölümünde biri negatif bölümünde ise diğeri çalışır. Aslında transistörlerin her ikisi de NPN olduğuna göre ikinci transistör nasıl oluyor da negatif bölümde çalışıyor? Çünkü negatif
bölüm girişteki trafo yardımı ile pozitif şekle dönüştürülüyor. Aşağıda Transformatör kuplajlı B-Sınıfı bir yükselteç şekli görülmektedir.

Şekil 4.

Vi giriş sinyali ortası sıfırlı (center tapped) giriş trafosu üzerinden, iki eşdeğer NPN transistör çifti üzerine uygulanmıştır. Ortası sıfırlı giriş trafosu, ters fazlı iki giriş sinyali sağlar.
Şekildeki trafonun üzerindeki siyah noktalar trafonun sarım yönünü göstermektedir. Dikkat edilirse trafonun ssekonderinin üst ucu noktalı alt ucu noktasız durumda. Primerinin ise
üst ucu noktalı. Bunun anlamı primer de üst uç pozitif olursa sekonder de üst uç pozitif alt uç negatif olacaktır. Primer de üst uç negatif olduğunda sekonder de üst uç negatif alt
uç pozitif olacaktır.

RL yük direnci güç transistörlerinin kollektörlerine ortası sıfırlı bir çıkış trafosu ile bağlanmıştır. Bu devrelerde trafo kullanılması; distorsiyon, bant genişliği, verim yönünden
mahsurludur. Fakat diğer taraftan yük direncinin empedansının kollektör empedansına uydurulmasını sağlamaktadır.

Giriş sinyali bulunmadığı zaman (DC çalışma yada sessizlik durumu) her iki transistörün de beyz ve emitör bayaslaması toprak potansiyelinde olacaktır. Bu durumda her iki
transistör kesim durumunda kalacaktır. Giriş sinyali pozitife gittiği zaman Q1 transistörü düz bayaslanarak iletime geçecek Q2 transistörü iyice ters bayaslanacağı için kesimde
kalacaktır. Q1 transistörü iletime geçtiği zaman çıkış trafosunun üst yarısı üzerinden İc1 akımı akacaktır. Giriş sinyalinin negatif olduğunda Q2 transistörü iletime geçecek, Q1
kesimde kalacaktır. Q2 nin iletime geçmesi ile çıkış trafosunun alt yarısı üzerinden İc2 akımı akacaktır. Böylece giriş sinyalinin pozitif kısımlarında Q1 transistörü, giriş sinyalinin
negatif kısımlarında ise Q2 transistörü yükseltme işini yapacaktır. Aşağıdaki şekilde transistörlerin çalışması zamana bağlı grafiklerle de gösterilmiştir.
Şekil 5.

Şimdi, maksimum kollektör kaybını ve maksimum verimin hangi şartlarda oluştuğunu açıklayacağım. DC çalışma konumunda (Hiç sinyal girişi olmadığı zaman) her iki transistör de
kesimde kaldığı için hiçbir kollektör akımı akmayacak, bu durumda da hiçbir kollektör kaybı olmayacaktır. Vi giriş sinyali uygulandığı zaman, Vcc besleme geriliminden çekilen akım
yukarıdaki şekli "d" bölümündeki gibi olacaktır. Imax, İc1 ve İc2 kollektör akımlarının tepe değerlerini temsil ettiğine göre, toplam akımın RMS değeri;

Irms=(2 / pi) x Imax

Voltaj kaynağı Vcc tarafından sağlanan güç Pcc;

Pcc=(2 / pi) x Vcc x Im

Pcc = (2 x Vcc2) / (pi x RL')

yazılır. Imax değeri, kollektör akımını temsil eden (ya da primer yük akımı), yük üzerine gönderilen güç;

PL=RL' x Irms2 = 0,5 x RL x Imax2

Q1 ve Q2 transistörlerinin kollektör - emitör arası gerilimler;

Vce1= Vcc - İc1 x RL'

Vce2= Vcc - İc2 x RL'

formülleri ile belirlenir. Çıkış trafosunun primer sargılarının dirençlerini ihmal edilebilir kabul edersek trafonun primer sargılarında ulaşılacak en büyük gerilim değeri Vcc değerine
eşit olacaktır. Bu nedenle yük üzerine gönderilecek maksimum güç;

Plmax=0,5 x Vcc2 / RL' = 0,5 x Vcc x Imax

İle bulunur

B-Sınıfı güç yükseltecinin maksimum teori verimi;

Verim= PL/Pcc buradaki değerleri yerine koyup sadeleştirirsek

Verim= 0,785 ya da %78,5

B-Sınıfı güç yükselteci tarafından sağlanacak maksimum çıkış gücü

1. Belirlenen maksimum kollektör akımı

2. Kollektör gerilimi
tarafından sınırlanır.

Bazı durumlarda da transistörün kollektör kaybı tarafından belirlenmektedir. Şimdi bu iki durumu inceleyelim.

Maksimum kollektör-emitör gerilimi Vce(max) ve maksimum kollektör akımı Ic(max) transistör kataloglarında belirtilir. Yukarıdaki devre şemasında Q1 transistörü göz önüne
alınırsa iletime geçtiğinde transistörün kollektör akımı ic1 çıkış trafosunun alt yasına -v2 gerilimi emdükler. V1=-v2 olduğundan ve bu gerilim maksimum besleme gerilimine
ulaşabildiğinden, kollektör-emitör arası gerilim Vce(max) en az 2 x Vcc değerini alıncaya kadar transistör dayanabilmelidir. Yani transistörlerin Vce(max) değerleri besleme
gerilimini en az iki katı yada daha fazlası olmalıdır. Vce(max) değerini kullanarak yük üzerine gönderilecek maksimum güç değerini veren formül;

PL= Vce(max) x Ic(max) / 4

Bu formül bir güç transistörünün maksimum gerilim ve akım değerlerini aşmadan B-Sınıfı bir yükselteç de vereceği maksimum gücü verir.

İkinci durumda, maksimum çıkış gücü, transistörün maksimum kollektör kaybı ile sınırlıdır. B sınıfı yükselteçte DC çalışma şartlarında ic1 = ic2 = 0 olduğu için her transistörün
kollektör kaybı sıfırdır. Bu nedenle maksimum kollektör kaybı girişe sinyal uygulandığı anda meydana gelir. (daha açık olarak B sınıfı yükselteç de girişe sinyal uygulanmadan çıkış
transistörlerinden akım akmaz ve ısınmazlar.) Girişe sinyal uygulandığında ani kollektör kaybı;

Pc= Vce x İc

İle tarif edilir.

Q noktası AC yük doğrusu üzerinde Vce = Vcc' x Ic =Q noktasından, Vce = 0, Ic = I noktaları arasında hareket ettikçe, Vce, İc ve Pc değerlerinin ani değerleri de bu çizgi üzerinde
noktadan noktaya değişecektir. Pc gücünün maksimum değeri, Ac yük doğrusunun, izin verilen maksimum kollektör kaybı eğrisine teğet olduğu noktada oluşur. Teğet noktası
Vce= Vcc / 2 ve Ic= I / 2 değerleri ile belirlenir.

Şekil 6.

Bu eşitliklerden her transistörün maksimum kollektör kaybının eşit olduğunu ve değerinin;

Pc(max) = (Vcc / 2) x (1 / 2)

Pc(max) = Vcc2 / (4 x RL')

olduğunu hesaplayabiliriz. Şimdi A-Sınıfı bir yükselteçle B-Sınıfı bir yükselteci çıkışları bakımında karşılaştıracak olursak, sinüs giriş sinyali için B-Sınıfı bir yükselteç A-Sınıfı
yükseltece göre iki kat fazla güç verir.

B Sınıfı Yükselteçlerde Crossover Distorsiyon

Aşağıdaki şekilde bir B sınıfı yükseltecin giriş devresi giriş devresinin eşdeğeri görülmektedir.

Şekil 7.

Buradaki Vs kaynakları örneğin girişe bağlı ortası sıfırlı bir trafodan elde edilen voltajları temsil etmektedir. Rs direçleri transistörlerin giriş dirençlerini temsil
etmektedir.Transistörler Germanyum yada Silisyum olabilir. Bir noktaya dikkatinizi çekmek istiyorum. Bu eşdeğer devrede transistörlerin bayaslama devresi kullanılmamıştır. Bu
devrenin (giriş devresinin) gerilim-akım V-I karakteristiği aşağıdaki şekildeki gibi olur.
Şekil 8.

Bu şekle ve devreye baktığımızda transistörlerden beyz akımlarının (Ib1-2) akması için Vs kaynaklarının voltaj değerlerinin germanyum transistörler için 0.2V, silisyum transistörler
için 0.6V değerinin üzerine çıkması gerekir.Yani transistörlerden akım akması için girişe uygulanan AC sinyal seviyesi transistörlerin VBE açma voltajının üzerine çıkması
gerekmektedir. Bu sorun ortadan kalkmadığı sürece yükselteçte CROSSOVER distorsiyonu oluşacaktır.

Şekil 9.

Bu distorsiyon yükselteçlerde yüksek çıkış güçlerinde hissedilmez. Ancak çok düşük çıkış seviyelerinde hissedilir. CROSSOVER distorsiyonunu ortadan kaldırma için Q1 veQ2
transistörlerden geçen akım giriş sinyali sıfırdan farklılaştığı anda başlaması gerekmektedir. Bunu sağlamak için Q1 ve Q2 transistörlerinin VBE voltajı kadar bir voltaj
transistörlerin beyz ve emitörleri arasına uygulanır. Bu voltaj aşağıdaki şekilde de görüldüğü gibi transistörle aynı malzemeden yapılmış (transistörler silisyumsa silisyum bir diyot,
germanyumsa germanyum bir diyot) diyot ile olabileceği gibi, ayarlı bir direnç yardımı ile de olabilir. Ayarlı bir dirençle sağlanan bayaslama tercih edilir. Çünkü diyodu
transistörlerle aynı malzemeden seçsek bile her zaman transistörle diyotdun açma voltajı aynı olmaz. Pratikte ayarlı direnç kullanılır. Bu ayarlı dirençle transistörlerin beyz ve
emiterleri arasına bir ön bayas verilerek. 5-10 mA kollektör akımı sağlanır.

Şekil 10.
Şekil 11.

Ayrıca devredeki Q1 ve Q2 transistörlerini aynı karakteristiğe göre seçmek gerekir. Farklı karakteristikli transistörler kullanırsak yükseltecimizde bu kezde NON LINEAR distorsiyon
oluşur. Transistörler aynı marka ve model de olsa karakteristikleri farklı olacaktır. Transistörleri aynı özellikte seçmek ancak Transistör Curve Meter denilen ölçü aletleri ile yapılır.
Bu tür ölçü aletleri de herkezde bulunmaz. Ama en azından herkezde AVO metre vardır. Bu ölçü aletlerinde transistör ölçen bir özellik varsa aynı özelliği yada çok yakın özellik
gösterenleri seçmek gerekir.

Tamamlamalı Simetrik Yükselteç (Complementary Symmetric Amplificator)

Trafo kuplajlı push-pull yükselteçlerde, transistorlere giriş sinyali sağlamak için bir ara trafosu, çıkış sinyali almak için de bir çıkış trafosu kullanılmaktadır. Buda devrenin
büyülüğünü arttırmaktadır. Ayrıca trafonun frekans karakteristiği açısından bazı dezavantajları da vardır. Şimdiki yükseltecimizde trafo kullanılmamaktadır.

Aşağıdaki devre Tamamlamalı Simetrik bir yükselteç devresini göstermektedir.

Şekil 12.

Anlatım kolaylığı için bayaslama devreleri çizilmemiştir. Devreye dikkatlice bakacak olursak (transistörün birini parmağınızla kapatın) iki adet Emiter İzleyici devreden
oluşmaktadır. Daha önceki konularımızdan hatırlarsanız Emiter izleyici bir devrenin çıkış empedansı düşük olduğu için düşük empedanslı yükleri örneğin bir hoparlör, DC motor
doğrudan kullanılabilir. Bu devrede iki adet besleme kaynağı kullanılmıştır. Gerçekte bu tür yükselteçlerde iki
besleme kaynağı olabileceği gibi çıkış yüküne seri olarak ek bir kondansatör bağlanarak tek güç kaynağı ile de kullanılabilir. Devrenin çalışması oldukça basit. Girişe sinüsşeklinde
bir giriş sinyali uygulayalım. Bu sinyalin pozitif taraflarında Q1 transistörü, negatif taraflarında Q2 transistörü akım geçirmekte. Transistörlerin emitör akımları yük üzerinden güç
kaynaklarının sıfır noktasına dönmektedir. Bu devrenin yük üzerine beslenen çıkış gücü her transistörün maksimum kollektör kaybının 2 katına eşittir. Sinüs sinyaller için
maksimum verin push-pull devreninkine eşit olup %78.5 dir. Yukarda ki devre bu haliyle kullanılmaz.Devreye bayas, stabilizasyon, sürücü katı ve uygun geri besleme devresi
eklemek gerekmektedir. Aşağıdaki devre gerekli devreleri eklenmiş tek güç kaynaklı bir tamamlamalı simetrik yükselteçtir.
Şekil 13.

Rl yük empedansı Q2-Q3 tamamlayıcı transistörlerin çıkışına C3 kondansatörü ile bağlanmıştır.R6 ve R7 emitör dirençleri Q2 ve Q3 transistörleri için Isıl Düzenleme yapar. R1
direnci Q2 ve Q3 emitör dirençleri ortasındaki gerilimi sürücü katının girişine geri-besleme olarak uygulayarak, Q1 transistörünün sıcaklık değişimlerinden etkilenmesini önler. Q2-
Q3 transistörlerinin emitör dirençlerinin ortasındaki gerilim, yaklaşık olarak Vcc geriliminin yarısına eşittir. Crossover Distorsiyonunu önlemek için çıkış transistörleri üzerinden
birkaç mA değerinde akım geçecek şekilde bayaslanır. Çıkış transistörleri farklı polariteli olduğu için (biri NPN diğeri PNP) Q2 transistörünün beyzine emitörüne göre pozitif, Q3
transistörünün beyzi emitörüne göre negatif bayas uygulanması gerekmektedir. Bu bayas gerilimleri Q1 transistörünün kollektöründeki R4 direnci tarafından sağlanır.

R1 direncinin yaptığı geri beslemeler nedeniyle devrede simetrik olmayan bir durum oluşur. Bu nedenle R4 direncinin değeri büyük olmalıdır. R4 direncinin yerine ayarlanabilir bir
ayarlı direnç kullanılarak çıkış transistörlerinin çalışma noktaları doğru olarak ayarlanır ve çıkış sinyalinde, giriş sinyalinin yüksek olması nedeniyle oluşabilecek kırpılmalar önlenir.
Güç kaynağında oluşabilecek değişmeler ve sıcaklıktan olabilecek etkileri ortadan kaldırmak için R4 direncine paralel bir termistör (NTC) bağlanabilir. Devrenin çalışması bir önceki
devrenin aynısıdır. Giriş sinyalinin pozitif bölümlerinde Q2 negatif bölümlerinde Q3 transistörleri iletimdedir. Q2 nin iletimde olduğu sürece A noktasındaki gerilim toprak voltajına
göre artar, Q3 tranasitörünün iletimde olduğu sürece A noktasındaki gerilim toprağa göre azalır. A noktasıdaki değişimler (AC sinyal) C3 kondansatörü üzerinden yük üzerine
aktarılır.