" ACERCA DE LOS AUTORES C. J. SAVANT, Jr., es un ingeniero dedicado a la educacin, Recibié su Ph.D. cum laude de\ California Institute of Technology y ha impartido cétedra en el sistema de la California State University, en los campus de Long Beach y Los Angeles. El doctor Savant posee el “Premio al Profesor Distinguido” otorgado por la California State University y constantemente es elegido por sus alumnos como el “profesor ‘més querido del Departamento de Ingenierfa Eléctrica” en la misma universidad. MARTIN S. RODEN es Jefe del Departamento de Ingenierfa Eléctrica y de Computacién en la California State University en Los Angeles. El Dr. Roden recibié su BSEE summa cum laude del Polytechnic Institute of Brooklyn, y iuego pas6 cinco.afios haciendo investigacién en los Laboratorios Bel, el'Iugar de na~ cimiento del transistor. Su interés en la educacién lo llev6 a la academia, donde ‘ocupé los cargos de Jefe de Departamento, Decano Asociado, Decano y Vicepre- sidente Asociado varias veces. Sin embargo, el principal amor del profesor Roden sigue siendo la ensefianza, por lo cual se le otorg6 el Premio al Profesor Dist guido de la Universidad. Es un miembro muy activo de la TEEE, obtuvo el Premio ‘al Consejero mas Distinguido, y es miembro del Institute for the Advancement of Engineering. GORDON CARPENTER es un Teniente Coronel retirado de la Fuerza Aérea de Jos Esiados Unidos, donde acumul6 més de veinteafios de experiencia en el diseio - y desarrollo de alta teenologia para el equipo de la USAF. Esta experiencia hizo al profesor Carpenter muy realista en sus métodos de educaci6n de los futuros inge- nieros. En su carrera en la Fuerza Aérea como director de R&D, entrené nuevos ingenieros para desarollar especificaciones de hardware a partir de requerimientos de sistemas y asegurar que el hardware pueda constrirse para cumplir esas es- pecificaciones. El Coronel Carpenter es un convencido partidario de la educacién orientada al disefo, y su experiencia prictica ha sido esencial para este texto.VvPREFACIO La presente obra ha sido escrita para utilizarse como texto en los cursos de clectrénica bésicos en programas de pregrado en ingenieria. El libro cubre tres &reas:- dispositivos discretos, circuitos integrados lineales y circuitos integrados Ip lp CA GIL Repién desérica o » © en directo. La regi6n desértica disminuye de tamafio debido a la atraccién de pportadores mayoritarios al lado opuesto. Esto es, el potencial negativo ala derecha atrae huecos a la regién p, y viceversa. Con una regién desértica més pequefia, la corriente puede fluir con mayor rapidez. Cuando.se polariza en directo, Ip—Is =I después-de alcanzar el equilibrio, donde J es la corriente a través de la uniGn. Por otra parte, si la tensi6n se aplica como en la figura 1.11(c), el diodo se polariza en inverso. Los electrones libres se llevan del material n hacia la derecha; ¥¥ del mismo modo, los huecos se llevan hacia la iaquierda. La regiGn desértica se ‘hace més ancha y el diodo acta como un aislante. Cuando se polariza en inverso, Is — Ip =1 luego de alcanzar el equilibrio, donde es 1a corriente a través de la unién. Operacién del diodo En la figura 1.12 se ilustran las earactersticas de operacién de wn diodo practice. Esta curva difiere de la caracterstica ideal de la figura 1.9(0) en los siguientes puntos: conforme la tensién en directo aumenta més allé de cero, la cortiente no fluye de inmediato. Es necesaria una tensién minima, denotada por V3, pare obtener una coriene significtiva. Conforme la tension tiende aexceder V, 8 €0- riente aumenta con rapide. La pendiente de la curva caracerstca es grande Pero ‘no infinita, como en el caso del diodo ideal. La tensién minima necesaria para obte- ner una corriente significativa, V,, es aproximadamente 0.7 V para semiconductores 39 Ma12 Capitulo 1 Andlisis de ciruitos con diodos semiconductores Figura 12 (Caracteriieas de operacin del dodo, Regi de polasiacion Repisn de potaizacion en desto 02 07 * Conesie |v, SH e pdida reste & Roprra de svalancha 4e silcio (a temperatura ambiente) y 0.2 V para semiconductores de germanio. La Giferencia de tensién para el silico y el germanio radica en la estructura at6mica e los materiales. Para diodos de arseniuro de galio, V, €s més 0 menos 1.2 V. ‘Cuando el diodo esta polarizado en inverso, existe una pequefia cortiente de fuga. Esta corrente se produce siempre que la tensién sea inferior a la requerida para romper la unién. La comiente de fuga es mucho mayor para los diodos de germanio que para los de silicio 0 arseniuro de galio. Si la tensién negativa es lo suficientermente grande como para estar en la regién de raptura, podria destruirse un diodo normal. Esta tensién de ruptura se define como tensién inversa pico (PIV, ‘peak inverse voliage) en-las especificaciones del fabricante (el Ap. D contiene hojas de especificaciones representativas. A menudo se hard referencia a ellas en €l texto, por lo que serfa conveniente tomar unos minutos para localizarlas en este momento). La curva de la figura 1.12 no esté a escala en la regi6n inversa, ya {que la ruptura por avalancha suele tener valores negativos de tensiGn elevados (generalmente 50 V0 més). El dafio al diodo normal en ruptura se debe a la avalancha de electrones, que fluyen a través de la uni6n con poco incremento en la tensién, La corriente muy grande puede destruir el diodo si se genera excesivo calor. Esta ruptura a menudo se conoce como la tensién de ruptura del diodo (Ve.1.2. Diodos semiconductores 13 Figura 1 Modelos de diodes o7v 7 Ry Diode ideat (© Modelo en ed (dteto einvers) ie z (@) Model simple en oa pars el diodo polarizado en inverse (© Modelo en ca para el diodo polaraado en diecto Los diodos se pueden construir para utilizar Ia tensién de ruptura a fin de simular ‘un dispositivo de control de tensidn. El resultado es un diodo Zener, que se analiza en la seccién 1.6. 1.2.3 Modelos de suite equivalentes del diodo cireuito mostrado en la figura 1.13(a) representa un modelo simplificado del diodo de silcio bajo condiciones de operacién en cd tanto en directo como en inverso, Las relaciones para este modelo se aproximan a las curvas de opereciGn del diodo de la figura 1.12. El resistor R representa la resistencia en polarizacion inversa del diodo y, por lo general, es del orden de megaohms (MO). El resistor ‘Ry representa la resistencia de bloque y contacto del diodo, y suele ser menor que ‘50.2. Cuando se encuentra polarizado en directo, el diodo ideal es un cortocireuto, 6 resistencia cero. La resistencia de circuito del diodo préctico modelado en la figura 1.13(@) es BUR) Ry a *14 Capitulo 1 Anélisis de circuitos con diodos semiconductores Bajo condiciones de polarizacién en inverso, el diodo ideal tiene resistencia infinita (Circuito abierto), y la resistencia de circuito del modelo prictico es R,. El diodo {deal que es parte del modelo de la figura 1.13(a) esté polarizado en directo cuando Ja tensiGn entre sus terminales excede de 0.7 V. Los modelos de circuito en ca son més complejos debido a que la operacién del diodo depende de Ia frecuencia. En la figura 1.13(b) se muestra un modelo simple en ca para un diodo polarizado en inverso. El capacitor, Cy, representa Ja capacitancia de unin. En la figura 1.13(€) se muestra el circuito equivalente fen ca para un diodo potarizado en directo. El modelo incluye dos capacitores, el capacitor de difusién, Cp, y el capacitor de unién, Cz. La capacitancia de difusién, Cp, se aproxima a cero para diodos polarizados en inverso. La resistencia dindmica es ra y esté dada por la pendiente de la caracteristica tensiGn-corriente. A baja frecuencias, los efectos capacitivos son pequefios y ra és el tinico elemento significativo. 1.3 FISICA DE LOS DIODOS DE ESTADO SOLIDO Ahora que se ha analizado la construccién del diodo y presentado una breve in- troduccién a los modelos pricticos del diodo, se explorardn algunos aspectos més detallados de las diferencias entre diodos précticos ¢ ideales. En el apéndice B se incluyen detalles adicionales. 1.3.1 Distribucién de carga [Los diodos se pueden visualizar como la combinacién de un semiconductor de tipo n conectado a un semiconductor de tipo p. Sin embargo, en una produccién real, se forma un solo cristal semiconductor con una parte del cristal contaminada por material de tipo n y la otra parte contaminada por material de tipo p. ‘Cuando existen materiales de tipo p y de tipo n juntos en un cristal, se produce ‘una redistribucién de carga. Algunos de los electrones libres del material n migran 2 través de la-unién y se combinan con huecos libres en el material p. De la misma forma, algunos de 10s huecos libres del material p se mueven a través de la uni6n y Se combinan con electrones libres en el material n. Como resultado de esta ‘edistribucién de carga, el material p adquiere una carga negativa neta y el material 1m obtiene una carga positiva neta. Estas cargas crean un campo eléctrico y una diferencia de potencial entre los dos tipos de material que inhiben cualquier otro movirhiento de carga. El resultado es una reduocién en el nmero de portadores de Corriente cerca de la unin, Esto sucede en un érea conocida como region desé El campo eléctrico resultante proporciona una barrera de potencial, 0 colina, en 421.3 Fisica de los diodos de estado sdlido 15 Figura 114 ‘Bueras de potecil. Potéacat Posiiéa tuna diteccién que inhibe la migracién de pontadores a través de la uni6n. Esto se muestra en la figura 1.14. Para producir una corriente a través de la unién, se ‘debe reducir la barrera de potencial o colina aplicando una tensi6n con la polaridad aptopiada a través del diodo. 1.3.2. Relacién entre la corriente y la tensién en un diodo Existe una relacién exponencial entre la corriente del diodo y el potencial aplicado. Es posible escribir una expresi6n dinica para la comiente que se aplique a condi- ciones de polarizacién tanto en directo como en inverso. La expresin se aplica siempre que la tensién no exceda la tensiGn de ruptura. La relacién se describe por medio de la ecuacién (1.1). [exe (22) - 1] an Los términos de la ecuacién (1.1) se definen como sigue: ip ip = comtiente en el diodo up = diferencia de potencial a través del diodo I, = comriente de fuga q = carga del electrén: 1.6 x 107" coulombs (C) k= constante de Boltzmann: 1.38 x 10-# °K T = temperatura absolvta en grados Kelvin rn = constante empirica entre 1 y 2, que a veces se refiere como el factor exponenciai de idealidad 4316 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores La ecuacién (1.1) se puede simplificar definiendo wr wet a q Esto da inele [= (2) 5 H| a2 Si se opera a temperatura ambiente (25°C) y sélo en la regién de polarizacién en directo (vp > 0), entonces predomina el primer término en el paréntesis y la corriente esté dada aproximadamente por ip = Teexp. (3) as) Estas ecuaciones se ilustran en la figura 1.15, La comrente de ssturacin inversa, Ie, eS funcign de la pureza del material, de la contaminacién y de la geometia del diodo. La constante empirica, n, es un ‘iimero propiedad de la construcciGn del diodo y puede variar de acuerdo con los niveles de tensiGn y de corriente. Sin embargo, algunos diodos operan sobre un ‘ntervalo considerable de tensign con una constante n aceptable. Si m = 1, el valor de nVp es de 26 mV a 25°C. Cuando n = 2, nVp tiene un valor de 52 mV. Para diodos de germanio, por lo comin se considera que n es 1. Para diodos de silcio, 1a teorfa de Sah-Noyce-Shockley (SNS) [47] predice que n deberia ser 2. Aunque se predice el valor de 2, muchos diodos de silicio operan con n en el intervalo 13 a 16. El valor de n puede variar un poco, inclusive en una produccién particular debido a la tolerancia durante Ia fabricacién, la pureza del material y los niveles de contaminacién ((36], Sec. 1.2). ‘Ya se tiene la informacin necesaria para evaluar Ia relacién entre la corriente ¥y Ta tension en un punto de operacién Q. Aunque las curvas para la regién en directo mostradas en la figura 1.15 recuerdan una linea recta, se sabe que la linea ‘no es recta, ya que sigue una relacién exponencial. Esto significa que la penidiente de la linea se modifica conforme cambia ip. Se puede diferenciar Ia expresién de Ja ecuacién (1.3) para encontrar la pendiente en cualquier ip dada: io [oe (38)] wp a as) Para eliminar la funci6n exponencial, se resuelve la ecuaci (1.2) a fin de obtener ee aa