Fakultet elektrotehnike i računarstva

Zavod za elektroniku, mikroelektroniku, računalne I inteligentne sustave

Predmet: Elektronika I

POPIS FIZIKALNIH KONSTANTI I FORMULA

naboj elektrona q =1,602.10−19 C
masa slobodnog elektrona m0 =9,1085.10−31 kg
Planckova konstanta h = 6,625.10−34 Js = 4,135.10−15 eVs
Boltzmannova konstanta k = 1,381.10−23 J/K = 8,620.10−5 eV/K
brzina svjetlosti: c = 3.108 m/s
apsolutna dielektrička konstanta ε0 = 8,854.10−14 F/cm
relativna dielektrička konstanta ′ =11,7
ε Si
relativna dielektrička konstanta ′ 02 =3,9
ε Si

kT T
naponski ekvivalent temperature UT = =& V
q 11600
T
energetski ekvivalent temperature ET = k T =& eV
11600

c hc 1,24
valna duljina: λ = = = µm energija fotona: E=h.f
f E E (eV )

Svojstva poluvodiča

širina zabranjenog pojasa: EG (T ) = EG 0 + a ⋅ T , eV za 200 K ≤ T ≤ 600 K

 E 
intrinsična koncntracija: ni = C ⋅ T 3 / 2 ⋅ exp  − G 0 
 2⋅k T 

C, cm−3/K3/2 EG0, eV a, eV/K

Si 3,32.1016 1,2 −2,546.10−4

 E − EF   E 
n = N C ⋅ exp  − G  p = NV ⋅ exp  − F 
 kT   kT
NC , NV - efektivne gustoće kvantnih stanja u vodljivom, odnosno valentnom pojasu

N C =& NV = C1 ⋅ T 3 / 2 za Si: C1 = 7,64 ⋅ 1015 cm −3 K −3 / 2

dn
gustoća struje elektrona: J n = q ⋅ n ⋅ µ n ⋅ F + q ⋅ Dn ⋅
dx
dp
gustoća struje šupljina: J p = q ⋅ p ⋅ µ p ⋅ F − q ⋅ Dp ⋅
dx
difuzijska konstanta: D = µ U T (Einsteinova relacija)

1
p-n spoj
n0n ⋅ p0 p
kontaktni potencijal: U K = U T ⋅ ln
ni2

U U
Boltzmannove relacije: p n 0 = p0 n ⋅ exp n p 0 = n0 p ⋅ exp
UT UT

2ε 0 ⋅ ε ′  1 1 
širina osiromašenog područja: dB =  +  ⋅ UK −U
q  N D N A 

 U  
Shockleyeva jednadžba: I = I S ⋅ exp  − 1
  UT  
 n0 p p 
reverzna struja zasićenja: I S = I Sn + I Sp = q ⋅ S  Dn + D p 0n  , za W >> L
 Ln Lp 

 n0 p p 
I S = I Sn + I Sp = q ⋅ S  Dn + D p 0n  , za W << L
 Wp Wn 

difuzijska duljina: L = D ⋅τ

S
kapacitet osiromašenog područja: CB = ε 0 ⋅ ε ′
dB

In Ip
difuzijska admitancija: Y (ω ) = 1 + jωτ n + 1 + jωτ p za W >> L
UT UT
n0 p U  p0 n U 
I n = q S Dn exp  I p = q S Dp exp 
Ln  UT  Lp  UT 
za asimetrični pn-spoj ( σ n >> σ p ili σ p >> σ n ):
Y (ω ) = g d + jω C d
I I ⋅τ 1
Y (ω ) = 1+ 1 + (ω τ ) 2 + jω ⋅
2 UT 2 UT 1+ 1 + (ω τ ) 2
gdje je I ukupna struja, a τ vrijeme života manjinskih nosilaca na slabije dopiranoj strani.

 U  
Sunčana ćelija: I = I L − I S ⋅ exp  − 1
  UT  

2
Bipolarni tranzistor
Ebers-Mollove jednadžbe:

 U    U  
za npn tranzistor: I E = − I ES ⋅ exp BE  − 1 + α R ⋅ I CS ⋅ exp BC  − 1
  UT     UT  
 U    U  
IC = α ⋅ I ES ⋅ exp BE  − 1 − ICS ⋅ exp BC  − 1
  UT     UT  

 U  
ili I E = −α R ⋅ I C − I EB 0 ⋅ exp BE  − 1
  UT  

 U  
I C = −α ⋅ I E − I CB 0 ⋅ exp BC  − 1
  UT  
I EB0 = I ES ⋅ (1 − α ⋅ α R ) ICB 0 = ICS ⋅ (1 − α ⋅ α R ) α ⋅ I ES = α R ⋅ ICS

U EB U
za pnp tranzistor: exp , exp CB i I ES , I CS , I EB 0 , I CB 0 < 0
UT UT

Tranzistori s efektom polja (FET):

spojni FET (JFET):

  U − U 1 / 2 
linearno područje: I D = G0 1 −  K GS
  U DS
  U K − U GS 0  

triodno područje:

U − U GS 0  U DS  U − U + U 
3/ 2
 U − U GS 
3 / 2 

I D = G0 K 3 − 2 K GS DS
 −  K  
3  U K − U GS 0  U K − U GS 0   U K − U GS 0   

područje zasićenja:

U K − U GS 0   U − U GS  
3/ 2
U − U GS
I D = G0 1 − 3 ⋅ K + 2 ⋅  K  
3  U K − U GS 0  U K − U GS 0  

MOSFET:
 U 
triodno područje: I D = K ⋅ U GS − U GS 0 − DS  ⋅ U DS
 2 
K
područje zasićenja: I D = ⋅ (U GS − U GS 0 )2
2