UNIVERSIDAD POLITÉCNICA

DE CHIAPAS
Electrónica de Potencia

Transistores de Potencia

Paula Natali López Lázaro

José Manuel Aguilar Rizo
 HISTORIA
El transistor de potencia sigue al tiristor en su entrada en la Electrónica
de Potencia, hoy está más ampliamente implantado. Incluso en
aplicaciones de alta tensión y corriente.

El nombre transistor alude al efecto de transferencia de resistencia

entre el circuito de entrada y el de salida, siendo una abreviatura de
transfer resister.

En la década de los cincuenta se inicia el desarrollo de

transistores de unión de potencia, consiguiéndose pronto
componentes de decenas de amperios y voltios en cápsulas
metálicas .
A partir de los setenta se llevan acabo esfuerzos notables para ampliar
la potencia y la frecuencia del transistor de unión que en los ochenta
alcanzan los 200 A y 2,000 V

La principal desventaja del transistor bipolar de potencia, su reducida

ganancia de intensidad ( de alrededor de 10 a la corriente máxima), se ha
contrarrestado con el montaje de Sydney Darlington combinando dos o
mas dispositivos en cascada.
 PANORAMA ACTUAL
La mejora de los procesos de difusión y la introducción del silicio
permitieron progreso hacia el desarrollo de transistores mesa y
hometaxiales con buen control del espesor, grado de dopado y
estructura cristalina de las capas (Elevó todas sus características).

Se han llegado a comercializar excelentes transistores bipolares

únicos que combinaban hasta 400 A con 500 V, 200 A con 2,000 V, y
transistores Darlington de hasta 500 A y 2,500 V.
 CARACTERÍSTICAS
Las principales características que han de considerarse en los
transistores de potencia son:

•Ic Intensidad máxima de colector (o ordenador)

•Uceo Tensión de ruptura colector-emisor (o drenador-surtidor) con la
base (o puerta).
•Ucesat Tensión en saturación colector-emisor ( o drenador y surtidor).
•Pmáx Potencia máxima disponible en régimen continuo.

Gran parte de los transistores utilizados en circuitos de potencia

trabajan exclusivamente en saturación en corto, caída de tensión baja,
ganancia e intensidad en corriente continua alta y tiempos de
saturación y corte bajo (frecuencia).
 TRANSISTORES DE UNIÓN
BIPOLAR DE POTENCIA
Las características de los transistores de potencia dependen del
tipo de transistor del semiconductor empleado de la técnica de
fabricación.
• Transistor de unión difusa
• Transistor de doble difusión epitaxial.
• Transistor Darlington.
• Transistor de unión en corte y en saturación.
CARACTERÍSTICAS DEL
TRANSISTOR DE UNIÓN.
El paso de corte al de saturación no se produce de forma instantánea.

Si se sobre pasa la tensión máxima permitida entre colector y base con

el emisor abierto, la tensión máxima permitida entre colector y emisor
con la base abierta, se polarizara inversamente en un proceso de ruptura
y puede destruir al transistor.
 OTROS TIPOS DE
TRANSISTORES DE POTENCIA
El FET (transistor de efecto de campo): La corriente de colector a
emisor recorre el semiconductor transversalmente y no
longitudinalmente al plano de la pastilla reduciéndose la resistencia
equivalente mínima.
No consume corriente de puerta.

El IGBT (Insulated gate bipolar transistor): se comporta como un

transistor de unión en el paso de corte a saturación y como FET en el
paso de saturación a corte