Mosfet là loại van có rất nhiều ưu điểm ở công suất vừa và nhỏ,được chọn để sử dụng trong thiết kế

này. Hiểu rõ những ưu,nhược điểm và thông số của mosfet rất quan trọng. Ta sẽ tìm hiểu các thông số
quan trọng của mosfet và những ảnh hưởng đến quá trình thiết kế.

Những ưu điểm của mosfet.

1-Tốc độ chuyển mạch nhanh, tổn hao chuyển mạch nhỏ hơn BJT và IGBT.
2-Tổn hao dẫn bé hơn BJT và IGBT ở vùng dòng điện nhỏ và vừa.
3-Không tốn công suất điều khiển như BJT, ở các mức công suất khác nhau thì mạch điều khiển không
khác nhau nhiều,giúp đơn giản hoá việc thiết kế.
4-Có tuổi thọ rất cao nếu được tính toán tốt.
5-Với vùng điện áp thấp(dưới 50V) và dòng lớn( cỡ trăm Ampe) thì mosfet là sự lựa chọn tốt nhất.

Các nhược điểm của mosfet.

1- Bị hạn chế về điện áp (<1000V) và dòng điện( cỡ vài trăm Ampes đổ lại).
2- Khi dòng điện tăng thì tổn hao tăng nhanh hơn BJT và IGBT.
3- Chịu quá tải kém, nhậy cảm với nhiệt độ.
4- Giá thành cao hơn BJT và IGBT ở cùng điện áp và dòng điện định mức.
Vì những lý do trên mà mosfet thường được sử dụng ở cấp điện áp 320VDC( 220VAC sau chỉnh lưu) và
dòng điện vài trăm Ampes trở lại.

Các thông số quan trọng của mosfet.

1- Drain-to-Source Breakdown Voltage: đây là điện áp một chiều lớn nhất cho phép trên cực Drain và
Source. Khi tính toán thường lấy hệ số an toàn về điện áp là1.5 trở lên.
2- Continuous Drain Current :Dòng điện một chiều liên tục lớn nhất chảy qua mosfet, giới hạn bởi tổn
hao dẫn , thường cho ở 25°C và 100°C .
3- Pulsed Drain Current: Dòng điện xung lớn nhất chảy qua mosfet, phụ thuộc vào độ rộng xung,giới
hạn bởi diện tích an toàn(Safe Operating Area-SOA).Trong quá trình quá độ , van hay phải làm việc ở
vùng dòng điện trên định mức này trong thời gian ngắn, nếu SOA bị vi phạm thì phải áp dụng khởi
động mềm.
4- Gate-to-Source Voltage: Điện áp điều khiển giữa cực Gate và Souce, thường lớn nhất là 20V,thực tế
hay đặt khoảng 10V,khi mosfet hoạt động xảy ra hiện tượng điện áp điều khiển bị tăng cao do ảnh
hưởng của điện dung ký sinh giữa cực Drain và Gate,khi tính toán nếu thấy điện áp này tăng cao cần
thêm một diode zener mắc giữa cực Gate và Souce.
5- Max. Power Dissipation:Công suất tiêu tán lớn nhất trong điều kiện làm mát tốt nhất và ở một nhiệt
độ nhất định, thường cho ở 25°C , dựa vào Linear Derating Factor có thể tính ra công suất tiêu tán
nhiệt ở các nhiệt độ khác.
công suất tiêu tán trên thực tế phụ thuộc chủ yếu vào dạng đóng vỏ và điều kiện làm mát, và bé hơn
nhiều giá trị định mức.
Vd: Loại IRF-540N, dạng vỏ TO-220, datasheet cho Max. Power Dissipation =130W tại 25°C,nhưng trong
điều kiện làm mát cánh tản nhiệt và quạt cưỡng bức tốt nhất thì thường chỉ nên lấy tối đa 50W. Tất
cả các loại van khác có cùng dạng đóng vỏ này cũng không được chọn quá 50W.

6-Linear Derating Factor: Hệ số suy giảm công suất toả nhiệt theo nhiệt độ, khoảng 0.7-2.5W/°C.

7-Operating Junction and Storage Temperature Range: giới hạn nhiệt độ của lớp tiếp giáp,thường là
-55 đến +175°C. Quá thang nhiệt độ này van sẽ hỏng.
8-Peak Diode Recovery dv/dt: Giới hạn tốc độ tăng điện áp trên diot mắc giữa cực Drain và
Souce,thường <5V/ns, khi quá giá trị này van sẽ hỏng. Sở dĩ có thông số này là vì trong van tồn tại các
giá trị điện dung và điện cảm ký sinh. Khi có biến thiên điện áp ,các yếu tố này sẽ tương tác, tạo ra một
sđđ đủ lớn để phá hỏng các lớp tiếp giáp trong van.

9-Static Drain-to-Source On-Resistance: Điện trở biểu kiến ở trạng thái dẫn, đây là thông quyết định
đến tổn hao dẫn, thông số này phụ thuộc nhiều vào điện áp chịu đựng của van và nhiệt độ lớp tiếp
giáp ,tăng khi nhiệt độ lớp tiếp giáp tăng , và tăng nhanh khi điện áp định mức tăng. Có lẽ đây là lý do
tại sao mosfet ít được chế tạo ở cấp điện áp trên 1000V.

10-Rise Time và Fall Time: thời gian chuyển mạch của van tương ứng từ trạng thái khoá sang trạng thái
dẫn và ngược lại , được trình bày trong giản đồ dưới đây.Đây là thông số quyết định đến tổn hao
chuyển mạch , là thông số quan trọng khi đánh giá chất lượng của van, khi tính toán mạch điều khiển
thì Rise Time và Fall Time của xung điều khiển phải bé hơn các thông số này của van.

11-Total Gate Charge: Điện tích tổng cộng của các tụ điện ký sinh trên cực Gate tại một giá trị Uđk nhất
định, thường cho ở 10V, đây chính là điện tích mà mạch điều khiển(gate driver) phải nạp hoặc xả cho
các tụ này trong quá trình đóng hay mở van.Bởi vậy mà mạch điều khiển đôi khi còn được gọi là Gate
charge.

Thông số này quyết định đến giá trị Ipgeak của mạch điều khiển, điện tích này càng lớn thì Ipgeak càng
phải lớn để đảm bảo các tụ này được nạp trong thời gian xác định. Thường Ipgeak trong khoảng 0.5-
2A