Professional Documents
Culture Documents
Bai Giang Chuong 2
Bai Giang Chuong 2
Vi t
Để dòng tải không méo
IP1 = IP2 = IP
IP1
t Hoạt động của 2 transistor phải
đối xứng Q1≡Q2, các biến áp T1
iT1
IP2
t và T2 phải có điểm giữa ở cuộn thứ
iT2 cấp và cuộn sơ cấp tương ứng.
t
(center-tapped transformer)
IP1
iL
Dòng trung bình của nguồn
-IP2 cung cấp:
IP1 IP2
T /2
2 2I P
iS
T/2 T 3T/2 2T
t
I SAV
T 0 I P sin wtdt
2.1. Mạch KĐCS lớp B transistor ghép đẩy kéo
dùng biến áp (tt)
Công suất trung bình phân phối trên tải cực đại:
2 2
1 1 NS V2
1 NP 2
PL max VP max I P max I P max RL
P max
2 2 N P RL 2 NS
Từ đường tải một chiều DCLL,
ta có biên độ áp ở ngõ ra của
mỗi transistor cực đại:
VPmax = VCC
2
1 N S VCC
2
Hiệu suất:
2
1 N S VP2
PL 2 N P RL VP
2
PS 2 N S VP 4 VCC
VCC
N P RL
Hiệu suất cực đại khi PLmax và PSmax VPmax = VCC
PL max
max 78.5%
PS max 4
2.1. Mạch KĐCS lớp B transistor ghép đẩy kéo
dùng biến áp (tt)
Ưu điểm:
Do mỗi transistor làm việc ở 1 bán kì tín hiệu vào nên
mạch có thể hoạt động với tín hiệu có biên độ lớn công
suất ra trên tải của mạch lớn.
Hiệu suất cao.
Nhược điểm:
Méo xuyên tâm do ngưỡng dẫn của transistor.
Biến áp cồng kềnh, đắt tiền.
Để tín hiệu ngõ ra không méo thì các biến áp trong mạch
phải có cuộn sơ cấp (T2) và thứ cấp (T1) đối xứng.
Méo tín hiệu ở cuộn thức cấp biến áp khi tín hiệu vào
cuộn sơ cấp lớn do hiện tượng từ trễ.
2.1. Mạch KĐCS lớp B transistor ghép đẩy kéo
dùng biến áp (tt)
Bài tập áp dụng:
Một mạch khuếch đại công suất âm tần lớp B transistor
ghép đẩy kéo dùng biến áp có dòng collector đỉnh và điện
áp đỉnh ở ngõ ra mỗi transistor là 4 (A) và 12 (V). Nguồn
cung cấp 24 (V), tỷ số biến áp Np:Ns = 1:1. Giả sử bỏ qua
các tổn hao dây quấn của các biến áp. Hãy tìm:
a. Công suất trung bình phân phối trên tải.
b. Công suất trung bình được cung cấp từ nguồn DC.
c. Công suất tiêu tán trên mỗi transistor.
d. Hiệu suất của mạch trong trường hợp này.
e. Giả sử tải 8 (Ω), tính công suất cực đại phân phối
trên tải.
2.1. Mạch KĐCS lớp B transistor ghép đẩy kéo
dùng biến áp (tt)
Bài giải:
Theo đề bài: VP = 12 (V), IP = 4 (A), Np/Ns = 1.
a. Công suất trung bình phân phối trên tải: PL= 0.5VPIP = 24 (W)
b. Công suất trung bình được cung cấp từ nguồn DC:
PS = VCCISAV = VCC(0.636IP) = 61.115 (W)
c. Công suất tiêu tán trên mỗi transistor:
Pd = PS – PL = 37.115 (W) 1 transistor: Pd/2 = 18.5575 (W)
d. Hiệu suất: = PL/PS = 39.27 %
e. Công suất cực đại phân phối trên tải nếu RL = 8 (Ω):
PLmax = 0.5(VCCVCC)/RL = 36 (W).
Bài tập về nhà: 2.13, 2.14, 2.15, 2.16, 2.17, 2.18.
2.2. Mạch KĐCS lớp AB transistor ghép bổ phụ
I I VP
-
R e
PI =IPL
PL P
Re RL
2
+
1 RL VP2
PL
R L
VpL
- 2 Re RL RL
2.2.1. Mạch KĐCS âm tần OTL (tt)
Công suất trung bình phân phối trên tải cực đại khi: VP = Vpmax
VCC
Xét đường tải DCLL: VP max
2
2
1 RL VCC 2
PL max
8 Re RL RL
QAB
Nếu chọn Re << RL
0
( thường chọn Re = 0.1RL):
VCC/2
2
1 VCC
PL max
8 RL
2.2.1. Mạch KĐCS âm tần OTL (tt)
Ưu điểm:
Mạch không dùng biến áp nên khắc phục các nhược
điểm của mạch KĐCS ÂT dùng biến áp.
Tín hiệu ra không méo xuyên tâm.
Hiệu suất cao.
Nhược điểm:
Mạch dùng tụ xuất âm nên làm suy hao tín hiệu.
Do suy hao của tụ không đồng đều theo tần số nên dùng
tụ xuất âm sẽ hạn chế những tín hiệu có tần số thấp
mạch hạn chế tín hiệu siêu trầm. Tần số cắt thấp của mạch:
1
fC
2 ( Re RL )Co
2.2.1. Mạch KĐCS âm tần OTL (tt)
Bài tập áp dụng:
Cho mạch KĐCS ÂT dạng OTL có nguồn cung cấp 20 (V), các điện trở R1 = R2 =
10 (KΩ), Re1 = Re2 = 1(Ω), RL = 8 (Ω). Diode dùng loại Si. Tụ Co = 500 (uF). Giả sử
mạch được thiết kế đối xứng. Hãy tìm:
a. Các dòng điện qua các điện trở R1, R2.
b. Các điện thế tại các nút B1, B2.
c. Nếu biên độ áp đỉnh ngõ ra của mỗi transistor là 8 (V), tính công suất trung
bình phân phối trên tải trong trường hợp này.
d. Công suất trung bình của nguồn cung cấp ở câu c.
e. Hiệu suất ở câu c.
f. Công suất trung bình cực đại phân phối trên tải.
g. Nếu Vi có giá trị 5 (Vrms), tính công suất trung bình phân phối trên tải.
2.2.1. Mạch KĐCS âm tần OTL (tt)
Bài giải:
a. Về DC, các transistor được phân cực điện áp B-E đủ lớn nên ta có
thể xem IB1, IB2 << IR1, IR2, ID1, ID2 IR1 = IR2 = ID1 = ID2.
VCC 2V
I R1 I R 2 0.93 (mA)
R1 R2
b. Các điện thếVtại
cácRđiểm
I B1,
9.3B2:
(V )
B2 2 R2
+Vcc
So sánh với mạch OTL và nguyên lý
hoạt động:
R1
Sử dụng nguồn đôi: +VCC/-VEE.
B1 Q1
IP1 = IP2 = IP
IP1
t Hoạt động của 2 transistor
iT1 phải đối xứng Q1≡Q2 (chọn
IP2
theo cặp),
t
R1 = R2, Re1 = Re2, VCC = VEE
iT2
(nguồn đôi đối xứng) điện thế tại
t
IP1 điểm giữa VM = 0.
iL
-IP2
Dòng trung bình của nguồn
IP1 IP2 cung cấp:T / 2
2 2I P
iS
T/2 T 3T/2 2T
t
I SAV
T 0 I P sin wtdt
2.2.2. KĐCS âm tần OCL (tt)
I I VP
-
R e
PI =IPL
PL P
Re RL
2
+
1 RL VP2
R L
VpL PL
- 2 Re RL RL
2.2.2. KĐCS âm tần OCL (tt)
Công suất trung bình phân phối trên tải cực đại khi: VP = Vpmax
Xét đường tải DCLL: VP max VCC
2
1 RL VCC 2
PL max
2 Re RL RL
QAB
Nếu chọn Re << RL
0
( thường chọn Re = 0.1RL):
VCC
2
1 VCC
PL max
2 RL
2.2.2. KĐCS âm tần OCL (tt)
Ưu điểm:
Mạch không dùng tụ xuất âm nên băng thông của mạch được
mở rộng ở tần số thấp tiếng sẽ ấm hơn khắc phục nhược
điểm mạch OTL.
Tín hiệu ra không méo xuyên tâm.
Hiệu suất cao.
Nhược điểm:
Mạch khó thiết kế.
Mạch sử dụng nguồn đôi.
Do tải ghép trực tiếp nên phải có mạch bảo vệ quá công suất,
mạch bảo vệ lệch điểm 0 V, mạch đóng chậm tải.
Một số bài tập yêu cầu
R7
Q1 Q1
Q2 D1
D1 R5
R3 R3
D2 D2
RL RL
R4 R4
R6
D3 Q4 D3
Ci Ci R8
Q3 Q3
Vi Vi R10
Q4
R2 R2
-Vcc -Vcc
2.3. Vấn đề nâng công suất cho mạch KĐCSÂT (tt)
Nâng biên độ điện áp trên tải BTL:
+Vcc
R1 R1
Q1 Q1
D1 D1
R3
R3
RL
D2 D2
R4 R4
D3 D3
Ci Ci
Q3 Q3
Vi -Vi
R2 R2
-Vcc
R9 R9
R1 Q2 Q2 R1
R7 R7
Q1 Q1
D1 D1
R5 R5
R3
R3
RL
D2 D2
R4 R4
R6 R6
D3 D3
Ci R8 R8 Ci
Q3 Q3
-Vcc
Q&A