TRANSDUCTORES ULTRASNICOS DE POTENCIA Juan A.

Gallego Jurez Instituto de Acstica, CSIC Serrano, 144 28006 Madrid

1. Introduccin Las aplicaciones de los ultrasonidos se clasifican generalmente en dos grandes grupos que se refieren, respectivamente, al uso de bajas y altas intensidades. Los ultrasonidos de potencia cubren las aplicaciones de alta intensidad en las que se trata de producir modificaciones permanentes en el medio sobre el que se acta. La mayora de las aplicaciones de los ultrasonidos de potencia se llevan a cabo en el campo de frecuencia entre 20 y 100 kHz y con intensidades acsticas que varan desde aproximadamente 0,1 W/cm2 hasta varios KW/cm2. El empleo de las frecuencias ultrasnicas permite obtener altas aceleraciones y concentracin de energa en medios de muy diversa naturaleza, sin producir molestias acsticas a las personas. Existe una amplia gama de procesos que pueden ser promovidos mediante los ultrasonidos de potencia. Los ms importantes son: mecanizacin, soldadura, formacin de metales, etc. en medios slidos; limpieza, aceleracin de reacciones qumicas, emulsificacin, atomizacin, desespumacin, secado, aglomeracin de aerosoles, etc. en medios fluidos. La aplicacin industrial de estos procesos depende fundamentalmente de la tecnologa de generacin de los ultrasonidos de alta intensidad. Los principales puntos a considerar en los transductores son la capacidad de potencia, el rendimiento, la amplitud y distribucin de la vibracin y la direccionalidad de la radiacin emitida. Los transductores de potencia son sistemas de banda estrecha con capacidades de potencia que van desde algunos cientos de vatios hasta varios kilovatios y gran amplitud de vibracin. En este trabajo se revisan los principales tipos de transductores ultrasnicos de potencia y se discuten sus caractersticas.

2. Materiales para la transduccin ultrasnica de potencia. Actualmente la mayora de los transductores ultrasnicos son piezoelctricos. Por tanto, fijaremos nuestra atencin de modo muy especial en este tipo de transductores. Sin embargo, es interesante resear los recientes desarrollos de nuevos materiales magnetostrictivos (compuestos de tierras raras) que presentan propiedades muy prometedoras para la transduccin de potencia (1).

Los transductores son generalmente dispositivos formados por un conjunto de elementos de los cuales el elemento piezoelctrico (o magnetostrictivo) constituye el motor del sistema, ya que es el que cambia sus dimensiones en respuesta a la accin de un campo elctrico (o magntico). Otros componentes de la estructura del transductor son elementos pasivos que se utilizan para mejorar la transferencia de energa. Estos componentes son generalmente piezas de aleaciones metlicas. En esta seccin describiremos las caractersticas bsicas de los materiales activos y pasivos usados en los transductores de potencia, con especial nfasis en las cermicas piezoelctricas. 2.1.- Cermicas piezoelctricas En los transductores actuales, los materiales piezoelctricos que se emplean generalmente son de tipo cermico. Las cermicas piezoelctricas presentan los mayores factores de conversin electromecnica y tienen, en trminos generales, las propiedades ms favorables para la transduccin de potencia. Las cermicas piezoelctricas son materiales constituidos por un conglomerado de cristalitos ferroelctricos que estn orientados al azar. Se originan generalmente en una reaccin en estado slido de distintos xidos seguida de un tratamiento a alta temperatura. En su estado primitivo la cermica es isotrpica y no piezoelctrica a causa de la distribucin azarosa y de la estructura de los dominios (regiones dentro de cada cristalito en las que los dipolos elctricos tienen una orientacin comn) (Figura 1.a). El material cermico se hace piezoelctrico mediante un tratamiento de polarizacin consistente en la aplicacin de un campo elctrico constante de muy alta intensidad en la direccin elegida, con el fin de hacer girar los ejes polares de los cristalitos hacia aquellas direcciones, permitidas por la simetra, ms prximas a la del campo elctrico. El tratamiento de polarizacin, aunque resulta indispensable, no garantiza el alineamiento perfecto de los dipolos. En los materiales piezoelctricos las propiedades elsticas y elctricas estn acopladas. Por tanto, los parmetros elctricos y mecnicos tienen que estar presentes en las relaciones constitutivas. Generalmente, el esfuerzo T y la deformacin S son los parmetros mecnicos considerados y el campo elctrico E y el desplazamiento dielctrico D, los parmetros elctricos. Para un medio piezoelctrico, la interaccin entre las variables elctricas y mecnicas puede expresarse con las relaciones
D = dT + T E S = s E T + dE

donde y s son, respectivamente la permitividad y compliancia del medio y d la constante piezoelctrica. La primera ecuacin describe el efecto piezoelctrico directo (mecano-elctrico) mientras que la segunda se refiere al efecto inverso (electro2

mecnico). Los superndices indican la magnitud que se mantiene constante bajo las condiciones de contorno. Un parmetro muy importante en el estudio y caracterizacin de los materiales piezoelctricos es el factor de acoplamiento electromecnico (k). Este factor se define como la raz cuadrada del cociente entre la energa que se obtiene en forma elctrica (mecnica) bajo condiciones ideales y la energa total almacenada de la fuente mecnica (elctrica). Aunque es claro que el factor de acoplamiento da una medida de la capacidad del material para transducir la energa de una forma a otra, no puede considerarse como rendimiento del transductor ya que no tiene en cuenta las prdidas. El rendimiento es el cociente entre la potencia til obtenida y la potencia total aplicada. Las propiedades elctricas y las dimensiones de un transductor piezoelctrico dependen de las constantes dielctricas, piezoelctricas y elsticas del material. Los factores de calidad mecnico Qm y dielctrico QE tienen en cuenta las prdidas y determinan el rendimiento y el ancho de banda. En general, en materiales cermicos las prdidas dielctricas no son muy elevadas. En los transductores reales, el factor de calidad mecnico es generalmente el parmetro determinante. En las aplicaciones de los transductores es importante que las constantes caractersticas del material permanezcan estables con el tiempo, la temperatura, el esfuerzo mecnico o el campo elctrico. Por otra parte, los lmites de utilizacin del material (mxima deformacin, fatiga, temperatura lmite, etc) son los que establecen su capacidad de potencia. Las cermicas piezoelctricas presentan una amplia variedad en los valores de las constantes elsticas elctricas y piezoelctricas. Adems, los materiales cermicos se pueden fabricar en una extensa gama de formas y tamaos y su eje de polarizacin puede orientarse segn la geometra y el modo de vibracin deseado. Actualmente los materiales cermicos ms conocidos y utilizados son los que se conocen con el nombre de PZT constituidos por titanatos zirconatos de plomo. Existen otras composiciones comerciales basadas en titanatos de bario, metaniobatos de plomo, niobatos de sodio, etc. La posicin lider de los PZT se debe a su potente efecto piezoelctrico y elevado punto de Curie, junto a la amplia gama de propiedades que ofrecen con pequeos cambios en su composicin. Las composiciones conocidas comercialmente como PZT-4 y PZT-8 son particularmente adecuadas para transductores de potencia (2). En especial, la PZT-8 presenta unas prdidas dielctricas y mecnicas notablemente bajas para alto niveles de excitacin (Fig. 2). En la Tabla 1 se presentan las principales caractersticas y aplicaciones de los tipos ms conocidos de PZT. Se puede observar en la Tabla como los diferentes tipos, que corresponden a distintas composiciones, presentan caractersticas diversas.

Tabla 1.- Caractersticas principales y aplicaciones de las cermicas piezoelctricas.

Material Titananatos zirconatos de plomo PZT-4 PZT-5A PZT-6B PZT-7A

Caractersticas

Aplicaciones

Alto acoplamiento, alta permitividad, buenas propiedades con alta excitacin elctrica. Alto acoplamiento, muy alta permitividad, alta compliancia

Sonar y ultrasonidos de potencia Transductores para ensayos no-destructivos y diagnstico, hidrfonos.

Muy alto Q mecnico, buena Filtros para ondas elctricas estabilidad Baja pemitividad Lneas ultrasnicas de retardo

PZT-8 Niobatos Pb(Nb O3)2 NaK(Nb O3) 2 Titanato de bario

Muy buenas propiedades con Transductores ultrasnicos alta excitacin elctrica de alta potencia Baja permitividad, muy bajo Q Ensayos no destructivos y mecnico diagnstico mdico Baja compliancia (alta velocidad de la onda) Bajo punto de Curie Lneas de retardo Transductores ultrasnicos en general

2.1.2.- Limitaciones de potencia de las cermicas piezoelctricas Las limitaciones de potencia de las cermicas piezoelctricas se deben a las prdidas mecnicas y dielctricas y se pueden caracterizar mediante circuitos equivalentes. Un transductor piezoelctrico se puede describir por el conocido circuito representado en la Fig. 3, en el que C0 y R 0 son, respectivamente, la capacidad y resistencia elctrica del elemento piezoelctrico. Ambos componentes aparecen en paralelo con una rama serie que incluye las impedancias mecnicas convertidas. Estas impedancias son una inductancia M debida a la masa del transductor, una capacidad Cm debida a la compliancia del transductor, una resistencia de radiacin RmR y una resistencia RmL 4

debida a las prdidas mecnicas en el transductor. La rama mecnica de la Fig. 3a se transforma en los componentes elctricos de la Fig. 3b mediante la razn de transformacin. El efecto de las prdidas internas se puede analizar a travs de R 0 (prdidas dielctricas) y RL (prdidas mecnicas). De hecho puede verse fcilmente que con el circuito de la Fig. 3a la potencia radiada puede expresarse como
U m Qm

PR =

donde es el rendimiento electroacstico, la frecuencia angular, Qm el factor de calidad mecnico y Um la energa elstica almacenada en el transductor. Con el circuito de la Fig 3b se puede encontrar para la potencia radiada la expresin
k2 QmUe 1 k2

PR =

donde k es el factor de acoplamiento electromecnico y Ue la energa elctrica almacenada en el transductor (3). De estas expresiones se deduce claramente que la potencia radiada puede venir limitada por la mxima energa mecnica o elctrica almacenada en el transductor. El lmite mecnico, que corresponde al comportamiento anelstico de los materiales, es ms importante para los transductores de alto Qm mientras que el lmite elctrico lo es para los de bajo Qm. El lmite elctrico se refiere principalmente a la despolarizacin de la cermica sometida a altos campos elctricos. El sobrecalentamiento producido por las prdidas mecnicas en cermicas piezoelctricas representa un lmite trmico. Si este sobrecalentamiento es excesivo puede dar lugar a una disminucin de las propiedades piezoelctricas de la cermica e incluso a su despolarizacin. 2.2. Materiales piezomagnticos El efecto magnetostrictivo se produce en materiales ferromagnticos tales como aleaciones metlicas de niquel y cobalto, hierro-cromo-vanadio, etc. y en ciertas cermicas llamadas ferritas cuya frmula general es (MO)(Fe2 O3) donde M es un tomo bivalente. Es bien conocido que, cuando una barra de estos materiales se somete a un campo magntico, experimenta un cambio en su longitud. Inversamente, si se aplica un esfuerzo mecnico a dicha barra se origina un cambio en la intensidad de magnetizacin. El efecto magnetrostictivo es anlogo al electrostrictivo: el incremento o decremento de longitud depende enteramente de la naturaleza del material y es independiente del sentido del campo aplicado. Por ello cuando un campo magntico

alterno se aplica segn la direccin del eje de una barra ferromagntica, esta oscilar con frecuencia doble de la del campo aplicado. Por tanto, la curva de la deformacin ser una sinusoide rectificada. Para obtener una respuesta sinusoidal pura ser preciso polarizar la barra aplicando un campo magntico constante de suficiente intensidad. Los campos alternos dan lugar a corrientes parsitas en los materiales magnticos que producen prdidas muy dependientes de la frecuencia. Los transductores magnetostrictivos son por ello dispositivos esencialmente de baja frecuencia. Se utilizan para frecuencias ultrasnicas (20-25 kHz) pero las corrientes parsitas inducidas en el material son de considerable magnitud. Esto hizo que en los aos 70, con los avances obtenidos en las cermicas piezoelctricas, se originase un abandono bastante generalizado del empleo de los materiales magnetostrictivos en los transductores ultrasnicos. No obstante, recientemente estn apareciendo nuevos materiales magnetostrictivos, basados en las tierras raras, que poseen un elevado efecto magnetostrictivo (1). En particular, la aleacin de terbio, dysprosio y hierro que se conoce con el nombre de Terfenol, puede alcanzar deformaciones tan grandes como mil partes por milln. En este momento, la disponibilidad comercial de este material est incrementando las posibilidades de utilizacin de los materiales magnetostrictivos en los transductores snicos y ultrasnicos de potencia. 2.3.- Comparacin de materiales piezoelctricos y piezomagnticos. Es evidente que la amplia utilizacin de las cermicas piezoelctricas se debe a sus excelentes propiedades electromecnicas. Las cermicas actualmente en uso presentan mayores factores de acoplamiento electromecnico que la de los materiales magnetostrictivos (con la posible excepcin de los nuevos materiales constituidos por tierras raras) (4,5) (ver Tabla 2). Las prdidas dielctricas en las piezocermicas son ms bajas que las prdidas magnticas en la mayora de los materiales magnetostrictivos y las prdidas mecnicas son tambin muy bajas en las cermicas piezoelctricas (factores de calidad mecnicos mayores de 1000). Esto significa que la capacidad de potencia de las piezocermicas es mayor y este es un punto esencial para los transductores de potencia. Otra caracterstica importante de las cermicas es su facilidad para ser fabricadas segn una gran variedad de formas, as como el hecho de que su polarizacin es permanente. Los materiales piezocermicos y magnetostrictivos tienen en comn algunas limitaciones que, en algunos casos, pueden ser superadas en aplicaciones de alta potencia. Tal es el caso de la baja resistencia a la tensin de estos materiales. Este problema, en el caso de las cermicas, se resuelve aplicando una precompresin permanente, de manera que la cermica trabaja siempre en compresin durante todo el ciclo de vibracin. Otro problema es el de cambio de propiedades en las cermicas por envejecimiento. Esto se debe al lento decrecimiento de la polarizacin remanente, que hace que el material tienda a volver al estado no polarizado. Esto supone la aparicin de un cierto grado de comportamiento no-lineal que se traduce en un incremento de las prdidas dielctricas.

Tabla 2. Comparacin de materiales piezoelctricos y magnetostrictivos.

Cermica piezoelctrica Factor de acoplamiento Mxima deformacin (ppm) Mdulo de Young (GPa) Densidad (g/m3) 2.4. Componentes metlicos 0,7 200 74 7,5

Niquel-cobalto 0,5 35 190 8,9

Terfenol 0,7 1000 26 9

Como se ha mencionado anteriormente, los transductores son dispositivos compuestos por materiales activos, piezoelctricos o magnetostrictivos, y otros materiales pasivos. En los transductores de potencia, los materiales pasivos son generalmente aleaciones metlicas de alta calidad mecnica. Las caractersticas de estos metales afectan a la capacidad de potencia y rendimiento del transductor. Las aleaciones de titanio (especialmente Ti-6Al-4V) son las mejores para alta potencia. Otros metales apropiados son el duraluminio, aluminio bronce, latn y acero. La Tabla 3 presenta algunas propiedades de los metales usados en los componentes de los transductores de potencia. Tabla 3.- Propiedades de los metales para transductores de potencia Mdulo de Young (1011N/m2) 1,06 0,74 1,43 0,89 2,2 Velocidad Resistencia a Mxima del Sonido la Fatiga Deformacin (m/s) (107N/m2) (10-3) 4900 5130 4070 3240 5200 72 19 37 15 55 6,8 2,6 2,6 1,5 2,5

Material Aleacin de Ti (Ti-6Al-4V) Duraluminio Aluminio bronce Latn Acero de Herramientas

Densidad (103Kg/m3) 4,4 2,8 8,5 8,4 7,8

Una investigacin experimental sobre el comportamiento de los metales sometidos a altos esfuerzos ultrasnicos (6) ha puesto de manifiesto que bajo condiciones dinmicas la aleacin Ti-6Al-4V presenta deformaciones lmites que son un orden de magnitud mayores que las del duraluminio. 3.- El transductor sandwich El transductor piezoelctrico ms caracterstico empleado en aplicaciones de potencia es el que se conoce como transductor sandwich cuya estructura proviene de la de un transductor piezoelctrico de cuarzo diseado originalmente por Langevin (7). Cuando se emplearon por primera vez las cermicas piezoelctricas para traductores ultrasnicos de banda estrecha a bajas frecuencias, el transductor consista en un simple bloque cermico. Sin embargo, esta solucin no result ser muy til, debido a la baja resistencia mecnica a la tensin de las cermicas y a las dimensiones necesarias para que el bloque cermico fuese resonante a dichas bajas frecuencias ultrasnicas. Estas dificultades motivaron la reutilizacin y adaptacin a las cermicas del diseo de Langevin realizado para el cuarzo. El transductor sandwich es una estructura que vibra extensionalmente a media longitud de onda y en su versin ms sencilla consiste en un disco o una pareja de discos cermicos piezoelctricos emparedados entre dos cilindros metlicos idnticos (Fig. 4). Cuando se emplea una pareja de cermicas estas se colocan con las polarizaciones en sentidos opuestos y separadas por un electrodo conectado al terminal de alto voltaje del generador elctrico. Este electrodo est situado exactamente en el plano central de la estructura y corresponde al plano nodal de vibracin. El acoplamiento entre las cermicas y los cilindros metlicos se realiza precomprimiendo la estructura en la direccin axial mediante un tornillo. Esta precompresin aumenta la resistencia a la tensin de la estructura en general y de las cermicas en particular (8). El clculo de las dimensiones del transductor sandwich puede hacerse mediante la expresin (9)
c a c c A c tg = c A

tg

en la que c y a son respectivamente los espesores de las cermicas y de los cilindros metlicos, c y Ac la densidad y el rea seccional de las cermicas y y A la densidad y el rea seccional de los cilindros metlicos, c, y las velocidades extensionales del sonido en las cermicas y en las piezas metlicas y la frecuencia angular de resonancia del transductor. Una vez escogidos los materiales, la frecuencia de resonancia y dos de las tres magnitudes geomtricas, la ecuacin anterior fija la dimensin desconocida. En la prctica, los transductores sandwich no siguen una estructura simtrica como la que se acaba de describir. En muchas aplicaciones los cilindros metlicos se construyen con metales de distinta densidad para incrementar la amplitud de vibracin del cilindro que acta como elemento radiante y mejorar el acoplamiento de impedancia del transductor al medio. En otros casos se requiere que el plano nodal, que constituye la zona en la que se soporta el transductor, est situado en uno de los cilindros metlicos. 8

El resultado en todos estos casos es una estructura asimtrica tal como las que se presentan en la Fig. 5. 4.- Transductores para aplicaciones en slidos Las aplicaciones de las ondas ultrasnicas de alta intensidad en slidos (mecanizado, soldadura, etc) se basan en efectos mecnicos producidos por los desplazamientos de amplitud finita. En estas aplicaciones se emplea el transductor sandwich si bien acoplado a lneas metlicas de transmisin de diversa forma que producen amplificacin de los desplazamientos en la seccin final de trabajo. Estas lneas de transmisin, tambin llamadas amplificadores mecnicos, son elementos resonantes a media longitud de onda que pueden ser de forma escalonada, cnica, exponencial, catenoidal, etc. (Fig. 6). Sus dimensiones se calculan para que este elemento sea resonante a la misma frecuencia que la del transductor sandwich que lo pilota. En la Fig. 7 se puede ver esquemticamente la estructura tpica de un transductor para procesos en slidos. La aplicacin eficiente de estos transductores depende de la obtencin de suficiente amplitud de vibracin en la punta del amplificador mecnico. Esta amplitud depende de la forma y dimensiones del elemento. Muchas veces es difcil disear uno de estos elementos con la forma correcta y la ganancia requerida. En estos casos se recurre a la utilizacin de varios elementos de modo que se obtienen varios pasos de amplificacin (Fig. 8). En general, los amplificadores mecnicos que se emplean en la industria son aquellos que tienen formas ms fciles de disear y construir, tales como los cilndricos o cnicos. El amplificador mecnico ms extendido y posiblemente el ms eficiente es el de forma escalonada que bsicamente consiste en dos cilindros de un cuarto de longitud de onda cada uno y de distinto dimetro (Fig. 6). El factor de amplificacin de este elemento viene dado por el cociente entre las reas de mayor y menor seccin y resulta ser, para una relacin fija entre los dimetros de entrada y salida, el mayor que es posible obtener con un solo elemento (10). En los amplificadores mecnicos presentados en la Fig. 6, se asume que las dimensiones de la seccin transversal tienen que ser menores que 1/4 de la longitud de onda para obtener una vibracin extensional pura del elemento. Sin embargo, muchas aplicaciones requieren que la superficie de trabajo sea grande, es decir, se necesitan amplificadores cuya seccin sea de dimensiones mayores. A este fin se disean y construyen amplificadores mecnicos con ranuras paralelas a la direccin longitudinal del movimiento (Fig. 9). Estos amplificadores mecnicos de seccin ancha pueden considerarse como un conjunto multielemento de amplificadores de seccin estrecha en el que la dimensin de la seccin transversal de cada elemento es menor que 1/4 de la longitud de onda. Las ranuras son tambin tiles para la disipacin del calor. Los amplificadores mecnicos de seccin ancha pueden ser de formas geomtricas muy diversas y el proceso para disearlos tiene que tener en cuenta que la seccin puente que une los elementos es una masa adicional que presenta una impedancia mecnica al elemento longitudinal (11). Recientemente se ha propuesto nuevos mtodos para el control nodal de la vibracin de amplificadores mecnicos de seccin ancha (12).

5.- Transductores para aplicaciones en fluidos El transductor sandwich anteriormente descrito se emplea directamente para aplicaciones en lquidos tales como lavado ultrasnico y reacciones sonoqumicas. Dado que la dimensin transversal del sandwich tiene que ser menor que 1/4 de la longitud de onda, para cubrir superficies extensas se necesita emplear conjuntos de estos elementos. Para aumentar la capacidad de potencia se construyen transductores sandwich con varias parejas de cermicas piezoelctricas (fig. 10). Adems se le suele dar una cierta conicidad a la cabeza radiante para ampliar la seccin de salida. Esto incrementa la impedancia de radiacin y mejora la transferencia de energa. Muchos sistemas ultrasnicos para aplicaciones en lquidos estn diseados sobre la base de diferentes tipos de transductores sandwich. Un nuevo concepto en la generacin de energa ultrasnica en medios fluidos se ha introducido en los ltimos aos con el llamado transductor de placa escalonada (13,14). La generacin de energa ultrasnica en fluidos (especialmente en gases) presenta notables problemas debido a la baja impedancia acstica y elevada absorcin de estos medios. Por tanto, para obtener una eficiente transmisin de energa y producir altas intensidades es necesario conseguir una buena adaptacin de impedancia entre el transductor y el fluido, grandes amplitudes de vibracin y alta concentracin de energa. Adems, para las aplicaciones industriales es preciso que el transductor tenga gran capacidad de potencia y superficie radiante extensa. Los transductores comerciales existentes tienen muchas dificultades para cubrir estos requisitos. El nuevo transductor de placa escalonada posee en cambio un elevado rendimiento y capacidad de potencia y una muy alta directividad. Este transductor consiste esencialmente en una placa extensa de perfil escalonado que vibra flexionalmente en uno de sus modos propios, pilotada en su centro por un vibrador piezoelctrico (Fig. 11). El vibrador piezoelctrico est constituido por un transductor sandwich y un amplificador mecnico. La extensa superficie de la placa aumenta la impedancia de radiacin y ofrece al sistema vibrante una buena adaptacin de impedancia. La forma especial de la placa permite obtener una radiacin tipo pistn a pesar de la vibracin flexional de la misma. En efecto, la radiacin emitida por un radiador plano vibrando a flexin presenta una muy escasa directividad debido a las cancelaciones de fase. Sin embargo, si los elementos superficiales del radiador que vibran en contrafase a ambos lados de una lnea nodal, se desplazan alternativamente, segn la direccin del eje acstico del radiador, en media longitud de onda de la radiacin en el medio, la emisin generada por un radiador con este nuevo perfil estar en fase en todo el haz. Mediante este procedimiento es posible disear radiadores para obtener distintas configuraciones del campo acstico. As tambin se han diseado y construido transductores de placa escalonada focalizados (15). En la actualidad existen, y han sido ampliamente experimentados, transductores con placas escalonadas de hasta 70 cms de dimetro y capacidad de potencia de aproximadamente 1 kW. Las caractersticas generales de estos transductores se pueden resumir en los siguientes datos: rendimientos de 75-80%, anchuras de haz (a 3 dB) menores de 1,5 grados, rango de frecuencia experimentado 10-40 kHz, mximo nivel de presin sonora obtenido 170 dB. Los transductores de placa escalonada estn siendo utilizados en el desarrollo de nuevas aplicaciones de los ultrasonidos de potencia en fluidos y en medios multifsicos.

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