13.

ELADS:

MIKROELEKTRONIKAI RZKELK I
Dr. Pdr Blint

1. Hall rzkel alkalmazsok. 2. Flvezet magnetorezisztor-rzkelk. 3. Magnetotranziztorok.

BMF KVK Mikroelektronikai s Technolgia Intzet s MTA Mszaki Fizikai s Anyagtudomnyi Kutat Intzet 13. ELADS: MGNESES RZKELK III

4. Ferromgneses alap rzkelk: aniztrp mgneses ellenllsvltozsi rzkel (AMR), ris mgneses ellenllsvltozsi rzkel (GMR) 5. Alkalmazsok: ferromgneses trgyak rzkelse, mgneses rzkelk gpkocsikban.

2008/2009 tanv 1. flv

LORENTZ ER
A legtbb mgneses szenzor a Lorentz ert hasznlja ki F = -q v x B mely az anyagban (fm, flvezet vagy szigetel) mozg elektronra hat. Br a H mgneses trer az rzkelend mennyisg, a B mgneses indukci mely az erhatst lerja, s ez hatrozza meg a szenzor vlaszt.

LORENTZ ER S RZKELS

MGNESES SZENZOR SZERKEZETEK

HALL RZKLEK
Mkdse a flvezetben a kls mgneses trben az ramot hordoz mozg tltshordozkra hat Lorentz ern alapul. A lemez alak, hossz de kis vastagsg eszkzben a lemezre merleges irny mgneses tr a hosszirny ramot hordoz elektronokat vagy lyukakat keresztirnyba eltrti, gy a dominns tltshordozk eljeltl illetve a mgneses tr polaritstl fggen a lemez kt szln ellenttes eljel tltsek halmozdnak fel, melyek egy keresztirny feszltsget, az n. Hall-feszltsget hozzk ltre.

HALL RZKLEK
Az eszkz alapegyenlete UH = K x I x B I - az eszkzn tfoly ram [A], B - az alkalmazott mgneses indukci [Vs/m2], UH - a Hall-feszltsg [V], K - rzkenysgi lland [m2/As] , mely magban foglalja a geometriai, s a flvezet anyagi paramtereket. Az eszkz kimenjele a mgneses tr fggvnyben lineris.
7

HALL RZKLEK
A Hall-genertor flvezet alapanyaga ltalban szilcium (Si), gallium-arzenid (GaAs) vagy indium-antimonid (InSb). A mkdsi elvbl kvetkezen a Hall-genertornl is clszer nagy elektronmozgkonysg alapanyagot vlasztani. Ezt a felttelt kielgti a GaAs (az elektronmozgkonysga kb. tszrse mint a szilicum) de mginkbb az InSb. Ugyanakkor a Si technolgija kiforrottabb, knnyen integrlhat az eszkz. Alkalmazsok: a magnetorezisztorhoz hasonlan klnfle rzkelsi feladatok, illetve kontaktus nlkli (ms nven mgneses) potenciomterek.
8

HALL SZONDS RAMMR

INTEGRLT FLUXUSKONCENTRTOROS HALL RZKEL

Hall-szenzor, a tokozsn bell egy integrlt mgneses (fluxus) koncentrtorral (Integrated Magnetic Concentrator, IMC). Ez megnveli az rzkel rzkenysgt, gy kzvetlenl lehet ramot mrni anlkl, hogy vasmagot alkalmaznnk. A fluxuskoncentrtor alkalmazsval az is elrhet, hogy megfelel hdkapcsolsban a szenzor az IC lapkval prhuzamos mgneses trre legyen rzkeny.
10

Specifikcik (40 ma gerjesztram): Mrshatr (FSD), dc vagy ac cscs 350 A (600 A) Kimen jel (FSD) (150-380 mA) ac svszlessg (3dB) dc-1 kHz 9 rzkenysg (0,5-1,1) mVA, ill. (0,25-0,55) mV/A

IMC HALL SZENZOR

Az IMC Hall-szenzor standard CMOS alkatrszekbl, s egy nagy-permeabilits, alacsony koercitv erej ferromgneses rtegbl ll. Ez a rteg szolgl a mgneses fluxus koncentrlsra, tovbb tzszeres mgneses erstst biztost. Mivel a ferromgneses rteget egy keskeny lgrs szaktja meg, gy ott a koncentrtor maga talaktja a felletvel prhuzamos mgneses teret r merlegess. Kt Hall-elem helyezkedik el a rshez kzel, melyek kimenetei fordtott, mivel a tr irnya ellenttes a kt szenzorra. A kimeneteik sszegzdnek, gy teszi az egsz szenzort a felletre merleges terekkel szemben rzketlenn. Termszetesen teljesen mindegy, hogy az IC alatt, vagy fltt halad a vezet, 11 egyedl a tvolsg vltozst kell figyelembe venni.

IMC HALL SZENZOR ALKALMAZSOK

12

FELVEZET MAGNETOREZISZTOROK
Megfelelen kialaktott vezetben (szles s vkony, hasbalak eszkz), keresztirny mgneses trbe helyezve, a tltshordozkra (elektronok vagy lyukak) hat Lorentz er hatsra az ramplyk elfordulnak, az ramt hossza s gy az eszkz ellenllsa megn. Az ellenllsvltozs nagysga az eszkz geometrija, illetve a flvezet alapanyag megvlasztsval optimalizlhat. Az ellenlls relatv megvltozsa R/R (B)2 ( - mozgkonysg, B - mgneses indukci).
13

FELVEZET MAGNETOREZISZTOROK
A magnetorezisztor alapanyaga ezrt nagy elektronmozgkonysggal rendelkez flvezet, legtbbszr indium-antimonid (InSb) . Az eszkz ellenlls-mgneses tr jelleggrbje nagyjbl ngyzetes, s nem fgg a mgneses tr polaritstl. A vltozs nagysga nhny tized Tesla mgneses indukcinl akr 100 % is lehet. Alkalmazsi terletei: klnfle rzkelsi feladatok (helyzet, szgelforduls, tvolsg, stb.) illetve kontaktusnlkli potenciomterek.
14

InSb MAGNETOREZISZTOR

InSb MAGNETOREZISZTOR

15

16

BIPOLRIS MAGENTOTRANZISZTOR

Magnetotranzisztorok: mgneses trre rzkeny tarnzisztorok

Az eszkz mkdse a Lorentz ern alapul. Merleges mgneses trben a kollektorramok kztti klnbsg a mgnes tr fggvnye.
17 18

MKDSI ELV

BIPOLRIS MAGENTOTRANZISZTOR

Kis eltrtsi szgek esetn: I1-I2 = 2 j L H B j az ramsrsg, L az elektrdk tvolsga, B az indukci, H a Hall-mozgkonysg

19

20

MAGNETIC FIELD EFFECT TRANSISTOR: MAGFET

Hall-MAGFET szerkezeti vzlata

MAGFET: OSZTOTT DRAIN

A Hall feszltsg UH = GIDB/Qch G geometriai tnyez Qch felleti tltssrsg a vezet csatornban (= qnt) Az rzkenysg SI = G/Qch = G/CG(UG UT) CG egysgnyi felletre vett gate-kapacits

21

22

MOS HALL RZKEL

FERROMGNSESES ANYAG MAGNETOREZISZTOR

Anisotropic Magnetoresistive (AMR) William Thompson, later Lord Kelvin, first observed the magnetoresistive effect in ferromagnetic metals in 1856. This discovery had to wait over 100 years before thin film technology could make a practical sensor for application use. Magnetoresistive (MR) sensors come in a variety of shapes and form. The newest market growth for MR sensors is high density read heads for tape and disk drives. Other common applications include automotive wheel speed and crankshaft sensing, compass navigation, vehicle detection, current sensing, and many others.
23 24

AMR RZKEL

GMR RZKEL

25

26

GMR RZKEL

GMR RZKEL

27

28

MGNESES ANOMLIA

Alkalmazs: ferromgneses trgyak detektlsa a Fld mgneses terben ltaluk okozott mgneses anomlia rzkelse rvn. Pl. gpkocsi forgalom, vasti forgalom, szabad/foglalt helyek garzsban, stb. Ferromgneses test ltal okozott perturbci mgneses trben: egy mgneses diplus ternek s egy homogn 30 mgneses tr szuperpozicja

29

MGNESES ANOMLIA RZKLESE

FERROMGNESES TRGY RZKELSE

Klnbz trgyak (gpkocsi, tank, tengeralattjr) ltal keltett mgneses anomlia a detektlsi tvolsg fggvnyben. 1 = 1 nT.

A Fld tere 30-60 T (30-60)x104 , lass vltozsa -0,1 /nap. 0,01 rzkenysgnl (ekkor ki kell szrni a rvididej geomgneses fluktucikat) a detektlsi tvolsgok: jeep 100-200 m, tank kb. 300 m, tengeralattjr 3-4 km.
31 32

VGE

33