Najważniejsze wzory fizyki półprzewodników

Równanie neutralności elektrycznej ρ = q( p − n + N D − N A )

Bilans koncentracji nośników pn = ni
2

Koncentracja nośników samoistnych 3

T2  − Wg 
ni = B  exp 

 T0
  2kT 
Poziom Fermiego w półprzewodniku samoistnym
1 kT  N  ( W + Wv )
W F = ( Wc + Wv ) + ln v  ≈ c
2 q  Nc  2
Koncentracja elektronów i dziur Półprzewodnik n = N c f n ( Wc ) ; p = N v f p ( W v )
zdegenerowany
przy czym:
−1
 W − WF 
f n (Wc ) = 1 + exp c 
 kT 
−1
 W − Wv 
f n (Wv ) = 1 + exp F 
 kT 
Półprzewodnik W − Wc W − WF
niezdegenerowany n = N c exp F ; p = N c exp v
kT kT
lub w innej postaci:
 W − WF  W − WF
n = ni exp − i  ; p = ni exp i
 kT  kT
1
n n =  N D − N A + ( N D − N A ) + 4n i 
2 2

2  
1
p p =  N A − N D + ( N A − N D ) + 4n i 
2 2
Koncentracja nośników większościowych 2  
lub w przybliżeniu dla N D − N A >> n i
nn ≈ N D − N A ; p p ≈ N A − N D
Gęstość prądu unoszenia J un = qnµ n E ; J up = qpµ p E
Gęstość prądu dyfuzji J Dn = qDn gradn ; J Dp = qD p gradp
Wzór Einsteina D kT
=
µ q
Szybkość rekombinacji nośników mniejszościowych n p0 − n p p n0 − p n
Rn = ; Rp =
τn τp
Czas życia nośników 1 1
τn = ; τp =
θ n v th N t θ p v th N t
Szybkość rekombinacji powierzchniowej S p = θ p v th N st ; S n = θ n v th N st
Prawo ciągłości ładunku ∂p 1 ∂J p
= + Gp − Rp
∂t q ∂x
∂n 1 ∂J n
= + G n − Rn
∂t q ∂x
Pole wbudowane w półprzewodniku niejednorodnym kT 1 dN
E=−
q N dx

Wi – poziom Fermiego w półprzewodniku samoistnym

vth – prędkość cieplna nośników
Nt – koncentracja centrów generacyjno – rekombinacyjnych
Nst – gęstość stanów powierzchniowych liczona na 1m2 powierzchni
Nc, Nv – efektywna gęstość stanów energetycznych, sprowadzona do dna pasma przewodnictwa, wierzchołka pasma
walencyjnego
ni – koncentracja elektronów samoistnych
θn, θp – przekrój skuteczny na wychwyt elektronów, dziur
G – szybkość generacji nośników
R – szybkość rekombinacji nośników