I.

PENDAHULUAN Elektronika merupakan pengembangan dari ilmu listrik yang mempelajari teori

tentang gerakan-gerakan elektron dari komponen-komponen aktif serta penggunaannya. Ilmu elektronika dikelompokkan menjadi dua cabang yang luas yaitu yang berhubungan dengan aliran electron dalam tabung hampa, gas atau benda padat disebut elektronika fisika. Sedang yang berhubungan dengan perencanaan, pengembangan dan pemakaian peralatan disebut teknik elektronika. 1.1 Perkembangan Elektronika Bidang elektronika dimulai dengan peremuan oleh Hertz (1888) bahwa energi elektromagnetik dapat dirambatkan dan dideteksi. Elektronika memasuki suatu masa evolusi yang cepat dengan ditemukan dioda tabung oleh Fleming (1903), diikuti penemuan pendeteksi kristal oleh Picard (1906) dan selanjutnya penemuan triode tabung oleh De Forest (1907). Perkembangan selanjutnya dengan ditemukan komponen semikonduktor sebagai bahan dasar pembuatan komponen elektronika; dan pada tahun 1948 ditemukan transistor oleh Bardeen dan Brattain selanjutnya oleh Shockly tahun 1949 dikembangkan teori junction transisitor dan berkembang terus sampai ke komponen terpadu (IC = integrated Circuit) Elektronika telah maju dengan pesat dan digunakan secara luas di berbagai bidang ilmu pengetahuan dan teknologi dan tidak dapat dipisahkan dari kehidupan modern. 1.2 Tabung Elektron Tabung elektron merupakan komponen elektronika yang berbentuk tabung silinder yang di dalam ruang hampa atau sebagian dihampakan terjadi penghantaran elektronis. Di dalam tabung electron terpasang elektroda-elektroda dan pemanas (heater). Tabung electron terdapat 2 macam yaitu 1. Tabung hampa yaitu tabung electron yang di dalamnya tedapat tekanan gas sangat rendah sehingga tak berpengaruh pada kerja tabung

2. Tabung gas yaitu tabung electron yang di dalamnya terdapat gas mulia sperti helium, neon,argon, krypton dan xenon untuk maksud-maksud tertentu. Uap dari gas-gas tersebut mempengaruhi kerja tabung. Tabung elektron didapatkan dalam berbagai jenis dengan ditandai jumlah elektrodanya yaitu dioda; trioda; tetroda; pentode; hexoda ; septoda dst. Konstruksi tabung electron dan simbulnya terlihat pada gambar berikut. A= anoda A K Dioda ( a) K Dioda gas ( b) Gambar 1. Tabung elektron a) Bentuk fisik b) Simbol-simbol 1.3 Pancaran /emmisi elektron Emmisi elektron adalah peristiwa memancarnya elektron dari bahan emisi karena pengaruh dari luar yang 1. Panas disebut emmisi thermis 2. Medan listrik disebut emmisi kuat medan 3. Sinar (foto) disebut emmisi foto. 4. Enersi elektron disebur emisi primer 5. Pantulan elektron disebut emisi sekunder Tabung elektron bekerjanya berdasarkan emisi termis dan emmisi kuat medan. 1.4 Bahan emmisi Oleh karena tabung berkerja berdasarkan emmisi thermis maka dibutuhkan bahan emisi yang mempunyai daya tahan terhadap panas ( 0 K -1) . Bahan-bahan tersebut adalah : mampu mengalahkan rintangan permukaan bahan emisi. Emisi elektron dapat terjadi akibat : A G K Trioda Tetroda K = Katoda A G = Grid A G SG K SG = Sreen Grid

No 1. 2. 3. 4. 5.

Nama Bahan Calsium Carbon Cesium Nickel Oxide Coating

(K-1) 31.100 54.400 21.000 58.000 11.600

No 6. 7. 8. 9.

Nama Bahan Tantalum Thorium Tungsten Thoriated Tungsten

(K-1) 47.600 39.400 52.400 30.500

2. BAHAN SEMIKONDUKTOR Susunan pita dari benda padat dapat dikelompakkan menjadi 3 kelompok yaitu : 1. logam (konduktor) yang memiliki tahanan jenis antara 10 -6 sampai 10-5 . 2. isolator yang memiliki tahanan jenis antara 10 -6 sampai 10-18 . 3. semikonduktor yang memiliki tahanan jenis antara 10 -3 sampai 10-7 . Bahan semikonduktor besar tahanan jenisnya berada diantara konduktor dan isolator sehingga dapat bersifat sebagai konduktor dan isolator. Tahanan jenis dengan inisial p (baca rho) dihitung dengan rumus P= p = tahanan jenis R = tahanan bahan A (q) = luas l = panjang banah /cm cm2 cm

R. A ( ) 2 = cm l cm

Contoh : konduktor ( tembaga p = 10 -6 cm ) semikonduktor ( germanium p = 5. 10 1 cm, silikon p = 5. 10 4 cm ) isolator ( mica p = 10 12 cm ) 2.1. Level Energi Diagram pita (band) energi elektron untuk bahan isolator, semikondfuktor dan konduktor seperti terlihat pada gambar 2. berikut ini.

Energi elektron pita conduksi EG=0 pita valenci pita valenci

pita konduksi pita konduksi EG EG EG = Energi gap

pita valenci konduktor semi konduktor isolator jarak jarak konduktor semi konduktor isolator Gambar.2. Level energi Besar level energi W = Q.V (elektron Volt / eV ) = (1,6 . 10 -19 coulomb). V 1. eV = 1,6 . 10 -19 joule 2.2. Bahan Dasar Semikonduktor Penggolongan bahan untuk semikonduktor adalah sebagai berikut: Bahan utama : silicon dan germanium sebagai golongan IV 1. Bahan campuran : Be, Mg, Zn, Cd, Hg . golongan II B, Al, Ga, In, Tl golongan III (aseptor) C, Sn, Pb ...golongan I N, P, As, Sb, Bi .golongan V (donor) O, S, Se, Te, Po .golongan VI Bila golongan V didoping ke golongan IV maka menghasilkan logam type N (elektron) Golongan III didoping ke golongan IV menghasilkan logam type P (hole). Logam jenis N memiliki pembawa muatan negatip sebesar 1,6. 10 pembawa muatan positip + 1,6. 10 dengan nama dioda PN.
-19 -19

isolator

C sedang logam jenis P

C. Apabila kedua kedua logam tersebut

dihubungkan/ disambung, maka akan terjadi sambungan (junction) PN dan dikenal

2.3. Bahan Instrinsik N dan P Penghantaran semikonduktor terutama hanya ditentukan oleh pembawa yang dibangkitkan panas, maka semikonduktor ini dinamakan semikonduktor murni atau instrinsik. Semikonduktor murni pada 0 o K bersifat isolator. Semikonduktor yang mengandung atom pencampur dinamakan semikonduktor teresapi, tercamur atau ekstrinsik. Penghantaran semikonduktor ekstinsik ditentukan oleh kelebihan elektron atau hole dari atom ato-atom pencampur. Pencampuran yang sering digunakan adalah golongan III dan V. Semikonduktor yang berisi pencampur jenis donor (golongan V) dinamakan semikonduktor jenis N, karena pembawa-pembawa arus yang dihasilkan merupakan muatan negatip (elektron) sedang yang berisi pencampur jenis aseptor (golongan III) dinamakan semikonduktor jenis P karena pembawa-pembawa arusnya merupakan muatan positip (lobang)

3. DIODA SEMIKONDUKTOR 3.1. Karakteristik Dioda Dioda semikonduktor merupakan sambungan antara logam jenis P dengan jenis N. Jenis P disebut anoda sedang N disebut katoda. Sifat dari dioda PN dipengaruhi oleh pemberian catu daya. 1. Dalam kondisi tidak diberi pengaruh (VD = 0V ) dari luar, pada sambungan tersebut terjadi depletion layer (daerah kosong =dk) dan merupakan energi halangan, karena pada daerah tersebut elektron (negatip) dan lobang (positip) saling berdifusi Daerah ini lebarnya sekitar 0,5m. 2. Apabila dioda dicatu daya dengan VD > 0V atau P lebih positip terhadap N maka akan terjadi gaya pada lobang (positip) dan elektron (negatip) yang mengakibatkan lobang dan elektron bergerak menuju sambungan. Akibatnya daerah kosong menyempit dan energi halangan menjadi sangat kecil. Hal ini menyebabkan arus mengalir terutama akibat pembawa mayoritas (IB) yaitu jenis P ke N dan jenis N ke P. Sebaliknya arus pembawa minoritas(IS) mengalir arah sebaliknya tidak dipengaruhi oleh catu daya. Pemberian catu daya ini disebut forward bias. 3. Apabila dioda dicatu daya dengan VD < 0V mengakibatkan lobang dan elektron bergerak menjauhi sambungan sehingga menyebabkan daerah kosong melebar dan energi halangan menjadi besar. Hal ini menyebabkan arus pembawa mayoritas akan sama dengan nol. Namun arus pembawa minoritas yang melalui daerah kosong ini sangat kecil. Arus ini disebut arus jenuh balik Pemberian catu daya ini disebut dicatu balik atau mundur atau reverse bias. anoda (a) IB =0 IS =0 dk P N VD=0 (b) IB P VD>0 (c) dk IS N IB =0 P VD<0 (d) dk IS N katoda dicatu maju atau

Gambar 3. Simbul dan catu daya pada dioda PN (a) simbul (b) tanpa dicatu (c) dicatu maju (d) dicatu mundur

Dari ke tiga sifat tersebut dapat digambar dalam satu salib sumbu sebagai berikut ID mA Forward bias VD>0V ID > 0

-VD Reverse bias VD< 0V ID = - IS

0 - ID A

VD non bias VD=0V ID = 0

Gambar 4. Karakteristik dioda Arus total yang mengalir pada dioda daerah forward dan reverse adalah ID = IS ( e kVD/T - 1 ) Keterangan : IS = arus jenuh balik e = muatan electron ( 1,6 . 10 -19 colomb ) k = konstanta Boltzman ( 1,38 . 10 -23 joule oK -1) VD = tegangan dioda T = temperature dalam oK (300 oK ) Bila dioda dialiri DC maka tahanan dioda dinamakan tahanan statis yang besarnya Bila dialiri AC tahanan dioda dinamakan tahanan dinamis sebesar
RDC = VD ID

r AC = vd / id r AC = (kT/e) / id 3.2. Ekivalen Dioda

vd = k. T /q r AC =

maka

26mV id

Dalam kondisi dioda tidak mendapat catu daya dari luar dioda memiliki daerah kosong. Daerah kosong tersebut akan dapat mengalirkan arus dari luar bila catu daya yang

dipasang mampu mengalahkan halangan pada daerah kosong tersebut.Tegangan E yang dibutuhkan lebih besar dari tegangan halangan (VT) yang dimiliki oleh dioda. tersebut dioda. VT dioda germanium adalah 0,3V sedang untuk silicon 0,7V. Demikian juga tahanan dioda besarnya dipengaruhi tegangan dari luar. Kondisi maju (forward ) tahanan dioda ( Rf ) sangat kecil yang idealnya Rf =0. Bila dipersamakan dengan sebuah saklar maka saklar (S) tersebut dalam keadaan tertutup. Sedang kondisi mundur ( reverse) tahanan dioda (Rr ) sangat besar yang idealnya Rr = . Bila dipersamakan saklar keadaan terbuka. Dioda dapat digambarkan rangkaian persamaannya seperti gambar 5.b berikut.ini. S Kondisi forward Kondisi reverse Rf =0 Rr = . (a) Anoda + ID VD Katoda ID A VD VT R K Dioda ideal S

(b) Gambar. 5. Ekivalen dioda (a) saklar (b) rangkaian

4. RANGKAIAN DASAR DIODA

Dioda sering juga disebut komponen satu arah yang artinya bahwa dioda hanya dapat mengalirkan arus dari luar bilamana anoda lebih positip dari katoda. Sebaliknya bila anoda negatip terhadap katoda maka dioda tidak dapat mengalirkan arus. Pada kondisi maju, tahanan ideal dioda adalah nol, oleh karena itu rangkaian dioda perlu ditambahkan resistan yang dipasang seri sebagai pengaman terhadap arus lebih. Seperti komponen lainnya, dioda dalam rangkaian dapat dipasang seri, atau.parallel
4.1. Analisis Garis Beban

Karakteristik sebuah dioda dapat ditemukan pada katalog atau dioda spesifikasi sheet. Data spesifik dioda memuat antara lain : 1. Tegangan forward (VF) 2. Arus maksimum forward ( IF) 3. Arus jenuh reverse (IR) 4. Tegangan reverse atau Peak Invert Voltage (PIV) 5. Penyimpangan daya (power dissipastion) 6. Operasi daerah panas. Apabila sebuah dioda dibebani resistan R dan dihubungkan dengan batre E maka akan mengalis arus dioda sebesar ID dan tegangan pada R sebesar ID R

ID E

VD R VR

ID
E/R

IDQ 0 VDQ

Garis beban

E (b)

VD

(a)

Gambar 6. Susunan dioda seri. (a) Rangkaian (b) Garis beban

Dari gambar 6a menurut hukum Kirchoff tegangan : E - VD - VR = 0 E = VD + ID R Arus dioda ID akan maksimum apabila VD = 0 sehingga E = 0 + ID R maka IDmax = E / R VD maksimum bila ID = 0 sehingga E = VDmax Apabila antara IDmax dan E ditarik sebuah garis, maka garis tersebut disebut garis beban. Titik perpotongan antara garis beban dan lengkung karakteristik dinamakan titik Q (quisent point) atau titik kerja ( work point). Pada titik tersebut arus mengalir sebesar IDQ dan tegangan VDQ
4.2. Susunan Rangkaian Dioda 4.2.1. Dioda seri dengan beban

Sebuah dioda silicon dihubungkan seri dengan beban R seperti terlihat pada gambar 6.a bila besar E< VT maka ID = 0 ini berarti bahwa rangkaian dalam keadaan terbuka (open)dan tegangan pada beban nol atau VR = 0. Dengan demikian tegangan pada dioda VD=E Sebagai contoh Tegangan E sebesar 0,4V dicatukan pada dioda silicon yang dibebani R sebesar 1 Hitung besar ID ,VR, VD dan titik kerja. Penyelesaian: oleh karena 0,4 V < 0,7 V maka ID = 0 VR = ID R = 0. 1 K.= 0V VD = E= 0,4V ini berarti bahwa titik kerja dioda pada 0,4V 0
E

ID VD 0,7V 0,4V Gambar 7. titik kerja E=0,4V

10

4.2.2. Dua dioda seri non oposisi

Rangkaian dua dioda silicon dan germanium non oposisi atau terhubung seri saling memperkuat dibebaani R seperti gambar berikut +E ID Si Ge IR
R

Vo

Vo dan ID dapat dihitung sbb: Vo = E ( 0,7 + 0,3) V ID = IR = VR/R = Vo / R

Gambar 8. Dioda seri saling memperkuat

4.2.3. Dioda seri oposisi

Rangkaian dua dioda silicon terhubung seri oposisi dibebani R seperti gambar berikut Pada kondisi tersebut dioda D1 forward tapi D2 reverse maka IR terbuka sehingga ID = IR =0 maka Vo = 0 Tegangan VD2 = E dan VD1= 0 Gambar 9. Dioda seri oposisi Rangkaian dioda dengan 2 catu daya pada gambar berikut ini tegangan pada masingmasing R, tegangan output dan arus dapat dihitung sbb: Dari rangkaian tersebut E1 dan E2 dalam hubungan saling menguatkan sehingga besar tegangan catu adalah ET = E1+E2

E1 V1

R1 V2 E2

Si I R2 E2

Vo I=

Arus yang mengalir pada rangkaian

( ET E T ) (R1 + R2 )

Gambar 10. Rangkaian dioda dengan dua catu daya

V 1 = I R2 V2 = I R 2 Menurut hukum Kircchof tegangan - E2 + V2 Vo = 0 maka Vo = V2 - E2

Bila E2 > V2 maka Vo mempunyai arah berlawanan dari yang ditentukan

11

4.2.4. Dua dioda hubungan jajar (parallel )

Dua buah dioda silicon arah sama dihubungkan jajar arus pada msing-masing dioda dan tegangan ouput dapat dihitung sbb: I R E ID1 D1 D2 Vo ID2 D1 // D2 maka VT1 // VT2 = Vo = 0,7V I = ( E Vo ) / R Oleh karena D1 = D2 maka ID1 = ID2

Gambar 11. Dua dioda parallel

Soal soal : 1. Hitunglah besar arus ( I ) yang mengalir pada rangkaian gambar 12 berikut:

D1
E1=20V I R=2,2K Si E2=4V

Si

D2

Gambar 12. Rangkaian soal 1 2.Hitunglah V2, V1, I2, dan ID2 rangkaian berikut di bawah ini D1=D2=Silikon I2 VT1 E=20V ID2 R2=5,6K V2 Gambar 13. Rangkaian soal 2 VT2 I1 R1=3,3k V1

12

5. APLIKASI DIODA 5.1. Gerbang AND / OR

Dioda sebagai saklar dapat digunakan untuk rangkaian gerbang /logika sebagai dasar dari rangkaian komputer. Dalam bilangan biner hanya dikenal angka 1 dan 0. Angka 1 dalam hal ini berarti positip, sedang angka nol berarti nol atau negatif.
5.1.1. Gerbang OR

Rangkaian gerbang OR (ATAU) logikanya adalah lampu C akan menyala (1) apabila saklar A atau B atau keduanya tertutup (1) ini berarti bahwa bila A dan B terbuka (0) maka lampu akan mati (1) seperti tabel 10.c A 0 0 1 1 Gambar 10. Gerbang OR (a) rangkaian logika (b) rangkaian dioda (c) tabel kebenaran Dari gambar 14 b. pada kondisi A=B=0 berarti terhubung pada batere minus, maka arus tidak mengalir (I=0) beban. Pada A=0 dan B=1 arus mengalir lewat D1 sebesar I = (E VT1) /R. Begitu juga saat A = 1 dan B = 0. Bila A = B = 1 maka arus mengalir melalui kedua dioda. Oleh karena VT1 = VT2 = VT besar arus yang mengalir pada beban adalah I = (E -VT) /R. Besar tegangan pada beban Vo = I. R
5.1.2 Gerbang AND

B 0 1 0 1

C 0 1 1 1

Rangkaian gerbang AND (DAN) logikanya adalah lampu C akan menyala (1) bila saklar A dan B tertutup (1). Ini berarti bahwa bila A atau B atau keduanya terbuka (0) maka lampu akan mati (0) seperti terlihat pada tabel kebenaran gambar 11 b. A 0 0 1 1 Gambar 15. Gerbang AND (a) rangkaian logika (b) rangkaian dioda (c) tabel kebenaran B 0 1 0 1 C 0 0 0 1

13

Bila A = B = 0 kedua dioda melalukan arus pada R sebesar I = ( E VT ) /R besar tegangan pada C sama dengan VT atau I . (Rf1 // Rf2 ) = 0 V Besar arus tersebut akan sama saat A = 0 ; B=1 atau A=1; B=0 Pada kondisi tersebut salah satu dioda on dan lainnya off secara bergantian. Pada kondisi A = B = 1 rangkaian menjadi terbuka sehingga arus tak mengalir dan tegangan pada C = E = 1
5.2. Pemotong (Clipper)

Dioda dapat melalukan

bagian positip atau bagian negatipnya saja apabila dioda

diberikan masukan (input) berupa sinyal bolak balik dari berbagai bentuk. Pemasangan dioda dapat secara seri atau parallel terhadap masukannya.

vi R

vo 0

vi R

vo 0

vi R

vo 0

vi R

vo 0

Gambar 16. Clipper seri

R 0 vi R 0 vi vo 0 0 vo 0 0

R vi R vi vo 0 vo 0

Gambar 17. Clipper paralel

14

Dengan menambahkan tegangan DC sisipan

pemotong

dapat melalukan bentuk

gelombang masukkan dan keluaran (output) sesuai dengan yang diinginkan

Gambar 18. Cliper seri dengan sisipan tegangan DC a) Rangkaian cliper seri b) Bentuk masukkan c) Bentuk keluaran V R vi =Vm VD V vi Vm 0 Vm V 0 vo

Gambar 19. Cliper paralel dengan sisipan tegangan DC a) Rangkaian cliper paralel b) Bentuk masukkan c) Bentuk keluaran
5.3. Dioda Penjepit (Clamper)

Dengan memanfaatkan sebuah kondensator maka dioda dapat berfungsi sebagai penjepit ( clamper) seperti terlihat pada gambar 12. berikut ini. Fungsi dari kondensator(C) adalah menyimpan dan melepas muatan pada beban R dengan tetapan waktu RC. Pada saat masukan positip kondensator akan terisi muatan listrik sampai tegangan maksimum sehingga tegangan pada kondensatorVc = Q/C sama dengan tegangan masukkan (V). Pada kondisi ini dioda akan forward atau hubung singkat (short), sedang saat masukan negatip dioda akan reverse atau terbuka (open) dan kondensator melepas muatan ke beban R.Dalam satu periode input tegangan keluaran pada R menjadi vo= -V+(-Vc)= -2V

15

vi V 0 + (a)

C
D R

vo

vo
0

vo
0

+2V

vi

-2V (b) (c) Gambar. 20 Clamping (d)

a) bentuk masukkan b) rangkaian c) bentuk keluaran d) bentuk keluaran Apa bila dioda gambar 20 b. arahnya dibalik, maka bentuk gelombang keluaran akan menjadi positip tegangan sebesar vo= V+(Vc)= 2V Seperti halnya clipper, bila clamping disisipkan tegangan DC sebesar V dan masukkan mempunyai frekuensi dan amplitudo tertentu seperti terlihat pada gambar 19, bentuk gelombang keluaran dapat dianalisis sebagai berikut

Gambar 21 Clamping dengan sisipan DC Frekuensi 1 KHz dalam 1 periode T=1/f = 1 ms. Interval tiap setengah periode adalah 0,5 ms. Untuk setengan periode t1 t2 (gambar 21 a) tegangan masukkan adalah -20V dioda short (gambar 21.b) maka Vo = 5V. Tegangan pada konndensator Vc menurut persamaan Khirrchof dapat dihitung : - 20 + Vc 5V = 0 Vc = 20 + 5 = 25 V Untuk setengah periode t2 t3 masukkan + 10V dioda menjadi open dan tegangan DC tidak berfungsi maka arus mengalir dari masukkan ke kondensator kemudian ke R dan kembali ke masukkan. Menurut hokum Khirrchof tegangan + 10V + 25V Vo = 0 Vo = 10V + 25V = 35V Tetapan waktu selama pengosongan kondensator adalah = RC. = ( 100 K) ( 0,1F) = 0,01 s = 10 ms Tegangan keluaran Vo menjadi 35V 5V = 30V diatas level tegangan DC 5V seperti terlihat pada gambar 21c.

16

5.4. Penyearah

Penyearah (rectifier) menjadi DC yaitu:

adalah rangkaian yang bertujuan megubah masukkan AC

(alternating current) menjadi DC (direct current). Ada dua cara penyearahan AC

5.4.1 Penyearah setengah gelombang (half wave rectifier)

Penyearah setengah gelombang adalah penyearah yang setiap periode input ( positip dan negatip) output nya menghasilkan setengah periode positip atau satu puncak positip.

Gambar 22. Penyearah setengah gelombang. a) Rangkaian b) input sinusoidal c) bentuk output Saat input setengah periode positip 0 t 1 (gambar 22.b) dioda on maka tegangan pada
output R sebesar Vo = Vm - VT (gambar 22.c). Bila Vm >> VT maka Vo = VM atau

dioda dianggap ideal. Setengah periode negatip berikutnya dioda akan off, sehingga tidak ada arus yang mengalir pada R sehingga output nya Vo = 0. Tegangan output ratarata VDC dapat ditentukan dengan rumus VDC = 0,318 (Vm - VT) Bila arah dioda dibalik maka bentuk gelombang output pada gambar 22 c.akan terbalik.
5.4.2 Penyearah gelombang penuh (full wave rectifier)

Penyearah gelombang penuh adalah penyearah yang setiap periode input pada output nya menghasilkan dua puncak positip. Ada dua cara penyearah gelombang penuh yaitu cara cabang tengah dan cara jembatan.

17

5.4.2.1 Cara cabang tengah (centre tap)

Vi 0 t1 (a) t2

Vo
0

D1 A

t1

VDC =0,636 V t2 (b)

P
B

D2

(c)

Gambar 23. Penyearah cabang tengah a) bentuk input b) bentuk output c) rangkaian Saat input setengah periode 0-t1 titik A positip maka dioda D1 positip (on) dan dioda D2 negatip (off )maka arus mengalir dari D1 ke R kemudian ke cabang tengah. Pada R menghasilkan setengah peiode positip. Setengah periode berikutnya t1

t2 titik B

positip dioda D1 negatip (off ) dan dioda D2 positip (on ) dan arus mengalir dari D2 ke R kemudian ke cabang tengah. Pada R menghasilkan setengah peiode positip. Dengan demikian dalam satu periode input menghasilkan 2 puncak positip . Tegangan rata-rata DC adalah 2 x 0,318 VM = 0,636 VM. Tegangan maksimum VM adalah tegangan antara titik A atau B dengan cabang tengah.
5.4.2.2 Cara jembatan ( bridge )

Cara ini menggunakan 4 buah dioda jenis sama yang dihubungkan secara jembatan, Cara kerjanya tidak berbeda dengan cara cabang tengah. Pada cara jembatan ini saat
input setengah periode 0-t1 titik A positip dioda D1 dan D3 positip (on) dan dioda D2 dan

D4 negatip (off ) maka arus dari A ke dioda D1 ke R ke D3 terakhir ke B. Pada R menghasilkan setengah peiode positip.

Gambar 24. Penyearah jembatan a) bentuk input b) bentuk output c) rangkaian

18

Setengah periode berikutnya t1 t2 dioda D1 dan D3 negatip (off ) sedang dioda D2 dan D4 positip (on ) dan arus mengalir dari titik B ke D4 ke R kemudian ke. D2 dan terakhir ke titik A. Pada R menghasilkan setengah peiode positip. Dengan demikian dalam satu periode input menghasilkan 2 puncak positip . Tegangan rata-rata DC adalah 2 x 0,318 Vm = 0,636 Vm. Tegangan Vm.adalah tegangan maksimum antara titik A dan titik B.
5.5. Saringan (filter)

Bentuk gelombang output penyearah setengah gelombang maupun gelombang penuh belum rata seperti yang diharapkan, namun masih merupakan perubahan dari 0 ke puncak positip dan ke 0 lagi. Perubahan ini disebut riak (ripple). Bila bentuk ini diberikan pada pesawat audio, maka akan menghasilkan suara yang berdengung, karena pengaruh frekuensi jala-jala sebesar 50 Hz. Agar bentuk gelombang menjadi/mendekati rata, maka perlu dipasangkan saringan (filter) pada bagian output. Sebagai komponen penyaring dapat dipergunakan kondensator. Kondensator dipilh oleh karena mempunyai sifat dapat diisi (charger) dan menyimpan (storage) serta membuang (discharger) muatan listrik. Waktu yang dibutuh untuk terisi, menyimpan dan membuang muatan listrik dipengaruhi oleh besar komponen tempat pembuangan muatan listrik, seperti terlihat pada gambar berikut ini. S Vo E C (a) R 0 t1 t2 t3 E Vc RC t Vo

(b) Gambar 25. Saringan kondensator a) rangkaian b) grafik pengisian, penyimpanan dan pengosongan Dari gambar 25 a. bila saklar S ditutup maka arus mengalir dari sumber tegangan E ke kondensator. Kondensator terisi muatan listrik selama t1 sampai mencapai maksimum sehingga tegangan kondensator besarnya sama dengan sumber tegangan (Vc=E). Karena Vc=E arus terhenti dan saklar S disamakan terbuka. Pada keadaan tersebut kondensator menyimpan muatan listrik selama t2. Kemudian pada saat tertentu

19

kondensator membuang muatan listriknya ke R selama t3 atau

RC. Semakin besar

kapasitas kondensator ( C ) dan resistan ( R ) maka waktu pembuangan semakin lama. Sifat kondensator tersebut diterapkan pada penyearah, sehingga bentuk output mendekati rata. Bentuk input dan output penyearah terlihat pada gambar berikut ini. Penyearah setengah gelombang . Vi Vm 0 t1 (a) t2 t3 t Vo Vm VDC VMin 0 VRiple VRiple max VRiple min t

(b) Gambar 26. Penyearah setengah gelombang (a) bentuk input (b) bentuk output

Penyearah gelombang penuh Vi Vm Vo Vm VDC VMin 0 t1 t2 t3 (c) t 0 t (d) Gambar 27. Penyearah gelombang penuh (a) bentuk input (b) bentuk output VRiple

Saat input 0 - t1 kondensator terisi sampai mencapai maksimum Vm dan menyimpannya dan saat input t1 - t2 kondensator membuang muatan listrik ke beban ( R ). Muatan yang dibuang belum habis sudah terisi lagi saat input t2 - t3 sehingga output mencapai Vm lagi. Demikian seterusnya sehingga bentuk gelombang output seperti terlihat pada gambar 26 b dan 27 b. Penurunan tegangan dari Vm sampai Vmin disebut tegangan riak (ripple), yang besarnya dapat dihitung V Ripple = Q/C volt : =
I .t Keterangan : c

Q = muatan listrik .coulomb C = kapasitas kondensator Farad

20

I = arus pada beban .ampere t = waktu .. detik untuk setengan gelombang t = 0,02 detik, gelombang penuh t = 0,01 detik Tegangan ripple terdiri dari tegangan ripple masksimum (VRiple max ) dan tegangan ripple minimum (VRiple min ). V Ripple = (VRiple max ) + (VRiple min ). Tegangan searah VDC = Vm - VRiple max
5.6. Besaran-besaran listrik

Besaran listrik yang utama terdiri dari tegangan, arus dan daya terbagi menjadi tiga besaran yaitu :
5.6.1 Besaran maksimum

Besaran maksimum diukur dan digambarkan oleh alat ukur Osiloskop. Osiloskop mengukur dan menggambarkan dalam besaran puncak ke puncak (peack to peack) atau maksimum positip sampai minimum negatip. Besaran maksimun merupakan setengah dari puncak ke puncak. Untuk tegangan maksimum Vm = (V ptp)/2 dan untuk arus maksimum Im = ((I ptp)/2
5.6.2 Besaran effektif.

Besaran effektif diukur dengan alat ukur AC. Besaran effektip lebih kecil 0.707 dari besaran maksimum Untuk tegangan effektip Veff = 0,707 Vm dan untuk arus maksimum Ieff = 0,707 Im
5.6.3. Besaran rata-rata

Besaran rata-rata (average) diukur dengan alat ukur DC. Untuk penyearah setengah gelombang besaran rata-rata lebih kecil 0,318 dari besaran maksimum sedang untuk penyearah gelombang penuh 0,636 dari basaran maksimum Penyeerah setengah gelombang Tegangan rata-rata Vr = V rata-rata = 0.318 Vm dan arus rata-rata Ir = I rata-rata = 0.318 Im Penyearah gelombang penuh

21

Tegangan rata-rata V rata-rata = 0.636 Vm

arus rata-rata I rata-rata = 0.636 Im

5.6.4. Hubungan besaran effektip dengan besaran rata-rata

Besaran rata-rata bisa diukur dengan menggunakan alat ukur AC tetapi harga yang ditunjukkan meter harus diperhitungkan sebagai berikut: Penyearah setengah gelombang Veff = 0,707 Vm = 0,707. 3,144 V rata-rata = 2,22 V rata-rata maka untuk tegangan Untuk tegangan V rata-rata = 0,45 Veff untuk arusnya I rata-rata = 0,45 Ieff Penyearah gelombang penuh V rata-rata = 0,9 Veff untuk arusnya I rata-rata = 0,9 Ieff Demikian sebaliknya bila besaran AC diukur dengan meter DC. Dari ke tiga besaran tersebut bila digambarkan pada gelomnag bentuk sinusoidal adalah sepert berikut V Vm 0,707 0,636 0,318 0

Vr

Vr

Veff

Vm

V p t p = Vm t m t

-Vm Gambar 22. Hubungan besaran besaran listrik

22

6. TRANSISTOR 6.1. Konstruksi dan Operasi

Pada

tanggal

23

Desember

1947

Walter

Brattain

dan

John

Barden

mendemonstrasikan penambahan elektroda ketiga diantara dua jenis semikonduktor kristal tunggal yang sama yaitu germanium atau silikon pada sambungan. Sehingga didapatkan sambungan logam P diapit N dan logam N diapit P.(gambar 23a) Sambungan ketiga logam tersebut transistor singkatan dari tranfer resistor atau disebut
bi junction transistor (BJT). Pada dasarnya BJT tersebut merupaka dua buah dioda PN

yang terhubung bertolak belakang seperti terlihat pada gambar 29b. berikut ini. ++ P E -- + + N P (a) B C (b) E B (c) Gambar 29. Transistor a) Teknologi PNP dan NPN b) Analogi 2 dioda c) Simbul PNP dan NPN C E B C E B C --- ++ --N P N

Dari gambar 29b. ujung kiri disebut elektroda Emitor, titik sambungan disebut Base dan ujung kanan disebut Colektor. Identik dengan tabung electron Trioda, emitor (katoda) sebagai penghasil emisi electron, Basis (grid) sebagai pengatur arus elektron dan Colektor (anoda) sebagai pengumpul electron. Simbul transistor PNP dan NPN dibedakan dengan arah panah pada Emitor. PNP arah emitor masuk sedang NPN keluar.
6.2. Susunan Penguat Transistor dan pembiasan

Fungsi utama dari transistor adalah untuk penguat sinyal input baik tegangan maupun arus. Disamping penguat, transisitor dapat juga berfungsi seperti apa yang dilakukan oleh dioda bahkan besaran pada output nya lebih besar dari input nya sedang dioda adalah sebaliknya.

23

Susunan /konfigurasi untuk penguat dapat disusun menjadi 3 (tiga) susunan yaitu: 1. Susunan penguat Common Base ( Basis bersama) 2. Susunan penguat Common Emitor (Emitor bersama) 3. Susunan penguat Common Colector (Colektor bersama) Common (bersama) artinya bahwa elektroda tersebut merupakan titik pertemuan dua sumber daya elektroda lainnya yang mempunyai kondisi netral dan biasanya ditandai dengan simbul ground atau tanah. Inisial sumber daya ditentukan oleh elektrodaelektroda yang bukan elektroda yang terhubung tanah. Ke tiga susunan tersebut diuraikan seperti berikut.
6.2.1 Susunan Common Base (CB)

Pada susunan ini, Basis terhubung dengan sumber tegangan VEE milik Emitor dan VCC milik Colektor dan Basis merupakan netral /ground nya. Biasanya sumber tegangan tidak digambarkan dalam simbul batre, tetapi cukup ditulis dengan inisial tegangan (V) dan polaritasnya ( + atau - ) saja. Arah arus input dan output untuk transisitor untuk PNP dan NPN adalah berlawanan seperti gambar berikut E + VEE IE IB B B (a) (b) IC C E IE IC C +

Gambar 30. Susunan Common Base a) arah arus PNP b) arah arus NPN Pada gambar 30. arus IE adalah arus input, sedang IC arus output. Perbandingan antara
output dengan input disebut penguatan. Penguatan arus DC pada CB diberi inisial

(alfa) adalah : dc = IC / IE jadi IC = IE I C IE dan IE = IC /

24

IB = IE - IC atau IB = IE - IE atau IB = IE ( 1 - ) Dalam kondisi beroperasi, transisitor akan mengalami arus bocor dari basiss ke kolektor yang disebabkan oleh agitasi termis sebesar ICBO. Bilamana diperhitungkan maka : IB = IE ( 1 - ) - ICBO maka IC = IE + ICBO Makin tinggi temperature transisitor akan makin besar ICBO dan IC makin besar dan panas akan tinggi pula sehingga ICBO makin tinggi. Hali ini akan menyebabkan transistor rusak. Peristiwa ini disebut Thermal run away. Penguatas arus AC merupakan perbandingan antara perubahan arus output (IC) terhadap pengaruh perubahan arus input (IE) untuk tegangan output (VCB) tetap. ac = (IC) / (IE)
6.2.2 Susunan Common Emitor (CE)

VCB = constant

Untuk susunan Emitor bersama, input terletak antara Basis Emitor sedang outputnya Antara kolektor emitor. Emitor merupakan netral seperti terlihat pada gambar 25 berikut.
- VCC IC

IC - VBB IB IE (b)

+ VCC

+VBB

IB IE (a)

Gambar 31. Susunan Common Emitor a) arah arus PNP b) arah arus NPN Arus-arus yang mengalir pada transistor adalah sebagai berikut: IE = IB + IC dan IC = IE + ICBO IC = { (IB + IC )} + ICBO IC = { ( IB )/ (1- ) }+ { (ICBO) / (1- ) } IC =
I I B + CBO 1 I
25

Penguatan arus untuk emitor bersama ditunjukkan dengan inisial (beta) adalah arus
output IC berbanding arus input IB

Untuk penguatan arus DC Penguatas arus AC merupakan perbandingan antara perubahan arus output (IC) terhadap pengaruh perubahan arus input (IB) untuk tegangan output (VCE) tetap. ac = (IC) / (IB) VCE = constant Hubungan dan dapat dikembangkan sehingga menjadi rumus-rumus sperti di bawah ini dengan mengingat = IC /IB , IB = IC / ; = IC / IE , dan IE = IC / disubstitusikan ke IE = I B + I C IC / = I C / + I C masing-masing dibagi dengan IC didapatkan 1/ = 1/ + 1 atau jadi atau =+ = ( +1 ) = / ( +1) = / 1- IE = I B + I C
= IB + I B

Arus emitor IE dapat ditentukan juga dengan mengingat IC = IB maka

IE = ( +1 ) IB
6.2.3 Susunan Common Colector (CC)

Susunan common collector-kolektor bersama inputnya adalah basis kolektor sedang

outputnya emitor kolektor

IE
- VBB

IB IB

+VEE

IE +VBB IB IB

-VEE

26

(a)

(b)

Gambar 32. Susunan common colector a) PNP b) NPN Arus-arus pada susunan kolektor bersama adalah IE = I B + I C IE - IE = IB + ICBO ( 1- ) IE = IB + ICBO IE = {(1/1- ) IB } + {(1/1- ) ICBO}
1 1 IE = I B + I CBO 1 1

karena IC = IE + ICBO

= IB + ( IE + ICBO )

6.3. Karakteristik Dan Parameter Penguat

Notasi-notasi dan rumus umum yang digunakan untuk masing-masing susunan penguat seperti terlihat pada tabel berikut ini.

Tabel 1. Karakteristik dan perameter

Karakteristik/ parameter Karakteristik Input Output Penguatan arus Tegangan balik Parameter Impendansi Input (Zi) Impendansi Output (Zo) Penguatan arus (Ai) Penguatan Tegangan (Av)

CB IE = f(VEB); VCB=C IC = f(VCB); IE=C IC =f ( IE) ; VCB=C VEB= f(VCB); IE=C VEB/ IE (kecil) VCB/ IC (besar) IC / IE (kecil) VCB/ VEB (besar)

CE IB = f(VBE); VCE=C IC = f(VCE); IB=C IC =f ( IB) ; VCE=C VBE= f (VCE); IB=C VBE/ IB (besar) VCE/ IC (besar) IC /( IB) (besar) VCE /VBE (besar)

CC IB = f(VBC); VEC=C IC =f (VEC);VCE=C IE =f ( IB) ; VEC=C VBC= f(VEC); IB=C VBC /IB (besar) VEC/IE (kecil) IE / IB (besar) VEC /VBC (kecil)

27

7. PEMBIASAN PADA TRANSISTOR PENGUAT

Berdasarkan besaran parameter ternyata penguat susunan Emitor bersama mempunyai besaran parameter yang lebih pada susunan Basis dan Kolektor bersama. Oleh karena itu pembahasan dan analisis penguat berdasarkan penguat susunan Emitor bersama. Pembiasan atau pemberian catu daya bertujuan agar penguat dapat bekerja sesuai dengan karakteristiknya dengan hanya menggunakan sebuah catu daya saja.

7.1. Fixed Bias (Bias tetap)

Pada susunan emitor bersama seperti pada gambar 31 menggunakan 2 catu daya yaitu VBB dan VCC sehingga tidak efisien. Oleh karena itu dipasangkan sebuah resistor yang berfungsi sebagai pembagi tegangan VCC dang dapat menggantikan besar tegangan VBB. VCC RB Input AC C1 VBE IE IB IC RC Output AC C2

Gambar 31. Fixed bias Ditinjau dari input Basis Emitor, menurut hokum Kirchhof tegangan: + VCC - IB RB - VBE = 0 IB = (VCC - VBE ) / RB Ditinjau dari output Kolektor Basis I C = IB Berdasarkan Kirrchof tegangan VCE + IC RC +VE - VCC = 0 VCE = VCC - VE - IC RC Maka dan VCE = VCC - VC VBE = VB - VE VBE = VB VE = 0 dan IC RC = VC

28

7.2. Fixed bias dengan stabilisasi emitor

Dengan menambah resistor RE dan kondensator CE pada emitor maka akan terjadi kestabilan pada outputnya karena merupakan umpan balik negatip (akan dijelaskan pada bab berikutnya) VCC RB Input AC C1 VB VBE RE IB IC RC Output AC C2 IE CE

Gambar 34. Fixed bias stabilisasi emitor Ditinjau dari input berdasarkan hokum Kirchoff tegangan + VCC - IB RB - VBE - IE RE = 0 + VCC - IB RB - VBE - (IB + IC )RE = 0 + VCC - IB RB - VBE - (IB + IB)RE = 0 + VCC - IB RB - VBE - ( +1) IB RE = 0 - IB{ (RB +( +1) RE}+ VCC - VBE = 0 Dengan mengalikan (-1) didapatkan IB{ (RB +( +1) RE}- VCC +VBE = 0 IB{ (RB +( +1) RE}= VCC -VBE IB didaptkan
Tegangan input VB VB = VBE + VE VB = VCC - IB RB Arus output IC dapat ditentukan dengan + VCC - IB RB - VBE - (IB + IC )RE = 0 VCC = (IC / )RB + VBE + (IC / + IC )RE I B = IC / + VCC - (IC / )RB - VBE - (IC / + IC )RE = 0 atau

IB =

VCC V BE RB + ( + 1)R E

29

Oleh karena IC / jauh lebih kecil terhadap IC, maka IC / diabaikan, atau IE IC sehingga VCC = (IC / )RB + VBE + IC RE VCC = (IC)RB/ + VBE + IC RE VCC = IC{ (RB/ )+ RE }+VBE IC didapatkan IC =

VCC V BE RB + RE

Tahanan input dilihat dari basis emitor sebesar Ri = ( +1) RE Ditinjau dari output, menurut Kircoff tegangan VCE + IC RC +IE RE - VCC = 0 VCE = VCC - IC (RC + RE )

7.3. Base bias

Pada bias ini resistor menghubungkan atara basis dengan seperti terlihat pada gambar. I RB C1 IB VBE VCC RC IC IE

Output AC
C2

Input AC

Gambar 35 Base bias Ditinjau dari input VCC = I RC + IB RB + VBE = (IB + IC) RC + IB RB + VBE = IC (RC + RB/ ) + VBE IC dapat dihitung IC = ( VCC - VBE) / ((RC + RB/ ) Ditinjau dari output VCE = VCC - IC RC

30

7.4. Base bias dengan stabilisasi Emitor

I RB C1 IB VBE RE VCC RC
IC

Input AC

IE

Output AC C2
CE

Gambar 36. Base bias dengan stabilisasi Emitor Ditinjau dari input VCC = I RC + IB RB + VBE + IE RE = (IB + IC) RC + IB RB + VBE +(IB + IC) RE

R = IC RC + B + RE + V BE
IC dapat dihitung IC =

VCC V BE R RC + B + RE

Ditinjau dari output VCE = VCC - IC (RC + RE )

7.5. Potensio Bias

Resistor pada bagian input merupakan pembagi tegangan (voltage divider) VCC R1 IB VBE RE IE RC IC Output AC C2 CE

Input AC
C1 VB R2

Gambar 31. Potensio bias

31

Dilihat dari basis tahanan input basis (RB) merupakan R2 dan R1 terhubung jajar senigga RB = R1 // R2 =

R1 .R2 R1 + R

Tegangan input basis VB =

R1 .R2 .VCC R1 + R IB

Dari rumus-rumus tersebut bila digambar sebagai berikut:

VB

RB

VBE RE IE

Gambar 38. Rangkaian pengganti input Arus basis IB dapat dihitung VB = IB RB + VBE + IE RE VB = IB RB + VBE + RE( +1) IB IB = (VB - VBE ) / {RB + ( +1)RE} = Tegangan output VCE = VCC - IC (RC + RE ) V B V BE RB + ( + 1)R E

32

8. PEMBIASAN FET
Rangkaian Bias FET

VGG = VDD RG2 / (RG1 + RG2) VGG = VGS + ID RS ID = VGG/RS - 1/RS VGS

Rangkaian Bias FET dengan Feedback

Gambar 79. Rangkaian Biasfet Dengan Feedback vDS = VDD RD iD iD = VDD/RD 1/RD vDS iD = K (vDS Vt)2

33

8.1. Rangkaian Dasar Amplifier FET

Gambar 80 Rangkaian Dengan Penguat FET

Jenis Penguat
Common Source Common Gate Common Drain

Node Common (grounded) Y (source) X (gate) Z (drain)

Node Input
X (gate) Z (drain) Y (source)

Node Output
Z (drain) Y (source) X (gate)

34

Penguat Common Source

Gm= -gm Ri = R G Av vo/vi = - gm (RL//RD//ro) Av = - gm RL/(RL + Ro) Avo vo/vi = - gm (RD//ro) RL =

Ro = RD // ro

35

Penguat Common Gate

Gambar 81. Rangkaian Penguat Common Gate Mencari Ri (vi/ii | vo=0) vgs =- vi Ri 1/gm ( ! ro >> 1/gm) Ro = (ro // RD) Av vo/vi = gm (RL // RD // ro) Av gm (RL // RD )

36

Penguat Common Drain

Gambar 82. Penguat Common Drain

37

iy = -gmvgs + (vy/ro) iy = gmvy + (vy/ro) Ro vy/iy = 1/(gm + 1/ro) Ro = 1/gm // ro 1/gm

Gambar 83. Penyederhanaan Gambar 82 Avo vo/vi RL = vo =vs = gm vgs ro vi =vgs + vo vi =vo/(gm ro) + vo Avo =(1 + 1/(gm ro))-1 Av vo/vi Avo RL/(RL+Ro)

8.2. Rangkaian Terintegrasi Penguat MOS

Beban MOS enhancement

Beban MOS Deplesi

38

Persamaan arus i = K(-2 VtD v - v2) Pada batas saturasi i = K VtD2 = IDSS dengan modulasi panjang kanal i K VtD2 (1 + v/VA) Amplifier dengan Beban MOS enhancement

Gambar 84. Penguat Dengan Beban MOS Enhancement

39

Arus pada transistor M1iD1 = K1(vgs1 - Vt)2 dari rangkaian iD1 =iD2 = iD dan vgs1 = vI sehingga iD = K1(vI - Vt)2 dan iD = K2(vgs2 - Vt)2 dengan vgs2 = VDD - vO maka iD = K2(VDD - vO - Vt)2 atau vO = (VDD-Vt+(K1/K2)1/2Vt) - (K1/K2)1/2 vI penguatan tegangan Av = -(K1/K2)1/2 = - [(W/L)1/(W/L)2]1/2 Analisis Sinyal Kecil Amplifier MOS

vo = -gm1vgs1[(1/gm2) // ro1 // ro2 ] Av = vo/vi = -gm1 / (gm2 + 1/ro1 + 1/ro2)

40

Av gm1 / gm2 Body Effect pada MOS

gmb = gm Vt / VSB = g/2 (2 f + VSB)-1/2

Body Effect pada Amplifier MOS

vo = - gm1vgs1[(1/gm2)//(1/gmb2)//ro1//ro2] dengan vgs1 = vI maka Av = - gm1 / [ gm2 + gmb2 + 1/ro1 +1/ro2 ] Av - gm1 / [ gm2 + gmb2 ] Av =- gm1 / gm2 [1/ (1+)]

41

Amplifier dengan Beban MOS deplesi

untuk daerah III (kedua transistor saturasi) Av vo/vi = -gm [ro1 // ro2] untuk daerah III bila body effect diperhitungkan

42

vo = - gm1vgs1 [ (1/gmb2) // ro1 // ro2 ] Av vo/vi = - gm1 [ (1/gmb2) // ro1 // ro2 ] Av - gm1 / gmb2 = gm1 / ( gm2) alternatif lain Av = - [(W/L)1/(W/L)2 ]1/2 [1 / Cermin Arus

IREF = K1 (VGS Vt) IO = K2 (VGS Vt)2 IO = IREF K2 / K1 IO = IREF (W/L)2 / (W/L)1

Gambar 86. Cermin Arus

43

Gambar 87. Garis Beban ro2 = |VA| / IREF Av = - gm1 [ ro1 // ro2 ] Av = - |VA| [ Kn / IREF ]1/2 Source Follower gm1 = [2
n

COX (W/L)1 IREF]1/2

Gambar 87. Source Follower

44

vo = [(1/gmb) // ro] (1/gmb) + [(1/gmb) // ro] vi vo/vi gm / (gm + gmb) vo/vi =1 / (1 + ) Ro = (1/gmb) // (1/gmb) // ro FET sebagai Saklar

Gambar 89. FET sebagai Saklar

45

Saklar Analog FET dan Arah Arus

Gambar 90. Saklar Analog FET dan Arah Arus

46

Gerbang Transmisi CMOS

Gambar 90. Gerbang Transmisi CMOS

47

Arah Arus Gerbang Transmisi CMOS Saat ON

Gambar 92. Arah Arus Gerbang Transmisi CMOS Saat ON

48

9. TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT

Untuk menganalisis transistor sebagai penguat dapat dilakukan dengan dua cara yaitu: 1. Analisis grafis. 2. Analisis teoritis

9.1. Analisis Grafis

Analisis grafis adalah analisis penguatan baik arus maupun tegangan yang memperhatikan masalah besaran dan bentuk gelombang baik input maupun output. Untuk keperluan analisis grafis ini dibutuhkan :

9.1.1 Grafik karakteristis output

Karakteristik output untuk penguat susunan Emitor bersama IC f VCE untuk IB = constant tergambar berikut ini IC mA IB1 (A) IB2 IB3 IB4 IB5

IB6 IB7 VCE (volt)

Gambar 39. Karakteristik output Emitor bersama

9.1.2 10.1.1.Garis beban (load line) DC/AC

Garis beban adalah garis yang menghubungkan garis sumbu tegak IC dan garis sumbu datar VCE dan memotong garis lengkung IB . Untuk menentukan garis beban harus memperhatikan rangkaian penguat dengan meninjau bagian output nya

49

VCC R1 Input AC C1 VB R2 VBE RE IE IB I C RC Output AC C2 CE

Gambar 40. Rangkaian penguat Emitor bersama Dengan memperhatikan bagian outputnya VCE = VCC - IC (RC + RE ) Garis beban didapatkan dengan menentukan arus dan tegangan maksimum IC maksimum bila VCE = 0, maka IC Max = (VCC) / (RC + RE) VCE maksimum bila IC = 0 maka VCE Max = VCC Garis beban dengan menghubungkan IC Max dengan VCC terlihat pada gambar berikut

IC (mA) IC Max Q1

Q2

IB1 (A) IB2 IB3 Q3 Q4 IB4 IB5 IB6 IB7 VCC

Q5

Q6

Garis beban DC VCE (volt)

Q7

Gambar 41. Garis beban DC

50

9.1.3 Titik Kerya dan daerah kerja

Titik Q (Q point)disebut titik kerja, merupakan perpotongan antara garis beban dengan garis lengkung IB. Titik Q1 perpotongan antara garis beban dengan IB1 dan seterusnya untuk masing-masing IB. Dari gambar 41 terdapat tiga daerah dan dua titik keadaan yaitu : Daerah antara IC Max sampai Q1 disebut daerah jenuh (saturasi) Daerah antara Q1 sampai Q7 disebut daerah kerja Daerah antara Q7 sampai VCC disebut daerah mati (Cut off) IC Max disebut titik jenuh VCC disebut titik mati. Kemiringan garis beban dipengaruhi oleh besar resistor RC dan RE. dan tegangan VCC VCC. Semakin besar RC + RE garis beban akan semakin landai dan semakin kecil RC + RE garis beban semakin curam untuk VCC yang tetap. Semakin tinggi VCC garis beban semakin landai dan semakin rendah VCC garis beban semakin curam untuk IC Max yang tetap. Daerah kerja dan titik kerja (Q) yang terbaik berada di tengah daerah kerja karena dengan sinyal input besar akan menghasilkan output yang besar pula dengan bentuk yang murni sesuai dengan bentuk input nya. Bila titik kerja berada di daerah jenuh atau titik jenuh, maka bila sinyal input nya besar, pada bentuk gelombang output nya akan cacat atau terpotong bagian positipnya. Sedangkan bila titk kerja berada pada daerah mati atau titik mati, maka benntuk gelombang output akan cacat atau terpotong bagian negatipnya seperti terlihat pada gambar 36. Sebagai ilustrasi diberikan permisalan analisis grafis berikut ini Nilai/besar R1 dan R2 menyebabkan arus basisi IB menghasilkan arus sebesar 20A. Dengan memperhatikan karakteristik output maka arus 20A adalah milik IB5. Ini berarti titk kerjanya adalah Q5.

51

IC (mA) IC Max output 0 50 40 30 20 0 Q1

IB1 60A IB2 50 A input IB3 40 A IB430A IB5 20A IB6 10A IB7 0A VCC

Q2

Q 3 Q4 0 Q5

Q6 Q7

Garis beban DC

VCE (volt)

Gambar 42. Hubungan sinyal input dan output pada daerah kerja

9.1.4 Penguatan arus dan tegangan

Misalkan penguat (gambar 42) menerima sinyal input AC berbentuk sinusoidal sebesar 20A ptp maka garis nol nya berada pada titik kerja Q4 dengan input 10A positip pada Q3 dan 10A negatip pada Q5.. Sinyal input digambarkan tegak lurus terhadap garis beban. Dengan memproyeksikan Q4, Q5 dan Q6 datar ke sumbu IC, ternyata Q6 memotong IC di 20mA, Q5 di 30 mA dan Q4 40 mA. Dengan demikian arus output IC sebesar 20 mA ptp. Penguatan arus A i = IC / IB = ( 40 20) mA / (30 10) A = 20. 103 / 20 = 1000 x Dengan membandingkan antara bentuk gelombang input dan output ternyata terjadi perbedaan phase sebesar 180 beda phase 180 o
o

sehingga dikatakan terjadi penguatan 1000 kali dengan

52

output IC Max

IC Q1

input

Q2

Q3 Q4

Q5

VCE Q7 0 VCC Gambar 43 Hubungan input output pada daerah jenuh dan mati

Q6

9.2.

Analisis Teoritis

Analisis penguatan secara teoritis harus memperhatikan semua parameter yang dimiliki oleh sebuah susunan penguat. Oleh karena analisis penguatan maka penguat dalam kondisi bekerja yang berarti ada sumber daya ( tegangan catu daya) dan sinyal input yang akan dikuatkan. Untuk menganalisis tersebut maka rangkaian penguat, khususnya transistor harus dibuat rangkaian pengganti atau dibuat model yang dapat menggambarkan sebagai transistor dengan berbagai parameternya.

53

10. PEMODELAN TRANSISTOR

Model adalah gabungan dari rangkaian komponen yang dipilih secara tepat dengan pendekatan sifat yang sebenarnya dari rangkaian semikonduktor pada keadaan kerja Tujuannya adalah untuk memudahkan analisis parameter-parameter yang ada pada komponen dan rangkaian semikonduktor. Pada keadaan kerja penguat menerima sinyal input berbentuk AC dan diperkuat oleh transistor. Parameter yang ada pada transistor adalah parameter AC. Parameter AC dipe ngaruhi juga oleh tegangan catu daya DC. Penguatan transistor dapat dianalisis menggunakan model-model antara lain sebagai berikut : 1. Model re 2. Model parameter hybrid h 3. Model parameter impedansi z 4. Model parameter admitansi y 5. Model 6. Model T dari model-model tersebut di atas yang akan dibahas adalah model re dan h

10.1. Pemodelan re
Pada dioda tahanan AC diberi notasi rd = 26 mV/ Id Transisitor dalam kondisi tak kerja tahanan AC sebesar re = 26 mV/ IE . Pada kondisi kerja faktor penguatan arus akan memperbesar tahanan AC menjadi re = (26 mV)/ IE untuk susunan basis bersama re = (26 mV)/ IE untuk susunan emitor dan kolektor bersama Model re mengganti transistor bagian inputnya menjadi sebuah dioda dengan katoda terhubung pada jenis susunan, sedang pada output nya menjadi sebuah sumber arus sebesar arus output dengan faktor penguat arusnya, parallel dengan tahanan outputnya seperti terlihat pada gambar berikut:

54

Susunan basis bersama

Gambar 37 Susunan basis bersama a) transistor b) dioda E-B c) model renol ideal Dalam analisis model, kondisi transistor sebagai penguat dianggap ideal sehingga faktor-faktor yang menyebabkan turunnya penguatan dianggap nol atau ditiadakan. Oleh karena itu komponen ro dianggap takterhingga besarnya sehingga pada bagian outputnya ro dianggap terbuka (open). Untuk analisis selanjutnya transistor dianggap ideal. Susunan Emitor bersama C Ic B Vi Ib (a) Vo E B Vi Ib Ic C Vo B Ib vi ib E C ic vo E

re

ib

(b) (c) Gambar 45. Susunan Emitor bersama a) transistor b) dioda B-E c) model re ideal C Ic B ib v i Ie (b) ib E RE v o ic re B ib vi ie (c) E RE C ic Ib vo

Susunan Kolektor bersama C B Vi Ib Ie (a) E R E Vo

Gambar 46. Susunan Kolektor bersama a) transistor b) dioda B-E c) model re ideal

55

Dari ketiga model re besaran parameter masing-masing susunan terlihat pada tabel di bawah Parameter Impendansi Input (Zi) Impendansi Output (Zo) Penguatan arus (Ai) Penguatan Tegangan (Av) CB re + 50 (kecil) Mega (besar) - ic / ie <1 (kecil) RL+ 100 (besar) CE re + 7 K (besar) ro + 50 K (besar)
- RL/ re

CC re + (1+ )(besar)

(besar) re // RE (kecil)
-

(besar)

(besar)

RE / (RE + re) (kecil)

Analisis bias model re Untuk mengganti sebuah rangkaian penguat menjadi rangkaian model, langkah pertama
yang perlu dilakukan adalah : 1. Semua kondensator dianggap hubung singkat (short) karena untuk sinyal AC kondensator mempunyai reaktansi capasitip sangat kecil (Xc = 0) 2. Catu daya DC dianggap hubung singkat (short) karena fungsinya hanya sebagai pemberi daya supaya transistor dapat bekerja, sedang fungsi utama transistor dalah menguatkan sinyal input berupa AC

10.2. Analisis Fixed bias

VCC RB Ii Input AC Zi C1 IB VBE (a) Io R C Ie Output AC

C2 Zo

C
Ii Vi
B

Vo Io
E

ii Zi

B
vi

ib re RB

C
ib ro vo io Zo RC

RB Zi (b)

RC Zo

(c) Gambar 47. Fixed bias a) rangkaian DC b) rangkaian AC c) model re non ideal

56

Analisis model

re ideal Zi = RB // re oleh karena RB>> re maka Zi = re Z o = ro // RC oleh karena ro >>RC maka ro = RC v o = - io RC vo = - ib RC vo = - ii RC io = iC = ib oleh karena RB>> re maka ib = ii sedang ii = vi / re bila masing-masing dibagi dengan vi maka

vo = - (vi / re) RC vo = - vi (RC / re) didapatkan penguatan tegangan AV vo / vi = AV = - RC / re ( tanda menunjukkan beda phase 180o) Penguatan arus Ai dapat dicari dengan mudah Ai = -io / ii = i1 / ii = - Bila non ideal ro diperhitungkan maka io = (-ib){ ro / (ro+ RC) } io = (-ii){ ro / (ro+ RC) } bila masing-masing dibagi dengan ii maka: IO .ro = Ai = re didapatkan dari I1 ro + RC ib = ( VCC VBE ) / RB ie = ( +1 ) ib ic = ic re =

26mV ic

10.3. Analisis fixed bias dengan stabilisasi emitor

VCC RB Ii Input AC Zi C1 Ib VBE Io RC Output AC C2 Ie Zo

RE

(a)

57

Ii Vi

Vo Io
E

ii Zi

ib re RB RE (c)

RB Zi

RC Zo

vi

ib ie

ro

vo io Zo RC

(b)

Gambar 48. Fixed bias dengan stabilisasi emitor a) rangkaian DC b) rangkaian AC c) model re non ideal Analisis model re vi = ib re + RE ie = ib re + RE ( +1 ) ib
= ib { RE ( +1 ) + re }

ZB = vi / ib = RE ( +1 ) + re = RE + re = (RE + re ) Impedansi input Zi = ZB // RB

= (RE + re ) // RB

1 <<

Bila vo= 0 maka ib = 0 Impedansi output Zo = RC Penguatan tegangan Av dapat ditentukan v o = - i o RC vo = - ib RC vo = - ii RC sedang ii = vi / ZB vo = - (vi / ZB) RC bila masing-masing dibagi dengan vi vo / vi = AV = - RC / ZB ZB = (RE + re ) io = iC = Ib

58

= - RC / RE + re oleh karena re << RE maka AV = - RC / RE ( tanda menunjukkan beda phase 180o) Penguatan arus dapat ditentukan ib = {RB / (RB + ZB) }ii masing-masing dibagi ii didapatkan ib / ii = RB / ( RB + ZB) i = o i o i o ib Ai = = ib ii ib ii A1 = RB RB + Z B

Apabila pada RE dipasang kondensator CE maka RE = 0 dan ZB = re maka AV = - RC / re re dapat dicari dari VCC VBE ib = RB + ( + 1) RE ie = ( +1) ib re = 26 mV / ie
10.4. Analisis petensio bias model re

VCC Ii Input AC vi R1 C1 VB R2 IB VBE RE (a)

C

Io RC Output AC C2 Vo IE CE

Ii R2

R1 Zi

Vo io Zi RC Zo v i RB

ii

ib re
E

ib

ro

vo io Zo RC

( c) Gambar 49.Potensio bias a. rangkaian DC b) rangkaian AC c) model re non ideal

59

(b)

RB = R1 // R2

Zi = RB // re V o = Io R c = - I b R c
= - ( Vi / re ) Rc

Zo = Rc

ro =

= - ( Vi / re ) Rc bila masing-masing dibagi dengan Vi maka

penguatan tegangan Vo /Vi = Av = - Rc / re Penguatan arus dapat dicari sebagai berikut : Ib = ( RB Ii ) / (RB + re) bila masing-masing dibagi dengan Ii Ib/ Ii = RB / (RB + re ) Ai = (Io / Ib ) (Ib/ Ii ) Ai= RB / (RB + re ) Bila ro duipertimbangkan maka Zo = Rc // ro Av = - (Rc // ro) / re I o = Ib = Io / Ib

60

11. TRANSISTOR MODEL HYBRID h

Transistor merupakan sebuah kotak yang didalamnya berisi parameter-parameter transistor yang mempunyai sepasang input dan output. Parameter tersebut merupakan parameter hybid h yaitu h11, h12, h21 dan h22 Io Vi a) Vo

Ii

Ii

Vi

h11 h12 Vo h21 h22

Io

(b) Gambar 50. Pengganti model h a) transistor CE b) pengganti transistor

Dari kotak pengganti transistor terdapat 2 persamaan yaitu persamaan input berupa persamaan tegangan dan persamaan output berupa persamaan arus. Persamaa input Persamaa output Vi = h11 Ii + h12 Vo Io = h21 Ii + h22 Vo

Untuk mengetahui parameter-parameter di dalam transistor maka langkahnya adalah: 1. Memberikan tegangan input dan menghubungsingkatkan bagian output (Vo = 0 ). Persamaan input Vi = h11 Ii + h12 Vo menjadi Vi = h11 Ii untuk Vo = 0 maka h11 = Vi / Ii disebut impedansi input (hi) satuan ohm () Persamaa output Io = h21 Ii + h22 Vo menjadi Vi = h21 Ii untuk Vo = 0 maka h21 = Io / Ii disebut penguatan arus forward (hi ) satuan kali 2.Memasang tegangan pada output dengan membuka bagian input (Ii = 0 ) Persamaan input Vi = h11 Ii + h12 Vo menjadi Vi = h12 Vo untuk Ii = 0 maka h12 = Vi / Vo disebut penguatan tegangan reverse (hr ) satuan kali Persamaa output Io = h21 Ii + h22 Vo menjadi Io = h22 Vo untuk Ii = 0 maka h22 = Io / Vo disebut admitansi output ( ho ) satuan mho atau simen

61

Ii Vi (a)

Io Vo=0

Ii=0 Vi

Io Vo

(b) Gambar 51. Penentuan parameter a) h11 dan h21 b) h12 dan h22

Apabila parameter-parameter tersebut diterapkan pada susunan penguat maka seperti terlihat pada tabel berikut ini Parameter Impedansi input (hi ) Penguatan tegangan reverse (hr) Penguatan arus forward (hf) Admitansi output (ho) CB hiB hrB hfB hoB CE hiE hrE hfE hoE CC hiC hrC hfC hoC

Untuk susunan Emitor bersama mode h dapat digambarkan ib vBE ic

B E C B ib

hiE hrEvCE hfE ib

ic vCE hoE
C

vCE

vBE

a) Gambar 52. Susunan CE a) transistor b) model h Persamaan berdasarkan gambar 43 b. untuk CE adalah Persamaa input Persamaa output vBE = hiE ib + hrE vCE ic = hfE ib + hoE vCE

b)

(rangkaian Thevenin) (rangkaian Norton)

Untuk transistor ideal penguatan tegangan reverse merupakan suatu kerugian, sehingga dianggap nol (hrE =0) maka persamaa input menjadi vBE = hiE ib + 0 . Ini berarti bahwa hiE langsung terhubung dengan Emitor (ground) Demikan juga admitansi output merupakan pembebanan output.Supaya tak terjadi pembebanan pada output, ho dianggap nol (hoE = 0) ) maka persamaa output menjadi ic = hfE ib + 0 . Ini berarti bahwa besar impedansi output tak terhingga ohm (Zo = ). Ingat bahwa

62

Zo = 1/ho. Oleh karena itu rangkaian outputnya terbuka. Susunan Emitor bersama model h kondisi ideal dapat digambarkan sebagai berikut. ib vBE ic
B E E C B ib

hiE hfE ib

ic vCE
C

vBE
E

a)

b) Gambar 53. Susunan CE a) transistor b) model h ideal

11.1. Susunan penguat model h 11.1.1 Susunan basis bersama

RE vS VEE

E B

hiB

RL VCC (a)

RE vS

iE hfB iE

iC RL

hrBVCB
B

hoB

(b) Gambar 54. Penguat basis bersama a) rangkaian DC b) model h

11.1.2 Susunan emitor bersama

ib vS

ic
B

hiE RB vS
B

VBB

RB

RC VCC

ib hfE ib

ic hoE vCE RC
C

hrEvCE

(a) Gambar 55. Penguat emitor bersama a) rangkaian DC b) model h

(b)

63

11.1.3 Susunan kolektor bersama

ib vS

hiC
B C E

VBB

RB

RE

vo

VCC

RB vS

hrCvE RE
E

ib

ic hfC ib vo
C

ie

hoC

(a) (b) Gambar 56. Penguat susunan kolektor bersama. a) rangkaian DC b) model h
11.2. Analisis bias model h 11.2.1 Fixed bias stabilisasi emitor model h

VCC Rs vs RB C1 ib VBE RE i o RC C2 ie CE

Rs is vs vi

RB

vo io RC

is Rs vs

ib hiE
E

v i RB

hf Eib

vo io RC

(c) Gambar 57. Fixed bias dengan stabilisasi emitor a) rangkaian DC b) rangkaian AC c) model ideal h (b) Analisis model h vo = io RC = - hf E ib RC = - hf E RC ( vi / hiE ) bila masing-masing dibagi dengan vi , h fE .Rc maka vo / vi = Av = hiE Bila ada input dari vs maka penguatan tegangan adalah
vo = - hf E RC ( vi / hiE ) untuk RB // hiE = rb
64

hf E .

rb Vs.Rc rb + Rs bila masing-masing dibagi dengan vs hiE

maka penguatan tegangan

vo / vs = Av =

hf E .

rb Vs.Rc rb + Rs hiE

Penguatan arus dapat ditentukan sebagai berikut Ai = io / is io = - hf Eib ib = RB is / (RB + hiE ) io / is = (- hf E ) RB is / (RB + hiE ) masing-masing dibagi dengan is didapatkan
Ai = io / is =

h fE .RB hiE

65

12. ANALSIS PENGUAT SATU TINGKAT 12.1. Analisis Susunan Emitor model h

VCC is Rs R1 ib VBE RE (a)

C

RC C2 IE CE iL vo RL

is

C1 v i VB R2

Iis is Rs

vo
E

is is

RB

RC

iL

vi RB

ib hiE hf Eib E

RL

Rs

RC

vo iL RL

( c) Gambar 58.Susunan emitor bersama a). rangkaian DC b) rangkaian AC c) model hideal Analisis potensio bias stabilisasi emitor model h RB = R1 // R2 dan ri = RB // Rs. Besar hiE dapat ditentukan berdasarkan analisis DC sebagai berikut Dari gambar 58 a. tegangan VB = R2 Vcc / (R2 + R1) VE = VB - VBE IE = VE / RE hiE = (26 mV hf E) / IE Dari gambar 58c penguatan arus dapat ditentukan Ai = iL / is sedang untuk iL = -hfE.ib / RC + RL ) ib = ri is ri + hiE tegangan VBE untuk Si 0,7 V ; Ge = 0,3 V

(b)

66

Bila disubstitusikan maka iL = {- hf E (RC / RC + RL ) }{ is ri / (ri + hiE)} masing masing dibagi dengan is maka
Ai = iL / is = {- hf E (RC / RC + RL ) }{ ri / (ri + hiE)}

Rc = h fE Rc + R L

ri ri + h iE

Penguatan tegangan dapat ditentukan sebagai berikut Av = vo / vi vo = (RC //RL) (- hf Eib ) untuk ib = vi / hiE maka vo = (RC //RL) (- hf E ) vi / hiE bila masing-masing dibagi vi didapatkan
Av = vo / vi = (- hf E ) (RC //RL) / hiE bila (RC //RL) = ro

Av = vo / vi =

(- hf E ) ro / hiE tanda minus menunjukkan terjadi beda phase 180 o

67

13. ANALISIS PENGUAT BERTINGKAT

Seperti telah disinggung pada bab sebelumnya bahwa transistor fungsi utamanya sebagai penguat. Banyak cara yang dilakukan supaya transistor mampu menguatkan sinyal input yang kecil menjadi output yang besar dengan tanpa terjadi cacat (distorsi) baik bentuk maupun phasenya. Namun demikian kemampuan sebuah transistor sangat terbatas sehingga keinginan untuk memperkuat setinggi mungkin tidak terpenuhi. Oleh karena itu penguat disusun lebih dari satu penguat, yang sering disebut penguat bertingkat atau cascade amplifier. Tujuan utama dari penguat bertingkat adalah untuk mendapatkan penguatan daya yang besar tanpa terjadi kecacatan pada outputnya. Susunan penguat bertingkat dapat berupa hubungan antara masing-masing susunan penguat satu dengan yang lain, misalnya CB dengan CE; CE dengan CC; CE dengan CE dan sebagainya disesuaikan tujuan dari penguat.
13.1. Hubungan Penguat Bertingkat

Hubungan penguat bertingkat dapat dilakukan secara deret (seri) atau jajar (paralel) atau seri parallel. Vi (2) Vo Vi
(1)

Vo(1) Vi Vo
(1)

Vi (1) Vo Vi (2) Vo(2) (b)

(2)

(a)

Gambar 59. Hubungan penguat a) seri b) paralel Untuk mendapatkan penguatan yang besar dari sebuah penguat bertingkat salah satu syarat adalah faktor kesimbangan (matching) impedansi antara penguat pertama dengan penguat selanjutnya yaitu besar impedansi output penguat pertama (Zo1) harus sama dengan besar impedansi input penguat kedua (Zi2) atau selanjtnya.

68

Utuk mendapatkan keseimbangan impedansi maka antara penguat pertama dan penguat selanjutnya dipasang penghubung (coupling). Macam-macam kopling adalah: 1. Kopling langsung ( direct coupling) 2. Kopling RC 3. Kopling RL 4. Kopling transformator Diantara ke 4 macam kopling tersebut kopling jenis RC yang paling banyak dipakai dengan alasan praktis karena dimensinya fisiknya kecil, dan ekonomis karena lebih murah dibanding serta dapat memblokir kerusakan pada tingkat selanjutnya. Kentungan kopling langsung memang lebih murah tetapi tidak bisa memblokir kerusakan penguat selanjutnya karena tidak ada komponen perantara sebagai penahan. Sehingga bila penguat pertama rusak, maka penguat selanjutnya akan mengalami kerusakkan juga.
13.2. Macam-Macam Kopling

Sedangkan kopling lainnya yaitu LC dan transformator dimensi fisik lebih besar sehingga memerlukan tempat yang luas. Transformator juga berfungsi sebagai selektivitas frekuensi untuk dikuatkan amplitudonya di tingkan berikutnya R R C

(a) R trafo L

(b)

(c)

(d) Gambar 60. Macam-macam kopling a) langsung b) RC c) LC d) transformator

69

13.3. Analisis penguat bertingkat berbagai susunan

Penguat 2 tingkat susunan CE dengan CE dengan kopling RC Penguat tersebut menerima input berupa sinyal arus is yang mempunyai tahanan dalamRs
+ VCC RC2 C3

is Rs

R1

ib1

IE

is

C1 R2 VBE vi VB1 RE1 CE1

RC1 ib2 C2

R3

R4

RE2 CE2

RL

iL

(a)
B1

ib1 hiE1 hf E1b1 E1

C1

B2

ib2

C2

is

Rs R2

R1

RC1

R4

R3 hiE2 RC2 hfE2ib2 E2

vo RL

RC2

iL

rb1 = Rs // R2 // R1

(b) rb2 = RC1 // R4 // R3

ro = RC2 // RL

Gambar 61. Penguat 2 tingkat CE dengan CE a) Rangkaian DC b) Rangk pengganti model h ideal Masing-masing besar hiE dapat ditentukan dengan cara mengacu gambar 51 a. Untuk hiE1 VB1 = R2 Vcc / (R2 + R1) VE1 = VB1 - VBE1 tegangan VBE untuk Si 0,7 V ; Ge = 0,3 V IE1 = VE1 / RE1 hiE1 = (26 mV hf E1) / IE1 Untuk hiE2 VB2 = R4 Vcc / (R4 + R3) VE2 = VB2 - VBE2 tegangan VBE untuk Si 0,7 V ; Ge = 0,3 V IE2 = VE2 / RE2 hiE2 = (26 mV hf E2) / IE2

70

Penguatan arus dapat dihitung sebagai berikut: Ai = iL / is = (iL / ib2) (ib2 / ib1) (ib1 / is) Masing-masing faktor dapat dihitung. iL= {RC2 / (RC2 +RL) }-hf E2ib2 ib2= {rb2 / (rb2 + hiE2)}-hf E1ib1 ib1= {rb1 / (rb1 + hiE1)} is Bila disubstutisikan (iL / ib2) = {RC2 / (RC2 +RL) }-hfE2 (ib2 / ib1) = {rb2 / (rb2 + hiE2)}-hf E1 (ib1 / is) = rb1 / (rb1 + hiE1) Maka Ai = iL / is = (iL / ib2) (ib2 / ib1) (ib1 / is )
Rc 2 Ai = h fE Rc + R L 2 rb2 rb + h iE 2 2 r ( hf E1 ) b1 r +r b1 b1

Bila hiE1 << rb1 Maka

hiE2 << rb2 dan RL << RC2

Ai = (-hf E1) (-hfE2) (1)

Pada penguatan 2 tingkan CE dengan CE bentuk gelombang output tidak terjadi beda phase terbukti hasil perkalian (-hf E1) (-hfE2) menghasilkan nilai positip. Bila mana beberapa penguat susunan CE mempunyai hfE yang sama disusun sampai jumlah n buah tingkat maka besar penguatan arus total adalah: Ai = (-hf E ) n bila n genap = tak terjadi beda phase Penguatan arus penguat cascade dapat dihitung juga dengan Ai = iL / is = (iL / ib2) (ib2 / is) atau Ai = Ai1 Ai2 Penguatan daya Ap = Ai Av = (Ai )2 ro/(rb1//hiE2 ) bila rb1//hiE1 = ri Ap = (Ai )2 (ro/ ri) Penguatan tegangan Av = Av1 Av2 = Ai (ro/ ri )

71

13.4. Penguat 2 tingkat susunan CE dengan CC dengan kopling RC

is vs IE Rs vi

R1

RC1 VBE1

IB2 VBE2 VB2 RE1 CE C2

RB2 C3 RE2

+ VCC

C1 VB1 R2

iL RL

(a) is vs
B1

Rs R2 VB1

ib1 hiE1 RC1

C1

B2

R1

RB2

VB2

E2 hiE2

hf E1ib1 E1 emitor bersama (CE) (b)

RE2

RL
C2

vo iL

kolektor bersama (CC)

rB1 = R2 // R1

ro = RL//{( RE2)( hf E2+1)}

Gambar 62. Penguat 2 tingkat CE dengan CC a) Rangkaian DC b) Rangk pengganti model h ideal Masing-masing besar hiE dapat ditentukan dengan cara mengacu gambar 55 a. Untuk mencari hiE1 VB1 = R2 Vcc / (R2 + R1) VE1 = VB1 VBE1tegangan VBEuntuk Si 0,7 V ; Ge = 0,3 V IE1 = VE1 / RE1 hiE1 = (26 mV hf E1) / IE1 Untuk menentukan hiE2 Vcc = IB2 RB2 + VBE2 + IE2 RE2
= ( IE2/ hf E2) RB2 + VBE2 + IE2 RE2 = IE2 {(RB2 / hf E2) + RE2 } + VBE2

IE2 = (Vcc - VBE2 ) / ( RB2 / hf E2) + RE2 hiE2 = ( hf E2 26 mV) / IE2

72

Penguatan tegangan
Vo Av = vo / vS = V B2 V B 2 i b1 ib1 vS

vo = vB2 {ro /( ro + hiE2)} vB2 ={ RC1 // RB2 // (hiE2 + ro ) }(- hf E1 ib1)} ib1 = vb1 / hiE1 vb1 = ( ri / ri + Rs) vS untuk ri = (rB1// hiE1) vo = {ro /( ro + hiE2)} {RC1 // RB2 // (hiE2 + ro ) }(- hf E1 / hiE1 ) ( ri / ri + Rs) vS bila masing-masing dibagi dengan vS maka didapatnak penguatan tegangan sebesar
ro vo / vS = Av = r +h iE o h fE (Rc1 // b 2 // hiE 2 + ro ) h iE1 r1 r1 + rs

13.5. Penguat susunan Darlington

Penguat Darlington adalah penguat 2 tingkat dengan kopling langsung. Kedua kolektor dihubungsingkatkan dan masing-masing transistor mempunyai jenis dan tipe yang sama. Bila kedua transistor mempunyai hfE sama maka besar penguatan total arusnya adalah (hfE) terintegrasi Cara kerjanya adalah apabila arus input ii bertambah maka akan menyebabkan iB1 naik diukuti iE1 juga naik. Oleh karena iE1 juga merupakan iB2 maka iB2 naik dan menyebabkan iE2 dan iC2 meningkat sekitar hfE1 hfE2 ii. Bila tahanan beban RL << RC penguatan arus sekitan hfE1 hfE2 Vcc iB1 R2 iC1 RC iC2 CC iE2
2

. Rangkaian tersebut juga banyak dilaksanakan dalam rangkaian

ii

R1

iE1=iB2

RE

CE

RL

(a)

73

B1 is

hiB1

E1= B 2 iB2 hiE2

C1 iB2

C2 iB2hfE2 RE

iL RL

Rb= R2// R1

(b) Gambar 63. Penguat Darlington a) Rangkaian DC b) rangkaian pengganti model h ideal Berdasarkan gambar 52 a. VCE2 = VCE1 + VBE = VCE1 +0,7 pada kondisi iC2 >> iC1 karena iC1 iB2 Vcc = VCE2 + RE {iC2 + (iC2 / hfE2 )} + iC2 RC VB1 = 1,4 + iC2 RE atau VB1 = R1Vcc/ R2+ R1 Rb = (R2// R1 ) VCE1 = VCE2 - VBE= VCE2 0,7 IC1 = IC2 / hfE2 Analisis penguatan arus diperoleh dengan merefleksikan rangkaian basis dari transistor pertama ke dalam rangkaian emitor dan rangkaian emitor dari transistor kedua kedalam rangkaian basis seperti terlihat pada gambar 56 b Besar penguatan arusnya adalah Ai = iL / ii = (iL / iB2 ) ( iB2 / ii ) iL = ( Rc / RC+RL) (- hfE2 iB2 ) iB2 = ii (Rb /{Rb +( hiB1+ hiE2)} Ai = iL / ii =

Rc Rb ( hf E 2 ). Rc + RL Rb + (hi B1 + hi E 2 ) IE1 = IE2 / hfE2

Masing-masing hiE dapat dicari IE2 = hfE2 IE1 atau hiE1 = hiB1 = 26 mV / IE1
hiE2 = hfE2 26 mV / IE2 26 mV / IE1 = hiB1

74

14. FET (FIELD EFFECT TRANSISTOR)

Gambar 56 MOSFET Kontak terminal Area Drain/Source Area Gate Substrate : Metal : n+ atau p+ : SiO2-polysilicon : p atau n (well)

Gambar 57. Kanal pada MOSFET tipe - n Karakteristik iD vs vDS untuk vDS kecil

Gambar 58. karakteristik iD VS VDS untuk DS kecil

75

Karakteristik Arus dan Tegangan Pinch 0ff

Gambar 59. karakteristik Arus dan Tegangan Pinch Off Struktur Complementary MOSFET (dengan p-well)

Gambar 60 Struktur MOSFET (dengan p-Well) Simbol N MOSFET

Gambar 61. Simbol mosfet

76

14.1. Mode Operasi MOSFET

Gambar 62 Kurva iD VS VDS Persamaan Arus MOSFET tipe n

Gambar 63 iD VS VGS vGS < Vt vGS Vt Triode Saturasi iD = 0 vDS < vGS -Vt vDS vGS -Vt Cutoff iD = K [2(vGS-Vt) vDS - vDS2] iD = K[vGS-Vt]2 iD 2K (vGS-Vt) vDS] rDS vDS/iD = [2K(vGS-Vt)]K = 1/2 n COX (W/L)

Triode vDS kecil

77

Modulasi Panjang Kanal

Gambar 64. Kurva Operasi MOSFET vDS vGS Vt Resistansi output vGS konstant ro [ ID ]-1 [ VAID ] iD = K[vGS-Vt]2 [1 + vDS]
-1

ro [iD/vDS] = [ K (vGS-Vt)2 ]-1

Gambar 65 Rangkaian ekivalen N-mos Persamaan Arus MOSFET tipe p

Gambar 66. Simbol P-Mos Dan Operasinya

78

vGS < Vt vGS Vt Triode Saturasi

iD = 0 vDS < vGS Vt vDS vGS Vt

Cutoff iD = K [2(vGS-Vt) vDS - vDS2] iD = K[vGS-Vt]2

K = 1/2 p COX (W/L) p n

Gambar 67. Tegangan P-aios MOSFET tipe n Deplesi

Gambar 68. Neous Tipe Depleksi

IDSS = K Vt2 Gambar 69. Kurva N-Mos Tipe Depleksi

79

Gambar 70. Operasi Kerja N-mos Tipe Depesi

Gambar 71 Kurva N-Mos Untuk Semua Tipe Junction FET

Gambar 72 Juncsion FET

80

Pinchoff pada Junction FET

Gambar 73 Pinch Off Pada Junction FET

Gambar 74 Kondisi Depleksi Karakteristik i-v JFET

IDSS = K Vt2 = K VP2

81

Gambar 75 Kondisi I-V J-FET trioda vDS vGS-VP ID = K [2(vGS-VP)vDS -vDS2] ID = IDSS [2(1-vGS/VP)(vDS/VP)-(vDS/VP)2] Saturasi 1/VA vDS>vGS-Vt ID = IDSS (1-vGS/VP)2 (1+ vDS)

14.2. Analisis Grafis Amplier FET

82

Gambar 76. Analisis Penguat FET Untuk Input Yang Berbeda Analisis Aljabar Amplier FET Arus dan tegangan DC FET ID = K(VGS-Vt)2 VD = VDD RD ID Arus lengkap DC FET iD = K(vGS-Vt)2 = K(VGS+vgs-Vt)2 = K(VGS-Vt)2 + 2K(VGS-Vt)vgs +K vgs2 Bila vgs << (VGS-Vt), maka iD K(VGS-Vt)2 + 2K(VGS-Vt)vgs dan dengan iD = ID + id maka id = 2K(VGS-Vt)vgs dan transkonduktansi untuk sinyal kecilnya didapat: gm id/vgs = 2K(VGS-Vt) atau atau gm =n COX W/L (VGS-Vt) gm =( n COX W/L ID)1/2 vD = VD RD id vd = - RD id = - gm RD vgs vd/vgs = - gm RD

Penguatan tegangan vD = VDD RD iD = VDD RD (ID + id)

83

Gambar 77. Rangkaian Pengganti Sinyal Kecil FET Rangkaian Pengganti Sinyal Kecil FET

MOSFET JFET Resistansi output

gm =( n COX W/L ID)1/2 gm =2 IDSS /|VP| ( ID/IDSS)1/2 ro |VA|/ID

Gambar 78. Rangkaian Pengganti

84

Daftar Pustaka
1. D Chattopadhyay , Sutanto, Dasar Elektronika, Penerbit Universitas Indonesia. 1989, Jakarta 2. John D Ryder Electronic Fundamental and Aplication Integrated ang discrete Symtem 1981, Prentice Hall, New Delhi. 3. Malvino, Transistor Circuit Approximations, 1981, Tata Mc Graw-Hill Newdelhi 4. Robert Boyslestad, Louis Nashelky Elexctronic Devices and Circuit Theory fifth edition, 1992, Prentice Hall International, Inc. New Jersey 5. Schilling and Belove Electronic Circuit Discrete and Integrated International Student Edition, 1993, Mc Graw-Hill Kogakusha

85