.

TRANSISTORES BJT Y FET - AMPLIFICADORES

Juan Camilo Quiceno Bravo u1801512@unimilitar.edu.co
Ecuaciones Exactas: RTH = R1//R2 (1) VTH = R2.VCC/( R1 + R2) (2) IB = VTH VBE/ RTH + ( + 1)RE (3) IC = IB (4) IE = (+ 1)IB (5) VCE = VCC IC(RC + RE) (6) Ecuaciones Aproximada: Si cumple RE 10R2 VB = R2VCC/ R1 + R2 (7) VE = VB VBE (8) IE =VE/RE (9) IB = IE / +1 (10) VCE = VCC IC (Rc +RE) (11) QDC = VCEQ / VCC

En el siguiente escrito se especificaran, conceptos bsicos y claves para el comportamiento de los transistores, cuando estn en su punto mximo de trabajo, en este caso analizando los parmetros que se necesitan para amplificar seales. PALABRAS CLAVE: Polarizacin inversa, polarizacin directa, punto de trabajo, zona saturacin, zona de corte, parmetros, amplificacin de seal, ganancia de voltaje, ganancia de corriente, impedancias de entrada y salida, desfasaje, desacoples, resistencia de carga, amplificadores multi-etapa.

RESUMEN:

1 INTRODUCCIN
El contenido est dirigido en el entendimiento de la funcionalidad de los transistores, su aplicacin en al amplificacin, sus parmetros respectivos para deducir analticamente, como resolver un problema con transistores.

2.2 POLARIZACIN BASE COMUN

2 TRANSISTORES BJT
Es un conjunto de pastillas tipo p y tipo n, que tienes unas propiedades elctricas cuando a travs de ellos se hace fluir corriente, ya sea npn o pnp, hay que tener en cuenta que el transistor requiere una cierta polarizacin, entre base y emisor una polarizacin inversa, y entre base y colector un polarizacin directa, adems posee un valor denominado Beta, que relaciona la corriente de Base y la corriente de emisor.

2.1 POLARIZACIN POR DIVISOR VOLTAJES EMISOR COMUN

DE

Dibujo 2. Polarizacin Base comn

Se tiene en cuenta que en este modo de polarizacin, se trata de eliminar que las corrientes del transistor no dependan directamente de beta, sino de la resistencias de RB, tiene una configuracin como la siguiente:

Se tiene en cuenta que la entrada de la seal es por el emisor y la salida por el colector, se debe tener en cuenta la configuracin de la figura anterior, y as deducir las ecuaciones: VCB = VCC VBB IC [Rc- RB/] (12) VBB = VCCR2/ R1 + R2 (13) RB = R2//R1 (14) IC = IE = VCC VCE / (RC RB/ ) (15)

Dibujo 1. BJT Polarizado

2.3 POLARIZACION COLECTOR COMUN

2.4.1 AMPLIFICADOR EMISOR COMUN

Dibujo 3. Polarizacion Colector Comun Se debe tener en cuenta que esta configuracin omite la resistencia RC, y la seal entra por la base y sale por el colector, deduciendo as las siguientes ecuaciones: VCE = VCC ICRE sin divisor de voltaje (16) VCE = VBB - VBE / RB/ + RE (17) VBB = VCCR2/ R1 + R2 RB = R2//R1

Dibujo 4. Amplificador E-C BY-PASS Esta configuracin, se denomina Emisor comn, con By-Pass, esta interpretacin deduce unas ecuaciones que son las siguientes: Zi = RB//RC Zo= Rc Av = - Rc/ re Ai = Av.Zi /Rc (21) (22) (23) (24)

2.4 PARAMETROS re
Es uno de los mtodos que se requieren para entender y analizar el funcionamiento real del transistor BJT, frente a una seal AC. En esta seal se determinan, nueva variables que identifican el funcionamiento del transistor ante una seal AC, esta son el voltaje de entrada(Vi), el voltaje de salida(Vo), adems cuenta con una impedancia de entrada (Zi), y una impedancia de salida (Zo).

Dibujo 5. Amplificador E-C Sin BY-PASS Esta configuracin tiene algo particular y es que esta sin el condensador, a lo que se le denomina sin By-Pass, y esta tiene otros puntos de vista, con las que tenemos las siguientes ecuaciones: Zi = RB // re + RE (22) Zo = Rc Av =- Rc / (re + RE ) (23) Ai = Av.Zi /Rc (24)

Av = Vo/Vi (18) Ai = Io / Ii (19) Hay que definir q nuestro parmetro, se define el transistor como una resistencia a la que se le denomina Re dinmica simbolizada asi (re). re = 26mV / IB (20)

A continuacin tenemos otra posibilidad, de configuracin de emisor comn, con una resistencia de carga (RL), a la salida del circuito.

Zi = R1//R2 Zo= re Av = RE / re + RE 1 (32) Ai = Av Zi / RE//RL (33) 2.4.3 AMPLIFICADOR BASE COMUN En este tipo de configuracin, la entrada es por el emisor y la salida es por el colector, tiene caractersticas parecidas cuando se trabaja con By-Pass, sin By-Pass, y con la resistencia de carga RL. Y la configuracin es la siguiente:

Dibujo 6. Amplificador E-C con RL A continuacin se pondrn las ecuaciones correspondientes a esta configuracin. *Con By-Pass Zi = re // (R1//R2) Zo = Rc//RL //re Av = - Rc//RL / re Ai = Av Zi / RL *Sin By-Pass Zi = (re + RE) // (R1//R2) Zo = Rc//RL //re + RE Av = - Rc//RL / re + RE Ai = Av Zi / RL (25) (26) (27) (28) (29) (30) (31) Dibujo 8. Amplificador Base-Comun Ah que tener una relacin acerca del y el , que relacionan las corrientes del transistor de la siguiente manera: = Ic/IB (34) = Ic/IE (35) Haciendo, operaciones algebraicas deducimos una relacin adicional: = / 1 (36) = / +1 (37) Ahora si analizando la ganancia de voltaje y la ganancia de corriente, con sus impedancias definidas asi: *Con By-Pass sin RL Zi= RE // re (38) Zo= Rc Av = Rc / re (39) Ai = Av Zi / Rc *Con By-Pass con RL Zi=RE//re Zo= Rc//RL Av =- Rc//RL / RE (40) Ai= Av Zi / RL (41)

2.4.2 AMPLICICADOR COLECTOR COMUN Esta configuracin es muy usada, cuando se quiere amplificar corriente, el voltaje tiende a ser 1.

Dibujo 7. Amplificador C-C con RL

2.5 PARAMETROS HIBRIDOS (Parmetros h)

Los parmetros hbridos se caracterizas por relacionar cuatro variables, la tensin y corriente de entrada y las de salida, deducidas del siguiente diagrama.

2.6.1 EN CASCADA

Dibujo 9. Circuito Equivalente para parmetros h Se definen las siguientes ecuaciones: Vi = h11 .Ii + h12 Vo (42) Io = h21 + h22.Vo (43) hi= h11 => Resistencia de entrada del transistor hr = h12 => Ganancia de tensin inversa del transistor hf = h21 => Ganancia directa de corriente del transistor ho= h22 => Conductancia de salida del transistor *Hago corto circuito a la salida para hallar h11 Vo=0. H11 = Vi/Ii => Vo=0 Da en OHMIOS *Hago la corriente Io=0 eso es un circuito abierto, para hallar h12 H12 = Vi/Vo => Ii=0 *Hago corto circuito a la salida para halla h21 Vo=0 H21 = Io/Ii *Hago la corriente Ii=0, para hallar h22 H22 = -Io/ Vo => Da en Siemens Hay que definir, hie = (1 + )hib (44) hib = hic (45) hfe = (46)

Dibujo 10. Circuito Multi-etapa E-E En este tipo de configuracin, solo se tiene en cuenta: Av = Av1 * Av2 (47) 2.6.2 EN CASCODE

Dibujo 11. Circuito Cascode E-E En el anterior circuito ah que, la resistencia de emisor que conecta con el colector del transistor de entrada, ya que se define el siguiente parmetro: Av1 = ZL/re => re/ re 1 Av2 = ZL / re => Rc//RL (48) (49)

2.6 AMPLIFICADORES MULTI-ETAPA

Es la misma analoga, de los transistores solos, pero en este caso, se van a multiplicar o tener en cuenta la configuracin.

AvT = Av1 * Av2

3 TRANSISTORES FET
Este transistor, la relacin de entrada y salida, no es lineal con respecto al BJT, ya que por medio de la ecuacin de Shockley, teniendo un trmino al cuadrado.

Con esta configuracin se denotan, la siguientes ecuaciones para encontrar el VGS y poder trazar la lnea solucin con la curva caracterstica del FET, de esta manera: VG = R2 VDD / R1 + R2 (52) VGS = VG IDRs (53)

3.1 ECUACION DE SHOCKLEY

Es la forma matematica, de relacionar la funcin de transferencia, esta nunca puede dar negativa, y tener en cuenta que el IDSS no puede superar al ID ID = IDSS [1 (VGSQ/VGSOFF)]2 (50)

Dibujo 14. Recta Solucin para hallar VGSQ Para poder hallar el punto de trabajo necesitamos, hallar primero VDS, sea: VDS = VDD ID( RD + Rs) (54)

Dibujo 12. Grafica caracterstica del FET Teniendo en cuenta la funcin de transferencia podemos encontrar la transconductancia (gm), definida as: gm = ID / VGS gm = - 2IDSS [1 ((VGSQ/VGSOFF)]/ VGSOFF (51)

Nuestro punto de trabajo se halla, con la siguiente relacin: QDC = VDS / VDD (55)

3.3 PARAMETROS FRECUENCIAS DE

FET

BAJAS

3.2 POLARIZACION POR DIVISOR VOLTAJE SOURCE COMUN

3.3.1 AMPLIFICADOR SOURCE COMUN

Dibujo 14. Amplificador Source Comun Dibujo 13. Polarizacin FET Divisor de Voltaje

Para este tipo de configuracin, pero con transistores FET, tiene similitud a los BJT, de esta manera podemos encontrar, las ganancias de voltaje, y corriente, adems de esto las impedancias tanto de entradas como de salida, a continuacin la definicin de las ecuaciones: Zi = R1 // R2 (56) Zo = rd // RD (57), si rd 10RD , se cumple que Zo= RD (58) Av = -gm (rd // RD) (59), ), si rd 10RD, entonces, Av= -gm RD (60) 3.3.2 AMPLIFICADOR GATE COMUN

A continuacin, las ecuaciones que describen el comportamiento del transistor: Zi= R1//R2 Zo= Rs//(1/gm) Av =gmRs/ (1 + gmRs) (64) Ai = Av RG /RL (65)

4 TRANSISTORES MOSFET
Estos transistores, tienen la mismo funcionamiento del FET, solo que este tiene la caracterstica, de que el material P, esta separado por un Oxido(SiO), en el cual se genera un transmisin de huecos electrones dependiendo de la polarizacin, a este tipo de transistores se le puede polarizar con voltajes positivos.

Dibujo 15. Amplificador Compuerta Comn Para esta configuracin se tienen, las mismas condiciones que en el anterior, deduciendo las siguiente ecuaciones: Zi = RS /gm / (1/gm + RS) (61) si rd 10RD, Zi = Rs/(1/gm) (62) Zo = rd // RD ,si rd 10RD , se cumple que Zo= RD Av= gm RD (63) 3.3.3 AMPLIFICADOR DRAIN COMUN Dibujo 17. Polarizacin MOSFET Solo Estrechamiento Se tienen las mismas ecuaciones, como si se tratara de un mismo JFET.

4.1 MOSFET DE SOLO ENSANCHAMIENTO

Dibujo 16. Amplificador Drenaje Comn

Dibujo 18. MOSFET, de Ensanchamiento

El tratamiento que tiene este transistor varia, en su ecuacin de ID, de esta manera: Sabiendo que VGS(TH), es el voltaje de umbral ID = k [VGSQ VGS(TH) ]2 (66)

Zif = Zi ( 1 + AB) (71) Zof = Vi / Io (72) Vi/Io = Zo/ (1 + AB) (73)

6 REFERENCIAS
[1] Ejercicios tomados del desarrollo de la clase, escogidos y desarrollados por el Ingeniero Jorge Forero. [2] Electronica Teoria de Circuitos y Dispositivos Electronicos / R.L Boylestad - L.Nashelsky /Pearson Education / 8va Edicion. [3]Diseo Electronico /C.J. Savant Martin S. Roden/ Prentice Hall / 3ra Edicion.

Dibujo 19. Curva Caracteristica de MOSFETEnsanchamiento. Sabiendo que la constante k; K = (Iencendido/ [VGS VGS(TH)]2) (67)

Y que la transconductancia, queda de esta manera; Gm = 2k [VGS VGS(TH)]2 (68)

5 RETROALIMENTACION TRANSISTORES

EN

Para este tema, se trata como unas celdas el amplificador solo, ya que en este caso colocaremos una realimentacin, que van a ser un conjunto de resistencias, que permitirn el mejoramiento del transistor aunque, su amplificacin y ganancia de voltajes, disminuyan proporcionalmente, al objeto de realimentacin.

Dibujo 20. Esquema de la Realimentacin Af = Vo / Vs Av = Vo/Vi (69) Vo/Vs = A/ 1 + AB (70)