Apostila de Fisica EAD - Eletricidade, Magnetismo e Física Moderna

Eletricidade, Magnetismo & Fsica Moderna
Contedo do curso
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1. Captulo 1, A lei de Coulomb 2. Captulo 2, O campo Eltrico 3. Captulo 3, A lei de Gauss 4. Captulo 4, Potencial Eltrico 5. Captulo 5, Capacitncia e Capacitores 6. Captulo 6, Corrente & Resistncia 7. Captulo 7, Circuitos Eltricos 8. Captulo 8, O Campo Magntico 9. Captulo 9, A lei de Ampre 10. Captulo 10, A lei de Faraday 11. Captulo 11, Oscilaes Eletromagnticas 12. Captulo 12, Equaes de Maxwell
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www.if.ufrgs.br/tex/fis142
http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/mod00/index.html [13/03/2004 16:14:15]
Eletricidade & Magnetismo
Contedo do curso
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1. Captulo 1, A lei de Coulomb 2. Captulo 2, O campo Eltrico 3. Captulo 3, A lei de Gauss 4. Captulo 4, Potencial Eltrico 5. Captulo 5, Capacitncia e Capacitores 6. Captulo 6, Corrente & Resistncia 7. Captulo 7, Circuitos Eltricos 8. Captulo 8, O Campo Magntico 9. Captulo 9, A lei de Ampre 10. Captulo 10, A lei de Faraday 11. Captulo 11, Oscilaes Eletromagnticas 12. Captulo 12, Equaes de Maxwell
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Captulo 1
Captulo 1 - A LEI DE COULOMB

Contedo do Captulo
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Processos de Eletrizao Condutores e Isolantes Fora Eletrosttica Exemplo Exerccios
Captulo 2
Capitulo 2 - O CAMPO ELTRICO

Contedo do Captulo
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Ao a distancia Linhas de Fora Campo de um Dipolo Eltrico Exemplo Exerccios
Captulo 3 - A Lei de Gauss

Captulo 3
Contedo do Captulo
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Fluxo do Campo Eltrico A lei de Gauss A lei de Gauss e a Lei de Coulomb Campo de uma Carga Puntiforme Distribuio Esfericamente Simtrica Esfera Condutora Esfera Dieltrica Distribuio Linear Infinita Plano Infinito de Cargas Exerccios
Captulo 4
Capitulo 4 - POTENCIAL ELTRICO

Contedo do Capitulo
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Energia Potencial Potencial Potencial de uma carga puntiforme Potencial de um dipolo Potencial acelerador Gradiente de potencial Exerccios
Captulo 5
Captulo 5 CAPACITNCIA E CAPACITORES

Contedo do Captulo
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Componentes Eltricos & Eletrnicos Definies Capacitor de placas paralelas Capacitor cilindrico Capacitor esferico Associao de capacitores Capacitores com dieltricos Armazenando energia num campo eltrico Exemplo Exerccios
Captulo 6
Captulo 6 - CORRENTE & RESISTNCIA

Contedo do Captulo
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Modelo Microscpico Corrente Eltrica Resistncia, Resistividade e Conductividade Lei de Ohm Energia e Potencia Unidades no Sistema SI Exemplo Exerccios
Captulo 7
Captulo 7 - CIRCUITOS ELTRICOS

Contedo do Captulo
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Lei dos Ns & Lei das Malhas Lei das Malhas (Lei de Kirchhoff) Lei dos Ns Circuitos com mais de uma Malha Exemplo Circuito RC Srie Exerccios
Captulo 8
Captulo 8 - O CAMPO MAGNTICO

Contedo do Captulo
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A fora de Lorentz A descoberta do Eletrn O Efeito Hall Movimento de uma carga num Campo Magntico Fora sobre uma Corrente Fora sobre uma Espira de Corrente Unidades Exemplo 8.1 Exemplo 8.2 Exerccios
Captulo 9
Captulo 9 - A LEI DE AMPRE

Contedo do Captulo
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A Descoberta de Oersted Campo de um fio retilneo infinito Cilindro Infinito Interao entre fios infinitos paralelos Campo de um Solenide Exemplos Exerccios
Captulo 10
Captulo 10 - A LEI DE FARADAY

Contedo do Captulo
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Induo Eletromagntica Leis de Faraday e Lenz Exerccios
Captulo 11
Captulo 11 -OSCILAES ELETROMAGNTICAS

Contedo do Captulo
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Indutncia Indutncia de um Solenide Auto-induo Circuito RL Densidade de Energia em Campos Eltricos e Magnticos Circuito LC Circuito RLC Freqncia Natural Exerccios
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Captulo 12
Captulo 12 - EQUAES DE MAXWELL

Contedo do Captulo
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Equaes de Maxwell Exerccios
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We encountered an issue while trying to automatically install Java software onto your machine. As a result, Java software was not installed properly. You may not have the right system requirements to support Java software (see the box below). Most other issues can be resolved. Please consult the Help or FAQ sections for assistance. If the Java software has not begun downloading automatically, you may want to perform a manual download.
System Requirements
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Sun Microsystems, Inc | Legal Notices | License | Developers
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CAPES / MEC
Sbado, 13 de maro de 2004
INFORMAES Pr-Coleta Professor Est disponvel o Pr-Coleta Professor 2.5. POSSE Jorge Almeida Guimares toma posse na presidncia da Capes Programa de Qualificao Institucional - PQI Acesse o formulrio referente ao Relatrio de Atividades Cincias Agrrias Acesse os critrios de avaliao para a grande rea (2001-2003)e os critrios especficos para avaliao de cursos novos e programas de psgraduao entre Instituio de Ensino Superior (IES) e Instituto de Pesquisa (IP). Coleta de Dados A Diretoria de Avaliao informa que o prazo de entrega dos dados da Coleta relativos a 2003, assim como o re-envio dos dados de 2001 e 2002 dia 31 de maro de 2004, no havendo possibilidade de adiamento. Trata-se de um ano de Avaliao que atribuir conceitos e o cronograma j estabelecido para a realizao do processo deve ser seguido. Aplicativo A Coordenao de Acompanhamento e Avaliao disponibiliza a cartaconsulta sobre proposta de cursos de mestrado e doutorado. Comisso Mista Capes/CNPq Apresentao do Relatrio Final (Sumrio Executivo)
CAPES ALERTA Programa PICDT Informamos aos bolsistas do Programa PICDT, que os pagamentos referentes aos meses de Janeiro e Fevereiro/2004 j esto sendo regularizados. Entrevista de Candidatos a Bolsa de Doutorado no Exterior CAPES realiza a ltima etapa da seleo dos candidatos a bolsas de doutorado no exterior. Mestrados e Doutorados sem validade. So consideradas ilegais, no Brasil, as atividades acadmicas das instituies de ensino estrangeiras que no tenham sido reconhecidas pelo MEC. Leia a ntegra da notcia. Resoluo CNE/CES 001/2001 alterada pela Resoluo CNE/CES 24/2002. Novos prazos para solicitao de reconhecimento dos programas e necessidade de autorizao do MEC para instalao de convnios entre IES brasileiras e estrangeiras que ofertem mestrados/doutorados associados so as novidades. Confira o texto.
http://www.capes.gov.br/ [13/03/2004 16:15:28]
Antes de Comenar
Informaes Gerais
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Introduo Exigncias de hardware e software
Introduo
O curso est formatado de acordo com a pedagogia construtivista, a partir de uma abordagem baseada na soluo de problemas. O contedo distribudo em 12 captulos. Para acess-los, diriga-se ao sumrio O contedo explorado atravs de uma variedade de objetos de aprendizagem interativos. Ao final apresenta-se uma lista de exerccios. Alguns objetos de aprendizagem foram extraidos ou adaptados dos seguintes autores, que permitiram seu uso nas condies desta disciplina. Wolfgang Christian, editor da pgina Physlets. Michael W. Davidson, editor da pgina Molecular Expressions: Electricity and Magnetism Walter Fendt, editor da pgina Java Applets on Physics
Exigncias de hardware e software

Para maior eficincia, convm observar os seguintes aspectos: 1. Nestcape Navigator ou Microsoft Internet Explorer so os navegadores mais apropriados. Eles podem ser obtidos livremente na web. 2. Para as animaes, seu navegador tem que suportar Java.
Exigncias de Hardware
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Antes de Comenar
PC com procesador de 90 MHz ou superior. 16 Mb RAM ou superior. Monitor SVGA ou compatible. Resoluo mnima de 800x600 (recomendado 1024x768) pixels. Modem de 28.8 kbps ou superior
Exigncias de software
Nestcape Navigator (Verso 4.0 ou superior). Use este endereo http://www.nestcape.com para carreg-lo. Microsoft Internet Explorer (Verso 4.0 ou superior). Use este endereo http://www.microsoft.com/ie/ para carreglo. Plugin de Java - Applets http://www.java.com/en/download/windows_automatic.jsp.
http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/mod00/antes_de_comencar_01.html (2 de 2) [13/03/2004 16:15:31]
Physlets Home Page
Welcome to the Physlets resource page. Physlets, Physics Applets, are small flexible Java applets designed for science education. You do not need to become a Java expert in order to use Physlets. The links on the right contain tutorials, download instructions, and example problems to help you use Physlets in your teaching.
Physlets run on the Mac using OS X Panther and the latest Safari browser.
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For a CD containing over 800 ready to run Physlet-based Illustrations, Exercises, and Problems see the Physlet Physics book. For an introduction to scripting see thee Physlet book. This book will soon be available in Spanish! For a discussion of how to use Physlets with Just-in-Time Teaching see the JiTT book. To learn more about Physlets you may want to:
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Attend a Physlet workshop. Preview Physlet Physics, a book of ready to run Physlet-based Illustrations, Explorations, and Problems. Search the Kaiserslautern Physlet database. Sign up on the Physlet list-server.
The Physics Teacher recently contained a feature article describing the Optics Bench Physlet. Examples from this article are available on the the Physlet Resource site.
The applet on the right is a Physlet. It simulates the relativistic and nonrelativistic Doppler effect. Send questions or comments about this site to Wolfgang Christian: wochristian@davidson.edu
http://webphysics.davidson.edu/Applets/Applets.html (1 de 2) [13/03/2004 16:16:09]
Physlets Home Page
Since 2/1/2001 This PIRA Webring site is owned by Wolfgang Christian. < prev | List Sites | next >
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Molecular Expressions: Images from the Microscope
Galleria License Info Image Use Custom Photos Partners Site Info Contact Us Publications Home
Welcome to the Molecular Expressions website featuring our acclaimed photo galleries that explore the fascinating world of optical microscopy. We are going where no microscope has gone before by offering one of the Web's largest collections of color photographs taken through an optical microscope (commonly referred to as "photo-micro-graphs"). Visit our Photo Gallery for an introductory selection of images covering just about everything from beer and ice cream to integrated circuits and ceramic superconductors. These photographs are available for licensing to commercial, private, and non-profit institutions.
Powers of Ten - Soar through space starting at 10 million light years away from the Milky Way down through to a single proton in Florida in decreasing powers of ten (orders of magnitude). Explore the use of exponential notation to understand and compare the size of things in our world and the universe. Olympus FluoView Laser Scanning Confocal Microscopy - The new Olympus FluoViewTM FV1000 is the latest in point-scanning, point-detection, confocal laser scanning microscopes designed for today's intensive and demanding biological research investigations. Excellent resolution, bright and crisp optics, and high efficiency of excitation, coupled to an intuitive user interface and affordability are key characteristics of this state-of-the-art optical microscopy system. Purchase Nikon's Small World 2004 Calendar - The Nikon Small World 2004 Calendar is printed in full color on 8.5 x 11 semi-gloss paper and spiral bound for mounting on the wall. Included in the calendar are the top 20 prize winners and thumbnail images from all of the 17 honorable mentions. Winning entries included several images of rat and mouse brain cells, nematode worms, a computer chip, muscle cells, a diatom, snowflakes, plant hair cells, thin films, and chemical crystals. This year's contest drew entrants from 46 countries, as well as from a diverse range of academic and professional disciplines. Winners came from such fields as chemistry, biology, materials research, botany, and biotechnology. Microscope: Basics and Beyond (50 pages; 20.7 Mbytes) - Download the latest PDF edition of Mortimer Abramowitz's renowned introduction to optical microscopy in full color. The volume covers all of the important basic concepts, ranging from simple magnifiers to complex compound microscopes, including illumination, objectives, eyepieces, condensers, aberration, Khler illumination, resolution, numerical aperture, and depth of field. Numerous appendices review focusing of the microscope and oil immersion, and contain useful numbers, formulas, and a short bibliography. The Olympus MIC-D Digital Microscope - Olympus has thrown the doors open to a new era in optical microscopy education with the introduction of the MIC-D inverted digital microscope. Designed specifically for a wide spectrum of applications ranging
The Galleries: Photo Gallery Silicon Zoo Pharmaceuticals Chip Shots Phytochemicals DNA Gallery Microscapes Vitamins Amino Acids Birthstones Religion Collection Pesticides BeerShots Cocktail Collection Screen Savers Win Wallpaper Mac Wallpaper Movie Gallery
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from basic classroom instruction to more advanced laboratory analysis, this versatile microscope features a palette of contrast enhancing techniques that rival many research-level instruments. Nikon MicroscopyU - The MicroscopyU website is designed to provide an educational forum for all aspects of optical microscopy, digital imaging, and photomicrography. Together with the scientists and programmers at Molecular Expressions, Nikon microscopists and engineers are providing the latest state-of-theart information in microscope optics and imaging technology including specialized techniques such as fluorescence, differential interference contrast (DIC), phase contrast, reflected light microscopy, and microscopy of living cells. We invite you to explore MicroscopyU and discover more about the exciting world of optics and microscopy. Burgers 'n Fries - Join us for a microscopic examination of America's culinary favorite: the ubiquitous hamburger and French fries. Discover how this delightful classic is just as beautiful as it is tasty. Chemical Crystals - Chemical compounds can exist in three basic phases, gaseous, liquid, or solid. Gases consist of weakly bonded atoms and expand to fill any available space. Solids are characterized by strong atomic bonding and have a rigid shape. Most are crystalline, having a three-dimensional periodic atomic arrangement. Some, such as glass, lack this periodic arrangement and are noncrystalline, or amorphous. Liquids have characteristics that fall in between gases and solids. This cinemicrographic collection presents time-lapse movies of various chemical compounds as they change physical states. Scanning Electron Microscopy - We have teamed up with award-winning electron microscopist Dennis Kunkel to produce a virtual Scanning Electron Microscope (vSEM). Visitors can adjust the focus, contrast, and magnification of microscopic creatures viewed at thousands of times their actual size. Laser Scanning Confocal Microscopy - (approximately a 30 second download on 28.8K modems) Several methods have been developed to overcome the poor contrast inherent with imaging thick specimens in a conventional microscope. Specimens having a moderate degree of thickness (5 to 15 microns) will produce dramatically improved images with either confocal or deconvolution techniques. The thickest specimens (20 microns and above) will suffer from a tremendous amount of extraneous light in out-of-focus regions, and are probably best-imaged using confocal techniques. This tutorial explores imaging specimens through serial z-axis optical sections utilizing a virtual confocal microscope. Stereoscopic Zoom Microscopy - Many stereoscopic microscopes feature the ability to perform a continuous magnification change by means of a zoom lens system placed between the objective and the eyepieces. Explore zoom magnification, focus, and illumination intensity in stereoscopic microscopes with this interactive Flash tutorial. Java-powered QX3 Computer Web Microscope - This virtual QX3 microscope is broadcasting images over the Web at 20 frames/second, which can be viewed in a specially designed Java client run through your Web browser at frame rates up to 18 frames/second. No additional software is needed, but don't try this unless you have a fast connection (10 Mbits/sec Ethernet or higher). With this software, you can
capture single digital images, record movies, and perform time-lapse cinematography experiments. Museum of Microscopy - Featuring 3-D Studio Max drawings of ancient microscopes, this unique gallery explores many of the historic microscopes made during the last four centuries. Visit the gallery and download a copy of our Windows screen saver containing selected images of these beautiful microscopes. Silicon Zoo - This popular gallery features images of cartoon characters and other doodling placed onto computer chips by their designers. Featured Microscopist - Our featured microscopist for Spring 2002 is noted Dutch photomicrographer Loes Modderman. Born in Amsterdam in 1944, Modderman received her first microscope by age 13 and has never lost her sense of wonder at the minute beauties available with this instrument. Many years ago, Loes initiated a series of chemical crystallization experiments, which allowed her to meld longtime interests in nature, art, science, and photography to form her abstract photomicrographs into a colorful celebration of form and structure. A wide spectrum of these photomicrographs are featured in this gallery. Cell and Virus Structure - Although the human body contains over 75 trillion cells, the majority of life forms exist as single cells that perform all the functions necessary for independent existence. Most cells are far too small to be seen with the naked eye and require the use of high-power optical and electron microscopes for careful examination. Fluorescence Microscopy Digital Image Gallery - Featuring specimens collected from a wide spectrum of disciplines, the fluorescence gallery contains a variety of examples using both specific fluorochrome stains and autofluorescence. Images were captured utilizing either a Nikon DXM 1200 digital camera, an Optronics MagnaFire Peltier-cooled camera, or classical photomicrography on film with Fujichrome Provia 35 millimeter transparency film. Pond Life - Freshwater ponds provide a home for a wide variety of aquatic and semiaquatic plants, insects, and animals. The vast majority of pond inhabitants, however, are invisible until viewed under the microscope. Beneath the placid surface of any pond is a microscopic metropolis bustling with activity as tiny bizarre organisms pursue their lives; locomoting, eating, trying not to be eaten, excreting, and reproducing. In this collection of digital movies, observe the activities of microscopic organisms taken from a typical North Florida pond. Concepts in Digital Imaging Technology - Explore the basic concepts in digital imaging with our illustrated discussions and interactive tutorials. Topics covered include CCD operation, image capture, digital manipulation of images and a wide spectrum of other issues in this emerging field. Science, Optics & You - Explore our science curriculum package being developed for teachers, students, and parents. Activities are designed to promote the asking and answering of questions related to light, color, and optics. The program begins with basic information about lenses, shadows, prisms, and color, leading up to the use of sophisticated instruments scientists use to help them understand the world. Intel Play QX3 Computer Microscope - Take a moment to visit our in-depth
discussion of this incredible toy microscope. Included topics are the QX3 hardware (microscope), interactive microscope software, suggested specialized techniques, and digital image galleries from the QX3 microscope. Creative Photomicrography - By employing multiple exposure photomicrography, we have succeeded in generating a series of unusual micrographs which we have termed microscapes. These micrographs are intended to resemble surrealistic/alien landscapes.
10 Best Interactive Java Tutorials Digital Image Processing Interactive Java Tutorials - Explore the basic concepts of digital image processing applied to specimens captured in the microscope. Techniques reviewed include contrast, color balance, spatial resolution, image sampling frequency, geometric transformation, averaging, measurements, histogram manipulation, convolution kernels, filtering digital images, compression, noise reduction, and binary digital images. Full-Frame CCD Operation - Having the simplest architecture and being the easiest devices to build and operate, full-frame charged coupled devices (CCDs) feature high-density pixel arrays capable of producing digital images with the highest resolution currently available. Explore how images are captured and transferred to serial output registers with this interactive Java tutorial. Intel Play QX3 Computer Microscope Simulator - Discover how the hardware and software of this amazing "toy" microscope work together to produce images that you can digitally manipulate with a personal computer. Geometrical Construction of Ray Diagrams - A popular method of representing a train of propagating light waves involves the application of geometrical optics to determine the size and location of images formed by a lens or multi-lens system. This tutorial explores how two representative light rays can establish the parameters of an imaging scenario. Reflected Light Confocal Microscopy - Explore microscopy of integrated circuits using real-time confocal observations at a resolution of 0.18 microns with this interactive Java tutorial. Building A Charged Coupled Device - Explore the steps utilized in the construction of a charged coupled device (CCD) as a portion of an individual pixel gate is fabricated on a silicon wafer simultaneously with thousands or even millions of neighboring elements. Astigmatism - Astigmatism aberrations are similar to comatic aberrations, however these artifacts are not as sensitive to aperture size and depend more strongly on the oblique angle of the light beam. The aberration is manifested by the off-axis image of a specimen point appearing as a line or ellipse instead of a point. Video Signal Generation - A video signal is a recoverable train of electrical impulses generated by scanning a two-dimensional image produced by the optical train of a microscope. The image is sequentially scanned in narrow strips and
combined to produce the final signal. This interactive tutorial explores the relationship between the microscope image, scan lines, and the video signal. Airy Pattern Formation - When an image is formed in the focused image plane of an optical microscope, every point in the specimen is represented by an Airy diffraction pattern having a finite spread. This occurs because light waves emitted from a point source are not focused into an infinitely small point by the objective, but converge together and interfere near the intermediate image plane to produce a three-dimensional Fraunhofer diffraction pattern. Fluorescence Microscope Light Pathways - This interactive tutorial explores illumination pathways in the Olympus BX51 research-level upright microscope. The microscope drawing presented in the tutorial illustrates a cut-away diagram of the Olympus BX51 microscope equipped with a vertical illuminator and lamphouses for both diascopic (tungsten-halogen) and epi-fluorescence (mercury arc) light sources. Sliders control illumination intensity and enable the visitor to select from a library of five fluorescence interference filter combinations that have excitation values ranging from the near ultraviolet to long-wavelength visible light. Condenser Alignment - This tutorial demonstrates how the condenser is centered in the optical path and the size of the field diaphragm opening is determined when adjusting a microscope for proper Khler illumination.
New Microscopy Primer Entries

If you need information about optical microscopy, how to set up a microscope, or how to take photographs with a microscope, then visit our Microscopy Primer for a detailed discussion.
Basic Concepts in Digital Image Processing - Digital image processing enables the reversible, virtually noise-free modification of an image in the form of a matrix of integers instead of the classical darkroom manipulations or filtration of timedependent voltages necessary for analog images and video signals. Even though many image processing algorithms are extremely powerful, the average user often applies operations to digital images without concern for the underlying principles behind these manipulations. The images that result from careless manipulation are often severely degraded or otherwise compromised with respect to those that could be produced if the power and versatility of the digital processing software were correctly utilized. Introduction to CMOS Image Sensors - CMOS image sensors are designed with the ability to integrate a number of processing and control functions, which lie beyond the primary task of photon collection, directly onto the sensor integrated circuit. These features generally include timing logic, exposure control, analog-todigital conversion, shuttering, white balance, gain adjustment, and initial image processing algorithms. Inexpensive CMOS image sensors are entering the field of optical microscopy in educational instruments that combine acceptable optical quality with user-friendly control and imaging software packages. Introduction to Prisms and Beamsplitters - Prisms and beamsplitters are essential components that bend, split, reflect, and fold light through the pathways of both simple and sophisticated optical systems. Cut and ground to specific tolerances and exact angles, prisms are polished blocks of glass or other
transparent materials that can be employed to deflect or deviate a light beam, rotate or invert an image, separate polarization states, or disperse light into its component wavelengths. Many prism designs can perform more than one function, which often includes changing the line of sight and simultaneously shortening the optical path, thus reducing the size of optical instruments. Stereomicroscopy - Stereomicroscopes have characteristics that are valuable in situations where three-dimensional observation and perception of depth and contrast is critical to the interpretation of specimen structure. These instruments are also essential when micromanipulation of the specimen is required in a large and comfortable working space. The wide field of view and variable magnification displayed by stereomicroscopes is also useful for construction of miniature industrial assemblies, or for biological research that requires careful manipulation of delicate and sensitive living organisms. Basic Microscope Ergonomics - In order to view specimens and record data, microscope operators must assume an unusual but exacting position, with little possibility to move the head or the body. They are often forced to assume an awkward work posture such as the head bent over the eye tubes, the upper part of the body bent forward, the hand reaching high up for a focusing control, or with the wrists bent in an unnatural position. Image Formation - In the optical microscope, image formation occurs at the intermediate image plane through interference between direct light that has passed through the specimen unaltered and light diffracted by minute features present in the specimen. The image produced by an objective lens is conjugate with the specimen, meaning that each image point at the intermediate plane is geometrically related to a corresponding point in the specimen. Basic Properties of Digital Images - Continuous-tone images are produced by analog optical and electronic devices, which accurately record image data by several methods, such as a sequence of electrical signal fluctuations or changes in the chemical nature of a film emulsion that vary continuously over all dimensions of the image. In order for a continuous-tone or analog image to be processed or displayed by a computer, it must first be converted into a computer-readable form or digital format. This process applies to all images, regardless the origin and complexity, and whether they exist as black and white (grayscale) or full color. A digital image is composed of a rectangular (or square) pixel array representing a series of intensity values and ordered through an organized (x,y) coordinate system. Introduction to Confocal Microscopy - Confocal microscopy offers several advantages over conventional optical microscopy, including controllable depth of field, the elimination of image degrading out-of-focus information, and the ability to collect serial optical sections from thick specimens. The key to the confocal approach is the use of spatial filtering to eliminate out-of-focus light or flare in specimens that are thicker than the plane of focus. There has been a tremendous explosion in the popularity of confocal microscopy in recent years, due in part to the relative ease with which extremely high-quality images can be obtained from specimens prepared for conventional optical microscopy, and in its great number of applications in many areas of current research interest. Electronic Imaging Detectors - The range of light detection methods and the wide
variety of imaging devices currently available to the microscopist make the selection process difficult and often confusing. This discussion is intended to aid in understanding the basics of light detection and to provide a guide for selecting a suitable detector for specific applications in optical microscopy. Troubleshooting Classical and Digital Photomicrography - Photography through the microscope is undergoing a transition from film to digital imaging. New digital technologies are producing higher resolution micrographs, but the quality still falls short of that obtainable with film. Microscope configuration errors represent the greatest obstacle to quality photomicrographs, followed by errors in filter selection, film choice, aberration, dirt and debris, and processing mistakes. Oblique or Anaxial Illumination - Achieving conditions necessary for oblique illumination, which has been employed to enhance specimen visibility since the dawn of microscopy, can be accomplished by a variety of techniques with a simple transmitted optical microscope. Perhaps the easiest methods are to offset a partially closed condenser iris diaphragm or the image of the light source. In former years, some microscopes were equipped with a condenser having a decenterable aperture iris diaphragm. The device was engineered to allow the entire iris to move off-center in a horizontal plane so that closing the circular diaphragm opening would result in moving the zeroth order to the periphery of the objective rear focal plane. In advanced models, the entire diaphragm was rotatable around the axis of the microscope so that oblique light could be directed toward the specimen from any azimuth to achieve the best desired effect for a given specimen. Multiphoton Excitation Microscopy - Multiphoton fluorescence microscopy is a powerful research tool that combines the advanced optical techniques of laser scanning microscopy with long wavelength multiphoton fluorescence excitation to capture high-resolution, three-dimensional images of specimens tagged with highly specific fluorophores.
Best of the Silicon Zoo Flying Osprey - A Hewlett-Packard design team headed by Howard Hilton in Lake Stevens, Washington was responsible for placing what is perhaps the World's smallest rendition of an osprey on a decimation filter integrated circuit utilized in signal analyzer instruments. Snoopy - The silicon version of Snoopy illustrated in this section was discovered by Richard Piotter of New Ulm, Minnesota, who also loaned the 4-inch wafer (made by a 1980s-era semiconductor company named Trilogy) from which the image is derived. The Con Artist - We found this guy in a trench coat trying to hock some fake Rolex watches (that are probably "hot") on a Hewlett-Packard PA-RISC microprocessor. Housed near the clock circuitry on the chip, the silicon artwork signifies a pun on higher-end microprocessor clock systems that utilize a more complex feature set. Pac-Man - A silicon version of the famous game character was photographed gobbling the initials GAAS (gallium arsenide) on a TEMIC Semiconductors silicongermanium radio frequency integrated circuit.
Milhouse Van Houten - Simpson's cartoon character Milhouse was spotted on a Silicon Image Sil154CT64 digital transmitter integrated circuit. Godzilla - This mythical Japanese creature was discovered lurking on a pad within the Silicon Graphics MIPS R10000 microprocessor (this chip is sure crowded with silicon creatures). Tux, the Linux Penguin - Tux is nesting within the pad ring on an integrated circuit of unknown function (perhaps the latest new microprocessor designed to run the Linux operating system). Starship USS Enterprise - This famous Star Trek icon was discovered on a Texas Instruments bipolar logic integrated circuit. The Pepsi Generation - Perhaps the smallest soft drink advertisement ever created, this 750 micron Pepsi commercial was discovered on a Hewlett-Packard CPU-support chip. The Rolex - An intricate bitmap-like pattern of vias (interconnect shafts) was used to construct this incredible likeness of a Rolex wristwatch. The Stay Puft Marshmallow Man - Coming to you from "GhostBusters", the Stay Puft Marshmallow Man was cooked in a frying pan within the circuitry of a Weitek math coprocessor designed in 1988. Thor: God of Thunder - Probably the best silicon artwork we have yet seen, this image was discovered on a Hewlett-Packard graphics chip. The Chip Smurf - An orange silicon Smurf is pulling a wagon containing the copyright symbol around the pad ring on a Siemens integrated circuit of unknown function.
New Photo Gallery Entries Observing Mitosis with Fluorescence Microscopy - Mitosis, a phenomenon observed in all higher eukaryotes, is the mechanism that allows the nuclei of cells to split and provide each daughter cell with a complete set of chromosomes during cellular division. This, coupled with cytokinesis (division of the cytoplasm), occurs in all multicellular plants and animals to permit growth of the organism. Digital imaging with fluorescence microscopy is becoming a powerful tool to assist scientists in understanding the complex process of mitosis on both a structural and functional level. Brightfield Microscopy Digital Image Gallery - Brightfield illumination has been one of the most widely used observation modes in optical microscopy for the past 300 years. The technique is best suited for utilization with fixed, stained specimens or other kinds of samples that naturally absorb significant amounts of visible light. Images produced with brightfield illumination appear dark and/or highly colored against a bright, often light gray or white, background. This digital image gallery explores a variety of stained specimens captured with an Olympus BX51 microscope coupled to a 12-bit QImaging Retiga camera system.
Polarized Light Microscopy Digital Image Gallery - As a contrast-enhancing optical technique, polarized light microscopy is unsurpassed in the magnificent array of colors and beautiful textures generated through interference between orthogonal wavefronts at the analyzer. Useful for observation of mineral thin sections, hairs, fibers, particles, bones, chemical crystals, polymers, and a wide variety of other specimens, polarized light can be employed for both quantitative as well as qualitative investigations. Visit this gallery to observe how polarized light can be of advantage in the observation of specimens that would otherwise exhibit poor contrast and be difficult to distinguish from the background. Differential Interference Contrast Digital Image Gallery - Thin unstained, transparent specimens are excellent candidates for imaging with classical differential interference (DIC) microscopy techniques over a relatively narrow range (plus or minus one-quarter wavelength) of bias retardation. The digital images presented in this gallery represent a wide spectrum of specimens, which vary from unstained cells, tissues, and whole organisms to both lightly and heavily stained thin and thick sections. In addition, several specimens exhibiting birefringent character are included to demonstrate the kaleidoscopic display of color that arises when anisotropic substances are imaged with this technique. Confocal Microscopy Digital Image Gallery - Scroll through serial optical sections from a wide variety of specimens, including tissue culture cells, thin and thick sections, and entire organisms, in this Java-powered image gallery. The DNA Gallery - DNA undergoes a number of liquid crystalline phase transitions both in vitro and in vivo. This gallery explores the microscopic textures exhibited by various liquid crystalline DNA phases and their transition states. The Phytochemical Collection - Acclaimed by Newsweek as being "better than Vitamins", phytochemicals are blazing a new frontier in the arena of cancerprevention research. Explore the beautiful crystalline patterns displayed by phytochemicals captured in polarized light. Intel Play QX3 Microscope Galleries - Check out digital images captured with this incredible microscope using contrast enhancing techniques such as polarized light, darkfield, brightfield, and Rheinberg illumination. Phase Contrast Gallery - By "converting" phase objects such as living material into amplitude specimens, phase contrast illumination allows scientists to see details in unstained and/or living objects with great clarity and resolution. Explore the wide spectrum of biological specimens presented in this gallery of digital images. Hoffman Modulation Contrast Gallery - The modulation contrast technique takes advantage of optical phase gradients to yield a pseudo three-dimensional effect on images seen in the microscope. Darkfield Microscopy Gallery - Darkfield illumination provides good contrast for specimens that are often lacking in sufficient detail using other illumination techniques. Dinosaur Bones - Photographs of thin sections made from bones left behind by dinosaurs that have been extinct for over 70 million years.
Electricity & Magnetism Interactive Java Tutorials Electricity & Magnetism Interactive Java Tutorials - Visit our interactive tutorials on electricity and magnetism to explore how these two forces of nature operate in our everyday lives. Building A Transistor - Explore how an individual Field Effect (FET) transistor is fabricated on a silicon wafer simultaneously with millions of its neighbors. Pulsed Magnets - Pulsed magnets are among the strongest magnets in the world, and come in two forms: destructive and non-destructive. Of these two, nondestructive magnets are more suited towards scientific research, as they can reach some of the highest magnetic fields experimentally possible. This applet demonstrates how a non-destructive short pulse magnet works, and shows the relative field strengths generated. How a Compact Disc Works - This tutorial explores how a laser beam is focused onto the surface of a spinning compact disc, and how variations between pits and lands on the disc surface affect how light is either scattered by the disc surface or reflected back into a detector. Electrophoresis - Explore how electrical potential can cause migration and separation of macromolecules according to size in a cross-linked gel.
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1.2 PROCESSOS DE ELETRIZAO
Captulo 1 - A LEI DE COULOMB

PROCESSOS DE ELETRIZAO
Essencialmente, existem dois tipos de portadores de carga eltrica: prtons (+) e eltrons(-). Em condies de equilbrio, qualquer material eletricamente neutro, contendo igual nmero de prtons e eltrons. Um material eletricamente positivo quando tem excesso de prtons, ou falta de eltrons. Da mesma forma, ele ser negativamente carregado se tiver um excesso de eltrons. Um material pode ser eletrizado atravs de dois processos:
r r
Eletrizao por atrito Eletrizao por induo
Eletrizao por atrito ocorre quando materiais no condutores so atritados uns contra outros. Nesse processo, um dos materiais perde eltrons e outro ganha, de modo que um tipo de material fica positivo e outro fica negativo. Uma experincia simples consiste em carregar um pente passando-o vrias vezes no cabelo. A comprovao de que ele ficou carregado obtida atraindo-se pequenas partculas, por exemplo, de p de giz. A figura ilustra as etapas essenciais do processo de eletrizao por induo. Na
http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/mod01/m_s01.html (1 de 2) [13/03/2004 16:18:14]
ilustrao, tem-se inicialmente um corpo carregado e outro descarregado ( para que o processo seja factvel, este corpo deve ser condutor). A aproximao do corpo positivamente carregado atrai as cargas negativas do corpo eletricamente neutro. A extremidade prxima ao corpo carregado fica negativa, enquanto a extremidade oposta fica positiva. Mantendo-se o corpo carregado prximo, ligase o corpo eletricamente neutro terra. Eltrons subiro da terra para neutralizar o excesso de carga positiva. Cortando-se a ligao terra, obtm-se um corpo negativamente carregado.
1.3 A LEI DE COULOMB
Capitulo 1- A LEI DE COULOMB

Condutores e Isolantes
No contexto do eletromagnetismo, podemos classificar os materiais em:
r r r r
Condutores Isolantes (ou dieltricos) Semicondutores Supercondutores.
Para o momento, vamos nos deter apenas nos condutores e nos dieltricos. Como os nomes sugerem, um material condutor tem facilidade para conduzir a eletricidade, enquanto um dieltrico no conduz a eletricidade. Na verdade, seria melhor dizer que um dieltrico quase no conduz a eletricidade. H circunstncias (veremos mais tarde) em que ele tambm conduz. Podemos dizer, numa linguagem bastante simples, que um dieltrico diferente de um condutor porque este tem eltrons livres, que se encarregam de conduzir a eletricidade. Assim, quando uma certa quantidade de carga eltrica colocada num material dieltrico, ela permanece no local em que foi colocada. Ao contrrio, quando esta carga colocada num condutor, ela tender a se distribuir at que o campo no interior do material seja nulo.
http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/mod01/m_s02.html [13/03/2004 16:18:17]
1.4 LEI DE GAUSS & LEI DE COULOMB
Capitulo 1 - A LEI DE COULOMB

FORA ELETROSTTICA
Numa abordagem bastante geral, podemos dizer que dois corpos eletrizados interagem atravs da atrao gravitacional e da interao eletromagntica. Esta abordagem pode ser simplificada desprezando-se a atrao gravitacional frente interao eletromagntica. Na maioria dos casos tratados aqui essa uma boa aproximao. Podemos fazer outra simplificao, considerando apenas as cargas estacionrias. Eletrosttica esta rea do eletromagnetismo que aborda interaes entre cargas estacionrias ou quase estacionrias. Coulomb descobriu, experimentalmente, que a fora entre cargas q1 e q2 dada por: (1.1)
onde
=8.99x109 Nm2/C2 uma constante que tem
essa forma para atender necessidades de ajustes dimensionais e para simplificar as equaes de Maxwell. 0=8.85x10-12 C2/Nm2, uma constante muito importante no eletromagnetismo, denominada permissividade eltrica no vcuo.
+e+ +e-e-
No aplicativo acima, v-se duas cargas eltricas.
1) Altere os sinais das cargas e observe os sentidos das foras de interao eletrosttica. 2) Clique sobre uma carga e veja, na barra amarela que fica na parte de baixo da moldura, o valor das coordenadas e da fora. 3) Fixe uma das cargas, e movimente a outra ao longo do eixo dos x's. Faa o grfico de F versus a distncia entre as cargas. Use pelo menos 10 pontos para fazer grfico. 4) Voc consegue explicar porqu foi sugerido que a carga se movimentasse ao longo dos eixo dos x's?
3.4 EXEMPLO 1.1

EXEMPLO 1.1
Duas cargas positivas puntiformes, Q1 e Q2, so colocadas no eixo dos y, nos pontos y=+a e y=-a. Calcule a fora dessas duas cargas sobre uma terceira carga, q, colocada no eixo dos x. Vamos tomar a primeira providncia, vlida em quase todos os problemas de fsica: fazer um desenho que represente o enunciado. A figura 1.2 a expresso grfica do enunciado acima.
Pelo princpio da superposio,
Tendo em conta as posies das cargas, conforme figura acima, e que Q1=Q2=Q=q, tem-se F1=F2=kq2/r2. Por simetria chega-se concluso que a fora resultante sobre a terceira carga tem a direo do eixo x. Portanto, o
3.4 EXEMPLO 1.1
mdulo da fora resultante ser
Mostre que a fora resultante mxima no ponto Substituindo o valor negativo de x na expresso
. , obtm-
se um resultado positivo, em aparente contradio com os apontamentos ao lado. Tente descobrir onde est o equvoco.
1.6 Exercicios

Exercicios.
Pergunta 1
q
1.1 Duas partculas igualmente carregadas, com um afastamento de 3x10-3 m entre elas, so largadas a partir do repouso. As partculas tm massas iguais a 7,0x10-7 kg e 5,4x10-7 kg, e a acelerao inicial da primeira partcula de 700 m/s2. Quais so: (a) a acelerao da segunda partcula? (b) O mdulo da carga comum? R.: 900 m/s2; 7x10-10 C.
Pergunta 2
q
1.2 Considerando, na figura 1.3, q=2x10-6 C e a=10 cm, determine as componentes horizontais e verticais da fora resultante que atua na carga q (canto superior direito). As cargas esto em repouso absoluto. R.: 1,94kq2/a2; 0,06kq2/a2.
Figura 1.3
http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/mod01/m_ex.html (1 de 3) [13/03/2004 16:18:30]
1.6 Exercicios
Pergunta 3
q
1.3 Duas cargas pontuais livres, +q e +9q, esto afastadas por uma distncia d. Uma terceira carga colocada de tal modo que todo o sistema fica em equilbrio. (a) Determine a posio, o mdulo e o sinal da terceira carga. (b) Mostre que o equilbrio instvel. R.: Carga 9q/16, colocada entre as cargas +q e +9q, a uma distncia d/4 a partir da carga +q.
Pergunta 4
q
1.4 Cargas iguais a +Q so colocadas nos vrtices de um tringulo equiltero de lado L. Determine a posio, o mdulo e o sinal de uma carga colocada no interior do tringulo, de modo que o sistema fique em equilbrio. R.: Carga
colocada na bissetriz, a uma distncia
a partir do vrtice.
Pergunta 5
q
1.5 Uma carga Q igual a 2x10-19 C dividida em duas, (Q-q) e q, de modo que a repulso coulombiana seja mxima. Calcule a distncia que uma deve ficar da outra, para que esta fora seja igual 9x10-9 N. R.: 1
1.6 Exercicios
Pergunta 6
q
1.6 Duas cargas pontuais idnticas, de massa m e carga q, esto suspensas por fios no condutores de comprimento L, conforme ilustra a figura 1.4. Considerando o ngulo to pequeno de modo que seja vlida a aproximao , mostre que
Figura 1.4
Pergunta 7
q
1.7 (a) Quantos eltrons devero ser removidos de uma pequena esfera, para deix-la com carga igual a +1,6x10-9 C? (b) Supondo que a esfera seja de cobre, e tenha massa igual a 3,11 g, calcule a frao dos eltrons totais da esfera que corresponde ao valor encontrado em (a). R.: 1010 eltrons; 1/1014.
2.2 Ao a Distancia

Ao a Distancia
A fora coulombiana, assim como a fora gravitacional, so interaes distncia, um conceito mal compreendido, desde Newton at meados do sculo passado, quando Faraday introduziu a idia de campo. De acordo com o conceito de campo, a interao entre duas cargas, Q1 e Q2, ocorre atravs da ao do campo de uma delas sobre a outra. Operacionalmente, o campo assim definido
(2.1) onde a carga de prova, q0, to pequena quanto possvel. Isto , para se conhecer o valor do campo eltrico em determinado ponto, basta colocar uma carga de prova naquele ponto e dividir a fora medida pelo valor da carga. Apresenta-se nesta simulao, a configurao de campo eltrico criado por uma certa distribuio de carga. Uma carga de prova (vermelha) pode ser usada para se determinar o valor de E em qualquer ponto no interior da moldura. Coloque o cursor sobre a carga e veja o valor de E. O valor positivo, logo, a carga lquida na distribuio positiva. Tente colocar a carga de prova em vrios pontos com y=0 (aproximadamente igual a zero) e diferentes valores de x. Use uma dessas medidas e determine o valor da carga lquida da distribuio. Faa um grfico de E versus x. Compare este grfico "experimental" com um terico, obtido com o uso da eq.2.1.
1.2 LINHAS DE FORA
Capitulo 2- O CAMPO ELTRICO

LINHAS DE FORA
Com a introduo do conceito de campo, logo surgiu a dvida sobre como ele se apresentava no espao. Faraday props o conceito de linhas de fora. Existe uma bem definida relao entre campo e linhas de fora, de modo que conhecendo-se um, determina-se o outro.
r
Em cada ponto do espao, a direo do campo determinada pela tangente linha de fora. Em cada ponto do espao, o valor do campo determinado pelo nmero de linhas por unidade de rea transversal. Quanto maior a densidade de linhas de campo, maior a intensidade do campo.
Uma forma bastante simples para visualizar linhas de campo, no caso do campo magntico: (1) colocar um m sob uma cartolina; (2) espalhar limalha de ferro sobre a cartolina. No aplicativo ao lado, so visualizadas as linhas de campo de quatro esferas carregadas. As esferas podem ser colocadas em qualquer ponto do espao definido pela moldura; basta colocar o apontador do mouse sobre a carga e arrast-la para o ponto desejado. Coloque as esferas em diferentes posies, e determine o sinal da carga de cada uma. Ordene as esferas de acordo com o mdulo das suas cargas. Se tiver dvida, entre no teleduc e tente tir-la com o professor ou com algum colega.
1.2 LINHAS DE FORA
No aplicativo ao lado, v-se duas cargas, e as linhas de campo (outra denominao tambm usada para linhas de fora) da configurao. A carga esquerda positiva e tem valor fixo. A carga direita pode ser positiva ou negativa, e tem seu valor ajustado atravs da barra de controle. Quando o cursor da barra de controle est na extremidade direita, a carga mxima, e quando est na extremidade esquerda a carga prxima de zero. Movimente o cursor, de uma extremidade outra, e tente descrever o que acontece com as linhas de campo. Para se introduzir o conceito de campo eltrico no incio deste captulo, utilizamos uma carga de prova, "to pequena quanto possvel". Use o experimento que voc acabou de fazer, e tente justificar por qu a carga de prova tem que ser "to pequena quanto possvel". DICA: a carga de prova serve para a medida do campo eltrico da outra carga. Isto significa que ela serve para se avaliar as linhas de campo da outra carga.
2.4 CAMPO DE UM DIPOLO ELTRICO

CAMPO DE UM DIPOLO ELTRICO
Dada uma carga puntiforme, q, e uma carga de prova, q0, a uma distncia r da primeira, tem-se
(2.2)
Portanto, pela definio de campo, eq. (2.1), tem-se o campo de uma carga puntiforme
(2.3) Dipolo eltrico uma configurao muito importante para o tema que estamos tratando. Consiste de um par de cargas de mesmo valor e sinais contrrios, separadas por uma distncia d.
Figura 2.1
Pelo princpio da superposio,
Use a eq. (2.3) e mostre que o campo do dipolo, num ponto da sua mediatriz, xd, dado por
(2.4), onde p=qd o momento de dipolo eltrico do dipolo. Teta = 0 Ey = +1 E(- = abaixo, +=acima) Q (verde = "+" vermelho = "-") = 1 C
Atualizar valores
Iniciar < <1 passo
Pausa
Reset 1 passo > >
Esta simulao permite analisar o efeito de um campo eltrico uniforme, representado pelas linhas de fora verticais (verdes), sobre um dipolo eltrico. Os vetores azuis sobre cada carga representam as foras sobre elas. Vrios parmetros podem ser alterados pelo usurio. O campo eltrico sempre na direo y, mas pode ter o sentido + ou , alm disso, seu mdulo pode assumir qualquer valor. Teta o ngulo entre a mediatriz do dipolo e a direo do campo eltrico. A carga verde positiva, e a vermelha, negativa. Ambas tm o mesmo valor, como deve ser no caso de um dipolo. A carga pode assumir qualquer valor. Inicialmente, coloque teta=0, E=+1 e Q=1 C. Tecle no boto "iniciar" e observe o movimento do dipolo. Tente explicar o movimento. Para facilitar a tarefa, faa o seguinte: Clique no boto "pausa" quando o dipolo estiver em diferentes posies; analise as foras sobre as cargas, e leve em conta
a energia cintica adquirida por cada carga. Examine o movimento do dipolo, passo a passo, clicando nos botes "1 passo>>" e "<<1 passo". Depois, analise o movimento para diferentes valores de teta, E e Q. Faa uma descrio o mais detalhada possvel do movimento e coloque no seu "portflio".
2.4 EXEMPLO 2.1
Capitulo 2- O CAMPO ELTRICO

EXEMPLO 2.1
Um eltron lanado horizontalmente com uma velocidade V0, em um campo uniforme entre as placas paralelas da figura 2.2. A direo do campo vertical, e seu sentido para cima. Supondo que o eltron penetra no campo em um ponto eqidistante das placas, e tangencia a borda da placa inferior ao sair, determine o valor do campo eltrico.
Figura 2.2 O movimento do eltron semelhante ao de um projtil lanado no campo gravitacional. Ao invs do peso, tem-se sobre o eltron a fora Coulombiana F=eE. Ao invs da acelerao da gravidade, g, tem-se a acelerao a=eE/m. Do que sabemos sobre lanamento de projtil (ver clculo ao lado), conclui-se que
1.6 Exercicios

Exercicios.
Pergunta 1
q
2.1 Um eltron solto a partir do repouso, num campo eltrico uniforme de mdulo igual a 5x103 N/C. Ignorando o efeito da gravidade, calcule a acelerao do eltron. R.: 8,78x1014 m/s2
Pergunta 2
q
2.2 Quais so o mdulo e a direo do campo eltrico que equilibrar o peso de uma partcula (2 prtons e 2 nutrons)? R.: 2,1x10-7 N/C; de baixo para cima.
Pergunta 3
q
2.3 Na figura 2.3 as cargas esto fixas nos vrtices de um tringulo equiltero. Determine o mdulo e o sinal da carga Q, para os quais o campo eltrico total no ponto P (encontro das bissetrizes) ser nulo. R.: 2,0 C.
1.6 Exercicios
Figura 2.3
Pergunta 4
q
2.4 Duas cargas, 3q e +q, so fixas e separadas por uma distncia d. Localize o(s) ponto(s) onde o campo eltrico nulo. R.: 1,36d, direita da carga +q.
Pergunta 5
q
2.5 Considere um dipolo eltrico com momento igual a 2x10-29 C.m. Faa um desenho representando este dipolo e calcule sua fora (mdulo, direo e sentido) sobre um eltron colocado no eixo do dipolo, a uma distncia de 300 do seu centro, considerando que 300 >>d. R.: 1,06x10-15 N.
Pergunta 6
q
2.6 Considere positivas as cargas na figura 2.4. Mostre que o campo eltrico num ponto situado ao longo do eixo que une as cargas, distando x (x>>d), do ponto mdio entre elas, vale .
1.6 Exercicios
Figura 2.1
Pergunta 7
q
2.7 Um prton projetado na direo indicada na figura 2.5, com velocidade 5x105 m/s. Considerando =30o, E=3x104 N/C, d=2 cm e L=15 cm, determine a trajetria do prton at que ele atinja uma das placas, ou saia da regio sem atingi-las. Despreze o efeito da gravidade. R.: 4,6x10-8 s depois de lanado, o prton atinge a placa superior. O ponto do choque dista 1,99 cm do incio da placa.
Figura 2.5
Pergunta 8
q
2.8 Na figura 2.6 um eltron projetado ao longo do eixo que passa no meio entre as placas de um tubo de raios catdicos, com velocidade inicial de 2 x 1017 m/s. O campo eltrico uniforme existente entre as placas tem uma intensidade de
1.6 Exercicios
20000 N/C e est orientado para cima. (a) De quanto o eltron se afastar do eixo quando ele chegar ao fim das placas? (b) A que ngulo, em relao ao eixo, o eltron se move no instante em que est saindo das placas? (c) A que distncia, abaixo do eixo, o eltron atingir a tela fluorescente S? R.:(a) 7x10-23 m; (b) aprox. igual a zero!; (c)4,9x10-22
Figura 2.6
Capitulo 3 - A LEI DE GAUSS

FLUXO DO CAMPO ELTRICO
Vamos iniciar por uma idia simples e intuitiva. Quem ouve rdio no vero em Porto Alegre est a todo momento sendo informado que passam tantos carros por minuto no posto da Polcia Federal da auto-estrada. Quanto maior o nmero de carros por minuto, maior o fluxo. Pronto, j introduzimos o conceito de fluxo. Da mesma forma, o proprietrio de uma loja mede a sua clientela pela quantidade de gente que passa pela porta de entrada, em determinado intervalo de tempo. Qualquer que seja o caso, veremos facilmente que o fluxo depende da quantidade daquilo que flui e da rea atravs da qual passa o "fluido". Portanto, quanto maior o nmero de clientes ou quanto maior a porta de entrada, maior ser o fluxo de clientes para o interior da loja. Essa noo intuitiva est na origem daquilo que podemos denominar fluxo do campo eltrico (E). Numa primeira abordagem, podemos dizer que Fluxo de campo eltrico = intensidade de campo eltrico X rea perpendicular ao campo Logo veremos que essa definio muito simplificada, e tem pouco valor operacional, porque em geral o valor de E varia ao longo da superfcie, e nem sempre esta perpendicular ao campo. Podemos melhorar a definio, dividindo a superfcie em elementos to pequenos quanto possvel, de modo que E seja constante nessa rea infinitesimal. A esta rea associamos um vetor , cuja direo perpendicular rea e cujo mdulo igual rea. Podemos manter a idia intuitiva definindo fluxo infinitesimal,
(3.1) Assim, o fluxo atravs de determinada rea S dado pela integral de superfcie (3.2) No caso de uma superfcie fechada, o vetor rea convencionalmente dirigido de dentro para fora. O fluxo atravs de uma superfcie fechada assim representado (3.3)
3.3 A LEI DE GAUSS

A Lei de Gauss
Seja uma carga Q. Imagine uma superfcie qualquer, fechada, envolvendo esta carga. A lei de Gauss estabelece que
(3.4) A lei de Gauss vlida para qualquer situao, com campo uniforme, ou no, e para qualquer tipo de superfcie fechada, tambm denominada superfcie Gaussiana. Todavia, para ser operacionalmente til ela deve ser usada apenas em determinadas circunstncias. Uma circunstncia favorvel ocorre quando a superfcie Gaussiana tal que o produto escalar entre o campo e o vetor superfcie facilmente obtido Isso sempre possvel quando a distribuio de cargas apresenta alta simetria. Existem trs tipos de simetrias que facilitam o uso da lei de Gauss
r r r
Simetria planar; Simetria cilndrica ou axial; Simetria esfrica
A simetria planar aplica-se no caso de uma distribuio de cargas num plano infinito, ou no caso em que se possa fazer a aproximao de plano infinito. Por exemplo, um plano finito pode ser considerado infinito, se o campo eltrico for calculado num ponto muito prximo do plano. Isto , se a distncia do plano ao ponto for muito menor do que as dimenses do plano
3.3 A LEI DE GAUSS
A simetria cilndrica, ou axial, aplica-se no caso de uma distribuio linear infinita. Existem dois casos clssicos:
r r
Linha infinita de cargas; Cargas distribudas num cilindro infinito.
De modo anlogo ao caso anterior, um cilindro finito pode ser considerado infinito em determinadas circunstncias. Existem dois casos tpicos de simetria esfrica:
r r
Carga puntiforme; Distribuio esfrica de cargas.
Veremos mais adiante como usar a lei de Gauss para calcular o campo devido a cada uma dessas distribuies. Detector Detector Detector Detector 1 2 3 4 Nesta animao, o espao definido pela moldura dividido em duas regies: dentro e fora do crculo cinza. Uma certa quantidade de carga eltrica distribuda dentro da moldura. Dispomos de quatro tipos de detetores de fluxo eltrico, cujos valores medidos so apresentados na barra esquerda da moldura. Observe que a lei de Gauss, expressa na eq. 3.4, significa que o fluxo atravs de uma superfcie fechada proporcional carga englobada por esta superfcie. Ento, quando usamos um desses detetores, para medir fluxo eltrico, estamos englobando uma certa quantidade de carga eltrica, o valor medido proporcional carga englobada. Se o fluxo for positivo (negativo), porque a carga positiva (negativa). Qual a diferena essencial entre um detetor e outro? o tamanho. Quanto maior o detetor, mais carga ele vai englobar. Ento, se numa regio tivermos cargas positivas e negativas, prximas umas das outras, precisamos escolher um detetor com tamanho apropriado para distinguir os tipos de carga.
3.3 A LEI DE GAUSS
Use os diferentes detetores e descreva como a carga distribuda no espao definido pela moldura.

LEI DE GAUSS & LEI DE COULOMB.
A lei de Gauss e a lei de Coulomb so formas diferentes de abordar o mesmo problema. Portanto, o clculo do campo eltrico para determinada distribuio de carga fornece o mesmo resultado, quer seja realizado atravs de uma ou outra lei. Ento, quando e por que usar uma ou outra lei? Como regra, o uso de uma ou outra lei determinado pelas seguintes circunstncias:
r r
Distribuio de cargas com alta simetria ... Lei de Gauss Distribuio de cargas com baixa simetria ...Lei de Coulomb.
3.4 CAMPO DE UMA CARGA PUNTIFORME

CAMPO DE UMA CARGA PUNTIFORME
Por argumentos de simetria, fcil chegar concluso de que o campo de uma carga puntiforme deve ter simetria esfrica. Isto , o valor do campo o mesmo para qualquer ponto sobre uma esfera. Mais do que isso, o campo deve ser normal a esta esfera. Portanto, a melhor Gaussiana para calcular o campo a uma distncia r de uma carga puntiforme uma esfera de raio r. Em qualquer ponto sobre a Gaussiana, o produto escalar ser simplesmente EdS. Ento, tendo em conta que E constante, teremos
A integral fechada sobre a superfcie corresponde rea da esfera, 4r2. Portanto, o campo de uma carga puntiforme, q, a uma distncia r, dado por
(3.5) Como era de se esperar, a expresso (3.5) igual expresso (2.3), obtida com o uso da lei de Coulomb.
3.5 DISTRIBUIO ESFERICAMENTE SIMTRICA

DISTRIBUIO ESFERICAMENTE SIMTRICA
No caso de uma distribuio de cargas com simetria esfrica, convm distinguir algumas situaes. Em primeiro lugar, dependendo do material o tratamento ser bem diferente.
r
Material condutor - J sabemos que quando uma certa quantidade de carga eltrica colocada num material condutor, ela se distribuir de modo a manter o campo nulo no interior do material. Numa esfera a carga ficar uniformemente distribuda na sua superfcie. Portanto, para um material condutor no h diferena entre uma esfera e uma casca esfrica. Em ambos os casos, a carga eltrica se distribuir uniformemente na superfcie externa. Material dieltrico - Quando o material nocondutor, a situao bem diferente. A carga no se distribui como no caso do condutor; grosso modo, ela fica onde a colocamos. Para esse tipo de material no suficiente conhecermos a quantidade de carga, h que se saber a forma como ela est sendo distribuda. Isto , necessitamos conhecer a densidade de carga no interior do material. Portanto, em termos de clculo de campo eltrico e uso da lei de Gauss, uma esfera dieltrica pode ser bastante diferente de uma casca esfrica.
3.6 ESFERA CONDUTORA

ESFERA CONDUTORA
J vimos acima que no caso de material condutor, pouco importa se temos uma esfera macia, oca ou se temos uma simples casca esfrica; qualquer que seja o objeto, o campo interno sempre ser nulo. De modo anlogo ao caso da carga puntiforme, argumentos de simetria nos levam concluso de que o campo de uma esfera condutora tem simetria esfrica, de modo que a melhor Gaussiana ser uma esfera concntrica com a distribuio de cargas. O campo igual ao de uma carga puntiforme, dado na eq. (3.5). Portanto, uma esfera condutora de raio R comporta-se, para pontos externos,r>R, como se toda sua carga estivesse concentrada no seu centro.
3.7 ESFERA DIELTRICA

ESFERA DIELTRICA
Vamos considerar o caso em que a distribuio de cargas uniforme. Isto , a densidade , dada em C/m3, constante. Poderamos ter uma distribuio mais complexa, na qual a densidade variasse com a distncia ao centro.
r
Regio I - r > Raio da distribuio (R)
O clculo anlogo ao do campo de uma carga puntiforme. O resultado tem a mesma forma apresentada na eq. (3.5). Se a carga total, Q, for conhecida, basta coloc-la no lugar de q. Se ao invs disso, conhecermos a densidade, , ento a carga ser dada pelo produto da densidade pelo volume da esfera, Q=4R3/3, resultando
(3.6) Portanto, uma esfera condutora de raio R comporta-se, para pontos externos,r>R, como se toda sua carga estivesse concentrada no seu centro.
r
Regio II - r < R
A carga que aparece na lei de Gauss;
aquela envolvida pela superfcie Gaussiana, isto , a carga no interior do volume 4r3/3. Se conhecemos a densidade de carga, teremos Q=4r3/3. O campo no interior da esfera ser dado por
3.7 ESFERA DIELTRICA
(3.7) O variao do campo, em funo do raio, representada na figura abaixo.
3.8 DISTRIBUIO LINEAR INFINITA

DISTRIBUIO LINEAR INFINITA
Vamos considerar o caso em que a distribuio de cargas uniforme. Isto , a densidade , dada em C/m3, constante. Poderamos ter uma distribuio mais complexa, na qual a densidade variasse com a distncia ao centro. Argumentos de simetria permitem concluir que o campo apresenta simetria cilndrica. Isto , a intensidade a mesma em qualquer ponto da superfcie lateral de um cilindro, cujo eixo coincide com o eixo da distribuio da cargas, e a direo perpendicular a esta superfcie lateral. bvio que a superfcie Gaussiana mais apropriada o cilindro indicado na figura ao lado. A integral fechada da lei de Gauss pode ser desdobrada, transformando-se numa soma de integrais de superfcie, ao longo das bases do cilindro e ao longo da superfcie lateral.
Em qualquer ponto das bases, os vetores E e dS so perpendiculares entre si, de modo que as duas primeiras integrais so nulas. Na superfcie lateral, o campo
3.8 DISTRIBUIO LINEAR INFINITA
constante e tem a mesma direo do vetor dS. Portanto,
Portanto, uma esfera condutora de raio R comporta-se, para pontos externos,r>R, como se toda sua carga estivesse concentrada no seu centro. A carga no interior da Gaussiana q=h. Portanto, o campo criado por uma distribuio linear infinita, a uma distncia r do eixo da distribuio, dado por
3.9 PLANO INFINITO DE CARGAS

PLANO INFINITO DE CARGAS
Vamos considerar uma distribuio infinita de cargas, com densidade uniforme +, conforme figura abaixo Por simetria concluise que o campo perpendicular ao plano de cargas, e que sua intensidade constante ao longo de qualquer plano paralelo ao plano de cargas. Portanto, o cilindro da figura acima uma boa escolha como superfcie Gaussiana. De modo anlogo ao procedimento adotado no caso da simetria cilndrica, a integral fechada pode ser desdobrada em integrais abertas, ao longo das bases e da superfcie lateral da Gaussiana
Em qualquer ponto da superfcie lateral, os vetores E e dS so mutuamente perpendiculares, de modo que o produto
3.9 PLANO INFINITO DE CARGAS
escalar nulo. Por outro lado, tanto na base1, quanto na base2, E constante e paralelo a dS, de modo que
A carga no interior da superfcie Gaussiana q=A, resultando
(3.9)
3.11 Exercicios

Exercicios.
Pergunta 1
q
3.1 Uma rede de caar borboleta est numa regio onde existe um campo eltrico uniforme, como ilustra a figura 3.1. A extremidade aberta limitada por um aro de rea A, perpendicular ao campo. Calcule o fluxo de E atravs da rede.
Pergunta 2
q
3.2 Uma linha infinita de cargas produz um campo de 3x104 N/C a uma distncia de 3 m. Calcule a densidade linear de carga. R.: 5x10-6 C/m
Pergunta 3
q
3.3 A figura 3.2 mostra parte de dois longos e finos cilindros concntricos de raios a e b. Os cilindros possuem cargas iguais e opostas, com densidade linear
3.11 Exercicios
. Use a lei de Gauss para mostrar que: (a) E=0 para r<a e (b) entre os cilindros
Figura 3.2
Pergunta 4
q
3.4 A figura 3.3 mostra um cilindro condutor muito longo, de comprimento L, contendo uma carga +q e envolvido por uma fina casca cilndrica, tambm condutora e de comprimento L, contendo uma carga 2q. Use a lei de Gauss para calcular: (a) o campo eltrico na regio externa casca cilndrica; (b) A distribuio de cargas na parte interna e na parte externa da casca cilndrica; (c) o campo eltrico na regio entre os cilindros. R:(a)E=(1/20)(q/Lr), apontando de fora para o centro do cilindro; (b)-q em cada superfcie; (c)idem ao tem (a), apontando do centro do cilindro para fora.
3.11 Exercicios
Figura 3.3
Pergunta 5
q
3.5 Um cilindro infinitamente longo, de raio R, contm uma carga uniformemente distribuda, com densidade . Mostre que a uma distncia r do eixo do cilindro (r<R),
Pergunta 6
q
3.6 A figura 3.4 mostra uma esfera com massa m e carga q, suspensa no campo gravitacional da terra por um fio de seda que faz um ngulo com uma placa no condutora infinita e uniformemente carregada. Calcule a densidade superficial de carga da placa, . R: =2mg0tg/q
3.11 Exercicios
Figura 3.4
Pergunta 7
q
3.7 A figura 3.5 mostra duas placas infinitas com suas superfcies internas carregadas com densidades superficiais de carga + e -. Determine o campo eltrico: (a) na regio esquerda das placas; (b) na regio entre as placas; (c) na regio direita das placas. R: E=0 fora do capacitor; E=/0 no interior do capacitor.
Figura 3.5
3.11 Exercicios
Pergunta 8
q
3.8 Uma fina casca esfrica metlica de raio ra possui uma carga qa. Concntrica com esta casca, existe outra fina casca metlica de raio rb (rb>ra) e carga qb. Calcule o campo eltrico nas regies onde: (a) r<ra; (b) ra<r<rb; (c) r>rb. R: (a)E=0; (b)E=(1/40r2)(qa); (c)E=(1/40r2)(qa+qb)
Pergunta 9
q
3.9 A figura 3.6 mostra uma esfera condutora de raio ra, com carga +q, concntrica com uma casca esfrica condutora de raios rb e rc e carga -2q. Calcule o campo eltrico nas regies em que: (a) r<ra; (b) ra<r<rb; (c) rb<r<rc; (d) r>rc. (e) Use a lei de Gauss para mostrar como as cargas se distribuiro na parte interna e na parte externa da casca esfrica. R: (a)E=0; (b)E=q/(40r2), apontando para fora; (c)E=0; (d)E=q/(40r2), apontando para o centro da esfera.
3.11 Exercicios
Figura 3.6
4.2 ENERGIA POTENCIAL

ENERGIA POTENCIAL
J vimos que a fora eletrosttica tem a mesma forma da fora gravitacional. Mais importante do que isso, esse tipo de fora, conhecida como fora central, leva ao teorema da conservao da energia cintica mais energia potencial. Por isso so tambm conhecidas como foras conservativas. Assim, tudo o que j aprendemos com o potencial gravitacional, pode ser inteiramente transposto para o caso do potencial eltrico. J sabemos que dada uma fora central, possvel definir uma funo dependente da posio denominada simplesmente potencial, com propriedades muito interessantes referente ao princpio da conservao da energia Vamos relembrar algumas noes fundamentais. Tomando como exemplo o clssico problema de uma mola e uma massa, em movimento oscilatrio, vimos que a conservao de energia manifesta-se pela transformao de energia potencial em energia cintica, e vice-versa. Vimos que o trabalho realizado sobre a massa era dado pela variao da energia cintica W = K Da conservao da energia, U+K=0, conclui-se que W = - U (4.1)
Sabemos que o trabalho para levar um objeto de uma posio i at uma posio f, dado pela integral de linha
(4.2) onde F a fora que atua sobre o objeto. dl um elemento de integrao tangente ao percurso entre i e f, e sempre aponta de i para f. Um dado importante que o trabalho calculado em (4.2) no depende do caminho, depende apenas dos pontos iniciais e finais. Para ilustrar, vejamos o caso de uma fora uniforme, cuja direo no plano dada na figura abaixo.
Figura 4.1 Vamos escrever a eq. (4.1) de outra forma: Uf - Ui = -Wif (4.3)
Este resultado absolutamente geral, sempre tem-se diferena de energia potencial, jamais energia potencial absoluta. Isso implica na possibilidade de se definir, arbitrariamente, uma "origem". Por exemplo, no caso do potencial gravitacional, costuma-se arbitrar Uterra=0 No caso eletrosttico, a menos que se diga o contrrio, usase
Ui = U? = 0 Uf = U = -W? Assim, dada uma configurao de cargas, criadora de um campo, a energia potencial desse sistema e uma carga de prova situada em determinado ponto, o negativo do trabalho realizado pelo campo para trazer a carga de prova do infinito at o ponto considerado.
4.3 POTENCIAL

POTENCIAL
No sistema de unidades SI, a unidade de potencial o (4.4) Volt (V). por isso que na Do que foi discutido acima, pode-se linguagem mostrar que a diferena de potencial popular, potencial entre dois pontos "i" e "f", dado pela eltrico mais relao conhecido como voltagem. (4.5) Ao invs de trabalhar com energia potencial, mais conveniente trabalhar com o potencial, assim definido
4.4 POTENCIAL DE UMA CARGA PUNTIFORME

POTENCIAL DE UMA CARGA PUNTIFORME
O potencial no ponto P, a uma distncia r da carga q, de acordo com (4.5),
Como dl=-dr', V?=0, e E dado pela expresso (3.5), mostra-se facilmente que
(4.6)
Figura 4.2 Agregar carga:

Positivo Negativa Testar Reiniciar
Linhas de campo:
4.5 POTENCIAL DE UM DIPOLO

POTENCIAL DE UM DIPOLO
No captulo 2 calculamos o valor do campo eltrico de um dipolo num ponto da sua mediatriz [eq. (2.4)]. Atravs de um clculo similar, possvel calcular o campo num ponto da linha que une as duas cargas. J o clculo num ponto qualquer, fora dessas duas direes privilegiadas, bastante complicado. Qualquer que seja o caso, o que interessa calcular o campo em pontos muito distantes, isto , em pontos cuja distncia ao centro do dipolo seja muito maior do que a distncia entre as cargas. Veremos agora que no existe dificuldade para se calcular o potencial num ponto qualquer, tambm muito distante. Se r d, seguem-se as seguintes aproximaes
Com a lei de Gauss podemos obter o campo entre os cilindros, cujo resultado Pelo princpio da superposio,
Usando esta expresso para o caso do dipolo, tem-se
4.5 POTENCIAL DE UM DIPOLO
Com as aproximaes acima, obtm-se
(4.7)
Figura 4.3
4.6 POTENCIAL ACELERADOR

POTENCIAL ACELERADOR
A expresso (4.4) estabelece uma relao entre potencial e energia potencial: U = qV Isto significa que se uma carga q for submetida a um potencial V, ela adquirir uma energia potencial U. Se a carga tiver liberdade para se movimentar, a energia potencial vai transformar-se, pelo princpio da conservao de energia, em energia cintica. Um eltron (q=1.6x10-19 C) acelerado por um potencial de 1 V, adquire energia igual 1.6x10-19 J. Essa energia conhecida como o eltron volt. 1 eV = 1.6x10-19 J Quando uma partcula qualquer, com carga mltipla da carga do eltron, q=Ne, acelerada por um potencial de V volt, ela adquire uma energia igual a NV eV. Por exemplo, se uma partcula alfa for acelerada por um potencial de 1000 V, ela adquire a energia de 2000 eV.
Nas simulaes a seguir, vamos explorar o conceito de potencial acelerador. A primeira simulao mostra um campo uniforme, por exemplo gerado por um plano infinito de cargas. Vamos aproveitar esta simulao para introduzir o conceito de superfcie eqipotencal. Trata-se de uma superfcie, ao longo da qual o potencial tem o mesmo valor.
Iniciar
Pausa
<<Passo
Passo>>
Re-Iniciar
Mostrar o campo eletrico. Nesta primeira simulao v-se uma carga de provas. Coloque o cursor sobre ela e mantenha o boto do mouse pressionado; na barra amarela, embaixo, esquerda, l-se a posio (x,y) da carga, e a sua velocidade. Para iniciar o aplicativo a carga deve ser colocada em algum ponto da regio onde existe campo eltrico. Arraste-a com o mouse. Ela inicia com V=0. Clique no boto "iniciar" e veja que a velocidade cresce com o passar do tempo (marcado em cima, esquerda). O movimento pode ser interrompido, clicando em "pausa". Pode avanar ou retroceder, passo a passo, com intervalo de tempo igual a 0,02. Com os dados obtidos nesta simulao, possvel obter a relao entre a carga e a massa da carga de prova. Use as equaes 4.3 e 4.4 e demonstre que isso verdade.
x= 0
Iniciar Pausa
y= 0
ReIniciar
A simulao mostra um dipolo eltrico com as linhas de fora do seu campo eltrico. Uma carga de prova pode ser colocada em ponto (x,y) no interior da moldura. Ao clicar no boto iniciar, esta carga ser submetida ao campo do dipolo. Inicialmente, coloque x=0 e y=2. Observe o movimento da carga. Deixe passar um tempo superior a 1 minuto, e observe o movimento de ida e volta da carga. Explique, qualitativamente, este movimento. Costuma-se dizer que uma carga de prova segue as linhas de campo. Isso acontece nesta simulao? Por que?
4.7 GRADIENTE DE POTENCIAL

GRADIENTE DE POTENCIAL
Da relao (4.5), mostra-se que as coordenadas cartesianas do campo eltrico so obtidas a partir das seguintes relaes
(4.8) Portanto, o campo eltrico dado pelo gradiente do potencial. Como exemplo, vejamos o clculo do campo de uma carga puntiforme, a partir do potencial.
Como o potencial s tem uma varivel, segue-se que
5.7 EXERCCIOS

EXERCCIOS.
Pergunta 1
q
4.1 No movimento de A para B (figura 4.4) ao longo de uma linha de campo eltrico, o campo realiza 3,94 x 1019 J de trabalho sobre um eltron. Quais so as diferenas de potencial eltrico: (a) VB - VA; (b) VC VA; (c) VC VB? R.: 2,46 Volts; 2,46 Volts; zero
Figura 4.4
Pergunta 2
q
4.2 A densidade de carga de um plano infinito =
5.7 EXERCCIOS
0,10 C/m2. Qual a distncia entre as superfcies eqipotenciais cuja diferena de potencial de 50 V? R.: 8,85 mm
Pergunta 3
q
4.3 Duas grandes placas condutoras, paralelas entre si e afastadas por uma distncia de 12 cm, tm cargas iguais e sinais opostos nos faces que se confrontam. Um eltron colocado no meio da distncia entre as duas placas experimenta uma fora de 3,9 x 10-15 N. (a) Determine o campo eltrico na posio do eltron; (b) qual a diferena de potencial entre as placas? R.: 2,44 x 104 N/C; 2928 Volts
Pergunta 4
q
4.4 (a) Mostre que 1 N/C = 1 V/m. (b) Estabelece-se uma diferena de potencial de 2000 V entre duas placas paralelas no ar. Supondo que o ar se torna eletricamente condutor quando a intensidade do campo eltrico ultrapassa 3 x 106 N/C, qual a menor separao possvel entre as placas?
Pergunta 5
q
4.5 Um anel de raio R, carregado positiva e uniformemente, colocado no plano yz, com seu centro na origem do sistema de coordenadas. (a) Construa um grfico do potencial V em pontos do eixo x, em funo de x. (b) Construa, no mesmo diagrama, um grfico da intensidade do campo eltrico E.
5.7 EXERCCIOS
Pergunta 6
q
4.6 Uma esfera metlica de raio Ra apia-se sobre um pedestal isolante, no centro de uma esfera metlica oca de raio interno Rb. Existe uma carga +q sobre a esfera interna e uma carga q sobre a externa. (a) Mostre que a ddp entre as esferas
(b) Mostre que a intensidade do campo eltrico em qualquer ponto entre as esferas
5.2 COMPONENTES ELTRICOS & ELETRNICOS
Captulo 5 - CAPACITNCIA E CAPACITORES

COMPONENTES ELTRICOS & ELETRNICOS
Aps a introduo dos conceitos bsicos de fora eletrosttica, campo eltrico e potencial eltrico, vamos agora prepararmo-nos para estudar as aplicaes eltricas e eletrnicas, iniciando pelas aplicaes mais simples. Qualquer circuito eltrico ou eletrnico, necessita de pelo menos um dos seguintes componentes:
r r r
Resistor (R); Capacitor (C); Indutor (L).
Mais adiante estudaremos em detalhe o resistor e o indutor, mas interessante, j neste captulo, fazer uma discusso geral da utilidade de cada um desses componentes. J vimos que uma forma de produzir campo eltrico numa regio, carregar duas placas paralelas com cargas iguais e de sinais contrrios. Quando colocado num circuito, um capacitor tem a propriedade de acumular cargas, ou, dito de outra forma, tem a capacidade de acumular energia eltrica. Veremos, mais adiante, que o indutor exerce um papel semelhante relativamente ao campo magntico. Podemos dizer, de forma simples, mas sem erro, que um indutor simplesmente um fio condutor enrolado na forma de uma bobina. Quando uma corrente passa por essa bobina, cria-se no seu interior um campo magntico. Portanto, o indutor serve como um acumulador de energia magntica. O resistor serve para conduzir a corrente eltrica. Nesse processo, uma parte da energia perdida por efeito Joule (veremos isso
5.2 COMPONENTES ELTRICOS & ELETRNICOS
mais tarde). Portanto, num circuito contendo esses trs componentes, dois deles conservam energia, enquanto o terceiro desperdia. Nos captulos seguintes estudaremos circuitos RC, RL, LC e RLC, nos quais os processos de acumulao e transferncia de energia sero discutidos detalhadamente.
5.3 DEFINIES

DEFINIES
Quando as placas do capacitor esto carregadas com cargas iguais e de sinais diferentes, estabelece-se entre as placas uma diferena de potencial V que proporcional carga. Q = CV (5.1)
A constante de proporcionalidade, C, denominada capacitncia e depende to somente da geometria das placas, conforme veremos a seguir. No sistema SI, a unidade de capacitncia o Farad, 1 F = 1 Coulomb/Volt.
5.4 CAPACITOR DE PLACAS PARALELAS
>-->

CAPACITOR DE PLACAS PARALELAS
Um capacitor de placas paralelas esquematizado na figura 5.1. Para todos os efeitos prticos, e para simplificar os clculos, vamos supor que as placas sejam planos infinitos. Mesmo que elas sejam finitas, como so na realidade, a aproximao de plano infinito pode ser usada se a distncia entre as placas for muito menor do que as suas dimenses. Podemos resumir essa situao, dizendo simplesmente que efeitos de borda esto sendo desprezados. Na figura 5.2, as linhas de campo so traadas para ilustrar o que significa desprezar efeitos de borda. A figura 5.2(a) representa a situao real, enquanto na figura 5.2(b) a idealizao do plano infinito ilustrada. Veja que as linhas de campo so idnticas em toda a extenso do capacitor, porque estamos desprezando os efeitos de borda.
Figura 5.1
Figura 5.2a
Figura 5.2b
Vejamos como calcular a capacitncia, para o caso do capacitor de placas paralelas. J vimos que a diferena de potencial entre as placas relaciona-se com o campo de acordo com a relao V=Ed. Por outro lado, usando a lei de Gauss determinamos que o
5.4 CAPACITOR DE PLACAS PARALELAS
campo de uma placa infinita dado por E = /20. Portanto, no caso de um par de placas com cargas iguais e de sinais contrrios, o campo entre as placas ser E = /0. A densidade de carga, , dada por q/A, onde A a rea da placa (no h inconsistncia, a placa infinita apenas para efeito de clculo, como uma aproximao). Portanto, E=q/A0, de onde se obtm q = EA0. Da relao (5.1), Q = CV, obtm-se EA0 = CEd, ou, C = 0A/d (5.2)
A relao (5.2) mostra que a capacitncia s depende de uma constante universal, a constante dieltrica no vcuo, 0, e das dimenses do capacitor. Esse tipo de resultado geral. Para qualquer capacitor, a capacitncia s depende da constante dieltrica do meio entre entre as placas, e de propriedades geomtricas. Vejamos mais dois exemplos.
5.5 CAPACITOR CILINDRICO

CAPACITOR CILINDRICO
Vamos considerar um par de cilindros de comprimento L, e raios a e b. O cilindro interno est carregado com carga +q, enquanto o externo est carregado com carga q. Para calcular a capacitncia, necessitamos estabelecer a relao entre potencial e carga. Da relao (4.5), temos que: (5.3) Com a lei de Gauss podemos obter o campo entre os cilindros, cujo resultado
(5.4) Substituindo (5.4) em (5.3), obtm-se
Portanto, a capacitncia de um capacitor cilndrico ser:
5.5 CAPACITOR CILINDRICO
(5.5)
Figura 5.3
5.6 CAPACITOR ESFRICO

CAPACITOR ESFRICO
Use um procedimento anlogo ao anterior, e mostre que a capacitncia de um capacitor esfrico dado por
(5.6)
5.7 ASSOCIAO DE CAPACITORES

ASSOCIAO DE CAPACITORES
Em geral, os circuitos eltricos e eletrnicos so constitudos de vrios componentes, associados de diferentes maneiras. Uma forma simples de abordar esse tipo de problema considerar a associao dos componentes de um mesmo tipo. Veremos agora como tratar a associao de capacitores. A associao em paralelo ilustrada na Figura 5.4, para o caso de dois capacitores. O que caracteriza esse tipo de associao a igualdade de potencial entre as placas dos capacitores. Na ilustrao, as placas Figura 5.4 superiores esto com o mesmo Capacitncia equivalente de uma potencial, dado pelo plo positivo da baterial. Da mesma forma, as placas associao em inferiores esto com o mesmo potencial paralelo negativo. Portanto, as diferenas de potencial so iguais, i.e., V1=V2=V. Pela equao (5.1), obtm-se Q1 = C1V Q2 = C2V (5.7a) (5.7b)
A carga, Q, fornecida pela bateria, distribuda entre os capacitores, na proporo de suas capacidades. Assim, Q=Q1+Q2. Substituindo (5.7a) e (5.7b), tem-se:
5.7 ASSOCIAO DE CAPACITORES
Q = (C1+C2)V Portanto, Ceq = C1+C2 No caso mais geral, com n capacitores, (5.8) No caso da associao em srie (Figura 5.5), fcil concluir que so iguais as cargas acumuladas nas placas de todos os capacitores. Ento, se as cargas so iguais, mas as capacitncias so diferentes, ento os potenciais tambm sero diferentes. Portanto, Q1 = Q2 = Q = C1V1 = C2V2
Figura 5.5 Capacitncia equivalente de uma associao em srie
Portanto,
(5.9)
5.8 CAPACITORES COM DIELTRICOS

CAPACITORES COM DIELTRICOS
A rigor, o ttulo desta seo pode causar alguma confuso, porque sendo o ar, em condies normais, dieltrico , qualquer capacitor ter um dieltrico entre suas placas. O que se quer enfocar aqui o que acontece quando, ao invs do ar, coloca-se outro dieltrico entre as placas do capacitor. Esse problema foi abordado pela primeira vez por Faraday, por volta de 1837. Vamos discutir duas das suas experincias para investigar o efeito de diferentes dieltricos sobre o comportamento de um capacitor. Na Figura 5.6(a) temos um capacitor carregado com carga Q. O dieltrico entre as placas o ar. Um voltmetro est sendo usado para medir a diferena de potencial entre as placas. Como o voltmetro um dispositivo com grande resistncia interna, segue-se que o capacitor est isolado, pelo menos para efeitos prticos. Portanto, a carga acumulada permanecer constante.
Figura 5.6a
Figura 5.6b
Suponha que um dieltrico seja colocado entre as placas. Pelo que sabemos, fcil concluir que a polarizao resultar num excesso de cargas negativas na parte superior do dieltrico, e igual quantidade de cargas positivas na parte inferior, como ilustrado na Figura 5.6(b). O campo efetivo entre as placas diminuir, provocando a diminuio do potencial.
A eq. (5.1), Q=CV, implica que a capacitncia deve aumentar, em relao capacitncia do capacitor com ar. Ento, C = kCar onde k a constante dieltrica do material colocado entre as placas. Para o vcuo, k=1, e para o ar, k=1,00054. Nesta experincia, o capacitor est sendo carregado por uma bateria, de modo que a diferena de potencial entre as placas, dada pela ddp da bateria, constante. A introduo de um dieltrico entre as placas [Figura 5.7(b)] resulta na reduo da diferena de potencial. Como a baterial fornece uma ddp constante, isso implica no aumento de Q. Da eq. (5.1), conclui-se que C deve aumentar, como no caso da experincia anterior.
Figura 5.7a
Figura 5.7b
Figura 5.7c
5.9 ARMAZENANDO ENERGIA NUM CAMPO ELTRICO

ARMAZENANDO ENERGIA NUM CAMPO ELTRICO
Como o capacitor produz um campo eltrico entre suas placas, ter acumulao de energia num capacitor equivalente a ter acumulao de energia num campo eltrico. Suponha que um capacitor, com capacitncia C, contenha uma certa carga q, e suas placas estejam a uma diferena de potencial V. Para transferir uma carga dq de uma placa para outra, necessrio realizar um trabalho.
Como j vimos,
(5.10) EXERCCIO INTERATIVO: Neste aplicativo temos um capacitor de placas paralelas. Temos quatro dieltricos diferentes, quatro possibilidades de reas das placas, e quatro distncias entre elas. Use a frmula da capacitncia de um capacitor de placas paralelas com diferentes dieltricos, e cheque o resultado.
5.10 EXEMPLOS

EXEMPLOS
Os capacitores da Figura 5.8(a), inicialmente descarregados, so carregados com a chave S aberta. Capacitncias em F. (a) Qual a diferena de potencial Vab? (b) Qual o potencial do ponto b, aps a chave S ter sido fechada? (c) Quanta carga fluir atravs da chave, enquanto ela estiver fechada? Quando os capacitores so carregados de acordo com a configurao da Figura 5.8(a), os capacitores 6 F e 3 F, esquerda esto ligados em srie, da mesma forma que os capacitores 3 F e 6 F, direita.
r
Figura 5.8a
Mostre que o circuito da Figura 5.8(a) transforma-se no circuito da Figura 5.8(b). Mostre que a carga acumulada em cada capacitor da Figura 5.8(b) ser 400 C. Mostre que, enquanto a chave S estiver aberta, o potencial no ponto b ser Vb=66,7 volts, e o potencial no ponto a ser Va=133,3 volts. Portanto Vab=66,7 volts (resposta do tem a).
Figura 5.8b
r
5.10 EXEMPLOS
Fechando-se a chave S, o circuito ficar como o representado na Figura 5.8(c).

r
Mostre que a Figura 5.8(c) transforma-se na Figura 5.8(d). Mostre a carga fornecida pela bateria ser 900 C. Mostre que V1=100 volt (resposta do tem b). Mostre que a carga no capacitor de 6 F [Figura 5.8(c)] 600 C, enquanto no capacitor de 3 F 300 C. Portanto, mostre que a carga que flui atravs da chave S 300 C.
Figura 5.8c
Figura 5.8d
5.11 EXERCCIOS

EXERCCIOS.
Pergunta 1
q
5.1 Um capacitor a ar, consistindo de duas placas paralelas bastante prximas, tem uma capacitncia de 1000 pF. A carga em cada placa de 1 C. (a) Qual a ddp entre as placas? (b) Se a carga for mantida constante, qual a ddp entre as placas se a separao for duplicada? R: (a)1000 Volts; (b)2000 Volts.
Pergunta 2
q
5.2 Na figura 5.9 C1=3 F e C2=2 F. (a) Calcule a capacitncia equivalente da rede entre os pontos a e b. (b) Calcule a carga em cada um dos capacitores C1 mais prximos de a e b quando Vab=900 V. (c) Com Vab=900 V, calcule Vcd. R:(a)1 F; (b)900 C; (c)300 Volts.
Figura 5.9
5.11 EXERCCIOS
Pergunta 3
q
5.3 Um capacitor de 1 F e outro de 2 F so ligados em srie a uma fonte de tenso de 1200 V. (a) Determine a carga de cada um deles e a diferena de potencial atravs de cada um. (b) Os capacitores carregados so desligados da fonte e um do outro e religados com os terminais de mesmo sinal juntos. Determine a carga final em cada capacitor e a diferena de potencial atravs de cada um. R:(a)800 C, 800 V, 400 V; (b)533,33 C, 1066,67 , 533,33 V.
Pergunta 4
q
5.4 Quer-se construir um capacitor de placas paralelas, usando borracha como dieltrico, tendo esta uma constante dieltrica igual a 3 e rigidez dieltrica de 2 x 105 V/cm. A capacitncia do capacitor deve ser 0,51 F e ele deve ser capaz de suportar uma diferena de potencial mxima de 6000 V. Qual a rea mnima que as placas do capacitor podem ter? R:5,76 m2
Pergunta 5
q
5.5 Um capacitor esfrico consiste de uma esfera metlica interna, de raio Ra, apoiada num pedestal isolante situado no centro de uma esfera metlica oca de raio interno Rb. H uma carga +Q na esfera interna e outra Q na externa. (a) Qual a ddp Vab entre as
5.11 EXERCCIOS
esferas? (b) Prove que a capacitncia
R:(a)Va-Vb=(q/40) (Ra+Rb)/RaRb.
Pergunta 6
q
5.6 Um cabo coaxial consiste de um cilindro condutor, slido, interno, de raio Ra, suportado por discos isolantes, ao longo do eixo de um tubo condutor de raio interno Rb. Os dois cilindros so carregados com cargas opostas, com densidade linear . (a) Qual a ddp entre os dois cilindros? (b) Prove que a capacitncia de um comprimento L do cabo
R:Veja a resposta na apostila, antes da eq. (5.5).
6.2 MODELO MICROSCPICO

MODELO MICROSCPICO
At agora, abordamos situaes em que cargas eltricas so consideradas estticas, ou quase estticas. Mesmo as situaes em que levamos em conta movimento de cargas, como no caso dos capacitores, isso foi feito para facilitar o raciocnio, pois a situao analisada era a do equilbrio eletrosttico. Neste captulo vamos iniciar o estudo de situaes em que cargas eltricas esto em movimento. O estudo geral da eletrodinmica bastante complexo, havendo necessidade do uso da teoria da relatividade restrita. Cargas eltricas podem movimentar-se sob a ao de campos eltricos e magnticos, e em diversos ambientes. Vamos cuidar de distinguir bem cada um desses casos. Inicialmente vamos tratar de eltrons movendo-se em resistores, em regime estacionrio, sob a ao de um campo eltrico provido por uma bateria. Microscopicamente, a corrente eltrica consiste num fluido de eltrons movendo-se ao longo de uma estrutura cristalina. A rede cristalina forma obstculos, de modo que o movimento dos eltrons, quando visto microscopicamente, parece catico. Cada vez que um eltron aproxima-se de um desses obstculos da rede cristalina, seu movimento desviado, algumas vezes retroativamente. Esse movimento tipo zig-zag ilustrado na Figura 6.1, onde so indicados o
sentido do campo eltrico, o movimento de um eltron e a velocidade de deriva. Esta velocidade define o movimento efetivo do eltron. A relao entre o movimento efetivo e o movimento em zig-zag, semelhante ao de uma pessoa que d dois passos para a frente e um para trs; no final das contas ela vai andar para a frente. Figura 6.1 Entre os vrios fatores que afetam o movimento eletrnico num condutor, a temperatura um dos mais importantes. Teremos oportunidade de discutir isso mais adiante, mas conveniente adiantar uma abordagem qualitativa a esse problema. O primeiro efeito da temperatura fazer vibrar a rede cristalina, de modo que os obstculos ilustrados na Figura 6.1 esto constantemente mudando de lugar. Na Figura 6.1 eles esto fixos; isso representa uma situao irreal, onde a temperatura absolutamente nula. Neste caso, poderiam haver alguns canais de trnsito livre para o eltron, como o indicado pela seta , na Figura 6.1. medida que a temperatura aumenta vibraes so introduzidas, de modo que desordens localizadas impedem mais efetivamente o movimento eletrnico. Veja que o canal que existia na Figura 6.1 deixa de existir na Figura 6.2, que ilustra uma situao desordenada. Este aplicativo simula a situao descrita acima. As esferas
Figura 6.2
amarelas representam os tomos na rede cristalina, e os pontos vermelhos representam os eltrons livres. Aumente o valor da corrente, deslocando para a direita, o cursor da barra abaixo da modura. Para observar com mais preciso, use uma corrente baixa.
http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/mod06/m_s02.html

CORRENTE ELTRICA
Define-se intensidade de corrente eltrica como a quantidade de cargas que atravessa a seo reta de um condutor, por unidade de tempo. Isto , (6.1) A corrente eltrica por unidade de rea transversal define o mdulo do vetor densidade de corrente J. (6.2) Podemos relacionar essas grandezas de outra forma,
Do ponto de vista microscpico, h uma relao muito importante entre a densidade de corrente e a velocidade de deriva. Vamos deduzi-la. Seja um segmento de condutor, L, como ilustrado na Figura 6.3. Suponha que existam n eltrons por unidade de volume; esta a densidade de portadores do material. Portanto, a densidade de cargas no condutor ser ne, e a carga total no segmento de condutor ser q = neAL Um eltron percorrer este segmento no intervalo de tempo
t = L/Vd onde Vd a velocidade de deriva. Da definio de corrente, obtm-se i = q/t = neAVd Da definio de densidade de corrente, obtm-se J = neVd (6.3)
A corrente o fluxo da densidade de corrente!
Figura 6.3.
6.4 RESISTNCIA, RESISTIVIDADE & CONDUTIVIDADE

RESISTNCIA, RESISTIVIDADE & CONDUTIVIDADE
Os obstculos impostos ao movimento eletrnico, conforme discusso qualitativa acima, so todos representados por uma propriedade mensurvel, denominada resistncia, e definida pela relao R = V/i (6.4)
Essa definio significa que, quando se aplica uma diferena de potencial (ddp), V, entre os extremos de um resistor, R, uma corrente, i, circular, de tal modo que a relao (6.4) ser satisfeita. A forma mais conhecida de (6.4) V = Ri (6.5)
As grandezas relacionadas em (6.4) so todas macroscpicas e facilmente mensurveis com um ohmmetro (para medir R), com um voltmetro (para medir V) ou com um ampermetro (para medir i). Cada uma tem uma contrapartida microscpica, V E; i J; R
A contrapartida microscpica da resistncia denominada resistividade, , e a relao microscpica correspondente a (6.5) E = J (6.6)
No regime estacionrio, E e J so uniformes, de modo que, para o segmento L da Figura 6.3,

V = LE = LJ e i = JA
Substituindo V e i na relao (6.4), obtm-se (6.7) A relao (6.7) mostra que a resistncia de um condutor diretamente proporcional ao seu comprimento, e inversamente proporcional sua seo reta. A constante de proporcionalidade, , varia com a temperatura conforme a relao emprica - 0 = 0(T-T0) (6.8)
onde 0 a resistividade medida na temperatura T0, e o coeficiente de temperatura da resistividade. possvel deduzir a relao entre a resistividade e algumas propriedades microscpicas do material. O movimento eletrnico estacionrio, com velocidade de deriva, proporcionado pelo campo eltrico, E, de tal modo que em mdia, cada eltron possui acelerao a = eE/m onde e e m so, respectivamente, a carga e a massa do eltron. Supondo que o tempo mdio entre duas colises do eltron com a rede cristalina seja , e admitindo que a velocidade de deriva aproximadamente igual velocidade mdia entre colises, tem-se que Vd = a = eE/m Usando a relao (6.3), obtm-se
E = mJ/ne2 Finalmente, com o uso de (6.6) chega-se relao
(6.9)
6.5 LEI DE OHM

LEI DE OHM
Costuma-se afirmar, equivocadamente, que a lei de Ohm expressa pela eq. (6.5). Na verdade, esta equao representa simplesmente a definio de resistncia. O que a lei de Ohm diz que para alguns materiais, ditos materiais hmicos, a razo entre V e i constante. V = Ri (6.5) Este aplicativo serve para explorar conceitos bsicos de um circuito simples. Tem-se um resistor (com resistncia varivel) ligado a uma bateria (fora eletromotriz, ou voltagem, varivel). Em srie com o resistor, tem-se um ampermetro, equipamento usado para medir corrente eltrica (por que ele ligado em srie com o resistor?). Em paralelo com o resistor, tem-se um voltmetro, equipamento usado para medir diferenas de potencial (por que ele ligado em paralelo?). Na parte de cima do painel verde, h uma escala para o voltmetro (1 - 1000 V) e outra para o ampermetro (1 mA - 10 A). Essas escalas definem os valores mximos que os equipamentos podem medir. Se o valor superar, eles podem "queimar". Fixe um determinado valor da voltagem, e tente colocar a "voltagem mx" menor do que esse valor. Explique o que acontece. Coloque U=10, Vmax>10 V e Imax= 1A. Diminua o valor da resistncia at ela atingir 9 Ohms. Explique o que acontece. Tente explicar qual a finalidade das escalas nos aparelhos de
6.5 LEI DE OHM
medida.
6.6 ENERGIA, & POTNCIA

ENERGIA, & POTNCIA
Para se produzir uma corrente eltrica, h que se produzir um fluxo de cargas eltricas; no caso mais geral de metais condutores, isto significa produzir fluxo de eltrons. Isso feito s custas da energia de uma fonte; no caso mais simples, uma bateria. Se uma carga dq transportada de A para B, no condutor da Figura 6.4, a bateria ter que fornecer uma energia dU = dqVAB = idtVAB Por definio, a potncia dada por (6.10) Fazendo uso da relao (6.5), chega-se a uma relao bastante conhecida P= Ri2 (6.11) Figura 6.4
A expresso (6.11), que d a potncia dissipada num resistor, R, quando ele atravessado por uma corrente, i, tambm conhecida como potncia Joule. A energia assim transferida, manifesta-se sob a forma de calor no resistor. Na seguinte demostrao, podemos mudar o valor de V e R. Qual sero os valores certos para que a lampada funcione?
6.6 ENERGIA, & POTNCIA
6.7 UNIDADES NO SISTEMA SI

UNIDADES NO SISTEMA SI
Grandeza Corrente Resistncia Unidade Ampere (A) Ohm ()
Resistividade Ohm.metro(.m) Condutividade Ohm.metro recproca (.m)-1
6.8 EXEMPLO

EXEMPLO 6.1
Quando se aplica uma ddp suficientemente alta entre dois eletrodos em um gs, este se ioniza, os eltrons movendo-se para o eletrodo positivo e os ons positivos para o eletrodo negativo. a) Qual a corrente num tubo de descarga de hidrognio se, em cada segundo, 4x1018 eltrons e 1,5x1018 prtons movem-se em sentidos opostos atravs de uma seo transversal do tubo? b) Qual o sentido da corrente? Soluo: Corrente de eltrons num sentido igual a corrente de ons positivos no sentido contrrio. Portanto, a corrente ser i = 5,5x1018x1,6x10-19 = 0,88 A.
5.11 EXERCCIOS

EXERCCIOS.
Pergunta 1
q
6.1 Um fio de prata de 1 mm de dimetro conduz uma carga de 90 C em 1h15min. A prata contm 5,8 x 1028 eltrons livres por m3. (a) Qual a corrente no fio? (b) Qual a velocidade de arrastamento dos eltrons no fio? R:(a)20 mA; (b)2,7x10-6 m/s.
Pergunta 2
q
6.2 Quando se aplica uma ddp suficientemente alta entre dois eletrodos em um gs, este se ioniza, os eltrons movendo-se para o eletrodo positivo e os ons positivos para o eletrodo negativo. (a) Qual a corrente num tubo de descarga de hidrognio se, em cada segundo, 4 x 1018 eltrons e 1,5 x 1018prtons movemse em sentidos opostos atravs de uma seo transversal no tubo? (b) Qual o sentido da corrente? R:(a)0,88 A; (b)O sentido do movimentos dos prtons.
Pergunta 3
q
6.3 A corrente em um fio varia com o tempo segundo a
5.11 EXERCCIOS
relao i = 4 + 2t2, onde i dada em ampres e t em segundos. (a) Quantos coulombs passam atravs de uma seo transversal do fio num intervalo de tempo entre t=5 s e t=10 s? (b) Que corrente constante transportaria a mesma carga no mesmo intervalo de tempo? R:(a)603,34 C; (b)120,67 A.
Pergunta 4
q
6.4 Um fio de 100 m de comprimento e 2 mm de dimetro tem uma resistividade de 4,8 x 10-8 m. (a) Qual a sua resitncia? (b) Um segundo fio do mesmo material tem o mesmo peso que o anterior, mas seu dimetro o dobro. Qual a sua resitncia? R:(a)1,53 ; (b)9,25x10-2
Pergunta 5
q
6.5 Enquanto a chave S estiver aberta, o voltmetro V, ligado aos terminais da pilha seca da figura 6.5, marca 1,52 V. Quando se fecha a chave, a leitura do voltmetro cai para 1,37 V e o ampermetro A l 1,5 A. Determine a fem e a resistncia interna da pilha. R:1,52 V; 0,1 .
Figura 6.5
5.11 EXERCCIOS
Pergunta 6
q
6.6 A ddp entre os terminais de uma bateria 8,5 V, quando existe na mesma uma corrente de 3 A dirigida do terminal negativo para o positivo. Quando a corrente for de 2 A no sentido inverso, a ddp torna-se 11 V. (a) Qual a resistncia interna da bateria? (b) Qual a fem da bateria? R:(a)0,5 ; (b)10 V.
Pergunta 7
q
6.7 A voltagem entre os terminais de uma fonte em circuito aberto de 10 V e sua corrente em curtocircuito 4,0 A. Qual ser a corrente quando a fonte for ligada a um resistor linear de 2 ? R:2,22 A.
Pergunta 8
q
6.8 (a) Exprima a taxa de dissipao de energia num resistor em termos de (i) ddp e corrente; (ii) resistncia e corrente; (iii) ddp e resistncia. (b) Energia dissipada num resistor a uma taxa de 40 W, quando a ddp entre os terminais de 60 V. Qual a sua resistncia? R:(a)P=Vi=Ri2=V2/R; (b) 90 .
Pergunta 9
5.11 EXERCCIOS
q
6.9 No circuito da figura 6.6, determine: (a) a taxa de converso de energia interna em energia eltrica dentro da bateria; (b) a taxa de dissipao de energia na bateria; (c) a taxa de dissipao de energia no resistor externo. R:(a)24 W; (b)4 W; (c)20 W
Figura 6.6
7.2 LEI DOS NS & LEI DAS MALHAS

LEI DOS NS & LEI DAS MALHAS
O que conhecemos como lei dos ns e lei das malhas so, na realidade, dois procedimentos para resolver circuitos eltricos simples. Elas so baseadas em princpios de conservao de energia e de carga, e suas aplicaes so facilitadas se feitas a partir das regras apresentadas abaixo. Entende-se por malha, um circuito fechado, incluindo vrios componentes eltricos; fem e resistncias, no caso mais simples, como ilustrado na Figura 7.1. Entende-se por n, o ponto de encontro de trs ou mais ramos de um circuito, tendo cada ramo um ou mais componentes eltricos. Na Figura 7.1, o ponto A um n, unindo a malha da esquerda malha da direita. Chama-se queda de potencial, a diferena de potencial entre dois pontos de um circuito; por exemplo, entre A e B ou entre A e C, na Figura 7.1.
Figura 7.1
7.3 LEI DAS MALHAS (LEI DE KIRCHHOFF)

LEI DAS MALHAS (LEI DE KIRCHHOFF)
Quando se percorre um circuito fechado, o somatrio das quedas de potencial deve ser nulo, pois os pontos inicial e o final so os mesmos. Vejamos, nas regras seguintes, como cada queda de potencial usada nesse somatrio. indica que o circuito est A seta sendo percorrido no sentido de a para b, logo V= Vb Va. Se a corrente convencional, indicada pela seta , vai de a para b, porque os eltrons vo de b para a. Logo, Vb<Va, e V = - Ri Quando se atravessa uma resistncia no mesmo sentido da corrente convencional, a queda de potencial negativa (Figura 7.2a). Neste caso, V= Va Vb = Ri > 0 Quando se atravessa uma resistncia no sentido contrrio ao da corrente convencional, a queda de potencial positiva (Figura 7.2b). Figura 7.2a
V = 0
Figura7.2b
7.3 LEI DAS MALHAS (LEI DE KIRCHHOFF)
Quando se atravessa uma fem do plo negativo para opositivo, a queda de potencial positiva (Figura 7.2c). Figura 7.2c Quando se atravessa uma fem do plo positivo para o negativo, a queda de potencial negativa (Figura 7.2d). Figura 7.2d
7.4 LEI DOS NS

LEI DOS NS
A segunda regra bsica refere-se ao somatrio das correntes, e conhecida como lei dos ns: o somatrio das correntes que entram num n, igual soma das correntes que saem.
Ientram = Isaem
7.5 CIRCUITO COM MAIS DE UMA MALHA

CIRCUITO COM MAIS DE UMA MALHA
Quando um circuito possui n malhas, as regras acima so aplicadas a (n-1) delas, arbitrariamente escolhidas. Da mesma forma, a lei dos ns aplicada em (n-1) ns, arbitrariamente escolhidos. Nas aplicaes das regras acima, existem mais duas arbitrariedades importantes:
q
Arbitra-se o sentido em que cada malha ser percorrida. Arbitra-se o sentido da corrente em cada trecho do circuito. Se ao final determinada corrente tiver valor negativo, porque o sentido correto o contrrio daquele arbitrado.
O circuito apresentado neste aplicativo tem trs malhas e dois ns. Os valores das fem's podem ser variados, entre 1 e 10 V, e as resistncias variam entre 1 e 10 ohm. Isso feito simplesmente clicando nas extremidades de cada componente. Quando uma fem atinge 1 V, o prximo clique no terminal negativo (azul) inverte seu sentido. Em cada ramo do circuito h um ampermetro, e um voltmetro conectado em paralelo com cada resistor. Use o aplicativo para treinar a soluo de circuitos com mais de uma malha. Coloque arbitrariamente alguns valores nas fem's e nos resistores e verifique se a soluo do circuito coincide com os valores medidos nos ampermetros e nos voltmetros. Lembre que um circuito com 3 malhas e 2 ns implica num sistema de 3 equaes e 3 incgnitas. Como temos 3 correntes e 2 voltagens, pelo menos um desses
7.5 CIRCUITO COM MAIS DE UMA MALHA
deve ser conhecido.
7.6 EXEMPLO 7.1

EXEMPLO 7.1
O circuito apresenta 2 ns e 3 malhas (ABEF, ACDF e BCDE). Portanto, teremos 1 equao com a lei dos ns e duas equaes com a lei de Kirchhoff. Considerando o n B, v-se que a corrente I3 entra, enquanto I1 e I2 saem do n. Assim, I3=I1+I2 [7.1(a)]
Considerando as malhas ABEF e BCDE sendo percorridas nos sentidos indicados, e as regras sobre as quedas de potencial, teremos as seguintes equaes R1I1-1-R2I2=0 -R2I2-2-R3I3=0 [7.1(b)] [7.1(c)]
Suponha que R1=1 , R2=2 , R3=1/3 , 1=6 V e 2=10 V, para mostrar que I1= -2 A, I2= -4 A e I3= -6 A. Como se v, as intensidades das 3 correntes so negativas, significando que os sentidos arbitrados devem ser invertidos.
7.6 EXEMPLO 7.1
Na figura, as direes das correntes, bem como as direes em que as malhas so percorridas, foram arbitrariamente escolhidas
7.7 CIRCUITO RC SRIE

CIRCUITO RC SRIE
A figura 7.3 mostra um circuito RC srie, que recebe esta denominao porque o resistor e o capacitor esto em srie com a fem. Vamos usar o princpio da conservao da energia para determinar a equao diferencial que descreve o comportamento deste circuito. Inicialmente, quando a chave S conectada ao ponto a, o capacitor est descarregado. A partir deste momento ele comea a ser carregado pela bateria.
Figura 7.3
Para cada carga dq fornecida pela bateria, esta realiza um trabalho dW=dq Este trabalho transforma-se em energia dissipada no resistor, Ri2dt e em energia acumulada no capacitor,
onde V a diferena de potencial entre as placas do

capacitor. Pela conservao de energia,
Levando em conta que
, obtm-se (7.2)
A eq. (7.2) tem como soluo q(t) = C(1 e-t/RC) (7.3)
O crescimento da carga no capacitor (figura 7.4) tem uma componente exponencial, de modo que, rigorosamente, ela s atingir seu valor final, C, num tempo infinito. Figura 7.4 Para cada circuito RC h um tempo caracterstico, =RC, denominado constante de tempo capacitiva. Quando t=RC, a carga no capacitor atinge 63% do seu valor mximo. A partir de (7.3) obtm-se (7.4) Decorrido um longo intervalo de tempo (p.ex., t=10RC)), a
chave S desconectada de a e conectada em b. A partir deste momento inicia-se o processo de descarga do capacitor. Colocando-se =0 na eq. (7.2) obtm-se (7.5) Por integrao direta chega-se expresso que descreve a variao da carga durante a descarga do capacitor, q(t) = Ce-t/RC (7.6)
Figura 7.5
Figura 7.6
O aplicativo acima apresenta o comportamento de um circuito RC. Concentre sua ateno no processo de carga e descarga do capacitor. Para iniciar o processo clique sobre a chave preta que conecta os diferentes ramos do circuito. As barras azuis mostram o valor da ddp em cada um dos componentes: bateria, capacitor e resistor. O grfico apresentado o da ddp entre as placas do capacitor. Quando o capacitor estiver mais de 99% carregado (Quando isto acontece?) mude a posio da chave e passe a descarregar o capacitor. O resitor tem resistncia de 100 k e o capacitor uma capacitncia de 100 F. Analise os resultados obtidos e descreva o que observou.
7.7 EXERCCIOS

EXERCCIOS.
Pergunta 1
q
7.1 Trs resistores iguais so ligados em srie. Quando se aplica uma certa ddp a esta combinao, a potncia total consumida de 10 W. Que potncia seria consumida se os trs resistores fossem ligados em paralelo mesma ddp? R:90 W.
Pergunta 2
q
7.2 (a) Determine a resistncia entre os pontos a e b da rede mostrada na figura 7.7. (b) Que ddp entre a e b resultar em uma corrente de 1 A no resistor de 4 ? R:(a)7 ; (b)14 V.
Figura 7.7
Pergunta 3
7.7 EXERCCIOS
q
7.3 Determine as fem 1 e 2 no circuito mostrado na figura 7.8 e a ddp entre a e b. R:1=18 V; 2=7 V; Vab=13 V
Figura 7.8
Pergunta 4
q
7.4 (a) Calcule a ddp entre os pontos a e b da figura 7.9. (b) Se a e b forem ligados, calcule a corrente na bateria de 12 V. R:(a)Vab=0,22 V; (b)0,466 A.
Figura 7.9
Pergunta 5
q
7.5 Considere, na figura 7.3, =100 V, R=10 M, C=2 F. O capacitor est inicialmente descarregado. A chave
7.7 EXERCCIOS
ligada na posio a durante 20 s e depois rapidamente ligada na posio b. (a) Construa grficos para i(t), q(t), ddp no resistor e ddp no capacitor para um intervalo de tempo de 60 s depois da chave ter sido ligada pela primeira vez. (b) Quanta energia dissipada no resistor? R:(b)0,0997 J.
Pergunta 6
q
7.6 Quantas constantes de tempo devem decorrer antes que um capacitor em um circuito RC esteja carregado com 99% de sua carga de equilbrio? R: t = 4,605 RC
8.2 A FORA DE LORENTZ
Captulo 8 - O CAMPO MAGNTICO.

A FORA DE LORENTZ
Geralmente os textos introdutrios sobre magnetismo iniciam com um histrico da descoberta do fenmeno, ocorrida na cidade de Magnsia, por volta do ano 121 DC. Tanto o Halliday-Resnick quanto o Sears-Zemanski fazem esse tipo de abordagem. Do ponto de vista formal, devemos ter em mente que impossvel tratar cargas eltricas em movimento sem levar em considerao a existncia do campo magntico. Veremos logo adiante que cargas em movimento criam um campo magntico. Por outro lado, havendo um campo magntico em determinada regio do espao, este exercer uma fora sobre uma carga em movimento. Existem duas formas bsicas de criao de um campo magntico. A primeira tem a ver com a descoberta do fenmeno; trata-se do campo de um m permanente. A segunda forma tem a ver com o campo criado por uma carga em movimento; trata-se do campo criado por uma corrente eltrica. No importa, para o momento, qual a fonte de criao, o que importa que dado um campo magntico, B, este exerce uma fora sobre uma carga, q, em movimento, dada por F = qvxB (8.1)
onde v a velocidade da carga. A fora magntica nula em duas circunstncias:
8.2 A FORA DE LORENTZ

r r
Carga estacionria (v=0); Velocidade paralela ao vetor campo magntico.
No caso geral, em que temos um campo eltrico, E, e um campo magntico, a fora sobre uma carga em movimento dada por (8.2) A fora expressa em (8.2) conhecida como fora de Lorentz.
8.3 A DESCOBERTA DO ELTRON

A DESCOBERTA DO ELTRON
A expresso (8.2) foi usada por Thomson quando este realizava os trabalhos que resultaram na descoberta do eltron. Thomson usou um campo eltrico perpendicular a um campo magntico, para desviar o feixe de eltrons num tubo de raios catdicos, conforme esquematizado na figura 8.1. Joseph John Thomson (18561940), descobriu o eltron em 1897. Ganhou o Prmio Nobel de fsica de 1906.
Figura 8.1
Pela eq. (8.2) v-se que a fora eltrica perpendicular fora magntica. Controlando-se os parmetros externos, E, B e v, possvel fazer FE=FB eE=evB v=E/B.
A velocidade dos eltrons resulta da acelerao atravs de um potencial V, tal que
Das expresses acima, obtm-se
8.3 A DESCOBERTA DO ELTRON
(8.3) A razo entre a carga e a massa do eltron, ou de qualquer partcula carregada que penetre no tubo de raios catdicos, calculada atravs de parmetros controlados experimentalmente. Estes so ajustados de tal forma que o feixe permanea em linha reta, isto , de tal forma que a fora eltrica equilibre a fora magntica.
8.4 O EFEITO HALL

O EFEITO HALL
A expresso (8.2) tambm permitiu a descoberta do efeito Hall que, como veremos, extremamente til na indstria microeletrnica. A figura 8.2 esquematiza o arranjo experimental para o estudo do efeito Hall. Tem-se uma fita condutora com seo reta A (=Ld) atravs da qual circula um feixe de eltrons com velocidade v.
Figura 8.2 Aplicando-se um campo magntico na direo horizontal, conforme indicado na figura 8.2, resulta numa fora magntica na direo perpendicular ao movimento eletrnico, no sentido de cima para baixo. Esta fora far com que o movimento dos eltrons seja desviado para baixo. Com o tempo, cargas negativas acumulam-se na face inferior, e cargas positivas na face superior. O excesso de cargas positivas e negativas, funciona como um capacitor de placas paralelas, com um campo eltrico conhecido como campo Hall. Chegar um momento em que a fora Hall equilibra a fora magntica, qEH = qvB
8.4 O EFEITO HALL
Usando a eq. (6.3), J=nqv, e a definio da densidade de corrente, J=i/A, obtm-se
Por outro lado, EH = VH/d. Resulta da que
Tendo em conta que a seo reta dada por A=Ld, obtmse
(8.4) O efeito Hall permite a obteno de dois resultados importantes. Em primeiro lugar, possvel determinar o sinal da carga dos portadores, bastando medir a diferena de potencial entre as superfcies superior e inferior. Em segundo lugar, a eq. (8.4) fornece o valor da densidade de portadores. Esses dois resultados so de extrema importncia na indstria eletrnica, pois permite a fabricao de dispositivos que dependem do tipo (eltrons ou lacunas) e da quantidade de portadores.
8.5 MOVIMENTO DE UMA CARGA NUM CAMPO MAGNTICO

MOVIMENTO DE UMA CARGA NUM CAMPO MAGNTICO
A eq. (8.1) mostra que se a velocidade da partcula tiver a mesma direo do campo magntico, a fora ser nula, resultando num movimento retilneo uniforme. Por outro lado, se o ngulo entre o vetor velocidade e o vetor campo magntico for diferente de zero, podemos decompor o vetor velocidade em duas direes: uma na direo de B, e outra perpendicular. Isto ,
Portanto, o movimento de uma partcula, de massa m e carga q, numa regio do espao onde existe um campo magntico, sempre composto de um movimento retilneo uniforme e de um movimento circular. Este tipo de movimento esquematizado na figura 8.3. Como se v a fora centrpeta, que proporciona o movimento circular, igual fora magntica.
Figura 8.3
Assim, a partcula movimenta-se num crculo com raio r = mv/qB (8.5a)
Da relao v=r, obtm-se a velocidade angular = qB/m (8.5b)
8.5 MOVIMENTO DE UMA CARGA NUM CAMPO MAGNTICO
Da relao =2f, obtm-se a freqncia F = qB/2m e o perodo T = 1/f = 2m/qB (8.5d) (8.5c)
FORA SOBRE UMA CORRENTE

Se um campo magntico exerce uma fora sobre uma carga em movimento, bvio que ele exercer uma fora sobre uma corrente eltrica. Vejamos como calcular esta fora. A fora sobre um eltron dada por F=evB Supondo que existam N eltrons no segmento L do fio (seo reta A), tem-se que a densidade eletrnica ser n=N/LA Sabemos que J=nev, logo,
A partir desses resultados, temos que a fora sobre um eltron ser
Portanto, a fora sobre o segmento de fio ser
A expresso geral dada por
(8.6) O sentido da fora obtido pela regra da mo direita para o produto vetorial. No caso da Figura 8.4, a fora aponta para baixo.
Figura 8.4 Neste aplicativo voc pode visualizar o efeito de um campo magntico sobre uma corrente eltrica. A fora sobre o fio conseqncia da fora de Lorentz sobre cada eltron que compe a corrente. Use a equao 8.6 e verifique a fora que age sobre o fio em diferentes situaes (invertendo o sentido da corrente e a polaridade do m.

FORA SOBRE UMA ESPIRA DE CORRENTE
Na figura 8.5 mostra-se uma espira retangular, de lados a e b, percorrida por uma corrente i, na direo indicada. De acordo com a eq. (8.6), as foras sobre os lados a e b so dadas por F1=iaB F2=ibB Figura 8.5 Foras F1 (F2) atuam em lados opostos a (b). V-se facilmente que as foras F2 equilibram-se, enquanto as foras F1 produziro um torque na espira. Para melhor analisar esse torque, vejamos a figura 8.5 sob outra perspectiva, conforme ilustra a figura 8.6.
Figura 8.6
O torque ser
Substituindo F1=iaB, A=ab e cos =sen, obtm-se =iABsen Para o caso de uma bobina com N espiras, =NiABsen Para uma espira, define-se seu momento de dipolo magntico =iA. Da mesma forma, para uma bobina, com N espiras, define-se =NiA. Portanto, o torque sobre uma espira ou sobre uma bobina, ser (8.7)
8.8 UNIDADES

UNIDADES
At aqui utilizamos o conceito genrico de campo magntico, ao qual associamos o smbolo B. Esse tratamento torna-se mais complicado quando temos de abordar uma situao prtica, para a qual torna-se indispensvel o uso de um sistema de unidade. Essa uma questo bastante complicada no caso do eletromagnetismo em geral, e mais ainda no caso especial do magnetismo. Para avaliarmos esse nvel de complexidade, vejamos o que est escrito em Sears & Zemanski (Vol. 3, 1a edio, p. 534): O campo magntico, tal como o campo eltrico, um campo vetorial e seu valor e orientao em qualquer ponto so especificados por um vetor B chamado induo magntica. O campo magntico chamado de induo magntica? A confuso vem do fato que, na prtica, campo magntico no a mesma coisa que induo magntica! Esta equivalncia geralmente usada para simplificar, mas causa o mistrio colocado na definio acima. No captulo 41, ao discutir as propriedades magnticas da matria, Sears & Zemanski coloca a questo no contexto correto. Portanto, mantm o
Para materiais paramagnticos e diamagnticos: B= H = permeabilidade magntica Para materiais ferromagnticos: B=f(H) depende do material e do processo de magnetizao.
r
H est relacionado com a corrente que o produz.
8.8 UNIDADES
leitor confuso ao longo de 4 captulos. No sistema SI, a unidade de B o Tesla (T), enquanto no sistema CGS, sua unidade o Gauss (G), onde 1 T = 104 G = 1 Weber/m2. Por outro lado, a unidade de H A/m no sistema SI e Oersted (Oe) no sistema CGS (1 A/m = 4x10-3 Oe).
B depende tanto da corrente quanto da magnetizao do meio.
8.9 EXEMPLO 8.1

EXEMPLO 8.1
Um exemplo clssico de fora magntica sobre uma partcula em movimento o espectrmetro de massa. Como esquematizado na Figura 8.7, uma partcula de massa m e carga +q, acelerada atravs de um potencial V antes de penetrar numa regio onde existe um campo magntico B, perpendicularmente dirigido para fora do papel. Sob a ao da fora magntica a partcula percorrer o semi-crculo indicado na figura, at Figura 8.7 tocar no anteparo, a uma distncia x do ponto de entrada. Antes de penetrar na regio do campo magntico, a partcula ter adquirido energia pela acelerao atravs do potencial V. Dito de outra forma, a partcula ter adquirido velocidade v, satisfazendo as seguintes relaes:
E=qV=mv2 Ao penetrar na regio do campo magntico, a partcula estar sujeita fora magntica, conforme a eq. (8.1). Esta fora ser igualada fora centrpeta, de modo que facilmente obtm-se
8.9 EXEMPLO 8.1
Portanto, medindo-se a distncia do impacto, x, pode-se calcular a massa da partcula, a partir da sua carga e de parmetros experimentais controlveis, B e V. Este o princpio de funcionamento do espectrmetro de massa. Este aplicativo simula um espectrmetro semelhante a este que voc acabou de estudar no exemplo 8.1. Ao invs de m, calcule o raio da rbita da partcula no interior do espectrmetro (r=x/2). Use alguns valores de v e B e cheque seu resultado.
8.10 EXEMPLO 8.2

EXEMPLO 8.2
A espira retangular da Figura 8.8 pivotada no eixo y e conduz uma corrente de 10 A no sentido indicado. Supondo que exista um campo magntico uniforme de 0,2 T paralelo ao eixo x, calcule as foras e o torque sobre a espira, de modo que ela seja mantida na posio indicada. Sobre os lados de 6 cm, atuam foras iguais 0,12 N, sendo a superior orientada na direo x, e a inferior orientada na direo x. Elas anulam-se e no exercem qualquer torque sobre a espira. Sobre os lados de 8 cm, atuam foras F=0,16 N, orientadas de acordo com a Figura 8.9. Portanto, a espira permanecer na posio indicada, se uma fora igual a 0,16cos(30), com torque anti-horrio, for aplicada no lado de 8 cm no-pivotado.
Figura 8.8
Figura 8.9
8.12 EXERCCIOS

EXERCCIOS.
Pergunta 1
q
8.1 Um eltron no ponto A da figura 8.10 tem uma velocidade v0=107 m/s. Determine: (a) o mdulo e a orientao da induo magntica que far o eltron seguir a trajetria semicircular de A a B; (b) o tempo necessrio para o eltron se mover de A para B. R:(a) 1,14x10-3 T, perpendicular e entrando no plano da folha; (b)15,68 ns.
Figura 8.10
Pergunta 2
q
8.2 Um eltron e uma partcula (tomo de hlio duplamente ionizado) movem-se ambos em trajetrias circulares em um campo magntico, com a mesma velocidade tangencial. Compare o nmero de revolues que eles fazem por segundo. A massa da partcula 6,68 x 10-27 kg. R:fe/f=3,7x103.
8.12 EXERCCIOS
Pergunta 3
q
8.3 (a) Qual a velocidade de um feixe de eltrons, quando a influncia simultnea de um campo eltrico de intensidade 34 x 104 V/m e de um campo magntico de intensidade 2 x 10-3 T, ambos normais entre si e ao feixe, no produz deflexo alguma nos eltrons? (b) Mostre em um diagrama as orientaes relativas dos vetores V, E e B. (c) Qual o raio da rbita eletrnica, quando o campo eltrico for removido? R:(a) 1,7x108 m/s; (c)0,484 m.
Pergunta 4
q
8.4 Um on de Li7 com uma carga elementar tem uma massa de 1,16 x 10-23 g. Ele acelerado atravs de uma ddp de 500 V e depois penetra perpendicularmente em um campo magntico B=0,4 T. Qual o raio de sua trajetria no campo magntico. R:21,29x10-3 m.
Pergunta 5
q
8.5 A figura 8.11 representa uma fita de cobre com as seguintes dimenses: L=2 cm e d=1 mm. Quando B=5 T e i=100 A, verifica-se que o potencial Hall VH=45,4 V. Qual a concentrao de eltrons livres? R: n = 3,44 x 1027 eltrons/m3.
8.12 EXERCCIOS
Figura 8.11
Pergunta 6
q
8.6 Qual o torque mximo sobre uma bobina de 600 espiras, com dimenso 5 cm x 12 cm, quando por ela passa uma corrente de 10-5 A, em um campo uniforme B=0,10 T. R: = 3,6 x 10-6 Nm
9.2 A DESCOBERTA DE OERSTED
Captulo 9 - A LEI DE AMPRE.

A DESCOBERTA DE OERSTED
J conhecemos o efeito do campo magntico sobre cargas em movimento e sobre correntes em circuitos eltricos. Vimos que uma das fontes de campo magntico so os ms permanentes, como a magnetita (Fe3O4). Em 1819, Oersted descobriu que uma corrente eltrica produz um campo magntico, e que para o caso de um fio retilneo, as linhas de campo so crculos em planos perpendiculares ao fio, como ilustra a Fig. 9.1. O sentido do campo dado pela regra da mo direita: com o polegar no sentido da corrente, os outros dedos do o sentido de B.
Figura 9.1
Logo aps a apresentao do trabalho de Oersted, em 1820, Ampre realizou outras experincias e formalizou a relao entre corrente eltrica e campo magntico. Ele mostrou que o campo produzido pela corrente, i, dado pela lei que recebeu seu nome (9.1) onde 0=4x10-7 N/A2 a permeabilidade magntica do vcuo. Em (9.1), a integral realizada ao longo de uma linha
9.2 A DESCOBERTA DE OERSTED
fechada arbitrria, que alguns autores denominam linha amperiana, pela sua correspondncia com a superfcie gaussiana no caso da eletrosttica. Portanto, a lei de Ampre est para o magnetismo, assim como a lei de Gauss est para a eletrosttica. possvel agora estabelecer um quadro conceitual relacionando esssas reas, onde as setas indicam produo. Assim, cargas em movimento produzem campo eltrico e campo magntico e podem produzir corrente eltrica, no caso estacionrio.
Figura 9.2

CAMPO DE UM FIO RETILNEO INFINITO
Vamos usar a lei de Ampre para calcular o campo de um fio retilneo infinito. Sabemos, das experincias de Oersted, que as linhas de campo so crculos em planos perpendiculares ao fio. Este resultado consistente com a simetria do problema, que tambm permite-nos afirmar que o campo tem o mesmo mdulo em qualquer ponto do crculo. Diz-se que o campo tem simetria axial. Portanto, a amperiana apropriada para se calcular o valor de B a uma distncia r do fio o crculo de raio r. Use (9.1) e mostre que o campo dado por
(9.2)
9.4 CILINDRO INFINITO

CILINDRO INFINITO
Vejamos agora o caso de um cilindo infinito, de raio R, transportando uma corrente io, com densidade uniforme. Na Figura 9.3 vemos uma seo reta do cilindro, com duas amperianas, uma com r<R, e outra com r>R. Vamos calcular o valor de B nos dois casos. Valor de B para pontos internos: r menor ou igual a R Pelo procedimento anterior, obtm-se uma expresso igual a , onde i ser a corrente que atravessa a amperiana de raio r. Como a densidade de corrente uniforme, tem-se que
Figura 9.3
Substituindo i em (9.2), obtm-se (9.3) Valor de B para pontos externos: r maior ou igual a R fcil mostrar que este resultado absolutamente igual a (9.2). Portanto, para um cilindro com raio R, transportando
9.4 CILINDRO INFINITO
uma corrente i, o campo magntico varia com a distncia ao eixo do cilindro conforme a figura 9.4.
Figura 9.4
9.5 INTERAO ENTRE FIOS INFINITOS PARALELOS

INTERAO ENTRE FIOS INFINITOS PARALELOS
Sejam dois fios infinitos e paralelos, transportando correntes i1 e i2, como ilustra a Figura 9.5.
Figura 9.5 Sendo d a distncia entre eles, tem-se que o fio 1 cria um campo
na posio do fio 2. Este campo exercer a fora
sobre o segmento L do fio 2. Da mesma forma, sobre o

9.5 INTERAO ENTRE FIOS INFINITOS PARALELOS
segmento L do fio 1 agir uma fora F21, com mdulo igual a F12, mas com sentido contrrio. Portanto, quando as corrente circulam no mesmo sentido, os fios atraem-se. fcil mostrar que h repulso quando as correntes circulam em sentidos opostos.
CAMPO DE UM SOLENIDE

Obtm-se um solenide quando um fio enrolado sob a forma de uma bobina, como ilustra a Figura 9.6(a). Na discusso que se segue consideraremos o solenide infinito. Na Figura 9.6(b) temos um corte longitudinal do solenide. Usando argumentos de simetria fcil mostrar que so nulos os campos entre os fios e na parte externa do solenide. No interior do solenide o campo tem o sentido indicado (da esquerda para a direita).
Figura 9.6
Vamos usar a lei de Ampre para calcular o mdulo de B no interior do solenide. A corrente que atravessa o retngulo abcd (a amperiana selecionada) igual corrente, i, multiplicada pelo nmero de espiras que atravessa a amperiana. Como o solenide tem um nmero infinito de espiras (na prtica, um nmero muito grande de espiras), a corrente que entra na lei de Ampre calculada em termos da densidade de espiras. Supondo que temos n espiras por unidade de comprimento, a corrente que atravessa a amperiana ser nLi. Assim,
O sentido do campo magntico no interior do solenide pode ser determinado pela regra da mo direita: o polegar dar o sentido de B quando os outros dedos indicarem o sentido da corrente
A integral fechada pode ser desdobrada, resultando
Na regio externa ao solenide, B=0, de modo que
Na regio interna, o campo magntico perpendicular s linhas ab e cd, de modo que
Portanto, a integral que resta resulta em

BL=0nLi Finalmente, o campo no interior do solenide ser B=0ni (9.4)
Esta simulao permite visualizar o efeito geomtrico de um solenide, sobre as linhas de campo magntico. A equao 9.4 foi deduzida supondo-se um solenide infinito. bvio que isso uma idealizao. Na prtica, usa-se um solenide longo, isto , um solenide em que a razo entre o seu comprimento e o dimetro da sua seo reta seja to grande quanto possvel. Quanto maior esta relao, mais prximo do caso ideal. No aplicativo podemos variar o raio do solenide, entre 2,5 e 6,0. Para cada raio, clique em iniciar e observe atentamente as linhas de campo. Qual a principal diferena entre as linhas de campo do solenide com raio 2,5, e aquelas do solenide com raio 6,0?
Exemplos

Exemplos
Instrues Agora que voc viu a lei de Ampre, voc pode tentar isto. Para utilizar os seguintes applets, voc tem que conhecer: A tabela debaixo assume que voc tem um mouse de trsboto, como achado na maioria computadores Unix. Se voc estiver usando um PC, e possvel que voc so tenha um mouse de dois-boto. Para simular o boto do medio, voc devera usar naquele caso o boto esquerdo, enquanto oprime a tecla ALT. Em resumo: Mouse Buttons Unix Left Middle Right PC Left Alt-Left Right Indicadores de campo
q q
A seta que acompanha o cursor indica o campo. Para desenhar uma seta de campo, tecle shift-controlalt e clique o boto do mouse. . Para desenhar todas as setas de campo, tecle a letra A.
Linhas de campo
q
Para desenhar uma linha de campo, clique o boto esquerdo do mouse. O arco-ris de cor ao longo da linha indica a intensidade do campo; vermelho forte, e azul fraco.
Exemplos
Amperianas
q
Desenhando uma amperiana: :

r
Para desenhar um retngulo, arraste o boto da esquerda. Para desenhar um crculo, arraste o boto da esquerda teclando Ctrl. O aplicativo calcula e imprime a integral de linha do campo ao longo da amperiana traada.
Para apagar a amperiana e a integral, clique o boto esquerdo novamente.
Apagando
q
Para apagar as linhas, tecle a letra E, a tecla backspace, ou Del.
Thin Wires Oh, the pain, the pain....
EXERCCIOS

EXERCCIOS.
Pergunta 1
q
9.1 Dois longos fios retilneos e paralelos esto separados por uma distncia 2a, conforme figura 9.7. Se os fios conduzem correntes iguais em sentidos opostos, qual o campo magntico no plano dos fios em um ponto (a) a meia distncia entre eles e (b) a uma distncia 'a' acima do fio superior? R:(a)B=0i/a, perpendicular linha que une os fios e apontando para a direita de quem olha; (b)B=0i/3a.
Figura 9.7
Pergunta 2
EXERCCIOS
q
9.2 Ainda em relao figura 9.7, calcule o campo magntico resultante no ponto P. R:B=0ia/ (a2+x2).
Pergunta 3
q
9.3 Suponha que na figura 9.7 exista um terceiro fio longo e retilneo, paralelo aos outros dois, passando pelo ponto P e que cada fio conduza uma corrente I=20 A. Considere a=30 cm e x=40 cm. Determine o mdulo e a orientao da fora por unidade de comprimento que atua sobre o terceiro fio, se a corrente nele entra no plano da folha. R:1,92x10-4 N/m, perpendicular ao fio, apontando para baixo.
Pergunta 4
q
9.4 O fio longo e retilneo da figura 9.8 conduz uma corrente de 20 A. Uma espira retangular, cujos lados maiores so paralelos ao fio, conduz uma corrente de 10 A. Determine o mdulo, a direo e o sentido da fora resultante exercida sobre a espira pelo campo magntico do fio. R:7,2x10-4 N, perpendicular ao fio, apontando para a esquerda de quem olha.
EXERCCIOS
Figura 9.8
Pergunta 5
q
9.5 A figura 9.9 mostra um corte transversal de um condutor longo de um tipo denominado cabo coaxial. Seus raios (a, b, c) so mostrados na figura. Correntes uniformes e opostas, de valor I, existem nos dois condutores. Encontre expresses para B(r) nas regies em que: (a) r<c; (b) c<r<b; (c) b<r<a; (d) r>a. R:(a)B=0ir/2c2, anti-horrio, se a corrente interna estiver saindo da folha; (b)B=0i/2r, anti-horrio; (c)B=0i(a2-r2)/ 2r(a2-b2), anti-horrio; (d)B=0.
EXERCCIOS
Figura 9.9
Pergunta 6
q
9.6 Constri-se um solenide de 30 cm de comprimento com duas camadas de enrolamento de fio. A camada interna consiste de 300 espiras e a externa, de 250. A corrente de 3 A no mesmo sentido em ambas as camadas. Qual o valor do campo magntico em um ponto prximo do centro do solenide? R:0,07 T.
10.2 INDUO ELETROMAGNTICA
Captulo 10 - A LEI DE FARADAY.

INDUO ELETROMAGNTICA
Com a descoberta de Oersted e a lei de Ampre aprendemos que uma corrente eltrica origina um campo magntico. Na dcada de 1830, Faraday descobriu o inverso. Isto , um campo magntico pode criar uma corrente eltrica. Isso possvel atravs do surgimento de uma fora eletromotriz (fem) induzida. Vamos examinar essa questo a partir do problema esquematizado na figura 10.1. Nesta regio do espao existe um campo magntico, B, com o sentido indicado (para dentro da folha). Uma placa metlica deslocada, por um agente externo qualquer (no importa qual), com velocidade uniforme, v. Os eltrons livres da placa estaro submetidos a uma fora magntica dada por F = evB cujo sentido aponta para baixo. Logo haver um excesso de carga negativa na parte inferior da placa e uma quantidade igual de carga positiva na parte superior, produzindo uma fem. Diz-se que essa fem foi induzida pelo movimento das cargas. Vejamos quanto vale essa fem.
Figura 10.1
W=Fh o trabalho necessrio para transportar uma carga de uma extremidade outra da placa. Como a fem dada por
=W/q
segue-se que
=vBh (10.1)
Analisemos o mesmo problema de outra forma. Vamos imaginar que a placa metlica desliza sobre um trilho metlico, conforme ilustra a figura 10.2. Quando a placa deslocada, a rea hachuriada varia, variando o fluxo de B, B=Bhx, atravs dela. Derivando o fluxo, em relao a t, tem-se
Portanto, a variao temporal do fluxo do campo magntico numericamente igual fora eletromotriz induzida pelo movimento, eq. (10.1). Isto , (10.2)
Figura 10.2
Como a carga positiva acumula-se na parte superior, a corrente induzida tem o sentido indicado na fig. 10.2.
As equaes (10.1) e (10.2), apresentam resultados idnticos queles obtidos com a lei de Faraday. Por causa disso, costuma-se confundir a fem induzida pelo movimento, com a fem induzida pela lei de Faraday. O que discutimos acima foi a fem induzida pelo movimento. Vejamos agora a fem induzida pela lei de Faraday.
10.3 LEIS DE FARADAY E LENZ

LEIS DE FARADAY E LENZ
Na fig. 10.3, uma espira metlica colocada (imvel) numa regio onde existe um campo magntico varivel. Em (a) o mdulo de B cresce com o tempo, enquanto em (b) ele decresce. Em 1831, Faraday mostrou que no primeiro caso, a corrente induzida circula no sentido antihorrio, enquanto no segundo caso ela circula no sentido horrio. A fem induzida dada por (10.3) Outra forma de apresentar a equao (10.3) a seguinte
Em 1834, Lenz estabeleceu a lei que permite interpretar o significado do sinal negativo em (10.3). Numa traduo livre, a lei a seguinte: O sentido da fem induzida aquele que tende a se opor variao do fluxo magntico atravs da espira. Na fig. 10.3(a) o fluxo magntico est
10.3 LEIS DE FARADAY E LENZ
crescendo. A corrente induzida ter o sentido anti-horrio para criar um campo magntico contrrio ao campo B e oporse variao do fluxo magntico. Na fig. 10.3(b) o fluxo magntico est decrescendo, de modo que a corrente no sentido horrio produzir um campo magntico no mesmo sentido do campo aplicado, de modo a opor-se diminuio do seu fluxo.
Figura 10.3
Demonstrao
Tecle o boto iniciar e observe o movimento da barra. Voc tambm pode arrastar a barra arrastando-a com o mouse.
EXERCCIOS

EXERCCIOS.
Pergunta 1
q
10.1 Na figura 10.4, o fluxo magntico que atravessa a espira cresce com o tempo de acordo com a expresso B=6t2+7t, onde B dado em miliwebers e t em segundos. (a) calcule o mdulo da fem induzida na espira quando t=2,0 s. (b) Determine o sentido da corrente atravs de R. R:(a)31 mV; (b)Horrio.
Figura 10.4
Pergunta 2
EXERCCIOS
10.2 Seja B(0) o fluxo magntico para t=0, na figura 10.4. Suponha que o campo magntico esteja variando de forma contnua mas no especificada, tanto em mdulo quanto em direo, de modo que num instante t o fluxo seja dado por B(t). (a) Mostre que a carga total q(t) que passou atravs do resistor R no tempo t q(t) = 1/R [B(0) -B(t)], independentemente do modo pelo qual B variou neste mesmo intervalo.
Pergunta 3
q
10.3 A figura 10.5 representa uma espira quadrada (lado igual a 2,0 m) perpendicularmente disposta em relao um campo magntico B, sendo que metade da espira est no interior da regio onde existe o campo. A espira contm uma bateria de 20 V, cuja resistncia interna desprezvel. O mdulo do campo magntico varia de acordo com a relao B=0,042-0,87t, sendo B dado em Tesla e t em segundos. (a) Qual o sentido da corrente que passa atravs da bateria? (b) Qual a fem total atravs do circuito? R:(a)Anti-horrio; (b)21,74 V.
Figura 10.5
EXERCCIOS
Pergunta 4
q
10.4 Dois trilhos condutores retilneos formam um ngulo reto no ponto de juno entre suas extremidades. Uma barra condutora em contato com os trilhos parte do vrtice no instante t=0 e se move com velocidade constante v=5,2 m/s de cima para baixo, como ilustra a figura 10.6. Um campo magntico B=0,35 T aponta para fora da pgina. Calcule: (a) o fluxo magntico atravs do tringulo issceles formado pelos trilhos e a barra no instante t=3,0 s e (b) a fem induzida no tringulo neste instante. (c) Como a fem induzida no tringulo varia com o tempo? R:(a) 85,2 Wb; (b) 56,8 V; (c) (t)=2Bv2t.
Figura 10.6
Pergunta 5
q
10.5 O campo B na figura 10.7 decresce taxa de 0,1 T/s. (a) Qual a fem induzida no anel condutor circular de raio igual a 10 cm? (b) Quais so o mdulo e a orientao do campo eltrico induzido em qualquer ponto desse anel? (c) Qual a corrente induzida no anel, se sua resistncia vale 2 ? R:(a) 3 mV, anti-horrio; (b) 5 mV/m; (c) 1,5 mA.
EXERCCIOS
Figura 10.7
Pergunta 6
q
10.6 Na figura 10.8 a corrente I percorre o fio infinito na direo indicada, e cresce constantemente razo de 2 A/s. (a) Qual o fluxo total, em determinado tempo t, atravs da espira cujas dimenses esto indicadas na figura. (b) Qual a fem induzida na espira? R:(a) 2,30I/10; (b) 4,60/10, anti-horrio.
Figura 10.8
11.1 INDUTNCIA
Captulo 11 - OSCILAES ELETROMAGNTICAS

INDUTNCIA
J vimos que o capacitor um dispositivo apropriado para gerar um campo eltrico. No Cap. 9 vimos que uma corrente eltrica cria um campo magntico. Em particular, calculamos o campo magntico de um solenide. Este dispositivo est para o magnetismo, assim como o capacitor est para a eletricidade. H uma completa analogia entre os dois dispositivos. Assim, correspondendo capacitncia, definida na eq. (5.1), podemos definir a indutncia, L, (11.1) Onde N o nmero de espiras no solenide. Portanto, N o fluxo magntico total atravs do indutor (denominao tambm usada para um solenide), e i a corrente que o atravessa. A unidade de indutncia no sistema SI o Henry.
11.2 INDUTNCIA DE UM SOLENIDE
Captulo 11 - OSCILAES ELETROMAGNTICAS.

INDUTNCIA DE UM SOLENIDE
Vamos usar um solenide infinito (ou muito maior do que a rea da sua seo reta, A), assim como fizemos no Cap. 9. A densidade linear de espiras n, de modo que N=nl= nlBA Usando o valor de B para um solenide infinito, eq. (9.4), obtm-se a indutncia por unidade de comprimento, L/l, L/l = 0An2 (11.2)
Convm comparar este resultado com aquele obtido para a capacitncia de um capacitor de placas paralelas, eq. (5.2). Em ambas as equaes temos o produto de uma constante universal (0 ou 0) com parmetros geomtricos do respectivo dispositivo.
Figura 11.1
11.3 AUTO-INDUO

AUTO-INDUO
Uma corrente eltrica percorrendo um solenide origina um fluxo magntico. No momento em que se inicia a passagem da corrente, esta, de acordo com a lei de Faraday, induz o surgimento de uma fem. Como se trata de uma fem induzida por uma corrente no prprio solenide, diz-se que esta fem auto-induzida. Portanto, tem-se uma auto-induo, que deve satisfazer seguinte relao
Como N=Li, segue-se que (11.3)
11.4 CIRCUITO RL

CIRCUITO RL
Vamos usar o princpio da auto-induo para estudar o circuito RL em srie. No momento em que a chave S, na figura 11.2, for ligada na posio a, uma corrente surgir no circuito. Imediatamente, o indutor reagir, produzindo uma fem L, dada pela eq. (11.3). Aplicando a regra de Kirchhoff na malha externa (chave ligada em a), tem-se - Ri - L = 0 (11.4)
Figura 11.2
Figura 11.3
Observe que na equao acima, aparentemente o sinal negativo da eq. (11.3) no foi levado em conta. Na verdade, ele foi levado em conta quando se definiu o sentido de L na fig. 11.2.
11.4 CIRCUITO RL
Figura 11.4 A eq. (11.4) formalmente idntica eq. (7.2), para o circuito RC srie. Assim, a soluo para a eq. (11.4) ser obtida a partir da eq. (7.2), substituindo-se os elementos correspondentes, de acordo com a tabela abaixo. Circuito RC Circuito RL R 1/C C RC Portanto, L R /R L/R
(11.5) O comportamento da corrente, descrito pela eq. (11.5), ilustrado na fig. (11.3). Este comportamento similar ao comportamento da carga no capacitor do circuito RC. A corrente de saturao, /R, ocorre quando o indutor entra em curto. Em t=0, i=0, o que significa circuito aberto. Portanto o comportamento do indutor o contrrio do comportamento do capacitor.
11.4 CIRCUITO RL
t=0 Capacitor Indutor curto-circuito circuito aberto
t0 circuito aberto curto-circuito
O fator L=L/R denominado constante de tempo indutiva. Quando t=L, a corrente no circuito atinge 63% do valor de saturao. No caso do circuito RC, vimos que medida que a carga no capacitor aumentava, aumentava a energia acumulada no capacitor (UC=CV2=q2/2C). No caso do circuito RL, tambm h acumulao de energia; neste caso, tem-se acumulao de energia no campo magntico. Multiplicandose a eq. (11.4) por i, tem-se
Portanto,
Resulta da que a energia acumulada no indutor dada por UL=Li2 (11.6)
Depois de um longo tempo (p. ex. t>10L) ligado em a, a corrente atinge seu valor de saturao. Se nesse instante a chave for ligada em b, a energia ser devolvida pelo indutor e consumida no resistor. Fazendo =0 na eq. (11.4), fcil mostrar que a corrente fluir de acordo com a relao
(11.7)
DENSIDADE DE ENERGIA EM CAMPOS ELTRICOS E MAGNTICOS

A partir das energias acumuladas em campos eltricos e magnticos, dadas pelas eqs. (5.10) e (11.6), podemos calcular as respectivas densidades de energia, isto , energia por unidade de volume. Vejamos, inicialmente, o caso do campo eltrico. Consideremos um capacitor de placas paralelas, com rea A e distncia d entre elas. Usando a eq. (5.10), obtm-se
Tendo em conta que a capacitncia de um capacitor de placas paralelas dada por C=0A/d, e que V=Ed (E o campo entre as placas do capacitor), obtm-se
Embora tenha sido deduzida para o caso particular de um capacitor de placas paralelas, a expresso acima absolutamente geral; ela fornece a densidade de energia de um campo eltrico em determinada regio do espao, no importando como ele tenha sido produzido. Ento, ao invs de desgin-la uC, convm usar a designao mais geral uE. (11.8) Para calcular a densidade de energia num campo magntico, vamos usar um solenide infinito. Partindo das expresses
(9.4), (11.2) e (11.6), e da definio UB/Al, obtm-se
(11.9)
CIRCUITO LC

CIRCUITO LC
Vamos analisar um circuito LC, como ilustrado na fig. 11.5. Suponhamos que inicialmente o capacitor encontra-se carregado com um potencial V. No momento que o indutor ligado, uma corrente surge no circuito, atravs da qual a energia acumulada no capacitor, CV2, passa a se transferir para o indutor. O processo atinge um ponto mximo quando toda a energia do capacitor tiver sido transferida para o indutor. A partir desse momento, a energia acumulada no indutor passa a se transferir para o capacitor, atravs do surgimento de uma corrente contrria corrente inicial. Resulta da que a corrente nula quando a carga no capacitor for mxima, e a corrente ser mxima quando a carga no capacitor for nula. Este circuito apresenta um comportamento, em termos de variao de energia, anlogo ao apresentado pelo conjunto massa-mola, na ausncia de qualquer tipo de atrito. Neste caso, energia potencial acumulada na mola transformada em energia cintica da massa, e vice-versa. Um resistor no circuito da fig. 11.5 exerce o mesmo papel que o atrito no sistema massa-mola. Atravs do efeito Joule, parte da energia transferida do capacitor para o indutor (e vice-versa) ser consumida no resistor.
CIRCUITO LC
Figura 11.5
CIRCUITO RLC

CIRCUITO RLC
A fig. 11.6 um exemplo sim-ples de circuito RLC. Ele semelhante ao circuito RL, onde a fem foi substituda por um capacitor. Portanto, a equao que descreve o comportamento do circuito igual eq. (11.4), substituindo-se por V. Figura 11.6 (11.10) Num instante qualquer,
Substituindo essas expresses na eq. (11.10), obtm-se a equao diferencial que descreve o comportamento do potencial nas placas do capacitor,
(11.11) A soluo desta equao deve satisfazer duas propriedades:

CIRCUITO RLC
r r
deve ser oscilatria; deve ter um fator de amortecimento.
Uma soluo particular que satisfaz tais condies, a seguinte: V(t)=Ae-tcos(t) Da relao entre i e V, obtm-se (11.12)
Substituindo (11.12) em (11.11), resulta que =R/2L e
(11.13) Uma situao interessante aquela em que a oscilao fracamente amortecida. Isso acontece quando a resistncia tem um valor muito pequeno. Dito de outra forma, /=0 ou >> Sob esta condio, i(t)=AC e-tsen(t) (11.14)
Vamos analisar os valores de i(t) e V(t) em pontos especiais.
CIRCUITO RLC
t=0 V(0)=A [valor mximo de V(t)] i(0)=0 t=/2=1/4f=T/4 (1/4 do perodo de oscilao) V(/2)=0 i(/2)=AC [valor mximo de i(t)] Portanto, V(t) e i(t) esto defasadas de /2. Quando V(t) mximo, toda a energia est acumulada em C. Quando i(t) mxima, toda a energia est acumulada em L. A cada de perodo, a energia passa de um dispositivo para o outro.
FREQNCIA NATURAL

FREQNCIA NATURAL
O circuito RLC oscila com a freqncia dada pela eq. (11.13). Quando R aproxima-se de zero, o circuito RLC apresenta um comportamento similar ao de um circuito LC. No limite, R=0, a freqncia ser
Esta freqncia conhecida como freqncia natural. Isto , a freqncia natural de um circuito RLC, a freqncia do circuito LC correspondente.
EXERCCIOS

EXERCCIOS.
Pergunta 1
q
11.1 Um determinado comprimento de fio de cobre transporta uma corrente de 10 A uniformemente distribuda. Calcule: (a) a densidade de energia magntica e (b) a densidade de energia eltrica na superfcie do fio. O dimetro do fio 2,5 mm e sua resistncia por unidade de comprimento de 3,3 /km. R:(a) 1,02 J/m3; (b) 4,8x10-15 J/m3.
Pergunta 2
q
11.2 Considere o circuito RL da fig. 11.2. Em termos da constante de tempo, para que instante aps a bateria ser ligada, a energia armazenada no campo magntico do indutor ter a metade do seu valor estacionrio? R:1,23 L
Pergunta 3
q
11.3 Uma bobina com uma indutncia de 2,0 H e uma resitncia de 10 subitamente conectada a uma bateria de resistncia desprezvel, com =100 V. Para 0,10 s aps a conexo ter sido feita, qual ser a taxa
EXERCCIOS
com a qual: (a) a energia est sendo armazenada no campo magntico? (b) a energia trmica aparece? (c) a energia est sendo fornecida pela bateria? R:(a) 238,5 W; (b) 154,5 W; (c) 393 W.
Pergunta 4
q
11.4 Uma bobina ligada em srie a um resistor de 10 k. Quando uma bateria de 50 V colocada no circuito, a corrente atinge um valor de 2,0 mA aps 5,0 ms. (a) Determine a indutncia da bobina. (b) Qual a energia acumulada na bobina neste momento? R:(a) 125 H; (b) 2,5x10-4 J.
Pergunta 5
q
11.5 Num circuito LC oscilante, L=1,1 mH e C=4,0 F. A carga mxima em C 3,0 C. Calcule: (a) a energia total mxima acumulada. (b) a corrente mxima que pode circular. R:(a) 1,125 J; (b)0,042 A.
Pergunta 6
q
11.6 Considere o circuito indicado na fig. 11.7. Quando a chave S1 est fechada e as outras duas chaves abertas, a constante de tempo vale C. Quando a chave S2 est fechada e as outras duas abertas, o circuito possui uma constante de tempo L. Mostre que quando a chave S3 est fechada e a outras duas esto abertas, o circuito oscila com um perodo .
EXERCCIOS
Figura 11.7
12.1 LEIS EXPERIMENTAIS
Captulo 11 - EQUAES DE MAXWELL.

Leis Experimentais
Vimos e estudamos quatro leis experimentais sobre fenmenos eltricos e magnticos, reproduzidas na tabela abaixo. Lei de Gauss para a eletricidade Lei de Gauss para o magnetismo Lei de Faraday-Lenz Lei de Ampre Maxwell explorou as propriedades matemticas dessas equaes escritas na forma diferencial, para propor sua teoria eletromagntica. Embora esse procedimento esteja fora do nosso alcance, vamos fazer um exerccio analtico atravs da explorao da simetria dessas equaes. Por exemplo, se a variao do origina um campo eltrico (lei de Faraday), por que no E B?
Para manter a simetria, uma tentativa natural seria escrever
H dois erros nessa equao. O primeiro que a experincia

mostra que o sinal deve ser positivo. O segundo um erro dimensional. fcil mostrar que o membro da esquerda tem unidades de 0i, enquanto o da direita tem unidades de i/0. Portanto, a lei correta dever ser (12.1) Observe que o fator multiplicativo, que surgiu devido aos ajustes dimensionais, o produto 00. a primeira vez que eles dois aparecem numa nica equao. Antes, 0 relacionava-se com fenmenos eltricos, e 0 relacionava-se com fenmenos magnticos. A equao acima tem algo diferente. Ela representa a incluso da tica na fenomenologia do eletromagnetismo. Pode-se mostrar que a velocidade da luz no vcuo dada por
Agora podemos escrever a lei de Ampre - Maxwell
(12.2) interessante observar que iniciamos tentando escrever uma lei de Faraday-Lenz para a induo magntica, mas encontramos a eq. (12.1). Portanto, no existe uma lei de Lenz para a induo magntica. Vamos analisar melhor a eq. (12.1). Uma realizao experimental possvel seria um capacitor com campo eltrico varivel, como ilustrado na fig. 12.1. O campo E surge quando h uma corrente i carregando o capacitor. Esta corrente, que dar origem a um campo magntico (lei de Ampre), de repente desaparece entre as placas do capacitor, aparecendo depois da outra placa.
Figura 12.1 Esse mistrio resolvido com a eq. (12.2). A corrente entre as placas, conhecida como corrente de deslocamento, id, dada pelo termo .
http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/mod12/m_ex.html
Captulo 12 - EQUAES DE MAXWELL.

EXERCCIOS.
Pergunta 1 12.1 Mostre que tem dimenso de corrente
Pergunta 2
q
12.2 Mostre que i=id.
Pergunta 3
q
12.3 Mostre que a corrente de deslocamento num capacitor de placas paralelas pode ser escrita assim
Pergunta 4
q
10.4 Na fig. 12.2, a fem dada por =msen(t). O capacitor de placas circulares e paralelas, tem raio R. (a) Sabendo que o valor mximo da corrente de
http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/mod12/m_ex.html
deslocamento I, calcule o valor mximo de dE/dt. (b) Mostre que a distncia entre as placas do capacitor dada por R20m/I. (c) Mostre que o valor mximo do mdulo de B entre as placas, a uma distncia r do eixo de simetria do capacitor dado por 0I/2r.
Figura 12.2
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Eletricidade, Magnetismo & Fsica Moderna

Captulo 3 - A Lei de Gauss

http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/mod03/index.html [13/03/2004 16:14:23]

Eletricidade, Magnetismo & Fsica Moderna

Capitulo 4 - POTENCIAL ELTRICO

http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/mod04/index.html [13/03/2004 16:14:26]

Eletricidade, Magnetismo & Fsica Moderna

Captulo 5 CAPACITNCIA E CAPACITORES

http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/mod05/index.html [13/03/2004 16:14:28]

Eletricidade, Magnetismo & Fsica Moderna

Captulo 6 - CORRENTE & RESISTNCIA

http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/mod06/index.html [13/03/2004 16:14:30]

Eletricidade, Magnetismo & Fsica Moderna

Captulo 7 - CIRCUITOS ELTRICOS

http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/mod07/index.html [13/03/2004 16:14:33]

Eletricidade, Magnetismo & Fsica Moderna

Captulo 8 - O CAMPO MAGNTICO

http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/mod08/index.html [13/03/2004 16:14:35]

Eletricidade, Magnetismo & Fsica Moderna

Captulo 9 - A LEI DE AMPRE

http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/mod09/index.html [13/03/2004 16:14:37]

Eletricidade, Magnetismo & Fsica Moderna

Captulo 10 - A LEI DE FARADAY

Induo Eletromagntica Leis de Faraday e Lenz Exerccios

http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/mod10/index.html [13/03/2004 16:14:40]

Eletricidade, Magnetismo & Fsica Moderna

Captulo 11 -OSCILAES ELETROMAGNTICAS

http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/mod11/index.html [13/03/2004 16:14:42]

Eletricidade, Magnetismo & Fsica Moderna

Captulo 12 - EQUAES DE MAXWELL

Equaes de Maxwell Exerccios

http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/mod12/index.html [13/03/2004 16:14:44]

Download Java Software

Home | Contact | Help | FAQ | Developers | Sun.com

Windows Automated Downloads

http://www.java.com/en/download/windows_automatic.jsp (1 de 2) [13/03/2004 16:15:06]

Download Java Software

Sun Microsystems, Inc | Legal Notices | License | Developers

http://www.java.com/en/download/windows_automatic.jsp (2 de 2) [13/03/2004 16:15:06]

Sbado, 13 de maro de 2004

http://www.capes.gov.br/ [13/03/2004 16:15:28]

Introduo Exigncias de hardware e software

Exigncias de hardware e software

http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/mod00/antes_de_comencar_01.html (2 de 2) [13/03/2004 16:15:31]

Physlets Home Page

http://webphysics.davidson.edu/Applets/Applets.html (1 de 2) [13/03/2004 16:16:09]

Physlets Home Page

http://webphysics.davidson.edu/Applets/Applets.html (2 de 2) [13/03/2004 16:16:09]

Molecular Expressions: Images from the Microscope