VS Velenje Elektromehanski elementi in sistemi

FET tranzistorji

1.5.4 UNIPOLARNI TRANZISTORJI FET (Field Effect Tranzistor) Splono Za FET tranzistorje je znailno, da so za razliko od bipolarnih krmiljeni napetostno preko vpliva elektrinega polja. Glede na velikost elektrine napetosti med vrati (Gate) in izvorom (Source), zavisi upornost bolj ali manj prevodne poti (kanal) med izvorom in ponorom (Drain). Za laje razumevanje si lahko predstavljamo, da se glede na velikost krmilne napetosti UGS spreminja irina prevodnega kanala in posledino tudi upornost. Pri dovolj visoki UGS in ustrezni polariteti pride celo do popolne zoitve kanala (zadrgnjenje) in posledino prehod v neprevodnost kanala. Odvisno od izvedbe kanala, ki je lahko N ali P tip polprevodnika (N-kanalni, P-kanalni), mora biti krmilna napetost UGS takne polaritete, da je PN spoj (vrata-kanal) orientiran vedno v zaporni smeri. Zaradi tega je za enosmerne razmere vhodna upornost zelo velika, pri izmeninih razmerah pa je potrebno upotevati spojno kapacitivnost, ki najvekrat ni zanemarljiva. Nekatere izvedbe imajo med vrati in kanalom e tanko plast SiO2, ki predstavlja vmesno izolacijo in e vijo vhodno upornost To so MOSFET tranzistorji. V splonem lahko primerjamo N-kanalne FET-e z NPN in P-kanalne FET z PNP tranzistorji. 1.5.4.1 Spojni FET (junction FET) Pri spojnem FET tranzistorju je kanal deloma obkroen z elektrodo vrat, katere potencial vpliva na tok med prikljukoma D in S . Za N-kanalni J-FET mora biti krmilna napetost UGS negativna, za P-kanalni J-FET pa pozitivna proti potencialu prikljuka S. Kanal je povsem odprt, kadar napetost UGS ni prisotna, z veanjem napetosti pa se kanal sorazmerno zapira in pri napetosti zadrgnjenja popolnoma zapre. Za primer iz spodnje karakteristike je razvidno, da znaa napetost zadrgnjenja 6V . Enosmerni vhodni tok IGS je med 10-8 do 10-12 A, kar pomeni vhodno upornost nekaj G. Pri P-kanalnem JFET-u predstavljajo tok v kanalu vrzeli. Lastnosti in karakteristike so podobne, le napetosti oz. smeri tokov so nasprotne polaritete.

Shematski prikaz vpliva UGS na kanal

Parametri FET tranzistorjev Napetost zadrgnjenja kanala Strmina FET-a: I D

S= U GS

Statina upornost kanala:

RDS = UDS ID

Dinamina upornost:
rDS = U DS I D

Karakteristike N-kanalnega J-FET tranzistorja

Maksimalna napetost UDSmax Maksimalni tok IDsmax

J-FET tranzistorji so najvekrat v funkciji napetostnih ojaevalnikov ali tokovnih generatorjev. Za tokovni generator je dovolj e sam tranzistor ki ima vrata G vezana na prikljuek S. V tem primeru je popolnoma odprt in omogoa najveji tok (glej karakteristiko pri UGS=0V ).
37
VS-avtor

VS Velenje Elektromehanski elementi in sistemi

Znailnosti J-FET tranzistorjev

Nastavitev delovne toke Pri vezjih z J-FET tranzistorji se potrebna prednapetost za nastavitev delovne toke najvekrat ustvarja kot padec napetosti na uporu RS. S tem se v bistvu spremeni potencial izvora S , medtem ko potencial vrat preko upora RG ostane na potencialu mase. S tem se vhodna upornost seveda znia, vendar je lahko upor RG visokoohmski (npr. 1M), saj prenaa le potencial mase na vrata G. Na sliki spodaj so e drugi moni naini, ki se manj uporabljajo.
Nastavitev delovne toke

a)
+U DD RD

b)
+U DD RD

c)
+U DD RD

d)
+U DD RD R1

RG

RS

CS

RG

RS

CS

RG

RS

R2

RS

-U SS

-U SS

Primer ojaevalnika z J-FET tranzistorjem

Delovna toka je izbrana v linearnem delu (A- razred), da je zagotovljeno simetrino izkrmiljenje in minimalno popaenje ojaevalnika

Primer tokovnega generatorja z J-FET tranzistorjem Tokovni generator vzdruje tok konstanten ne glede na spremembo upornosti bremena oz. ne glede na napetost na bremenu. Napetost na bremenu lahko varira od 0V do tiste napetosti katera zagotavlja e zadovoljivo velikost UDS, da je delovna toka v podroju zasienja (tok se skoraj ni ne spreminja pri spreminjajoi se napetosti UDS). Velikost toka je odvisna od upora RS kateri ustvarja ravno toliken padec napetosti, da vzdruje eljeni tok
Naini nastavitve delovne toke tokovnega generatorja z FET tranzistorjem

38
VS-avtor

VS Velenje Elektromehanski elementi in sistemi

MOSFET- izvedbe

1.5.4.2 MOS-FET tranzistorji MOS-FET tranzistorji predstavljajo pomembno vlogo na podroju monostne elektronike zaradi poenostavljenega krmiljenja in monosti enostavne vzporedne povezave ve komponent. Zaradi nizke notranje upornosti kanala RDS on in relativno visoke delovne napetosti UDS jih najvekrat sreujemo v monostnih izvedbah in uporabljamo kot napetostno spremenljiv upor ali e pogosteje kot elektronsko stikalo. V praksi se pojavljata dve razliici MOS-FET tranzistorjev in vsaka je lahko v N oz. P-kanalni izvedbi. Za MOS-FET z induciranim kanalom (samozaporni MOSFET, obogateni tip (enhanced mode) velja, da je kanal popolnoma zaprt , e ni prisotne napetosti UGS, z vianjem UGS pa se kanal sorazmerno napetosti odpira. Druga razliica je MOS-FET z vgrajenim kanalom (samoprevodni MOS-FET, osiromaeni tipdepletion mode) za katerega pa velja, da je kanal e deloma prevoden tudi, e ni prisotne UGS. Glede na polariteto in velikost UGS, se kanal sorazmerno tej napetosti zapira ali odpira in so zato primerni za neposredno krmiljenje s istimi izmeninimi signali. MOS-FET z induciranim kanalom Plast aluminija predstavlja vrata MOSFET tranzistorja, katera so s plastjo Si oksida izolirana od kanala. Potencial vrat preko elektrinega polja vpliva na irino kanala in s tem na prevodnost poti med prikljukoma D-S. Osnova (substrat) je najvekrat e interno povezan z izvorom - S(Source). Za analizo delovanja se bomo omejili le na N-kanalno izvedbo, saj je pri P- kanalni razmiljanje podobno, le predznaki se spremenijo. Pri napetosti UGS = 0V je kanal normalno zaprt in odtod tudi naziv samozaporni. Tudi v primeru negativne napetosti UGS, ostane kanal zaprt. Prevajati zane ele ko je napetost UGS dovolj velika (od 0,5 do 3V), kar je razvidno iz karakteristike.

Shematski prikaz vpliva UGS na kanal

Karakteristike N-kanalnega samozapornega MOSFET-a ( BUZ 20)

MOS-FET z vgrajenim kanalom Nasprotno od MOS-FET-a z induciranim kanalom, ta izvedba izrazito prevaja e brez prisotne napetosti UGS in odtod tudi ime samovodljiv. Kanal je normalno e vgrajen, vendar je osiromaen ( osiromaen tip-depletion mode) in ga je mogoe iriti (bogatiti) ali oiti (siromaiti) preko potenciala vrat, ki je v tem primeru lahko negativen ali pozitiven. Zaradi tega samovodljiv MOS-FET obiajno ne potrebuje nobene dodatne prednapetosti za nastavitev delovne toke. Potrebno vezje lahko v tem primeru odpade.

Shematski prikaz izvedbe N-kanalnega MOSFET-a z vgrajenim kanalom

39
VS-avtor

VS Velenje - Elektronska vezja in naprave

MOSFET - znailnosti

Notranja zaita pred preveliko statino napetostjo UGS

Karakteristike N kanalnega samoprevodnega MOSFET-a

MOS-FET z dvojnimi vrati

Ostale znailnosti MOSFET-ov Tanka izolacijska plast SiO na vratih MOS-FETov je izjemno obutljiva na prenapetost in zato je potrebna pri delu posebna pazljivost. Veina MOS-FETov ima med G in S v ta namen vgrajeno Z-diodo, ki omejuje prenapetosti, vendar le e energija ni prevelika. Zaradi zelo velike vhodne upornosti (10T do 103 T), je obutljivost na statino elektriko izjemna . V ta namen pogostokrat ob vgradnji prikljuke kratko veemo s kratkostinim obrokom (vodljiva guma, staniol folija,..) , katerega ele po konani montai odstranimo. Za MOS-FET tranzistorje je znailno tudi, da imajo veinoma e vgrajeno antiparalelno diodo me D in S kar je potrebno upotevati pri preverjanju ali pri nartovanju vezja. Kapacitivnost CGS pri statinem krmiljenju in pri malih moeh veinoma ne dela teav, pri dinaminem krmiljenju, monostnih izvedbah (nekaj 1000pF) in na VF podroju pa postane problematina. Za VF podroje obstaja v ta namen izvedba MOS-FETa z dvojnimi vrati. V bistvu so vrata razdeljena na dva dela G1 in G2. Ena vrata imajo vejo CGS in so namenjena za nastavitev delovne toke in druga za krmiljenje z VF signalom. Pogostokrat so v uporabi tudi v mealnih stopnjah in modulatorjih, kjer je oboje vrat uporabljenih za krmiljenje z izmeninim signalom. Monostne izvedbe MOS-FETov odlikujejo sledee znailnosti: Velike dopustne moi Mehanska stabilnost Visoka preklopna hitrost Odpornost Velika termina obremenljivost na staranje Mali volumen Zahvaljujo monosti notranjega neposrednega vzporednega povezovanja omogoa MOS-FET krmiljenje moi ve 100kW pri napetostih UDS> 1kV. Za monostne MOS-FETe je znailna VMOS izvedba , ki omogoa preko istih vrat krmiljenje dveh tokovnih poti in posledino vijo tokovno zmogljivost.

Shematski prikaz VMOS izvedbe

40
VS-avtor

VS Velenje - Elektronska vezja in naprave

MOSFET - znailnosti

1.5.4.3 Naini krmiljenja monostnih MOS-FETov Ne glede na visoko vhodno upornost je potrebno pri uporabi monostnih MOS-FET tranzistorjev v stikalnem reimu ali pri VF signalih, upotevati sorazmerno veliko kapacitivnost vrat CGS. Pogostokrat je potrebna tudi predhodna galvanska loitev (npr. vertikalna povezava pri mostinem vezju), ki mora zagotoviti potrebno napetost impulza vseh razmerjih impulz-pavza. V teh primerih je potrebno zagotoviti galvansko loeno napajanje krmilnega tokokroga, ki omogoa ustrezno mo, ki zagotavlja primerno hiter as vklopa oz. izklopa MOSFET-a. Krmilno vezje mora zagotoviti dovolj hitro napolnjenje in tudi dovolj hitro praznjenje naboja kapacitivnosti CGS, glede na krmilni impulz. V nekaterih primerih lahko te naloge dovolj uspeno opravlja kar transformator, preko katerega se prenaa tudi potrebna mo za krmiljenje. Slabost je, da je velikost potrebnega impulza UGS odvisna od razmerja impulz-pavza, kar v skrajnih sluajih lahko pomeni tudi premalo napetost UGS, da bi se MOS-FET popolnoma odprl in posledino vijo upornost kanala, ter poveanje izgub. Nekaj nainov krmiljenja predstavljajo sledee slike:

Neposredno krmiljenje s CMOS vezjem

Tokovno ojaano krmiljenje s pomojo vzporedno vezanih inverterjev

Transformator kot galvanski loilnik

Krmiljenje s push-pull vezjem

Transformator omogoa galvansko loitev Galvanska loitev s pomojo optospojnika

Krmilno vezje z impulznim transformatorjem za irok razpon razmerja impulz-pavza

Vezji, ki omogoata zvianje dU/dt zaradi hitrejega odvoda naboja vrat Krmilno vezje s poveano odpornostjo proti umu v signalu

Krmilno vezje, ki zaradi VF impulzov omogoa zmanjanje dimenzij impulznega transformatorja (Chopperski nain)

41
VS-avtor

VS Velenje - Elektronska vezja in naprave

MOSFET - znailnosti

1.5.4.4 Primerjava FET-ov z bipolarnim tranzistorjem in pregled znailnejih karakteristik V primerjavi z bipolarnim tranzistorjem imajo FET-i ve prednosti. Slabost pa predstavlja relativno velika kapacitivnost CGS in relativno visoka upornost kanala RDS on predvsem pri monostnih izvedbah. Rezultati splone primerjave so razvidni iz sledee tabele:
Lastnost BIPOLARNI TRANZISTOR FET

Vhodna upornost Nain krmiljenja Vklopni as Izklopni as Frekvenna omejitev Upornost tokovne poti Obutljivost na preobremenitev Toplotna stabilizacija Monost vzporednih povezav

nizka tokovno, monostno 50500ns 5002000ns 100MHz 0.3 slaba potrebna Pod posebnimi pogoji -da

visoka napetostno, brez moi * 10600ns 10600ns 1GHz 0.032 dobra Ni potrebna Ni pogojev, neomejeno tevilo

Primerjava simbolov in znailnejih karakteristik FET tranzistorjev

1.5.4.5 IGBT (Insulated Gate Turn off Tranzistor) Dobre lastnosti MOS-FETa in bipolarnega tranzistorja so zdruene v IGBT tranzistorju. V bistvu je IGBT sestavljen podobno kot darlington tranzistor. Kot prvi tranzistor je MOS-FET, kateri krmili bazni tok bipolarnega tranzistorja na izhodu. Iz notranje sheme IGBT tranzistorja je razvidno, da je sestavljen iz enega MOS-FETa, enega NPN in enega PNP tranzistorja. PNP tranzistor je konni element, ki prevaja glavni tok. Prikljuki so oznaeni kot kolektor -C, emiter-E in vrata-G. Prikljuek za kolektor je v bistvu emiter PNP tranzistorja. Delovanje je podobno kot pri tiristorju in si ga lahko pojasnimo v dveh delih. Pri dovolj visoki napetosti vrat postane vodljiv MOS-FET in povzroi delno prevajanje PNP tranzistorja. Ob poveanju krmilne napetosti se tok e povea in padec napetosti na uporu RS odpre NPN tranzistor, kateri povzroi preko poveanega baznega toka (poz. pov. vezava) hitro zasienje PNP tranzistorja. IGBT je zaradi tega posebno primeren za delovanje v stikalnem reimu in omogoa krmiljenje velikih moi ob napetosti zasienja od 14V, odvisno od delovnega toka. V primerjavi z MOS-FETom, je potrebna krmilna napetost za IGBT nekoliko vija ( 20V), vendar je Izhodna karakteristika za IGBT tokovna zmogljivost precej veja (glej karakteristiko).
42
VS-avtor