T.C.

MLL ETM BAKANLII

MEGEP
(MESLEK ETM VE RETM SSTEMNN GLENDRLMES PROJES)

UAK BAKIM

YARI LETKENLER

ANKARA 2006

Milli Eitim Bakanl tarafndan gelitirilen modller; Talim ve Terbiye Kurulu Bakanlnn 02.06.2006 tarih ve 269 sayl Karar ile onaylanan, Mesleki ve Teknik Eitim Okul ve Kurumlarnda kademeli olarak yaygnlatrlan 42 alan ve 192 dala ait ereve retim programlarnda amalanan mesleki yeterlikleri kazandrmaya ynelik gelitirilmi retim materyalleridir (Ders Notlardr). Modller, bireylere mesleki yeterlik kazandrmak ve bireysel renmeye rehberlik etmek amacyla renme materyali olarak hazrlanm, denenmek ve gelitirilmek zere Mesleki ve Teknik Eitim Okul ve Kurumlarnda uygulanmaya balanmtr. Modller teknolojik gelimelere paralel olarak, amalanan yeterlii kazandrmak koulu ile eitim retim srasnda gelitirilebilir ve yaplmas nerilen deiiklikler Bakanlkta ilgili birime bildirilir. rgn ve yaygn eitim kurumlar, iletmeler ve kendi kendine mesleki yeterlik kazanmak isteyen bireyler modllere internet zerinden ulalabilirler. Baslm modller, eitim kurumlarnda rencilere cretsiz olarak datlr. Modller hibir ekilde ticari amala kullanlamaz ve cret karlnda satlamaz.

NDEKLER NDEKLER
NDEKLER..........................................................................................................................i AIKLAMALAR ...................................................................................................................iii GR ....................................................................................................................................... 1 RENME FAALYET 1- .................................................................................................... 3 1. DYOT P VE N TP MADDELER..................................................................................... 3 1.1. Enerji Seviyeleri ve Bant Yaplar ................................................................................ 4 1.2. Saf Germanyum ve Silisyum Kristalinin Yaps, Kovalent Balar............................... 5 1.3. Saf Olmayan Germanyum ve Silisyumun Kristal Yaps ............................................. 6 1.3.1. N Tipi Yar letken ................................................................................................ 6 1.3.2. P Tipi Yar letkenler ............................................................................................. 7 1.4. Bir Yar letkende PN Jonksiyonu ................................................................................ 8 1.4.1. Polarmasz PN Jonksiyonu .................................................................................... 9 1.4.2. Doru Polarmal PN Jonksiyonu ......................................................................... 10 1.4.3. Ters Polarmal PN Jonksiyonu ............................................................................ 10 1.5. Diyot Parametreleri ..................................................................................................... 11 1.5.1. Ters Tepe Voltaj ................................................................................................. 12 1.5.2. Maksimum n Akm ........................................................................................... 12 1.5.3. Is ......................................................................................................................... 12 1.5.4. Frekans.................................................................................................................13 1.5.5. Szma Akm ........................................................................................................ 13 1.5.6. G Sarfiyat........................................................................................................ 13 1.6. Jonksiyon Diyot Karakteristik zellikleri .................................................................. 13 1.7. Seri ve Paralel Bal Diyotlar ..................................................................................... 14 1.8. Diyot eitleri ve Karakteristikleri ............................................................................. 15 1.8.1. Zener Diyot.......................................................................................................... 16 1.8.2. Silikon Kontroll Dorultucular (SCR, Tristrler).............................................. 17 1.8.3. Ik Veren Diyotlar (Led ) .................................................................................. 19 1.8.4. Foto Diyot............................................................................................................ 21 1.8.5. Varikap Diyot ...................................................................................................... 22 1.8.6. Tnel Diyot.......................................................................................................... 22 1.8.7. Dorultucu Diyot................................................................................................. 24 1.8.8. Kpr Diyotlar..................................................................................................... 24 1.9. Diyot Kataloglarnn Kullanm .................................................................................. 25 1.9.1. Diyotlarn Salamlk Testi ve Ularnn Tespiti.................................................. 26 UYGULAMA FAALYET .............................................................................................. 29 LME VE DEERLENDRME .................................................................................... 30 RENME FAALYET2 .................................................................................................. 33 2. TRANSSTRLER............................................................................................................ 33 2.1. PNP ve NPN Tipi Transistrler .................................................................................. 33 2.1.1. Yaps................................................................................................................... 33 2.1.2. eitleri................................................................................................................ 34 2.1.3. Sembolleri............................................................................................................ 35 2.1.4. Polarmalandrlmalar .......................................................................................... 35 2.1.5. Akm ve Gerilim Ynleri..................................................................................... 37 2.1.6. Transistr Karakteristikleri.................................................................................. 38

2.2. Temel Ykselte Devreleri ve zellikleri................................................................... 43 2.2.1. Emiteri Ortak Ykselte ...................................................................................... 43 2.2.2. Beyzi Ortak.......................................................................................................... 44 2.2.3. Kollektr Ortak.................................................................................................. 45 2.3. Transistr alma Kararlln Etkileyen Faktrler.................................................. 46 2.4. Transistr Kataloglarnn Kullanm ve Karlk Bulunmas ...................................... 48 2.5. Transistr zerindeki Harf ve Rakamlarn Okunmas................................................ 50 2.6. Transistr Testleri ve Ularnn Tespiti ...................................................................... 52 UYGULAMA FAALYET .............................................................................................. 57 LME VE DEERLENDRME .................................................................................... 58 MODL DEERLENDRME .............................................................................................. 61 CEVAP ANAHTARLARI ..................................................................................................... 62 KAYNAKA ......................................................................................................................... 63

ii

AIKLAMALAR AIKLAMALAR
KOD ALAN DAL/MESLEK MODLN ADI MODLN TANIMI SRE N KOUL YETERLK 522EE0006 Uak Bakm Alan Ortak Yar letkenler Temel yar iletkenler (diyot ve transistrler) ile ilgili bilgi ve becerilerin kazandrld renme materyalidir. 40/24 Alternatif Akm Devreleri modln baarm olmak. Yari etkenleri elektronik devrelerde tekniine uygun kullanmak.

Genel Ama
Bu modl ile gerekli ortam salandnda yariletkenleri alma artlarna ve eitlerine uygun olarak devreye balayabilecek ve hatasz olarak test edebileceksiniz. Amalar Diyotlarn zelliklerine, alma artlarna ve eitlerine uygun olarak devreye balayabilecek, iyotlar uygun l aletleri ile hatasz olarak test edebileceksiniz. Transistrleri zelliklerine, alma artlarna ve eitlerine uygun olarak devreye balayabilecek, transistrleri uygun l aletleri ile hatasz olarak test edebileceksiniz.

MODLN AMACI

ETM RETM ORTAMLARI VE DONANIMLARI

Atlye ortam, diyot ve transistr eitleri, deney balant emasna uygun ampermetre ve voltmetre ve ohmetreler, breadboard, g kayna, diyot ve transistr kataloglar. Her faaliyet sonrasnda o faaliyetle ilgili deerlendirme sorular ile kendi kendinizi deerlendireceksiniz.

LME VE DEERLENDRME

retmen modl sonunda size lme arac (uygulama, soru-cevap) ygulayarak modl uygulamalar ile kazandnz bilgi ve becerileri lerek deerlendirecektir.

iii

iv

GR GR
Sevgili renci Bu modl sonunda ile elektroniin temeli olan yar iletkenler hakknda temel bilgi ve beceriye sahip olacaksnz. ada bir lkenin en ok gze arpan zellii bilim ve teknolojideki ilerlemesidir. Bilim ve teknolojinin temel yap talarndan biri de elektronik alanndaki gelimelerdir. Gnmz teknolojisi ba dndrc bir hzla gelimektedir. zellikle insanlk tarihine gre 20. yzylda teknolojik alanda byk bir atlm, srama yaanmtr. Trk milleti olarak teknolojik ilerlemede geri kalmamak iin tek bir eye ihtiyacmz vardr, o da yalnz ve yalnz almaktr. lkemizde bu alandaki almalar mit verici seviyededir. Genlerimize de bu konuda ok i dmektedir. Bu konuda bilgiye ulap kendimizi gelitirip, vatana, millete ve insanla faydal olmamz, yeni nesillere bunlar aktarmamz gerekmektedir.Ulu nder Atatrk n Hayatta en hakiki mrit ilimdirszn kendimize rehber etmeliyiz.

RENME FAALYET1
AMA

RENME FAALYET 1-

Uygun ortam salandnda diyotlar, alma artlarna ve eitlerine uygun olarak devreye balayabilecek, diyotlar uygun l aleti ile hatasz olarak test edebileceksiniz.

ARATIRMA
Bu faaliyet ncesinde yapmanz gereken ncelikli aratrmalar unlardr: Piyasada bulunan diyot eitlerini ve kullanm amalarn aratrnz. Diyotlarn salamlln kontrol iin n bilgi aratrmas yapnz. Aratrma ilemleri iin internet ortam ve elektronik malzemelerin satld maazalar gezmeniz gerekmektedir.

1. DYOT P VE N TP MADDELER
Atomun yaps: Basit maddenin zelliklerini tayan en kk parasna atom denir. Atom balca iki blmden oluur: ekirdek Elektronlar ekirdek: Atomun ortasnda bulunur. Poztif (+)ykl protonlar ve yksz ntronlardan olumaktadr.

ekil 1.1: Atom ekirdei ve elektronlar

Proton says o basit maddenin atom numarasn verir. rnein helyum ekirdeinde iki proton olduundan atom numaras 2dir. Proton ve ntron saylar toplam o atomun ktle numarasn verir. Elektronlar: Elektronlar (-) ykldr, ekirdek etrafndaki yrngelerde dolarlar. Bir atomun en d yrngesine valans yrnge, son yrngedeki elektronlara da valans elektronu denir. Valans elektron saysna gre basit maddeler ana gruba ayrlr: Bunlar: letkenler Yaltkanlar Yar iletkenler letkenler: Son yrngesindeki elektron says 4ten az olan basit maddelere iletken denir. Btn metalar iletkendir ve elektrik akmn iletir. Valans elekton says ne kadar az ise o maddenin iletkenlii o kadar yksektir. letkenlerde son yrngesindeki elektronlar yrngelerinden ok kolay bir ekilde ayrlabilir. Yaltkanlar: Son yrngesindeki elektron says 4ten fazla olan basit maddelere yaltkan denir. Yaltkanlar elektrik akmna kar byk diren gsterir. rnein cam, kat, porselen, plastik vs. maddeler yaltkandr. Yar iletkenler: Son yrngesindeki elektron says 4 olan basit maddelere yar iletken denir. Normal halde iken yaltkandrlar; ancak s, k veya gerilim uygulandnda iletken hale geerler. Bu ekildeki iletkenlik zellii kazanmas geici olup, d etki kalknca elektronlar tekrar atomlarna dnerler. En ok kullanlan yar iletkenler germanyum, silisyum, selenyum, slfr, bakr oksit, inko oksit, kurun slfittir.

1.1. Enerji Seviyeleri ve Bant Yaplar

Maddelerin iletkenlik dereceleri en iyi bant enerjileri ile tanmlanr. Bir maddeyi iletken hale getirebilmek iin dardan bir enerji uygulanmas gerekir. Bylece saf bir yar iletkende iletkenlik elektronlarn bir banttan dierine gemesiyle salanr. Yar iletkenlerde ayr bant vardr.

eki11.2: letken, yar iletken, yaltkanlarda enerji bant diyagramlar

Yukardaki ekilde yaltkan, yar iletken ve iletkenlerde enerji bant diyagramlar grlmektedir. Yaltkanlarda, olduka geni bir boluk band bulunmaktadr. Yani valans bandndaki elektronlarn iletkenlik bandna geebilmesi iin olduka byk bir enerji uygulanmas gerekmektedir. Yar iletkenlerde valans bandndaki elektronlarn iletkenlik bandna geebilmesi iin ok kk bir enerjinin uygulanmas yeterlidir. Bylece enerjilenen elektronlar, valans bandndan kurtulup boluk bandn geerek iletkenlik bandna ular. letkenlerde ise boluk band yoktur. Boluk band ile iletim band i iedir.

1.2. Saf Germanyum ve Silisyum Kristalinin Yaps, Kovalent Balar

Atom ekirdeinde 32 proton, 41 ntron vardr. ekirdek etrafndaki eliptik yrngede toplam 32 elektron bulunur. Germanyum atomunun son yrngesinde 4 valans elektronu vardr.

ekil1 1.3: Germanyumun atom yaps

Her valans elektronu, komu atomun valans elektronu ile balym gibi hem kendi hem de komu atomun ekirdei etrafnda dner. Her iki germanyum atomu birer ortak elektron iftine sahiptir. Buna elektron ifti ba(kovalent ba)denir. Elektron ifti ba basit olarak valans elektronlarla gsterilir.

ekil 1.4: Germanyum kristali

1.3. Saf Olmayan Germanyum ve Silisyumun Kristal Yaps

1.3.1. N Tipi Yar letken
4 valans elektronlu germanyum kristali ierisine 5 valans elektronlu baka bir yabanc atom (azot, fosfor, arsenik, antimuan vb) katlr. Yabanc atomun 4 valans elektronu germanyumatomunun 4 valans elektronu ile kovalent ba oluturur. Yabanc atomun 5. Valans elektronu, serbest elektron olarak kalr. Bu elektronun atomdan ayrlmas kolay olduundan akm tayc olarak kullanlabilir. Bu elektronu koparabilmek iin 0,01 eV (elektron volt ) yeterlidir.

ekil 1.5: Germanyum atomuna 5 valans elektronlu Sb (antimon) katlmas

Bu elektron kendi atomundan uzaklatnda daha nce ntr olan atomu ,pozitif iyon haline getirir.Akm tama grevi yapan serbest elektronlarn (-) yknden dolay bu tip yar iletkenlere N tipi yar iletkenler denir.

1.3.2. P Tipi Yar letkenler

4 valans elektronlu germanyum krstali ierisine 3 valans elektronlu bir yabanc atom(bor, alminyum, indium, galyum vb)katldnda atomun 3 valans elektronu germanyumun 3 valans elektronu ile kovalent ba oluturur. Ancak germanyum atomunun bir valans elektronu, yabanc madde atomu iinde ba yapabilecek elektron bulamaz. Burada oyuk meydana gelir. Kk bir enerji ile bu oyuk, komu atomdan bir valans elektronu ile doldurulur. Bylece, geride elektron veren atomda bir oyuk meydana gelmi olur. Kristal yap ierisindeki oyuklar akm tayc olarak kullanlr. P tipi yar iletken maddeye gerilim uygulandnda, bu oyuklar akm geiini salar. Oyuk, serbest elektronlar gibi elektrik akmn tayarak i grm olur. Oyuklarn hareketi, elektronlarn hareketine zt yndedir. Akm tama ii pozitif ykl oyuklar tarafndan yapldndan bu tip yar iletkenlere P tipi yar iletken denir.

ekil 1.6 : Germanyum atomuna 3 valans elektronlu in (indiyum) katlmas

1.4. Bir Yar letkende PN Jonksiyonu

N tipi yar iletken maddelerde ounluk tayc (-) negatif ykl elektronlar aznlk tayc ise (+) pozitif ykl iyonlardr. ekil 1.7 deki devrede S anahtar kapatldnda, retecin (+) kutbu N tipi yar iletkendeki (-) negatif ykl ounluk tayc elektronlar eker. Elektronlardan boalan yerler, elektron kaybettiinden pozitif ykl oyuk durumuna dnr.

ekil 1.7 : N tipi yar iletkende elektron ve oyuk hareketi

Dier taraftan retecin (-) negatif kutbu N tipi yat iletkende ounluk taycs (-) negatif ykl elektronlar iter. Bylece N tipi yar iletken maddenin A ucundan kan elektronlar, S anahtar ve rete zerinden B ucuna ular. Bu olay srekli devam eder. P tipi yar iletken maddelerde ounluk taycs (+) pozitif ykl oyuklar, aznlk taycs ise (-) negatif ykl iyonlardr. ekil 1.8deki devrede S anahtar kapatldnda retecin (+) kutbu P tipi yar iletkendeki pozitif ykl iyonlar iter. Oyuklardan boalan yerleri elektronlar doldurur.

ekil 1.8 : P tipi yar iletkende elektron ve oyuk hareket

Dier taraftan retecin negatif kutbu, P tipi yar iletkendeki ounluk taycs (+) pozitif ykl oyuklar eker. Bylece S anahtar ve rete zerinden srekli bir akm dolam salanm olur.

1.4.1. Polarmasz PN Jonksiyonu

Diyotlar P ve N tipi yar iletken maddelerin eitli ekilde birletirilmesiyle retilmektedir. imdi P-N birleiminin zelliklerini inceleyelim. P ve N tipi yar iletken madde kimyasal yolla birletirildiinde P-N birleimli kristal diyot elde edilir. ekil 1.9 da P N tipi maddelerin birletirilmesiyle oluan diyodun yaps grlmektedir. P ve N tipi iki madde birletirildii zaman birleim yzeyinin yaknnda bulunan elektron ve oyuklar birbirleriyle birlemeye balar. Birlemeler sonucunda yzey civarnda ntr (yksz) atomlar oluur. P-N maddelerin birbirine yakn olan ksmlarnda oluan elektron oyuk birleimleri ekil 1.10.da taral olarak gsterilen gerilim setti blgesini ortaya karr. Taral blge P-N maddelerinde bulunan tm elektron ve oyuklarn birbiriyle birlemesini nler.

ekil 1.9: Polarmasz PN jonksiyonu

Elektron ve oyuklarn yer deitirmesini engelleyen blgeye gerilim setti (depletion layer) denir. Settin kalnl 1 mikron kadar olup 0,20,7 V arasnda bir gerilim uyguland zaman yklr (alr). P-N birleiminde P maddesinin sa blm elektron kazandi iin (-) ykl olur. N maddesinin sol blm ise oyuk kazand iin art (+) ykl duruma geer. ki yzey arasndaki bu kk potansiyel fark (gerilim), oyuk ve elektronlarn daha ok yer deitirmesini nler. Oluan gerilim setti dardan uygulanan gerilimle yok edilebilir. te P ve N tipi maddelerin birletirilmesi ile elde edilen devre elamanna diyot denir. Gnmzde katklama oranlar deitirilerek P-N temeli zerine kurulu birok eitte diyot yaplmaktadr.

1.4.2. Doru Polarmal PN Jonksiyonu

ekil 1.10de grld gibi Ucc retecinin art (+) ucundan Gelen ykler (oyuklar) P tipi maddenin (+) yklerini bileim yzeyine doru iter. retecin (-) ucundan gelen elektronlar ise N tipi maddenin (-) yklerini bileim yzeyine iter. Art (+) ve eksi (-) ykler birbirini ekeceinden elektronlar oyuklara doru hareket eder. Yani elektronlar P tipi maddeye geer. Pilin (+) ucu P tipi maddeye gemi olan (-) ykl elektronlar kendine eker. Bu ekilde P-N birleiminde elektron ak balar. N tipi maddede bulunan her elektron yerinden kt zaman buralarda oyuklar oluur. Oyuklar art (+) ykl kabul edildiinden, pilin (-) ucu tarafndan ekilir. Grld zere elektron ak eksi (-) utan art (+) uca doru olmaktadr.

ekil 1.10: P veN tipi yar iletken maddelerin birleiminde oluan kristal diyodun doru polarmada altrlmas

1.4.3. Ters Polarmal PN Jonksiyonu

ekil 1.11 de grld gibi Ucc ad verilen retecin eksi (-) ucu P tipi maddenin oyuklarn eker. retecin art (+) ucu ise N tipi maddenin elektronlarn kendine eker. Birleme yzeyinde elektron ve oyuk kalmaz. Yani birleim blgesi art (+) ile (-) yk bakmndan fakirleir. Bylece ters polarmada diyot akm geirmez.

10

ekil 1.11 : P ve N tipi yar iletken maddelerin birleiminden oluan kristal diyodun ters polarmada altrlmas

1.5. Diyot Parametreleri

Alternatif Akm doru akma dntrmek iin kullanlan Elektronik devre elemanlarna diyot (diod, diot, diyod) denir. Deiik alanlarda saysz kullanm yerleri vardr. Uygulamada kullanlan diyotlar temelde iki ayr gruba ayrlr. Bunlar: Dorultma(redresr)diyotlar Sinyal diyotlar

Resim1.1: Diyot eitleri

eki1.1.12: Diyotun sembol ve yaps

Dorultma diyotlar g kaynaklarnda ACyi DCye dntrmede (dorultmada) kullanlr. Bunlar yksek akmlar tayabilir ve yksek ters tepe gerilimlerine dayanabilirler.

11

1.5.1. Ters Tepe Voltaj

Diyotlarn birou ters polarmann ar artrlmas durumunda bozulacandan bu noktada (dayanma gerilimine yakn) altrlmaz. Yani 50 volta kadar olan ters gerilimlere dayanabilen 1N4001 adl diyot, en ok 40 voltluk devrede kullanlr. 50 voltun zerindeki bir gerilim altnda alan devre sz konusu ise 1N4002 ya da baka bir model diyot seilir.

1.5.2. Maksimum n Akm

Dorultma ve sinyal diyotlar silisyum ve germanyum gibi yar iletkenler kullanlarak yaplrlar. Bir P tipi ve N tipi yar iletken birletirilerek imal edilir. ekilde grld gibi anot (A) ve katot (K) olarak iki ucu vardr. Germanyumdan yaplan diyotlardan akm geirildiinde zerlerinde yaklak 0.2 voltluk bir gerilim dm olurken, silisyumdan yaplm diyotlarda bu deer 0.6 ile 0.7 volt dolayndadr. te bu fark nedeniyle germanyum maddesi daha ok sinyal diyodu yapmnda kullanlr.

1.5.3. Is
Her elektronik devre elemannda olduu gibi diyodlarda da ortam scakl ok nemlidir. Yani diyodun scakl artka karakteristik zelliklerde de deiimler olmaktadr bu nedenle diyodun salkl alabilmesi iin germanyum dan yaplm diyotlarda scaklk 90 Cyi, silisyum diyotlarda 175 Cyi gememelidir.

ekil1.13: Diyotlarn soutulmasnda kullanlan alminyum soutucu

Diyotlarn gvde scaklnn ykselmesine elemann iinde doan s neden olur. Diyotta oluan s elemandan geen akmla doru orantl olarak artar. Diyotlar ekil 1.13de grld gibi alminyum plaka, vantilatr (fan) vb ile soutulursa yksek scaklklarda dayanm artar.

Resim 1.2: eitli yksek gl diyotlar

12

1.5.4. Frekans
Sinyal diyotlar ise lojik (saysal) devre eleman ya da radyo frekans (RF)devrelerinde sinyal ayrc olarak kullanlr. Baka bir deyile sinyal diyotlar, yksek frekanslarda almaya duyarl olmalarnn yan sra, dk gerilim ve akmlarda da alabilir.

1.5.5. Szma Akm

Diyotlarda kullanlan maddelerin tam saflkta olmamas nedeniyle ok az bir sznt akm geer A dzeyinde olan bu akm yok saylr (ihmal edilir). Ters polarmada diyotlara uygulanan gerilim ykseltilirse eleman delinebilir (bozulur). rnein 1N4001 adl diyotun ters ynde uygulanan gerilime dayanabilecei st deer 50 voltur. Yani bu diyot 50 volttan fazla ters gerilimde delinerek zelliini kaybeder. Diyotlar ters polarldnda sznt akmnn miktar, scakla, uygulanan gerilime, yar iletkenin cinsine gre deimektedir. rnein germanyum dedektr diyodundan 5 volt altnda 25 C scaklkta 0,8 mA ,60 C ta 5 mA ,100 C ta 50 mA sznt akm getii grlr.

1.5.6. G Sarfiyat
Yksek gl DC elde etmek amacyla kullanlan bu tip diyotlarn soutucuyla birlikte kullanlmas gerekir. Uygulamada 400 ampere kadar akm tayabilen ve 4000 volta kadar alma gerilimi olan diyotlar mevcuttur. Resim 1.2de grlen yksek gl diyotlar, kaynak makineleri, ak arj cihazlar, elektroliz sistemleri vb yerlerde kullanlr.

1.6. Jonksiyon Diyot Karakteristik zellikleri

Kristal diyotlar genellikle dorultma diyotlar olarak anlr ve dorultma devrelerinde kullanlr. Piyasada en ok kullanlan diyotlardr. Ebatlar glerine gre deiir. Byk ebatta yaplanlar byk gldr. Kristal diyotlar doru polarmada kk bir gerilim (silisyum iin 0,7 volt, germanyum iin 0,3 volt ) ile iletime geerler. Ters polarmada ise diyot yaltkandr. Ters polarmada gerilim ok arttrlrsa diyot aniden iletime geer. Bu duruma diyot delindi (bozuldu) denir.

13

ekil 1.14 : Kristal diyotun karakteristik erisi

1.7. Seri ve Paralel Bal Diyotlar

Diyotlarn seri balanmas: Ters dayanma gerilimi daha yksek diyot elde etmek iin seri balama yaplr. ekil 1.15te diyotlarn seri balanmas gsterilmitir. rnein 100 voltluk devre iin ters dayanma gerilimi 50 volt olan 2 adet 1N4001 diyot seri balanarak 100 volta dayanabilen diyot elde edilir. ok sayda diyodun seri balanmasyla elde edilmi elemanlara ise yksek gerilim diyodu ad verilir. ekil 1.16 da yksek gerilim diyodu rnekleri grlmektedir.

ekil 1.15 : Diyotlarn seri balanmas

ekil 1.16 : Yksek gerim diyotlar

Yksek akml diyot elde etmek iin diyotlar paralel balanr. Ancak bu yntem pek salkl deildir. retim kusurlarndan dolay diyotlar ayn zellikte yaplamaz. Bu nedenle diyotlardan biri bozulursa dier diyotlardan geen akmn artarak, diyotlarn da bozulmasna neden olur. O nedenle kataloglardan uygun diyot seilerek kullanlr.

14

ekil 1.17 : Diyotlarn paralel balanmas

1.8. Diyot eitleri ve Karakteristikleri

Diyotlar germanyum ve silisyumdan imal edilir. Yaplarndaki malzemeye gre germanyum ve silisyum diyotlar olarak iki snfa ayrlr. Kullanm alanna gre ise aadaki gibi snflara ayrlr: Kristal diyot Zener diyot Silikon kontrollu dorultucu(SCR,Tristrler) Ik veren (led) diyotlar Foto diyot Varikap diyot Tnel diyot Dorultucu diyot Kpr diyotlar

Resim1.3 : Kristal diyotlar

ekil 1.18 : Kristal diyot sembolu

15

1.8.1. Zener Diyot

Ters polarma gerilimi altnda sabit k gerilimi veren gerilim reglasyonunda kullanlan diyotlardr.

Resim1.4 : Zener diyot resimleri

ekil 1.19 : Zener diyot sembolleri

Normal diyotlara gre P ve N tipi yar iletkenlerde katk maddeleri oran daha yksektir. Zener diyoda uygulanan gerilim artka diyot byk bir diren gsterir ve mA seviyesinde akm geirir. Bu gerilimin belirli bir deerinde aniden diyottan ters ynde akm gemeye balar. Bu gerilimin deerine zener gerilimi denir. Gerilim artmaya devam edilirse akm da artar. Ancak zener ularndaki gerilim sabit kalr. Normal bir diyot ise ters polarma altnda zener geriliminden sonra delinir Zener Diyodun zellikleri: Doru polarmada normal bir diyot gibi alr .Ters polarmal halde, belirli bir gerilimden sonra iletime geer. Bu gerilime zener gerilimi denir. Ters gerilim kalknca zener diyotta normal haline dner Devrelerde ters ynde alacak ekilde kullanlr. Bir zener diyot zener gerilimi ile anlr. rnein 12 voltluk zener dendiinde 12 voltluk ters gerilimde almaya balayan zener diyot demektir. Zener diyot, ters ynde almas srasnda oluacak olan ar akmdan dolay bozulabilir. Bu durumu nlemek iin devresine daima seri bir koruyucu diren balanr.

16

ekil 1.20 : Zener diyot karakteristik erisi

Yukardaki ekilde zener diyodun karakteristik erisi grlmektedir. Zener diyotlarn ters polarmada iletime geme gerilimleri farkl imal edilir. (3 volt,4 volt,6 volt,7,5 volt,9 volt,12 volt vb).Ters polarma gerilimi zerinde yazan gerilime geldiinde iletime geer. Dz polarmada ise ters polarma gerilimi farkl btn silisyum zener diyotlar 0,60,8 voltta iletime geerler. Salamlk kontrolu dier diyotlarda olduu gibi ohmetre ile yaplr. Aadaki devreye 9 voltluk zener balanmtr. 12 volt gerilim uygulandnda zener diyoddan bir akm geer. Geen akm R direncinde 3 voltluk bir gerilim dm oluturur. 12 volt besleme gerilimin 3 voltu diren zerinde derken 9 voltu zener diyot ularnda bulunur.

ekil:1.21 : Zener diyodun devreye balanmas

1.8.2. Silikon Kontroll Dorultucular (SCR, Tristrler)

Tristr PNPN elemanlarn birlemesinden olumu silisyum kontrollu SCR (dorultucu) olarak da anlan bir elektronik devre elemandr. lk defa 1956 da Bell Telephone Laboratories tarafndan gelitirilmi olup zaman gecikme devrelerinde, doru akm motor srclerinde, gazalt kaynak makinelerinde, ak arj cihazlarnda kesintisiz g kaynaklar ve stc kontrollerinde kullanlr.

17

ekil 1.22: Tristrn sembol ve yaps

Resim1.5: Tristr

Tristr Anot (A),Katod (K) ve Geyt (G) olmak zere ulu bir yar iletken elemandr. Yksek scaklk ve g kapasiteye sahip silisyum malzemeden imal edilir. Kk tetikleme geyt gerilimi ile yksek gerilimlerin dorultulmas ve kontrol edilmesi yaplabilir. letime geme sresi kontaktrlere gre ok daha ksa olup (100-400 A arasnda 10-25 sn) ark oluturmaz. Bu zellikleri nedeniyle kontaktrlere gre daha uzun mrldr.

ekil 1.23 : Tristrn doru akmda altrlmas

ekil 1.23te grld gibi tristrn doru gerilimde iletime geirebilmek iin S anahtar kapatldnda anotuna lamba zerinden (+) gerilim, katoduna (-) gerilim uygulanr. Geytine gerilim uygulanmad iin tristr ak devre durumundadr. B butonuna bir anlk basldnda tristr geytinden geen kk bir akm tristr iletime geirir ve lamba yanar. Tristr iletime getikten sonra B butonuna basl tutmaya gerek yoktur. Tristrn kesime (yaltma) geip lambann snmesi iin S anahtarnn almas gerekir.

18

ekil 1.24 : Tristrn alternatif akmda altrlmas

ekil 1.24te grld gibi tristrn alternatif gerilimde iletime geebilmesi iin S anahtar kapatldnda diyotla dorultulmu ve R1 R2 gerilim blc direnler yardm ile kk bir akm geer. Bu akm tristr iletime geirerek lambann yanmasn salar. Lambann sndrlebilmesi iin S anahtarn almas yeterlidir.

1.8.3. Ik Veren Diyotlar (Led )

Doru polarma altnda alr. Deiik renk ve gerilimlerde imal edilir. Renklerine gre diyotlarn en dk alma gerilimleri; krmz iin 1,5 volt, sar iin 1,8 volt, yeil iin 2,2 volttur. Genellikle 5 voltun zerindeki gerilimlerde bozulurlar.

Resim 1.6 : Led diyot eitleri

ekil 1.25: Led diyot sembol

Yukarda led diyodun sembol ve grn grnmektedir. Led diyodlarn alma akmlar 10 mA ile 80 mA arasnda imalat kalitesine gre deimektedir. Led diyodlarn

19

renkleri katk maddelerinin oranna bal olarak elde edilir. rnein galyum fosfat yeil ve sar k, galyum fosfat iine inko oksit ilave edilirse krmz k, Galyum-Arsenik kzl tesi yani gzle grlmeyen k verir. LED yazlm olarak ngilizce Light Emitting Diode(Ik yayan diyot) kelimelerinin ba harfinden almaktadr. Led Diyodlarn zellikleri: alma gerilimi 1,5-2,5 V arasndadr. alma akm 10-50 mA arasndadr Uzun mrldr (ortalama 100.000 saat) Darbeye ve titreime kar dayankldr. Kullanlaca yere gre ubuk eklinde veya dairesel yaplabilir. alma zaman ok ksadr (Nanosaniye) Dier diyotlara gre doru yndeki direnci ok daha kktr. Led diyotlarn gvdeleri tamamen plastikten yapld gibi, k kan ksm optik mercek, dier ksmlar metal olarak da yaplr.

Led diyodlar, deiik byklk ve ekillerde yaplabildii gibi iki veya renkli olanlar da vardr. ki renkli LED diyodlarda ayn muhafaza ierisine birbirine ters bal iki LED diyod yerletirilmi olup krmz-yeil, sar-yeil gibi renkleri vardr. ki ayr LED diyodun katot ular birletirilip, anot ular ayr olacak ekilde bir muhafaza iine alnrsa renkli LED diyodlar elde edilir. Bu LED diyodlarn renkleri krmz, yeil veya ikisi birlikte yandnda sar olur. ekil 1.26 LED diyod yaps ile iki renkli ve renkli diyod balantlar grlmektedir.

ekil 1.26 : ift renkli diyot sembolleri

Resim 1.7: ift renkli diyot

Led diyodlara, doru polarma gerilimi verildiinde N tipi yar iletkenden P tipi yar iletkene doru elektron ak olur. P tipi yar iletkenden N tipi yar iletkene doru ise oyuk ak olur. Bu hareket esnasnda aa kan enerji s, k yaylmasna neden olur. Resim 1.7 de gibi PN birleimi effaf bir klfla kaplandndan enerji, k olarak darya yaylr.

20

1.8.4. Foto Diyot

ekil 1.27: Foto diyot sembol

Resim1.8: Foto diyot

Foto diyotlar ters polarma altnda kullanlrlar. Doru polarmada normal diyotlar gibi iletken, ters polarmada ise n ve p maddelerinin birleim yzeyine k dene kadar yaltkandr. Birleim yzeyine k dtnde ise birleim yzeyindeki elektron ve oyuklar aa kar ve bu ekilde foto diyot zerinden akm gemeye balar. Bu akmn boyutu yaklak 20 mikroamper civarndadr. Foto diyot televizyon veya mzik setlerinin kumanda alclarnda kullanlr. Alternatif akm devrelerinde kullanlmak zere NPN veya PNP yapl simetrik foto diyotlar da retilmektedir.

ekil 1.28: Foto diyotun devrede almas

ekilde grld gibi birleme yzeyine k gelince, bu n verdii enerji ile kovalan balarn kran P blgesi elektronlar, gerilim kaynann pozitif kutbunun ekme etkisi nedeniyle N blgesine ve oradan da N blgesi serbest elektronlar ile. Birlikte kaynaa doru akmaya balar. Dier taraftan, kaynan negatif kutbundan kopan elektronlar, diyotun P blgesine doru akar. Foto diyotlar uzaktan kumanda, alarm sistemi, sayma devreleri, yangn ihbar sistemleri, elektronik hesap makineleri, lksmetreler, optik sayclarda, fotoraf makinelerinde ve kameralarda mesafe ayarnda gibi eitli alanlarda kullanlr.

21

1.8.5. Varikap Diyot

Ularna uygulanan ters polariteli gerilime bal olarak kapasite deeri deien elemanlara kapasitif diyot denir. Yar iletkenlerde P-N birlemesinde gei blgesi ters polarma ile geniletilebilen ve bu sayede de diyodun kapasite deeri deimektedir. Kapasitif diyotlar ters bal iken P-N birleim yzeyinde ekil 1.29da grld gibi elektron ve oyuklarn uzaklat gei blgesi oluur. Bu blge diyota uygulanan gerilimle doru orantl olarak deiir. Gerilim artlrsa ntr (bo) blge geniler. P-N kristalleri iletken levha durumuna geerken ntr blge de dielektrik (yaltkan) zellii gsterir. Bylece kk kapasiteli bir kondansatr elde edilmi olunur. Oluan kapasite devre gerilimi ile ters orantldr. Yani diyota uygulanan gerilim artka kapasite azalr. Hareketli plakal ayarl kondansatrler elektronik devrelerde ok yer kapladndan, kk boyutlu ve dijital yapl devrelerde varikap diyotlar kullanlr. Kapasitif diyotlar TV, radyo vb cihazlarn yayn (frekans), seii (tuner) devrelerinde kullanlr.

ekil1.1.29: Kapasitif diyotun ters polaritesi

ekil 1.30: Sembolleri

1.8.6. Tnel Diyot

Saf silisyum ve germanyum maddelerine daha fazla katk maddesi katlarak Tnel diyotlar imal edilmektedir. Tnel diyotlar ters polarma altnda alrlar zerine uygulanan gerilim belli bir seviyeye ulaana kadar akm seviyesi artarak ilerler. Gerilim belli bir seviyeye ulatktan sonra da zerinden geen akmda d grlr. Tnel diyotlar bu d gsterdii blge iinde kullanlr. Tnel diyotlar yksek frekansl devrelerde ve osilatrlerde kullanlr.

22

ekil 1.31 : Tnel diyotun karakteristik erisi ve sembol

ekil 1.31deki eride grld gibi, tnel diyota uygulanan gerilim Vt deerine gelinceye kadar bydke akm da artyor. Gerilim bymeye devam edince, akm A noktasndaki It deerinden dmeye balyor. Gerilim bymeye devam ettike, akm B noktasnda bir mddet Iv deerinde sabit kalp sonra C noktasna doru artyor. C noktas gerilimi Vt2, akm yine Itdir. Bu akma Tepe deeri akm denmektedir. Gerilimi, Vt2 deerinden daha fazla arttrmamak gerekir. Aksi halde geen akm, It tepe deeri akmn aacandan diyot bozulacaktr. I= f(V) erisinin A-B noktalar arasndaki eimi negatif olup, -1/R ile ifade edilmekte ve diyotun bu blgedeki direnci de negatif diren olmaktadr. Tnel diyot A-B blgesinde altrlarak negatif diren zelliinden yararlanlr.

Tnel Diyotun stnlkleri

1.ok yksek frekansta alabilir. 2.G sarfiyat ok dktr. 1mW gememektedir.

Tnel diyotun dezavantajlar

1.Stabil deildir. Negatif direnli olmas nedeniyle kontrol zordur. 2.Arzu edilmeyen iaretlerde de kaynaklk yapmaktadr.

Tnel diyotun kullanm alanlar

1.Ykselte olarak kullanlmas 2.Osilatr olarak kullanlmas 3.Tnel diyotun anahtar olarak kullanlmas

23

1.8.7. Dorultucu Diyot

Dorultma (Alternatif akm doru akma evirmede ) devrelerinde kullanlr. Boyutlar akm deerlerine gre deiir. Byk akml diyotlarn kesitleri byk olur. Bu diyotlar soutucu plakalara monte edilir. Soutucu plakalarda balant kolayl temin iin, byk akml diyotlar dz ve ters olmak zere iki tipde imal edilir.

Tablo 1.1: Dorultma diyotlarn maximum dayanm gerilimleri

1.8.8. Kpr Diyotlar

4 Adet PN birlemeli normal diyotun ayn yap ierisinde bulunan uygun ekilde balanmas ile elde edilir. Kr diyotun d grn ve i balants aadaki ekilde grlmektedir.

Resim1.9: eitli kpr tipi diyotlar

24

ekil 1.32: Kpr diyot balants

Kpr diyot zerinde alternatif akm girileri ve doru akm klar belirtilmitir. Alternatif akma balandnda tam dalga dorultma yaplmaktadr. Redresr devrelerinde dorultma olarak kullanlr. Kpr diyot zerinde diyotun zelliklerini belirten rakam ve harfler vardr. rnein zerinde B20 C320 yazan bir kpr diyotun 20 voltta alaca ve zerinden geebilecek maksimum akmn 320 mA olduu anlalr. Kpr diyot salamlk kontrol: Diren kademesindeki Avometrenin ularn kpr diyodun alternatif uygulanan ularna dokunduralm. Avometre ibresi byk bir diren gsterir veya hi sapmaz. Ular yer deitirilse bile sapma grlmez. Bu sefer Avometrenin ularn kpr diyotun doru akm alnan ularna dokunduralm. Avometre ular yer deitirmek kayd ile yaplan lmelerde birinde ibre sapmas dierinde sapmamas grlmelidir. Bu durumda kpr diyot salamdr aksi durumlarda bozuktur. Ayrca bu yntemle de diyodun alternatif akm ve doru akm ular da tespit edilebilir.

1.9. Diyot Kataloglarnn Kullanm

Diyotlar zerinde yazl harf ve rakamlar diyotun hangi elemandan yapld ve hangi devrelerde kullanlacan gsterir. Amerikan standardnda 1N,2N, Japon standartlarnda 1S,2S,2SC,2SD kodlar kullanlr. rnein 1N 4001 ,1S 1320 vb Avrupa standartlarnda ise harfler ile yaplan kodlama sistemi kullanlr. Bu sistemde: 1. harf (hangi maddeden yapldn gsterir) A veya 0 ise germanyumdan yapldn ,B silisyumdan yapldn gsterir. 2.harf (hangi devrelerde kullanlacan gsterir) A- Genel amal veya anahtarlama diyotu

25

B- Varikap diyotu E- Tnel diyotu P- Foto diyotu Q- Led diyotu Y- Dorultma diyotu Z- Zener diyotu Harflerden sonra gelen 999 a kadar rakamlar firmaya ait seri numaralardr. Zener diyotlarda ise seri numaralardan sonra yine harf gelir.Bu harflerin anlam udur; A-Zener gerilimi B- Zener gerilimi C- Zener gerilimi D- Zener gerilimi E- Zener gerilimi %1 deiir. %2 deiir %5 deiir. %10 deiir. %15 deiir.

rnek: BZY 96/C 4V7 Diyotun anlam BSilisyumdan yaplm ZZener diyot YDorultma diyot 96- Firmaya ait seri numara C- Zener gerilimi %5 Deiir. 4V7- alma gerilimi 4,7 volt

1.9.1. Diyotlarn Salamlk Testi ve Ularnn Tespiti

ekil 1.33: Diyotlarn lamba ile salamlk kontrol

Yukardaki ekilde, diyota 3 voltluk bir pil ile 3 voltluk bir ampul seri balanmtr. Pilin (+) ucu diyodu anoduna, (-) ucu da lamba zerinden katoduna balandnda doru polarmaland iin lamba (k verir) yanar. Diyot ularn ters evirdiimizde ise ters polarma olacandan bu sefer lamba yanmaz ise (diyotlar tek ynl akm geirdiinden) bu diyot salamdr diyebiliriz. Her iki devre balantsnda da lamba yanar (veya yanmaz) ise diyot bozuktur.

26

Analog l aleti ile salamlk kontrol: Analog l aletlerin baz tiplerinde u iaretleri ile iindeki pil polaritesi terstir. Bunu kontrol etmek iin: l aletinin skalasnda (ohm) kademesinin sfr bir bata, amper ve volt kademesinin sfr dier bata ise l aleti zerindeki yazl polarite ucu ile pil ular terstir. Akm, gerilim ve diren kademeleri sfr skala zerinde ayn tarafta ise l aleti zerindeki yazl polarite ucu ile pil ular ayndr. Bu kontroldan sonra avometre diren ohm kademesinde Rx1 konumuna getirilir, (+) ve (-) ular ksa devre edilerek sfr ayar yaplr. Analog l aleti ular ile pil ular ters ynl olduunu varsaylan bir l aletinde:

ekil 1.34 : Analog l aleti ile diyot salamlk kontrolu

l aletin (+) (pile gre -) ucu katod ucuna,(-) (pile gre +) ucu anot ucuna dokundurduumuzda diyot doru polarma olacandan ibre sapar. l aletin (+) (pile gre -) ucu anot ucuna,(-) (pile gre +) ucu katod ucuna dokundurduumuzda diyot ters polarma olacandan ibre sapmaz. Yukardaki aklanan durumlar meydana geliyorsa diyot salamdr. l aletinin ibresi her iki durumda da sapar veya sapmazsa diyot bozuktur. Dijital l Aleti le Diyodun Salamlk Testi: Dijital avometrede diyot sembolu ( ) bulunan buzzer kademeye getirilir. Diyodun katod ucu l aletinin COM terminaline (Negatif) ;anot ucu ise l aletinin V mAyazl olan (Pozitif )terminaline balanr. Bu durumda displayde ama geriliminde 800 civarnda bir deer grlecektir. Diyot doru polarma altndadr.

27

Diyot ular ( veya terminal ular) ters evrildiinde, anot ular COM terminaline, katod ucu ise V mA yazl terminale balandnda display 1 gsterecektir. Yani bir ynde deer gsterirken dier ynde gstermezse; Bu durumda diyot salamdr.

ekil1.35 :Diyodun salamlk kontrolnn yaplmas

lme srasnda her iki ynl deer gsteriyorsa diyot ksa devre, her iki ynl byk diren 1 gsteriyorsa diyot ak devredir, yani diyot bozuktur, diyebiliriz. Not: Dijital l aletleri u iaretleri ile pil ular ayn ynldr. Diyot Ularnn Tespiti: Eer elimizdeki diyodun zerindeki iaretler silinmi ve ularn bilmiyorsak; yukarda anlatld gibi l aletinin ular rastgele dokundurulduunda displayde 800 civarna bir deer grldnde COM terminaline bal diyot ucu KATOD, V mA terminaline bal u ANOT olarak tespit etmi oluruz.

28

UYGULAMA FAALYET UYGULAMA FAALYET

DYOT KONTROL lem Basamaklar
Lamba ile diyot salamlk testi devre balantlarn yaparak, diyot salamlk kontroln yapnz.

neriler
rete gerilimi ile lamba alma geriliminin ayn olmasna dikkat ediniz

Tristrn DC ve AC akmda almas iin devre balantlarn yaparak, tristr almasn gzlemleyiniz.

Tristr ularnn tespitinde katalogtan faydalanabilirsiniz. rete gerilimi ile lamba alma geriliminin ayn olmasna dikkat ediniz. Terminal ular ile pil ularnn farkl olup olmad dikkate alnmaldr. Kristal 1N4001 diyot kullannz ve 12 volt AC gerilim uygulaynz. Yaptnz ilemin doruluunu arkadalarnzn almalar ile karlatrnz ve sonularn tartnz.

Kristal Diyotlarn salamlk tespitini uygun l aletleri ile yapnz.

Kpr tipi devre balanty yaparak D.C deerini lnz.

29

LME VE DEERLENDRME LME VE DEERLENDRME

Aada oktan semeli ve doru/yanl olarak sorular verilmitir. Bu sorularn doru klarn iaretleyerek cevaplaynz.

A-OBJEKTF TESTLER (LME SORULARI)

1. Basit maddenin zelliklerini tayan en kk parasna ne denir? A) Molekl B) Proton C) Atom D) Kovelant ba Son yrngesindeki elektron says 4 olan basit maddelere ne denir? A) letken B) Yaltkan C) Yariletken D) Valans Alternatif akm doru akma eviren, germanyum ve silisyumdan yaplan ve tek ynl akm geiren devre elemanna ne denir? A) Bobin B) Kondansatr C) Transistr D) Diyot Ters polarma gerilimi altnda sabit k gerilimi veren gerilim reglasyonunda kullanlan diyot hangisidir? A) Tuner diyot B) Led diyot C) Zener diyot D) Foto diyot Drt adet PN birlemeli diyotdan oluan ve zerinde alternatif akm girileri ve doru akm klar belirtilen dorultma diyodu hangisidir? A) Kpr diyot B) Led diyot C) Kristal diyot D) Varikap diyot

3.

4.

5.

30

(Aadaki cmlelerin doru veya yanl olduklarn satr bana yaznz)

(......) 6. Elektronlar (-) negatif ykldr (......) 7. Doru polarmada elektron hareketi ile oyuklar ters ynde hareket eder. (......) 8. Foto diyotlar doru polarma gerilimi altnda alrlar. (......) 9. Led diyotlar darbeye ve titreimlere kar dayanakszdr. (......) 10. Diyotlar seri balayarak yksek gerilim diyodu elde ederiz. (......) 11. 1 N 4001 diyotu 85 volt gerilimde alabilir. (......) 12. Diyotlar ,analog l aletlerinde salamlk kontrolu yaplrken diren() kademesinde yaplr. (..) 13.Diyotlar her iki ynde akm geirebilen yar iletken elemanlardr.

DEERLENDRME
Cevaplarnz modl sonundaki cevap anahtaryla karlatrnz ve doru cevap saynz belirleyerek kendinizi deerlendiriniz.

31

DEERLENDRME LE KONTROL LSTES

Dersin Ad Modln Ad Uygulama Faaliyeti Uygulama Tarihi Yar letkenler Diyot Kontrol RENCNN Ad Soyad: Snf : Nu :

AIKLAMA: Diyot kontrol faaliyeti kapsamnda yaptnz uygulama almalarnda hangi davranlar kazandnz, aada listelenen kontrol kriterlerine gre belirleyiniz. Uyguladnz ve kazandnz davran iin EVET, uygulayamadnz, kazanamadnz davran iin HAYIR seeneini iaretleyiniz. GZLENECEK DAVRANILAR Evet Hayr 1-Faaliyet n Hazrl a.alma ortamnz faaliyete hazr duruma getirdiniz mi? b.Kullanacanz ara-gereci uygun olarak setiniz mi? c.Kullanacanz malzemelerin salamln kontrol ettiniz mi? 2- Gvenlii a.Kullanacanz malzemelerin gvenirliini kontrol ettiniz mi? b.Kaynak balantsn yapmadan retmeninize haber verdiniz mi? c.Kaynak balantsn yaparken, kesik olmasn saladnz m? 3.Sonularn Alnmas a. Devreniz altnz m? b. DC k gerilimini ltnz m? 4.Devrenin altrlmas Sonras Yaplan lemler a.ncelikle kaynak gerilimini kestiniz mi? b.Kullandnz malzemeleri tam ve salam olarak teslim ettiniz mi? c.alma ortamnz temizleyip, dzenlediniz mi? d.Faaliyetten aldnz sonular, arkadalarnzla tarttnz m? TOPLAM

DEERLENDRME
Uygulama faaliyeti ile kazandnz davranlarda iaretlediiniz EVET ler kazandnz becerileri, HAYIR lar kazanamadnz becerileri ortaya koyuyor. HAYIR larnz iin ilgili faaliyetleri tekrarlaynz.

32

RENME FAALYET2
AMARENME

FAALYET2

Uygun ortam salandnda transistrleri zelliklerine, alma artlarna ve eitlerine uygun olarak devreye balayabilecek, transistrleri uygun l aleti ile hatasz olarak test edebileceksiniz.

ARATIRMA
Transistrlerin eitleri, kullanm alanlar, ularn tespiti, salamlk kontrol, katalog bilgilerini evrenizde bulunan TV, radyo vb tamircileri veya yetkili elektronik servislerine giderek n bilgi aratrmasn yapnz. Transistrler hakknda n bilgi amacyla internet ortamnda aratrma yaparak, kazandnz bilgi birikimini snfta arkadalarnzla paylanz.

2. TRANSSTRLER
Transistrler 1948 ylnda Amerikada William Shocley tarafndan nokta temasl olarak yaplmaya balanmtr. Transistr szc transfer- rezistr kelimelerinden tretilmitir. Transistr, emiter ve kolektr ular arasndaki direncin, beyz ucuna uygulanan akm deeri ile azaltlp ykseltildii elektronik devre elemandr. Deiik ilevli btn transistrlerin esas yzey birlemeli olmasdr. Bu nedenle, yzey birlemeli transistrn incelenmesi, transistrlerin yaps, karakteristikleri ve alma prensipleri hakkndaki gerekli bilgileri verecektir. Transistrler kendi aralarnda PNP ve NPN diye iki tipte ayrlr.

2.1. PNP ve NPN Tipi Transistrler

2.1.1. Yaps
PNP tipi transistr iki P tipi germanyum arasna ok ince (0,025 mm) N tipi madde yerletirilmesi ile meydana gelir. P tipi madde iinde negatif iyon halinde indium atomlar ile ayn sayda oyuklar ve az sayda elektronlar mevcuttur. N tipi Germanyum ise pozitif olarak iyonize olmu arsenik atomlar ile hareketli serbest elektronlar ve az sayda oyuklardan meydana gelmitir.

33

PNP tipi transistor de devreye oyuklar hakim, NPN tipi transistor de ise devreye elektronlar hakimdir. Transistrlerde 3 adet ayak vardr. Bunlar EMTER (yayc), BEYZ (taban) ve KOLLEKTR (toplayc)ulardr. Emiter ksaca E, Beyz ksaca B ve Collektr ise ksaca C ile gsterilir. PNP tipi transistorde akm tama iini ounlukta bulunan oyuklar, NPN tipi transistorde ise akm tama iini serbest elektronlar yapar. PNP ve NPN tipi transistrn i yapsn birbirine ters seri bal iki diyota benzetirsek, transistrn salamalk kontrolnde ok byk kolaylklar salarz. Aadaki ekilde NPN ve PNP tipi transistrn ters seri diyota benzemi ekli grlmektedir.

ekil 2.1: Transistr yaps ve sembol

Resim 2.1:Transistr eitleri

2.1.2. eitleri
Transistrler yapm ekillerine gre drt gruba ayrlrlar: Nokta temasl transistrler Yzey temasl transist rler Alam yntemiyle yaplan transistrler Alaml yaylma yntemiyle yaplan transistrler

34

Btn bu transistrlerin alma sistemi ayndr. Transstrlerin balca u eitleri vardr: Yzey birlemeli (jonksiyon )transistr Foto transistr Nokta temasl transistr Tetrot transistr Unijonksiyon transistr Alan etkili transistr (FET)

2.1.3. Sembolleri

NPN Tipi Transistr

PNP Tipi Transistr

2.1.4. Polarmalandrlmalar
Doru polarmalandrma; transistrn asl grevi, deiik frekanstaki AC iaretleri ykseltmektir. transistrn bu grevi yerine getirebilmesi iin nce emiter, beyz ve kolektrn DC gerilim ile beslenmesi gerekir. Uygulanan bu DC gerilime polarma gerilimi denir. Transistrn, almasn salayacak ekilde, emiter, beyz ve kolektrnn belirli deerdeki ve iaretteki (- veya+) DC gerilimi ile beslenmesine transistrn polarlmas (kutuplandrlmas) denir. Aadaki ekilde PNP tipi transistrn i yaps ve doru polarmalandrlm ekli grlmektedir.

ekil 2.2: Transistorn doru polarlmas

35

ekilde emiter ve beyz dz polarmal, kolektr ise ters polarmal olarak baldr. Bu her zaman byle olmak zorundadr. Yani sadece kolektr ucu ters olarak polarmalandrlmaldr. Aksi taktirde transistr almaz. S1 ve S2 anahtarlar akken transistr iinde e1 ve e2 gibi birbirine zt kk gerilim seti meydana gelir. S1 ve S2 anahtarlar kapatldnda, VCC nin art kutbu oyuklar beyz blgesine iter. Bu oyuklar ayn zamanda VBB nin eksi kutbu tarafndan da ekileceinden oyuklarn hzlar artar. Emiterden gelen oyuklar beyzde elektron ba kuracak yeterli sayda serbest elektron bulamaz. VCC > VBB olduundan gelen oyuklarn byk ounluu VCCnin eksi kutbu tarafndan ekilir. Emiterden gelen oyuklarn %95 civar VCCnin eksi kutbu tarafndan ekilmi olur. %5 lik ksm ise VBB nin kk olmas sebebiyle VBB nin eksi kutbu tarafndan ekilir. Dikkat edilirse, kolektr akm beyz akmndan ok byktr. Kolektr akm mA seviyesinde iken beyz akm A seviyelerindedir. Bu yzden baz hesaplamalarda beyz akm yok kabul edilip, emiter akm kolektr akmna eit tutulabilir. Hlbuki emiter zerinden kolektr ve beyz akmlarn toplam gemektedir. IE = IB + IC Transistrn beyz blgesine giren akma beyz akm denir. PNP tipi bir transistrn almas NPN tipi transistrn almasnn aynsdr. Bu yzden NPN tipi transistr ayrca anlatlmayacaktr, sadece geen akm ynleri farkldr. Ters Polarmalandrma; PNP tipi bir transistrn ters polarizasyondaki durumu ekilde olabilir. 1-VCC ters balanr. 2-VBB ters balanr. 3-VBB ve VCC ters balanr. Aadaki ekilde VBB doru, VCCnin ters baland devre grlmektedir. S1 ve S2 anahtarlar ak iken transistr iindeki birbirine zt ynde e1 ve e2 gerilim setleri oluur. 1) Sl ve S2 kapatldnda, VCCnin etkisiyle emiter-kolektr ular arasnda bir h1 alan oluur. VBB nin etkisiyle de beyz emiter arasnda da h2 alan oluur (hl ve h2 nin ynleri zt). H2nin yn elin ynne zt olduu iin birbirlerini yok ederler. Bylece emiterdeki oyuklar beyzdeki elektronlarda emitere geer. Emiter beyz aras iletken olur. 2) Bu esnada VCCnin meydana getirdii emiterden kolektre doru olan h1 kuvvetli alan da e2 nin ynne zt olduu iin e2nin alann zayflatr. Bylece kolektrdeki oyuklar hzla Beyze, oradan da byk bir ounluu emitere ular. VCCnin eksi kutbu emitere bal olduundan, emiterle gelen oyuklarn hzlar iyice artar transistr bozulur. Emiter kolektr aras ksa devre olmas (transistrn bozulmas) VCCnin VBBden ok byk olmas ile gerekleir. Transistrl radyolarda, pillerin yanllkla ters balanmas sebebiyle transistorlerin hemen bozulabilecei akla gelebilir. Her ne kadar doru ise de transistrlerin maksimum

36

alma geriliminin 9 volttan daha fazla oluu bu ters balanmann ksa bir an devam etmesi halinde, transistrlerin hemen bozulmayaca unutulmamaldr. Ama piller alcda uzun sre ters olarak bal kalmamaldr. Bylece transistrn snmasna, dolaysyla bozulmasna neden olur. Buraya kadar 1. Yntemde transistr ters polarma edilmiti, ister VCC veya VBByi tek tek isterse ikisi birden ters balarsak transistr yine ksa devre olur.

ekil 2.3: Transistrn ters polarlmas

2.1.5. Akm ve Gerilim Ynleri

NPN ve PNP tipi transistrlerde gerilim yn yar iletkenlerin elektriksel deerliklerine gre belirlenir. Transistrn tipini gsteren ilk harf emitere uygulanan gerilimin polaritesini verir. kinci harf ise beyze uygulanan gerilimin polaritesini verir. Ancak kolektr geriliminin polaritesi elektriksel deerliklerine gre terstir. ekil 2.4e bu durum grlmektedir.

ekil 2.4: Transistrlerin gerilim ynleri

37

ekil 2.5: a)Transistrlerde akm ynleri

b)Transistrlerde elektron ynleri

Devreden geen akmn yn Uluslararas Elektronik Kuruluunun (IEC) yapt kabule gre retecin pozitif kutbundan (+),negatif kutbuna (-) doru emiterdeki ok ynndedir. Oyuk akm yn elektrik akm yn olarak edilir. ekillerde grld gibi elektronlarn yn ise oka terstir.

2.1.6. Transistr Karakteristikleri

Transistorlerde k akmn giri akmna oranna akm kazanc denir. k akm daima kolektr akmdr. Giri akm ise transistrn balant ekline gre emiter veya beyz akm olabilir. k gerilimi ise sabittir. Transistrn balant ekline gre akm kazanc farkl isimler alr. Alfa () Akm Kazanc: Ortak beyz balantl ykselte devrelerinde, kolektr beyz gerilimi sabit kalmak art ile kolektr akmnn emiter akmna oranna alfa akm kazanc denir.

Alfa akmkazanc 1e yakn olmas istenir. Bunun iin kolektr akm ile emiter akm birbirine yakn deerde olmaldr. Alfa akm kazanc yzey temasl transistrlerde 0,95-0,98 arasnda deiir. rnek::Bir transistrn ortak beyzli balantsnda emiterden geen akm 5 kolektrden geen akm 4,8 olduuna gre alfa akm kazancn bulunuz. zm: mA

Beta () Akm Kazanc: Ortak emiter veya kolektr balantl ykselte devrelerinde kolektr akmnn beyz akm oranna beta akm kazanc denir.

38

rnek: Bir transistrn ortak emiterli balantsnda emiter akm5 mA, beyz akm 0,3 mA olduuna gre beta akm kazancn bulunuz. zm: IE= IB+IC ise IC=IE-IB=5-0,3=4,7 mA

Alfa ve beta akm kazanlarnn dntrlmesi;

buradan;(1-)= -= = + =(1+)

rnek: Alfa akm kazanc 0,93 olan bir transistrn beta akm kazancn bulunuz. zm:

Transistrn drt blge karakteristii; Transistrlerin karakteristik erileri 4 grup olup, koordinat sistemi zerinde I, II, III ve IV. Blge erileri olarak aklanr. Transistrlerin statik karakteristiklerin bilinmesi, akm ve gerilim ilikileri ve transistrlerle ilgili baz deerlerin elde edilmesi bakmndan gereklidir. Aadaki ekil 2.6 da deney balant emas, ekil 2.7de, transistr 4 blge karakteristii verilmitir.

ekil 2.6: Transistr drt blge karakteristik deney balant emas

39

1.blge karakteristii 2.blge karakteristii 3.blge karakteristii 4.blge karakterestii

(IC VCE) (IC-IB) (IB-VBE): (VCE-VBE)

Bu ilikiler ekil 2.7 de grlmektedir. Burada: IC : Transistr kollektr akm IB: Transistrn beyz akm VCE: Transistrn kollektr emiter ularnda den gerilim VBE :Transistrn beyz-emiter ularnda den gerilim ekil 2.7deki karakteristik eriye gre; VCE gerilimi ile IC akm ters orantl olarak deiir. IB akmna gre doru orantl olarak VBE gerilimi artar. IB akmna bal olarak IC akm doru orantl olarak artar.

ekil 2.7: Transistr Drt blge karakteristikleri

I. Blge (c-vce) Karakteristiinin izilmesi

Sabit Ib giri akm deerlerinde VCE gerilimi ile Ic nin deiimini gsteren eriye 1. Karakterestik eri denir. Bu eriden transistr k direnci RC=VCE/Ic bulunur. ekil 2.6da bulunan devredeki RB ve RC direnleri transistr korumak amac ile kullanlmtr.

40

nce VBB kayna Ib=0 A e ayarlanr. Sonra VCC kayna ile VCE gerilimi srasyla 2,4,6,8.....16 V gibi deerlere ayarlanr. Alnan her VCE gerilim deeri iin Ic akm gzlem tablosuna kaydedilir. Bu ilem tamamlandktan sonra ayn ilem Ib=10 A ,20 A, 30 A.... 100A deerleri iin ayr ayr yaplr. Her VCE gerilimine karlk gelen Ib deeri karlatrlarak kesiim noktalar elde edilir. Bu noktalar birletirildiinde transistrn 1. Blge karakteristii izilmi olunur.

ekil 2.8: Transistrn 1. blge karakteristik erisi

2. Blge (b-c) Karakteristii VCE gerilimi sabit iken Ib giri akmn deiimine karlk Ic k akmnn deiimini gsterir. B eriden akm kazanc (Ic/Ib) bulunur. VCC kayna ayarlanarak VCE gerilimi sabit bir deere, rnein 4.5 volta ayarlanr. Bu defa VBB kayna ayarlanarak Ib=20 A iken Ic akm okunur. Okunan bu deer gzlem tablosuna yazlr. Ib deerleri yine VBB kayna ile srasyla 40 A, 60 A, deerlerine getirilir. Her Ib deerine karlk gelen Ic akm okunur, tabloya kaydedilir. Tablodaki deerler aadaki aadaki ekilde grld gibi Ib yatay eksende ve Ic dey eksende olmak zere noktalar belirlenir. Bu deerlerin kesiim noktalar iaretlenir. Bu noktalar birletirilerek transistrn 2. Blge karakteristik erisi izilmi olunur.

ekil 2.9: Transistrn 2. Blge karakteristik erisi

Yukardaki eriden rnein Ib akm 25A iken Ic deerinin 4 mAOlduunu grrz. Buna gre akm kazanc bulacak olursak:

41

=Ic /Ib =4/25.10-3 =4.103/25= 160 olarak bulunur. 3. Blge (vbe- b) Karakteristii VCE k gerilimi sabit iken VBE giri gerilimindeki deiimin Ib giri akmna etkisini gsterir. Bu eriden transistrn giri direnci RB=VBE/Ib bulunur. 3. Blge karakteristik erisi kartmak iin VCC kayna tarafndan VCE gerilimi (rnein 4,5 volta) ayarlanr. VBB kayna deitirilerek VBE gerilimi kademeli olarak arttrlr. Her VBE gerilimi kademeli olarak artrlr. Her VBE dikey eksende, Ib yatay eksende olmak zere noktalar kesitirilerek transistrn 3. blge karakteristik erisi izilmi olunur.

ekil 2.10: Transistrn 3. Blge karakteristik erisi

4. Blge (vbe-vce) Karakteristii Transistrn geri besleme oran (VBE/VCE) bu eriden hesaplanr. Sabit Ib deerlerinde VBE giri gerilimindeki deiiminin VCE k gerilimine etkisini inceleyen eriye 4. Blge karakteristii denir.

ekil 2.11: Transistrn 4. Blge karakteristik erisi

42

Yukardaki ekilde VBB kayna ile Ib= 10A a ayarlanr. VCC kayna ile VCE gerilimi eit aralklarla ayarlanp her VCE deerine karlk gelen VBE gerilim deeri gzlem tablosuna yazlr. Ib deerleri deitirilerek ayn ilem tekrarlanr. Alnan deerler VBE dikey eksende, VCE yatay eksende olmak zere 4. Blge karakteristik erisi izilmi olunur.

2.2. Temel Ykselte Devreleri ve zellikleri

Girie uygulanan zayf sinyalleri kta kuvvetlendiren devrelere ykselte (amplifikatr) denir. Mikrofon, radyo, teyp, antenden gelen zayf sinyaller ykselteler ile gerilim ve gleri ykseltilerek hoparlrlere iletilir. Amplifikatr devreleri transistr, entegreler veya ikisinin beraber kullanm ile yaplr. ktaki sinyalin giri sinyaline oran ykseltme kazancn belir. yi bir ykseltecin kazanc yksek olur. Ykselteler transistrn balant ekline gre ortak emiterli, ortak beyzli, ortak kollektrl olarak e ayrlr.

2.2.1. Emiteri Ortak Ykselte

ekil1.12de emiteri ortak bal ykselte devresi grlmektedir. Devrede AC giri sinyali, C1 kondansatr zerinden transistrn beyzine uygulanmtr. k sinyali ise C2 kondansatr zerinden kolektrden alnmaktadr. VBB ile beyz-emiter arasna doru polarma uygulanmtr. VCC ile kolektre ters polarma gerilimi uygulanmtr. Emiteri ortak ykselteler, en ok kullanlan balant eklidir. Genellikle zayf sinyallerin ykseltilmesi istenen yerlerde (mikrofon, video kafas, vb )kullanlr.

ekil 2.12: Emiteri ortak ykselte

Girie uygulanan AC sinyalin pozitif ve negatif iki alternans vardr. Giri sinyalinin pozitif alternansnda VBE =Vgiri+VBB olduundan VBB polarma gerilimi ve buna bal olarak da IB beyz akm da artar. Bu durumda IC kolektr akm ve IE emiter akmlar da artar. ICnin

43

artmas, RC direnci zerindeki gerilim dmn artrr. VCE=VCC-IC. RC formlne gre; IC .RC nin artmas ile VCEnin pozitiflii azalr. Girite pozitif alternansta verilen sinyal,kta 1800 faz farkl olarak negatif alternansta alnr. Giri sinyalinin negatif alternansnda VBE =Vgiri-VBB olduundan IB beyz akm azalr. Buna bal olarak, IC kolektr akm ve IC.RC gerilim dm azalr.VCE=VCC-IC.RC formlne gre VCEnin pozitiflii artar.Girite negatif alternansta verilen sinyal 1800 faz farkl olarak,pozitif alternansta genlik bakmdan bym olarak alnr. Emiteri ortak ykseltelerde giri empedans kk(1K-5K),k empedans byktr (10K-50K). Gerilim kazanc, akm kazanc, g kazanc yksektir. Giri ve k sinyalleri arasnda 1800 faz fark vardr, yani faz tersleme yaparlar.

2.2.2. Beyzi Ortak

ekil 2.13: Beyzi ortak ykselte

ekil 1.13te devrede giri sinyali emitere uygulanmtr. k sinyali ise kolektrden almmtr. Emiter-beyz arasna doru polarma VBB gerilimi, kolektr- beyz arasna ters polarmal VCC gerilimi uygulanmtr. Girie uygulanan AC sinyalin pozitif ve negatif iki alternans vardr. Giri sinyalin pozitif alternansnda VAC ile VBB seri bal iki rete gibi olup toplam gerilim emiter beyz arasna uygulanr. Bu durumda IE , buna bal olarak da IC ve IB artar. Bu akm artna bal olarak, yk zerindeki IC.RC gerilim dm VRC st u (+) alt u (-) olacak ekilde artar. VCB=VCC-IC.RC formlnde IC.Rcnin artmas ile VCB geriliminin negatifliliinin azalmas, k sinyalinin de pozitif alternansta olduunu belirtir. Giri sinyali negatif alternansnda iken, VAC ile VBB birbirine ters bal iki rete gibidir. Gerilim fark emiter beyz arasna uygulanr. Bu durumda daha dk bir emiter akm, buna bal olarak da dk deerde kolektr ve beyz akmlar dolar. Kollektr akm azalrsa RC yk zerindeki gerilimi (IC.RC)azalr.VCB=VCC-IC.RC formlnde IC.RCnin azalmas ile VCBnin negatiflilii artar. Bylece kolektrden de negatif k sinyali alnr. Sonu olarak; giriteki sinyal ayn fazda ykseltilmi olarak alnm olunur.

44

Beyzi ortak ykseltelerde giri empedans ok kk (50-500), k empedans byktr(100K-1,5M).Gerilim kazanc ok yksek, akm kazanc ok dktr. G kazanc orta seviyededir. Giri ve k sinyalleri arasnda faz fark yoktur, yani faz tersleme yapmazlar. Beyzi ortak ykselteler, az kullanlan ykseltelerdir. Genellikle empedans uygunlatrc veya dk empedansl devrelerde yksek gerilim kazanc elde etmek amac ile kullanlr.

2.2.3. Kollektr Ortak

ekil 2.14: Kolektr ortak ykselteler

Giri sinyalinin pozitif alternansnda VBB ile uygulanan sinyal ayn ynl VBC=Vgiri+VBB olduunda ,VBC polarma gerilimi artar.Transistrn iletime gemesi ile IB,IC ve IE akmlar artar.IE akmnn artmas ile RE direnci zerindeki IE.RE(VE=IE.RE) gerilim dm artar. RE direnci zerindeki gerilim dm, kta (+) gerilim dm olacak ekildedir. Dolays ile k sinyali pozitif alternansta alnr. Giri sinyalinin negatif alternansnda VBB ile uygulanan giri sinyali, ters ynl VBC=Vgiri-VBB olduunda VBC polarma gerilimi azalr. Buna bal olarak IB akmnn deeri azalr. IBnin azalmas ile IC ve IE akmlar azalr. IEnin azalmas ile RE direnci zerindeki IE.RE(VE=IE..RE) gerilim dm de azalr. Transistr yaltmda olduundan, kolektr emiter arasnda kolektr (+), emiteri (-) olacak ekilde VCE gerilimi der. Emiter (-) alternansta olduundan k sinyali negatif alternansta alnr. Kolektr ortak ykselteler, daha ok empedans uygunlatrc devrelerde kullanlmaktadr. Kolektr ortak ykseltelerde giri empedans byk (300K-1M),k empedans kktr (50-500). Akm kazanc byk, gerilim kazanc kktr. G kazanc orta seviyededir. Giri ve k sinyalleri arasnda faz fark yoktur; yani faz tersleme yapmaz.

45

2.3. Transistr alma Kararlln Etkileyen Faktrler

Scaklk; ar snan transistrlerin alma dengesi bozulur, gc der. Daha da ok snrsa yanar. Isnan transistrde elektron says anarmol artacak, kristal yap deiecektir. Bu art nedeniyle de belirli giri deerleri iin alnmas gereken k deerleri deiir. Buda kararl almay etkiler. Transistrlerin alma esnasnda kendi scaklndan dolay s artmas gibi ortam scaklnn artmasyla da alma kararln etkileyebilir. Bu durumlarda transistrlerin almnyum levha veya fan ile soutulmas byk nem kazanmaktadr. Ayrca transistr lehimlemesi srasnda havya ile ar stma transistr bozabilir.

ekil 2.15: Transistrlerin soutulmas

Frekans; her transistr her frekansta almaz. rnein NPN transistrler, PNP transistrlere gre yksek frekanslarda almaya daha uygundur. Nedeni ise NPN transistrde elektrik yk tayclar elektronlardr. PNP transistrlerde ise tayclar pozitif elektrik ykleridir. Elektronlar, pozitif elektrik yklerine gre ok daha hzl ve serbest hareket edebildiklerinden, yksek frekanslarda NPN tipi transistrler daha uygundur. Transistrlein alma frekanslar ile ilgili olarak kataloglara bakmak gereklidir. Limitsel Karakteristik Deerleri; her transistrn ayr alma deerleri vardr. Bu alma deerlerinden bazlarnn kesinlikle almamas gerekir. Bunlara limitsel karakteristik deerlerdenir. Limitsel karakteristik deerler yle sralanr: Maksimum kollektr gerilimi Maksimum kollektr akm

46

Maksimum dayanma gc Maksimum kollektr-beyz jonksiyon scakl Maksimum alma (kesim) frekans Limitsel deerler gerek birbirlerine, gerekse de giri deerlerine baldr. Yukarda sralanan maksimum deerlerin ne olmas gerektii transistr kataloglarndan ve karakteristik erilerinden saptanr. Polarma Yn; polarma gerilimi uygularken, ters polarma gerilimi uygulamamay zellikle dikkat edilmesi gerekir. Byle bir durumda, transistr almayaca gibi, normalden fazla uygulanacak olan ters polarma gerilimleri jonksiyon yapnn delinmesine, yani transistrn bozulmasna neden olur. Ar Toz Ve Kirlenme; transistrlerin toza kar ve zellikle de metalik ilemlerin yapld ortamlarda ok iyi korunmas gerekir.Metal ve karbon (kmr) tozlar ile kark kirlenme zellikle yal yzeylerde birikinti yaptnda, sznt akm ve hatta ksa devrelere sebebiyet verebilir. Tozlu ortamda altrlmas zorunlu olan transistrlerin veya elektronik devrelerin toza kar korunmalar iin zaman zaman yumuak bir fra veya elektrikli sprge ile tozlarn temizlenmesi gerekir. Nem; transistrler ve btn elektronik devreler, nem kar ok iyi korunmaldr. Gerek su buhar, gerekse baz ya ve boya buharlar dorudan ksa devre yapabilecei gibi, tozlarn da yapp younlamasna neden olacandan cihazlarn kararl almasn engelleyecektir. Sarsnt; sarsntl ortamda kullanlan elektronik cihazlarda daima balant (lehim noktalar) yerlerin kopma ihtimali vardr. zellikle snmadan dolay lehim balantlar sarsntlar neticesinde atlama (souk lehim) olabilir. Netice olarak cihazn kararl almasn etkiler. Ar sarsntl almas gerekli cihazlar firmalar tarafndan retim sonras sarsnt testine tutulurlar. Elektriksel ve manetik alanlarn etkisi; gerek elektriksel alan, gerekse manetik alan serbest elektronlarn artmasna ve onlarn ynlerinin sapmasna neden olur. Buda kararl almay etkiler. Bu gibi ortamlarda kullanlacak cihazlar faraday kafesi ve anti- manetik koruyucularla korunmaldr. In etkisi; rntgen nlar, laser ve benzeri ok yksek frekansl nlar da kararl almay etkiler. Bu gibi alacak yerlerde zel koruma tedbirleri alnmaldr. Kt lehim; transistrlerin ve elektronik devre elemanlarn ok ustaca lehimlenmesi gerekir. Souk lehim yapldnda dardan bakldnda lehimliymi gibi grnmesine ramen elektriksel iletimin iyi olmamasna neden olacandan btn bir sistemin kararl almasn engelleyecektir.

47

2.4. Transistr Kataloglarnn Kullanm ve Karlk Bulunmas

Aranlan transistr katalogdan bulunurken u sra takip edilmelidir; 1.lk harf veya sayya gre alfabetik sradan transistrn olabilecei sayfalar bulunur. 2.Bulunan sayfalardan transistrn ikinci harfine uygun sayfalara geilir. 3.Transistr tipindeki say srasna gre ,transistrn isim ve zelliklerin bulunduu blme geilir.

Resim 2.2:Transistr rnei

Tablo 2.1: Baz Transistrn katalog bilgileri

48

Kataloun okunmas: 1.Stunda Eleman kodu 2.Stunda Elemann tipi (Yapld malzeme GE,S,NPN(N),PNP(P) ile gsterilir.) 3.Stunda ekil (Ayak balantlarnn bulunabilmesi iin elemann klf resimlerine baklr) 4.Stunda zellikleri (Elemann nerelerde kullanld,alma gerilimi,akm,scakl ,frekans gibi bilgileri ierir) 5.Stunda Karl(muadili) ;Bu elemann yerine kullanlabilecek elemanlar ve parantez iindeki saylar klf ekillerini gsterir.

ekil 2.16: eitli transistrlerin alttan grnl klf ekilleri

49

2.5. Transistr zerindeki Harf ve Rakamlarn Okunmas

Transistr kodlanmasnda drt ayr standart kullanlr: Avrupa standard Japon standart Amerikan standart Firma standart Avrupa yapm transistrler kodlamalar aadaki tabloda verilmitir:

Tablo. 2.2: Avrupa standard transistrler

rnein: AD 149 transistr; A harfi germanyumdan imal edildiini, D harfi alak frekans g transistr olduunu belirtir.149 rakam ise transistrn geerli karakteristik deeridir.

50

rnein: BC 237 transistr; B harfi silisyumdan imal edildiini C harfi alak frekans transistr olduunu belirtir. 237 ise transistrn geerli karakteristik deeridir. Japon yapm transistrler ise 2S kodu ile isimlendirilmi transistrlerdir. Tablo 2.3 e gre;Birinci rakam: Elemann cinsini gsterir. Birinci harf S :Transistrn silisyumdan yapldn gsterir. kinci harf: Tipini ve kullanma yerini gsterir. rnein: 2SC 1384 transistrde 2 rakam elemann transistr olduunu, S harfi transistrn silisyumdan yapldn, C harfi NPN tipi yksek frekans transistr olduunu ve 1384 ise imalat seri numarasn verir.

Tablo 2.3: Japon standard transistrler

Amerikan yapm transistrrlerde ise 2N ifadesi ile balayan kodlar ile isimlendirilmitir. Amerikan yapm transistrler ise Tablo2.4te gsterilmitir. Tabloda;

51

Birinci rakam: Elemann cinsini gsterir Birinci harf N :Transistrn silisyumdan yapldn gsterir. Son rakamlar: malat seri numarasn verir.

Tablo 2.4: Amerikan standard transistrler

rnein: 2N 3055 adl transistrde, 2 rakam elemann transistr olduunu, N harfi transistrn silisyumdan yapldn ve 3055 imalat seri numarasn verir. Baz elektronik firmalar kardklar zel transistrlerin taklit edilmemesi iin yaptklar standart d kodlamalardr. Siemens, Motorola gibi baz firmalar kendileri iin zel standart oluturmulardr.

2.6. Transistr Testleri ve Ularnn Tespiti

Transistr ularnn tespiti; PNP tipi salam bir transistrn her hangi bir ucu (avometrenin iindeki pile gre negatif ucu) balanr. Avometrenin dier ucu transistrn teki ularna dokundurulur. bre ularn her ikisinde de sapyorsa sabitlediimiz u, beyz ucudur. NPN tipi salam bir transistrn her hangi bir ucu (avometrenin iindeki pile gre pozitif ucu) balanr. Avometrenin dier ucu transistrn teki ularna dokundurulur. bre ularn her ikisinde de sapyorsa sabitlediimiz u, beyz ucudur. Bu lmelerde beyz ucu ile arasnda daha yksek diren gsteren u emiter, kk deer gsteren u ise kolektr dr. Transistr testi; transistrn beyz ucuna avometrenin pozitif ucu balanr. Avometrenin negatif ucu sras ile emitere ve kolektre dokundurulur. Bir deer gsteriyorsa transistr NPN tipidir diyebiliriz.(ekil: a ).

52

Transistrn beyz ucu avometrenin negatif ucuna balanr. Avometrenin pozitif ucu sras ile sras ile emitere ve kolektre dokundurulur. Bir deer gsteriyorsa transistr PNP tipidir diyebiliriz (ekil:b ).
a)NPN tipi transistr

53

b) PNP transistr

ekil 2.17: Transistr tipinin tespiti

Transistrn analog avometre ile salamlk testi; avometreyi diren kademesine (Rx1) getirelim. Avometrenin bir ucunu beyzde sabit tutalm, dier ucunu sras ile emiter ve kolektre dokunduralm. Bu defa avometrenin dier ucunu beyzde sabit tutalm, teki ucunu sras ile emiter ve kolektre dokunduralm. ekillerdeki uygulamalarn birinde yksek, dierinde dk diren grlyorsa transistr salamdr. Bunun dndaki durumlarda arzaldr.

54

Ayrca salam bir transistrde emiter-kollektr aras veya kolektr-emiter aras yksek diren grlmelidir.
a)beyz -emiter ve beyz kollektr kontrolu (ibre sapt)

b)beyz-emiter ve beyz kollektr kontrol(ibre sapmad)

ekil 2.18: Transistrn analog avometre ile salamlk kontrolu

55

Transistrn dijital avometre ile salamlk testi; Dijital avometre diyot test kademesi buzzere ( ) getirilir. Avometrenin bir ucunu beyzde sabit tutalm.dier ucunu sras ile emiter ve kolektre dokunduralm. Transistr doru polarma geriliminde ise bir deer gsrerir.
a)beyz -emiter ve beyz kollektr kontrolu (deer gsterdi)

b)beyz-emiter ve beyz kollektr kontrol(deer gstermedi)

ekil 2.19: Transistrn dijital avometre ile salamlk kontrolu

Bu defa avometrenin dier ucunu beyzde sabit tutarak dier ucunu sras ile emiter ve kolektre dokunduralm. Avometrenin displayinde 1 gibi deer grlr. Yaplan bu lmelerde anlatlan durumlar meydana geliyorsa transistr salamdr. Bunun dndaki durumlarda arzaldr.

56

UYGULAMA FAALYET UYGULAMA FAALYET

TRANSSTRLERN NCELENMES lem Basamaklar
Transistrlerin drt blge karakteristiini deney balant emasna uygun balayarak karnz. Transistrlerin ularnn tespitini, Transistorn tipinin tespiti Transistrn salamlk kontroln uygun l aletleri ile yapnz. Terminal ular ile pil ularnn farkl olup olmad dikkate alnmaldr. Transistr lmlerini devre zerinden lehimlerini skerek yapnz.aksi takdirde hatal sonular grlr. Sinyal kullannz. lmlerinde osilaskop Devreye seiniz.

neriler
uygun l aletleri

Emiteri ortak ykselte devresinin balantsn yaparak giri ve k sinyallerini inceleyiniz.

2N3055,BC237,AD 149,BD 175,BF 393Transistrlerin katalogdan genel zelliklerini ve klf ekillerini karnz.

Transistrlerin karlklarn ncelemesini yapp, karlatrnz.

da

57

LME VE DEERLENDRME LME VE DEERLENDRME

OBJEKTF TESTLER (LME SORULARI)
Aada oktan semeli ve doru/yanl olarak sorular verilmitir. Bu sorularn doru klarn iaretleyerek cevaplaynz. 1. ki P tipi madde arasna N tipi madde veya iki N tipi madde arasna P tipi madde konularak elde edilen yar iletken devre elemanna ne denir? A Diyot B) Transistr C) Kondansatr D) Bobin Girie uygulanan zayf sinyalleri kta kuvvetlendiren devrelere ne denir? A) Anahtarlama devre B) Krpc devre C) Regle devreleri D) Amplifikatr devre Aadakilerden hangisi transistrn balant ekline gre ykselte eiterinden deildir? A) Beyzi ortak ykselte B) Emiteri ortak ykselte C) Kolektr ortak ykselte D) Anodu ortak ykselte Transistrlerin, Sabit Ib giri akm deerlerinde VCE gerilimi ile Ic nin deiimini gsteren karakterestik eri hangisidir? A) 1. blge karakteristii B) 2. blge karakteristii C) 3. blge karakteristii D) 4. blge karakteristii Bir transistrn emiterinden geen akm 4 m A ,kolektrden geen akm 3,4 m A olduuna gre alfa akm kazanc ne kadardr? A) 1,17 B) 1,10 C) 0,85 D) 0,75

3.

4.

5.

58

6.

Bir transistrn beyzinden geen akm 0,4 m A ,kolektrden geen akm 6 m A olduuna gre beta akm kazancn bulunuz. A)13 B)14 C)15 D) 16

(Aadaki cmlelerin doru veya yanl olduklarn satr bana yaznz)

7. (.) BC 238 transistrnde B harfi germanyumdan imal edildiini ifade eder. 8.(.)2N ifadesi ile balayan transistr Amerikan yapm ve silisyumdan yapldn gsterir. 9.(.) Bir transistrn salamlk kontrolunu yapabilmemiz iin ncelikle beyz ucunu bilmemiz gerekir. 10 (..) Isnan transistrlerin soutulmasnda alimnyum plakalar kullanlr

DEERLENDRME
Cevaplarnz cevap anahtar ile karlatrnz. Doru cevap saynz belirleyerek kendinizi deerlendiriniz. Yanl cevap verdiiniz ya da cevap verirken tereddt yaadnz sorularla ilgili konular faaliyete dnerek tekrar inceleyiniz ve retmeninize dannz. .

59

DEERLENDRME LE KONTROL LSTES

Dersin Ad Modln Ad Uygulama Faaliyeti Uygulama Tarihi Elektrik Devre Analizi Yar letkenler Transistrlerin incelenmesi RENCNN Ad Soyad: Snf : Nu :

AIKLAMA: Transistrlerin incelenmesi faaliyeti kapsamnda yaptnz uygulama almalarnda hangi davranlar kazandnz, aada listelenen kontrol kriterlerine gre belirleyiniz. Uyguladnz ve kazandnz davran iin EVET, uygulayamadnz, kazanamadnz davran iin HAYIR seeneini iaretleyiniz. GZLENECEK DAVRANILAR Evet Hayr 1-Faaliyet n Hazrl a.alma ortamnz faaliyete hazr duruma getirdiniz mi? b.Kullanacanz ara-gereci uygun olarak setiniz mi? c.Kullanacanz malzemelerin salamln kontrol ettiniz mi? 2- Gvenlii a.Kullanacanz malzemelerin gvenirliini kontrol ettiniz mi? b.Kaynak balantsn yapmadan retmeninize haber verdiniz mi? c.Kaynak balantsn yaparken, kesik olmasn saladnz m? 3.Sonularn Alnmas a. 4 blge erileri doru kt m? b. Transistr ularn l aleti ile saptadnz m? c.Transistr ularn katalogdan buldunuz mu? d.Ykselte devrelerin alma farklarn grdnz m? 4.Devrenin altrlmas Sonras Yaplan lemler a.ncelikle kaynak gerilimini kestiniz mi? b.Kullandnz malzemeleri tam ve salam olarak teslim ettiniz mi? c.alma ortamnz temizleyip, dzenlediniz mi? d.Faaliyetten aldnz sonular, arkadalarnzla tarttnz m? TOPLAM

DEERLENDRME
Uygulama faaliyeti ile kazandnz davranlarda iaretlediiniz EVET ler kazandnz becerileri, HAYIR lar kazanamadnz becerileri ortaya koyuyor. HAYIR larnz iin ilgili faaliyetleri tekrarlaynz.

60

MODL DEERLENDRME MODL DEERLENDRME

PERFORMANS TEST (YETERLK LME)
Modl ile kazandnz yeterlii aadaki kriterlere gre deerlendiriniz.

DEERLENDRME KRTERLER
Diyotlarn temel yaps: A)Atomun temel yapsn rendiniz mi? B)Enerji bant seviyeleri ve kovalent ba kavradnz m? C)Doru ve ters polarmay kavradnz m? Diyot eitleri: A)eitlerini, zelliklerini, grevlerini rendiniz mi? B)Karakteristik erilerini uygun l aletleri ile karabildiniz mi? C) Diyodun salamlk kontrolunu yapabiliyor musunuz? Transistrn temel yaps A)PNP tipi ve NPN tipi transistrn yapsn rendiniz mi? B)Doru ve ters polarmay kavradnz m? transistor lerin: A)Akm ve gerilim ynlerini tespit edebiliyor musunuz? B)Uygun l aletleri ile u tespiti ve tip belirlemesi yapabiliyor musunuz? Transistrlerin temel ykselte devrelerini kavradnz m? Transistr 4 blge karma: A)Uygun devre elemanlar setiniz mi? B)Uygun l aletleri setiniz mi? C) Karakteristik erileri aldn deerlere gre kardnz m? A)Transistr zerinde yazlan bilgilerle transistr hakknda yeterince bilgi verebilecek dzeyde misiniz? B)Transistr katalounu yeterince kullanabiliyormusun? Transistrn salamln uygun l aleti ile yapabiliyor musunuz?

Evet

Hayr

DEERLENDRME
Yaptnz deerlendirme sonucunda eksikleriniz varsa renme faaliyetlerini tekrarlaynz. Modl tamamladnz, tebrik ederiz. retmeniniz size eitli lme aralar uygulayacaktr. retmeninizle iletiime geiniz.

61

CEVAP ANAHTARLARI CEVAP ANAHTARLARI

RENME FAALYET 1 CEVAP ANAHTARI
12345678910111213C C D C A D D Y Y D Y D Y

RENME FAALYET 2CEVAP ANAHTARI

12345678910B D D A C C Y D D D

62

KAYNAKA KAYNAKA
PEYNRC H. Refik, Hikmet ZATA, Temel Elektronik, stanbul, 2002. ALACACI Mahmut, Temel Elektronik, Ankara, 2004 ZDEMR Ali, Temel Elektronik ZKAN Turhan, Temel Elektronik, stanbul, 1997 NACAR Mahmut, Temel Elektronik, Kahramanmara TRKMEN Yavuz, Ceyhan GETAN, Kumanda Devreleri (2), zmir, 1997 GRKEM Abdullah, Atlye 2, Ankara, 1999 BOYLESTAD Robert, Louis Nashelsky, Elektronik Elemanlar ve Devre Teorisi NAL Ylmaz Metin, Ders Notlar, Kayseri, 2005

63