Marco terico

DIODO DE USO COMUN El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales tipo N y tipo P, los cuales deben estar construidos a partir del mismo material base, el cual puede ser Ge o Si. En el momento en que dos materiales son unidos (uno tipo N y el otro tipo P), los electrones y los huecos que estn en, o cerca de, la regin de "unin", se combinan y esto da como resultado una carencia de portadores (tanto como mayoritarios como minoritarios) en la regin cercana a la unin. Esta regin de iones negativos y positivos descubiertos recibe el nombre de Regin de Agotamiento por la ausencia de portadores.

Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a travs de las terminales del diodo:
y

No hay polarizacin (Vd = 0 V). Polarizacin directa (Vd > 0 V). Polarizacin inversa (Vd < 0 V).

Vd = 0 V. En condiciones sin polarizacin, los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo N que se encuentran dentro de la regin de agotamiento pasarn directamente

al material tipo P y viceversa. En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado, el flujo neto de carga (corriente) en cualquier direccin es cero para un diodo semiconductor.

La aplicacin de un voltaje positivo "presionar" a los electrones en el material tipo N y a los huecos en el material tipo P para recombinar con los iones de la frontera y reducir la anchura de la regin de agotamiento hasta desaparecerla cuando VD 0.7 V para diodos de Silicio. Id = I mayoritarios - Is Condicin de Polarizacin Inversa (Vd < 0 V). Bajo esta condicin el nmero de iones positivos descubiertos en la regin de agotamiento del material tipo N aumentar debido al mayor nmero de electrones libres arrastrados hacia el potencial positivo del voltaje aplicado. El nmero de iones negativos descubiertos en el material tipo P tambin aumentar debido a los electrones inyectados por la terminal negativa, las cuales ocuparn los huecos.

El fenmeno explicado anteriormente, en ambos tipos de material N y P, provocar que la regin de agotamiento se ensanche o crezca hasta establecer una barrera tan grande que los portadores mayoritarios no podrn superar, esto significa que la corriente Id del diodo ser cero. Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios que estarn entrando a la regin de agotamiento no cambiar, creando por lo tanto la corriente Is. La corriente que existe bajo condiciones de polarizacin inversa se denomina corriente de saturacin inversa, Is. El trmino "saturacin" proviene del hecho que alcanza su mximo nivel (se satura) en forma rpida y no cambia significativamente con el incremento en el potencial de polarizacin inversa, hasta que al valor Vz o VPI, voltaje pico inverso.

El mximo potencial de polarizacin inversa que puede aplicarse antes de entrar en la regin Zener se denomina Voltaje Pico Inverso o VPI nominal. Los diodos de silicio tienen generalmente valores nominales de VPI y de corriente ms altos e intervalos de temperatura ms amplios que los diodos de germanio.

El general, el funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es la siguiente: En la zona directa se puede considerar como un generador de tensin continua, tensin de codo (0.50.7 V para el silicio y 0.2-0.4 V para el germanio). Cuando se polariza en inversa se puede considerar como un circuito abierto. Cuando se alcanza la tensin inversa de disyuncin (zona Inversa) se produce un aumento drstico de la corriente que puede llegar a destruir al dispositivo. Este diodo tiene un amplio margen de aplicaciones: circuitos rectificadores, limitadores, fijadores de nivel, proteccin contra cortocircuitos, demoduladores, mezcladores, osciladores, bloqueo y bypass en instalaciones fotovolcaicas, etc. Cuando usamos un diodo en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes consideraciones (a partir de las hojas de caractersticas suministradas por el fabricante): y La tensin inversa mxima aplicable al componente, repetitiva o no (VRRR mx o VR mx, respectivamente) ha de ser mayor (del orden de tres veces) que la mxima que este va a soportar. y La corriente mxima en sentido directo que puede atravesar al componente, repetitiva o no (IFRM mx e IF mx respectivamente), he de ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar. y La potencia mxima que puede soportar el diodo (potencia nominal) ha de ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar. En la figura N01, podemos observar la representacin grfica o smbolo para este tipo de diodo.

Figura N01

Curva Diodo Real Uno de los parmetros importantes para el diodo es la resistencia en el punto o regin de operacin. Si consideramos la regin definida por la direccin de Id y la polaridad de Vd, encontraremos que el valor de la resistencia directa RF, de acuerdo a como se define con la ley de Ohm es:

Donde VF es el voltaje de polarizacin directo a travs del diodo e IF es la corriente en sentido directo a travs del diodo. El diodo, por consiguiente, es un corto circuito para la regin de conduccin. Si consideramos la regin del potencial aplicado negativamente,

Donde VR es el voltaje de polarizacin inverso a travs del diodo e IR es la corriente inversa en el diodo. El diodo, en consecuencia, es un circuito abierto en la regin en la que no hay conduccin. En Corriente Alterna (CA), la corriente fluye en ambos sentidos, va y viene, un semiciclo polariza al diodo en directa y al siguiente en inversa. La corriente alterna en s no tiene polaridad como en una batera, pero para hacerlo ms fcil de comprender, llamaremos positivo (+) al semiciclo que polariza en directa al diodo,

y negativo (-) al que lo polariza en inversa.. Durante los semiciclos (+), la fuente de CA, polariza directamente al diodo, quedando el (+) de la fuente con el (+) del diodo y el (-) con (-). Durante todo este semiciclo, el diodo conduce comportndose como un interruptor cerrado. Al pasar al semiciclo (-), el diodo queda polarizado inversamente, por lo tanto no conduce y se comporta como un interruptor abierto. Condensador Como se ha dicho el condensador es un elemento que almacena energa. Este elemento se opone a las variaciones bruscas de la tensin que se le aplica. Se representa con la letra C y su unidad es el Faradio (F). Una capacidad (o condensador) pura adelanta la intensidad 90 con respecto a la tensin aplicada entre sus bornes. Cuando la tensin aplicada entre los bornes del condensador aumenta en el condensador se crea una diferencia de potencial de signo contrario a la aplicada entre los bornes oponindose as a la variacin brusca de la tensin. Carga de un condensador a travs de una resistencia El circuito y las ecuaciones resultantes de l son estas:

La constante de tiempo t es el tiempo necesario para que el condensador se cargue aproximadamente al 63 % de la tensin de la fuente. A efectos prcticos, el condensador se supone cargado al cabo de 5t. Las grficas son las siguientes:

Descarga de un condensador a travs de una resistencia El circuito con sus ecuaciones:

Y las grficas:

Nuestro objetivo es convertir la onda que tenemos ahora en una onda continua. Para esa conversin pondremos un condensador en los rectificadores analizados anteriormente

Diseo
Rectificador de media onda con filtro por condensador

Clculos RL= 370  

Formulas

Sustituyendo los valores obtenemos:  )   

Clculos RL= 570  

Formulas

Sustituyendo los valores obtenemos: )   

Clculos RL= 220  

Formulas

Sustituyendo los valores obtenemos: )   

Rectificador de onda completa con filtro

Clculos RL= 370  

Formulas

Sustituyendo los valores obtenemos: )  

Clculos RL= 570  

Formulas

Sustituyendo los valores obtenemos: )  

Clculos RL= 220  

Formulas

Sustituyendo los valores obtenemos: )  

Simulaciones Rectificador de media onda con filtro por condensador

RL=370

Calculado    

Medido    

RL=570

Calculado   

Medido    

RL=220

Calculado   

Medido    

Rectificador de onda completa con filtro

RL=370

Calculado  

Medido    

RL=570

Calculado  

Medido    

RL=220

Calculado  

Medido    

Conclusiones y Qu nos conviene ? C grandes o C pequeas ? Si la C (capacidad) es grande el condensador se descarga ms lentamente y tenemos menos tiempo para cargar el condensador, por lo tanto la intensidad de pico del condensador es muy grande. y Tambin podemos fiardos por la resistencia no solo por el tiempo de carga del capacitor, sino en el tiempo de descarga; a mayor resistencia, mayor el tiempo de descarga. Al usar el circuito de onda completa dividimos la corriente entre los dos diodos, es eficiente al tener un rectificador de media onda con arreglo de mayor tiempo de descarga. Bibliografa y software Livewire, multisim Boylestad teora de circuitos y dispositivos electronicos. http://www.fceia.unr.edu.ar/enica3/rectif.pdf