Elektronika 1 l k ik

dr.sc.Vera Gradinik, izv.prof.

Struja u poluvodiima j p
Gibanje estica
princip o ouvanju energije termika energija materijala pretvara se u kinetiku energiju elektrona i upljina. srednja kinetika energija je j gj j
1 2 2 m * v th = 3 kT 2

u termikoj ravnotei nema elektrine struje gibanje nabijenih estica je neureeno zbog meudjelovanja s atomima i ionima kristalne reetke poluvodikog materijala t i i i kit l tk l dik t ij l nabijene estice se sudaraju s atomima ili ih ioni otklanjaju oba tipa dogaaja zovu se sudari (engl. collisions) i u oba (engl sluaja je smjer gibanja elekrona ili upljina promijenjen
dr.sc.Vera Gradinik, izv.prof.

Gibanje elektrona i upljina u energijskim pojasevima u termikoj ravnotei

elektroni energija elektrona l k mn*v2th/2 vodljivi pojas j

Eg

energija * 2 h upljina mp v th/2 lji upljine

valentni pojas

dr.sc.Vera Gradinik, izv.prof.

Sudari izmeu elekrona i iona i atoma kristalne reetke za sluaj termike ravnotee.

ionizirani donor
+

ionizirani akceptor
0

neutralni

elektron
+ 0 0

neutralni

dr.sc.Vera Gradinik, izv.prof.

 u idelno periodikoj reetki e- se giba neometano kroz kristal p j g kad atom apsorbira ET i vibrira oko svojeg mjesta u reetki, naruena je perfektna udaljenost izmeu atoma u kristalnoj reetki. ki fonon je kvant vibracije kristalne reetke nastale zbog termike energije reetke fonon ima karakteristinu f (ili E) i k (p ili ) sudar i d izmeu elektrona i atoma kristalne reetke moemo opisati l kt t kit l tk i ti kao meudjelovanje izmeu elektrona i vala fonona ako se narui termika ravnotea moe doi do ukupnog gibanja naboja u jednom smjeru elekrina struja p j g j j j , elektrino polje i gradijent koncenracije nositelja dn/dx, dp/dx uzrok su driftne i difuzijske struje - komponente struje u poluvodiima specijalni tipovi dioda - struja tuneliranja i struja termoionske ij l i i i di d j li j j i k emisije (Zener diode i Schottky diode).

dr.sc.Vera Gradinik, izv.p a prof.

(Drift struja) poljska struja

ionizirani donor
+

ionizirani akceptor k t
0

neutralni

elektron
+ 0 0

neutralni

r
dr.sc.Vera Gradinik, izv.prof.

 u vremenu izmeu 2 sudara tsud (tcol) elektron u elektrikom polju dobiva moment zbog djelovanja impulsa sile elektron se ubrzava sve dok ne doivi novi sudar vrijeme izmeu dva sudara
nije jednako za sve elektrone nije uvijek jednako za pojedini elektron

driftne ili poljske brzine vd izmeu sudara variraju vd - srednja driftna brzina za sve elekrone tsud - srednje vrijeme svih vremena izmeu sudara elektron u sudarima s reetkom preda sve momente l k d i k d reetki
dr.sc.Vera Gradinik, izv.prof.

 kod malih jakosti elektrinog polja

v *v qt sud = mn vd

gdje vd drift brzina e- zbog elektrinog polja

qt sud r v vdn = * mn r r vdn = n

pokretljivost [cm2/Vs]

t qt sud r v vdp = * mp r r vdp = p

vd =

opisujemo eksperimentalnim formulama pada s poveanjem koncentracije primjesa i s temperaturom d j k ij i j

kod poveane T sudari s ioniziranim primjesama imaju manji utjecaj na pokretljivost nego li sudari s neutralnim atomima j j p j g kristalne reetke
dr.sc.Vera Gradinik, izv.prof.

 kod slabih , zbog djelovanja akustinih fonona i ioniziranih primjesa dolazi do rasipanja nositelja naboja to utjee na l - zbog meudjelovanja s akustikim fononima reetke
l
1
* mc 5 / 2T 3 / 2

I - zbog ioniziranih primjesa I

I
T 3/ 2 N I m*1 / 2

dr.s sc.Vera Gradini izv.prof. ik,

imaju manji otklon s Coulombovim rasipanjem koja ukljuuje oba mehanizma (Matthiessen izraz)

I s m* ali s T jer nositelji s veom termikom brzinom

 ovisi o rasipanju moe se izraziti sa srednjim slobodnim vremenom m, ili srednjim slobodnim putem m
=
q m m* = qm 3kTm*

gdje je i termika brzina

m = vth m
vth = 3kT m*
dr.s sc.Vera Gradini izv.prof. ik,

za viestruki mehanizam rasipanja efektivno srednje slobodno vrijeme je l b d ij j

1

m1 m 2

+ ..

srednja i jaka elektrina polja nastupaju nelinearnosti u i zasienja vd kod jaih dolazi do sudarne ionizacije (engl. impact ionization) l i t i i ti u termikoj ravnotei nositelji naboja emitiraju i apsorbiraju fonone i ukupna izmjena energije je nula p j gj j u prisutnosti nositelji dobivaju energiju od i predaju je putem fonona time to daju vie fonona nego li ih apsorbiraju kod poveanih najee je i rasipanje ukljueno u emisiju akustikih fonona.
En , p
srednje

En , p

=0

kako srednja E nositelja isto i oni dobivaju efektivnu temperaturu Te > od temperature reetke T kod srednjih , vd czvuka vd i dostie brzinu zasienja j j vs 107 m/s za Si i Ge

Zadatak Nacrtajte ovisnost pokretljivosti elektrona i upljina u Si u ovisnosti o koncentraciji primjesa i u ovisnosti o temperaturi T [K] koristei eksperimentalni izraz za pokretljivost elektrona, odnosno upljina, gdje je N ukupna koncentracija primjesa
T n = 88 300
0,57

7,4 10 8 T 2,33 T 0,88 1+ 2,4 300 T 1,26 1017 300 N

1,36 10 8 T 2,23 T 1+ 0,88 2,4 300 T 2,35 1017 300 N
0,146

0,146

T p = 54,3 300

0,57

Zadatak na T=300 K izrazi poprimaju oblik

n = 88 +

1252
18 N 1 + 6.984 10

p = 54,3 +

407
18 N 1 + 3,745 10

Nacrtajte ovisnost pokretljivosti elektrona i upljina u Si u ovisnosti o koncentraciji primjesa na sobnoj temperaturi koristei model za pokretljivost elektrona, odnosno upljina, gdje je N ukupna koncentracija primjesa, a ostali parametri su dani u tablici. Rezultate usporedite s prijanjim primjerom.

= min +

max min
N 1+ N 0

min(cm2/Vs) max( 2/V ) (cm /Vs) N0 (cm-3)

As 52,2 1417 0,68

P 68,5 1414 0,711

B 44,9 470,5 470 5 0,719

9,681016 9,201016 2,231017

Rjeenje

= min +

max min
N 1+ N 0

1015 cm-3 1016 cm-3 1017 cm-3

3 1018 cm-3

As 1359 1177 727 284 108

P 1362 1184 721 277 115

B 462 429 317 153 71

1019 cm-3

 u Si za primjese: arsen, fosfor, bor arsen fosfor

1600 1400 pokretljivost [cm -2/Vs] t 1200 1000 As 800 600 400 200 0 1,00E+15 1,00E+16 1,00E+17 N [cm -3] 1,00E+18 1,00E+19 P B

elektroni

upljine

Zadatak Elektroni u nedopiranom siliciju na T=300K imaju pokretljivost od 1450 cm2/Vs Izraunajte srednje slobodno vrijeme izmeu sudara Izraunajte /Vs. sudara. udaljenost koju prijeu elektroni izmeu dva sudara (koju zovemo srednji slobodni put). Nema narinutog vanjskog elektrinog polja. Vrijeme izmeu dva sudara, srednje slobodno vrijeme m izraunat emo iz cm 2 q m 1450 9,1 10 31 kg g = * Vs m m = 1,6 10 19 As * m m = m = 8,25 10 13 s q m = 0,825 ps srednji slobodni put je
m = vth m =
3kT m
*

m =

3 1,38066 10- 23

J 300 K m K 8,25 10-13 s = 6,743 10 4 8,25 10-13 s s 9,1 10-31 kg

m = 5,5609 10 8 m = 55,609nm

Primjer
Izraunajte b i I jt brzinu slobodnih nositelja elektrona u istom Si u ovisnosti o l b d ih it lj l kt i t i ti jakosti elektrinog polja, ako je brzina zasienja u istom Si 107 m/s. Za proraun koristite model driftne brzine
vd = 1+

0 0
vs

gdje je 0 pokretljivost nositelja kod malih jakosti elektrinog polja, a vs brzina zasienja i za Si vs=107 m/s.
1,2E 07 1 2E+07 1,0E+07 dri brzina, v d [m ift m/s]

8,0E+06 8 0E+06 elektroni upljine

6,0E+06

4,0E+06 4 0E+06

2,0E+06

0,0E+00 0 0E+00 1,0E+03 1,0E+04 1,0E+05 1,0E+06 1,0E+07 1,0E+08 Elektrino polje, E [V/cm]

Poljska ili driftna struja

Na poluvodiki materijal prikljuen je izvor istosmjernog napona. r Elektrino polje x zbog narinutog napona izazove g gibanje elektrona u smjeru suprotnom od smjera j j p j elektrinog polja i upljina u smjeru elektrinog polja. Slobodni nositelji se gibaju driftnim ili poljskim brzinama.

dr.sc.Vera Gradinik, izv.prof.

vdp vdn I x
x

Energija elektrona

vodlijvi p j pojas qV

E= V E -qV
qV
Energija upljina lji

EG
x x

valentni pojas

dr.sc.Vera Gradinik, izv.prof.

 Tok naboja kroz povrinu okomitu na x-smjer x smjer je struja r r r J x = qnvdn x + qpvdp x uvrstimo li izraz za driftnu brzinu r r r r i v nx = n x v px = p x slijedi

r r J x = q ( n n + p p ) x
dr.sc.Vera Gradinik, izv.prof.

iz Ohmovog zakona slijedi

Vodljivost r r J x = x
[(cm) 1 ]

= q ( n n + p p )
Neki specijalni suajevi su: intrinsini materijal n-tip n tip materijala p p p-tip materijala e j

i = qni ( n + p )
n = qN D n N+
p = qN A p
dr.sc.Vera Gradinik, izv.prof.

Difuzija
struja u bipolarnim diodama i tranzistorima nastaje zbog difuzije prekomjernih manjinskih nositelja naboja elektrone injiciramo iz n-tipa materijala u p-tip materijala gdje su manjinski nositelji i upljine iz p-tip u n-tip. u promatranom volumenu l U = 0 = 0 vdrift= 0 manjinski nositelji se gibaju difuzijom uzrok gibanja prekomjernih manjinskih slobodnih nositelja g j p j j j naboja dn / dx dp / dx tok elektrona (upljina)
dn n = Dn dx

p = D p

dp dx

dr.sc.Ver Gradinik, izv. ra .prof.

injekcija elektrona

p-tip

dn <0 dx

x
dr.sc.Vera Gradinik, izv.prof.

 difuzijska gustoa struje elektrona

dn J n = qn = ( q ) Dn dx dn Jn = q n qD dx d

injicirani nositelji u n-tip - suvine upljine difuzijska gustoa struje upljina

dp J p = q p = qD p dx
dr.sc.Vera Gradinik, izv.p a prof.

dp J p = qD p dx

Einsteinova relacija

Dn D p kT = = = UT n p q

 difuzija nastaje zbog sluajne termike smetnje i rasipanja nositelja. zbog toga vrijedi b ij di

D = vth m

povezanost izmeu difuzijske konstante i pokretljivosti smatrajmo uzorak poluvodia n-tipa s nejednolikom koncentracijom primjesa i bez narinutog elektrinog polja k t ij i j b i t l kt i lj
J = 0 J drift + J dif = 0
dn d q n n = qDn dx q / n n = D n n // / kT
E EF C kT n = NC e

EC = qVC

dEC dV = q C = q dx dx

E EF C N dEC q dn kT = C e = n

dx

kT

dx

kT

Einsteinova relacija
Dn

Dp

kT = UT q

dr.sc.Vera Gradinik, izv.prof.

Primjer
Koncentracija upljina u ploici n-tipa Si ija koncentracija primjesa iznosi 2x1017 cm-3 linearno pada od 1013 cm-3 na 1011 cm-3 na udaljenosti od x1 = 0 m na x2= 0,5 m. Izraunajte gustou difuzijske struje upljina. Difuzijsku konstantu izraunamo pomou Einsteinove relacije, gdje relacije pokretljivost izraunamo prema modelu s vrijednostima parametara za upljine u p-tipu Si dopiranog s borom. Gustoa dif ij k struje lji je G difuzijske j upljina j
J p = qD p dp kT dp dp = q p = qU T p dx q dx dx
19

J p = 1,6 10 J p = 0,26

cm 2 1011 cm 3 1013 cm 3 As 0,0259V 317 Vs 0,5 10 4 cm

A cm 2

TRANSPORTNE JEDNADBE U poluvodikim sklopovima esto poljska i difuzijska komponenta struje teku istovremeno

dp J p = q p p qD p dx
UB p n UA
dr.sc.Vera Gradinik, izv.prof.

transportne jednadbe
U opem trodimenzionalnom obliku transportna jednadba za upljine lji v v J p = q p p qD pp q za elektrone
v v J n = q n n + qDnn

ukupna gustoa struje

J tot = J p + J n
dr.sc.Vera Gradinik, izv.prof.

Jp (dif ij ) (difuzija)
upljine
qdp / dx < 0
qdn / dx > 0
x

J p = qD p

dp dx

elektroni

Jn (difuzija) n

J n = qDn

dn dx

dr.sc.Vera Gradinik, izv.prof.

Jp (drift) upljine

r r J p = qp p

elektroni Jn (drift)

r r J n = qn n

dr.sc.Vera Gradinik, izv.prof.

Osnovne jednadbe za rad poluvodikog elementa opisuju statiko i dinamiko ponaanje nositelja naboja u poluvodiu kod prisutnih vanjskih utjecaja, poput narinutog polja ili optikih pobuda, to izaziva odstupanje od termodinamike ravnotee 3 grupe:
elektrostatike jednadbe jednadbe gustoe struje j g j kontinuitetne jednadbe

ELEKTROSTATSKA JEDNADBA - stacionarno stanje -

struja moe imati poljsku komponentu zbog polja koje ovisi o gustoi naboja - P i lj k j ii t i b j Poissonova jednadba
2 x 2 = q + = = ( N D N A + p n) x s s

gdje je elektrostatski potencijal, prostorna gustoa naboja, s permitivnost poluvodia.

dr.sc.Vera Gradinik, izv.prof.

JEDNADBE GUSTOE STRUJE - stacionarno stanje i j

struja moe imati poljsku komponentu zbog polja i difuzijsku komponentu zbog gradijenta u koncentraciji nositelja naboja
J n = q n n + qDnn
J p = q p p qD p p J = J p + Jn

za 1D

dn J n = q n n + qDn dx dp J p = q p p qD p dx

dr.sc.Vera Gradinik, izv.prof.

JEDNADBA KONTINUITETA - vremenski ovisni dogaaji -

Kod projektiranja poluvodikih komponenata vano je znati ocijeniti struje koje e tei kroz komponentu u danim uvjetima rada. mora biti poznata koncentracija nositelja naboja uzdu strukture. Raspodjelu koncentracija slobodnih nositelja j j naboja moe se izraunati iz jednadbe kontinuiteta. prouimo upljine u malom volumenu unutar poluvodikog materijala
dr.sc.Vera Gradinik, izv.prof.

Promejne koncentracije upljina u volumenu Ax zbog promjene struje upljina koje utiu i istiu iz volumena, generacija uslijed volumena apsorpcije svjetlosti i rekombinacija. Fizikalna slika opisana je matematiki s j p j jednadbom kontinutiteta.

I A Jp(x) x

Gop R

Jp(x+x)

x+x

dr.sc.Vera Gradinik, izv.prof.

 Koncentracija upljina e se promijeniti u jedinici vremena ako postoji razlika u struji na suprotnim stranama promatranog volumena. Takva divergencija struje nastaje ako tee j g j p j j struja zbog difuzije i dp/dx se mijenja na udaljenosti x. Koncentracija upljina se moe mijenjati ukoliko u volumenu postoji razlika izmeu brzina generacija i rekombinacija.
dr.sc.Vera Gradinik, izv.prof.

brzina promjene broja upljina

promjena uslijed prostorne razlike struje

promjena uslijed razlike u brzini rekombinacija i generacija

Ip Ip p ( x, t )[volumen] = ( x) ( x + x) + (G R) p [volumen] t q q
dr.sc.Vera Gradinik, izv.prof.

Dijelimo li izraz s volumenom Ax dobijemo j j

p 1 A ( x, t ) = J p ( x) J p ( x + x) + (G R) upljine t q xA

limes kad xdx, izraz Jp(x+x) razvijemo u Taylorov red

J p ( x + dx ) = J p ( x) + J p x dx

iz ega slijedi jednodimenzionalna kontinuitetna jednadba za upljine

p 1 J p ( x) ( x, t ) = + Gp Rp t q x

za elektrone

n 1 J n ( x) + Gn Rn ( x, t ) = t q x
dr.sc.Vera Gradinik, izv.prof.

za 1D kod uvjeta niske injekcije kontinutitetna jednadba za manjinske nositelje naboja elektrone i upljine je
n p ( x, t ) = n p n + n + Gn t x x n p n p n p0

+ Dn

2n p x 2

pn pn 2 pn p n pn 0 ( x, t ) = pn p + p + Gp + Dp t x x p x 2

dr.sc.Vera Gradinik, izv.prof.

Pojednostavljena kontinuitetna jednadba

R = R + R0 Gth = G0 p R= p G = Gth + Gopt

dr.sc.Vera Gradinik, izv.prof.

temperaturne razlike i koncentracije primjesa se ne mijenjaju s vremenom

p p = t t n n = t t
p p 1 J p ( x) ( x, t ) = + Gopt t q x p

n n 1 J n ( x) ( x, t ) = + Gopt t q x n

dr.sc.Vera Gradinik, izv.prof.

Difuzijska jednadba i difuzijska duljina

u nekim podrujima poluvodia je =0 je zanemarivo malo, tako da je poljska komponenta struje puno manja od difuzijske komponente
J p = q p p qD p dp dp = qD p dx dx
dn dn = qDn dx dx

J n = q n n + qDn

dr.sc.Vera Gradinik, izv.prof.

 uvrstimo li te jednadbe u kontinuitetnu jednadbu za elektrone i upljine dobijemo difuzijske jednadbe

p 2 p = (G R) p + D p 2 t x

n 2n = (G R) n + Dn 2 t x

kad ne tee struja iz volumena vrijedi

dp p po = = (G R ) p dt p
nn dn o = (G R) = n dt n
dr.sc.Vera Gradinik, izv.prof.

 u istosmjernim uvjetima je j j j
p =0 t t

n =0 t t

difuzijske jednadbe poprime oblik

dr.sc.Vera Grad dinik, izv.prof.

d 2 p p po p p o = = 2 Dp p dx L2 p

d 2 n n no n no = = 2 2 Dn n dx Ln

gdje je difuzijska duina za upljine i elekrone

Lp = Dp p
Ln = Dn n

mjera koliko daleko manjinski nositelji difundiraju prije no to se rekombiniraju s veinskim nositeljima k bi i j i ki i lji

 rjeenje tih jednadbi je:

p ( x) = Ae
x Lp

+ Be

x Lp

n( x) = Ae

x Ln

+ Be

x Ln

dr.sc.Vera Gradinik, izv.prof.

Ponovimo U termikoj ravnotei elektroni i upljine gibaju se sluajno s termikom brzinom vth koja ovisi o temperaturi. U termikoj ranvotei ne tee mrena struja. Vodlji ost j osobina materijala koja povezuje Vodljivost je bi t ij l k j j gustou struje i elektrino polje u vektorskom obliku Ohmova zakona. Vodljivost ovisi o koncentraciji i j j pokretljivosti nositelja. U intrinsinim materijalima ovisi samo o termiki generiranim nositeljima i eksponencijalno ovisi o temperaturi. U ekstrinsinim temperaturi materijalima dominira ionizacija primjesa i vodljivost j je konstantna na srednjim temperaturama kod kojih su j p j sve primjese ionizirane, ali pada kod niskih temperatrua kad nisu sve primjese ionizirane.

Ponovimo Drift. Naruavanje termike ravnotee s narinutim va js vanjskim elektrinim po je zbog kojeg nositelji ee t poljem bog ojeg os te j naboja dobivaju driftnu komponentu brzine u smjeru polja. Ureeno gibanje elektrona stvara struju. Nositelji se gibaju pod utjecajem polja izmeu sudara tj. dogaaja rasipanja pod utjecajem ioniziranih primjesa i vibracija atoma reetke. Kod velikih jakosti i j ib ij t tk K d likih j k ti elektrikog polja brzina dolazi u zasienje. Kod niskih i srednjih jakosti polja driftna brzina je proporcionalna polju, a konstanta proporcionalnosti je pokretljivost. Pokretljivost ovisi o koncentraciji primjesa i temperaturi.

Ponovimo Difuzija je gibanje nositelja zbog gradijenta koncentracije nositelja naboja. Difuzijska konstanta je naboja omjer izmeu toka i gradijenta nositelja naboja. Einsteinova relacija povezuje pokretljivost i difuzijsku konstantu. Put koji prijeu manjinski nositelji naboja prilikom difuzije prije no to se rekombiniraju s veinskim nositlejima naboja zovemo difuzijska duljina manjinskih nositelja naboja. naboja Difuzijska duljina je povezana s ivotnim vremenom manjinskih nositelja preko difuzivnosti. difuzivnosti

Ponovimo Strujne jednadbe. Transportne jednadbe povezuju driftnu i difuzijsku komponentu struje elektrona i upljina. Ukupna struja je zbroj struje elektrona i upljina na jednoj povrini presjeka materijala materijala. Kontinuitetna jednadba. Povezuje brzinu promjene koncentracije nositelja s prostornim ra likama u razlikama struji, zbog prostorne razlike u koncentraciji nositelja, odnosno razlike u brzini rekmbinacija i generacija prekomjerih nositelja. Iz nje se izrauna prostorna koncenrtacija slobodnih nositelja naboja, a potom naboja gustoa naboja i struje.

POLUVODIKE JEDNADBE
Poissonova jednadba q 2 + = ( N D N A + p n) = = x 2 x s s jednadba kontinuiteta za elektrone
n 1 J n ( x) ( x, t ) = + G n Rn t q x

jednadba kontinuiteta za upljine

p 1 J p ( x) ( x, t ) = + Gp Rp t q x

gustoa struje za elektrone i upljine

dn J n = q n n + qDn dx

J p = q p p qD p

dp dx

Do tonog rjeenja kontinuitetnih jednadbi i Poissonove jednadbe dolazimo pomou numerikih metoda na raunalu. d l i ikih t d l Kod traenja analitikog rjeenja potrebno je uiniti neke pretpostavke kojima se pojednostavnjuje rjeenje.
dr.sc.Vera Gradinik, izv.prof.

Literatura
P.Biljanovi, Poluvodiki elektroniki elementi, kolska knjiga Zagreb, 2004. J. Furlan, Osnove nelineranih elementov, Fakulteta za elektrotehniko Univerza v Ljubljani, Ljubljana 1981. j j j j D. L. Pulfrey, N. G. Tarr, Introduction to microelectronic devices, Prentice Hall Int. Ed.1989. Prentice-Hall S. M.Sze,K.K. Ng, Physics of Semicondutor Devices, J.Wiley &Sons Inc 2007 J Wiley &Sons, Inc.2007.

dr.sc.Vera Gradinik, izv.prof.