Diode semiconductoare

Dioda semiconductoare

Dioda semiconductoare este un dispozitiv electronic constituit dintro jonctiune P-N prevazuta cu contacte metalice la regiunile P si N si introdu-sa intr-o capsula din sticla, metal, ceramica sau plastic. Regiunea P a jonctiunii constituie anodul diodei, iar jonctiunea N, catodul acesteia. Dioda semiconductoare se caracterizeaza prin conductivitate unidirectionala ca si dioda cu vid: - in cazul polarizarii in sens direct permite trecerea unui curent mare (curent direct). -in cazul polarizarii in sens invers permite trecerea unui curent mic (curent invers).

Clasificare

Dupa materialul din care se realizeaza: - dioda cu germaniu - dioda cu siliciu Dupa caracteristicile jonctiunii: -dioda redresoare -dioda stabilizatoare de tensiune (dioda Zener) -dioda de comutatie -dioda cu capacitate variabila (varactor sau varicap) -dioda tunel -dioda diac -dioda Gunn

Materiale componente i circuite pasive: Atomii de impuritate cu care se dopeaz materialele semiconductoare intrinseci sunt atomidin grupele V, respectiv III, din care cei mai frecvent utilizai sunt cei prezentai n figura alaturata.

n funcie de atomii de impuritate cu care sunt dopate materialele semiconductoareintrinseci, materialele semiconductoare extrinseci se mpart n 2 categorii: -materiale semiconductoare de tip N -materiale semiconductoare de tip P -Materiale semiconductoare de tip N Pentru obinerea acestui material electronic, semiconductorul intrinsec este dopat cu atomi de impuritate pentavaleni, (din grupa a Va a tabelului periodic al elementelor chimice), care, nstructura cristalin a materialului substituie atomii de siliciu sau germaniu.

Patru din cei cinci electroni de valen ai atomului de impuritate formeaz 4 legturi covalente cu electronii de valen ai atomilor de Siliciu sau Germaniu nvecinai, n timp ce al 5lea electron de valen al atomului de impuritate este slab legat, astfel c la temperatura camerei primete suficient energie pentru a se desprinde de atomul de impuritate, devenind astfel electron liber, sau electron de conducie, capabil s participe la fenomenele de conducie. Pe lng acest procedeu de obinere a electronilor de conducie, acetia mai pot fi generai i prin mecanismul de generare termic (prin creterea temperaturii), dar, nacest caz, generarea unui electron de conducie este nsoit de generarea unui gol.

Din cele prezentate mai sus, se constat c, n cazul materialului semiconductor de tip N, concentraia de electroni de conducie este mult mai mare dect cea de goluri. Din acest motiv,electronii de conducie se numesc purttori de sarcin majoritari, iar golurile se numesc purttori de sarcin minoritari. Deoarece atomul de impuritate cedeaz acest al 5lea electron de valen, el se numete atom donor . n urma cedrii celui de al 5lea electron, atomul donor devine ion pozitiv (sereamintete c un atom este neutru din punct de vedere electric; prin cedarea unui electron, atomul respectivdevine ion pozitiv, iar prin primirea unui electron, atomul respectiv devine ion negativ).

Semiconductorul extrinsec de tip P -pozitiv

Acesta se obtine prin doparea cristalului de germaniu (Ge) cu atomi Bohr (B, grupa III) Conductia este realizata in doua moduri: 1) electronii ajunsi in banda de conductie prin generare termica de perechi. 2)glurile: -suplimentare (provenite de la impuritate) -datorate generarii termice de perechi.

Materiale semiconductoare de tip P

Pentru obinerea acestui material electronic, semiconductorul intrinsec este impurificat cu atomi trivaleni, (din grupa a IIIa a tabelului periodic al elementelor chimice), cum ar fi borul, galiul, indiul, care, n structura cristalin a materialului substituie atomii de siliciu sau germaniu. Atomul de impuritate poate participa, prin cei 3 electroni de valen ai si, la formarea doar a trei legturi covalente cu electronii de valen ai atomilor de siliciu sau germaniu nvecinai, lsnd electronul de valen al celui de-al 4-lea atom de siliciu nvecinat fr legtur covalent, astfel crend un gol la nivelul atomului de impuritate respectiv.

Electronul de valen al celui de-al 4-lea atom de siliciu nvecinat, poate forma o legtur covalent cu un alt electron de valen al unui alt atom de siliciu nvecinat, care, prin completarea acestei legturi covalente, las la rndul su,un gol. Se constat c formarea unui gol nu este nsoit de generarea unui electron de conducie.Golurile obinute n acest mod sunt generate prin impurificarea materialului cu atomii de impuritate. Pe lng acest procedeu de obinere a golurilor, acestea mai pot fi generate i prin mecanismul de generare termic (prin creterea temperaturii), dar, n acest caz, generarea unui gol nu este nsoit de generarea unui electron de conducie.

Din cele prezentate mai sus, se constat c, n cazul materialului semiconductor de tip P,concentraia de goluri este mult mai mare decat cea a electronilor de conducie. Din acest motiv,golurile se numesc purttori de sarcin majoritari, iar electronii de conducie se numesc purttori de sarcin minoritari. Deoarece atomul de impuritate primete un electron de valen de la un atom de siliciu nvecinat, el se numete atom acceptor. n urma primirii acestui electron, atomul acceptor devine ion negativ.

Definiia i simbolul diodei

Dioda semiconductoare este un dispozitiv electronic cu functiuni de redresare a curentului alternativ. Dioda este realizat prin introducerea de impuriti de tip N i P n acelai cristal semiconductor. Dioda este un dispozitiv unidirecional (vezi jonciunea PN). Deplasarea electronilor se poate realiza doar ntr-o singur direcie, invers fa de direcia sgeii, atunci cnd dioda (jonciunea P-N) este polarizat direct. Catodul, din reprezentarea diodei, este repartizat semiconductorului de tip N, iar anodul corespunde materialului dopat de tip P.

Dioda cu jonciune

Dei la nceput, cea mai folosit diod a fost dioda cu contact punctiform, majoritatea diodelor folosite astzi sunt diode cu jonciune. Pornind de la catod, N+ indic faptul c aceast regiune este dopat puternic, i nu are legtur cu polaritatea. Acest lucru reduce rezistena serie a diodei. Regiunea N- din nou, nu are nicio legtur cu polaritatea, ci indic faptul c aceast regiune este mai puin dopat, ceea ce duce la o diod a crei tensiune de strpungere invers este mult mai mare, lucru important pentru diodele de putere folosite n redresare.

Bariera de potenial

Aceast separare de sarcini n jurul jonciunii P-N (zona de golire) constituie n fapt o barier de potenial. Aceast barier de potenial trebuie s fie nvins de o surs de tensiune extern pentru a se putea comporta precum un material conductor. Formarea jonciunii i a barierei de potenial are loc n timpul procesului de fabricaie. nlimea barierei de potenial depinde de materialele folosite pentru fabricarea acestuia. Jonciunile PN din siliciu au o barier de potenial mai ridicat dect jonciunile fabricate din germaniu.

Formarea jonctiunii P-N:

Dac un bloc de material semiconductor de tip P este adus n contact cu un bloc de material semiconductor de tip N (figura alturat), rezultatul este nesatisfctor. Vom avea dou blocuri conductoare aflate n contact unul cu cellalt, dar fr proprieti unice. Problema const n existen a dou corpuri cristaline distincte i separate. Numrul de electroni este echilibrat de numrul de goluri n ambele blocuri. Astfel, niciunul dintre cele dou blocuri nu are o sarcin net.

Polarizarea direct a jonciunii P-N (dioda conduce)

In figura alturat , bateria este poziionat astfel nct electronii s se deplaseze dinspre terminalul negativ nspre materialul de tip N. Aceti electroni se adun n jurul jonciunii. Terminalul pozitiv nltur electronii din materialul semiconductor de tip P, ceea ce duce la crearea golurilor ce se ndreapt i ele spre jonciune.

Dac tensiunea bateriei este suficient de mare pentru a depi potenialul jonciunii (0,6 V n cazul siliciului), electronii materialului N i golurile materialului P se combin i se anihileaz reciproc. Dac dioda este polarizat direct, curentul crete foarte puin pe msur ce tensiunea crete de la 0 V. n cazul n care materialul semiconductor din care este confecionat dioda este siliciu, curentul ncepe s creasc doar dup ce tensiunea atinge valoarea de 0,6 V. Dac tensiunea crete peste valoarea de 0,6 V, valoarea curentului crete foarte rapid. O tensiune peste 0,7 V poate foarte uor s duc la distrugerea diodei.

Aceast tensiune de deschidere a diodei n jurul valorii de 0,6 V, poart numele de tensiune de polarizare direct a diodei. Sub aceast valoare, dioda este nchis, i nu exist curent pe la bornele acesteia. Dei pentru siliciu tensiunea de polarizare direct este de 0,6-0,7 V, pentru germaniu aceasta este de 0,3 V, iar pentru LED-uri de civa voli. Curentul ce strbate dioda la polarizarea direct poart numele de curent direct, iar acesta poate lua valori cuprinse ntre civa mA, pn la sute sau mii de amperi pentru diodele de putere.

Acest lucru duce la crearea unui spaiu liber n structura materialului ce poate susine o deplasare i mai mare de purttori de sarcin spre jonciune. Astfel, curenii purttorilor de sarcin majoritari de tip N (electroni) i de tip P (goluri) se deplaseaz nspre jonciune. Recombinarea ce are loc la jonciune permite curentului bateriei s se deplaseze prin jonciunea PN a unei astfel de diode. n acest caz, spunem c o astfel de jonciune este polarizat direct.

Polarizarea invers a jonciunii P-N (dioda nu conduce)

Dac dioda este polarizat invers, curentul invers va avea o valoarea foarte mic, care n condiiile cele mai extreme poate ajunge la un maxim de 1 A. Valoarea acestui curent nu crete semnificativ odat cu creterea tensiunii de polarizare invers, dect la atingerea punctului de strpungere.

Cnd punctul de strpungere este atins, curentul prin diod crete la o valoare att de mare, nct poate duce la distrugerea diodei dac nu exist un rezistor serie pentru limitarea curentului prin diod. De obicei se alege o diod a crei tensiune de strpungere este mai mare dect valoarea tensiunilor aplicate la bornele sale. Diodele din siliciu au de obicei tensiuni de strpungere de la 50, 100, 200, 400, 800 V sau chiar mai mare. Dac polaritatea bateriei este inversat, majoritatea purttorilor de sarcin vor fi atrai dinspre jonciune spre terminalii bateriei.

Terminalul pozitiv al bateriei atrage purttorii de sarcin majoritari (electronii) ai materialului N, iar terminalul negativ al bateriei atrage purttorii de sarcin majoritari (golurile) ai materialului P. Acest fapt duce la creterea grosimii zonei de golire nonconductive. Nu are loc nicio recombinare a purttorilor de sarcin, prin urmare, nu are loc nicio conducie. n acest caz, spunem c jonciunea P-N este polarizat invers.

Regiunea materialului P din apropierea jonciunii capt o sarcin negativ datorit electronilor atrai, iar regiunea materialului N din apropierea jonciunii capt o sarcin pozitiv datorit electronilor cedai. Stratul subire al acestei structuri cristaline, dintre cele dou sarcini de semne contrare, va fi golit de majoritatea purttorilor de sarcin, prin urmare, acesta este cunoscut sub numele de zona de golire, i devine un material semiconductor pur, non-conductor. De fapt, aproape c avem un material izolator ce separ cele dou regiuni conductive P i N.

Utilizarea unui singur cristal semiconductor

Totui, dac un singur cristal semiconductor este confecionat (dopat) cu un material de tip P la un capt, i un material de tip N la cellalt capt, combinaia respectiv prezint unele proprieti unice.

n materialul de tip P, majoritatea purttorilor de sarcin sunt goluri, acetia putndu-se deplasa liberi prin structura cristalului. n materialul de tip N majoritatea purttorilor de sarcin sunt electroni, i acetia putndu-se deplasa liberi prin structura cristalului. n jurul jonciunii ns (intersecia dintre cele dou tipuri de materiale), electronii materialului N trec peste jonciune i se combin cu golurile din materialul P.

1) nepolarizata 2)polarizata direct 3)polarizata invers Datorita comportamentului sau diferit in polarizarea directa si inversa, dioda semiconductoare se poate folosi pentru redresarea curentului alternativ.

Tranzistoare

In situatia in care se folosesc 3 zone semiconductoare de tipuri diferite PNP sau NPN, dispozitivul se numeste tranzistor. Tranzistoarele au fost descoperite in 1948, iar in 1960 miniaturizarea lor a permis construirea primului aparat radio portabil. Din punct de vedere constructiv, zona din mijloc a unui tranzistor este cea mai ingusta si se numeste baza. Zonele exterioare se numesc emitor si colector. Principiul de functionare: un curent mic ce intra prin baza si iese prin emitor, controleaza un curent mult mai mare ce trece de la emitor catre colector.

Curentul de dispersie

Exist un curent de dispersie de sub un A, pentru diodele de siliciu, la polarizarea invers. Explicaia const n faptul c energia termic produce cteva perechi de electroni-guri, ce duc la apariia unui curent de dispersie pn la recombinare. Practic, acest curent previzibil este doar o parte a curentului de dispersie total. O mare parte a acestui curent se datoreaz conduciei de suprafa datorit impuritilor de la suprafaa conductorului. Ambele tipuri de cureni de dispersie cresc odat cu creterea temperaturii. n cazul germaniului, curentul de dispersie este de cteva ori mai mare dect n cazul siliciului.

Generalitati

Cele mai des folosite diode semiconductoare sunt diodele redresoare . Ele funcioneaz datorita proprietii de a se comporta diferit la tensiuni de polarizare directe i tensiuni de polarizare inverse. Astfel la tensiuni de polarizare directa, rezistena direct este foarte mic iar la polarizarea invers, rezistena invers este foarte mare. Datorit acestei proprieti ca la aplicarea unei tensiuni alternative ele funcioneaz pe alternana pozitiv conducnd un curent mare (de ordinul mA sau A).

Pe alternana negativ se vor bloca lsnd s treac cureni foarte mici de ordinul mA sau A care pot fi neglijai. Acest proces de transformare a unui semnal alternativ ntr-un semnal continuu poarta numele de redresare. Aceste diode sunt folosite la construcia redresoarelor care lucreaz cu semnale mari i frecvene mici (50Hz ) Se pot realiza att din germaniu ct i din siliciu. Cele cu siliciu au avantaje dar si dezavantaje fa de cele cu germaniu.

Avantaje: - curentul invers este mult mai mic. - tensiunea de strpungere este mult mai mare. - temperatura maxim de lucru de 190 grade fa de 90 grade la germaniu. Dezavantaje: - se consider tensiunea de deschidere puin mai mare. - performanele unei diode redresoare sunt caracteristice prin 2 mrimi limit care nu trebuie depite n timpul funcionrii : 1) Intensitatea maxim a curentului direct. 2) Tensiunea invers maxim.

Principalele caracteristici ale diodelor

VRRM - tensiunea invers repetitiv maxim, este tensiunea maxim invers la care poate rezista dioda, atunci cnd aceast tensiune este atins n mod repetat. Ideal, aceast valoare ar fi infinit. VR sau VDC - tensiunea maxim invers de curent continuu, este valoarea maxim a tensiunii la care dioda poate funciona nentrerupt, fr distrugerea acesteia. Ideal, aceast valoare ar fi infinit. VF - tensiunea (de polarizare) direct maxim, de obicei este specificat mpreun cu valoarea curentului direct. Ideal, aceast valoare ar fi zero: ideal, dioda nu ar prezenta niciun fel de opoziie n faa deplasrii electronilor. n realitate, tensiunea direct este descris de ecuaia diodei.

IF(AV) - valoarea maxim (medie) a curentului direct, valoarea maxim medie a curentului pe care bobina o poate suporta la polarizarea direct. Aceast limitare este practic una termic: ct cldur poate suporta jonciunea P-N, avnd n vedere c puterea disipat reprezint produsul dintre curent i tensiune, iar tensiunea de polarizare direct depinde att de curent ct i de temperatura jonciunii. Ideal, aceast valoare ar fi infinit. IFSM sau if(vrf) - curentul de polarizare direct maxim, reprezint curentul de vrf maxim pe care dioda l poate conduce la polarizare direct, fr ca acest curent s duc la distrugerea diodei. Din nou, aceast valoare este limitat de capacitatea termic a jonciunii diodei, i este de obicei mult mai mare dect valoarea curentului mediu datorit ineriei termice. Ideal, aceast valoare ar fi infinit.

PD - puterea maxim disipat total, reprezint valoarea puterii (n Watt) pe care dioda o poate disipa fr ca aceast putere s duc la distrugerea diodei. Aceast valoare este limitat de capacitatea termic a diodei. Ideal, aceast valoare ar fi infinit. TJ - temperatura de funcionare a jonciunii, reprezint temperatura maxim admis a jonciunii P-N a diodei, valoare dat de obicei n grade Celsius. Cldura reprezint punctul critic al dispozitivelor semiconductoare: acestea trebuie meninute la o temperatur ct mai apropiat de temperatura camerei pentru funcionarea lor corect i o durat de funcionare ct mai lung.

R() - rezistena termic, reprezint diferena dintre temperatura jonciunii i temperatura aerului exterior diodei (R()JA), sau dintre jonciune i contacte (R()JL), pentru o anumit putere disipat. Valoarea este exprimat n oC/W. Ideal, aceast valoare ar fi zero, ceea ce ar nseamna c nveliul (carcasa) diodei ar fi un conductor i radiator termic perfect, fiind capabil s transfere energie sub form de cldur dinspre jonciune spre mediul exterior (sau spre contacte) fr nicio diferen de temperatur existent n grosimea carcasei. O rezisten termic ridicat se traduce prin faptul c dioda va stoca o temperatur excesiv n jurul jonciunii (punctul critic), n ciuda eforturilor susinute de rcire a mediului exterior diodei; acest lucru duce la limitarea puterii maxime disipate.

IR - curentul maxim de polarizare invers, reprezint valoarea curentului prin diod la polarizarea invers i aplicarea tensiunii de polarizare invers maxim de curent continuu(VDC). Mai este cunoscut i sub numele de curent de scpri. Ideal, aceast valoare ar fi zero, deoarece o diod perfect ar bloca toi curenii atunci cnd este polarizat invers. n realitate, aceast valoarea este mic n comparaie cu valoarea curentului maxim de polarizare direct. CJ - capacitatea tipic a jonciunii, reprezint capacitatea intrinsec jonciunii, datorit comportrii zonei de golire precum un dielectric ntre anod i catod. Aceast valoare este de obicei foarte mic, de ordinul picofarazilor (pF).

TSTG - temperatura de depozitare, reprezint valoarea temperaturii de stocare a diodelor (nepolarizate). TRR - timpul de revenire invers, reprezint durata de timp necesar stingerii diodei atunci cnd tensiunea la bornele sale alterneaz ntre polarizare direct i polarizare invers. Ideal, aceast valoare ar fi zero: dioda se stinge imediat dup inversarea polaritii. Pentru o diod redresoare tipic, timpul de revenire este de ordinul zecilor de microsecunde (ms); pentru o diod de comutaie rapid, acest timp poate ajunge la doar cteva nanosecunde (ns).

Dioda Zener

Este o diod stabilizatoare de tensiune. Funcionarea ei se bazeaz pe proprietatea jonciunii p-n de a avea in regiunea de strpungere o tensiune la borne constant ntr-o gam larg de variaie a curentului invers. Dioda funcioneaz intr-un regim de strpungere controlat n care att curentul ct i puterea disipat sunt meninute la valori pe care dioda le poate suporta n regim permanent fr s se distrug. Dioda zener este construit din siliciu . - cnd este polarizat direct (+ pe anod i pe catod) funcioneaz ca o diod cu jonciune. - cnd este polarizat invers (- pe anod i + pe catod) funcioneaz n regim de strpungere.

Funcionarea diodei Zener este caracteristic urmtoarelor mrimi: 1) Tensiunea de stabilizare ( este tensiunea la care apare regimul de strpungere; poate avea valori ntre 4200 V) 2) Rezistena dinamic (este rezistena intern a diodei n regiunea de strpungere) Rd = U/I - cu ct rezistena dinamic este mai mic cu att tensiunea diodei este mai mic. 3) Curentul invers maxim (este valoare maxim a curentului pe care o poate suporta dioda fr s se deterioreze)

4) Putere maxim disipat (este produsul dintre tensiunea de strpungere i curentul invers maxim; are valori cuprinse ntre 0,2-50 W) 5) Coeficientul de temperatur a tensiunii de stabilizare care reprezint variaia tensiunii de stabilizare pentru o variaie a temperaturii de 1grad C. Sz = U/T Uz - acest coeficient este negativ pentru tensiunea la bornele diodei adic Uz mai mic de 6V i pozitiv pentru tensiuni mai mari de 6V.

Dioda cu contact punctiform

Este folosit pentru frecvene nalte. Este alctuit din: - o capsul de sticl strbtut de 2 electrozi metalici. La captul unui electrod se gsete un monocristal de germaniu (semiconductor de tip n). Cellalt electrod se continu cu un conductor de wolfram care vine n contact cu monocristalul. Dac se trece un impuls de curent scurt dar puternic la contactul dintre conductori i monocristal n interiorul acestuia din urm se formeaz o regiune de tip p . Apare astfel o jonciune de tip p-n de suprafa foarte mic, cu o capacitate foarte mic ( 1pF ) Datorit acestei jonciuni dioda funcioneaz la frecvene foarte nalte. Acest tip de diod poate fi folosit ca detector, schimbtor de frecven sau ca diod de comutaie.

Dioda Varicap

Sunt diode cu jonciune care funcioneaz n regim de polarizare invers pn la valoarea de strpungere . Aceste diode utilizeaz proprietatea jonciunii p-n de a se comporta ca o capacitate ce depinde de tensiunea continu de polarizare invers (acesta este capacitatea de barier). Aceast posibilitate de a varia o capacitate ntr-un circuit prin varierea unei surse de polarizare este necesar n circuitele de schimbare a frecvenei. Circuitele de reglaj automat al frecvenei precum i modulaia frecvenei. Diodele varicap au capaciti de ordinul pF sau zecilor de pF i se construiesc din siliciu pentru a avea o rezisten intern mai mare n polarizarea invers. n acest fel ele pot fi asimilate cu un condensator cu pierderi neglijabile.

Dioda tunel

Are o concentraie mare de impuriti ducnd la micorarea limi regiunii de trecere pn la (10la-2 microni). Datorit acestei limi mici o variere de potenial; apare un fenomen numit efectul tunel. Datorit acestui efect electronii pot nvinge bariera de potenial chiar dac lipsete energia suplimentar. Datorit acestui efect apare curentul tunel care se suprapune peste curentul normal al unei jonciuni p-n modificnd caracteristica curent-tensiune, caracteristic ce se deosebete de cea a unei diode semiconductoare prin: - n regiunea de polarizare invers dependena curenttensiune este liniar deci dioda nu prezint conducie unilateral.

- n regiunea polarizrii directe pentru valori mici ale tensiunii caracteristica are form de N. Aceast caracteristica arat ca pe o anumit poriune la creteri ale tensiunii corespund micri ale curentului. n acest domeniu dioda prezint o rezisten negativ care de obicei este de valoarea zecilor de ohmi. Pentru o bun funcionare este de dorit ca raportul dintre curentul maxim i curentul minim s fie ct mai mare. Dac se folosete material semiconductor, arseniura de galiu acest raport depete valoare 15.

Dioda tunel lucreaz la puteri mici de ordinul wailor. Caracteristica diodei nu depinde de variaiile de temperatur de aceea ea poate lucra la frecvene foarte nalte de ordinul 10 la a 4 MHz. Datorit caracteristicii n N i a funcionrii la frecvene aceast diod este folosit la realizarea urmtoarelor circuite: - Amplificatoare de frecvene foarte nalte - Oscilatoare de frecvene foarte nalte - Circuite basculante monostabile, bistabile i astabile Dezavantajul diodei tunel este c are numai dou borne i deci nu se poate face separarea ntre circuitul de intrare i cel de ieire.

Observatii!

Diodele de puteri mai mici, chiar i redresoarele de putere de tensiuni mai mici, vor avea pierderi de polarizare direct mult mai mici datorit dopajului mai puternic. Cel mai mare nivel de dopaj este folosit pentru diodele Zener, proiectate pentru tensiuni de strpungeri mici. Totui, un dopaj puternic duce la creterea curentului invers de dispersie. Regiunea P+ de la anod, reprezint un material semiconductor, puternic dopat, de tip P, o foarte bun strategie pentru realizarea contactului. Diodele de jonciune mici, ncapsulate n sticl, pot conduce cureni de ordinul zecilor sau sutelor de mA. Diodele de putere redresoare, ncapsulate n plastic sau ceramic, pot conduce cureni de ordinul miilor de amperi.