Porti Logice CMOS

Introducere
Portile logice in realizate cu tranzistori cu efect de camp (MOS) complementari (C) reprezinta elementele fundamentale de constructie ale circutelor logice moderne. Tehnologia ce foloseste circuite cu tranzistori MOS complementari este numita CMOS, si permite obtinerea la ora actuala a celor mai mari viteze la o putere consumata relativ redusa, fiind folosita in realizarea tuturor microprocesoarelor moderne. Circuitul CMOS cel mai simplu este inversorul, care are structura reprezentata in figura de mai jos:

VDD
S G

p-MOS
D

A
G

n-MOS
S

Doi tranzistori complementari (n-MOS si p-MOS) sunt inseriati, avand portile (G) si drenele (D) conectate impreuna. Sursa tranzistorului n-MOS este conectata la masa, iar cea a tranzistorului p-MOS este conectata la o tensiune pozitiva de alimentare (V DD ) mai mare decat tensiunile de prag ale oricarui dintre tranzistori. Portile celor doi tranzistori reprezinta intrarea, iar drenele reprezinta iesirea circuitului. In situatia in care tensiunea pe intrarea A este nula (intrarea conectata la masa), tensiunea pe poarta tranzistorului n-MOS este sub tensiunea de prag necesara deschiderii trazistorului, deci tranzistorul este blocat (circuitul D-S poate fi aproximat cu un contact deschis). In schimb tensiunea aplicata pe poarta tranzistorului p-MOS este (in valoare absoluta) peste tensiunea de prag necesara deschiderii tranzistorului, deci trazistorul este in conductie (circuitul D-S poate fi aproximat cu un contact inchis). Spunem ca tranzistorul n-MOS este in starea OFF, iar cel p-MOS este in starea ON. In consecinta, iesirea Y va fi mentinuta de catre tranzistorul p-MOS la un nivel ridicat, apropiat de V DD . Daca se aplica la intrarea A o tensiune ridicata, apropiata de V DD , printr-un rationament similar se poate vedea ca tranzistorul n-MOS va fi in conductie (ON), iar cel p-MOS blocat (OFF). Corespunzator, iesirea Y va vi mentinuta de catre tranzistorul n-MOS la un nivel scazut, apropiat de masa (GND).

Daca atribuim tensiunilor apropiate de masa valoarea logica 0, iar celor apropiate de V DD valoarea logica 1, putem construi tabelul de adevar al circuitului analizat, in care valoarea logica a iesirii este reprezentata pentru toate valorile logice posibile ale intrarii: A Y 0 1 1 0 Se observa ca starea logica a iesirii este intotdeauna opusa fata de starea logica a intrarii, fapt care justifica denumirea de inversor data circuitului. Functia logica indeplinita este cea de negatie:

Y=A
Trebuie remarcat ca circuitul inversor are o structura deosebit de simpla, continand numai o pereche de tranzistori CMOS si nici o rezistenta. Ocupand o suprafata mica in tehnologie integrata, este posibila realizarea unor circuite cu densitate foarte mare de porti pe unitatea de suprafata. De asemenea trebuie remarcat faptul ca in orice stare, cel putin unul din cei doi tranzistori este blocat (se comporta ca un contact deschis), deci curentul consumat de circuitul proporiu-zis (fara sarcina la iesire) este foarte mic. Putem spune ca in regim static, puterea consumata de un circuit CMOS este practic nula. Vom vedea mai tarziu ca un o putere relativ mica este consumata numai in regim dinamic, la tranzitiile efectuate de circuit intre doua stari logice.

Montajul Experimental
VDD VDD VDD

A B A Y
GND Inversor VDD 10k 1 VDD NOR GND

Y A Y B
NAND VDD VDD +10V GND

EN
10k 1

A EN Y

X
0 10k GND 0

Y EN

EN
GND Inversor cu iesire 3-stari

LED

GND

10k Comutator bidirectional

Montajul experimental cuprinde realizate pe o aceeasi planseta un inversor CMOS, precum si poarti NOR, NAND, comutator bidirectional, si inversor cu treistari (vor fi descrise in continuare). Pe panseta mai sunt prevazute patru rezistente ce permit aplicarea de nivele de tensiune ridicate sau scazute pe montaj (1 sau 0), precum si o dioda electroluminescenta (LED) pentru vizualizarea starii logice a iesirii. Montajul se alimenteaza de la o sursa unica de alimentare de +10V (bornele din dreapta jos). In serie cu sursa de alimentare se conecteaza un miliampermetru, pentru masurarea curentului consumat de circuit in diferite stari sau regimuri de functionare.

Determinarile Experimentale
Pentru inceput, se va verifica tabelul de adevar al circuitului inversor si se va masura puterea consumata in regim static. Conectati in serie cu sursa de alimentare un miliampermetru, stabiliti tensiunea furnizata de sursa la 10V si realizati conexiunile cu sursa. Pentru a monitoriza starea iesirii, conectati la iesirea inversorului LED-ul. Aplicati la intrarea inversorului valori logice 0 sau 1, conectand in mod

corespunzator bornele rezistentelor care furnizeaza valorile logice 0 sau 1. Urmarind nivelul iesirii in functie de intrare, completati tabela de adevar a circuitului A Y

Deconectati LED-ul de la iesirea inversorului si masurati curentul consumat I D de circuit. Verificati, conectand intrarile inversorului (sau ale celorlalte porti logice) la diferite nivele logice (0/1) ca indiferent de starea logica a intrarilor, curentul consumat in regim static este neglijabil.

Implementarea unor functii logice mai complexe, cum ar fi SAU-NU (NOR) sau SI-NU (NAND) se poate face prin conectarea a mai multi tranzistori complementari in configuratii particulare.

VDD

VDD

A B Y A B
GND

GND

NOR

NAND

Pentru circuitul NOR, oricare din intrarile A sau B aflate la nivel ridicat vor duce la cel putin un tranzistor n-MOS in conductie (ON), deci iesirea va fi 0. Daca ambele intrari sunt 0, numai atunci ambii tranzistori p-MOS vor fi in conductie, si iesirea va fi la nivel ridicat. Conectati LED-ul la iesirea circuitului NOR si aplicati la intrarea sa toate combinatiile de valori logice 0 sau 1, conectand in mod corespunzator bornele rezistentelor care furnizeaza valorile logice 0 sau 1. Urmarind nivelul iesirii in functie de intrare, completati tabela de adevar a circuitului

Analizand circuitul NAND, observam ca oricare din intrarile A sau B aflate la nivel 0 rezulta in cel putin unul din trazistorii p-MOS in stare de conductie (ON) si deci iesirea va fi 1. Daca ambele intrari sunt 1, numai atunci ambii tranzistori n-MOS vor fi in conductie, si iesirea va fi la nivel 0. Conectati LED-ul la iesirea circuitului NAND si aplicati la intrarea sa toate combinatiile de valori logice 0 sau 1, conectand in mod corespunzator bornele rezistentelor care furnizeaza valorile logice 0 sau 1. Urmarind nivelul iesirii in functie de intrare, completati tabela de adevar a circuitului A B Y

Deconectati LED-ul si verificati ca puterea consumata in regim static este practic nula, indiferent de starea circuitului. Poarta bidirectionala este un circuit caracteristic tehnologiei (C)MOS, nefiind intalnita in implementarile cu tranzistori bipolari ale circuitelor logice. Ea consta dintr-o pereche de tranzistori CMOS conectati cu drena intre iesire si intrare. Pe poarta tranzistorului n-MOS este aplicat un semnal ENABLE (EN), iar pe poarta tranzistorului p-MOS este aplicata varianta inversata a semnalului EN.

EN

X EN
Comutator bidirectional

Atunci cand pe intrarea ENABLE este aplicat un nivel 1, tranzistorul n-MOS este in conductie (are pe poarta un nivel ridicat, mai mare decat tensiunea de prag), iar tranzistorul p-MOS este de asemenea in conductie (are pe poarta un nivel in

valoare absoluta mai mare decat tensiunea de prag). Circuitele drena-sursa ale celor doi tranzistori se comporta aproximativ ca doua contacte inchise ce conecteaza intrarile/iesirile X si Y. Un singur tranzistor MOS ar fi fost suficient pentru implementarea comutatorului, insa pentru asigurarea unei simetrii perfecte a comutatorului pentru bornele X si Y pe toata gama tensiunii de intrare/iesire, se foloseste o pereche de tranzistori complementari. O conditie necesara pentru functionarea circuitului este ca valorile tensiunilor pe bornele X si Y sa se incadreze in plaja tensiunii de alimentare a circuitului (V DD ). Comutatorul functioneaza nu numai pentru semnale logice 0/1 (0V / V DD ), ci pentru orice valoare a tensiunii pe X/Y intre 0 si V DD . De aceea comutatorul se numeste si analogic, putand functiona si cu alte nivele decat cele logice. In situatia in care semnalul EN este 0, ambii tranzistori sunt blocati si circuitul intre X si Y este deschis. Conectati un ohmetru intre bornele X si Y ale comutatorului bidirectional. Folositi circuitul inversor pentru a obtine semnalul ~EN si aplicati-l pe poarta tranzistorului p-MOS, ca in figura de mai sus. Aplicati la intrarea EN 0 sau 1, conectand in mod corespunzator bornele rezistentelor care furnizeaza valorile logice 0 sau 1. Notati impedanta si completati urmatorul tabel. EN 0 1 Z

Configuratia standard a circuitelor prezentate pana acum nu permite conectarea in paralel a mai multor iesiri si activarea selectiva numai a unuia dintre ele (asa numita configuratie BUS). Prin modificarea circuitului inversor, ca in figura de mai jos, putem obtine un circuit care are iesirea activa 0, 1 sau inactiva, in stare de impedanta inalta (Hi-Z). Prezenta aceastei a treia stari, Hi-Z , duce la denumirea circuitului tri-state.
VDD

A EN Y EN

Inversor cu iesire 3-stari

Folositi circuitul inversor pentru a obtine semnalul ~EN si aplicati-l pe poarta tranzistorului p-MOS. La iesirea circuitului conectati LED-ul, pentru a monitoriza starea iesirii. Aplicati la intrarea EN valoarea 1 si verificati

functionarea circuitului la fel ca un inversor obisnuit. Aplicati 0 pe intrarea EN si verificati ca indiferent de valoarea intrarii, LED-ul ramane stins. Pentru a verifica ca indicatia nula a LED-ului nu corespunde de fapt unui nivel logic la iesire, ci a unei stari de impedanta ridicata, deconectati LEDul si conectati un ohmmetru intre iesire si masa. Notati impedanta indicata. ATENTIE: conectati ohmmetrul numai cat timp intrarea EN este 0. In caz contrar, atunci cand iesirea este activa si la nivel ridicat, se poate produce distrugerea circuitului de masura al ohmmetrului.

Puterea consumata de circuitele CMOS

Ne vom referi, pentru exemplificare, la circuitul CMOS cel mai simplu, inversorul CMOS. In regim static, fara nici o sarcina la iesire, in orice stare logica, cel putin unul din tranzistorii n-MOS sau p-MOS care constituie inversorul este blocat (curent practic neglijabil). Puterea consumata de la sursa de alimentare este practic nula. Deconectati LED-ul de la iesirea oricarei porti si masurati curentul I D consumat de la sursa de alimentare de totalitatea circuitelor CMOS de pe montajul experimental. Calculati puterea consumata folosind relatia:

P = ID VDD
Verificati, conectand intrarile inversorului (sau ale celorlalte porti logice) la diferite nivele logice (0/1) ca indiferent de starea logica a intrarilor, puterea consumata este neglijabila. Chiar si in cazul circuitelor complexe, in care un numar mare (milioane) de porti logice CMOS sunt interconectate, puterea consumata in regim static este foarte mica. In schimb, in momentul in care circuitele sunt active si efectueaza tranzitii intre starile logice 0 si 1 cu o frecventa foarte mare (MHz sau GHz), capacitatile parazite prezente in circuit incep sa se manifeste, ducand la o crestere a puterii consumate. Am reprezentat in figura de mai jos curentul necesar incarcarii unui condensator conectat la iesirea inversorului CMOS, in situatia in care iesirea face o tranzitie 0>1. Condensatorul poate reprezenta de exemplu suma capacitatilor de grila (C G ) ale tranzistorilor CMOS ale unei alte porti conectate la iesire inversorului.

VDD

0
iC

0
iC

1
VDD
p-MOS

2 E tot = CLOAD VDD

RDS

ON

ER =

1 2 CLOAD VDD 2
n-MOS
ON

0
iC CLOAD

CLOAD

CLOAD

RDS

1 2 EC = CLOAD VDD 2

La trecerea in starea 1 a iesirii, tranzistorul p-MOS conectat la V DD intra in conductie (este in stare ON), putand fi aproximat cu un rezistor cu rezistenta ON ON relative mica RDS . Condenstatorul C LOAD va fi conectat prin RDS la sursa V DD si se va incarca dupa o curba exponentiala in timp. Curentul de incarcare al condensatorului, i c , este furnizat de sursa de alimentare si va contribui la curentul consumat de intreg circuitul. Energia stocata in condensator va fi 1 2 EC = CLOAD VDD 2 ON Se poate arata ca si prin rezistorul serie RDS se disipa o energie identica, indiferent de valoarea rezistentei sale: 1 2 ER = CLOAD VDD 2 astfel incat intreaga energie consumata de la sursa de alimentare la o tranzitie 0>1 este: 2 E tot = CLOAD VDD La tranzitia 1->0, tranzistorul p-MOS devine blocat, iar cel n-MOS intra in conductie. Condensatorul se va descarca la masa prin rezistenta drena-sursa a tranzistorului n-MOS, fara a nici un consum energetic de la sursa de alimentare. Pentru un circuit care functioneaza la frecventa f (efectueaza f tranzitii 0->1 pe secunda), puterea totala consumata de n porti CMOS va fi:
2 Ptot = n CLOAD VDD f

Conectati la intrarea inversorului un generator de frecventa si variati frecventa in intervalul 0-10MHz, masurand curentul I d consumat de montaj la diferite frecvente in gama mentionata. In prealabil, stabiliti tensiunea de iesire a generatorului la o valoare intre 0 si 10 V si o forma de unda dreptunghiulara. Folositi un osciloscop pentru a verifica parametrii formei de unda a semnalului folosit inainte de conectarea sa la intrarea inversorului. Din valorile curentului consumat calculati puterea disipata la diferite frecvente. Reprezentati puterea consumata pe un grafic P=P(f), in

scara liniara. Verificati ca dependenta puterii consumate de frecventa este aproximativ liniara.

Nu totalitatea curentului masurat este datorat incarcarii/descarcarii capacitatilor din circuit in regim dinamic. O alta componenta este datorata particularitatilor caracteristicii curentului consumat in functie de valoarea tensiunii de intrare a circuitelor CMOS. Desi nu trasam in detaliu caracteristica, vom face o sumara evaluare a fenomenelor. Am mentionat ca atat timp cat intrarea este fie la nivel scazut, fie la nivel ridicat, unul din tranzistorii circuitului inversor (de exemplu) este blocat, iar curentul neglijabli. In regim dinamic, intrarea basculeaza in mod repetat intre 0 si 1. In realitate, tranzitia intre cele doua nivele nu se face instantaneu, ci intr-un anumit interval de timp, determinat de asemenea de capacitatile parazite din circuit. Astfel, pentru o fractiune de timp, semnalul la intrare se va plasa in vecinatatea punctului de mijloc intre masa si tensiunea de alimentare. Ce se intampla cu cei doi tranzistori CMOS in aceasta situatie ? Amandoi vor fi in conductie pentru scurt timp (ambele tensiuni de poarta sunt in valoare absoluta mai mare decat tensiunea de prag), si un curent semnificativ se va scurge prin ei de la sursa de alimentare la masa. Un puls de curent consumat va apare la fiecare tranzitie 0>1 sau 1->0 a circuitului. Acest curent va contribui la puterea consumata in regim dinamic. Conectati o borna a rezistentelor notata cu 0 cu una notata cu 1, fara a le conecta deocamdata in nici un alt punct al circuitului. Masurati valoarea tensiunii furnizate cu ajutorul unui voltmetru, si verificati ca este aproximativ jumatate (+5V) din tensiunea de alimentare a circuitului (+10V). Pentru un interval de pana la 2 secunde, conectati bornele ce furnizeaza aproximativ +5V la intrarea inversorului. Masurati curentul curentul I d consumat de montaj, pe scala de 1A ampermetrului. Atentie: Nu mentineti intrarea la aceste valori mai mult de 2 secunde, sau tranzistorii se vor distruge prin supraincalzire.