Den to-dimensionale elektrongas dannes i grnseaden mellem halvlederne GaAs og AlGaAs.

AlGaAs har et bredere bandgap og en hjere Fermi-energi, s nr de to halvledere bringes i kontakt, bevger elektroner sig fra ledningsbndet for AlGaAs over i det for GaAs, indtil Fermi-energierne er udlignet. Pga. ophobningen af positivt ladede donor-ioner og negativt ladede receptor-ioner krummer ledningsbndene, og ved grnseaden opstr der en smal potentialbrnd med en hj elektrontthed. Inddeles den to-dimensionale elektrongas i to adskilte omrder kun forbundet med en smal kanal, har man konstrueret en quantum point contact (QPC). Ved at lgge en spnding Vgate over kanalen, kan man justere dens tykkelse og dermed ogs strmmen af elektroner, der lber igenne. QPC'en fungerer alts som en eld-eect-transistor. Kanalens tykkelse betegner vi Ly , og dens lngde Lx . Dermed str z-retningen vinkelret p 2-DEG'en. Langs z-aksen er elektronerne fanget i en potentialbrnd s snver, at energiforskellen mellem de forskellige tilstande bliver betydelig. Vores forsg blev udfrt ved s lave temperaturer, at kun den laveste tilstand var besat, og blgefunktionens z-afhngighed spillede ingen rolle. I x- og y-retningen kan elektronerne bevge sig frit, og deres blgefunktion er flgende: (1)
phi(x, y) = 1 eikx x eiky y Lx Ly

(2)

Her ser vi vel at mrke bort fra det periodisk varierende potential, som skyldes atomgitrene i GaAs og AlGaAs. Vi medtager alts ikke blgefunktionernes uktuationer p atomar skala, som ikke har nogen betydning for den strm, vi mler under forsget. Dispersiontsrelationen er denne:
E = E0 + h 2 2 2 (k + ky ), 2m x

(3)

hvor m er elektronernes eektive masse. Blgefunktionen er underlagt periodiske grnsebetingelser i x- og y-retningen, hvilket begrnser blgetallene til flgende vrdier:
kx = nx 2 , Lx k y = ny 2 Ly

(4)

hvor nx , ny og nz er heltal. Det bemrkes, at afstanden mellem to tilladte vrdier for blgetallet er omvendt proportional med lederens dimensioner. For QPC'en var Lx s stor, at kx kunne betragtes som en kontinuert variabel. Ly var en del mindre og blev varieret under forsget, sledes at kun tydeligt adskilte, diskrete vrdier af ky var mulige. Hver af disse vrdier giver anledning til et underbnd af tilstande med forskellige kx vrdier. I de to ender af kanalen i QPC'en er de kemiske potentialer givet ved hhv. 1 og 1

konstant. Lederen havde under vores mlinger en temperatur p omkring n Kelvin, sledes at systemet var degenereret, og Fermi-fordelingsfunktionen kan betragtes som en trinfunktion lig n for E , og lig nul ellers. Alle tilstande med en energi lavere end det kemiske potentiale er alts besatte, resten tomme. Elektronerne med positive vrdier af kx bevger sig i n retning i lederen og deres energier er begrnset af 1 , dem med negative vrdier i den modsatte retning og deres energier er begrnset af 2 . Den vre grnse for energien E stter ogs en vre grnse for k , da E indeholder led, der gr som k 2 . Derfor er kun et endeligt antal vrdier af ky tilgngelige, og tilsvarende fordeler elektronerne sig over et endeligt antal underbnd. Strmmen I for et enkelt underbnd bret af elektronerne langs x-retningen med positiv kx er givet ved antallet af elektroner per lngde gange deres hastighed 1 dE v = h dkx gange deres ladning e. Da elektronerne har forskellige hastigheder, m vi imidlertid summere over bidraget fra hver elektron:
I= 1 Lx e dE . h dkx

2 , hvor 2 > 1 . Systemet er ikke i ligevgt, men elektronerne vil lokalt have en Fermi-energi F og vre Fermi-fordelte. Det gennemsnitlige antal elektroner med en energi E er alts givet ved (exp( EF ) + 1)1 , hvor k er Boltzmanns kT

(5)

For hver tilladt kx -vrdi er der pga. spin to elektroner. Summen over elektronerne kan derfor udregnes ved at summere over alle kx -vrdier og fordoble. Men kx -vrdier ligger s tt, at summen kan approksimeres med et integral. 2 Ved at benytte, at afstanden mellem to kx -vrdier er givet ved Lx , fs:
I=2 e Lx Lx 2 h dE 2e dkx = E, dkx h

(6)

hvor E er forskellen mellem den hjeste energi og laveste energi af elektronerne. Dette er bidraget til strmmen fra elektronerne, der bevger sig i den ene retning, men der er et tilsvarende bidrag med modsat fortegn fra elektronerne, der bevger sig i modsat retning. Den eneste forskel er, at den strste energi er en anden, fordi det kemiske potential er anderledes. Lgger man de to strmme sammen, bidrager kun energidierensen 2 1 :
I= 2e (2 1 ). h

(7)

Dette er bidraget til strmmen for et enkelt underbnd. Vi har dog antaget, at h(ky +k2 ) 2 den laveste energi for tilstandene i bndet, Emin = E0 + 2m z , er mindre end 1 . Hvis derimod den laveste energi er strre end 2 , ligger alle de tilgngelige tilstande i omrdet, hvor Fermi-fordelingsfunktionen - en trinfunktion pga. den lave temperatur - er nul, og bndet giver alts ikke anledning til nogen strm. Nr mindsteenergien for et bnd ligger mellem 2 og 1 , giver bndet et bidrag til strmmen p 2e (2 Emin ). h Nr 1 og 2 ligger meget tt, kan man se bort fra tilfldet 1 < Emin < 2 , 2

og den totale strm bliver dermed:

I=N 2e (2 1 ), h

(8)

hvor N er antallet af underbnd med mindsteenergi mindre end 1 . Da biasspndingen Vbias over de to ender, source og drain, af lederen er givet ved 2 1 , e kan vi ogs udtrykke strmmen sledes:
I=N 2e2 Vbias . h

(9)

Heraf ser vi, at konduktansen g for lederen er givet ved:

g I Vbias =N 2e2 . h

(10)

Ved at reducere gate-spndingen, bliver det ledende omrde bredere, dvs. Ly forstrres, sledes at mindsteenergien for alle underbnd formindskes. P den mde kommer ere underbnd til at bidrage til strmmen. I takt med at gatespndingen snkes, vil konduktansen alts stige trinvist. Ligning 10 bygger p antagelsen, at elektronerne passerer uhindret gennem lederen, mao. at lederen er ballistisk. For at tage forbehold for tilfldene, hvor elektroner ikke transmitteres, kan ligning 10 korrigeres med en faktor T , som er lig gennemsnitssandsynligheden for, at en elektron udsendt i den ene ende af lederen transmitteres over til den anden ende. Et andet forhold, ligning 10 ikke medtager, er resistansen i lederen. Svarende til konduktansen g , har kredslbet en resistans g 1 . Det ses af 10, at denne resistans ikke afhnger af lngden Lx af lederen, den skyldes udelukkende overgangen mellem halvlederne og elektrongassen og kaldes ogs kontaktresistansen. Men ud over kontaktresistansen vil lederen ogs have en almindelig resistans R. Et mere korrekt udtryk for forholdet mellem I og Vbias er derfor flgende:
Vbias = (R + h )I. 2N e2

(11)