TECNOLOGIA DE SEMICONDUCTORES I

PROFESOR: Dr: SALVADOR ALCANTARA INIESTA

TEMA: TECNOLOGIA PLANAR

PRESENTA:

ING. IGNACIO ESTEVEZ ESPINOZA

ABRIL DE 2011

BENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE PUEBLA INSTITUTO DE CIENCIAS MAESTRÍA EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

INTRODUCCIÒN En este tema estudiaremos como se hace un Circuito Integrado (C.I). La tecnología usada en la fabricación de un Chip se llama tecnología planar esta permite una gran productividad. Veremos los principales procesos de la tecnología planar y como esta se aplica para la construcción de un circuito CMOS, circuito fundamental de la electrónica digital. Fabricación de semiconductores de silicio (tecnología planar) La fabricación de un microcircuito comienza con una oblea de silicio ultrapura de 10 a 30 centímetros de diámetro. El silicio puro es casi un aislante, pero determinadas impurezas, llamadas impurificadores, añadidas en cantidades de 10 a 100 partes por millón, convierten al silicio en conductor de electricidad. Un circuito integrado puede constar de millones de transistores, diodos, resistencias y condensadores etc. Hechos de silicio con impurezas, todos ellos conectados mediante el patrón de conductores adecuado para crear lógica del ordenador, su memoria u otro tipo de circuito. Sobre una oblea de silicio pueden hacerse centenares de microcircuitos. Los pasos para la realización del proceso de fabricación son seis que se aplican de manera universal a todos los dispositivos semiconductores de silicio estos son: oxidación, litografía, grabado, impurificación, deposición química de vapor y metalización. Estos pasos van seguidos de las operaciones de montaje, prueba, marcado, embalado y expedición. 1. Oxidación Proceso que consiste en la oxidación de la superficie exterior de la oblea de Si para hacer crecer una capa delgada (de alrededor de una micra) de dióxido de silicio (SiO2). Esta capa protege en primer lugar la superficie de impurezas y sirve además de máscara en el proceso de difusión que se hace más adelante. La finalidad de hacer crecer una capa protectora y químicamente estable de SiO2 sobre Si, Convierte a las obleas de silicio en el sustrato de semiconductores de uso más común. La oxidación también llamada oxidación térmica tiene lugar en un horno de difusión a altas temperaturas. La capa protectora de SiO2 se forma en atmósferas que contienen oxígeno (O2) conocida como oxidación seca u oxígeno combinado con vapor de agua (H2O) conocida como oxidación húmeda. La temperatura del horno puede varía desde 800 a 1.300 °C. Oxidación seca Antes de ser sometidas a oxidación, las obleas de silicio se limpian con un detergente diluido en agua y se enjuagan con xileno, alcohol isopropílico u otros disolventes. Posteriormente las obleas limpias se introducen en horno de difusión con temperaturas controladas y un flujo del oxígeno “seco” controlado dentro del horno para garantizar que exista un exceso de oxígeno que facilite el crecimiento del SiO2 sobre la superficie de la oblea de silicio.
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se procede al goteo continuo de agua desionizada en la superficie caliente del fondo de un recipiente de cuarzo. En la oxidación el borboteador. Capa de óxido de silicio sobre la oblea de silicio Espesores de oxidación (100) silicio BENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE PUEBLA INSTITUTO DE CIENCIAS MAESTRÍA EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES . se utilizan cuatro métodos para introducir vapor de agua—pirofórico. alta presión.La reacción química que se lleva a cabo en el proceso es: Si + O2 → SiO2 Se introduce gas de oxígeno puro Si(s) + O2(g) → SiO2(s) + 2H2 (g) Oxidación húmeda Cuando el agente oxidante es agua. La oxidación a alta presión (HiPox) recibe el nombre técnico de sistema de pirosíntesis del agua y genera vapor de agua mediante la reacción de hidrógeno y oxígeno ultrapuros. En la oxidación instantánea. donde se mantiene a una temperatura constante por debajo de su punto de ebullición de 100 °C con ayuda de una envuelta calefactora. borboteador e instantáneo. se deposita agua desionizada en un recipiente llamado borboteador. donde el agua se evapora en seguida al chocar con la superficie caliente. Se introduce vapor de agua en el horno Si(s) +2H2O(g) → SiO2(s) + 2H2(g) Es mucho más rápida y se utiliza para crear óxidos gruesos La oxidación pirofórica consiste en la introducción y combustión de una mezcla gaseosa hidrógeno / oxígeno.

El microcircuito electrónico se construye capa por capa. Litografía La litografía. El dibujo final. Estos dibujos obtenidos con el ploter se reducen después al tamaño real del circuito. Esta técnica se conoce como diseño asistido por ordenador (CAD). Los proyectistas de circuitos digitalizan el sistema de circuitos básico de cada capa. de cada capa de circuitos es creada por un ploter. o generador de patrones. o máscara. controlado por ordenador. una máscara maestra practicada sobre vidrio con relieve en BENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE PUEBLA INSTITUTO DE CIENCIAS MAESTRÍA EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES .Espesores de oxidación (111) silicio Medición de los espesores de oxidación mediante el tiempo 2. y cada una de éstas recibe un patrón de una máscara especificada en el diseño del circuito. conocida también como fotolitografía o enmascaramiento. es un método de formar patrones exactos sobre la oblea oxidada.

terpenos. • Ácido: fluorhídrico (HF). Secado y precocido Las obleas se transportan desde la centrifugadora a un horno con temperatura controlada y atmósfera de nitrógeno. que distribuye el protector en una capa delgada y uniforme. Una temperatura moderada (de 70 a 90 °C) provoca el endurecimiento. acetona. según su solubilidad en el revelador disminuya (negativos) o aumente (positivos) con la exposición a la radiación.cromo. nítrico (HNO3) y mezclas. y luego se reproducen en una placa de trabajo que sirve para la impresión por contacto o proyección sobre la oblea. • Disolvente: alcohol isopropílico (IPA). Limpieza La necesidad de que la superficie exterior de la oblea se encuentre libre de partículas y contaminación exige una limpieza frecuente. pero los espectros de lámparas UV también contienen una energía significativa en la región de longitudes de onda que puede afectar a la salud. Las longitudes de onda predominantes de luz UV que ahora se utilizan en foto enmascaramiento son de 365 nm o más. etanol. clorhídrico (HCl). Los métodos de limpieza principales son: • Lavado con agua desionizada y detergente. Para garantizar la adherencia de la capa de protector a la oblea. que es la región actínica por debajo de 315 nm. Aplicación de protector Las obleas se recubren con un material protector de polímero basado en disolvente y luego se hacen girar a gran velocidad en una centrifugadora. Revelado Durante el paso de revelado. se aplica a ésta una imprimación de hexametildisilizano (HMDS). las superficies del protector no polimerizadas son disueltas y eliminadas. • Cáustico: hidróxido de amonio (NH4O H). Cocido Las obleas se llevan a otro horno de temperatura controlada con atmósfera de nitrógeno. sulfúrico (H2SO4) y peróxido de hidrógeno (H2O2). Los materiales protectores se clasifican en negativos o positivos. La mayor temperatura del horno (de 120 a 135 ºC) origina el curado de la fotoprotección y su polimerización completa sobre la superficie de la oblea BENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE PUEBLA INSTITUTO DE CIENCIAS MAESTRÍA EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES .

Impurificación La formación de una unión eléctrica entre regiones p y n de una oblea individual de silicio cristalino es el elemento esencial para el funcionamiento de todos los BENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE PUEBLA INSTITUTO DE CIENCIAS MAESTRÍA EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES . El grabado húmedo consiste en el empleo de soluciones que contienen los mordientes (por lo común una mezcla de ácidos). que también elimina las capas deseadas no cubiertas por el protector. Las dos categorías principales de grabado son el grabado químico húmedo y el seco. El grabado seco consiste en el empleo de gases reactivos en condiciones de vacío en una cámara de alta energía.Arranque de la fotoprotección La oblea revelada se somete después a un grabado selectivo mediante sustancias químicas húmedas o secas. Proceso de fotograbado eliminando resina expuesta a luz uv 4. Proceso de litografía 3. Grabado El grabado elimina las capas de dióxido de silicio (SiO2). Los restos de fotoprotector tienen que eliminarse de la oblea antes de continuar el proceso.

arsénico (As) o antimonio (Sb) para el tipo n. ACM de Telos) Difusión Difusión es un término empleado para describir el movimiento de las impurezas. que dependen de su masa y su energía.dispositivos semiconductores.. u oblea. BENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE PUEBLA INSTITUTO DE CIENCIAS MAESTRÍA EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES . átomos a los que se han arrancado uno o más de sus electrones) son acelerados mediante el paso por una diferencia de potencial de decenas de miles de voltios hasta adquirir una energía elevada. p o n.. monitores “sensydyne”) y la transformada de Fourier en el infrarrojo (p. Al final de sus recorridos. La mayoría de los monitores de aire de higiene industrial en el sector de semiconductores se utilizan para la detección de fugas de gases inflamables y tóxicos. El horno contiene las impurezas deseadas en forma de vapor y da lugar a la creación de regiones con actividad eléctrica dopada. • cuantificar concentraciones de sustancias químicas volátiles en el aire ambiente. y el fósforo (P). • identificar y cuantificar olores en la áreas de fabricación. ej. ej. Proceso de difusión Implantación iónica La implantación iónica es el método más moderno de introducir elementos de impurezas a la temperatura ambiente en obleas de silicio para la formación de uniones. ej. chocan contra la oblea y se embuten a distintas profundidades. Constituyen la base de los efectos de diodo y transistor en todos los semiconductores. Las tecnologías más utilizadas en el sector de semiconductores para este tipo de vigilancia son la detección colorimétrica de gases (p. En un circuito integrado. Átomos de impureza ionizados (es decir. Pero algunas instalaciones emplean también sistemas de vigilancia continua para: • analizar las emisiones por conductos de salida (chimenea). La difusión es el método más extendido para la formación de uniones. Esta técnica consiste en someter una oblea a una atmósfera caldeada en el horno de difusión. es preciso introducir un número controlado de impurezas elementales o adulterantes en determinadas regiones grabadas del sustrato de silicio. los sensores electroquímicos (p. el detector continuo de gases MDA).. Las impurezas utilizadas con más frecuencia son el boro para el tipo p.

Depósito de vapores de sustancias químicas. El depósito de vapores de sustancias químicas (C V D) consiste en la formación de capas adicionales de material sobre la superficie de la oblea de silicio.. de fase líquida y de haz molecular. La epitaxia de fase líquida y la de haz molecular se usan sobre todo en el procesamiento de dispositivos III-V (p. Las unidades de C V D trabajan en general como un sistema cerrado En los procesos actuales se suelen emplear dos categorías amplias de deposición— la C V D epitaxial y el tipo más general de C V D no epitaxial. La secuencia de depósito que se sigue en un proceso epitaxial normal comprende: • Limpieza del sustrato • Carga de las obleas. • Control de tiempo y secuencia. ej. • Fuente de calor para sustratos.Proceso de implantación iónica 5. • Sección de control de gases. BENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE PUEBLA INSTITUTO DE CIENCIAS MAESTRÍA EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES . • Calentamiento • grabado con cloruro de hidrógeno (HCl) • Depósito • Enfriamiento • Descarga En casi todos los equipos de C V D se encuentran los componentes siguientes: • Cámara de reacción. • Manipulación del efluente. Depósito epitaxial de vapores de sustancias químicas El crecimiento epitaxial es la deposición perfectamente controlada de una sola película delgada de material que posee la misma estructura cristalina que el sustrato existente en la capa de la oblea. GaAs). Se utilizan tres técnicas principales para hacer crecer capas epitaxiales: de fase de vapor.

junto con gases portadores. Se aplica calor para suministrar la energía necesaria para la reacción química. También pueden evaporarse o depositarse películas delgadas o gruesas sobre diversos sustratos de cerámica o vidrio. platino y tántalo. como nitrógeno y /o hidrógeno. pirocerámica y cuarzo (SiO2). plata. cobre. y es un medio de alambrar o interconectar las capas superiores de los circuitos integrados mediante el depósito de patrones complejos de materiales conductores. para su reacción química en la cámara del reactor. oro. El amplio proceso de metalización se diferencia en función del tamaño y el espesor de las capas de metales y otros materiales que se depositan. wolframio. • Película gruesa—película de espesor aproximado de 10 micras o más. Proceso de depósito por técnica CVD de vapores químicos 6. Estos son: • Película delgada—película de espesor aproximado de una micra o menos. vidrio de borosilicato. e impurezas gaseosas si se desea. germanio. BENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE PUEBLA INSTITUTO DE CIENCIAS MAESTRÍA EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES . cromo o una aleación llamada cromoníquel. que encaminan la energía eléctrica en el interior de los circuitos. el gas fuente que no reaccionó más el gas portador se extraen por el sistema de manipulación de efluentes y se liberan en la atmósfera. níquel. Los metales más corrientes empleados para la metalización de semiconductores de silicio son: aluminio. Una vez terminada la reacción. • Plaqueado—películas de espesor variable desde delgada hasta gruesa. Metalización Una vez fabricados los dispositivos en el sustrato de silicio. berilia (99 % BeO). tienen que conectarse para ejecutar funciones de circuito. pero en general películas gruesas. y además se controlan las temperaturas superficiales del reactor y de las obleas. titanio.En esencia. el proceso de C V D (deposito químico en fase vapor) comprende el suministro de cantidades controladas de los gases fuente de silicio o nitruro. Este proceso se denomina metalización. Algunos ejemplos de estos sustratos son: alúmina (96 % Al203).

Las películas gruesas se usan en su mayoría para la metalización de estructuras electrónicas híbridas. • Instrumentación para la vigilancia del nivel de vacío y de otros parámetros. Proceso de evaporación Plaqueado Para formar películas metálicas sobre sustratos semiconductores se utilizan dos tipos básicos de técnicas de plaqueado: galvanotecnia y plaqueado químico. plata. Los materiales que se suelen utilizar en película gruesa son paladio. sobre todo por limitaciones de tamaño. oro-platino y vidrio.Película delgada La metalización de película delgada se aplica a menudo mediante la técnica de depósito o evaporación en alto vacío o con vacío parcial. Para realizar cualquier tipo de metalización. • un método de depositar o evaporar las capas del material metalizador. Los tipos principales de evaporación en alto vacío son:     con haz de electrones instantánea resistiva. oro-vidrio y plata-vidrio. el sistema suele constar de los componentes básicos siguientes: • una cámara que puede evacuarse para conseguir un vacío suficiente para el depósito. • una bomba (o bombas) de vacío para reducir los gases ambientales en la cámara. En la galvanotecnia BENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE PUEBLA INSTITUTO DE CIENCIAS MAESTRÍA EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES . Película gruesa La estructura y la dimensión de la mayoría de las películas gruesas no son compatibles con la metalización de circuitos integrados de silicio. como en la fabricación de LCD. pulverización. dióxido de titanio y vidrio.

Las monturas dobles en línea son las más corrientes y a menudo utilizan cerámica o plásticos moldeados. de vidrio y metálicos. Encapsulado El objetivo esencial del encapsulado es acomodar un circuito integrado en una montura que cumpla los requisitos eléctricos. se aplican la reducción y la oxidación simultáneas del metal. Clasificación y prueba de obleas Una vez terminada la fabricación de obleas. Níquel. Separación de pastillas El trazado con láser es una técnica de separación de pastillas relativamente reciente. cobre y oro son los metales más corrientes que se depositan de esta manera. puede emplearse con sustratos de tipo aislante. Las monturas más extendidas son la de conductores radiales. Un método de separación de pastillas muy extendido es el aserrado en húmedo— cortar sustratos a lo largo de la calle con una sierra circular de diamante de gran velocidad. níquel y cobalto. por lo general de una aleación de aluminio combinada con componentes cerámicos.Este método de plaqueado se usa para formar películas conductoras de oro o cobre. El aserrado del sustrato de silicio puede ser de corte parcial (trazado) o completo (dados). térmicos. Para identificar y clasificar las pastillas que no cumplen las especificaciones eléctricas deseadas se emplean los colores rojo y azul. Las monturas planas tienen un marco de conductores metálicos. que es una aleación de hierro. En el plaqueado químico. químicos y físicos asociados a la aplicación del circuito integrado. la montura plana y la doble en línea (DIP). cada una de ellas es sometida a un proceso de clasificación en el que se comprueba el funcionamiento eléctrico de la circuitería integrada de cada pastilla mediante sondas controladas por ordenador. El moldeo por transferencia es el método de encapsulado en plástico predominante. BENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE PUEBLA INSTITUTO DE CIENCIAS MAESTRÍA EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES . Las monturas de conductores radiales se fabrican casi todas de Kovar. El aserrado genera una lechada húmeda con el material arrancado de la calle. Una oblea individual puede contener desde cien hasta muchos centenares de dados o pastillas independientes que han de ser comprobadas. con sellos de vidrio duro y conductores de Kovar. Las monturas de plástico moldeado para semiconductores se producen sobre todo por dos procesos diferentes—moldeo por transferencia y moldeo por inyección.

• Sistema de ventilación de salida propio y habitación con presión negativa. Prueba final Se realiza una prueba eléctrica final.El moldeo por inyección emplea un compuesto termoplástico o termoendurecible. película dosimétrica de radiación). BENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE PUEBLA INSTITUTO DE CIENCIAS MAESTRÍA EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES .. • garantizar que las exposiciones a la radiación se mantengan tan bajas como sea razonablemente posible (ALARA). • Mantenimiento periódico de alarmas y cierres. • Formación en seguridad de los operadores y técnicos. Prueba de fugas y envejecimiento La prueba de fugas es un procedimiento desarrollado para comprobar la capacidad real de sellado o hermeticidad del dispositivo encapsulado. Un ordenador se encarga de ejecutar y evaluar la prueba de numerosos parámetros importantes para el funcionamiento del dispositivo. • Monitores para la vigilancia permanente de la radiación con alarmas y parada/aislamiento automáticos. El envejecimiento es una operación de esfuerzos térmicos y eléctricos para determinar la fiabilidad del dispositivo final encapsulado. se abre el molde y la montura encapsulada sale expulsada. La resina se solidifica en seguida. • Vigilancia de exposiciones con dosimetría personal (p. Hay dos formas corrientes de realizarla: la detección de fugas con helio y la detección de fugas con trazador radiactivo. En el moldeo por inyección se utiliza una extensa variedad de compuestos de plástico. Los controles de estos sistemas suelen ser: • Aislamiento en habitaciones con el acceso restringido al personal necesario únicamente. • Inspecciones periódicas en busca de fugas de material radiactivo. Expedición La expedición es la última operación en la que intervienen los fabricantes de casi todos dispositivos semiconductores de silicio. ej. • Carteles de aviso de radiación en las puertas de entrada a las habitaciones donde haya Kr 85. Las resinas epoxídicas y a base de sulfuro de polifenileno (PPS) son las últimas sustancias que se han incorporado al encapsulado de semiconductores.

mientras que los fabricantes que producen para sí mismos utilizan los dispositivos en sus propios productos finales.Los fabricantes que a su vez son proveedores venden sus productos a otros fabricantes de productos finales. BENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE PUEBLA INSTITUTO DE CIENCIAS MAESTRÍA EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES .

aprender los procedimientos de la tecnología planar para la fabricación de dispositivos semiconductores así como conocer los diferentes métodos de metalización BENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE PUEBLA INSTITUTO DE CIENCIAS MAESTRÍA EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES .OBJETIVOS 1. medir los espesores de óxido de silicio sobre la oblea de silicio 3. realizar los procedimientos de la tecnología planar para fabricar un dispositivo fotosensible a la luz 2. medir los voltajes a circuito abierto de nuestro dispositivo y ver la respuesta en voltaje cuando se le hace incidir luz y cuando esta sin luz OBJETIVOS PARTICULARES 1. hacer difusión con ZnO para aumentar la respuesta de voltaje cuando se le haga incidir luz 4.

BENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE PUEBLA INSTITUTO DE CIENCIAS MAESTRÍA EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES . Marcas para señalar la orientación del cristal Corte de oblea de silicio tipo “n” en cuatro partes  limpieza de oblea de silicio. Y posteriormente el proceso de oxidación. y se lleva a cabo el proceso de tecnología planar solo en una de las cuatro partes de la oblea en nuestro caso se tomó una oblea de Si tipo n.PARTE EXPERIMENTAL Para nuestro experimento Utilizando los pasos de la tecnología planar se llevó acabo como primer paso el corte de la oblea y posteriormente la limpieza de la oblea de silicio.  Para el corte de la oblea de silicio se realiza en cuatro partes.

Y Sumergir la oblea por un tiempo de 10 minutos. 30 ml de H2SO4 y 10 ml de H2O2. 2.Procedimiento de Limpieza 1. Se introduce la oblea en la solución a 180oC por 10 minutos. Hidróxido de amonio (NH4OH) ---------------. b) Introducir en ácido fluorhídrico (HF) al 10% por espacio de 40 segundos. RCA-II: Eliminación de óxido nativo en la superficie. La limpieza de la oblea de silicio se realiza mediante tratamiento químico conocido como piraña: esta solución con una composición 1:3 de peróxido de hidrogeno (H2O2) y ácido sulfúrico (H2SO4). a) Enjuagar 2 veces en agua des-ionizada (H2O2) por un tiempo de 1 minuto cada uno y en ultra sonido. Peróxido de hidrogeno (H2O2) ----------------.12 ml. c) Enjuagar 3 veces en agua des-ionizada (H2O) por un tiempo de 2 minutos cada uno y en ultra sonido. BENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE PUEBLA INSTITUTO DE CIENCIAS MAESTRÍA EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES . Finalmente enjuagar 3 veces en alcohol por un tiempo de 2 minutos cada uno y en ultra sonido. Como siguiente paso se realizó. RCA-I: Eliminación de residuos o contaminantes orgánicos. Se realiza con la siguiente solución química: Agua des-ionizada (H2O) Peróxido de hidrogeno (H2O2) Hidróxido de amonio (NH4OH) 60 ml. Se realizó con la siguiente solución química: Agua des-ionizada (H2O) -------------------------60 ml. 12 ml. 12 ml. Como siguiente paso se realizó. f) Enjuagar 3 veces en agua des ionizada (H2O) por 2 minutos cada uno en ultra sonido. 3. Se introduce la oblea en la solución a 180oC por 10 minutos. e) Introducir en ácido fluorhídrico (HF) al 10 por ciento por 40 segundos.12 ml. d) Enjuagar 2 veces en agua des-ionizada (H2O) por un tiempo de 1 minuto cada uno en ultra sonido.

como máscara en otros procesos (implantación. Las capas dieléctricas son importantes para desempeñar un determinado papel en la fabricación de dispositivos semiconductores debido a su carácter aislante: • Aislamiento entre capas metálicas (transistor MOS). BENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE PUEBLA INSTITUTO DE CIENCIAS MAESTRÍA EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES . etc. El crecimiento es más rápido pero presenta como desventajas mayores defectos y menor control sobre la oxidación. Este tubo de cuarzo es situado dentro de un horno de apertura cilíndrica calentado por resistencia. El proceso de oxidación realizado en el laboratorio fue el de oxidación húmeda.Enjuague en ultrasonido de oblea en las soluciones mencionadas en cada uno de los pasos anteriores Una vez concluido este procedimiento la oblea esta lista para realizar la oxidación. y es controlada por un controlador de temperatura en configuración PID. La temperatura de trabajo es entre los 900 y 1100 ºC. OXIDACION Como se mencionó anterior mente existen dos tipos de oxidación: oxidación húmeda y oxidación seca. La oxidación húmeda se realiza a través de vapor de agua a una temperatura de 900 C a 1000 C. Se suele utilizar para la creación de Óxido de Campo. difusión. • Proteger la superficie de un dispositivo. • • • • Este proceso consiste en colocar las obleas de Si en un tubo de cuarzo. para separar dos capas de materiales conductores. Las capas de óxido pueden ser usadas como aislante (por ejemplo óxido de puerta de un MOS). para separar dos dispositivos entre sí (óxido de campo).etc).

Proceso de oxidación húmeda con horno a 900 C Horno para el proceso de oxidación. Pero como el horno no estaba calibrado (o caracterizado) se realizó la medición de la temperatura interna del horno para obtener la temperatura deseada. El inconveniente obtenido fue que al parecer el oxígeno no era oxigeno sino aire y lo esperado tuvo una gran diferencia ya que el espesor de él oxido que obtuvimos fue de aproximadamente 0. y constantes ópticas de materiales (índices de refracción).085 micras que se midieron por medio de elipsometría. De las gráficas de oxidación se tomó un tiempo de tres horas con una temperatura de 900oC para obtener un oxido de una micra de espesor. BENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE PUEBLA INSTITUTO DE CIENCIAS MAESTRÍA EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES . Dicho análisis es no destructivo y es útil para la determinación de espesores de películas delgadas.085 micras. La elipsometría espectroscópica es una técnica de análisis óptica que se basa en el cambio del estado de polarización de la luz que se incide sobre un material. El análisis en elipsometria se llevó acabo en cuatro diferentes puntos de la oblea para verificar que el grosor del óxido era uniforme en todo el cuarto de oblea este espesor fue en todos los puntos aproximadamente igual de 0.

este tipo de patrones se desarrollan mediante software especializados en nuestro caso se utilizó AutoCAD esta técnica es conocida como diseño asistido por computadora la mascarilla es impresa en acetato estos patrones son reducidos al tamaño real del circuito. recordando que la construcción de un microcircuito es por medio de capas.085 puede acercarse a la tabla de colores color café de 0. es un método que tiene como finalidad la formación de patrones sobre la oblea de silicio oxidada. Como ya se mencionó anterior mente este proceso conocido también como fotolitografía o enmascaramiento. es decir se coloca una mascarilla para la primera capa y otra con un patrón diferente para la segunda capa. luego son grabadas en la oblea de silicio BENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE PUEBLA INSTITUTO DE CIENCIAS MAESTRÍA EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES .07 micras Tabla de espesor de óxido con respecto al tiempo y temperatura Litografía y Grabado.De acuerdo con la tabla de colores que nos indica el espesor de óxido para nuestra oblea con elipsometria de 0.

La radiación ultravioleta es sensible a la foto-resina por lo cual la luz que uv que incide sobre ella puede quitarse BENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE PUEBLA INSTITUTO DE CIENCIAS MAESTRÍA EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES . Centrifuga con vacío para aplicar foto-resina a las obleas de silicio La alineación de mascarilla y la exposición a la luz uv: con ayuda de un microscopio para una mejor alineación de la mascarilla en la oblea son situadas de manera más precisa. para lograr la uniformidad de fotoresina sobre la oblea de silicio esta capa es puesta con una bomba centrifuga que hace vacío a la oblea para sostenerla y no se caiga al girar y que la fotoresina quede uniformemente sobre la oblea esta se hace girar por espacio aproximado de 15 segundos. Procedimiento a) la aplicación de foto-resina positiva que puede ser removida con disolventes cuando esta entra en contacto con luz uv. esto es con ayuda de puntos de alineación que son colocados al realizar el diseño.Foto-resina SiO2 Substrato tipo n de Si Proceso de litografía. estos puntos ayudan de manera fácil la alineación.

los enlaces entre las moléculas se rompen al iluminarse. Control de temperatura. Las partes no iluminadas de las fotorresistencias no se ven afectadas. en el caso de fotorresistencias positivas. una temperatura entre 70 a 90 ºC provoca el endurecimiento de la foto-rresina y la evaporación de los restos de disolventes.fácilmente con la ayuda de un disolvente. b) Secado y pre cocido: una vez teniendo las obleas con nuestro grabado es necesario que la película de material protector se seque y se adhiera a la oblea de manera uniforme por ello es llevada de la centrifuga hacia un horno con una temperatura controlada. Horno de recocido de obleas Con el objetivo de eliminar las superficies del protector no polimerizadas se lleva a cabo el proceso de revelado mediante una solución química de hidróxido de sodio BENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE PUEBLA INSTITUTO DE CIENCIAS MAESTRÍA EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES . Una vez convenientemente alineada la máscara se ilumina con luz ultravioleta Radiación ultravioleta. La luz incide sobre esta oblea por un tiempo de 4 minutos luz ultravioleta cambia la estructura de la fotorresistencia: las moléculas de una fotorresistencia negativa se unen entre si (polimerizan) en las regiones expuestas a la luz. el horno es colocado a 120 grados durante 10 minutos. Por el contrario. permaneciendo polimerizadas el resto.

la concentración molar. el control del proceso depende del tiempo de exposición.5 grs/mol BENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE PUEBLA INSTITUTO DE CIENCIAS MAESTRÍA EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES . Posterior mente se realiza una limpieza a las obleas ya impresas para obtener el revelado Impurificación Entre las regiones p y n de una oblea de silicio cristalino. Para nuestro caso se utilizó el sistema de roció químico. Nuevamente hay que colocar la oblea en el horno con el objetivo de recocer la película revelada en el substrato. Como ya se mencionó anteriormente. la temperatura y el flujo. alcohol isopropílico. Esta vez el horno es colocado a una temperatura de 80 º C durante 20 minutos.(NaOH) durante un tiempo de 3 segundos. permitiendo el paso de la corriente solo de un lado. 25 ml de agua. el protector que permanece tras el revelado tiene la función de proteger las capas individuales durante el proceso posterior. con la formula siguiente se calcula la cantidad de soluto necesaria. este tipo de uniones funcionan como un interruptor. etc) con el objetivo de eliminar cualquier material residual. Una vez aplicado el revelador suele aplicarse un lavado con disolvente (acetato de n-butilo. Masa molar = 0. Preparación de la solución buffer que eliminara el SiO2 no protegido por la foto resina. La solución consiste en:    15 gramos de HN4F (fluoruro de amonio). esta es el elemento esencial para el funcionamiento de los dispositivos semiconductores. 7 ml de HF (ácido fluorhídrico).1 M de acetato de Zn Volumen = 100 ml PM = 219. acetona. se forma una unión eléctrica. Con el objetivo de colocar impurezas en cantidades controladas se utilizan técnicas como difusión o implantación iónica.

Aunque en esta práctica no se llevó a cabo este paso por falta de tiempo es importante mencionarlo ya que es parte del proceso de tecnología planar. Creación de capas delgadas (Deposición y crecimiento epitaxial). Sistema de calefacción Salida de flujo ZnO Oblea Sistema de roció químico En este sistema es colocada la solución spray pirolisis dentro de un vaso para ser calentada mediante el sistema de calefacción. la cual puede usarse como capa tipo N. Existen dos tipos de deposición según se produzca en el proceso una reacción química o física 1) Chemical vapour deposition (CVD)    Atmospheric pressure CVD Low-pressure CVD Plasma-enhanced CVD 2) Physical vapour deposition (PVD)   Evaporation technology Sputtering BENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE PUEBLA INSTITUTO DE CIENCIAS MAESTRÍA EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES . como medio de seguridad para el personal de trabajo. la temperatura provoca que se genere un vapor el cual es transportado por la manguera hasta la salida el flujo donde llegara hacia la oblea para lograr la difusión este se llevó por un tiempo de 30 segundos. poli-silicio.Esto se realiza con la finalidad de crear una capa de óxido de zinc. Es posible depositar diferentes tipos de material como óxidos. como se mostrara en los resultados de la caracterización. Este sistema se encuentra bajo una campana extractora de gases. metal y semiconductor con estructura cristalina (en este caso el proceso se llama epitaxia). esta sirve para tener un efecto fotovoltaico.

Lo que ocurre en este proceso es que se hace pasar una corriente a través de la resistencia de tungsteno. la técnica de CVD y MBE para depositar semiconductores cristalinos (Epitaxia). BENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE PUEBLA INSTITUTO DE CIENCIAS MAESTRÍA EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES . y es un medio de alambrar o interconectar las capas superiores de los circuitos integrados mediante el depósito de patrones complejos de materiales conductores. Molecular Beam Epitaxy (MBE). plata. cromo o una aleación llamada cromoníquel. tienen que conectarse para ejecutar funciones de circuito. Sistema de evaporación física en fase vapor Contactos de Al en las obleas Como se mencionó anteriormente la práctica solo llego hasta el punto de difusión. en este método se desperdicia mucho material ya que también se deposita en la cámara de alto vacío. cobre. lo cual provoca que se evapore el metal y se deposite en todas direcciones de manera lineal. níquel. germanio. que encaminan la energía eléctrica en el interior de los circuitos. Las técnicas de CVD se suelen usar para depositar aislante y poli-silicio. el metal es condensado en la superficie de la oblea al enfriarse. wolframio. las técnicas Físicas de evaporación y Sputtering para metalizaciones Colocación de los contactos metálicos (Metalización). Este proceso se denomina metalización. platino y tántalo. Se explicara el método de evaporación física en fase vapor. oro. En la metalización Los metales más empleados para la metalización de semiconductores de silicio son: aluminio. a continuación se presentaran los resultados de la caracterización del efecto fotovoltaico de la oblea cubierta con óxido de zinc. Una vez que son fabricados los dispositivos en el sustrato de silicio. titanio.

con la fuente de luz apagada. ya que existe una fuente de luz que proviene del exterior a través de la ventana del laboratorio. Procedimiento: Antes de hacer las mediciones de voltaje       Quitar el óxido nativo Enjuagar con agua Colocar en la superficie con vacío para que haya un buen contacto Medición de efecto fotovoltaico a circuito abierto Colocar las puntas de osciloscopio. Sistema de caracterización sin luz Al colocar el otro extremo de la punta sobre la oblea se aprecia que la señal de voltaje obtenida no es cero.Desarrollo experimental medición de voltaje a circuito abienrto Caracterización. de manera que el caimán negro sea colocado en la masa del sistema de vacío y la parte roja se colocara en la oblea donde exista difusión Encender la fuente de luz y realizar la medición en las diferentes ventanas de la oblea donde se encuentra el ZnO En la figura se muestra el sistema conectado. 1 sistema de vacío. 1 lámpara. por ello se llevó a cabo el estudio de este fenómeno. Material a utilizar: 1 osciloscopio. El óxido de zinc tiene la propiedad de responder a la luz. La figura 15 muestra la forma como quedo grabada la oblea con la difusión de óxido de zinc BENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE PUEBLA INSTITUTO DE CIENCIAS MAESTRÍA EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES . 1 puntas de osciloscopio.

1 2 4 3 Oblea de silicio con los cuatro puntos de medición de voltaje Resultados.5 cm de la oblea al foco de la lámpara las mediciones se muestran en la siguiente tabla 1 2 3 4 Sin luz 54 mV 46 mV 34 mV 34 mV Con luz 158 mV 164 mV 108 mV 110 mV Tabla de resultados en medición de voltaje Imágenes mostradas del osciloscopio y su modificación de voltaje con respecto a la luz incidente en las obleas BENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE PUEBLA INSTITUTO DE CIENCIAS MAESTRÍA EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES . Se realizaron las mediciones con el osciloscopio calibrado a 50 milivolt por cuadro. En los cuatro puntos donde se encuentran las ventanas con ZnO sin luz y con luz con un alampara de 40w a una distancia de 12.

y que la difusión no fue uniforme en la oblea. por lo tanto la cantidad de luz en una zona no es la misma.5 cm. ya que como se aprecia los valores de voltaje obtenidos son distintos. La respuesta obtenida no es correcta ya que existe una fuente de luz externa que provoca que la respuesta vista en el osciloscopio sea errónea. Cabe mencionar que esta es la respuesta con fuente de tungsteno. esto es de gran ventaja ya que controlando el crecimiento de la capa y caracterizando la respuesta por tamaños podemos realizar la construcción de sensores fotovoltaicos. es por ello que tenemos una mejor respuesta. aunque debemos tomar en cuenta que la distancia de la fuente de luz hacia la oblea fue de 12. Las obleas muestran una mejor conducción cuando se expone a la luz que cuando esta sin luz.Conclusiones Se llevaron a cabo los procedimientos de la tecnología planar para la fabricación de un dispositivo fotosensible a la luz. con las características deseadas. Se puede apreciar que la respuesta de la zona con el menor espesor de ZnO tiene mejor respuesta que en las zonas donde el óxido es más grueso. esto provoca que la radiación se encuentre en una longitud de onda cercana al infrarrojo. en esta práctica no se llevó a cabo con una fuente de luz blanca. la correcta medición deberá hacerse en un lugar aislado y con total oscuridad. y que la emisión es isotrópica. La razón de esto puede ser que la luz aumenta la energía de los electrones y provoca que estos se muevan en los enlaces pi (π) de unas moléculas a otras cuando se les aplica una fuente de excitación (luz) BENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE PUEBLA INSTITUTO DE CIENCIAS MAESTRÍA EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES . provocando la respuesta que se obtuvo para cada área de óxido. Los resultados obtenidos demuestran que la capa de óxido de zinc es muy delgada. El óxido de silicio tiene respuesta en la longitud de onda del infrarrojo y el óxido de zinc una mejor respuesta a la luz blanca. El presente trabajo demuestra que la capa de óxido de zinc tiene un efecto fotovoltaico. Las zonas centrales de la oblea es donde existe una mejor uniformidad en el espesor de la capa de óxido de zinc.

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