Karadeniz Teknik niversitesi Mhendislik Fakltesi * Elektrik-Elektronik Mhendislii Blm Elektronik Anabilim Dal * Elektronik Laboratuar I

TRANSSTR KARAKTERSTKLER
1. Deneyin Amac Transistrlerin yapsnn anlalmas. Transistrn giri ve k karakteristiklerinin anlalmas.

2. n Bilgi 2.1. Transistrlerin Yaps Transistrler, kat-hal "solid-state" devre elemanlardr. Transistr yapmnda silisyum, germanyum veya uygun yariletken karmlar kullanlmaktadr. Transistrn temel yaps ekil 1 de gsterilmitir.

ekil 1: Bipolar Eklem Transistrn yaps BJT transistrler katklandrlm P ve N tipi malzeme kullanlarak retilir. NPN ve PNP olmak zere balca iki tipi vardr. NPN transistrde 2 adet N tipi yariletken madde arasna 1 adet P tipi yariletken madde konur. PNP tipi transistrde ise, 2 adet P tipi yariletken madde arasna 1 adet N tipi yariletken madde konur. Dolaysyla transistr 3 adet katmana veya terminale sahiptir.

ekil 2: NPN ve PNP tipi transistrlerin fiziksel yaps ve ematik sembolleri

2.2. Transistr Parametreleri Transistrle yaplan her trl tasarm ve almada dikkat edilmesi gereken ilk konu, transistrn DC kutuplama gerilimleri ve akmlardr. Transistrlerin DC analizlerinde kullanlacak iki nemli parametre vardr. Bu parametreler; DC (DC akm kazanc) ve DC olarak tanmlanr. ekil 3 de NPN ve PNP tipi transistrler iin gerekli kutuplama balantlar verilmitir. Transistrn baz-emiter eklemine VBB kayna ile doru kutulama uygulanmtr. Baz-kollektr eklemine ise VCC kayna ile ters kutuplama uygulanmtr.

ekil 3: NPN ve PNP transistrlerin kutuplandrlmas 2.3. Beta DC (DC) ve Alfa DC (DC) Akm Kazanlar akm kazanc, ortak emiter balantda akm kazanc olarak da adlandrlr. Bir transistr iin akm kazanc, kollektr akmnn baz akmna oranyla belirlenir.
I C = (1 + )I CO + I B IC IB Kollektr akmn yukardaki eitlikten ICO<<IB iin;

(1)

IC I B olarak tanmlayabiliriz. Transistrde emiter akm; IE = IC + IB olduundan (2) ifadesi yeniden dzenlenirse; I E = I B (1 + ) I E = I B +I B

(2)

(3)

bants elde edilir. Ortak bazl balantda akm kazanc olarak bilinen deeri; kollektr akmnn emiter akmna oran olarak tanmlanr. I (4) = C IE Emiter akm eitlii kullanlarak
I E = I B + IC IE IB = +1 IC IC

(5)

ifadesi elde edilir. I I DC = C ve DC = C olduundan yukardaki eitlikte yerine koyulursa IE IB 1 1 = 1 + elde edilir.

Buradan her iki akm kazanc arasndaki iliki

1+

(6)

olarak belirlenir. Transistrlerde akm kazanc, gerekte sabit bir deer deildir. Deeri kollektr akm ve scakla bamldr.

ekil 4: Scaklk ve kollektr akmndaki deiime bal olarak DC nin deiimi 2.4. Transistrn Giri Karakteristii Karakteristik eri, herhangi bir elektriksel elemanda akm-gerilim ilikisini gsterir. Transistr; giri ve k iin iki ayr karakteristik eriye sahiptir. Transistrn giri karakteristii baz emiter gerilimi(VBE) ile baz akm(IB) arasndaki ilikiyi verir. Transistrn giri karakteristiklerini elde etmek iin, kollektr-emiter gerilim (VCE) parametre olarak alnr ve bu gerilime gre baz akm (IB) deitirilir. Baz akmndaki bu deiimin baz-emiter gerilimine (VBE) etkisi llr.

ekil 5: Transistrn giri karakteristii

Grafikten de grld gibi transistrn giri karakteristii normal bir diyot karakteristii ile benzerlik gsterir. VBE gerilimi 0,5 V un altnda olduu srece baz akm ihmal edilecek derecede kktr. Uygulamalarda aksi belirtilmedike transistrn iletime balad andaki baz-emiter gerilimi VBE = 0,7 V olarak kabul edilir. Baz-emiter (VBE) gerilimi, scaklktan bir miktar etkilenir. rnein, her 1 C lik scaklk artmnda VBE gerilimi yaklak 2,3 mV civarnda azalr. 2.5. Transistrn k Karakteristii Transistrlerde k, genellikle kollektr-emiter ular arasndan alnr. Bu nedenle transistrn k karakteristii; baz akmndaki (IB) deiime bal olarak, kollektr akm (IC) ve kollektr-emiter (VCE) gerilimindeki deiimi verir. Transistre uygulanan VCE gerilimi nemlidir. Bu gerilim deeri belirli limitler dahilinde olmaldr. Bu gerilim belirlenen limit deeri atnda transistrde krlma olay meydana gelerek bozulmaya neden olur.

ekil 6: Transistrn IC VCE karakteristikleri ve krlma gerilimi

3. Deneyin Yapl 3.1. Deney Donanmlar KL-21001 Lineer Devre Seti KL-23002 Deney Modl l Aletleri: Avometre 3.2. Deneyler 3.2.1. PNP Transistrn Karakteristikleri 1. KL-21001 Lineer Devre Setini ve KL-230002 Deney modln kullanarak ekil 7 deki devreyi kurunuz. 2. Tablo 1 de verilen her bir IC akmna karlk IB ve IE akmlarn lp verilen tabloya kaydediniz.

ekil 7: PNP transistrl devre Tablo 1: PNP transistr IC(mA) 3 6 9 IC(doyma) =IC/IB

IB

IE

3.2.2. NPN Transistrn Karakteristikleri 1. KL-21001 Lineer Devre Setini ve KL-230002 Deney modln kullanarak ekil 8 deki devreyi kurunuz. 2. Tablo 2 de verilen her bir IC akmna karlk IB ve IE akmlarn lp verilen tabloya kaydediniz.

ekil 8: NPN transistrl devre Tablo 2: NPN transistr IC(mA) 3 6 9 IC(doyma)

IB

IE

=IC/IB

3.2.3. Transistrn k karakteristikleri 1. KL-21001 Lineer Devre Setini ve KL-230002 Deney modln kullanarak ekil 9 daki devreyi kurunuz. 2. VR2 direncini IB=0 A olacak ekilde ayarlaynz. Daha sonra VR1 direncini VCE gerilimi srasyla Tablo 3 deki deerleri alacak ekilde ayarlaynz ve her bir VCE gerilimine karlk IC akmn okuyarak Tablo 3 e kaydediniz. 3. IB akmnn verilen dier deerleri iin yukardaki ilemleri tekrarlaynz.

ekil 9: Transistrn k karakteristiklerinin karlmas

Tablo 3: Transistrn k karakteristii VCE(V) 0.1 IC(mA) 0.2 0.3 (a) IB=0 A 0.5 0.7 1 3 5 7 9

VCE(V) 0.1 IC(mA)

0.2

0.3

0.5

(b) IB=10 A 0.7 1

VCE(V) 0.1 IC(mA)

0.2

0.3

0.5

(c) IB=20 A 0.7 1

VCE(V) 0.1 IC(mA)

0.2

0.3

0.5

(d) IB=30 A 0.7 1

VCE(V) 0.1 IC(mA)

0.2

0.3

(e) IB=40 A 0.5 0.7 1

VCE(V) 0.1 IC(mA)

0.2

0.3

(f) IB=50 A 0.5 0.7 1

IC (mA) 12 10 8 6 4 2 1 2 3 4 5 6 7 8 9 VCE(V)

ekil 10: Baz Akm parametre olmak zere transistrn VCE- IC karakteristii