Alumno: LUIS MENDOZA BECERRA Carrera: Ingeniera de Sistemas e Informtica

SEMICONDUCTOR
Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican en la tabla adjunta.
El elemento semiconductor ms usado es el SILICIO, el segundo el GERMANIO, aunque idntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos 12 y 13 con los de los grupos 14 y 15 respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). Posteriormente se ha comenzado a emplear tambin el AZUFRE. La caracterstica comn a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una CONFIGURACIN ELECTRONICAS sp.

IMGENES DE SEMICONDUCTORES ELCTRICOS

SEMICONDUCTORES INTRINSECOS

Se dice que un semiconductor es intrnseco cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni tomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida ser igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conduccin. Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente se comporta como un aislante porque solo tiene unos pocos electrones libres y huecos debidos a la energa trmica.

En un semiconductor intrnseco tambin hay flujos de electrones y huecos, aunque la corriente total resultante sea cero. Esto se debe a que por accin de la energa trmica se producen los electrones libres y los huecos por pares, por lo tanto hay tantos electrones libres como huecos con lo que la corriente total es cero.

Como se puede apreciar en la figura, los electrones factibles de ser liberados de la fuerza de atraccin del ncleo son cuatro

ESTRUCTURA CRISTALINA DE UN SEMICONDUCTOR INTRNSECO

Compuesta solamente por tomos de silicio (Si) que forman una celosa. Como se puede observar en la ilustracin, los tomos de silicio (que slo poseen cuatro electrones en la ltima rbita o banda de valencia), se unen formando enlaces covalente para completar ocho electrones y crear as un cuerpo slido semiconductor. En esas condiciones el cristal de silicio se comportar igual que si fuera un cuerpo aislante.

MODELO DE BANDAS DE ENERGA: CONDUCCIN INTRNSECA

En un semiconductor perfecto, las concentraciones de electrones(n) en la banda de conduccin y de huecos(p) en la banda de valencia son iguales (por unidad de volumen); as como la concentracin intrnseca de portadores.

SEMICONDUCTORES DOPADOS
En la produccin de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (tambin referido como intrnseco) con el fin de cambiar sus propiedades elctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrnsecos. Un semiconductor altamente dopado que acta ms como un conductor que como un semiconductor es llamado degenerado.

 El nmero de tomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequeo. Cuando se agregan un pequeo nmero de tomos dopantes (en el orden de 1 cada100.000.000 de tomos) entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero. Cuando se agregan muchos ms tomos (en el orden de 1 cada 10.000 tomos) entonces se dice que el dopaje es alto o pesado. Este dopaje pesado se representa con la nomenclatura N+ para material de tipo N, oP+ para material de tipo P.

 Adicin de un elemento de impureza a un semiconductor puro donde los electrones libres y huecos se encuentran en igual nmero y son producidos nicamente por la agitacin trmica para as cambiar su conductividad. Las impurezas donadas o pentavalentes aumentan el nmero de electrones libres

SEMICONDUCTORES DOPADOS

Si aplicamos una tensin al cristal de silicio, el positivo de la pila intentar atraer los electrones y el negativo los huecos favoreciendo as la aparicin de una corriente a travs del circuito

SEMICONDUCTORES DOPADOS
Dependiendo del tipo de impureza con el que se dope al semiconductor puro o intrnseco aparecen dos clases de semiconductores. Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

SEMICONDUCTOR TIPO P
Se llama as al material que tiene tomos de impurezas que permiten la formacin de huecos sin que aparezcan electrones asociados a los mismos, como ocurre al romperse una ligadura. Los tomos de este tipo se llaman aceptores, ya que "aceptan" o toman un electrn. Suelen ser de valencia tres, como el Aluminio, el Indio o el Galio. Nuevamente, el tomo introducido es neutro, por lo que no modificar la neutralidad elctrica del cristal, pero debido a que solo tiene tres electrones en su ltima capa de valencia, aparecer una ligadura rota, que tender a tomar electrones de los tomos prximos, generando finalmente ms huecos que electrones, por lo que los primeros sern los portadores mayoritarios y los segundos los minoritarios.

SEMICONDUCTOR TIPO P

El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Boro (P dopaje). En el caso del boro le falta un electrn y, por tanto, es donado un hueco de electrn.

SEMICONDUCTOR TIPO N
Se llama material tipo N al que posee tomos de impurezas que permiten la aparicin de electrones sin huecos asociados a los mismos. Los tomos de este tipo se llaman donantes ya que "donan" o entregan electrones. Suelen ser de valencia cinco, como el Arsnico y el Fsforo. De esta forma, no se ha desbalanceado la neutralidad elctrica, ya que el tomo introducido al semiconductor es neutro, pero posee un electrn no ligado, a diferencia de los tomos que conforman la estructura original, por lo que la energa necesaria para separar lo del tomo ser menor que la necesitada para romper una ligadura en el cristal de silicio (o del semiconductor original). Cuando se aade el material dopante aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material donante ya que da algunos de sus electrones.

SEMICONDUCTOR TIPO N

El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Fsforo (dopaje N). En el caso del Fsforo, se dona un electrn.

FUENTES DE INFORMACIN
Electrnicas:
http://www.uv.es/candid/docencia/ed_tema-02.pdf http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconduct ores) http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/dop ado.asp