1

Captulo 1

Introduo



1.1 Consideraes iniciais sobre MEMS

A microengenharia a rea da engenharia que abrange as tecnologias de
construo de estruturas tridimensionais, tais como dispositivos pticos, fludicos e
eletromecnicos miniaturizados de alto desempenho [1]. Esses dispositivos so, em
geral, funcionalmente sofisticados e tm muitas vezes tecnologia de fabricao
baseada na tecnologia de Circuitos Integrados ou IC Integrated Circuits. A rea
mais conhecida da microengenharia a microeletrnica.

Microssistemas so um conjunto de ferramentas de projeto e fabricao que
com preciso compem mquinas e formam estruturas e outros elementos numa
escala mecnica abaixo da percepo visual humana a microescala.

Nos ltimos anos, do ponto de vista de sistemas, foram desenvolvidos
sistemas pequenos, distribudos e de baixo consumo baixa potncia; Quando antes
havia uma maior quantidade de sistemas grandes, centralizados e de alto consumo
de potncia, provavelmente pela falta da tecnologia necessria para
desenvolvimento de sistemas mais eficientes. Do ponto de vista tecnolgico,
enfatiza-se sistemas integrveis e tolerveis, que permitem um grau mais alto de
funcionalidade para Rdio Freqncia (RF) por unidade de volume, ao mesmo
tempo em que mantm um alto nvel de desempenho [2].

Buscando uma maior capacidade de integrao em Circuitos Integrados
Monolticos de Microondas ou MMIC - Monolitic Microwave Integrated Circuits e em
Circuitos integrados para Rdio Freqncia ou RFIC - Radio Frequency Integrated


2
Circuits, incorporou-se a tecnologia de Sistemas Microeletromecnicos ou MEMS -
MicroElectroMechanical Systems no desenvolvimento desses sistemas [3]. MEMS
so a integrao de elementos mecnicos, sensores, atuadores e microeletrnica
em um substrato comum atravs de tcnicas de fabricao de circuitos integrados.

importante a distino entre componentes MEMS de componentes
miniaturizados: MEMS so componentes miniaturizados que necessitam de
atuadores eletromecnicos. Assim, nem todos os componentes miniaturizados so
MEMS, pois nem todos componentes miniaturizados possuem atuadores [4].

Atuadores realizam a execuo ou transmisso de movimentos, foras e
trabalhos mecnicos para um equipamento ou sistema na sua vizinhana em
resposta aplicao de uma tenso ou corrente [5].

O principal atuador eletromecnico utilizado em dispositivos MEMS o
Eletrosttico, pois um dos processos de fabricao de dispositivos MEMS mais
utilizados, a microusinagem de superfcie, do ingls Surface Micromachining, produz
atuadores eletrostticos com grande facilidade e compatvel com os processos de
fabricao de circuitos integrados. Isso foi importante para motivar o
desenvolvimento de microsistemas complexos que empregam atuao eletrosttica.
Alm disso, MEMS com atuadores eletrostticos so mais fceis de projetar,
respondem mais rapidamente a uma excitao e consomem pouca potncia. Outros
atuadores importantes para MEMS so o piezoeltrico, o magnetosttico e o
eletrotrmico.

Uma possvel classificao da micro-tecnologia a seguinte:



3


Figura 1.1 Classificao da micro-tecnologia

O processo de fabricao de MEMS utiliza-se de vrias tcnicas de
fabricao de circuitos integrados e de alguns processos de fabricao especficos
como Bulk Micro-Machining, processo no qual h corroso profunda no substrato. As
dimenses desses componentes e sistemas podem variar de micrometros a
milmetros. MEMS podem detectar, controlar e atuar em microescala, funcionando
individualmente ou em conjunto para a gerao de efeitos em escala macroscpica.

A terminologia empregada para MEMS ainda no est padronizada. O termo
MEMS mais utilizado nos Estados Unidos. Na Europa empregado o termo MST -
MicroSystems Technology em lugar de MEMS. J na sia, o termo Micromachined
Techonology, Tecnologia de Microusinagem em portugus, o mais difundido.

A falta de um produto ou uma famlia de produtos de alto volume de produo
empregando MEMS e a existncia de requisitos tcnicos especficos para cada
aplicao resultou no surgimento de mltiplos processos de fabricao e
encapsulamento [6]. Alm disso, o interesse atual da indstria ainda so processos
seqenciais que resultem em estruturas desejadas com preciso e manufaturveis a
um custo aceitvel. Assim, o processo de fabricao envolve uma apropriada
combinao de fatores tcnicos, experincia na manufatura e viso de negcios.

Mecnica
ptica Eletrnica
MEMS
ptica
Mecnica
ptica
Eletrnica
MOEMS


4


1.2 Aplicaes de MEMS e Mercado

A microengenharia no somente agrega valor aos produtos conhecidos, mas
tambm permite o desenvolvimento de novos produtos e mercados. O fabricante ir
justificar a escolha de uma tecnologia com base tanto no valor adicionado, como no
aumento de produtividade e competitividade, o que resultar em vendas e lucros.

Fatores importantes neste contexto so:
Uso de processos para integrao microeletrnica, buscando aumento de
desempenho e reduo de custo. Ex. Fabricao de microestruturas no
prprio chip para melhor dissipao de calor.
Produo de sensores que aproveitam as caractersticas eletromecnicas do
silcio. Ex. Sensores de temperatura, presso, acelerao e radiao.
Produo de dispositivos mecnicos menores, mais leves, mais rpidos que
seus dispositivos convencionais. Ex. Micromotores.
Processos de fabricao em escala de componentes miniaturizados, a baixo
custo.

MEMS tm encontrado aplicaes em diversas reas como, por exemplo, em:
Sistemas automotivos:
o Sensores inerciais de acelerao;
o Sensores inerciais de coliso e airbag;
o Sensores inerciais para controle de freios;
o Sensores inerciais para controle da suspenso;
o Sensores de presso para o compressor do ar condicionado;
o Sensores de presso para o tanque de combustvel;
o Giroscpios;
Sistemas Biomdicos:
o Equipamentos para estmulo muscular e de rgos;
o Monitoramento da presso sangunea (como marca-passos);
o Sensores biomdicos;


5
o Biochips para deteco de agentes qumicos e biolgicos nocivos;
Aplicaes militares:
o Equipamentos para armazenamento de dados com baixo consumo
de potncia;
o Processamento de sinais eletromecnicos para comunicao sem
fio;
o Componentes microoptoeletromecnicos, ou MOEMS -
MicroOptoElectroMechanical Systems, integrados para identificar
sistemas amigos ou inimigos;
o Superfcies ativas e conformveis para controle da aerodinmica de
avies;
Aplicaes em escritrios:
o Cabeas de impresso de impressoras jato de tinta [7];
Aplicaes pticas
o Chaves e redes de chaveamento pticas;
o Dispositivos com Microespelho Digital ou DMD - Digital Micromirror
Device;
Aplicaes em RF
o Antenas reconfigurveis;
o Filtros para telefonia mvel;
o Ressonadores de Onda Acstica de Substrato ou BAW - Bulk
Acoustic Wave;
o Equipamentos de Teste Automatizado de RF
o Defasadores.

A estrutura do mercado de RF MEMS mostrada a ser seguir [8]:










6













Figura 1.2 Estrutura do mercado de MEMS
As pequenas empresas Start-up realizam um papel essencial na
comercializao de MEMS para RF, porque so elas, na maioria dos casos, as
primeiras empresas a inserir novos produtos no mercado.

Em relao ao mercado de MEMS, segundo a WTC - Wicht Technologie
Consulting [9], estima-se que ele ser da ordem US$ 25 bilhes, em 2009, muito
frente dos US$ 12 bilhes verificados em 2004, o que representa um crescimento
anual mdio de 16% [9]. Essa evoluo justifica plenamente a realizao de maiores
pesquisas em MEMS.

Especificamente para aplicaes de MEMS em RF, as projees da mesma
consultoria para o faturamento de MEMS RF por aplicaes so apresentadas na
Figura 1.3.
Associaes Nacionais e Internacionais
DARPA (EUA), 5 e 6 FP Europeu, Programa nacional asitico no Japo, Coria do Sul e Singapura
P&D
Acadmica
Integradores
E
Usurios
Manufaturadores de RF MEMS
Start-ups
RF-MEMS
Start-ups
MEMS
Grandes
manufaturadores
de IC e MEMS
Integradores com
desenvolvimento
de MEMS prprio
Defesa e
Aeroespao
Automotivos
Manufaturadores
de equipamentos
para RF
Servios
MEMS CAD
& IP
MEMS
foundri es
RF + Semicond
foundri es
Encapsulamento
de MEMS
RF CAD & EDA
Associaes Nacionais e Internacionais
DARPA (EUA), 5 e 6 FP Europeu, Programa nacional asitico no Japo, Coria do Sul e Singapura
P&D
Acadmica
Integradores
E
Usurios
Manufaturadores de RF MEMS
Start-ups
RF-MEMS
Start-ups
MEMS
Grandes
manufaturadores
de IC e MEMS
Integradores com
desenvolvimento
de MEMS prprio
Defesa e
Aeroespao
Automotivos
Manufaturadores
de equipamentos
para RF
Servios
MEMS CAD
& IP
MEMS
foundri es
RF + Semicond
foundri es
Encapsulamento
de MEMS
RF CAD & EDA


7

Figura 1.3 Perspectivas de faturamento para MEMS de RF por aplicao [9]

1.3 Fabricantes de MEMS
Apesar do primeiro artigo sobre MEMS de RF ter sido publicado em 1979, a
indstria de MEMS de RF ainda muito recente. O interesse da Agncia de Projetos
de pesquisa Avanada sobre Defesa dos Estados Unidos, a DARPA - Defense
Avanced Research Projects Agency, em radares militares em meados da dcada de
90 incentivou a pesquisa e o desenvolvimento e, em 2001, a Agilent iniciou a
comercializao do primeiro componente MEMS para RF com alto volume de
produo; um filtro baseado Onda Acstica Volumtrica (BAW). Atualmente a Agilent
domina o mercado dos dispositivos de Onda Acstica Volumtrica (BAW). A
segunda empresa nesse mercado a Infineon. Desde o final de 2005, diversas
outras empresas cada vez mais esto prximas de comercializar BAW, incluindo a
EPCOS e a Fujitsu. Vale a pena destacar outras duas empresas, a Skyworks e a
Triquint, que recentemente adquiriram a tecnologia BAW da Agere e da TFR,
respectivamente.
Em 2005, cerca de 60 empresas estavam desenvolvendo ou tinham
desenvolvido componentes MEMS para RF e dezenas dessas empresas j entraram
na fase de comercializao desses componentes.
2004 2005 2006 2007 2008 2009


8
Alguns fabricantes de MEMS so os seguintes:
Advantest
Akistica, Inc.
Agere
Agilent
Applied MEMS, Inc.
Coherix Corporation
Conventor, Inc.
EV Group US, Inc.
Honeywell
Fujitsu
Infineon
Intel Corporation
JDS Uniphase Corporation
Magfusion
Matsushita
MEMSCAP, Inc.
MEMX
MicroCHIPs
Motorola
Multitest Electronic System
Philips
Radant MEMS
Raytheon (Texas Instrument)
Rockwell
Skywords
Samsung Amrica
Teravicta
TFR
Triquint
Verimetra, Inc.
Xerox Corporation


9
X-COM
Wispry.
A curva de adoo de novas tecnologias, desenvolvida por analistas da
empresa de consultoria Gartner e originalmente denominada Hype Cycle, est
mostrada na Figura 1.4. Essa curva a representao grfica da adoo,
maturidade e aplicaes empresarias para um tecnologia especfica e pode ser
perfeitamente aplicada ao desenvolvimento de chaves MEMS. Essas chaves
alcanaram o pico de visibilidade [10], tambm chamado Pico de Expectativas
Infladas, conforme Figura 1.4, em 2003 quando os primeiros lotes de produo
foram anunciados pela Magfusion e Teravicta.

Infelizmente, estas duas pequenas empresas start-up no conseguiram
realizar um volume de produo suficiente para suprir a demanda que naquele
momento se estabeleceu pelo mercado. Um grande nmero de usurios potenciais
no recebeu seus lotes e ficaram frustrados. Alm disso, os consumidores
verificaram que o desempenho das chaves no correspondia s especificaes da
chave. Assim, as chaves passaram pelo Vale de Desiluso, indicado na Figura 1.4..

No final de 2005, a indstria e tecnologia de chaves MEMS j estavam mais
maduras. As empresas start-up mudaram completamente suas equipes gerenciais e
de vendas e adotaram estratgias de marketing mais realistas e modestas. Algumas
empresas como a Wispry e a Teravicta conseguiram bons financiamentos
governamentais; outras empresas como a X-COM e a Matsushita comearam a
comercializar seus primeiros lotes e as primeiras aplicaes comerciais
implementadas com chaves MEMS, como por exemplo um sistema de teste
automtico desenvolvido pela Advantest, comearam a surgir no mercado. Alm
disso, o Departamento de Defesa Americano, DoD Department of Defense,
anunciou que a chave MEMS da Radant MEMS passou a marca de 200 bilhes de
ciclos, minimizando questionamentos sobre a confiabilidade de chaves MEMS.
Melhorias em tcnicas de baixo custo para encapsulamento e integrao com CMOS,
Complematary Metal-Oxide Semiconductor, foram anunciadas recentemente.

Aps isso, foram anunciados aumentos de produo de chaves MEMS para


10
telefones celulares pela Philips e pela Wispry e incrementou-se a expectativa que,
desta vez, muitas empresas atinjam um bom nvel de produo em srie, e que
poder fazer com que essas chaves entrem na ltima fase, o Plat de
Produtividade da Figura 1.4., em pouco tempo.


Figura 1.4 Curva de adoo de novas tecnologias (Hype Cycle)

1.4 Pesquisas em MEMS

As seguintes universidades tm importantes grupos de pesquisa em MEMS:
University of Michigan;
Georgia Institute of Technology;
The University of Texas Arlington;
University of Colorado of Boulder;
University of New Mxico;
Carnegie Mellon University;
University of Oslo;
Imperial College London.

Na Europa existe inclusive uma rede de excelncia em MEMS de RF
denominada AMICOM (The European Network of Excellence on RF MEMS and RF
Microsystems), que rene pesquisadores de mais de 20 importantes universidades
1. Incio da
tecnologia
2. Pico de
Expectativas infladas
3. Vale de Desiluso
5. Plat de Produtividade
Tempo
4. Inclinao por
esclarecimento
Visibili-
dade


11
europias.

No Brasil, existem as pesquisa no Departamento de Engenharia Mecnica e
no Departamento de Engenharia Eltrica na Escola Politcnica da Universidade de
So Paulo, na Faculdade de Engenharia Eltrica e no Centro de Componentes
Semicondutores da Unicamp, no Departamento de Engenharia Eltrica da
Universidade Federal da Bahia, entre outros rgos de pesquisa.

As pesquisas sobre MEMS de RF no so custeadas de forma uniforme pelas
principais fontes de recursos mundiais. Nos Estados Unidos, grande parte do
financiamento direcionado para desenvolvimentos com fins militares. O
Departamento de Defesa Americano ou DoD financia o desenvolvimento de
componentes MEMS de RF desde meados da dcada de 90. At o incio do ano
2000, o foco do DoD e da indstria estava no desenvolvimento de componentes
como chaves, capacitores sintonizveis para filtros sintonizveis e deslocadores de
fase. Atualmente, o foco est na melhoria da confiabilidade e das tcnicas de
encapsulamento para MEMS em RF como parte do programa de melhorias de
MEMS para RF, que investiu mais de US$ 25 milhes entre 2003 e 2005, e o
programa HERMIT - Harsh Enviroment Robust Micromechanical Techonology que
investiu US$ 21 milhes no mesmo perodo.

Na Europa e na sia, o volume de financiamento menor. Na Europa, os
financiamentos pblicos comearam apenas em 1999 e os financiamentos para
aplicaes comerciais diretos ainda dominam. Isto ocorre devido a forte atuao das
companhias de telefonia celular europias (como a Nokia, Siemens e Sony-Ericsson)
e tambm ao importante papel representado pela Comisso Europia que enfoca o
desenvolvimento para aplicaes comerciais diretas. Aplicaes espaciais tambm
se beneficiam de financiamentos oriundos da Agncia Espacial Europia.

Similarmente, o financiamento nos mercados asiticos destina-se
principalmente a aplicaes comerciais diretamente. Entretanto, nesses pases os
programas de MEMS de RF incluem iniciativas tanto de Eletrnica como de
Nanotecnologia. interessante notar o alto nvel de financiamento pblico na
Coria do Sul em programas de 5 anos objetivando aplicaes em telefones


12
celulares. Os crescimentos rpidos e espetaculares da LG e da Samsung esto
fortemente relacionados com esse investimento nacional pblico.

1.5 Organizao da Dissertao

Nesta dissertao, os principais conceitos de MEMS, suas aplicaes,
processos de fabricao, componentes e sistemas so abordados. O objetivo desta
dissertao o estudo detalhado de chaves MEMS para aplicaes em RF, que
apresentam bom comportamento em altas freqncias e com potencial de melhoria
em sua banda de operao.

Em particular, aprofundou-se o estudo para o caso de uma chave MEMS de
membrana capacitiva paralela sobre um guia de onda coplanar ou CPW Coplanar
Waveguide. O objetivo foi o de ampliar sua banda de operao, mantendo-se outras
especificaes inalteradas.

Partindo-se de uma chave com banda de operao nula para critrios de
perda de retorno e isolao mnimas iguais a 20 dB, com alterao na geometria da
chave foi possvel obter-se uma banda de 28 GHz e posteriormente ampli-la para
31 GHz, praticamente sem alterao nas demais caractersticas eltricas.

A dissertao est dividida em seis captulos, a saber:

Captulo 1: Introduo sobre MEMS, abordando suas principais aplicaes, a
situao do mercado atual, projeo para os prximos anos, fabricantes e
universidades pesquisadoras e as fontes de financiamento da pesquisa sobre
MEMS de RF.

Captulo 2: Apresentao de uma classificao de sistemas eletromecnicos,
diferenciando MEMS, e apresentao de um histrico sobre MEMS, materiais
utilizados para sua confeco e seus processos de fabricao mais comuns.



13
Captulo 3: Abordagem dos requisitos de sistemas de RF, componentes
MEMS de RF e exemplos de sistemas com base na tecnologia MEMS,
destacando suas vantagens em relao a sistemas que utilizem outra
tecnologia.

Captulo 4: Abordagem especfica sobre chaves MEMS, apresentando suas
aplicaes, suas vantagens e desvantagens frente a chaves de outras
tecnologias, seus diferentes tipos de chaves e seus aspectos tanto mecnicos
quanto eltricos. Alm disso, ilustra diferentes chaves j construdas.

Captulo 5: Introduo sobre o software utilizado, discusso sobre a banda de
operao de chaves paralelas e do conceito de isolao e perda de retorno
mnima. Posteriormente so apresentados resultados de simulaes obtidos
para chaves MEMS paralelas capacitivas sobre CPW que focaram no
aumento da banda de uma chave encontrada na literatura, que inicialmente
era nula, para um critrio de 20 dB de perda de retorno e isolao mnimas, e
com otimizaes da configurao geomtrica da chave chegou a uma banda
de 31 GHz.

Captulo 6: Relato de concluses obtidas com o trabalho e indicao de
perspectivas para futuros trabalhos.



14




Captulo 2

MEMS

MEMS e NEMS tm sido objeto de muitos estudos e aplicaes. Este captulo,
na seo 2.1, apresenta e discute uma classificao para sistemas eletromecnicos.
A seo 2.2 apresenta um histrico de sistemas MEMS e NEMS. A seo 2.3
apresenta os materiais usados em MEMS e a seo 2.4 trata de mtodos de
fabricao de MEMS, detalhando esse processo para uma chave MEMS paralela.

2.1 Classificao de Sistemas Eletromecnicos

Uma possvel classificao de sistemas eletromecnicos [11] a seguinte
Figura 2.1 Classificao de sistemas eletromecnicos
MEMS so definidos como sistemas microeletromecnicos que envolvem
uma ou mais micro-estruturas, que permitem a realizao de um alto nvel de
integrao resultando em componentes de funes mltiplas. Nesse processo, a
relao custo-benefcio de fabricao de componentes otimizada com
conseqente reduo de custos, inclusive de manuteno [6]. Por exemplo,
possvel fabricar em um mesmo chip um micro-sensor, um micro-atuador e um
dispositivo eletrnico.

Sistemas
Eletromecnicos
Sistemas
MicroEletromecnicos
(MEMS)
Sistemas
Eletromecnicos
Convencionais
Sistemas
NanoEletromecnicos
(NEMS)


15
Sistemas Nanoeletromecnicos ou NEMS - Nanoelectromechanical Systems
so sistemas eletromecnicos, cujos componentes tm dimenses da ordem de 10
-
10
m (tamanho de molculas) a 10
-7
m.

A convergncia de NEMS e MEMS denominada NanoMEMS [12] e foi
trouxe avanos na habilidade de fabricar dispositivos eltricos e mecnicos na
escala de nanmetros.

As teorias fundamentais para o estudo de sistemas eletromecnicos
convencionais e MEMS so a Mecnica clssica Newtoniana e o Eletromagnetismo.
J para os NEMS utiliza-se a teoria quntica e a Nanoeletromecnica para descrever
suas caractersticas [13].

MEMS e NEMS integram diferentes estruturas de componentes e
subsistemas, que podem agregar:
Milhares de ns com sensores ou atuadores de alto desempenho e outras
estruturas controladas por circuitos integrados ou antenas;
Redes de comunicao de alto desempenho;
Bancos de dados heterogneos e distribudos interconectados;
Processadores de alto desempenho e multiprocessadores.

2.2 Histrico de MEMS

Parte da literatura atribui as primeiras origens de MEMS, a uma palestra,
realizada em 26 de Dezembro de 1959 no Instituto de Tecnologia da Califrnia, na
qual Richard Feynman sugeriu que, em um futuro no muito distante, os
engenheiros poderiam utilizar tomos e posicion-los como quisessem, desde que
no fossem violadas as leis da natureza. Com isso, materiais com propriedades
inteiramente novas, poderiam ser criados. Esta palestra, intitulada Theres Plenty of
Room at the Bottom (H Muito Espao l Embaixo) , hoje, tomada como o marco
inicial da nanotecnologia. A idia de Feynman que no precisamos aceitar os
materiais como a natureza nos prov como sendo os nicos possveis no universo.



16
O termo nanotecnologia foi primeiramente utilizado por Norio Taniguchi em
1974 em seu artigo On the Basic Concept of Nanotechnology [13]. Nas dcadas
de 80 e 90 a nanoengenharia e nanofabricao foram popularizadas por Eric Drexler
atravs do Foresight Institute.

Uma das primeiras aplicaes de MEMS foi a fabricao de um transistor
ressonante de efeito de campo, que consiste basicamente de uma alavanca de
chapa metal suspensa sobre a regio do canal. Esse transistor do tipo MOS foi
projetado pela Westinghouse em 1967 [14]. O produto provou na poca ser
principalmente uma curiosidade tcnica, mas sinalizou o comeo do que seria uma
tecnologia a ser encontrada em muitas aplicaes. No incio dos anos 70, os
fabricantes usavam pastilhas de silcio gravadas para produzir sensores de presso.

Na dcada de 70, foi fabricada na IBM a primeira chave MEMS, uma chave
de membrana capacitiva atuada eletrostaticamente e que foi desenvolvida por K. E.
Petersen [15]. No comeo dos anos 80 foram criados atuadores de poli-silcio de
superfcie microestruturada que so usados nas cabeas de disco de impressoras.
No final da dcada de 80, o potencial da tecnologia MEMS foi aproveitado e utilizado
em projetos e implementaes que estavam em andamento nas indstrias de
produtos microeletrnicos e biomdicos.

Nos anos 90, a tecnologia MEMS teve grande ateno por parte do governo
norte-americano, e agncias de fomento relevantes deram suporte em larga escala
para projetos envolvendo MEMS. Por exemplo, a rea de Pesquisa Cientfica da
Fora Area Americana ou AFOSR - Air Force Office of Scientific Research
colaborou em pesquisas bsicas sobre materiais, enquanto a Agncia de Projetos
de Pesquisa Avanada de Defesa ou DARPA - Defense Advanced Research
Projects Agency iniciou um servio de foundries em 1993. Adicionalmente, o NIST -
National Institute of Standard and Technology comeou a patrocinar foundries
comerciais para dispositivos MEMS e CMOS.

As pesquisas aplicadas em MEMS e NEMS foram afetadas drasticamente
pelo surgimento da computao de alto desempenho, pois a anlise, modelagem e
simulao de MEMS e NEMS requerem a aplicao de teorias complexas que s


17
so exeqveis em computadores de alto poder de processamento, como por a
simulao de desempenho de estruturas tridimensionais.

Larry Larson, do laboratrio de pesquisa Hudges em Malibu na Califrnia,
desenvolveu a primeira chave MEMS especialmente projetada para freqncias de
microondas em 1991, com apoio financeiro da DARPA [16]. Entretanto, como
comum em tecnologias novas, o projeto estava longe de sua maturidade,
apresentava baixo rendimento do processo de fabricao e quase nenhuma
confiabilidade. Mesmo assim, o projeto demonstrou um excelente desempenho at
50 GHz, muito melhor que o alcanvel com dispositivos de GaAs da poca.

Os resultados iniciais de Larson foram to extraordinrios que impulsionaram
o interesse de diversos grupos no governo americano. Por volta de 1995, tanto o
centro cientfico da Rockwell quanto a Texas Instrument desenvolveram chaves
MEMS com desempenho sem precedentes. A chave da Rockwell era do tipo contato
metlico, adequada para aplicao de DC a 4 GHz, enquanto que a chave da Texas
Instrument era capacitiva e adequada para freqncia entre 5 e 20 GHz.

No final dos anos 90 e no incio do sculo XXI, dispositivos MEMS estavam
em escala considervel de produo em algumas regies do mundo. Fabricantes
comerciais de semicondutores dedicados produo MEMS foram criados ou
planejados por empresas como Bosch e Philips Semicondutores. O interesse do
governo americano continuava, com significativo apoio pesquisa atravs de
agncias de fomento como a DARPA.

Entretanto, foi somente nos ltimos anos que surgiu a tendncia de adotar
sistemas microeletromecnicos em aplicaes de RF e microondas [5], alm de
antenas e outros sistemas.







18
2.3 Materiais para confeco de MEMS

Assim como em circuitos integrados, o silcio um material extremamente
utilizado para MEMS. Entretanto, muitos outros materiais como xidos de silcio,
nitretos de silcio, polmeros, metais, semicondutores compostos feitos de elemento
dos grupos III e V tambm so empregados com esse propsito.

2.3.1. Escolha do Substrato

O silcio um dos poucos materiais em que a manufatura em substratos
cristalinos nicos vivel economicamente. Ele foi muito estudado nas duas ltimas
dcadas e uma enorme riqueza de informao foi acumulada sobre suas
caractersticas eltricas, mecnicas e pticas, as quais possibilitaram a explorao
de novas reas de aplicao a partir da manufatura de circuitos integrados.

Assim, no incio das pesquisas em chaves MEMS, utilizava-se o silcio como
substrato, principalmente pelo seu uso extensivo na eletrnica. Com o
desenvolvimento de algumas chaves, verificou-se algumas dificuldades tcnicas
nessas chaves tais como alta capacitncia parasita DC, baixa tenso de ruptura e
altas corrente de fuga.

A deposio de ouro para a realizao de contatos metlicos produz uma
regio de aplicao de carga na rea do silcio em contato com o metal. Assim, cria-
se uma capacitncia parasita DC, que comparvel com a capacitncia da chave,
tornado medies DC mais difceis. Adicionalmente, em algumas medies DC
realizadas a polarizao de chaves MEMS com substrato de silcio ocorreu para
tenses maiores que 60 V, e frequentemente induziram a ruptura do substrato com
conseqente destruio do dispositivo. Mesmo antes da ruptura, nas ocasies em
que foi possvel medir, verificou-se uma corrente de fuga relativamente alta atravs
do substrato.

Visando a soluo dessas dificuldades, foram testadas amostras com camada
de SiN e SiO
2
depositadas na parte superior do Silcio. A tenso de ruptura foi


19
significativamente melhorada, mas a capacitncia parasita no foi completamente
eliminada. Safira (Al
2
O
3
), silcio de alta resistividade e vidro quando usados como
substrato apresentam, por outro lado, caractersticas mais bem apropriadas como
alta tenso de ruptura, inexistncia de capacitncia parasita e baixa corrente de
fuga. Em comparao com a safira e o silcio de alta resistividade, o substrato de
vidro disponvel em grande quantidade com custo bastante baixo, sendo uma boa
opo para fabricao de chaves MEMS.

Outros bons substratos, como demonstrado recentemente por [17], so os
Polmeros de Cristal Lquido ou LCP Liquid Crystal Polymer. Um LCP um
material cuja fora mecnica, aderncia ao cobre e via metalizao/perfurao
(drilling) foram otimizadas recentemente para seu uso em circuitos de microondas.

Um LCP quase-hermtico, tem boas propriedades eltricas (
r
2,9 3,0,
tan = 0,002 0,003), flexvel, reciclvel e tem excelente resistncia qumica.
Demonstrou-se que as perdas de chaves com substrato LCP so muito menores que
as de chaves com substrato de silcio, resultado em um melhor desempenho a baixo
custo.

Os xidos de Silcio (SiO
2
, SiO, vidro de silcio) so bastante usados por suas
excelentes propriedades trmicas e eltricas como isolante. Esses materiais tambm
so empregados como camadas nas sacrificiais na manufatura de MEMS, pois
podem ser facilmente corrodos com cido fluordrico (HF).

J o Arseneto de Glio (GaAs) e compostos dos grupos III e V como o
Fosfeto de ndio (InP) e o Nitreto de Glio (GaN), alm de serem materiais
alternativos ao substrato de silcio, so empregados em lasers e equipamentos
pticos.

2.3.2. Escolha do Filme Fino

Consideram-se filmes finos os que tm espessura entre alguns nanmetros a
100 micrmetros e a escolha de metais para esses filmes depende essencialmente
da natureza da aplicao final. Para interconexes eltricas bsicas, o alumnio (Al)


20
o metal mais comum, mas sua utilizao fica comprometida em ambientes
corrosivos e para temperaturas acima de 300C. Para temperaturas mais elevadas e
ambientes agressivos, excelentes substitutos so o Ouro (Au), o Titnio (Ti) e o
Tungstnio (W). Os nitretos de silcios (Si
3
N
4
) so amplamente empregados em
filmes finos e so efetivos como barreiras contra a difuso de ons.

Um dos objetivos da fabricao de chaves MEMS, a serem vistos mais
adiante, a diminuio da tenso de acionamento (pull-down). Para isso deve-se
escolher materiais de baixo estresse residual para a ponte metlica com condies
de depsitos metlicos apropriados. Nquel (Ni) demonstrou ter um estresse residual
alto. Titnio oxida rapidamente, podendo ter suas propriedades mecnicas e
eltricas da chave. Alm disso, a deposio de Titnio instvel e tende a gerar
estresse residual no metal.

J polmeros sero utilizados como fotoresiste ou filme dieltrico no processo
de corroso, sendo a espessura varivel de alguns nanmetros a centenas de micra.

2.4 Processos de Fabricao de MEMS

A microfabricao, praticada na microeletrnica e em algumas reas de
MEMS, baseada em estruturas planares. Assim, a construo de dispositivos
eletrnicos e de alguns componentes MEMS ocorre sobre substratos que esto sob
a forma inicial de pastilhas planas.

Muitos dos processos de fabricao de MEMS so originados das tecnologias
empregadas na indstria de circuitos integrados, aproveitando os imensos
investimentos j anteriormente realizados no desenvolvimento de processos de
fabricao de circuitos integrados. A diferena entre a tecnologia MEMS e a
microusinagem convencional que na primeira os processos de fabricao so
paralelos e resultam em at dezenas de milhares de componentes idnticos
simultaneamente, com dimenses da ordem de micra, enquanto que na segunda, os
processos so em srie e as dimenses so de pelo menos uma ordem de grandeza
maior.


21

Entretanto a falta de um produto ou de uma famlia de produtos de alto
volume de produo feitos com MEMS e requisitos tcnicos especficos para cada
aplicao resultaram no surgimento de mltiplos processos de fabricao e
encapsulamento.

De uma forma genrica, as etapas de fabricao em Microeletrnica so:
Deposio de filmes finos sobre um substrato;
Realizao de litografia;
Gravao do material;


As tecnologias de deposio de filmes finos no caso para MEMS podem ser
classificadas em 2 grupos:

1. Deposies por reaes qumicas:

Deposio Qumica por Vapor ou CVD Chemical Vapor Deposition
o Forma-se um filme fino slido e no voltil sobre o substrato por meio
da reao qumica de bases no estado gasoso que contm os
elementos do material a ser depositado. Pode ser dividida em CVD em
presso atmosfrica ou APCVD Atmospheric Pressure CVD e CVD
em baixa presso ou LPCVD Low Pressure CVD.

o As tcnicas de LPCVD se destacam por produzirem filmes de silcio
policristalino com baixa tenso residual e so amplamente utilizados
na fabricao de MEMS. Uma tcnica de LPCVD o CVD potenciado
por plasma (PECVD), no qual usado um sinal RF para criar um
plasma na cmara de deposio. Este plasma transfere energia aos
gases reagentes, catalisando a reao qumica de formao do filme e
permitindo que substrato se mantenha com uma temperatura baixa.





22
Eletrodeposio

o um processo no qual ons metlicos numa soluo so depositados
sobre o substrato. O controle do processo envolve a aplicao de uma
corrente eltrica.

Oxidao trmica

o Este processo gera um estresse compressivo no filme de dixido de
silcio, que ocorre por duas razes. Primeiramente, molculas de
dixido de silcio ocupam um volume maior em relao a molculas de
silcio e h um descasamento entre os coeficientes trmicos de
expanso do silcio e do dixido de silcio. Como resultado, filmes de
xidos causam curvamento do substrato situado abaixo.
Adicionalmente, membranas e alavancas suspensas feitas com xido
de silcio tendem a se encaracolar devido variao do estresse
atravs da espessura do filme.

2. Deposies por reaes fsicas:

Deposio Fsica por vapor ou PVD - Physical Vapor Deposition

o Este processo cobre 2 grandes mtodos: Evaporao, utilizada
principalmente para metais, e Deposio Andica, na qual tomos
quimicamente inertes como Argnio so ionizados por uma descarga
trmica.

Evaporao

o Coloca-se o material a ser depositado e o substrato em uma cmara de
vcuo. Ao aquecer o material visando sua evaporao, ocorre a
sublimao do mesmo sobre o substrato, originando o filme fino.



23
Deposio Andica ou Sputter Deposition

o Forma-se um plasma entre material disposto do ctodo e o substrato
disposto no anodo. Os ons formadores de plasma so acelerados em
direo ao ctodo. Ao atingir o material a ser depositado, ocorre a
liberao de tomos do material que se depositam sobre o substrato.

A Litografia um processo fotogrfico para impresso de imagens sobre uma
superfcie polimrica ou fotoresiste que subseqentemente utilizada como mscara
de proteo contra a corroso.

A tcnica litogrfica mais empregada na fabricao de MEMS a fotolitografia.
A evoluo das tcnicas de litografia foi uma das responsveis pelo desenvolvimento
da microfabricao, pois permitiu a gerao de padres em escala micromtrica. A
Litografia envolve trs passos seqenciais
Aplicao do fotoresiste que uma camada de emulso fotosensvel;
Exposio ptica para gravar uma imagem na mscara sobre o fotoresiste;
Imerso em uma soluo aquosa para dissolver o fotoresiste e gerar
visivelmente a imagem latente.

Na corroso, so removidos o filme fino e o substrato nas regies no
protegidas pela mscara de proteo. Estas etapas so repetidas at o acabamento
da microestrutura [18]. As tcnicas de gravao podem ser classificadas como
midas ou secas e isotrpicas e anisotrpicas. Em corroses midas, ocorre a
imerso de uma lmina em uma soluo corrosiva (cida ou bsica). Sendo assim,
as regies no protegidas pelo fotoresiste so atacadas e o padro do filme protetor
transferido para o filme que sofre o ataque. J em corroses secas, isso ocorre por
meio da formao de partculas reativas dentro do plasma.

Uma corroso anisotrpica se caracteriza pela existncia de uma direo
preferencial na qual a taxa de corroso maior. J uma corroso isotrpica forma
uma cavidade circular. A corroso de filmes finos de silcio relativamente mais fcil
que a corroso de silcio macio.



24
Exemplos de processos de gravao so:
Corroso por ons Reativos ou RIE Reactive on Etching um tipo
de corroso seca e anisotrpica;
Corroso profunda por ons Reativos ou DRIE Deep RIE,, um sub-
tipo do RIE e tambm conhecido como Bosch Process;
Bulk micromachining, Utiliza solventes alcalinos para dissolver o silcio
exposto anteriormente ao processo litogrfico.

Existe tambm o processo de fabricao LIGA do alemo Lithographie,
Galvanoformung, Abformung no qual so utilizados moldes feitos por litografia
profunda de raios-X para se construir microestruturas. As principais etapas do
processo so a litografia, na qual preparado o molde, eletroformao, na qual
cresce um filme metlico sobre o fotoresiste e moldagem, na qual o padro da
microestrutura transferido para outro material.

2.4.1. Processo de fabricao de chave da literatura inicialmente empregada
neste trabalho

Uma chave MEMS paralela, desenvolvida pela Universidade de Michigan e
descrita em [43], ser utilizada inicialmente nesse trabalho. Esta chave foi
implementada em um substrato de 400 m de silcio de alta resistividade, de
constante dieltrica
r
de 11,9 coberto com uma camada de 4000 de SiO
2
usando
um Guia de Onda Coplanar, em ingls Coplanar Waveguide (CPW). As linhas do
CPW so obtidas usando um processo liftoff pela evaporao de uma camada de
300/8000 de Ti/Au. Aps isso, uma camada de Si
x
Ni
y
de 1000-2000
depositada por PECVD, Deposio qumica por vapor potencializada por plasma, e
gravada.

Ento, uma camada de sacrifcio fina de 1,5-2 m de fotoresiste depositada
e gravada. A espessura dessa camada determina a altura nominal do gap da
membrana. Uma camada semente (seed) de 300/1000/1000 de Cr/Au/Ti
evaporado, e ento gravado para remover o topo da camada Ti, assim a membrana
e o circuito metlico, excluindo a rea abaixo e perto da membrana, pode ser


25
eletrodepositada com Au ao mesmo tempo. A espessura dos eletrodos
aproximadamente de 2-2,5 m. As camadas de sacrifcio so removidas usando
corrosivos de Ti, Cr e Au para remover as camadas semente e acetona para
remover a camada resistiva.

Chaves com membrana de Au tm baixos estresses residuais compressivo,
que diminui apenas suavemente a tenso de fechamento (pull-down) da chave, pois
o estresse mecnico devido a constante da mola muito maior que o estresse
residual. Um material com pequeno estresse residual preferido. A escolha do Au
como material da membrana foi determinada pela viabilidade do processo.



26



Captulo 3

MEMS para aplicaes em RF

MEMS uma tecnologia que estabelece novos paradigmas em circuitos e
sistemas para RF e vem apresentando nveis de desempenho e economia sem
precedentes. Por isso alguns autores consideram que a aplicao da tecnologia
MEMS para sistemas de RF e de Microondas est perto de revolucionar a
comunicao sem fio [19]. A seo 3.1 trata de requisitos de sistemas de RF. A
seo 3.2 apresenta alguns componentes MEMS para sistemas de RF e, na seo
3.3, so mostradas algumas aplicaes de MEMS em circuitos de RF. Na seo 3.4,
so apontadas oportunidades de uso de componentes MEMS de RF.

3.1 Requisitos de Sistemas de RF

A exigncia dos consumidores por conectividade em todos os locais
amplamente reconhecida como a demanda cujo atendimento est levando a
sociedade para o incio de uma revoluo industrial ainda no sculo XXI [20]. Os
resultados esperados aps esta revoluo a capacidade de se obter acesso
universal informao. Os consumidores demandam conectividade bem como
informaes, que so necessrias por eles e so bastante diversas. Os
consumidores utilizam tecnologias sem fio para conversar, gerenciar informaes
pessoais, como lista de contatos e agenda, verificar o extrato bancrio, comprar
reservas para o cinema alm de se localizar.

Uma importante questo a seguinte: Ser possvel realizar dispositivos sem
fio empregando uma convergncia de funes e com interoperabilidade, dadas as
limitaes de potncia e banda que existe para circuitos RF? Na literatura, MEMS
para RF apontada como uma tecnologia a ser utilizada como uma das solues
para essa questo.


27

Analisando alguns requisitos tcnicos para aplicaes em circuitos de RF ou
microondas, alguns deles so, de um lado menor peso, volume, consumo e custo, e,
de outro lado alta funcionalidade e operao em altas freqncias. Outro requisito
para quaisquer equipamentos de RF a manuteno da integridade do sinal. A
transmisso do sinal desejado deve ocorrer com baixas perdas, minimizando
reflexes, diminuindo a interferncia de sinais externos e rudos, permitindo a
utilizao de filtros e evitando a gerao de sinais indesejados, como sinais
harmnicos de ordem superior. Todavia, com o aumento da freqncia em circuitos
RF atuais, estes requisitos aparentemente simples, no so facilmente alcanados.

A tecnologia MEMS atende a muitos desses requisitos, o que tem gerado
interesses sem precedente no desenvolvimento de circuitos e componentes feitos
com esta tecnologia [21-22].


3.2 Principais componentes utilizando tecnologia MEMS

Com a utilizao da tecnologia MEMS possvel construir componentes
como:

Indutores

Estes componentes passivos, essenciais em circuitos de RF, so bastante
empregados em ressoadores LC e circuitos de induo para fornecimento de
potncia DC, pois podem reduzir substancialmente o rudo de fase e o consumo
de potncia de osciladores e amplificadores. Alguns processos de fabricao de
MEMS resultam na drstica reduo das capacitncias parasitas e da perda por
condutividade do substrato pela utilizao de para um substrato isolante. Em
geral, esses processos de fabricao so usados para criar indutores de valor
fixo de indutncia com alto desempenho e podem criar indutores planares, em
duas dimenses, ou indutores tridimensionais. Estes fatos contribuem para o
aumento do fator de qualidade (Q) e da freqncia de ressonncia. Atualmente, a


28
faixa de valores de Q medidos varia de 6 a 28 para freqncias de 6 a 18 GHz
com um valor tpico de indutor de 1 nH.

Capacitores Variveis

Capacitores Variveis so largamente utilizados na implementao de
deslocadores de fase e no ajuste de freqncia em filtros, antenas e outros
circuitos. O aumento do fator de qualidade Q trazido por processos de fabricao
MEMS, tem contribudo para reduo de perdas e a maximizao do
desempenho mesmo em situaes de alto rudo. Eles podem ser classificados
em duas categorias amplas: Superfcies bidimensionais e tridimensionais.

Tipos bidimensionais tendem a ter fabricao mais simples e serem mais
facilmente integrveis no mesmo chip de um circuito. Eles usam processos de
fabricao mais baratos que os tridimensionais. Entretanto os capacitores de
superfcies bidimensionais tm resposta no linear com a tenso de operao.

Cavidades ressonantes [23]

Os nveis de desempenho de cavidades ressonantes tpicos podem ser
alcanados no plano microscpico com a utilizao de tcnicas MEMS.
A capacidade de permitir a fabricao de cavidades com Q elevados (da
ordem 10.000 a 25.000) contribui para a utilizao de MEMS com esse tipo
de componente.

Chaves

Chaves MEMS de RF so dispositivos que se utilizam da movimentao
mecnica para alcanar em uma linha de transmisso RF um circuito aberto ou
fechado. A fora necessria para essa movimentao mecnica pode ser obtida
atravs de atuao eletrosttica, magnetosttica, piezoeletricidade e
termodinmica. At os dias atuais, o nico atuador eletromecnico com o qual foi
possvel a fabricao de chaves MEMS com alta confiabilidade em freqncias
de vrios GHz, foi a de atuao eletrosttica. Por esse motivo, esta dissertao


29
se focalizar em chaves com atuadores eletrostticos.

3.3 Principais circuitos utilizando tecnologia MEMS

Existe uma grande quantidade de circuitos empregando MEMS como:

Redes de chaveamento [24]

Estes circuitos so empregados em muitos sistemas de comunicao e
incluem chaves SPNT (Single Pole N-Throw) para filtragem e ampliao de sinais,
matrizes de chaveamento NxN e chaves de roteamento.

Em sistemas de comunicao por satlite, as redes de chaveamento eram
constitudas usando chaves coaxiais, por causa da alta capacidade de potncia,
altssima isolao, baixssima perda por insero e pequenos produtos de
intermodulao. Entretanto, so relativamente pesados (da ordem de 100g) e de alto
custo unitrio. Como sistemas de satlites costumeiramente possuem entre 100 e
300 chaves, esta rede facilmente custaria milhes de dlares.

Com o emprego de circuito baseado em chaves MEMS, apesar de uma perda
por insero mais alta em relao a chaves coaxiais, os requisitos essenciais para
aplicaes de satlite so cumpridos, j que resultam em circuitos mais leves,
menores e melhor adaptados para essa aplicao.


Sistemas de comunicao sem fio portteis

Circuitos MEMS so amplamente empregados em projetos de sistema de
telefonia celular 3G, que requerem operao multi-banda e multi-modo. Cada
tecnologia celular requer filtros especficos para as bandas ocupadas, tornando o
sistema front-end maior, mais custoso e mais complexo. A incluso de mais
componentes impe maiores perdas e uma maior distoro do sinal RF e para
reparar isto necessrio aumentar a potncia do sinal, prejudicando a tempo de


30
vida da bateria. A crescente complexidade em sistemas celulares trouxe a adoo
de solues RF sintonizveis com emprego de chaves MEMS e filtros que
simplificam essa arquitetura [25]. Componentes MEMS para RF podem tambm
permitir o desenvolvimento de sistemas de baixa potncia baseados em antenas
sintonizveis, osciladores de baixo-rudo e filtros sintonizveis para aplicaes em
banda larga. Outra vantagem da utilizao de dispositivos MEMS a possibilidade
de eliminao de indutores off-chip em circuitos osciladores e filtros em pastilhas de
silcio.

Deslocadores de fase [26-27]

Com MEMS, possvel construir deslocadores de fase de baixa perda,
especialmente para freqncias entre 8 a 120 GHz. Com um melhor desempenho
em relao a chaves FET de Arseneto de Glio (GaAS) em relao a isolao do
sinal, possvel eliminar uma ou duas etapas de amplificao do sinal na cadeia de
transmisso / recepo, o que resulta em uma reduo substancial de consumo de
potncia. Alm disso, como chaves MEMS tm uma capacitncia muito pequena na
posio no atuada, o que resulta em um desempenho de banda mais larga que
dispositivos de estado slido. Embora as pesquisas tenham sido custeadas pelo
governo americano, visando aplicaes militares em sistema de telecomunicao e
radar. Como deslocamentos de fases em freqncias de microondas um das
funes de controle mais importante e presente em quase todos sistemas, uma
demonstrao de deslocadores de fase utilizando chaves MEMS ir destacar as
vantagens da tecnologia MEMS para RF.

Antenas reconfigurveis [28-29]

Com o aumento da freqncia de operao as antenas se tornam menores, e
suas dimenses se situam na escala da arquitetura MEMS. Os diagramas de
radiao de antenas dependem das suas dimenses relativas ao comprimento de
onda do sinal. Por exemplo, dipolos so ressonantes em uma freqncia tal que o
comprimento do dipolo seja igual metade do comprimento de onda do sinal. Dessa
forma, visando o aumento da flexibilidade e da utilizao de antenas, possvel
pensar em formas de reconfigurar sua estrutura por alterao de suas dimenses.


31

Por exemplo, possvel construir uma rede de dipolos constituda de
segmentos interligados por chaves MEMS, as quais abertas ou fechadas de uma
maneira adequada alteram a estrutura, com a conseqente alterao do seu
diagrama de radiao. O conceito pode ser aplicado a uma extensa variedade de
antenas como a Yagi-Uda, a parablica, a log-peridica, entre outras.

Uma extenso da antena dipolo sintonizvel, a multiband microstrip
resonator antenna. Nessa antena, ressoador em microlinha projetado a radiar na
freqncia mais alta, excitado pelo sinal que atravessa a microlinha, impressa no
substrato atravs de uma fenda acoplada, existente no plano de terra. Os
comprimentos tanto do ressoador quanto da fenda acoplado so escolhidos como
aproximadamente metade do comprimento de onda da maior freqncia de interesse.
A antena feita reconfigurvel por chaves MEMS, quando esto acionadas, muda o
comprimento do ressoador para incluir um pedao adicional de linha de transmisso.
Um ressoador fisicamente maior ressoar e radiar mais eficientemente em uma
freqncia mais baixa. Para maximizar o acoplamento de potncia do microlinha
atravs da fenda para o ressoador, o microlinha tem uma terminao do tipo tuning
stubs de de onda, que induz curtos-circuitos na juno entre a freqncia mais
alta e mais baixa de interesse. Portanto, explorando a alta isolao de chaves
MEMS no estado desligado e sua baixa perda por insero quando acionadas, o
comprimento do ressoador pode ser chaveado entre sua a configurao de
freqncia mais alta, na qual ressoador o nico elemento, e sua configurao de
freqncia mais baixa, que inclui segmentos de linha de transmisso. Isso
possibilita uma antena multi-frequncia.


3.4 Oportunidades de uso de componentes MEMS de RF

Existem muitas oportunidades para aplicao dos componentes MEMS em
circuitos. O quadro a seguir foi mostrado por Hctor de Los Santos, pesquisador em
MEMS, em palestra realizada no dia 24 de maio de 2007 no III Seminatec realizado
na Unicamp.


32

Tabela 3.1 Oportunidades para componentes MEMS RF
Componente MEMS RF
Funo do sistema
Chave Indutor
Capacitor
/ Varactor Ressoador
Antenas multiband / banda larga X
Filtros transmissores e receptores reconfigurveis X X
Seletor ajustvel X X
Sintetizador reconfigurvel multi-banda X
Filtro reconfigurvel de banda base X X X
Casamento de impedncias reconfigurvel X X
Amplificadores de Potncia multi-banda X X X

Verifica-se que a reconfigurabilidade uma das caractersticas importantes
para as novas oportunidades de circuito para chaves MEMS e varactores. Ambos os
componentes so ideais para sistemas reconfigurveis, pois tem baixa perda por
insero, alto Q para freqncias at 120 GHz e pode ser integrados com substrato
de baixa constante dieltrica, que fundamental para filtros sintonizveis e redes de
casamento de baixa perda. Alm disso, eles geram baixos produtos de
intermodulao, requisito essencial se o circuito reconfigurvel fica antes do
amplificador de baixo rudo.

Um dos desafios que a indstria de MEMS para RF necessita enfrentar
explorar a tecnologia em nvel sistmico e no mais no nvel de componentes.






33




Captulo 4

Chaves MEMS de RF

A modelagem de chaves MEMS um tema de grande interesse de pesquisa,
pois o uso destas chaves pode melhorar o desempenho e a funcionalidade de
arquiteturas de sistemas de RF com significativa reduo de complexidade e custo
[30-31]. Na seo 4.1, so apresentados os principais requisitos de chaves para RF.
Na seo 4.2, so comparadas as diversas tecnologias de chaves. Na seo 4.3,
so apresentadas aplicaes de chaves MEMS. A seo 4.4 mostra possveis
classificaes de chaves MEMS. As sees 4.5 e 4.6 apresentam os modelos
mecnicos e eltricos de chaves MEMS, respectivamente.

4.1 Fundamentos e Requisitos de chaves para RF

Duas configuraes possveis usando chaves de um plo uma posio ou
SPST - Single Pole Single Throw so mostradas na Figura 4.1.

Figura 4.1 Circuitos SPST ideais

Uma chave ideal alterna entre o circuito aberto e o perfeito curto circuito
perfeito dependendo da tenso de controle aplicada. Certos dispositivos
microeletrnicos tm uma relao tenso-corrente que se aproxima da chave ideal,
pelo menos para uma dada banda de freqncias e at certos nveis de sinal. A
utilizao destes dispositivos facilita o controle eletrnico para um rpido
~
V
L
+
-
Z
0
Z
0
V
0
Chave
Srie

V
L
+
-
~
Z
0
Z
0
Chave
Paralelo

V
0


34
chaveamento e a integrao monoltica.

Pode-se representar simbolicamente uma chave no-ideal como um
dispositivo de dois terminais de impedncia Z
D
, como mostrado na Figura 4.2, onde
Z
D
depende da tenso aplicada no dispositivo. Esta impedncia pode ser alternada
entre os estados de baixa e alta impedncia, dependo da configurao do circuito e
da tenso de controle aplicada.

Figura 4.2 Modelos de circuitos de SPST utilizando um dispositivo de
chaveamento no-ideal de impedncia Z
D
.

Uma caracterstica importante para circuitos de chaveamento a perda por
insero tanto na posio atuada quando na posio no atuada. A perda por
insero na posio no atuada geralmente denominada Isolao, enquanto na
posio atuada usualmente chamada de Perda de Insero. Esta perda pode ser
obtida em termos de Z
D
como [32]

+
+
= =
. , 2 / 1 log 20
, 2 / 1 log 20
log 20
0
0
0
paralelo chaves para Z Z
srie chaves para Z Z
V
V
IL
D
D L
(1)

A Perda de Retorno tambm uma caracterstica muito importante para uma
chave tanto na posio atuada quando na posio no atuada. Essa perda
definida como a relao entre a potncia disponvel do gerador pela potncia
refletida para o gerador. Ela est associada ao coeficiente de reflexo da chave.

Outras importantes caractersticas para chaves so capacidade de potncia, a
velocidade de chaveamento e a linearidade. A capacidade de potncia pode ser
entendida como a mxima potncia de um sinal que a chave pode transferir. Ela est
intrinsecamente associada s caractersticas dos dispositivos microeletrnicos reais
empregados para a implementao da chave. No estado de baixa impedncia, cada
~
V
L
+
-
Z
0
Z
0
V
0

~
Z
0
Z
0
V
0
Z
D
Z
D
V
L

+
-


35
dispositivo limitado pela corrente mxima, I
max,
que pode suportar.

J no estado
de alta impedncia, a limitao est na tenso mxima suportada entre os terminais,
V
max
. A Tabela 4.1 apresenta a mxima potncia incidente do gerador que pode ser
refletida ou transmitida por uma chave.

Tabela 4.1 Capacidade de potncia para configuraes do circuito de
chaveamento SPST
Configurao do Circuito
Estado da chave Srie Paralelo
Alta impedncia (Z
D
>>Z
0
) P
OFF
1/8V
2
mx
/Z
0
P
ON
V
2
mx
.Z
0

Baixa impedncia (Z
D
<<Z
0
) P
OFF
1/8V
2
mx
/Z
0
P
ON
V
2
mx
.Z
0


A velocidade de chaveamento o tempo necessrio para a chave responder
em sua sada quando existe mudana na tenso de controle. Ela inclui o atraso de
propagao no dispositivo bem como o tempo de transio (transition time), que o
tempo para a envoltria da tenso de RF subir de 10% at 90% de seu valor
mximo, no caso de acionamento ou cair de 90% para 10% no caso de
desligamento. A linearidade da chave tanto pior quanto maior forem as harmnicas
do sinal de sada. Assim, chaves com maior capacidade de intermodulao so
superiores neste aspecto.

Em altas freqncias, quando uma chave est no estado acionado, a sua
resistncia e o descasamento de impedncia causaro perdas por insero e perdas
por reflexo, respectivamente. Alm disso, qualquer no linearidade ou disperso
nas caractersticas de transmisso pode gerar componentes de freqncia
indesejada que iro comprometer o desempenho do sistema.

Os requisitos essenciais para chaves de RF so:
Baixa perda de insero e baixa reflexo ou perda de retorno, no estado
atuado;
Alta isolao, no estado no atuado;
Baixo custo;
Alta confiabilidade;


36
Dimenses reduzidas;
Alta linearidade;
Baixas tenses de operaes;
Alta capacidade de potncia.

Esses requisitos so muitas vezes difceis de serem atingidos
simultaneamente, principalmente em altas freqncias, existindo em geral um
compromisso entre vrios deles.

4.2 Comparao com outras tecnologias de chaves

Usados desde a dcada de 1930, os tradicionais rels eletromagnticos eram
os tipos de chaves que apresentavam caractersticas eltricas mais prximas do
caso ideal em relao a outras tecnologias. Uma das vantagens era a de no
consumir potncia quando estavam desligados. Contudo, por causa de seu tamanho
considervel, do tempo de vida mecanicamente limitado, da baixa velocidade de
transio, do alto custo e da difcil integrao, a utilizao de rels como chaves,
atualmente, s verificada em casos especiais.

J os diodos PIN ou os transistores GaAs FET so de pequena dimenso,
relativamente baratos e operam um nmero de ciclos antes de falharem muito maior
que outras tecnologias, alm de apresentarem alta velocidade de chaveamento.
Entretanto, essas chaves no tm um bom desempenho em aplicaes de banda
larga, por causa das apreciveis perdas por insero, da isolao insuficiente, da
baixa imunidade a sinais de freqncias harmnicas do sinal til e apresentam
consumo de potncia considervel, mesmo quando em estado aberto. Alm disso,
diodos PIN no so facilmente integrveis com outros componentes RF, enquanto
transistores FET so mais facilmente integrveis.

As principais vantagens das chaves MEMS sobre chaves semicondutoras
so:

- Baixa perda de insero: da ordem de 0,1 dB para freqncias da ordem de 40


37
GHz

- Alta isolao: Capacitncias parasitas da ordem de fF resultam em excelente
isolao, mesmo para freqncias da ordem de 40 GHz.

- Baixa distoro do sinal: Chaves MEMS so dispositivos de altssima linearidade
dado que no contm junes de semicondutores e, portanto, no apresentam uma
relao exponencial entre corrente e tenso. Chaves MEMS so projetadas para ser
mecanicamente rgidas (de alta constante elstica) e podem tolerar variaes na
tenso RF sem gerar nveis significativos de produtos de intermodulao. as
harmnicas geradas por chaves MEMS so at 30 dB menores que as geradas por
diodos PIN e transistores FET [33]. Elas so elementos quase ideais para redes de
casamento e filtros sintonizveis.

- Alta capacidade de integrao.

- Pequenas dimenses, da ordem de centenas de m tanto de comprimento
quanto de largura.

A Tabela 4.2 compara chaves de MEMS de RF, diodos PIN e transistores
MESET.

Tabela 4.2 Comparao entre chaves de RF
Caracterstica MESFET Diodo PIN RF MEMS
Resistncia em srie () 3 a 5 1 < 1
Perda a 1 GHz (dB) 0,5 a 1,0 0,5 a 1,0 0,1
Isolao a 1 GHz (dB) 20 a 40 40 > 40
Tamanho (mm
2
) 1 a 5 0,1 < 0,1
Tempo de chaveamento ~ ns ~ s ~ s
Tenso de controle (V) 8 3 a 5 3 a 80
Corrente de controle < 10 A 10 mA < 10 A




38
As principais desvantagens de chaves MEMS so:

- Baixa velocidade de chaveamento: para a maioria das chaves MEMS o
tempo de chaveamento da ordem de 2 a 40 s. Algumas aplicaes em sistemas
de comunicao e radar precisam de dispositivos de maior velocidade.

- Encapsulamento: Chaves MEMS devem ser empacotadas em atmosferas
inertes e de umidade bastante reduzida. Atualmente, os custos desse tipo de
empacotamento so altos e algumas tcnicas de empacotamento afetam a
confiabilidade da chave.

- Confiabilidade: Uma chave MEMS pode realizar da ordem de 0,1 a 10 bilhes
de ciclos. Entretanto muitos sistemas necessitam de 20 a 200 bilhes de ciclos e s
recentemente foram desenvolvidas chaves MEMS para um nmero de ciclos to
elevado.

- Capacidade de potncia: Muitas chaves MEMS no suportam potncias
maiores que 20 a 50 mW com alta confiabilidade. Esta limitao devido a
complexa interao existente entre perdas eletromagnticas, transferncia de calor e
deformaes mecnicas, em torno da chave MEMS [35].

- Custo: Atualmente MEMS tem potencial para fabricao a baixssimo custo,
mas ainda necessrio considerar o custo de empacotamento. Entretanto, o custo
de chaves FET, largamente testadas e utilizadas, ainda menor.

- Tenso de Operao elevada: Chaves MEMS necessitam de uma tenso de
operao entre 20 V e 80 V para operar com alta confiabilidade. A maioria dos
sistemas de comunicao porttil alimentada por tenses menores que esta (de 3
a 5 V geralmente). Entretanto isso problema facilmente resolvido com a utilizao
circuitos elevadores de tenso, em ingls, charge pumps, como uma chave da
Motorola descrita em [34]. Com a integrao de uma chave MEMS e um charge
pump, possvel obter-se um bom desempenho pois chaves de tenses mais
elevadas tem acionamento mais rpido e so de maior confiabilidade.



39

4.3 Aplicaes de chaves MEMS

As maiores reas de aplicaes de chaves MEMS so [30,36,37]:
Sistemas de Comunicao sem fio
o Em telefones Celulares;
Sistemas de Comunicao por Satlite
o Defasadores em redes de antenas;
Radares automotivos
Antenas reconfigurveis
Radares para sistemas de Defesa
o Sistemas de msseis;
o Radares de longa distncia;
Sistemas de Instrumentao.

4.4 Tipos de chaves MEMS

Algumas das possveis classificaes de chaves MEMS, so as seguintes:

Topologia: Srie ou Paralela
Tipo mecnico: Chaves de Membrana ou de Alavanca
Tipo de Contato: metlico ou capacitivo
Orientao: lateral ou em linha
Movimento: vertical ou lateral
Atuador: Eletrosttico, trmico, piezo-eletricidadde ou magntico

Chaves MEMS com diferentes combinaes de topologias, tipos mecnicos,
tipos de contatos possuem vantagens diferentes no desempenho da chave em RF,
na integrao com outros circuitos e na facilidade de fabricao [3].

Chaves em srie ideais resultam em um circuito aberto na linha de
transmisso quando no h aplicao da tenso de operao. Elas so
consideradas como um curto circuito quando existe a aplicao da tenso de


40
operao na linha de transmisso. Esses dispositivos, se fossem ideais, teriam
isolao infinita na posio no atuada e perda por insero zero na posio atuada.
Esse tipo de chave amplamente empregado para circuitos de freqncia entre 0,1
GHz e 40 GHz. A Figura 4.3 mostra a estrutura padro de uma chave em srie pela
vista de topo. Na Figura 4.4, a viso da seo transversal da chave apresentada.

Figura 4.3 Chave srie em com um eletrodo

Algumas chaves MEMS so fabricadas com orifcios pouco espaados na
membrana. Isto permite a remoo mais fcil da camada sacrificial no processo de
fabricao usando-se tcnicas de gravao seca e possibilita uma operao mais
rpida da chave, pela reduo do amortecimento do ar sob a membrana e sua
menor massa da membrana, originando uma freqncia de ressonncia mecnica
maior. Os orifcios liberam uma parte da tenso residual na membrana e reduzindo
o mdulo de Young, cumprindo. Deste modo, os orifcios cumprem uma dupla
funo em uma chave MEMS.

Os orifcios so geralmente dispostos formando um reticulado e resultam
praticamente na mesma capacitncia que no caso de uma membrana fabricada
usando uma chapa de metal contnua, se seus dimetros no ultrapassarem 3 ou 4
vezes a altura da membrana. Isto ocorre porque o efeito de borda nos furos
compensa a falta de material.

Por outro lado, os furos afetam a capacitncia na posio atuada e com isso,
Contatos
metlicos
A
A
L
w
l
ncora
Suporte do
dieltrico


41
reduzem a relao entre as capacitncias na posio no atuada pela posio
atuada.


Figura 4.4 Seo transversal de Chave em srie

As chaves ideais em paralelo, que so colocadas entre a linha de transmisso
e o plano terra, podem se conectar com as linhas de transmisso ou com o plano
terra, em funo da tenso aplicada. Assim, se fossem ideais, resultariam em perda
por insero nula quando nenhuma tenso aplicada (posio no atuada) e
isolao infinita quando alimentadas com a tenso de operao (posio atuada).
Elas so mais apropriadas para freqncias mais elevadas, da ordem de 5 GHz a
100 GHz. As Figuras 4.5 e 4.6 apresentam chaves em paralelo sobre um CPW na
seo transversal e na vista superior, respectivamente.

Figura 4.5: Seo transversal de uma chave em paralelo


Figura 4.6: Vista do plano superior de uma chave em paralelo


Substrato de baixa perda
W
Circuito
Metlico
L Ponte
MEMS
g
G
Camada
fina de
dieltrico
w
W
G
L
A
A
Contatos
da chave
Eletrodo
pull-down
ncora


42
Para se ter uma idia das dimenses tpicas deste tipo de chave, L em geral
varia entre 200 a 1000 m, G varia entre 40 e 150 m, W entre 60 e 120 m e g
0

entre 1 m a 4 m.

Em chaves de contato capacitivas, utilizado um filme dieltrico entre as
duas superfcies metlicas da chave. O contato capacitivo caracterizado pela
relao entre as capacitncias nas posies no atuado (circuito aberto) e atuado
(curto-circuito) e essa relao varia tipicamente entre 80 a 160. A capacitncia down-
state tipicamente 2-3 pF. A aplicao dessa configurao mais adequada sinais
alternados de alta freqncia da ordem de 8 a 100 GHz. Em geral, difcil se obter
uma capacitncia down-state mais alta usando camada de nitratos ou xidos e isso
limita a freqncia mnima de operao da chave Usam a configurao paralela, pois
mais fcil obter-se uma boa isolao com uma relao de impedncias limitada
(como em uma chave capacitiva) em um circuito paralelo que em um circuito srie.

As chaves de contato metlico, tambm chamadas de chaves de contato DC,
so implementadas com contatos diretos entre duas superfcies metlicas. Na
posio up-state (circuito aberto), se comportam como capacitncias e podem
operar em freqncias de 0,01 a 40 GHz. Na posio down-state (curto-circuito),
chaves de contato se tornam um resistor em srie com resistncia entre 0,5 2
dependendo do contato metlico utilizado. Geralmente so montadas na
configurao srie.

Em uma chave em linha, a ponte ou a alavanca est posicionada na mesma
linha de transmisso do circuito. J em uma chave lateral, a alavanca fica
posicionada na transversal da linha de transmisso do sinal. Em chaves do tipo
membrana, as duas extremidades da chave so fixadas por meio de ncoras. As
chaves do tipo alavanca tm apenas uma extremidade fixada a uma ncora.

At os dias atuais, apenas chaves eletrostticas demonstraram desempenho
em freqncias entre 0,1 at 100 GHz com alta confiabilidade (entre 100 milhes e
50 bilhes de ciclos dependendo do fabricante) para baixa potncia para chaves de
contato metlico e nveis mdios de potncia para contatos capacitivos e utilizam


43
tcnicas de fabricao compatveis com as de circuitos integrados.

Chaves trmicas/magnticas apresentam velocidade de chaveamento entre
200 e 3000 s [24]. Diversas aplicaes de comunicaes e sistemas de radares
requerem chaves muito mais rpidas. Apesar de essas chaves poderem ser atuadas
com tenses entre 2 e 5 V, elas requerem correntes de atuao elevadas entre 10 a
100 mA.


4.5 Consideraes mecnicas sobre chaves MEMS

Como a operao de chaves MEMS limitada a pequenas deflexes,
possvel modelar mecanicamente chaves de membrana e de alavanca como molas
com uma determinada constante elstica k [N/m], uma vez que a fora de
restaurao que surge na membrana quando uma tenso aplicada entre as
armaduras da chave, proporcional ao deslocamento realizado. Desse modo,
0
.y k T = (2)
onde,
T a fora eletrosttica decorrente da tenso aplicada;
y
0
o deslocamento da membrana.

A fora restauradora na membrana resulta de duas foras distintas, como
mostrado na Figura 4.7, que somadas equilibram a fora eletrosttica. Portanto, a
constante elstica pode ser decomposta em dois componentes k'e k'' tais que k=k'+
k''. O componente k devido rigidez da membrana que associada a
caractersticas intrnsecas do material como o momento do Inrcia e o mdulo de
Young. O componente k'' devido ao estresse residual, que depende do processo
de fabricao [38-40] e pode ser diminudo com a introduo de pequenos orifcios
na membrana, conforme mencionado anteriormente.


44
T
b
1 2
R
M
y
T
b
S
M
y
x
x
Para determinao de k Para determinao de k
Figura 4.7 Esforos solicitantes sobre a chave para determinao de k' e k'' [24]

No caso de uma carga distribuda uniformemente sobre toda a barra e
considerando o centro da membrana como referncia para determinao de k,
determina-se k por
x R M
dx
y d
I E . . .
1 1
2
2
+ =
, para x b (3)
onde,
E o mdulo de Young do material;
I o momento de inrcia, que no;
M
1
o momento no ponto 1;
R
1
a reao no ponto1
sendo,
No caso de uma barra de seo transversal, o momento de inrcia dado por
12
.
3
t w
I = (4)
onde,
t espessura da membrana;
w a largura da membrana.


45

Integrando-se (3) em relao a x duas vezes, obtm-se
I E
x R
I E
x M
y
. 6
.
. . 2
.
2
1
2
1
+ = (5)

Para uma fora aplicada em x=b,
2
2
1
) .(
.
b l
l
b T
M

= (6)
) . 2 1 .( ) .(

2
3
1
b b l
l
T
R +

= (7)
onde,
T a parcela da fora eletrosttica que equilibra a fora restauradora referente a k.

Portanto, a deformao no centro da membrana dada por

+ =
L
l
db b lb b l l
l
T
EI
y
2 /
3 2 2 3
0
) 4 9 6 (
48
' 2
(8)
onde,
L o comprimento da membrana;
Assim,
3
32
'
'
|
.
|

\
|
=

=
l
t
Ew
l
T
k (9)

Para o clculo de k, considerando-se o estresse residual e desprezando-se o
estresse causado durante a flexo,
tw S ) 1 ( = (10)
onde,
S a fora devida tenso residual;
a tenso residual na membrana;


46
a razo de Poisson para o material da membrana.

Calculando-se a deflexo para uma carga distribuda uniformemente sobre a
barra,

=
L
l
db b l
IS
T
y
2 /
0
) (
2
' '
2 (11)
onde a simetria foi utilizada para estabelecer a integral. Desse modo,
L
tw
k
) 1 ( 8
' '

= (12)
L
tw
L
EI
k k k
) 1 ( 8 384
' ' '
3

+ = + = (13)

No caso de uma membrana montada sobre um Guia de Onda Coplanar ou
CPW - Coplanar Waveguide a distribuio da carga no ser uniforme em toda a
barra, pois ela existir apenas no centro do condutor, como mostrado na Figura 4.8,
onde a carga por unidade de comprimento.

Figura 4.8 Distribuio de carga em uma membrana montada sobre um CPW

Nessas condies, pode-se calcular a constante de mola k da chave do tipo
membrana por:
) / .( 2 3
1
.
. ). 1 .( . 8
1 ) / .( 14 ) / .( 20 ) / .( 8
1
.
. . 384
2 3 3
L x L
w t
L x L x L x L
I E
k

+
+
=

(14)

No caso de uma chave do tipo alavanca, por esta no ser fixada em uma
extremidade, a constante de mola no conter o componente devido tenso

L
L/2 x


47
residual. Essa constante da mola ser dada por:

\
|
+

|
.
|
=
4 3
3
) / ( ) / ( 4 3
) / ( 1
2
L x L x
L x
L
t
Ew k (15)

Comparando a constante k para chaves do tipo alavanca e do tipo membrana,
verifica-se que, para um mesmo material e para as mesmas dimenses, a constante
de mola de uma chave tipo alavanca at 48 vezes menor que a do tipo membrana
[24].

Quando uma tenso aplicada entre a alavanca ou a membrana e o eletrodo
de fechamento, uma fora eletrosttica atua na barra, que a conhecida fora
eletrosttica existente entre as placas de um capacitor com uma tenso aplicada. A
fora eletrosttica entre o eletrodo superior e o inferior dada por:
2
2
2
2
) ( 2 ) ( 2
2 2
r
d
r
d
t
g
AV
t
g
CV CVE QE
F

+
=
+
= = = (16)
onde,
V a tenso entre o eletrodo superior e inferior;
G a distncia entre o eletrodo superior e inferior;
C a capacitncia entre o eletrodo superior e inferior;
A a rea do eletrodo;
t
d
a largura da camada do dieltrico;

r
a constante dieltrica relativa.

A intensidade da fora resultante pequena, sendo todavia suficiente para
movimentar a chave. Quando a chave atrada pelo eletrodo da parte inferior, a
distncia g diminui e a fora eletrosttica aumenta, facilitando o fechamento. Por
outro lado, a fora de restaurao da mola tambm aumenta. O equilbrio ocorre
quando essas foras so iguais a:


48
) (
) ( 2
0
2
2
g g k
t
g
AV
F
r
d
=
+
=

(17)
onde,
g
0
a altura inicial da ponte.

Resolvendo-se esta equao, a tenso aplicada resulta em
Ww
g g kg
V
0
0
2
) ( 2

= (18)
onde,
W o comprimento da barra
w a largura da barra.

O grfico da altura da barra pela tenso aplicada, apresentado na Figura 4.9,
mostra duas possveis posies para cada tenso aplicada no caso de W = 100 m,
w = 100 m, g
0
= 3 m e k = 10 N/m.
0,0,E+00
5,0,E-07
1,0,E-06
1,5,E-06
2,0,E-06
2,5,E-06
3,0,E-06
0 5 10 15 20 25 30 35
Tenso Aplicada (Volts)
A
l
t
u
r
a

d
o

G
a
p

(
m
)
Figura 4.9. Grfico da altura da barra versus tenso aplicada.


49

Isto ocorre, pois a posio da barra torna-se instvel em 2g
0
/3. Este fato
compreensvel, pois a fora eltrica depende linearmente da carga na barra (Q) e do
campo eltrico devida aplicao da tenso (E = V/g). Quando a tenso
aumentada, a fora aumenta devido diminuio da altura da barra, a qual aumenta
a capacitncia e, portanto, a carga e o campo eltrico. Em 2g
0
/3, o aumento da
fora eletrosttica maior do que o aumento na fora restauradora, resultando em
instabilidade da posio da barra e a conseqente queda da barra para a posio
atuada. A linha hachurada representa a parte instvel da altura da barra.

Assim, a tenso que provoca o colapso da membrana, chamada de tenso de
fechamento (pull-down voltage) dada por
A
kg g
V V
p
27
8
3
2
3
0 0
=
|
.
|

\
|
= . (19)
Para o caso simulado no grfico, a tenso de fechamento 30,06 V para g =
2,0 m.

Goldsmith et al. [38] demonstrou que o tempo de vida de chaves MEMS
capacitivas depende fortemente da tenso de atuao. Em particular, foi verificado
experimentalmente que uma reduo de 5 a 7 V na tenso de pull-down da chave
aumenta o tempo de vida em cerca de dez vezes, existindo uma relao exponencial
entre a tenso aplicada e a confiabilidade da chave. Assim, a reduo da tenso de
fechamento ir no apenas aumentar as possibilidades de aplicaes de chaves
MEMS, como tambm contribuir para aumento da confiabilidade.

possvel diminuir-se a tenso de fechamento de trs diferentes maneiras:
Diminuio da distncia entre a chave e o eletrodo inferior;
Aumento da rea da membrana;
Projetando uma estrutura com baixo constante elstica.



50
No primeiro caso, a isolao do circuito utilizando sinais RF ir se deteriorar
rapidamente com a diminuio desse gap. Assim essa soluo invivel. No
segundo caso, a rea s pode ser aumentada com aumento das dimenses da
chave e como tamanho reduzido requisito essencial, essa soluo tambm
invivel. O terceiro caso o que oferece a maior flexibilidade, dado que o projeto da
mola no impacta consideravelmente o tamanho, peso ou desempenho do circuito.
Para um dado material, a constante elstica da membrana pode ser reduzida
empregando-se suporte de meandros com estruturas air-bridge, como j foi
mostrado na literatura em [39]. Isto ocorre porque a constante elstica efetiva total,
k
eff
, para a chave MEMS inteira pode ser determinada pela combinao das
equaes da constante elstica j demonstrada em [39] em procedimento similar ao
de associao de capacitores.
As chaves MEMS seguem a Mecnica Newtoniana. Aplicando-se a equao
de movimento de dAlembert, obtm-se [40]
e
F g g k bg g m = + + ) ( .
0
(20)
onde,
F
e
a fora dada pela equao (16);
m a massa da alavanca ou ponte;
b o coeficiente de amortecimento da alavanca ou ponte.

A Equao (20) representa um sistema de segunda ordem que tem uma
freqncia de ressonncia dada por:
m
k
=
0
(21)

possvel calcular aproximadamente o tempo de chaveamento, assumido
b=0 (sem amortecimento) e considerando a fora eltrica igual a inicial (com g=g
0
),
0
67 , 3

S
P
V
V
t (22)
onde,


51
V
s
a tenso aplicada na chave.

4.6 Consideraes eltricas sobre chaves MEMS
Sero verificados os modelos eltricos para chaves em srie e em paralelo,
que em geral so circuitos RLC. Os valores podem ser determinados atravs de
medidas dos parmetros S da chave.

4.6.1 Modelo de chaves capacitivas em paralelo [43,44,45,46]

Uma chave MEMS capacitiva em paralelo consiste de uma membrana fina
metlica suspensa sobre o centro de um CPW ou de uma microlinha. Uma camada
dieltrica usada para a isolao DC da chave do condutor central do CPW.
Quando a membrana est levantada, a chave apresenta uma pequena capacitncia,
entre o condutor e o plano terra. Quando a membrana est abaixada, a capacitncia
aumenta de um fator de 20 a 100 vezes, apresentando um curto em RF para altas
freqncias.

A chave MEMS em paralelo pode ser representada por 2 pequenas sees da
linha de transmisso e um circuito RLC cuja capacitncia tem valores diferentes para
a posio atuada e no atuada, conforme mostrado na Figura 4.10.


Figura 4.10: Circuito equivalente de uma chave em paralelo

A impedncia da chave em srie dada por:
Z
C
,l Z
c
, l L
s
C
s
R
s


52
C j
L j R Z
S S

1
+ + = (23)
onde,
C = C
u
ou C
d
dependendo da posio da membrana.
A freqncia de ressonncia do circuito LC da chave :
LC
f
1
2
1
0

= (24)

A impedncia da chave em paralelo pode ser aproximada por:

>>
=
<<
=
0
0
, ,
, ,
, ,
1
f f para L j
f f para R
fo f para
C j
Z
S

(25)

O modelo tem comportamento capacitivo para freqncias abaixo da
freqncia de ressonncia do circuito LC e indutivo acima dessa freqncia.
A capacitncia, aproximada pelo modelo de placas paralelas, para chaves
MEMS em paralelo dada por:
r
d
pp
t
g
wW
C

+
=
0
0
(26)
A capacitncia devida ao efeito de borda, em ingls Fringing Capacitance, C
f
,
parte substancial da capacitncia total representando de 20 a 60 % da
capacitncia do modelo de placas paralelas, C
pp
, dependendo das dimenses da
ponte e da altura [24].

A razo entre as capacitncias nas posies atuado e no atuado dada por:
f
r d
d
r
U
D
C
t g
A
t
A
C
C
+
+
=

/
0
0
0
(27)


53

Analisando essa relao e visando maximiz-la, parece apropriado que a
camada de dieltrico seja o mais fina possvel. Todavia, impraticvel depositar
substratos com espessuras menores que 1.000 para garantir que a tenso de
ruptura do dieltrico seja maior que a tenso de operao usual de chaves MEMS.

Quanto a resistncia em srie, existem dois componentes para a resistncia
em srie da chave MEMS. O primeiro deles, R
s1
, ocorre em funo das perdas da
linha de transmisso e pode ser calculado por:
l Zc R
s
2
1
= (28)
onde,
a perda da linha em Np/m;
l o comprimento da linha.

Tambm possvel calcular R
s1
atravs da medio da atenuao na linha
CPW. O segundo componente, R
s
, causado apenas pela membrana MEMS e
bastante mais complexo de se calcular, devido forma da distribuio de correntes
na posio atuado e no atuado. Entretanto, essa resistncia pode ser determinada
atravs da medio dos parmetros S.

A perda em uma chave MEMS derivada dos parmetros S atravs de
2
21
2
11
1 S S Perda = (29)
A perda da chave composta de duas parcelas: a perda na linha de
transmisso abaixo da ponte e a perda na ponte MEMS. A perda na ponte :
S S perda
R I P
2
= (30)
onde,
I
s
a corrente da ponte.



54
No estado no atuado e para S
11
<-13 dB, no caso, Z
s
>> Z
c
, e a perda pode
ser aproximada por:
C s u
Z R C Perda
2
= (31)

Na posio atuada e para S
21
> -10 dB, no caso, Z
s
<< Z
c
e a perda pode ser
calculada por:
C
s
Z
R
Perda
4
= (32)

O coeficiente de reflexo no estado no atuado dado por:
c u
c u
Z C j
Z C j
S

=
2
11
(33)

Supondo .C
u
.Z
C
<< 2, o coeficiente de reflexo resulta em:
4
2 2 2
2
11
c u
Z C
S

= (34)

Quanto ao coeficiente de isolao no estado atuado

>>
=
<<

0 2
2
0 2
2
0 2 2 2
2
21
, ,
4
, ,
4
, ,
4
f f para
Z
L
f f para
Z
R
f f para
Z C
S
c
c
s
c d

(35)
onde,
f
0
a freqncia de ressonncia da chave na posio atuada.


O desempenho de uma chave em altas freqncias no de fcil
determinao. Sua freqncia de corte, empregando o modelo simplificado acima,


55
dada por:
u s
c
C R
f
. . . 2
1

= (36)

Goldsmith et. al em [22] verificou que f
c
para chaves MEMS da ordem de 2
THz, o que representa no mnimo uma melhoria de 2 ordens de grandeza em
relao s freqncias de corte alcanadas com diodos PIN.

Embora o modelo de circuito RLC permita uma rpida anlise de uma chave,
ele preciso para freqncias at alguns GHz. Com o aumento da freqncia de
operao, as dimenses eltricas da chave continuam aumentando. Assim, a
diferena de fase entre a entrada e a sada da chave pode ser de alguns graus. Com
isso, as tenses aplicadas em diferentes pontos do capacitor, por exemplo, so
diferentes, o que invalida o modelo. Desse modo, torna-se razovel considerar
chaves MEMS como elementos de circuitos distribudos quando a freqncia alta o
bastante para introduzir uma diferena de fase de alguns graus atravs da chave.

Resultados mais realistas de circuito empregando de chaves MEMS podem
ser obtidos com o emprego de tcnicas de simulao eletromagntica sofisticadas,
como sero explorados nesse trabalho. Vrias empresas e universidades
desenvolvem chaves MEMS paralelas, um exemplo a chave desenvolvida pela
Raytheon [22,47] e apresentada na Figura 4.11. O comprimento dessa chave varia
entre 270 e 350 m e a largura entre 50 e 200 m.



56

Figura 4.11 Chave em Paralelo capacitiva desenvolvida pela Raytheon.

4.6.2 Modelo de chaves em srie

Em uma chave MEMS em srie, h uma separao (circuito aberto) na linha
de transmisso, que no estado no atuado, resulta em alta isolao. No estado
atuado a separao fechada (curto circuito eltrico) por uma alavanca metlica,
resultando em baixa isolao. Nesse caso a alavanca entra pe em contato as duas
partes da linha de transmisso, que se encontravam separadas. Quando a tenso
de operao removida, a alavanca retorna a sua posio original devido a foras
de restaurao. Um circuito equivalente de uma chave em MEMS de RF capacitiva
em serie apresentado na Figura 4.12.





Figura 4.12 Circuito equivalente de uma chave em srie.

A capacitncia na posio no atuada composta da capacitncia em srie, C
s
,
entre a linha de transmisso e a alavanca metlica e da capacitncia parasita, C
p
,
R
C
C
P
Z
o
Z
o
C
s
Z
h


57
entre as terminaes da linha de transmisso. A capacitncia total a mesma para
contato metlico ou capacitivo, de uma ou duas reas de contato e dado por:
p
s
u
C
C
C + =
2
(37)

Para uma chave em linha com uma nica rea de contato, a capacitncia total
dada por:
p s u
C C C + = (38)

A capacitncia em srie, C
s
, composta de uma parcela dada pelo modelo de
placas paralelas e outra dada por uma capacitncia devida ao efeito de borda, como
nas chaves em paralelo.

A resistncia em srie de chaves MEMS corresponde soma da resistncia de
um pequeno trecho da linha de transmisso com a resistncia de contato DC. A
resistncia de contato depende da rea de contato, da fora mecnica aplicada e da
qualidade do contato metlico. Em chaves em srie, a resistncia depende do seu
comprimento e da sua largura, sendo dada por
l s C S
R R R R + + =
1
2 . 2 , para chaves de alavanca com duas reas de contato,
l s C S
R R R R + + =
1
2 , para chaves em linha com uma rea de contato,
l s S
R R R + =
1
2 , para chaves de contato capacitivas.

A perda intrnseca das chaves MEMS em srie (desconsiderando a perda na
linha de transmisso) dada por:
2
2
4
c x
c S
Z Z
Z R
Perda
+
= (39)

Na posio atuada, Z
s
=R
s
+jL, e a perda se torna:
c
S
Z
R
Perda = , para L << Z
c
(40)
O coeficiente de reflexo para chaves em srie na posio no atuada dado
por:


58
2 2 2
2
21
. . . 4
C u
Z C S = (41)
onde,
Z
C
a impedncia da linha de transmisso.

A perda por insero calculada por:
c
s
Z
R
S =1
2
21
(42)

Sua freqncia de corte, empregando o modelo simplificado acima, dada
por:
s u
c
R C
f
2
1
= (43)

Um exemplo de chave em srie foi a chave produzida pelo Rockwell Science
Centrer [48], ilustrada na Figura 4.13. O comprimento dessa chave de 250 m e a
largura de 150 m.


Figura 4.13 Chave em srie desenvolvida pelo Rockwell Science Center.


4.7 Consideraes de projeto

O projeto de uma chave MEMS deve levar em considerao caractersticas
como confiabilidade, tenso de fechamento, faixa de valores de capacitncia e a
relao de capacitncia C
D
/C
U
. Em linhas gerais, estruturas MEMS com suporte de


59
armadura estreito e grande rea de contato de membrana, tm tenso de
fechamento mais baixas que estruturas com suporte de armadura e contatos mais
largo de reas da membrana menores. Entretanto, estruturas com baixa tenso de
fechamento requerem processos de controle mais exatos e geralmente so mais
susceptveis a falhas.

Quando so utilizadas chaves MEMS, requer-se um conhecimento perfeito
das capacitncias nas posies levantada/abaixada. Assim, estruturas MEMS mais
simples so preferidas em relao s mais complexas, onde as capacitncias por
efeito de borda so difceis de calcular. Por este motivo, muitos projetos resultam em
uma estrutura de ponte de membrana retangular para simplificar a modelagem do
dispositivo sem sacrificar o desempenho da chave.

Usualmente, uma alta tenso de pull-down necessria para fechamento da
chave MEMS, mas uma tenso muito menor que essa suficiente para manter a
membrana na posio abaixada. Nesta posio o espaamento entre os eletrodos
do superior e inferior reduzido e uma pequena polarizao DC no gera um alto
campo eltrico e uma forte fora eletrosttica ir balancear a fora elstica do topo
do metal.

A taxa de falhas de chaves MEMS capacitivas dominada pelo atrito (stiction)
entre a camada dieltrica e o metal devido grande rea de contato da chave. A
maior fora devido aos efeitos de carga (charging) na camada dieltrica de nitreto
de silcio e, dependendo de sua polaridade, isto pode causar o levantamento da
chave no estado atuado e resultar em um aumento da tenso de fechamento no
permitindo uma utilizao posterior da chave.

A injeo de carga exponencial com a tenso e a reduo de tenso de
fechamento em 6V pode resultar num aumento de 10 vezes no tempo de vida da
chave MEMS [40] . Isto no leva por conseqncia ao projeto de chaves de baixa
tenso (5-10V) e baixo coeficiente elstico, pois esta chave tem uma baixa fora
restauradora. Uma tenso de fechamento entre 25 e 30 V a melhor resposta para
equilibrar esses fatores.



60
Conforme verificado neste captulo, existe uma grande quantidade de
requisitos que devem ser considerados no projeto de chaves MEMS com nveis de
importncia varivel conforme a aplicao. Freqentemente existem requisitos
conflitantes. O compromisso entre todos eles e a seleo do componente final
fortemente guiado pelo objetivo das aplicaes.


61




Captulo 5

Chaves MEMS Capacitivas Paralelas sobre
CPW

Neste captulo, a modelagem e resultados de simulao de Chaves MEMS
capacitivas paralelas sobre CPW sero apresentados. O aumento da banda de
operao de chaves MEMS, que um assunto muito estudado atualmente, ser o
objeto principal deste captulo. Na seo 5.1, so discutidos os fundamentos do
software de simulao utilizado para anlise das chaves. A seo 5.2 apresenta uma
estrutura CPW e a seo 5.3. apresenta a modelagem da perda de retorno e da
isolao de chaves MEMS paralelas. Na seo 5.4, os resultados de simulaes
para uma chave paralela convencional so apresentados. Na seo 5.5, so
apresentadas as chaves otimizadas neste trabalho, com o intuito de aumentar-se a
banda de operao, e os resultados de suas simulaes.

5.1 Software de simulao

Para as simulaes eletromagnticas foi utilizado o software EM3DS [49]
(Electromagnetic 3-D Solver), da Universidade de Ancona, Itlia, do qual foi obtida
uma licena temporria para a realizao deste estudo.

O EM3DS uma ferramenta de simulao no domnio da freqncia voltada
para a anlise de estruturas quasi-planares e planares sobre substratos complexos,
onde so consideradas as espessuras finitas dos condutores e as descontinuidades
do dieltrico. Este software de simulao tambm leva em conta a condutividade
finita dos condutores e as perdas dos dieltricos, bem como sua espessura.

A estrutura em anlise mantida em camadas, mas a corrente tem direo
arbitrria (J
x
, J
y
, e J
z
esto sempre presentes no modo 3D), mesmo na superfcie de


62
um condutor fino. Isto permite tambm realizar a modelagem completa de
descontinuidades no dieltrico, incluindo ressoadores dieltricos. Os resultados
obtidos so muito prximos dos encontrados na prtica.

Este software utiliza o Mtodo dos Momentos e se baseia na formulao
GTRD - Generalized Transverse Resonance-Diffraction, apresentada em [50]. O
mtodo apropriado para anlise de circuitos de ondas milimtricas/micromtricas
em uma nica pastilha. Este mtodo aplicvel com sucesso a vrias estruturas
como capacitores metal-isolante-metal, indutores em espiral e chaves capacitivas
MEMS.

A primeira etapa do mtodo o clculo das funes didicas de Green ou
DGF - Dyadic Greens Functions da estrutura. Funes de Green so uma
importante ferramenta matemtica aplicvel em reas tericas da fsica como
Mecnica, Eletromagnetismo, Acstica, Fsica dos Slidos e Teoria de Partculas
Elementares. Elas tiveram seu conceito inicial desenvolvido pelo matemtico
britnico George Green por volta de 1830.

O clculo das funes de Green uma etapa comum em aplicaes
utilizando o Mtodo dos Momentos. As DGF empregando GTRD devem relacionar o
campo eltrico com a densidade volumtrica de corrente. Uma dificuldade que se
apresenta que a representao deve ser vlida inclusive nas regies das fontes.
Assim,

=
V
dr r J r r Z r E ' ) ' ( ) ' , ( ) (
r r
(44)
onde,
V o volume para o qual as correntes no so evanescentes;
Z a funo didica de Green, incluindo as perdas dieltricas da definio da
permissividade complexa.

As correntes so obtidas atravs da imposio da Lei de Ohm, no caso de
condutores com perdas. Esta condio deve ser utilizada em lugar da condio de


63
campos eltricos tangenciais nulos empregada nos Mtodo dos Momentos no
domnio espectral ou SD Spectral Domain.

Ainda mais genericamente, J
r
pode ser uma corrente de deslocamento usada
para modelar um corpo dieltrico finito. Neste caso, impe-se a condio
)) ( ' ) ( (
) (
) (
~ ~
0
r r j
r J
r E

=
r
r
(45)
onde,
~
a permissividade complexa do dieltrico;
'
~
a permissividade complexa do meio que envolve do material.

Uma excitao do tipo delta-gap deve ser imposta para se obter uma equao
integral caracterstica do problema. Admite-se que toda a estrutura est fechada por
paredes eltricas e, em algum ponto ao longo das linhas de alimentao, um campo
eltrico de amplitude constante, ortogonal ao plano virtual e cortando a linha do
condutor aplicado. Este plano pode ser definido em uma posio arbitrria ao
longo das trs direes.
u r E
r
r
) ( ) (
0 0
= , para r pertencente linha de alimentao p (46)
onde,
igual a x, y ou z;
u
r
a direo normal ao plano definido.

A condio (45) e a excitao (46) quando aplicadas a (44), fornecem a
equao integral
u p rect dr r J r r I
r r j
r r Z
V
v
r
) ( ) ( ) ' ( ) ' , (
) ( ' ) ( (
1
) ' , (
0 ~ ~


=
(
(

(47)
onde,
I o operador identidade;
rect(p) a funo pulso, de amplitude unitria sobre a seo transversal da linha de
alimentao na porta p.



64
A equao (47) deve ser resolvida no volume dos condutores e nas regies
dieltricas finitas, sem incluir as fronteiras do domnio. Para este fim, o mtodo dos
Momentos aplicado a (47), expandindo-se as correntes desconhecidas como

= =

=
+
= = =

= = =
+
=
=
=
x
y
x
x
y
x
x
y
x
N
i
N
j
N
k
k k i i z
N
i
N
j
N
k
k i i y
N
i
N
j
N
k
k i i i x
z z z PWS y y rect x x rect z y x J
z z rect y y rect x x rect z y x J
z z rect y y rect x x x PWS z y x J
1 1
1
1
1
1 1 1
1
1 1 1
1
) , , ( ) ( ) ( ) , , (
) ( ) ( ) ( ) , , (
) ( ) ( ) , , ( ) , , (
(48)
onde,
PWS so funes senoidais por partes, assimtricas e com argumento k
0
, o nmero
da onda do vcuo;
k
0
definido como 2/,
o comprimento de onda no dieltrico
N
x
, N
y
, N
z
so os nmeros de intervalos das subsees.

A expresso (48) aplicvel a uma ampla variedade de problemas
eletromagnticos. A modelagem do efeito pelicular automaticamente considerada,
com rigor, bastando apenas tomar um nmero de subsees na direo y
suficientemente grande para aproximar a distribuio real de correntes. Assim cada
subseo deve ser menor que a profundidade pelicular.


5.2 Guia de onda coplanar

O termo linhas coplanares usado para linhas de transmisso onde todos
os condutores esto no mesmo plano [51]. Guias de onda coplanares ou CPW -
Coplanar Waveguides consistem de um trilha condutora central com duas trilhas de
planos de terra paralelas no mesmo plano da trilha central, conforme mostrado na
Figura 5.1.





65





Figura 5.1 Guia de Onda Coplanar

Uma anlise quase-esttica pode ser realizada atravs de uma transformao
conforme para o caso em que a espessura do dieltrico suficientemente grande e
pode ser considerada infinita no modelo analtico. A espessura da trilha central e dos
planos terra so consideradas desprezveis. A transformao conforme que mapeia
o plano dieltrico verdadeiro z
1
, indicado na Figura 5.2 (a), no interior do retngulo
do plano z, indicado na Figura 5.2 (b), a seguinte
2 / 1 2
1
2
1
2 / 1 2
1
2
1 1
) ( ) ( b z a z
A
dz
dz

= (49)
onde,
A uma constante.





Figura 5.2 Transformao conforme para plano de CPW

Na Figura 5.2 (b) as superfcies dos condutores e a interface dieltrico-ar so
representadas pelo topo, pela base e pelos lados do retngulo.
A relao a/b do retngulo no plano z pode ser calcula pela integrao

= +
1
0
2 / 1 2
1
2
1
2 / 1 2
1
2
1
1
) ( ) (
b
b z a z
Adz
jb a (50)
sendo dada por
) ( '
) (
k K
k K
b
a
= (51)
onde,
K(k) a integral elptica completa de 1 espcie
(b)

(a)

W

0

-a
1 a
1
G

b
1
G
-b
1
e
1
Plano z
1
f
1

0 a
a-jb -a-jb
-a
e
1
, f
1

Plano z

x

z

y

W

G G



66
sendo,
G W
W
b
a
k
2
1
1
+
= = . (52)
A funo K(k) pode ser expressa em funo de K(k) como
) 1 ( ) (
2
k K k K = (53)

A parcela da capacitncia por unidade de comprimento da linha
correspondente ao semiespao inferior, ou seja, o que contm o dieltrico, pode ser
expressa como
b
a
C
r
2
0
= . (54)
A capacitncia total por unidade de comprimento, incluindo a parcela
correspondente ao semiespao ser, ento
b
a
C
r T
2
) 1 (
0
+ = . (55)

Usando-se a aproximao quase-esttica pode-se escrever a velocidade de
fase como
2
1 +
=
r
cp
c
v

(56)
e a impedncia caracterstica do CPW pode ser escrita como
) (
) ( '
2
1
30 1
k K
k K
v C
Z
r cp T
C
+
= =

(57)
onde,
c a velocidade da luz.

Expresses simples e precisas para relao K/K podem ser calculadas por

+
=
707 , 0 0 ),
1
1
2 ln(
1 707 , 0 ),
1
1
2 ln(
1
) ( '
) (
k para
k
k
k para
k
k
k K
k K

. (58)


67
Estruturas CPW so comumente empregadas em chaves MEMS paralelas,
pois podem proporcionar uma maior relao entre as capacitncias no estado
atuado e no atuado.


5.3 Modelagem da perda de retorno e isolao

Uma chave MEMS capacitiva paralela montada sobre um guia de onda
coplanar pode ser modelada como mostrado na Figura 5.3. A regio de conexo
propriamente dita da chave est conectada a uma carga de impedncia Z
0
e a um
gerador de fora eletromotriz E
G
e de impedncia interna Z
0
, atravs de linhas de
transmisso de impedncia caracterstica Z
C
da prpria chave.
A chave paralela tem alta isolao quando a linha de transmisso curto-
circuitada. Assim, a condio ideal nesse caso seria um curto-circuito galvnico.
Entretanto, o contato entre superfcies metlicas provocaria um desgaste no metal
aps muitos chaveamentos. Para se evitar esse problema, no caso de circuitos de
RF, existe a possibilidade de realizar um contato capacitivo, separando-se os
condutores atravs de uma camada de material dieltrico.

Figura 5.3 Circuito equivalente da chave MEMS em paralelo

O circuito equivalente da regio de chaveamento tem impedncia dada por
S
S S S
C j
L j R Z

1
+ + =
(59)
onde,
Z
C

Z
E
Z
C

L
S
C
S
R
S
E
G

Z
0

~
V
S

Z
0
Z
1
Z
2


68
C
S
= C
U
ou C
D
dependendo do estado da chave;
L
S
: indutncia parasita da chave;
R
S
: resistncia de perdas da chave.

A freqncia de ressonncia do circuito LC no estado atuado
D S
D
C L
f
1
2
1
0

=
(60)
No estado no atuado, a freqncia de ressonncia muitas vezes superior a
f
0D
em virtude da relao C
D
/ C
U
>> 1 e no ser necessrio consider-la neste
trabalho. Assim, a impedncia Z
s
, no estado no atuado, pode ser aproximada por
U
SU
C j
Z

(61)
e no estado atuado por

>>

<<

D S
D
D D
S
D
D
SD
f f para L j
f f para
C j
R
f f para
C j
Z
0
0
0
0
2
1

. (62)

As impedncias Z
1
, Z
2
e Z
E
, da Figura 5.3, so
T jZ Z
T jZ Z
Z Z
c
C
C
0
0
1
+
+
=
(63)
S
S
Z Z
Z Z
Z
+
=
1
1
2
(64)
T jZ Z
T jZ Z
Z Z
c
C
C E
2
2
+
+
=
(65)

onde,
T = tg (k
0
l);
Z
s
a impedncia da chave dada por (57);


69
Z
c
a impedncia do guia de onda .

O coeficiente de reflexo na entrada do guia de onda e o coeficiente de
transmisso referidos a Z
0
, para a chave da Figura 5.3, so definidos
respectivamente por
1
1
0
0
+

=
Z
Z
Z
Z
E
E

(66)
G
S
E
V 2
=
(67)
onde,
Z
E
e V
S
so obtidas atravs de equaes convencionais das teorias de circuito e de
linha de transmisso.

A perda de retorno e a perda de insero, usualmente denominada isolao
no estado atuado, so expressas, respectivamente, por
) log( 10
2
= PR (68)
) log( 10
2
= PI . (69)

possvel um equacionamento para se determinar a perda de retorno, a
isolao e a perda de insero em termos Z
E
, Z
1
e Z
2
. O mdulo do coeficiente de
reflexo est relacionado com a taxa de onda estacionria ou VSWR - Voltage
Standing-Wave Ratio pela seguinte expresso

+
=
1
1
VSWR . (70)

Para o caso em que Z
C
= Z
0
[43], obtm-se, no estado no atuado,
( )
1
2
0
2 4
1

|
|
.
|

\
|
+ =
Z C
U
U

(71)
desprezando-se os efeitos do resistor e do indutor, e


70
2
2
2
4
G
SU
U
E
V
=
(72)
Para o estado atuado,
G
SD
D
E
V
2
2
4
=
(73)

>>
=
<<

D
S
D
S
D
D
D
f f para
Z
L
f f para
Z
R
f f para
Z C
0
2
0
2
0
2
0
2
0
2
0
2 2
2
4
4
4

. (74)


5.4 Chave convencional

A chave desenvolvida na Universidade de Michigan [43] ser utilizada como
exemplo neste trabalho e ser denominada chave convencional. Sua estrutura
apresentada na Figura 4.5 e na Figura 4.6 e suas dimenses so L = 420 m, w =
80 m, G = 60 m, W = 100 m e g = 1,5 m. Esta chave tem Z
C
= Z
0
e o circuito
equivalente da regio de chaveamento tem R
S
= 0,07 , L
S
= 7,7 pH, e C
S
= C
U
= 70
fF, no estado no atuado, e C
S
= C
D
= 2.700 fF, no estado atuado.

Desprezando-se inicialmente L
S
e R
S
, no estado atuado, a isolao, I, cresce
com a freqncia, enquanto que no estado no atuado a perda de retorno, PR,
decresce com a freqncia, conforme se verifica na Figura 5.4. Se forem
estabelecidos critrios de isolao mnima, I
min
, e perda de retorno mnima, PR
min
,
esse comportamento intrnseco da chave conduz a uma freqncia mnima de
utilizao, f
min,
limitada por isolao e uma freqncia mxima de utilizao, f
max
,
limitada por perda de retorno, conforme apresentado na Figura 5.4. Para um critrio
de isolao mnima de 15 dB, por exemplo, obtm-se f
min
= 13 GHz e para um
critrio de perda de retorno mnima de 10 dB, obtm-se f
max
= 31 GHz. A banda de
operao da chave, dada por f
max
-

f
min
, ento de 19 GHz, para esses critrios de


71
isolao e perda de retorno mnimas.


Figura 5.4 Isolao e perda de retorno em funo da freqncia indicando f
max
e

f
min
para PR
min
= 10 dB e I
min
= 15 dB

Na Figura 5.4 e na Figura 5.5, um ponto notvel o de cruzamento das
curvas. Este ponto pode ser entendido como uma figura de mrito da chave e
representa uma banda de operao nula para critrios de perda de retorno e
isolao mnimas iguais aos dados por sua ordenada. No caso da chave
considerada, tem-se f
min
= f
max
= f
C
=15,1 GHz e PR
min
= I
min
= 16,1 dB, nesse ponto,
conforme indicado na Figura 5.5.

Os critrios de perda de retorno e isolao mnimos tomados como exemplo
nas definies de f
min
e f
max
, so pouco exigentes para o desempenho de chaves de
RF. Um critrio mais realista seria PR
min
= I
min
= 20 dB. No caso da chave em
questo, esses critrios so mais exigentes que os dados pelo ponto de cruzamento
das curvas, no sendo, portanto factveis, pois resultam em f
min
> f
max
. A Figura 5.5
ilustra esse problema, mostrando que a aplicao dos critrios de 20 dB para a
PR
I
PR
min
I
min
f
max
f
min


72
chave em estudo resultam em f
max
= 9,5 GHz e f
min
= 23,7 GHz.


Figura 5.5 Isolao e perda de retorno em funo da freqncia indicando f
max
,

f
min
para PR
min
= I
min
= 20 dB e o ponto de cruzamento das curvas

A indutncia L
S
introduz uma ressonncia com a chave no estado atuado, a
qual nitidamente perceptvel na curva de isolao, conforme pode ser observado
na Figura 5.6. L
S
introduz tambm uma ressonncia com a chave no estado no
atuado cuja freqncia muito superior mxima freqncia de operao da chave,
devido relao C
D
/C
U
ser muito maior que 1. Por um lado, a freqncia mnima
definida por isolao at diminui devido a L
S
, deslocando o ponto de cruzamento
para a esquerda e para baixo, o que um benefcio marginal para o aumento da
banda de operao. Por outro lado, uma freqncia mxima limitada por isolao na
faixa de freqncias de interesse pode surgir, o que tambm poder limitar o uso da
chave em freqncias muito altas.

Num caso prtico, f
max
deve ser ento escolhida como a menor das
freqncias mximas definidas por isolao e perda de retorno. A banda de
PR
I
I
min =
PR
min
f
max
f
min
f
I
C =
PR
C


73
operao da chave incluindo os efeitos de L
S
pode ser determinada atravs da
Figura 5.6, onde foi considerado L
S
= 7,7 pH. Para um critrio de isolao e perda de
retorno mnimas de 20 dB, obtm-se f
max
= 9,5 GHz que no sofreu alterao e f
min
=
17,7 GHz, que teve uma diminuio de 6 GHz com a introduo da indutncia.
Entretanto, f
max
< f
min
, o que ainda resulta em uma banda de operao nula. No caso
da chave considerada, no ponto de cruzamento, tem-se f
C
=13,8 GHz e PR
min
= I
min
=
16,8 dB.


Figura 5.6 Isolao e perda de retorno em funo da freqncia indicando f
max
,

f
min
para PR
min
= I
min
= 20 dB e ponto de cruzamento das curvas com indutncia

A resistncia R
s
na pratica somente diminui a isolao na ressonncia da
chave, como pode ser observado atravs de comparao entre a Figura 5.6 e a
Figura 5.7. A isolao na ressonncia, se alterou de 78 dB para 51 dB. Para as
outras freqncias as curvas se mantiveram praticamente inalteradas com a
introduo da resistncia R
s
de 0,07 .

I
min =
PR
min
f
max
I
C =
PR
C
f
C
f
min
PR
I


74

Figura 5.7 Isolao e perda de retorno em funo da freqncia indicando f
max
,

f
min
para PR
min
= I
min
= 20 dB e ponto de cruzamento das curvas com indutncia e
resistncia

Os resultados apresentados foram obtidos atravs de simulao empregando-
se o modelo de circuitos da Figura 5.3. Esses resultados apresentam boa aderncia
com as medidas efetuadas no laboratrio da Universidade de Michigan para a chave
convencional e publicadas em [43], validando o modelo utilizado. Desse modo, o
estudo deste trabalho permite concluir que a chave convencional no utilizvel na
prtica para critrios de 20 dB. Mais adiante no texto, ser proposta uma soluo
para esse problema.

Resolvendo-se agora o problema eletromagntico para essa chave ao invs
de se usar o modelo de circuitos, os resultados obtidos tambm esto em plena
concordncia com os de [43]. O software de simulao utilizado foi o EM3DS
conforme discutido na seo 5.1, e as curvas de perda de retorno e isolao obtidas
encontram-se apresentadas na Figura 5.8 e Figura 5.9, respectivamente.
I
min =
PR
min
f
max
I
C =
PR
C
f
C
f
min
PR
I


75

Figura 5.8 Perda de retorno no estado no atuado (em dB) para chave
convencional medida e simulada com EM3DS

Figura 5.9 Isolao no estado atuado (em dB) para chave de convencional
medida e simulada com EM3DS


Em [44], maiores bandas que a da chave de [43] so obtidas combinando-se
0
10
20
30
40
50
0
P
e
r
d
a

d
e

r
e
t
o
r
n
o

(
d
B
)

0
10
20
30
40
50
60
0
I
s
o
l
a

o

(
d
B
)



76
duas ou mais chaves para melhorar a isolao e a perda de retorno. Entretanto, o
emprego de vrias chaves num mesmo componente reduz sua confiabilidade, que j
no muita alta para chaves MEMS de RF comumente disponveis no estado atual
da tcnica. Isso talvez o fator mais importante que tem limitado o emprego de
chaves MEMS de RF em sistemas comerciais e, portanto, a soluo apresentada em
[44] est longe de ser ideal.

Na prxima seo ser apresentada uma soluo para o aumento da banda
de operao.

5.6 Chaves Otimizadas

A seguir apresentada uma soluo para melhorar a perda de retorno da
chave no estado no atuado que no compromete as outras caractersticas da
chave e que leva a um aumento da banda de operao. A soluo apresentada
resulta na elevao de f
max
determinada por perda de retorno e realizada por
simples alterao das dimenses das linhas de transmisso de acesso a regio de
chaveamento. As alteraes introduzidas no modificam as dimenses finais da
chave.

A perda de retorno no estado no atuado severamente limitada em altas
freqncias pela capacitncia C
u
. Na chave convencional, esse efeito foi verificado
na seo 5.3, tendo ficado claro que um critrio de perda de retorno mnima da
ordem de 20 dB, combinado com um critrio similar para a isolao pode dificultar
significativamente a realizao de uma chave MEMS de RF do tipo analisado. De
fato, para as dimenses da chave escolhida como exemplo, esses critrios
inviabilizam sua utilizao.

Alterando-se a largura da trilha central do CPW em um determinado trecho
fora da regio de chaveamento, a perda de retorno apresenta sensvel melhora em
altas freqncias. Num modelo de circuitos simplificado essa reduo seria
representada como um aumento de indutncia em serie da linha de transmisso
equivalente. Esse efeito responsvel por um melhor casamento de impedncia do
circuito global, elevando f
max
e assim a banda de operao.


77

Uma vez que para altas freqncias modelos de parmetros concentrados
no representam adequadamente o comportamento da chave faz-se necessrio
utilizar softwares de simulao eletromagntica para resolver o problema. Com o
emprego do simulador EM3DS, dados foram obtidos para diversas combinaes de
largura e comprimento de parte da trilha central. Uma investigao criteriosa desses
dados, combinada com simulaes adicionais em um processo iterativo, resultou em
uma chave tima no sentido de banda de operao, sem alterao significativa das
outras caractersticas originais da chave convencional.
Desse modo, a largura W das trilhas centrais dos guias de onda de acesso
regio de chaveamento, foi reduzida para W, em um certo trecho, como mostrado
na Figura 5.10. Isso resulta em Z
C
> Z
0
. Razes tecnolgicas limitam a menor
dimenso possvel para W. Na chave otimizada utilizou-se W= 8 m e = 160 m.
Na chave de [43], W = 100 m, G = 60 m, L= 300 m e w = 80 m. Para a chave
otimizada W + 2G = W + 2G = 220 m e as outras dimenses permaneceram
inalteradas. Os resultados para a perda de retorno, isolao e perda de insero
esto mostrados nas Figuras 5.11, 5.12 e 5.13, respectivamente, e constam em
parte de [52].









Figura 5.10 Estrutura da chave otimizada

Deve-se ressaltar que, como a regio de chaveamento no foi alterada, a
tenso de atuao, confiabilidade e demais caractersticas da chave foram mantidas.


W

G
W
G


78

Figura 5.11 Perda de retorno da chave otimizada no estado no atuado (em dB)
Admitindo-se um critrio de 20 dB para a perda de retorno mnima da Figura
5.11 obtm-se f
max
= 47 GHz. Como a isolao praticamente no sofre alterao em
relao chave de [43], da Figura 5.9 obtm-se f
min
= 19 GHz para um critrio de
20dB de isolao mnima. Assim, a banda de operao para esse critrio de 20 dB,
que era nula na chave de [43], agora de 28 GHz para a chave otimizada.

Figura 5.12 Isolao da chave otimizada no estado atuado (em dB)
0
10
20
30
40
50
0
P
e
r
d
a

d
e

r
e
t
o
r
n
o

(
d
B
)

0
10
20
30
40
50
0
I
s
o
l
a

o

(
d
B
)



79

Figura 5.13 Perda por insero da chave otimizada no estado no atuado (em dB)

Solues com enfoque similar apresentada foram investigadas produzindo
resultados que apesar de melhores no ampliaram muito mais a banda de operao.
A titulo de exemplo apresentada a seguir uma configurao com capacitncia da
regio de chaveamento distribuda em duas parcelas e com uma conexo atravs de
uma linha estreita. As trilhas dos CPW tambm alteradas apresentando quatro
segmentos de diferentes larguras, conforme mostrado na Figura 5.18. Os resultados
apresentados constam em [53].

As dimenses para esta chave so W = 48 m, = 20 m, = 14 m
sendo W, G, G, , e W iguais as da chave otimizada da Figura 5.10. A largura da
membrana passou a ser w= 94 m. Esta modificao aumenta a rea de contato da
chave de maneira quase desprezvel. Assim a tenso de atuao da chave pouco se
altera.




0
0,3
0,6
0,9
1,2
1,5
0
P
e
r
d
a

p
o
r

i
n
s
e
r

o

(
d
B
)



80










Figura 5.14 Estrutura da chave otimizada com capacitncia distribuda

A Figura 5.15 apresenta a perda de retorno da chave otimizada. Para um
critrio de 20 dB, obtm-se f
max
= 50 GHz.


Figura 5.15 Perda de retorno para chave otimizada com capacitncia distribuda no
estado no atuado (em dB)

A Isolao praticamente no se alterou em relao chave de [52], conforme
0
10
20
30
40
50 0
P
e
r
d
a

d
e

r
e
t
o
r
n
o

(
d
B
)


W

G
G

W
W

w


81
mostra a Figura 5.16. Para um critrio de 20 dB, f
min
continuado sendo de
aproximadamente 19 GHz. Assim, a banda de operao para um critrio de 20 dB
de 31 GHz que 3 GHz superior a banda da chave otimizada.


Figura 5.16 Isolao para chave otimizada com capacitncia distribuda no estado
atuado (em dB)

Os resultados apresentados neste capitulo validaram a soluo proposta para
aumento da banda de operao da chave MEMS e indicam a possibilidade de se
obter novas solues com resultados ainda melhores.

0
10
20
30
40
50
60
0
I
s
o
l
a

o

(
d
B
)



82



Captulo 6

Concluses


Nesta dissertao, os principais conceitos de MEMS, suas aplicaes,
processos de fabricao, componentes e sistemas foram discutidos e foram
apresentadas evidncias que permitem concluir sobre seu potencial crescente de
utilizao nos prximos anos.

Um modelo de circuito para uma estrutura de chave MEMS de RF em
configurao paralela sobre guia de onda coplanar foi analisado em detalhe. A
validade do modelo foi confirmada atravs de simulao eletromagntica e por
comparao com resultados experimentais existentes na literatura.

Apresentou-se uma metodologia para a determinao da banda da chave
MEMS atravs de um critrio de perda de retorno e isolao mnimas desejadas,
dadas suas curvas de perda de retorno e isolao em funo da freqncia. Foi
definida uma figura de mrito como as coordenadas do ponto de cruzamento das
curvas de perda de retorno e isolao. Para um critrio de perda de retorno e
isolao iguais ordenada desse ponto, a banda de operao nula.

Partindo-se de uma chave MEMS paralela capacitiva existente na literatura,
atravs da escolha adequada da largura e do comprimento das trilhas centrais de
acesso regio de chaveamento, foi possvel aumentar significativamente a perda
de retorno no estado no atuado da chave MEMS, ampliando-se assim sua banda
de operao, segundo a metodologia proposta anteriormente. As modificaes
introduzidas no implicam em alteraes das demais caractersticas da chave como
a tenso de atuao e a confiabilidade, dentre outras.



83
A chave analisada, apresenta f
max
= 9,5 GHz e f
min
= 17,7 GHz obtidas
respectivamente das curvas de perda de retorno e isolao para um critrio mnimo
de 20 dB para ambas. Nessas condies, a banda de operao , portanto, nula.
Modificando-se a largura da trilha central do CPW, obteve-se f
max
= 47 GHz e f
min
=
19 GHz, resultando em uma banda de operao de 28 GHz.

Foi tambm estudada uma configurao da chave com a trilha central da
regio de chaveamento dividida em duas partes, conectadas atravs de uma linha
estreita. Para essa chave, obteve-se f
max
= 50 GHz e f
min
= 19 GHz, resultando numa
banda de operao de 31 GHz. Houve uma ligeira mudana em seu comprimento,
devido linha de conexo, que praticamente no altera as outras caractersticas .

Em futuros trabalhos, seria interessante aplicar a soluo apresentada a
outros tipos de chaves, por exemplo, para uma chave srie capacitiva, cujo
comportamento dual da chave analisada. Outra pesquisa importante seria a
realizao de chaves MEMS com a figura de mrito otimizada. Nessas pesquisas
deveriam ser tambm levados em conta aspectos de fabricao, como, por exemplo,
a utilizao de material dieltrico de maior constante dieltrica.





84



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