INFORME DE LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS, PRACTICA NO.

9, ABRIL 2013

Amplicador en conguracin de Emisor Comn

Renato Daz, Alex Morales, Vanessa Espinoza, Estudiantes, Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica
intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector, de extensin mucho mayor. La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento normal, la juntura base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, que por ser muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector.

ResumenDisear e implementar un amplicador en conguracin de Emisor Comn utilizando un TBJ. Index TermsAmplicador, Emisor Comn, TBJ,Disear.

I.

I NTRODUCCIN

STE presente informe se enfocar a la presentacin de resultados de la prctica ademas de la comparacin con los resultados teoricos y simulados del diseo e implementacin de un amplicador en conguracin de Emisor Comn. Abril, 2013

E
II-A.

II.

SUSTENTACIN TERICA

EL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA (TBJ)

II-A1. Historia: William Shockley, John Bardeen y Walter Brattain armaron el primer transistor, el 16 de diciembre de 1947. Poco despus, un computador compuesto por estos transistores pesaba unas 28 toneladas y consuma alrededor de 170 MW de energa. Los diez aos posteriores a la invencin del primer transistor vieron enormes adelantos en este campo: - Se inventaron distintos tipos de transistores (de punto, de juntura, de campo), basados en distintas propiedades bsicas. - Se emplearon distintos materiales, inicialmente el germanio (1948) y posteriormente el silicio (1954), el cual domina la industria semiconductora de la actualidad. - Se logr construir una gran cantidad de transistores, otros elementos y los circuitos para acoplarlos directamente sobre una oblea de silicio, a lo que se le dio el nombre de circuito integrado (1958). En estos primeros circuitos integrados, los transistores tenan dimensiones tpicas de alrededor de 1 cm. En 1971 el microprocesador de Intel 4004 tena unos 2000 transistores, mientras que hoy en da, un viejo Pentium IV tiene unos 10 millones de transistores, con dimensiones tpicas de alrededor de 0.00001 cm. Desde 1970, cada ao y medio aproximadamente, las dimensiones de los transistores se fueron reduciendo a la mitad (Ley de Moore). Si se los hace an ms pequeos, usando la tecnologa actual, dejarn de funcionar como esperamos, ya que empezarn a manifestarse las leyes de la mecnica cuntica. Para seguir progresando, se ha concebido una nueva generacin de microprocesadores basados en las propiedades que la materia maniesta en las escalas nanomtricas. II-A2. Caractersticas principales del transistor TBJ: Un transistor de juntura bipolar est formado por dos junturas PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta forma quedan formadas tres regiones: Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose como un metal. Base, la

Figura 1.El primer transistor (16 de diciembre de 1947)

II-B. AMPLIFICADOR EN CONFIGURACION DE EMISOR COMUN El amplicador en Emisor Comn se caracteriza por amplicar la seal, tanto en voltaje como en corriente, adems el voltaje de salida es invertido con respecto al de entrada. Su impedancia de entrada y de salida son altas. Los condensadores en rgimen de continua equivalen a circuitos abiertos. De modo que Cl y C2 desacoplan el amplicador de la entrada y de la salida en continua (desconectan al amplicador de vi y lo aslan de lo que est conectado al nudo de salida). En rgimen dinmico (tambin llamado rgimen de seal) supondremos que los condensadores equivalen a cortocircuitos. CE es til en este rgimen de operacin: elimina la resistencia de emisor en pequea seal (un corto circuito en paralelo con una cierta resistencia equivale a un cortocircuito), con lo que aumenta enormemente la ganancia. RE, sin embargo es necesario en continua porque estabiliza el punto de operacin Q del circuito.

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III-C. Obtener los porcentajes de Error debidamente justicados. %Error Corrientes %Error V oltajes Emisor 13.8 3.66 Base 3.24 8.88 Colector 0.97 6.43 %Error= Figura 2.Etapa de amplicador en emisor comn Vmedido VCalculado 100 Vcalculado

EJEMPLO DE ERROR %Error=| 5,8 6,73 100|=13.82 % 6,73

III. INFORME III-A. Presentar el diagrama esquemtico del circuito implementado en el laboratorio, con los respectivos cambios de haber existido.Explicando el motivo que condujo a realizarlos

Los errores obtenidos en la medicin de este circuito son aceptables ya que coinciden de muy buena manera con los valores calculados el diseo y eso se debe a que no hubo muchos cambios de valores en el diseo. III-D. Realizar los calculos necesarios para determinar la ganancia de voltaje, compararla con el valor terico calculado.Obtenga el porcentaje de error y justique el mismo. V ppP ractico V ppT erico V in 314[mV] 300[mV] V out 5.16[V] 5.7[V] Av 16.433 19 Av = 5,16 = 16,433 314[mV ] 16,433 19 100|=13.5 % 19

R3
2.2k

R1
12k

C2 Q1
2.2uF

C1 V1
2.2uF VAMPL = 314mV FREQ = 1k

Q2N3904 R2
3.3k

V2

31V

R4
56

C3

%Error=|
33uF

R6
2.2k

R5
820

Figura 3. Circuito implementado en el laboratorio Primeramente, el voltaje de entrada es de 314mV en el diseo era de 300mV, en la prctica fue el valor mas cercano que pudimos congurarle, en el voltaje de la fuente de continua no hubo cambios el circuito se conguro a 31V. Ahora, los resistores R2 ,R3 y RL no fueron cambiados los demas lo fueron ya que no existan en el mercado, entonces fueron utilizados los ms cercanos al valor del diseo. Los capacitores de igual manera fueron cambiados ya que los valores del diseo existan en el mercado, entonces fueron utilizados los capacitores ms cercanos al valor del diseo.

El error obtenido es aceptable, por lo que podemos decir que si se encontraba bien diseado el amplicador ya que este si cumple con las caractersticas que se pedan en el diseo. Este error pudo ser menor si no se hubiesen cambiado los valores de las resistencias y capacitancias en el diseo. III-E. Seales de voltaje de entrada,salida y en los terminales del TBJ observadas en el osciloscopio, explique las diferencias o semejanzas con las seales obtenidas en la simulacin.

III-B. En un cuadro presentar las mediciones AC y DC realizadas en la prctica y los valores tericos calculados en el trabajo preparatorio. Is.T eo. V s.T eo Is.P rac. V s.P rac. Emisor 6.73[mA] 5.46[V] 5.8[mA] 5.66[V] Base 123.2[uA] 6.11[V] 119.2[uA] 6.65[V] Figura 5. Vi vs Vo (circuito implementado en el laboratorio) Colector 6.16[mA] 17.1[V] 6.1[mA] 16[V]

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VI.

HOJAS DE DATOS

Figura 6. Formas de onda en el TBJ (circuito implementado en el laboratorio)

Como podemos darnos cuenta las seales obtenidas en la simulacin son parecidas que las observadas en el osciloscopio, a mas de eso la seal de salida se encuentra desfasada 180 grados con la seal de entrada. IV. CONCLUSIONES Figura 7. Hoja1

Los valores caracteristicos y la ganancia del diseo pueden ir variando dependiendo de los valores que coloquemos en el circuito, siempre y cuando estos no alteren la seal y esta al ser amplicada no corte, para esto es necesario saber que valor de capacitor colocar, ya que mientras ms alto sea este valor mejor ser la amplicacin del circuito. La ganancia es muy importante en el diseo de un amplicador y esta depende en un principio del valor que escogemos para la resistencia de colector. Cuando tenemos un voltaje de entrada Vin mayor a 1 V es recomendable escoger un valor de resistencia de colector de mayor al valor de resistencia de carga RL, pero cuando el voltaje de entrada es menor a 1 V se puede escoger un valor de RC menor o igual al de la resistencia de carga RL. La constante beta vara de un transistor a otro, depende del momento de la fabricacin, de la anchura de la base, de cmo haya sido dopada, entre otros. Para los diseos es recomendable buscar un mtodo en el que los clculos no dependan mucho del beta, un ejemplo utilizado es la realimentacin. V. RECOMENDACIONES

Figura 8. Hoja2

Es muy importante para obtener los valores aproximados al real que tanto los elementos del circuito como los elementos activos utilizados, fuente DC y generador de funciones tengan un correcto funcionamiento ya que fallas en dichos elementos afectar directamente a los valores obtenidos en la prctica. La polarizacin y el voltaje mximo que pueden soportar los capacitores es muy importante ya que un capacitor puesto en sentido contrario har que en determinado momento se corte la seal, adems para no tener inconvenientes con los elementos del circuito.

VII.

BIBLIOGRAFIA R EFERENCIAS

[1] R. Boylestad and L. Nashelsky, Electrnica:Teoria de circuitos y dispositivos electrrnicos 10ma ed. Prentice Hall, 2009. [2] Thomas L. Floyd, Dispositivos Electrnicos, Octava Edicin, Pearson Educacin; Mxico 2008. [3] Schilling, D., Belove, . 1993. Circuitos Electrnicos Discretos e Integrados. Mc Graw- Hill