Ther 1

UNIVERSITE DE LIMOGES ECOLE DOCTORALE Sciences et Ingnierie pour linformation FACULTE des SCIENCES et TECHNIQUES de LIMOGES
Anne 2010 Thse N.23-2010
THESE Pour obtenir le grade de DOCTEUR DE LUNIVERSITE DE LIMOGES Discipline : Electronique des Hautes frquences, Photonique et systmes Spcialit : "Communications Optiques et Microondes" Prsente et soutenue publiquement par
Raghida HAJJ Le Mardi 13 Juillet 2010
Conception et ralisation de fonction de filtrage dans les domaines millimtriques et sub-millimtriques
Thse dirige par Matthieu Chatras et Pierre Blondy

V. Madrangeas Professeur lUniversit de Limoges XLIM Prsidente
P. Ferrari C. Person G. Dambrine P. Blondy M. Chatras
Professeur lUniversit de Grenoble IMEP- LAHC Professeur lUniversit de Bretagne Occidentale Professeur lUniversit de Lille IEMN Professeur lUniversit de Limoges XLIM Matre de confrence lUniversit de Limoges XLIM
Rapporteur Rapporteur Examinateur Examinateur Examinateur
B. Espana F. Courtade L. Rigaudeau
Ingnieur Thals Alenia Space Service Laboratoires et Expertises au CNES - Toulouse Ingnieur au CNES
Invite Invit Invite
Remerciements Les travaux prsents dans ce manuscrit ont t effectus au sein du dpartement Minacom (MIcro et NAnotechnologies pour Composants Opto_electroniques et Microondes) de l'Institut de Recherche XLIM UMR CNRS 6172, l'Universit de Limoges. Je tiens dans un premier temps remercier Monsieur Dominique Cros, directeur du laboratoire XLIM, de m'avoir accueillie et permis de raliser ces travaux. Je remercie Madame Valrie Madrangeas, Professeur l'Universit de Limoges, de m'avoir fait l'honneur de prsider ce jury. Je remercie sincrement Monsieur Philippe Ferrari, professeur l'Universit de Grenoble d'avoir accept de rapporter sur ces travaux. J'adresse galement mes remerciements les plus sincres Monsieur Christian Person, professeur luniversit de Bretagne occidentale , Brest - L ab-sticc d'avoir rapport sur ces travaux. Je tiens aussi remercier Monsieur Gilles Dambrine, professeur lIEMN, universit de lille, d'avoir examin ces travaux. Je souhaite adresser mes remerciements les plus vifs Monsieur Pierre Blondy et Monsieur Matthieu Chatras, respectivement Professeur et matre de confrences l'Institut de Recherche XLIM de Limoges, pour avoir dirig ces travaux de doctorat et pour m'avoir fait confiance. Je remercie particulirement Monsieur Matthieu Chatras de m'avoir transmis une large partie de ses connaissances technologiques, ainsi que de m'avoir souvent apport des solutions, sinon des conseils judicieux dans la conception et la fabrication de composants.
Je remercie Madame Batrice Espana Ingnieur Thals Communications, Monsieur Frdric Courtade, Ingnieur au CNES (Centre Nationale d'Etudes Spatiales) de Toulouse, ainsi que Madame Laetitia Rigaudeau Ingnieur au CNES d'avoir accept d'examiner ce rapport et dassister la soutenance. Je remercie galement les personnes qui ont particip de prs ou de loin ces travaux, notamment Monsieur Olivier Vendier.
Mes derniers remerciements vont toutes les personnes qui m'ont accompagn et encourag tout au long de ces trois annes. A ma famille, mes amis.
Introduction generale.................................................................................. 1 Introduction ................................................................................................. 3 Chapitre 1..................................................................................................... 5 filtres : methodes de synthese..................................................................... 5 Filtres : mthodes de synthse.................................................................... 7
I. Introduction ............................................................................................................... 7 II. Systmes dexcitation............................................................................................... 8 II.1. Guides dondes.................................................................................................. 8 II.2. Lignes de transmission.................................................................................... 10 II.2.1. prsentation .............................................................................................. 10 II.2.2. La ligne microruban ................................................................................ 11 II.2.3. La ligne coplanaire................................................................................... 12 III. Filtres .................................................................................................................... 13 III.1. Thorie des filtres .......................................................................................... 14
III.1.1. Notion
de la fonction de transfert [9]........................................................ 14
III.1.2. Cahier de charge : gabarit ....................................................................... 15 III.1.3. Notion de bande passante dun filtre passe bande [10] .......................... 16 III.1.4. Synthse de filtres passe bande [11][12] ................................................ 17 III.1.5. Filtre passe bas prototype ....................................................................... 20 III.1.6. Notion de modle lectrique dun rsonateur ......................................... 20 III.1.7. Utilisation des paramtres de couplage extraits partir de la matrice idale ............................................................................................................................ 21 III.2. Filtres planaires.............................................................................................. 24 III.2.1. Filtres coplanaires CPW [20][21] ........................................................... 25 III.2.2. Filtres microrubans [23][24]................................................................... 25 III.2.3. Amlioration des structures planaires..................................................... 26 III.3. Filtres volumiques.......................................................................................... 30 III.3.1. Filtres base de guides ........................................................................... 31
III.3.2. Filtres cavits mtalliques [51] et rsonateurs dilectriques [52] ..... 32 III.4. Filtres quasi planaires [54]............................................................................. 33 III.5. Filtre accordables ........................................................................................... 34 III.5.1. Filtre accordables ferrolectriques.......................................................... 34 III.5.2. Filtres accordables Mems [56]................................................................ 35 III.6. Filtres Piezolectriques SAW et BAW.......................................................... 37 III.6.1. Filtres rsonateurs ondes acoustiques de surface (Surface Acoustic Wave SAW) .............................................................................................................. 37 III.6.2. Filtres rsonateurs ondes acoustiques de volume (bulk acoustic waves - BAW)......................................................................................................................... 37 III.7. Bilan sur les filtres ......................................................................................... 39 IV. Conclusion ............................................................................................................ 40
Bibliographie.............................................................................................. 42 Chapitre 2 : Etude et ralisation de filtres compacts en technologie planaire pour des applications spatiales ......................................................... 49 Etude et ralisation de filtres compacts en technologie planaire pour des applications spatiales .................................................................................. 51
I. Introduction ............................................................................................................. 51 II. Intrt des rsonateurs suspendus sur membrane................................................... 52 III. Etude du facteur de qualit ................................................................................... 53 IV. Etude du gabarit du filtre et spcifications ........................................................... 56 V. Positionnement du problme (rduction des dimensions) et spcifications .......... 57 V.1. Prsentation de la technologie utilise ............................................................ 57
V.2. Procd initial
et modifications apportes pour une industrialisation.............. 59
V.3. Structure demi onde ........................................................................................ 60 V.3.1. Prsentation de la structure ...................................................................... 60 V.3.2. Etude paramtrique sur les effets de tolrances de fabrication sur la rponse du filtre............................................................................................................ 62 V.3.3. Rsultats de tests spatiaux effectus sur les filtres raliss par RMT...... 67
V.4. Etude thermique .............................................................................................. 72 V.4.1. Le choc thermique.................................................................................... 72 V.4.2. Proprits critiques de la membrane ........................................................ 73 V.4.3. Les structures tudier ............................................................................ 75 V.4.4. Etude avec Ansys ..................................................................................... 76 V.5. Rduction des dimensions............................................................................... 79 V.5.1. Filtre 4 ples elliptique en rsonateur patch fente en croix [7][8][9][10][11]........................................................................................................... 80 V.5.2. Structure bimode en ronateur patch en croix perturb ........................... 82 V.5.3. Filtre quart donde[12][13] ...................................................................... 86 VI. Mesures du filtre quart donde et tude de sensibilit .......................................... 96 VI.1. Mesure ........................................................................................................... 96 VI.2. Effet de linclinaison sur la frquence........................................................... 97 VI.3. Dcalage du capot suprieur.......................................................................... 98 VII. Conclusion......................................................................................................... 100
Bibliographie............................................................................................ 104 Chapitre 3 Etude de filtres micro-usins intgrables 150 GHz ....... 107 Etude de filtres micro-usins intgrables 150 GHz........................... 109
I. Introduction ........................................................................................................... 109 II. Domaine sub-millimtrique et tat de lart .......................................................... 110 II.1. Structures planaires micro-usines................................................................ 110 II.2. Les structures filtrantes priodiques micro-usines ...................................... 110 II.3. Filtres raliss ou conus proche et au del de 100 GHz utilisant dautres technologies.................................................................................................................... 111 II.3.1. Filtre en plastique base de guides dondes avec des iris ..................... 111 II.3.2. Filtre en technologie coplanaire ............................................................. 112 II.3.3. Technologie photo-imageable couche paisse [8] ................................. 112 II.3.4. Technologie en cramiques multicouches [9]........................................ 113 II.3.5. Tableau rcapitulatif de ltat de lart .................................................... 115
III. Structure planaire micro-usine .......................................................................... 117 III.1. Etude de facteur de qualit et de sa dpendance aux paramtres de la topologie utilise. Optimisation des dimensions de la cavit......................................... 117 III.2. Dtermination de la largeur du botier ......................................................... 119 III.3. Simulations en 2.5 D avec Momentum........................................................ 121 III.4. Etude des pertes dans les accs et paramtres ajustables pour la frquence de coupure du guide et solutions envisages pour rsoudre le problme ........................... 122 III.4.1. Mise en vidence du guide.................................................................... 122 III.4.2. Simulation 3D du guide ........................................................................ 125 III.4.3. Elimination du guide............................................................................. 127 III.4.4. Prsentation technologique ................................................................... 128 III.5. Mesure des lignes sur BCB.......................................................................... 133 III.5.1. Prsentation........................................................................................... 133 III.5.2. ligne coplanaire droite .......................................................................... 134 III.6. ACCES DIRECTEMENT SUR LA MEMBRANE .................................... 136 III.6.1. Rsonateur Q0 ....................................................................................... 137 III.6.2. Filtre 2 ples ......................................................................................... 138 III.6.3. Fabrication ............................................................................................ 138 III.6.4. Mesures du filtre et du rsonateur......................................................... 139 III.6.5. Le facteur de qualit vide................................................................... 140 III.6.6. Filtre 2 ples ......................................................................................... 140 III.7. Conception dun filtre 5 ples ..................................................................... 143 III.7.1. Accs par une intgration en surface .................................................... 144 III.7.2. Accs sur membrane sur le mme plan ................................................ 148 III.8. Bilan des structures planaires optimises .................................................... 156 IV. Structure priodiques avec patchs mtalliques ................................................... 157 IV.1. Prsentation-contexte................................................................................... 157 IV.2. Fabrication ................................................................................................... 157 IV.3. Etude des modes du guide ........................................................................... 158 IV.3.1. Le guide ................................................................................................ 158
IV.4. La transition ................................................................................................. 160 IV.5. Bande interdite lectromagntique .............................................................. 162 IV.5.1. Prsentation .......................................................................................... 162 IV.5.2. Etude paramtrique de la bande interdite ............................................. 162 IV.5.3. Structure globale................................................................................... 165 IV.6. Rsonateur fort facteur de qualit 150 GHz........................................... 166 IV.7. Filtre 2 ples ................................................................................................ 167 IV.8. fabrication .................................................................................................... 169 V. Conclusion ........................................................................................................... 169
Chapitre 4................................................................................................. 175 Rsonateur sub-millimetrique accordable en technologie MEMS..... 175 Rsonateur sub-millimtrique accordable en technologie MEMS..... 177
I. Introduction ........................................................................................................... 177 II. Principe et intrt des structures accordables....................................................... 178 III. Les technologies envisageables pour la ralisation de dispositifs accordables .. 179 III.1. Semiconducteurs .......................................................................................... 179 III.1.1. Les interrupteurs et les varactors .......................................................... 179 III.1.2. Les inductances variables ..................................................................... 181 III.1.3. Les limitations des composants semi-conducteurs ............................ 182 III.2. La technologie MEMS................................................................................. 182 III.2.1. Point de vue gnral.............................................................................. 182 III.2.2. Les commutateurs et les varactors ........................................................ 183 III.2.3. Les inductances variables [16].............................................................. 187 III.3. Les matriaux permittivit variable .......................................................... 187 III.3.1. Les matriaux ferrolectriques.............................................................. 187 III.3.2. Les matriaux pizolectriques............................................................. 188 III.4. Matriaux magntiques................................................................................ 189
La variation de la permabilit magntique a un effet similaire la variation de la permittivit. Une polarisation permanente qui varie suivant le champ magntique externe peut raliser des fonctions accordables [19].................................................. 189 III.5. Bilan............................................................................................................. 189 IV. Principe dactionnement du MEMS ................................................................... 191 IV.1. Actionnement lectrostatique [20]............................................................... 191 IV.1.1. La force lectrostatique ........................................................................ 191 IV.1.2. Les avantages et les inconvnients ....................................................... 191 IV.1.3. Principe................................................................................................. 192 IV.2. Actionnement thermique [22]...................................................................... 194 IV.3. Actionnement magntique [23] ................................................................... 195 IV.4. Actionnement pizolectrique [24] ............................................................. 196 IV.5. Actionnement par SMA (Shape Memory Alloys ou alliages mmoire de forme) [30] ..................................................................................................................... 198 IV.6. Bilan............................................................................................................. 198 V. Rsonateur volumique accordable 150 GHz..................................................... 198 V.1. Approche thorique et simulation................................................................. 198 V.2. Intgration des capacits commutes MEMS ............................................... 200 V.3. Optimisation des dimensions des MEMS ..................................................... 201 V.3.1. Influence sur le facteur de qualit.......................................................... 201 V.3.2. Influence sur laccordabilit .................................................................. 203 V.3.3. Influence sur la tension dactionnement ................................................ 203 V.4. Insertion des lectrodes dactionnement ....................................................... 204 V.5. Simulation et mesure des diffrents tats...................................................... 206 V.5.2. Simulation dune cavit couple............................................................ 207 VI. Fabrication .......................................................................................................... 209 VII. Conclusion......................................................................................................... 210
Conclusion gnrale ................................................................................ 217 Annexe A .................................................................................................. 221

I. OXYDATION THERMIQUE............................................................................... 221
II. PRINCIPE DE LEVAPORATION .................................................................... 222 III. LE DEPT ELECTROLYTIQUE ..................................................................... 223 IV. PHOTOLITHOGRAPHIE.................................................................................. 223 V. GRAVURE .......................................................................................................... 226 VI. Micro-usinage volumique du Si (voie humide).................................................. 227 VII. ASSEMBLAGE ................................................................................................ 232
FABRICATION ...................................................................................... 234

I. BCB MULTICOUCHE ......................................................................................... 235 II. POLYMERISATION DU BCB EPAIS............................................................... 236 III. DEPOT DU CIRCUIT........................................................................................ 236
Annexe B .................................................................................................. 239
INTRODUCTION GENERALE
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Introduction gnrale
~2~
Introduction gnrale
Introduction
Les tlcommunications jouent un rle crucial dans nos vies quotidiennes. Elles ont donc t au cur de nos proccupations scientifiques. Pour rpondre aux besoins des nouvelles applications millimtriques et submillimtriques (communications trs haut dbit, radiomtrie, ), il est ncessaire de dvelopper des structures passives, et plus particulirement des filtres prsentant dexcellentes performances. De plus, les frquences de fonctionnement au-del de 100 GHz commencent prendre de lintrt. Les applications de la radiomtrie hyperfrquence sont trs varies. Au fur et mesure que les techniques avancent et permettent de raliser des rcepteurs toujours moins bruyants et plus haute frquence, les radioastronomes cherchent observer les signatures spectrales de nouvelles transitions molculaires. Paralllement, pour ce qui est de lobservation de la Terre et surtout de latmosphre, on essaie dexploiter de nouvelles raies dabsorption : 118 GHz pour loxygne, 183 GHz pour la vapeur deau et vers 200 GHz pour lozone. Compte tenu des faibles longueurs donde mises en jeu de tels niveaux de frquence, le dveloppement de nouvelles fonctions requiert non seulement une excellente matrise technologique mais aussi une matrise de la phase de conception des dispositifs. Les progrs rcents en nanotechnologie, en caractrisation haute frquence et en conception assiste par ordinateur ont modifi de manire importante la fabrication des composants aux frquences millimtriques et sub-millimtriques. Nous avons utilis les technologies de micro-usinage de surface et de volume pour la fabrication de filtres faible cot destins une intgration dans des satellites. Le premier chapitre prsente une vue d'ensemble des filtres destins aux tlcommunications spatiales. Dans ce chapitre les diffrents types de lignes et de filtres, ainsi que leurs avantages et inconvnients ont t dtaills. On a ensuite mis laccent sur le choix des technologies et lintrt du micro-usinage. La mthode de synthse des filtres y est galement explique. Des filtres et des rsonateurs 19.825 GHz et 150 GHz ont alors t conus et raliss dans les chapitres 2 et 3 pour des applications spatiales. A 19.825 GHz, lobjectif tait de
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Introduction gnrale concevoir un filtre offrant de bonnes performances lectromagntiques (notamment en rjection) et dont les dimensions soient parfaitement compatibles avec un rcepteur fabriqu par Thales Alenia Space. Autour de 150 GHz, plusieurs topologies et filtres ont t conus. En exploitant le micro-usinage volumique du silicium, des filtres planaires coupls lectriquement ont t tudis. Les cavits contenant les rsonateurs ont t analyses en trois dimensions, pour prdire parfaitement le comportement des filtres. Notre effort s'est ensuite orient vers l'analyse de structures mtalliques priodiques prsentant des bandes interdites lectromagntiques. Lintrt de ces structures est de permettre une augmentation du facteur de qualit des rsonateurs. Un filtre 2 ples base de guide structures priodiques a pu ainsi tre conu. Le dernier chapitre de cette thse est consacr aux dispositifs accordables. Le domaine sub-millimtrique a toujours t vis. Aprs une prsentation des diffrentes technologies permettant laccord frquentiel, nous avons retenu lintgration de capacits variables MEMS dans des cavits rsonantes. Nous proposons ainsi une topologie offrant un bon facteur de qualit, une intgration aise et un large accord frquentiel.
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CHAPITRE 1
FILTRES : METHODES DE SYNTHESE
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Chapitre 1 : Filtres : mthodes de synthse
Filtres : mthodes de synthse
I. Introduction
Un filtre est utilis dans les systmes de communication pour slectionner les signaux souhaits. La fonction de filtrage est la consquence du phnomne de rsonance une frquence fixe. En associant plusieurs rsonateurs une rjection plus importante est obtenue hors de la bande passante du filtre. Les filtres sont utiliss en particulier dans les chanes de transmission et de rception des satellites de tlecommunication. Dans le contexte du filtrage haute frquence, plusieurs technologies ont merg pour pouvoir effectuer cette monte en frquence. Lamlioration des performances lectriques des frquences de lordre de quelques dizaines de GHz quelques centaines et la rduction des cots de fabrication sont des enjeux primordiaux. Dans ce chapitre nous allons voquer de manire gnrale les diffrents types de lignes et de filtres en prsentant leurs avantages et leurs inconvnients. Laccent sera ensuite mis sur le choix des technologies et lintrt du micro-usinage pour amliorer les performances. Dans un premier temps, les systmes dexcitation utiliss en radiofrquence, composs de guides dondes et de lignes distribues, seront voqus avec des exemples rcents de travaux de recherche. Ensuite les diffrents types de filtres seront dcrits en proposant des exemples correspondant chaque type. Ils se divisent en deux catgories principales : les filtres volumiques et les filtres planaires. Auparavant, la thorie des filtres et la mthode de synthse auront t introduites. A chaque gabarit, un type convenable de filtres devra ainsi tre associ. Dans la partie filtrage planaire, tant donn que les circuits planaires classiques souffrent dimportantes pertes dinsertion aux hautes frquences les diffrentes techniques permettant damliorer le facteur de qualit (comme le micro-usinage, le filtrage actif, les supraconducteurs ) seront prsentes avec leur points forts et leur faiblesses. insisterons surtout sur le micro-usinage qui est la technologie que nous avons retenue.
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Nous
Chapitre 1 : Filtres : mthodes de synthse Dans une autre partie, comme laugmentation du facteur de qualit est un lment primordial des recherches pour amliorer la performance des filtres, lassociation de technologies planaires et volumiques donne des filtres quasi planaires qui prsentent un facteur de qualit important avec les proprits dintgration avantageuses dune structure planaire. Quelques exemples de travaux de recherche bass sur ces filtres sont montrs. Une partie de ce chapitre est galement consacre au MEMS (Micro-ElectroMechanical-System) qui connaissent une volution trs rapide et qui sont dj intgrs dans plusieurs applications industrielles et mdicales. Plusieurs types de MEMS existent, nous les dtaillerons et en expliquerons le principe de fonctionnement. Dans la dernire partie, des filtres mcaniques ou acoustiques comme les filtres pizolectriques SAW (Surface Acoustic Wave) ou BAW (Bulk Acoustic Wave) seront prsents avec les technologies utilises pour les fabriquer.
II. Systmes dexcitation

Les ondes lectromagntiques sont transmises par diffrentes voies : filaires ou non filaires. Tout type de transmission va faire subir londe des pertes qui vont lattnuer. Plusieurs modes de propagation peuvent tre excits suivant les dimensions choisies. Les systmes dexcitation transportent ces ondes lectromagntiques qui sont reprsentes sous forme de champ lectrique ou champ magntique puisque les deux champs sont lis par les quations de Maxwell. Ces champs vont servir pour coupler dautres systmes comme par exemple des rsonateurs ou des guides. Deux types de couplages existent : le couplage lectrique et le couplage magntique. Les systmes dexcitation pour les ondes radios sont diviss en deux parties principales : les guides donde et les lignes distribues.
II.1. Guides dondes

Un guide d'onde est un systme qui sert guider les ondes lectromagntiques ou les ondes acoustiques. Selon la taille du guide, celui ci peut tre monomode, c'est--dire qu'il ne supporte qu'un mode ou alors multi-modes, c'est--dire qu'il va supporter plusieurs modes [1]. Un mode correspond une configuration spatiale du champ lectromagntique. On peut citer
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Chapitre 1 : Filtres : mthodes de synthse les modes transverse lectrique (TE) et transverse magntique (TM), pour lesquels le champ lectrique et le champ magntique constituant l'onde sont orthogonaux la direction de propagation. Selon la rpartition du champ, chaque mode voit un indice diffrent des matriaux constituant le guide d'onde dpendant de chaque mode. L'indice vu par chaque mode dfinit l'indice effectif. Parmi les guides dondes courants, on peut citer les cbles coaxiaux, utiliss pour des frquences allant de quelques dizaines de kilohertz (kHz) plusieurs centaines de mgahertz (MHz)[2]. Ils sont constitus de deux conducteurs cylindriques de mme axe, isols lectriquement lun de lautre. Ainsi, des courants lectriques opposs parcourent les deux conducteurs, mais londe est localise dans lespace sparant les deux conducteurs et se propage dans le sens de la longueur du cble. Les cbles coaxiaux sont notamment utiliss pour relier une antenne parabolique et un dmodulateur dun ensemble de rception satellite pour la tlvision (frquence denviron 1 GHz) ou encore lamplificateur et lantenne mettrice dun radar militaire. Lusage du cble coaxial s'tend toute application dans laquelle un signal doit subir un minimum de dformation et daffaiblissement, ou celles o l'limination des interfrences extrieures est prpondrante. Lutilisation des cbles coaxiaux aide rsoudre les problmes que posent les lignes bifilaires : la construction des coaxiaux de deux conducteurs (conducteur central et blindage) spars par un dilectrique empche la rception de rayonnements et la fuite de londe lectromagntique. Les diffrents types de cbles coaxiaux et triaxiaux sont caractriss par les matriaux de base utiliss (conducteurs et isolants), le diamtre du conducteur central, limpdance caractristique, la capacit, lattnuation maximale et la gamme de frquence employe. Pour la propagation des ondes hyperfrquence (plusieurs gigahertz) le guide dondes peut tre constitu dun simple conducteur creux dans lequel londe se propage sans support physique[3]. Comme pour les ondes libres, la propagation des ondes y est rgie par les quations de Maxwell. La gomtrie interne du guide permet de dfinir une frquence de coupure, qui est la frquence minimale que doit avoir londe pour pouvoir se propager. Les fibres optiques sont un autre exemple de guides dondes, pour des trs hautes frquences[4] : celles-ci permettent de transmettre un signal lumineux sur des distances de plusieurs milliers de kilomtres. Dans ce cas, cest le phnomne de rflexion qui permet au rayon lumineux de rester lintrieur de la fibre : la distribution radiale de lindice optique du
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Chapitre 1 : Filtres : mthodes de synthse matriau est calcule de telle sorte que par rflexions successives le rayon lumineux soit toujours ramen vers le centre de la fibre et donc guid par celle-ci. La figure 1 montre diffrentes gomtries de guide dondes.
figure 1. Diffrentes structures de guide dondes.
II.2. Lignes de transmission
II.2.1. prsentation La miniaturisation des circuits ainsi que laccroissement de leur frquence de fonctionnement a donn naissance de nombreuses structures planaires de transmission de linformation. De par leur encombrement rduit, leur faible poids et leur facilit de fabrication emprunte la technologie classique des circuits basse frquence, ces structures sont largement exploites dans le milieu industriel. La figure 2 montre les diffrents types de lignes planaires.
(a)
(b)
(c)
(d)
figure 2. Les diffrents types de lignes planaires
(a) La ligne bande (stripline) est assez volumineuse puisquelle fait intervenir deux plans de masse.
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Chapitre 1 : Filtres : mthodes de synthse (b) La ligne coplanaire (CPW) [5] Elle possde trois bandes mtalliques et deux fentes : Un conducteur du signal spar par un gap dair de deux lignes de masse. Une variante de cette ligne est la ligne coplanaire avec un plan de masse infrieur (GCPW) [6]. (c) La ligne fente (slot line) [7]o deux conducteurs formant la ligne de transmission sont dposs sur la mme face du substrat dilectrique. (d) La ligne microruban [8](ou encore microbande ou microstrip) comporte un substrat dilectrique mtallis sur la face arrire (le plan de masse) et un circuit mtallis sur la face avant. On va sintresser plus particulirement aux lignes microrubans et aux lignes coplanaires qui seront utilises pour exciter nos systmes. En hautes frquences ces lignes seront traites dune manire particulire pour viter des modes parasites susceptibles de sinstaller. Les inconvnients majeurs de ces lignes par rapport aux guides sont la puissance maximale quelles peuvent supporter et les pertes dinsertion engendres.
II.2.2. La ligne microruban
figure 3. constitution dune ligne microruban
Cette ligne, prsente figure 3, est compose dun conducteur mtallique plac sur un substrat qui le spare dun plan de masse. Le mode dominant dans cette ligne est un mode quasi TEM (Transverse Electro-Magntique), c'est dire que les champs magntique et lectrique sont perpendiculaires l'axe de la ligne transmettant le signal. Limpdance caractristique dune ligne microruban dpend de ses dimensions et de la nature du substrat
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Chapitre 1 : Filtres : mthodes de synthse isolant. Cette ligne prsente des pertes mtalliques, dilectriques et par rayonnement. Ces dernires peuvent tre limines par le blindage de la structure.
II.2.3. La ligne coplanaire
figure 4. ligne coplanaire
Cette ligne, montre figure 4, est compose dun conducteur mtallique entour par deux lignes de masse relies. Elle pourra avoir un plan de masse infrieur et dans ce cas sappellera ligne coplanaire avec plan de masse. Cette structure supporte deux modes de propagation : un mode pair quasi TE encore appel mode de fente et un mode impair quasi-TEM encore appel mode coplanaire. Ce dernier mode nous intresse cause de sa faible dispersion en frquence. Le mode de propagation de la ligne dpend de ses dimensions. Pour viter les modes pairs, il faut satisfaire les conditions suivantes :
equ.1 d d/10
avec d = o/
: permittivit relative
o : longueur donde dans le vide d : longueur donde dans le dilectrique

equ.2 d<<h
Lun de ses principaux avantages est que les autres circuits peuvent tre monts sur le haut du circuit, avec un report beaucoup plus simple, que dans le cas du microruban des plans de masse. De plus, elle fonctionne bien en hautes frquences (100 GHz ou plus) car le branchement une ligne coplanaire n'implique pas de discontinuits parasites dans le plan de masse. Limpdance caractristique de cette ligne dpend de la largeur de la ligne centrale, du gap entre cette ligne et les lignes de masse et galement des proprits et des dimensions du
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Chapitre 1 : Filtres : mthodes de synthse substrat. Des lignes avec de petites largeurs w et de petits gaps G seront utilises pour monter en frquence et ainsi viter les modes parasites. Les lignes coplanaires sadaptent mieux que la ligne microruban lintgration dlments passifs aussi bien en srie quen parallle ainsi quaux techniques dassemblage flip chip. Par contre, les pertes des lignes microrubans sont plus faibles que celles des lignes coplanaires. Le choix du type de ligne dpendra ainsi des besoins de lapplication. Par exemple dans le cas de filtres quart dondes court-circuits les lignes coplanaires sont plus intressantes parce que leur plan de masse se trouve dans le mme plan que le conducteur du signal. Par contre, si la structure est de type demi-onde il peut tre prfrable de lexciter en utilisant des lignes microrubans. Comme la mesure des circuits seffectue souvent sous pointes il est alors ncessaire dajouter une transition coplanaire microruban. Nous avons choisi de travailler avec les lignes distribues plutt que des guides donde cause de leur facilit dintgration et de leur faible cot et pour pouvoir facilement mesurer nos circuits.
III. Filtres
Les filtres sont intgrs dans tous les systmes de tlcommunication (radio, tlvision, tlphone mobile, satellite de communications), et les systmes dacquisition et de traitement de signaux physiques (surveillance mdicale, ensemble de mesure, radars). Ils attnuent les signaux non dsirs et laissent passer les signaux utiles. Aprs avoir vu comment nous excitons nos circuits rsonants, nous allons maintenant regarder comment fonctionnent ces circuits ainsi que les diffrents types de filtres qui existent. Nous nous intressons plus particulirement dans ce travail aux filtres passe bande passifs. Les filtres hyperfrquences raliss laide dlments distribus tels que les lignes de transmission, les guides dondes rectangulaires et circulaires et les cavits dilectriques sont dcrits. Les points forts et les limites de chaque type sont mis en avant.
~ 13 ~
III.1. Thorie des filtres

Un filtre est un circuit lectronique, caractris par une fonction de transfert, qui ralise une opration de traitement du signal. Il se base sur le couplage entre plusieurs cellules rsonantes qui forment finalement un certain gabarit en terme de pertes, de transmission et de rflexion. Il attnue certaines composantes d'un signal sur une bande de frquence et en laisse passer d'autres dans une autre bande de frquence appele bande passante. Les filtres sont classs par type comme tant passe haut, passe bas, passe bande et coupe bande ou par technologies en tant passif, actif, mcanique ou numrique. Un filtre passe-bas est un filtre qui laisse passer les basses frquences et qui attnue les hautes frquences, c'est--dire les frquences suprieures la frquence de coupure. Il pourrait galement tre appel filtre coupe-haut. Le filtre passe-bas est l'inverse du filtre passe-haut et ces deux filtres combins forment un filtre passe-bande. Donc, Un filtre passe-
bande est un filtre ne laissant passer quune bande ou intervalle de frquences compris entre
une frquence de coupure basse et une frquence de coupure haute. Les spcifications demandes au filtre varient selon les applications vises. Elles sont dcrites dans un cahier des charges (gabarit) partir duquel un circuit satisfaisant ces spcifications va tre construit. Une tape intermdiaire importante est la construction de la fonction de transfert du circuit. Plusieurs types de filtres sont disponibles avec des caractristiques diffrentes (pertes, ondulation, adaptation et rjection). Aprs le choix du type adquat, la fonction de transfert est dduite. A partir du modle choisi et du gabarit souhait la matrice de couplage idale Mij est extraite. Finalement la dernire tape est celle de la conception et de loptimisation du circuit lectromagntique. Les dimensions sont optimises pour respecter la matrice idale.
III.1.1. Notion de la fonction de transfert [9]
V1
V2
figure 5. Fonction de transfert H
Le comportement dun filtre est dfini par ltude frquentielle de la fonction de transfert entre lentre et la sortie du filtre.
~ 14 ~
equ.3
H(jw) =
V2 V1
Par exemple pour le filtre passe bas de second ordre la fonction de transfert est la suivante :
equ.4
H ( p) =
1 p p2 1 + 2m + 2 w 0 w0
avec p=jw, m lamortissement et w0 = 2f0 pulsation propre; f0 la frquence de rsonance. Pour le filtre passe bande de second ordre la fonction de transfert est la suivante :
equ.5
P w0 H ( p) = p p2 1 + 2m + 2 w 0 w0 2m
III.1.2. Cahier de charge : gabarit

Un filtre idal, avec un gain constant dans la bande de transmission et un affaiblissement infini dans la bande que lon dsire liminer avec une transition abrupte entre les deux bandes, est impossible raliser. Ainsi nous nous contentons dapprocher cette rponse idale en conservant une attnuation infrieure A max (Dond) dans la bande passante et une attnuation suprieure A min (Att) hors bande (bande attnue) (figure 6). Cela conduit ainsi dfinir un gabarit prsentant des zones interdites et des zones dans lesquelles devront imprativement se situer les courbes reprsentant lattnuation du filtre en fonction de la frquence. Le gabarit doit donc prciser les limites de tolrance pour les diffrents lments du filtre savoir : La ou les frquences de coupure Fc ou Fc1,Fc2 Lattnuation dans la bande coupe Att en dB Londulation dans la bande passante en dB
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Chapitre 1 : Filtres : mthodes de synthse La largeur de la bande de transition situe entre la frquence de coupure et la zone attnue car la coupure dun filtre nest jamais parfaite Dftrans. La figure 6 illustre les diffrentes notations de gabarits suivant les filtres. A(dB) reprsente lattnuation en dB.
Zone interdite
figure 6. Gabarit des diffrents types de filtres
III.1.3. Notion de bande passante dun filtre passe bande [10]

La bande passante BP dun filtre passe-bande est lintervalle de pulsations [b, h] qui correspond aux pulsations telles que le gain soit au plus 3 dcibels en dessous du gain maximum (figure 7).
~ 16 ~
G(h) = G(b) = G(0)-3,

et
BP = [b, h]
figure 7. dfinition de la bande passante 3 dB
III.1.4. Synthse de filtres passe bande [11][12]

Pour concevoir un filtre obissant un certain gabarit ou cahier de charge, on a recours plusieurs modles. Il sagit de choisir, partir de ces spcifications, la fonction de transfert adquate. Plusieurs modles existent pour la synthse de filtre analogique comme les modles de Tchbychev, Butterworth, Elliptique ou Tchbychev invers.
III . 1. 4 .1 . Fil tre Bu tterworth [ 13]
Un filtre de Butterworth est un type de modle de filtre linaire, conu pour possder un gain aussi constant que possible dans sa bande passante. Ces filtres sont nomms daprs lingnieur britannique Stephen Butterworth qui les a dcrits pour la premire fois [14].
III . 1. 4 .2 . Fil tre Tch bych ev [ 15]
Les filtres de Tchbychev sont un type de filtre caractris par l'acceptation d'une ondulation, ou bien en bande passante ou bien en bande attnue. Dans le premier cas, ce sont des filtres de Tchbychev de type 1 ou directs, dans le second, de filtres de Tchbychev de type 2 ou inverses.
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III . 1. 4 .3 . Fil tre El l ip tiqu e [ 16]
Les filtres qui prsentent une ondulation la fois en bande passante et en bande attnue sont appels filtres elliptiques.
III . 1. 4 .4 . Mth od e d u ch oix d u mod l e
La figure 8 montre le raisonnement suivre pour choisir entre ces types de filtres analogiques selon lapplication et le gabarit souhaits.
figure 8. Mthode de dtermination du filtre convenable
Avec bp : bande passante sb : stop-bande Si les ondulations ne sont pas permises du tout dans la bande passante, le seul type utiliser est Butterworth. Si les ondulations sont permises dans les deux pentes et si une pente trs raide est requise le filtre elliptique est un bon choix puisquil prsente la pente la plus raide. Par contre, si une pente raide est requise et que les ondulations sont permises sur une
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Chapitre 1 : Filtres : mthodes de synthse seule bande (bande passante ou bande stoppe) alors la solution sera dutiliser un Tchbychev. La figure 9 montre la comparaison entre ces modles en terme de gain normalis en fonction de frquence normalise.
Gain
Gain
f norm (a) Butterworth Gain (b) Tchbychev type 1
f norm
Gain
f norm
f norm
(c) Tchbychev type 2
(d) Elliptique
figure 9. Diagramme de Bode des gains normaliss (a) d'un filtre de Butterworth, (b)d'un filtre de Tchebychev de type 1, (c)d'un filtre de Tchebychev de type 2 et (d) d'un filtre elliptique
Par comparaison avec les filtres de Tchbychev ou elliptiques, les filtres de Butterworth ont une rjection plus faible qui implique d'utiliser un ordre plus important pour une implantation particulire. Leur gain est en revanche nettement plus constant dans la bande passante. Les filtres Tchbychev et elliptiques sont utiliss lorsquune transition raide est requise. Les filtres Tchbychev prsentent une ondulation dans la bande passante au contraire
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Chapitre 1 : Filtres : mthodes de synthse des filtres Tchbychev inverse ou type 2 qui prsentent une ondulation ou ripple dans la bande de rjection. Les filtres elliptiques, malgr leur meilleure slectivit, prsentent une ondulation dans les deux bandes et sont souvent plus difficiles rgler.
III.1.5. Filtre passe bas prototype

Quel que soit le type de filtre (dans la famille des passe bas, passe haut, passe bande et coupe bande), le travail de calcul de la fonction de transfert se fera sur un filtre passe bas reprsentatif du filtre construire : c'est son filtre passe bas prototype.
Il existe en effet des transpositions entre les fonctions de transfert d'un filtre passe bas et chacun des trois autres types. Cest une simplification considrable qui est justifie par le fait que lon recherche reprsenter les spcifications dun filtre par un gabarit simplifi symtrique. En effet, ces transformations sappliquent aussi bien aux gabarits quaux fonctions de transfert et aux impdances. Si lon veut raliser un filtre passe-haut, passe-bande ou coupe-bande dont les paramtres sont Amax, Amin et une slectivit k, il suffit alors dtudier le filtre prototype passe-bas dfini par ces mmes paramtres et den transposer la fonction de transfert. Dans un premier temps on dtermine le modle passe bas ncessaire. A partir du modle passe bas choisi, une transformation, laide dun changement de variable pour obtenir le filtre passe bande, est ralise par la relation suivante :
equ.6
+ w0 ) w0 p p
avec p : bande passante
III.1.6. Notion de modle lectrique dun rsonateur

Un filtre passe bande passif peut tre obtenu par lutilisation dun circuit RLC srie ou parallle. Le modle lectrique est le suivant :
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figure 10. Modle RLC srie rsonant
la fonction de transfert est dans ce cas :
F(jw) =
equ.7
avec
1 L 1 1+j( w) R RCw 1 w0 = LC
Le circuit RLC est constitu dune rsistance, dune inductance et dune capacit. Cest un circuit rsonant w0 (f0) et caractris par son facteur de qualit Q. La frquence de rsonance f0 est dduite de lexpression de la pulsation : f0 = 1 2 LC
equ.8
Pour un filtre passe bande le rapport
R est utilis pour rgler la valeur de la bande 2L
passante. Plus ce rapport augmente plus la bande passante slargira.
III.1.7. Utilisation des paramtres de couplage extraits partir de la matrice idale

Aprs le choix du modle de filtre analogique fait suivant les performances requises par le cahier des charges, on extrait les paramtres Mij et Kij de la matrice idale de couplage. La matrice de couplage [k] contient les valeurs de couplages entre les diffrents lments rsonants du filtre. Les coefficients de qualit extrieurs dentre Qee et de sortie Qes reprsentent les couplages au niveau des systmes dexcitation. Pour chaque fonction de transfert saisie, un logiciel dvelopp XLIM calcule la matrice de couplage [M] et les rsistances dentre Re et de sortie Rs. Ces trois donnes sont normalises par rapport la frquence centrale f0 et la bande passante quiondulation f. A partir de ces paramtres, on
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Chapitre 1 : Filtres : mthodes de synthse dduit les valeurs de deux lments primordiaux pour la conception des filtres. Les coefficients de couplage inter-rsonateurs kij sont relis aux termes Mij par lquation : kij = Mij f f0
equ.9
Les coefficients de qualit extrieurs Qee et Qes sont respectivement rattachs aux rsistances Re et Rs par les quations suivantes : Qee = f0 f Re f0 f R s
equ.10
equ.11
Qes =
Si le filtre est symtrique, les facteurs de qualit extrieurs dentre et de sortie sont identiques et les coefficients de couplage inter-rsonateurs symtriques sont gaux.
b. Q ex t
le facteur de qualit extrieur nous permet de calculer la distance de couplage entre les entres/sorties et les rsonateurs.
g/2 R1
gap
figure 11. Modle pour la simulation de Qext
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figure 12. Phase de S11
Un rsonateur coupl est simul (figure 11) pour extraire la courbe de la phase du coefficient de rflexion S11 comme le montre la figure 12. Qext est calcul en suivant la formule suivante :
equ.12 Qext = f0/ f
Avec f : la diffrence entre les deux frquences correspondant la phase (-90 ;+90).
c. K ij
le coefficient de couplage inter-rsonateur nous permet de calculer la distance interrsonateur.
R1
R2
figure 13. Dcouplage des rsonateurs
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figure 14. Coefficient de transmission S12
Kij est calcul partir de la formule de lquation 13 en utilisant le modle de la figure 13 qui est form de deux rsonateurs dcoupls et la courbe de la figure 14. kij = fm 2 fe 2 fm 2 + fe 2
equ.13
Cette partie est relative au modle conu donc au type de filtre quil soit planaire, volumique ou quasi planaire. Il est choisi avant ltape doptimisation suivant des critres de facteur de qualit vide, de cot de production, de possibilit dintgration dans un systme et dencombrement. Ensuite les dimensions de ce modle sont optimises pour obtenir le gabarit de spcifications. Dans la partie suivante, les diffrents types de filtres sont dcrits avec leurs avantages et leurs inconvnients. Il existe des filtres planaires, volumiques et quasi planaires. Des technologies damlioration des filtres planaires sont galement proposes. En plus de ces filtres classiques, il y a eu rcemment lapparition de filtres MEMS [17] ou de filtres acoustiques [18]. Plusieurs travaux de recherche qui se concentrent sur ces thmes sont prsents.
III.2. Filtres planaires

Les filtres planaires sont constitus de lignes mtallises considres comme rsonateur avec une longueur proportionnelle la longueur de l'onde la frquence de travail. Les
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Chapitre 1 : Filtres : mthodes de synthse couplages sont capacitifs ou selfiques suivant la gomtrie des lignes et leur position. Ces lignes peuvent tre replies pour rduire l'encombrement : diffrentes formes et faons ont t voques dans la littrature[19]. Il existe diffrents types de filtres planaires avec des lments distribus comme :
III.2.1. Filtres coplanaires CPW [20][21]

Ils sont bass sur le principe de la ligne coplanaire. Plusieurs travaux de recherche dans la littrature ont utilis la technique coplanaire pour concevoir des filtres. L'un des gros avantages de ces filtres est la facilit d'intgration et de report d'autres structures, comme les MMIC, avec une connexion par bumps et report flip-chip [22]. Mais la conception de fonctions de filtrage complexes est dlicate avec cette technologie. Un exemple de filtre coplanaire 2 ple avec des rsonateurs quart donde est montr figure 15
figure 15. Filtre 2 ples coplanaire base de rsonateurs quart donde
III.2.2. Filtres microrubans [23][24]

Ils sont bass sur le principe de la ligne microruban. Bien que ces filtres aient lavantage dtre facilement intgrables, davoir un faible cot de production et un encombrement rduit, en travaillant en hautes frquences, ces circuits vont subir des pertes, Des techniques damlioration sont alors ncessaires. Les pertes peuvent tre regroupes en trois catgories.
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Chapitre 1 : Filtres : mthodes de synthse Les pertes par rayonnement apparaissent et augmentent avec la frquence. Ces pertes peuvent prendre plusieurs formes : modes de substrat, rayonnement vers lextrieur ou excitation des modes de botier. Pour limiter ces phnomnes, des substrats de faible paisseur et de faible permittivit peuvent tre utiliss pour diminuer les dimensions transverses des circuits. Le blindage des structures micro-usines permettra dliminer leur rayonnement. Les pertes mtalliques augmentent ds lors que lon diminue les dimensions transverses des circuits, coplanaires ou micro-ruban, pour viter lapparition de modes suprieurs. Les pertes dilectriques : chaque matriau est caractris par une tangente de pertes tg qui est lorigine des pertes dilectriques. Avec ces diffrentes pertes, lutilisation des structures planaires est limite malgr leurs avantages. Do lintrt de lutilisation dlments actifs, du micro-usinage ou des matriaux supraconducteurs qui vont permettre la rduction des pertes dinsertion et ainsi augmenter le facteur de qualit des structures planaires.
III.2.3. Amlioration des structures planaires
III . 2. 3 .1 . Fil tres actifs
Les filtres sont dhabitude constitus dlments passifs. Lutilisation de filtres actifs, dans lesquels un amplificateur est plac en rtroaction permet de compenser les pertes dans le rsonateur [25]. De plus, en augmentant la slectivit nous allons diminuer les pertes. Les filtres actifs sont galement facilement accordables [26]. L'intrt principal des filtres actifs rside dans leur faible cot. Cependant de nouveaux problmes vont alors apparatre : consommation des lments actifs, stabilit thermique, augmentation du facteur de bruit Le niveau de bruit et la prsence de tensions d'offset peuvent aussi en limiter les domaines d'application qui se situent de toute faon dans les gammes de frquence de fonctionnement des composants actifs utiliss. Ce bruit parasite, au-del d'un certain seuil, peut tre gnant. Toutefois il peut souvent tre matris.
III . 2. 3 .2 . S u p racond u cteu rs [ 27]
La thorie complte de la supraconductivit a t propose en 1957 par Schrieffer.

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Chapitre 1 : Filtres : mthodes de synthse Un supraconducteur est un matriau qui, lorsqu'il est refroidi en dessous d'une temprature critique Tc, prsente deux proprits caractristiques, qui sont : une rsistance nulle ; un diamagntisme parfait. Bien que l'utilisation des supraconducteurs soit limite par la basse temprature qu'ils ncessitent, il n'en reste pas moins que les scientifiques leur ont trouv des applications trs diversifies que ce soit dans les domaines de l'environnement, de la mdecine, de l'ingnierie ou de llectronique [28][29]. Les filtres supraconducteurs prsentent des pertes extrmement faibles cause de leur faible rsistivit [30]. On utilise certaines gomtries de films minces supraconducteurs dans la conception de filtres bande trs faible (<1% de bande relative). On les utilise le plus souvent en tlcommunications ou dans les radars. Ils sont utiliss dans les stations de base de circuits tlphoniques puisque leur emploi rduit sensiblement linterruption de
communication et amliore de 30 % la qualit. Les matriaux supraconducteurs, permettront dobtenir de trs fortes slectivits. Par exemple, si un rsonateur microruban de longueur lectrique /2 fabriqu au moyen de films dor sur un substrat daluminate de lanthane possde un facteur de qualit vide de 400 4 GHz, le remplacement du mtal ordinaire par un supraconducteur conduit un Q0 denviron 30000 [31]. Un autre exemple est une cavit dont les parois intrieures sont revtues dune couche dYbaCuO et qui fonctionne 5,66 GHz sur le mode TE011 avec un facteur de qualit vide de 715000 77 K [32][33]. Cependant leur problme est quils sont trs coteux par rapport des filtres conventionnels. De plus ils doivent tre mis dans un systme de refroidissement (un systme cryognique doit tre intgr autour du filtre, augmentant le volume et le poids du systme).
III . 2. 3 .3 . Micro-u sinage [ 34]
Lapplication du micro-usinage pour les circuits millimtriques et micro-ondes a t explore en 1979 avec la fabrication dune antenne micro-usine de 2.5 THz sur un substrat de silicium [35]. Le micro-usinage permet la fabrication de composants mais aussi l' intgration de circuits [36].
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Chapitre 1 : Filtres : mthodes de synthse Le silicium (Si) offre des proprits de gravure anisotrope faible cot. Le principe d'usiner des formes de trs petites tailles ou avec des prcisions trs importantes n'est pas limit au Silicium, il peut s'appliquer d'autres types de substrat (Arsniure de Gallium,)[37]. Il y a deux types de micro-usinage : le premier en volume et lautre en surface. On utilise pour fabriquer nos filtres le micro-usinage en volume. Ce dernier consiste graver le substrat pour suspendre les circuits. Gnralement, les substrats sont en silicium. La gravure peut se faire par voie humide ou sche.
a . Usinage isotrop iqu e d u sil iciu m
L'usinage chimique est bien connu et largement utilis en microlectronique dans la prparation des substrats de silicium. Le mlange HNO3 /HF est le plus utilis. Il procde par un mcanisme cyclique d'oxydation et d'attaque de la couche forme. C'est un usinage isotropique car il est peu ou pas sensible l'orientation cristalline du silicium. Plus important pour les microsystmes est l'usinage anisotropique.
b. Usinage anisotrop iqu e d u sil iciu m
C'est un procd par voie humide utilis depuis de nombreuses annes. Les microsystmes en font un procd essentiel pour la ralisation de membranes ou de poutres en silicium massif. La figure 16 montre un procd classique d'attaque anisotropique : sur une surface de silicium <100>, une ouverture est pratique dans une couche protectrice, le plus souvent SiO2, Si3N4 ou mtal. L'attaque s'effectue par les radicaux (OH) prsents dans le mlange qui fragilise les liaisons SiSi, dans les directions de moindre densit. La face <111> apparat la plus lente attaquer et dtermine ainsi la forme finale de la cavit.
figure 16. Forme typique dune cavit ralise par gravure anisotropique dans la direction <100>
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Chapitre 1 : Filtres : mthodes de synthse La performance des circuits avec des constantes dilectriques importantes est limite par les modes de substrat; un effet qui augmente avec f3 et ( r 1)2. Les composants planaires sont aussi sujets aux pertes dilectriques qui augmentent avec la frquence. Une faon de rsoudre ce problme explore premirement par G.M. Rebeiz et L. Katehi en 1991 [38] est dintgrer les circuits sur une fine membrane ( eff =1) en supprimant le substrat par une attaque chimique comme le montre la figure 17 :
figure 17. Structure suspendue
Lutilisation de deux autres substrats de Si micro-usins, permet de blinder compltement la structure et ainsi de minimiser les pertes par rayonnement comme le montre la figure 18: Cavit suprieure
Cavit infrieure
Silicium
figure 18. Filtre packag
La propagation des champs ayant lieu dans lair, les pertes dilectriques seront aussi vites. Cette structure permet alors davoir une propagation quasiment sans dispersion. Pour rduire les pertes ohmiques il suffit daugmenter la largeur de la ligne de transmission. Il existe deux techniques pour raliser les circuits sur membrane.
c. L a gravu re h u mid e [ 39]
La gravure par voie humide se fait par attaque chimique en solution aqueuse. Dans de trs nombreuses filires technologiques, la gravure humide est utilise majoritairement car son cot est peu lev et elle est relativement simple mettre en oeuvre. Mais le taux de gravure dpend de lorientation des plans. Les flancs raliss par cette technique sont inclins (angle 54.7 ). Les principales solutions de gravure sont le Ttra Methyl Ammonium Hydroxyde (TMAH) et l'Hydroxyde de Potassium ou Potasse (KOH).
~ 29 ~
d . L a gravu re sch e : RIE et DRIE [ 40]
La gravure sche est une gravure plasma dans laquelle interviennent la fois des effets d'attaque chimique et de bombardement ionique, elle est appele Reactive Ion Etching. Cette technique rduit les restrictions gomtriques et permet de dvelopper des guides d'ondes avec des parois latrales verticales. Le processus est initi quand un champ lectrique est appliqu un gaz. Des lectrons libres acclrs par le champ lectrique percutent les molcules pour les ioniser, de nouveaux lectrons sont librs qui vont, leur tour, percuter des molcules et ainsi de suite. La DRIE (Deep Reactive Ion Etching) est une amlioration du principe de la RIE qui permet d'amliorer l'anisotropie et la vitesse de gravure du processus. Nanmoins, cette technique est onreuse demande des quipements qui nexistent pas XLIM. La technologie de micro-usinage par voie humide a t adopte pour la ralisation de nos filtres passe bande faibles pertes puisquelle est simple et parfaitement matrise dans notre laboratoire et ne ncessite pas de lourds moyens de mise en uvre. Dexcellentes performances ont t atteintes avec lutilisation de cette technologie [41][42]. Cette technologie est aussi utilise pour micro-usiner des structures volumiques ou quasi-planaires pour retrouver des proprits dintgration et de faible encombrement. Dans la suite les structures volumiques et quasi planaires, micro-usines ou non, sont prsentes avec leur avantages et inconvnients.
III.3. Filtres volumiques

Les filtres volumiques sont principalement utiliss pour leurs performances lectriques remarquables. Les grandes familles sont : Les guides dondes Les cavits mtalliques Les rsonateurs dilectriques Leurs facteurs de qualit vide sont trs levs (plusieurs milliers (5000-10000) pour les filtres guides dondes ce qui permet ces filtres d'obtenir des rponses prsentant de
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Chapitre 1 : Filtres : mthodes de synthse faibles pertes en tant slectifs. De plus, ils peuvent supporter de fortes puissances ce qui les rend attractifs pour les communications spatiales.
III.3.1. Filtres base de guides

Les filtres base de guides peuvent tre de type mtallique [43], finline [44], filtre iris inductives [45] [46] ou filtres structures priodiques [47]. Les insertions mtalliques peuvent tre fabriques par les techniques bas cot de photolithographie ou de prcision moulante avec laquelle les insertions sont coupes avec une grande prcision. Le filtre iris inductives (figure 19), compar aux filtres finline et mtalliques, est plus petit en taille car les longueurs des lments sont juste gales aux paisseurs des iris. Une faon damliorer les performances est dutiliser des iris rsonantes couples comme le montre la figure 19.
(a)
(b)
figure 19. Filtres (a) iris inductives, (b) iris rsonantes
En 1915 le miroir de Bragg, qui permet de rflchir 99% de la lumire incidente, a t invent. Ce miroir est constitu dune alternance de couches avec diffrents indices de rfraction. Ensuite, Lon Brillouin dcrit dans son livre en 1946 la propagation des ondes lectromagntiques dans les structures priodiques [48]. La propagation d'une onde
lectromagntique dans un milieu priodique est fortement perturbe pour certaines longueurs d'onde bien prcises alors que le matriau est transparent aux autres longueurs d'ondes Tout matriau artificiel ou guide donde possdant cette proprit peut tre considr comme un BIE (bande interdite lectromagntique). Dans la plupart des cas, il est priodique (ou quasi-priodique) et fait intervenir des conditions de rsonances (interfrences alternativement constructives et destructives). Dun point de vue plus gnral, dans ce type de structure, au sein des bandes interdites (rflexion) seule une onde vanescente peut exister. En brisant la chane de priodicit, on obtient un pic de transmission avec un facteur de qualit
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Chapitre 1 : Filtres : mthodes de synthse lev. En partant de ce type de structure, on pourra crer des filtres avec des bandes troites et de faibles pertes. La premire structure bande interdite a t ralise par Eli Yablonovitch [49] avec une bande interdite entre 13 et 16 GHz.
III . 3. 1 .2 . Bil an su r l es fil tres base d e gu id es d ond e
L'inconvnient des structures bases sur le guide donde est son raccord avec les autres lments de la charge utile, comme le LNA qui est en technologie monolithique. De plus, les fonctions de filtrage plus complexes sont dlicates raliser, comme les gabarits elliptiques. Enfin, la longueur totale du filtre va dpendre du nombre de ples, et comme ils sont gnralement "les uns la suite des autres", le filtre deviendra vite volumineux. Pour les applications aux frquences millimtriques, les filtres guides donde sont de petites dimensions et demandent une prcision de fabrication trs importante. Une faon de rsoudre ce problme est dutiliser des guides donde intgrs dans les substrats, comme le propose [48].
III.3.2. Filtres cavits mtalliques [51] et rsonateurs dilectriques [52]

Les cavits lectromagntiques, ou rsonateurs micro-ondes, sont utilises dans de trs nombreuses applications parmi lesquelles on peut citer les filtres, les oscillateurs, les frquencemtres, les amplificateurs accords et les capteurs micro-ondes. Le fonctionnement des rsonateurs micro-ondes est, bien des gards, semblable au fonctionnement des circuits lments localiss de la thorie des circuits de Kirchhoff. Cest pourquoi il est utile davoir toujours lesprit les proprits fondamentales des circuits rsonnants RLC srie et parallle. Une cavit lectromagntique est un volume vide ou rempli de dilectrique, limit par des parois du type lectrique (interface avec un conducteur) ou du type magntique (interface avec un dilectrique haute permittivit). Dans le premier cas, il sagit dune cavit mtallique et dans le second cas dun rsonateur dilectrique. Les cavits peuvent, en principe, avoir des formes gomtriques quelconques mais, en pratique, elles ont une forme cylindrique ou paralllpipdique. Les cavits mtalliques
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Chapitre 1 : Filtres : mthodes de synthse peuvent ainsi tre obtenues en fermant des guides dondes rectangulaires ou circulaires par des plaques mtalliques perpendiculaires laxe longitudinal du guide. Qu'ils soient cavits cylindriques ou paralllpipdiques, ces filtres sont vous des applications spatiales trs faible bande et demandant une trs forte slectivit. Cependant, bien que des mthodes d'optimisation de ces filtres sans vis voient le jour [53] , les modles de vols sont toujours quips de vis de rglage ce qui entrane une faible reproductivit et un cot de production lev. Les rsonateurs dilectriques non mtalliss sont logs dans des botiers mtalliques. Ils fonctionnent sur des modes dilectriques qui concentrent lnergie dans le rsonateur. Les rsonateurs remplacent les cavits mtalliques ; comme elles, ils prsentent : des modes de rsonance dont les frquences sont dtermines par les dimensions ; des coefficients de qualit Q trs levs. En outre, ils prsentent les avantages suivants : dimensions rduites du fait de la permittivit suprieure celle de l'air ; grande stabilit en temprature de la frquence ( f ) ; simplicit de mise en uvre. Lemploi du rsonateur dilectrique permet de rduire les dimensions des cavits dun facteur gal la racine de la permittivit relative r = / 0 . Ces rsonateurs sont frquemment utiliss dans les radars et les systmes de tlcommunication.
III.4. Filtres quasi planaires [54]

La dfinition d'un filtre quasi-planaire est un circuit planaire, microruban ou ligne fente, suspendu dans le plan E ou H d'un guide d'onde rectangulaire. Cette dfinition peut tre tendue aux structures possdant un insert mtallique. L'intrt des filtres quasi-planaires est d'obtenir un facteur de qualit lev (plusieurs centaines), caractristique des filtres volumiques, avec une intgration aux parties planaires facilite, caractristique des filtres planaires. La figure 20 montre plusieurs structures quasi planaires.
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figure 20. plusieurs structures quasi planaires
III.5. Filtre accordables
III.5.1. Filtre accordables ferrolectriques

Les matriaux ferrolectriques ont des permittivits dilectriques variables qui dpendent du champ lectrique appliqu. Cette proprit permet de raliser des dispositifs agiles notemment des filtres [55].
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III.5.2. Filtres accordables Mems [56]
III . 5. 2 .1 . Dfinition d es MEMS
Les
MEMS
(MicroElectroMechanical
Systems)
en
franais
microsystmes
lectromcaniques ont t dvlopps depuis 1970 pour raliser des capteurs de trs forte
temprature ou de pression et dautres appareils de dtection. Ils connaissent depuis une volution au niveau commercial et militaire. Ils intgrent sur une seule puce, l'chelle micromtrique, des composants mcaniques et lectroniques qui servent remplir une fonction dtermine. Les MEMS pourraient rvolutionner chaque catgorie de produits en associant les composants micro-lectroniques bass sur silicium avec la technologie du micro-usinage, ce qui permet de raliser des systmes complets sur une mme puce. Les technologies cls pour la ralisation de ces composants ou systmes comprennent de manire non exhaustive : les procds de lithographie (photolithographie, moulage, gravure ionique, etc.), les procds d'assemblage molculaire, les outils d'aide la conception des systmes, les outils de contrle et de caractrisation des composants, les mthodes de conception assurant un fonctionnement fiable et durable, les matriaux, essentiellement base de semi-conducteurs, des dilectriques, des cramiques et des mtaux, les outils de fabrication et les architectures d'intgration. Les MEMS utilisent plusieurs couches de matriaux durant la fabrication. La premire couche est celle du substrat. Une couche importante est celle de la structure elle mme. Ces deux couches devront rsister aux diffrentes tapes des processus. Les proprits des matriaux de la couche structurale qui nous intressent comprennent le module de Young, la limite dlasticit, la densit, les contraintes rsiduelles, les gradients de stress, la conductivit thermique et lectrique et la stabilit long terme de ces proprits. Une autre couche est compose de matriaux qui sont habituellement compltement ou partiellement gravs pour librer la microstructure, et sont souvent appels couches sacrificielles. Les MEMS se divisent en plusieurs catgories : Les capteurs Les MOEMS
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Chapitre 1 : Filtres : mthodes de synthse Les RF MEMS Les BioMEMS Les MOEMS ou Micro-opto-electromechanical systems impliquent la dtection ou la manipulation de signaux optiques sur une chelle trs petite l'aide de systmes mcaniques et lectriques. Les MOEMS comprend une grande varit de dispositifs, notamment des commutateurs optiques, des VCSEL ou vertical-cavity surface-emitting laser accordables, des microbolomtres... Ces dispositifs sont habituellement fabriqus grce aux technologies de micro-usinage standard utilisant des matriaux comme le silicium, dioxyde de silicium, nitrure de silicium et d'arsniure de gallium. Beaucoup dapplications de MEMS existent dans les domaines optiques, mcaniques, biologique, chimique, fluidique et de tlcommunication. Nous citons parmi celles-ci la ralisation de capteurs, de tte jets dencre, des microphones, des biopuces, des systmes de projection dimages, des commutateurs, des dphaseurs (pour les applications de dfense de tlcommunication et dautomobiles) et des circuits RF accordables. Les filtres RF-MEMS sont amens concurrencer les filtres conventionnels dans les communications pour mobile.
III . 5. 2 .2 . Fil tres accord abl es base d e MEMS
Des commutateurs MEMS mis en cascade peuvent sintgrer dans les circuits hyperfrquences planaires ou volumiques et les rendre accordables sur une bande large de frquences. Pour concevoir des filtres accordables, il suffit dintgrer des commutateurs MEMS capacitifs ou ohmiques sur des rsonateurs. Ceux l vont tre utiliss ensuite pour raliser la fonction de filtrage. Avec leur capacit de changer dtat, nous pouvons raliser facilement des rsonateurs et filtres accordables en utilisant des interrupteurs ou des capacits variables. Dans la littrature, plusieurs filtres accordables MEMS avec de bons facteurs de qualit et une bonne plage daccordabilit ont t raliss [57][58] [59][60].
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III.6. Filtres Piezolectriques SAW et BAW
III.6.1. Filtres rsonateurs ondes acoustiques de surface (Surface Acoustic Wave SAW)
Les lments ondes acoustiques de surface sont des systmes lectromcaniques utiliss gnralement dans des applications utilisant les ondes radio comme le transfert de donnes haut dbit (WIMAX) ou les systmes GPS . Les signaux lectriques sont convertis en ondes mcaniques par un cristal pizolectrique. Cette onde est retarde lors de sa propagation dans le cristal, puis reconvertie en signal lectrique. Les sorties retardes sont recombines pour produire une implmentation d'un filtre rponse impulsionnelle finie (FIR). Les filtres SAW dominent le march des filtres RF grce leur fabrication aise mais ils sont limits 3 GHz en frquence et 1W en puissance. La figure 21 montre une structure SAW avec londe acoustique guide par la surface [61].
figure 21. Structure SAW
III.6.2. Filtres rsonateurs ondes acoustiques de volume (bulk acoustic waves - BAW)
La technologie de filtrage ondes acoustiques de volume est la seule capable dallier d'excellentes performances et une technique de ralisation compatible avec les procds de circuits intgrs. En effet, cette technologie permet la conception des filtres faibles pertes dans une large gamme de frquences (500 MHz 20 GHz). Les filtres BAW prsentent un faible encombrement et sont capables dtre fabriqus au-dessus dun substrat silicium. La figure 22 montre une structure BAW o londe acoustique est confine dans le matriau pizolectrique. Les pertes de propagation, dans ce cas, sont moins importantes.
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lectrode
lectrode
figure 22. Structure BAW
Llment de base de la structure BAW est la couche mince pizolectrique. Les filtres peuvent tre raliss avec des rsonateurs coupls lectriquement ou acoustiquement [62][63]. Les rsonateurs BAW peuvent tre des rsonateurs FBAR ou SMR :
FBAR (fil m bu l k acou stic resonator)
Le rsonateur (FBAR) est compos dun film mince pizolectrique compris entre deux couches mtalliques (lectrodes). La rsonance a lieu si lpaisseur du film est gale un multiple de la demi longueur donde (res). La frquence de rsonance fondamentale (Fres=1/res) est inversement proportionnelle lpaisseur du film. Deux types de rsonateurs FBAR existent : un o la couche pizolectrique entre les deux lectrodes est spare du substrat par un gap dair, comme le montre la figure 23 :
Couche pizolectrique Substrat

figure 23. Rsonateur FBAR suspendu sur lair
Lautre type est un rsonateur o la couche pizolectrique entre les deux lectrodes est suspendue sur une membrane dilectrique avec une ouverture du substrat par la face arrire, comme le montre la figure 24 :
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Couche pizolectrique Electrode infrieure
Electrode suprieure
Membrane
figure 24. FBAR suspendu sur une membrane
S MR (S ol id mou nted resonator)[ 64]
A la diffrence avec le FBAR, dans la structure SMR on introduit un rflecteur de bragg entre les lectrodes et le substrat pour raliser lisolation acoustique et ainsi maintenir un bon facteur de qualit comme le montre la figure 25.
figure 25. Rsonateur SMR
Linconvnient des filtres BAW est que la bande passante est fonction du matriau. Cela limite donc trs fortement les applications. Par exemple avec lAlN (matriau le plus utilis) la bande passante relative ralisable est gnralement de 2 5%.
III.7. Bilan sur les filtres

Aprs le tour dhorizon sur les diffrents types de filtres, leurs avantages et leurs inconvnients, nous retenons que pour les applications basses frquences (infrieurs quelque GHz) les filtres pizolectriques prsentent de trs bonnes performances ainsi quun faible encombrement alors que pour les applications millimtriques et au-del, les filtres planaires,
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Chapitre 1 : Filtres : mthodes de synthse utiliss avec les techniques damlioration du facteur de qualit comme le micro-usinage, offrent des avantages de simplicit, dintgration avec les circuits MMIC, de faible cot et surtout un facteur de qualit intressant pour de nombreuses applications. Ensuite si nous souhaitons avoir un facteur de qualit plus important en conservant les avantages des filtres planaires, nous pouvons avoir recours des structures quasi-planaires comme par exemple des structures guide donde micro-usines. Si des facteurs de qualit de plusieurs milliers sont ncessaires, il faudra se tourner vers les structures volumiques ou supraconductrices. Finalement si laccordabilit est notre objectif, lutilisation de structures dans lesquelles sont intgrs des MEMS RF est une solution offrant beaucoup davantages (bonnes performances, faible cot, petite taille). On peut galement se tourner vers les matriaux ferrolectriques.
IV. Conclusion
Ce chapitre nous a permis de prsenter les diffrents types de systmes dexcitation et de filtres avec leurs avantages et inconvnients. Nous avons expos la mthode de synthse des filtres passe bande et les paramtres importants dans cette dmarche en commenant par le gabarit et en finissant par les paramtres de la matrice de couplage. Un filtre de type tchbychev ou elliptique est ncessaire pour avoir une rjection assez importante. Comme la ralisation dun filtre de type tchbychev est beaucoup plus simple cest vers ce choix que nous nous sommes orients. Nous sommes intresss par des filtres avec un bon facteur de qualit et qui soient intgrables dans les systmes de communication qui fonctionnent hautes frquences. La compatibilit technologique entre ces systmes est galement essentielle. Les types de filtres que nous avons prsents vont du planaire au volumique en passant par le quasi-planaire. Nous avons aussi prsent des filtres mcaniques et acoustiques. Les filtres acoustiques, malgr leurs avantages, ne fonctionnent pas aux hautes frquences et ne sont pas toujours compatibles avec les technologies classiques. Les filtres planaires sont intressants pour des applications millimtriques et submillimtriques surtout au niveau de la simplicit de fabrication et la capacit dintgration
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Chapitre 1 : Filtres : mthodes de synthse aux autres lments. Nanmoins ils souffrent de pertes importantes aux hautes frquences do la ncessit des techniques damlioration qui ont t cites comme les filtres actifs, les supraconducteurs et le micro-usinage. Parmi ces techniques, nous avons opt pour le microusinage qui est une technologie faible cot, faible encombrement et qui ne requiert pas de systme volumineux extrieur ni de consommation lectrique. Nous avons galement choisi de travailler sur plusieurs types de filtres allant du planaire au quasi planaire avec les structures priodiques pour augmenter le facteur de qualit. Avec les filtres quasi planaires nous pouvons profiter des avantages des circuits planaires et volumiques. Finalement comme les filtres accordables sont des filtres qui rduisent lencombrement et le cot, ils sont particulirement intressants pour les applications industrielles. Les structures MEMS permettent de raliser les fonctions daccordabilit avec beaucoup davantages comme leur forte linarit, leur faible consommation et surtout leurs faibles pertes. Cest donc avec les MEMS, intressants au niveau daccordabilit et dintgration, que nous avons ralis dans le dernier chapitre des rsonateurs accordables dans le domaine submillimtrique.
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CHAPITRE 2 : ETUDE ET REALISATION DE FILTRES COMPACTS EN TECHNOLOGIE PLANAIRE POUR DES APPLICATIONS SPATIALES
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Chapitre 2 : Etude et ralisation de filtres compacts en technologie planaire pour des applications spatiales
Etude et ralisation de filtres compacts en technologie planaire pour des applications spatiales
I. Introduction
Le but de cette tude est lamlioration des filtres micro-usins conus dans le cadre dune collaboration avec TAS (thals alnia space) et RMT (reinhardt microtech). Ces filtres avaient comme principales caractristiques un fort coefficient de qualit (600) et une forte rjection (-50 dB). Pour satisfaire ces conditions, il faut trouver des solutions pour raliser des filtres faible cot tout en gardant de bonnes performances. Il faudra aussi procder une miniaturisation du circuit. Ce point est important tant pour laspect cot de production que pour lintgration de ce type de filtre dans les rcepteurs de satellites de tlcommunication. Les filtres planaires intgrables dans les systmes de tlcommunication sont une bonne solution et, en les associant avec le micro-usinage, on obtient une solution de filtrage planaire hautes performances. Dans ce chapitre, est argument lintrt du micro-usinage et la notion de facteur de qualit est dtaille. Le gabarit demand par Thals Alenia Space est annonc. Une structure micro-usine, avec des rsonateurs demi ondes respectant ce gabarit, est prsente. Elle satisfait les conditions de performances et de faible cot. Par contre les dimensions du filtre sont trop importantes. Comme la rduction de la taille et donc de l'encombrement sont ncessaires, plusieurs topologies sont proposes pour remplacer la structure demi-onde. Des rsonateurs en croix modes duaux sont tudis pour extraire une fonction elliptique satisfaisant le gabarit.
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Finalement des rsonateurs quart d'onde court-circuits sont tudis pour donner des performances similaires la structure demi onde en rduisant grandement les dimensions. Dans ce qui suit, nous prsentons les quatre structures conues sur membrane (demionde, elliptique, modes duaux et quart donde). Le choix de la structure sur membrane adopter (quart donde) est justifi avec une comparaison des performances et une mise en vidence de la rduction des dimensions ralise. Nous prsentons galement des tests spatiaux de fiabilit effectus sur ce type de structure sur membrane. La conception dun filtre 4 ples quart donde 19.825 GHz avec une bande passante de 240 MHz est dtaille en dtail avec ltude lectromagntique 3D de la structure. Deux types daccs microrubans et coplanaires ont t utiliss. Un changement du processus technologique est propos pour un report collectif durant la fabrication. Les mesures effectues sur la structure quart donde sont galement prsentes. Le filtre quatre ples fait partie d'un projet d'industrialisation o le processus de fabrication doit tre soign pour rpondre aux besoins des entreprises et leur mthode de travail.
II. Intrt des rsonateurs suspendus sur membrane

La technique du micro-usinage [1][2] consiste supprimer le substrat par une attaque chimique pour ne laisser quune fine membrane dilectrique sur laquelle repose le circuit. Celui-ci est alors suspendu dans lair ce qui va permettre dviter les pertes dilectriques. En effet, la propagation des champs se fera dans lair au lieu dtre dans le substrat. Cette structure permet alors davoir une propagation quasiment sans dispersion. Une telle structure est prsente sur la figure 1:
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blindage air membrane
figure 1. ligne suspendue
Dans cette structure, les pertes par rayonnement sont supprimes grce au blindage complet de lensemble. Lintrt principal de cette structure rside dans le fait que lon puisse changer volont la hauteur des capots et la largeur de la ligne, sans accrotre les pertes par rayonnement, ni modifier la propagation. On peut alors augmenter considrablement le facteur de qualit dun rsonateur planaire ralis dans cette configuration en augmentant la section transverse. Cette structure devient donc trs intressante pour la ralisation de filtres faibles pertes, grce la suppression des pertes par rayonnement et des pertes dilectriques. Seules subsisteront les pertes mtalliques.
III. Etude du facteur de qualit

La valeur du facteur de qualit influe directement sur les pertes dinsertion et la rjection hors bande. Plus cette valeur augmente, plus les pertes diminuent et la rjection samliore hors bande. On a donc intrt concevoir des rsonateurs avec des facteurs de qualit vide (Q0) les plus levs possible. La figure 2 reprsente leffet du facteur de qualit sur la rponse dun filtre. Trois courbes sont dessines, la plus haute reprsente un facteur de qualit lev Q1, la seconde un Q2 de valeur intermdiaire et la dernire un Q3 mdiocre. Si nous examinons les valeurs des bandes passantes normalises Bp de chaque courbe reprsentes en pointill 3dB, la largeur de la bande varie inversement Q. Bp1 qui est la
~ 53 ~
bande la plus troite correspond Q1 (le facteur le plus lev), alors que la bande la plus large correspond Q3. Dans la pratique, nous dcidons dun compromis entre les deux variables. Pour les pertes dinsertion, nous remarquons clairement que plus le facteur de qualit est lev plus les pertes dinsertion sont faibles.
Transmission (dB)
figure 2. variation de la largeur de bande en sens inverse de Q
Une dfinition gnrale du facteur de qualit vide et qui est applicable nimporte quel rsonateur est la suivante [3] Q0 = w energie moyenne emmagazine dans le rsonateur energie moyenne perdue dans le rsonateur
equ.1
Plusieurs mcanismes engendrent les pertes dans le rsonateur. Les plus importantes sont souvent les pertes dues aux conducteurs mtalliques, au substrat dilectrique et au rayonnement. Le facteur de qualit total vide Q0 est reli aux diffrentes pertes du circuit par la relation suivante :
equ.2
1 1 1 1 = + + Q0 Qm Qd Qr
avec
1 reprsentant les pertes mtalliques Qm

~ 54 ~
1 reprsentant les pertes dilectriques Qd et 1 les pertes par rayonnement Qr
Qm est valu par rapport la longueur donde guide g et la constante dattnuation du conducteur m dans la relation suivante :
Qm =
equ.3
m g
De mme pour Qd qui est valu par rapport la longueur donde guide g et la constante dattnuation dilectrique d suivant la relation suivante :
Qd =
equ.4
d g
ou en fonction de la tangente dilectrique tan avec la relation suivante : 1 tan
equ.5
Qd
En prenant en considration les pertes dilectriques, les pertes ohmiques et les pertes par rayonnement, un rsonateur linique prsente un coefficient de qualit qui scrit de la manire suivante.
equ.6
Q0 =
g tant la longueur d'onde guide (m) l'attnuation linique totale (Np/m)
equ.7
Q0 =
f = g c
Pour une ligne microruban, augmente en
f [4] donc pour une structure donne, f.
dimension transverse gale, c'est--dire constant, Q0 augmente en

~ 55 ~
De plus, en considrant un rsonateur RLC parallle, le Q0 est donn par [5]:

Q0 = w 0C R = w0 RC = G w0 L
equ.8
G ladmittance du circuit w0 la pulsation de rsonance Pour un circuit RLC srie, le Q0 est donn par [5]:
Q0 = w0 L 1 = R w0 RC
equ.9
Donc, pour un circuit srie lorsque C diminue, Q0 augmente. Dans l'air, pour une structure et une gomtrie donne, la capacit linique sera minimale, engendrant un Q0 le meilleur possible. Les structures micro-usines ont permis de rduire l'attnuation linique et ainsi d'augmenter le coefficient de qualit. Afin d'augmenter Q0 il faudra donc diminuer les diffrentes pertes. Llimination du substrat par micro-usinage permettra bien videmment de limiter les pertes dilectriques puisque la permittivit effective va tre proche de 1 et le blindage de la structure rduira les pertes par rayonnement. Pour limiter au mieux les pertes mtalliques, lor (Au) qui a une bonne conductivit est utilis.
IV. Etude du gabarit du filtre et spcifications

Les filtres raliser (appels DOCON), en bande Ka, seront utiliss pour limiter les produits dinter modulations mOL + nRF en sortie des systmes satellitaires. Le pire cas est la raie 2OL qui se trouve 600 MHz de Rfout. Ces filtres ont dj fait lobjet de recherche par Matthieu Chatras [6] qui a ralis des filtres demi-onde avec les spcifications demandes. Le but maintenant sera de concevoir un filtre avec les mmes caractristiques tout en rduisant considrablement les dimensions totales de ce filtre. Le gabarit du filtre demand par TAS est rappel tableau n.1 et figure 3 : F2OL rjection
~ 56 ~
Frout1
Frout2
19.1 GHz
> 50 dB
19.705 GHz
19.945 GHz
Tableau n.1 : gabarit du filtre Nous devons donc raliser un filtre passe bande 19,825 GHz avec 240 MHz de bande passante, cela correspond une bande relative de 1,2 %. Cette bande, trs troite pour des structures planaires, requiert donc des rsonateurs avec de trs bons coefficients de qualit.
Rjection
F2O L(GHz)
FRFout1 (GHz)
FRFout2 (GHz)
figure 3. gabarit du filtre
Nous allons maintenant nous attacher satisfaire ces performances lectromagntiques tout en proposant des rductions significatives des dimensions globales de la structure.
V. Positionnement du problme (rduction des dimensions) et spcifications
V.1. Prsentation de la technologie utilise

Le filtre planaire micro-usin est ralis par empilement de 3 wafers de Silicium assembls la fin du processus technologique en utilisant de la colle conductrice. Les trois wafers sont micro-usins dans du TMAH et mtalliss par vaporation puis par lectrolyse. La figure 4 montre une vue transverse du filtre assembl.
~ 57 ~
figure 4. filtre planaire micro-usin
A partir de cette technologie de micro-usinage, plusieurs topologies de filtres sont prsentes dans la suite du chapitre. La premire structure, filtre 4 ples demi onde, a t ralise par Matthieu Chatras [6]. Avant de prsenter cette structure, une tape primordiale sera voque : Le procd de fabrication des structures micro-usines XLIM est purement universitaire, il nest pas bas sur un empilement collectif des diffrents wafers. Une faon dindustrialiser ce procd a t imagine. Dans le cadre dune collaboration avec TAS, lESA et RMT qui est la fonderie industrielle qui ralisera les circuits, nous allons montrer les principales modifications du procd. La structure demi onde est ensuite dtaille avec une comparaison entre mesures et simulations. Les causes de drive de la rponse mesure seront mises en vidence en tudiant tous les paramtres influant sur la rponse. Enfin, des tests de conditions spatiales sont prsents.
~ 58 ~
V.2. Procd initial et modifications apportes pour une industrialisation
Cavit suprieure membrane
via
Cavit infrieure
figure 5. Principe dassemblage des trois wafers de Silicium formant le filtre
figure 6. Industrialisation du procd
Pour une production industrielle, on doit travailler directement sur lempilement complet et non wafer par wafer. De nouveaux concepts de packaging ont t dvelopps par RMT et inclus dans le procd sans changer les points principaux des lments du procd initial montr figure 5. Le but sera donc de faire un report collectif et de mettre la colle pour tous les wafers en une fois et non de couper les circuits et travailler sur un chaque circuit individuellement. Le nouveau procd est montr figure 6. Les trois wafers sont micro-usins
~ 59 ~
et aligns ce qui permet de mettre la colle conductrice directement dans les trois wafers en mme temps. En effet, avec le procd XLIM, lapproche est de type chip on chip alors que la nouvelle approche est de type wafer on wafer. A part le traitement au niveau dun wafer complet les autres modifications sont les suivantes : Une diffrente interconnexion de masse Une connexion de masse sur les wafers suprieur et infrieur (facilit pour la testabilit) La dcoupe des circuits se fait la fin et une fois pour les trois wafers Petites ouvertures de connexion de l'appareil pour Connexion RF hors puce
V.3. Structure demi onde
V.3.1. Prsentation de la structure

En optant pour des rsonateurs demi-onde, un filtre 4 ples a t conu et fabriqu [6]. La figure 7 montre un dessin de ce filtre et la figure 8 montre la comparaison entre la mesure et la simulation. On remarque la trs bonne rjection obtenue par ce type de filtre (>50 dB 19.1 GHz (f2OL)). Ce filtre a t optimis pour avoir un fort coefficient de qualit (> 600) et une forte rjection hors bande (> 50 dB).
~ 60 ~
figure 7. filtre docon demi onde (4 ples) entour dun anneau de vias mtalliss
figure 8. comparaison mesure et simulation
~ 61 ~
Le filtre docon demi-onde conu a de trs bonnes performances avec des pertes dinsertion gales 4.1 dB et une trs bonne rjection (Le coefficient de transmission est de lordre de -60 dB 19,1 GHz). Le Q0 mesur pour les rsonateurs fabriqus est de 600.
V.3.2. Etude paramtrique sur les effets de tolrances de fabrication sur la rponse du filtre
V . 3. 2 .1 . S tru ctu re p rsentant tou s l es p aramtres
figure 9. Paramtrage de la structure
La diffrence entre mesure et simulation nous a pousss tudier leffet de la variation des paramtres (dimensions) (montrs figure 9) de la structure sur la valeur des paramtres S. Dans la suite nous montrons les diffrents paramtres et leur influence. Nous avons utilis pour cela le logiciel Momentum
V . 3. 2 .2 . L ongu eu r d u rsonateu r (A B C D)
La figure 10 montre que pour une variation de 5 m de la longueur des rsonateurs nous avons un dcalage frquentiel de 11.5 MHz ce qui est normal puisque cest la longueur du rsonateur demi-onde qui dtermine la frquence centrale avec un rapport inversement proportionnel.
~ 62 ~
initial modifi
figure 10. Influence de la variation de la longueur du rsonateur sur la rponse
V . 3. 2 .3 . C ou p l age inter rsonateu r (E F G )
La figure 11 montre que pour une variation de 10 m des distances inter-rsonateurs on a une bande plus large de 7 MHz et une adaptation moins bonne de 0.7 dB. Lapprochement des rsonateurs augmente videmment le couplage inter-rsonateur et en consquence, la bande devient alors moins adapte.
figure 11. Influence de la variation de la distance inter-rsonateur sur la rponse
~ 63 ~
V . 3. 2 .4 . L argeu r d u rsonateu r
La figure 12 montre que la variation de la largeur du rsonateur ninfluence pas beaucoup le rsultat des paramtres S. Pour une augmentation de 20 m, les pertes dinsertion seront rduites de 0.15 dB. La largeur du rsonateur influe sur le facteur de qualit et par consquent sur les pertes dinsertion. Mais pour des faibles variations son influence reste minime.
0 -10 -20 -30
S21 S11
Sij (dB)
-40 -50 -60 -70 -80 -90 -100 19.6 19.8 fre q, GHz 20.0 20.2
figure 12. Influence de la variation de la largeur du rsonateur sur la rponse
V . 3. 2 .5 . C ou p l age entre sortie M
S21
S11
Sij (dB)
freq. GHz
figure 13. Influence de la variation du couplage entre sortie M sur la rponse
~ 64 ~
La figure 13 montre que pour une augmentation de 5 m de la valeur M, ladaptation se dtriore de 0.9 dB. Ce qui est tout fait normal puisquen loignant lexcitation des rsonateurs, le couplage entre sortie diminue et ladaptation savre moins bonne.
V . 3. 2 .6 . C ou p l age entre sortie k
La figure 14 montre que pour une variation de 5 m du paramtre k ladaptation se dtriore de 0.5 dB.
figure 14. Influence de la variation du couplage entre sortie k sur la rponse
~ 65 ~
V . 3. 2 .7 . L p aisseu r d e l a cavit
hup
figure 15. Influence de la variation de lpaisseur de la cavit sur la rponse
En plus de la variation due une imprcision de la gravure nous avons une variation de lpaisseur due lassemblage des diffrentes parties de la structure. Ceci va forcment augmenter lpaisseur de la cavit. Pour une augmentation de 20 m (qui est la variation mesure par RMT sur les structures fabriques), on va avoir une meilleure adaptation et un dcalage frquentiel de 35 MHz.
En rsum : Le tableau n.2 montre les paramtres et leur influence
~ 66 ~
PARAMETRE
INFLUENCE
A B C D (longueur rsonateur)
Dcalage en frquence
E F G (couplage)
Adaptation et bande passante
M L (couplage entre/sortie)
Adaptation
Hup Hlo (paisseur cavit)
Dcalage frquentiel et adaptation
Tableau n. 2 : rsum des paramtres influant sur la rponse du filtre En regardant les courbes et le tableau, nous pouvons conclure que : pour ladaptation le paramtre le plus influant est le couplage entre sortie M pour le changement de la largeur de la bande le paramtre le plus influant est le couplage inter-rsonateur et finalement pour le shift frquentiel les deux paramtres sont la longueur des rsonateurs et lpaisseur de la cavit. Llment qui aura le plus dimpact est la hauteur des cavits.
V.3.3. Rsultats de tests spatiaux effectus sur les filtres raliss par RMT
Les circuits micro-usins composs dune fine membrane de benzocyclobutne (BCB) sont destins tre utiliss dans lespace. Pour ces raisons ils ont t soumis de nombreux tests de fiabilit. Les contraintes auxquelles le filtre sera soumis lors de son utilisation ont t spcifies (tableau n.3). Un plan dvaluation de la technologie correspondant a t construit partir des normes ci-dessous applicables aux composants/sous systmes embarqus sur des
~ 67 ~
satellites. Ces tests ont t effectus chez TAS Toulouse ou lESA grce Olivier Vendier et Laurent Marchand. Standard correspondant Stockage haute temprature (ESA PSS-01-612 / Mil STD 883 Method1008, "B") (ESA PSS-01-612 / Mil STD 883 Method 1010, "B") (ESA PSS-01-612 / Rsistance lhumidit Mil STD 883 Method 1004) (ESA PSS-01-612 / Choc mcanique Mil STD 883 Method 2002, "C") Evaluation/ Qualification 2000h @ 125C
Cycles thermiques
500 cycles : 55/+125C
10
cycles
25/65C 85% RH 3000g peak / 0.3 ms (5 cycles dans les 5
directions dfinies ) 50g peak 20/2000Hz (4 cycles dans les 3 directions dfinies )
(ESA PSS-01-612 / Vibration Mil STD 883 Method 2007, "B") Tableau n. 3 : tests spatiaux effectus
V . 3. 3 .1 . Tests d e temp ratu re
Le circuit a t test une temprature gale 65C. Un petit dcalage frquentiel de 10 MHz est apparu, comme le montre la figure 16, entre le rsultat du circuit temprature ambiante et le circuit test 65C.
~ 68 ~
S12
Sij (dB)
S11
figure 16. Effet de la temprature 65 C
V . 3. 3 .2 . Tests d e rad iation
La radiation du circuit en ions, partir dun acclrateur de faisceaux dlectrons ou dun Cobalt 60 gamma ray, na pas dinfluence sur le circuit comme le montre la figure 17.
~ 69 ~
S12 S11
Sij (dB)
figure 17. Effet de la radiation
V . 3. 3 .3 . Tests d e ch ocs th ermiqu es
Aprs avoir subi le choc thermique, le filtre ne prsente plus la moindre transmission. Nous avons alors examin aux rayons X, grce Frderic Courtade du CNES, ltat dun des circuits soumis au choc thermique. Nous avons remarqu que la membrane a t dtruite aprs passage de 25/+120C. Une photographie aux rayons X dune membrane casse est montre figure 18 : encoche
figure 18. membrane dtruite
~ 70 ~
La rupture de la membrane est probablement due aux encoches dans les vias entourant le circuit. Ces encoches sont utilises pour augmenter la rjection hors bande du filtre. Comme la longueur du filtre est grande, elles bloquent les modes vanescents qui peuvent sinstaller. Un zoom sur une encoche est montr sur la figure 19. En simulant avec le logiciel Ansys une structure avec membrane sans encoches, nous avons trouv des faibles variations de planarit de la membrane lors de lapplication du choc thermique. Dans la nouvelle structure, avec des rsonateurs quart donde, montre figure 20, les encoches ne sont plus ncessaires car la taille des vias a t considrablement rduite.
figure 19. Zoom sur une encoche
~ 71 ~
figure 20. Structure quart donde sans encoches
Des tests thermiques raliss avec Ansys sont maintenant dtaills.
V.4. Etude thermique

Le choc thermique consiste faire subir au circuit une rapide variation (en 60s) de temprature allant de 25C 120 C. Le but de cette tude est dtudier leffet simul de ce test sur la membrane. Pour cela nous allons calculer les dformations subies par la membrane et les valeurs de stress qui lui sont appliques.
V.4.1. Le choc thermique

Le choc thermique peut crer une fracture dans le matriau. Les verres et les cramiques sont particulirement vulnrables cause de leur fragilit, de leurs faibles conductivits thermiques et de leur fort Coefficient dExpansion Thermique (CTE). Quand plusieurs matriaux composent une stucture, cest principalement la diffrence entre les CTE des
~ 72 ~
diffrents matriaux qui peut causer la rupture. Elle se produit quand les diffrents composants se dilatent de manires diffrentes. Cela produit des dformations et des tensions (ou stress). A partir dun seuil limite, le stress dpasse la valeur maximale du matriau ce qui crera des fractures.
V.4.2. Proprits critiques de la membrane

Lobjectif de cette tude est de vrifier si les valeurs limites conduisanr la fracture sont atteintes. La figure 21 montre le rapport entre le stress et la dformation.
Stress
Dformation
figure 21. Relation entre le stress et la dformation
On peut aussi mesurer lintensit du stress K. Si K mesure > K critique, on a dpass le domaine de plasticit. Il existe deux modes de rupture : le cisaillement et le peeling. Daprs le tableau n.5 fourni par le fabricant Dow Chemical, le fabricant de BCB, la valeur critique de tension est gale 87 Mpa et la longueur maximale lors de la dformation ne doit pas dpasser de plus de 8 % la longueur initiale. Sinon, il y aura rupture.
~ 73 ~
Proprits mcaniques Module de traction (Gpa) @ -40 C Module de traction (Gpa) @ RT Module de traction (Gpa) @ 125 C Module de traction (Gpa) @ 150 C Module de traction (Gpa) @ 250 C Rsistance la traction (Mpa) Allongement la rupture (%) Poisson Ratio @ RT
Valeur 3.4 0.2 2.9 0.2 2.2 2.0 1.3 87 9 8 2.5 0.34
Contraintes rsiduelles sur Si at 25C (MPa) 28 2

tableau n. 5 : proprits mcaniques de la membrane BCB Toutes les proprits du BCB varient par rapport la temprature et principalement le coefficient dexpansion thermique. Lors des simulations, on prendra en compte ces variations. La variation du CTE en fonction de la temprature est fournie par Dow Chemical. Cette variation est prsente figure 22 et est intgre dans le logiciel Ansys. Elle tmoigne de la relation entre le coefficient dexpansion thermique et la temprature.
~ 74 ~
figure 22. Relation entre CTE et la temprature
V.4.3. Les structures tudier

Les structures tudies sont nos filtres micro-usins sur membrane BCB. Un filtre demionde et un autre quart donde sont fabriqus sur un substrat de Silicium. On dpose une membrane BCB ( benzocyclobutne) sur le substrat ; elle sert de support pour le circuit. Une solution de TMAH est utilise pour graver le substrat sous le circuit rsonnant mais galement pour creuser des vias. Les figures 23 et 24 montrent les structures demi-onde (33mm*7.4mm) et quart donde (10.8mm*13mm) tudier.
figure 23. Filtre 4 ples demi onde
~ 75 ~
10.8 mm
13 mm
figure 24. Filtre quart donde
La figure 25 montre une vue des couches qui constituent les deux filtres.
Circuit
Cavits
Membrane
figure 25. Empilement des couches
V.4.4. Etude avec Ansys
V . 4. 4 .1 . Fil tre d emi ond e
Ltude consiste diviser la variation de la temprature en plusieurs petits intervalles. La dformation rsultante, suivant la composante Z et simule au milieu de la structure, est
~ 76 ~
calcule en fonction du temps. La structure est ancre toutes ses extrmits par la prsence du Silicium autour de la partie suspendue. La dformation de la membrane rsulte des contraintes cres par lapplication des tempratures lies au choc thermique. Lors de la simulation, de linstant initial t= 0 jusqu 20s, la structure subit des tempratures ngatives (-25C). Par la suite, lexprience est divise en plusieurs intervalle de temps et de temprature jusqu 120C. La figure 26 prsente la dformation mesure dans le sens vertical (normal la membrane) en fonction du temps et et les tempratures dans chaque intervalle de temps sont notes. La dformation mesure durant le cycle, est trs faible et ne peut pas causer une fracture de la membrane. Elle est de lordre de 0.04% ce qui est trs infrieur au 8% dextension possible donne par le fabricant. 120C
Dformation (m)
30C 0C -25C
Temps (s)
figure 26. La dformation suivant Z par rapport au temps
Une autre manire de dtecter une fracture de la membrane est de calculer les valeurs des contraintes existant dans la structure. Le stress principal est le stress normal la membrane. Le logiciel Ansys permet de calculer les contraintes cres la fin du cycle de choc thermique. Le stress principal est montr figure 27. La valeur du stress calcule, au milieu de la membrane, est proche de 3 Mpa ce qui est loin de la valeur limite. La plus haute valeur de stress simule est lextrieur de la membrane, dans les zones o elle est ancre sur le Si. Nanmoins cette valeur reste infrieure la limite.
~ 77 ~
figure 27. Premier stress principal en MPa
Ces rsultats tendent montrer que la membrane rsiste au choc thermique mais quelle est fragilise par les encoches dans les vias. Des structures plus petites et donc sans encoches seront rsistantes. Nanmoins les rsultats doivent tre pris avec prcautions car nos structures tant trs grandes (plusieurs cm de longueur), le maillage est donc trs large.
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V . 4. 4 .2 . S tockage h au te temp ratu re
S12 S11
Sij (dB)
figure 28. Effet de lentreposage thermique
En stockant le circuit 125 C pendant 2000 heures, un dcalage frquentiel de 80 MHz est obtenu sur la figure 28.
V . 4. 4 .3 . Test d e vibrations et ch ocs
Ces tests nont pas t faits sur ces filtres mais sont planifis dans les mois venir. La plupart des tests effectus navaient pas une grande influence sur le circuit sauf le choc thermique dont le problme a t rsolu par la suite.
V.5. Rduction des dimensions

Ce filtre avec des rsonateurs demi-onde est plus grand que la taille maximale tolre pour lhberger dans le rcepteur satellitaire. Il est donc impratif den rduire les dimensions. De plus, avec une volont de conduire lindustrialisation de ce type de filtre nous devons
~ 79 ~
rduire les dimensions totales pour pouvoir mettre plus de circuits sur le mme wafer et ainsi rduire les cots de production. Plusieurs topologies ont t imagines pour raliser cet objectif.
V.5.1. Filtre 4 ples elliptique en rsonateur patch fente en croix [7][8][9][10][11]

Un filtre elliptique est un filtre avec plusieurs zros de transmission qui dlimitent la bande passante et qui rendent la slectivit beaucoup plus importante. Pour raliser une structure avec une bonne rjection la structure elliptique semble une bonne solution avec deux zros de transmission rels (Rel (p) = 0. im (p) = 3). On imagine un rsonateur patch compact fente en croix montr figure 29 :
5,2 mm
5 mm
figure 29. rsonateur patch
Le facteur de qualit vide calcul pour cette structure est gal 320 avec une largeur du rsonateur gale 500 m. Si nous regardons la taille de ce rsonateur pour avoir une taille plus petite que la structure demi-onde nous pouvons imaginer un filtre 4 ples avec deux zros de transmission. La matrice idale de couplage Mij montre sur la figure 30, est extraite en utilisant le logiciel Felo dvelopp XLIM. A partir de cette matrice, les valeurs de couplage entre
~ 80 ~
sortie et des couplages inter-rsonateurs peuvent tre extraites. Nous calculons Qext gal 88 et Kij de lordre de 0.008 et 0.00062.
figure 30. Matrice idale
La courbe idale qui satisfait notre gabarit est prsente figure 31.
Sij (dB)
S11
S21
Freq (GHz)
figure 31. Courbe idale
La structure du filtre 4 ples imagine est prsente figure 32.
~ 81 ~
figure 32. Filtre 4 ples
En calculant les paramtres ncessaires pour raliser cette courbe partir de la matrice idale on obtient des coefficients avec des couplages inter-rsonateurs trs petits et pas facilement ralisables (de lordre de 0.008 et 0.00062). Avec le Q0 pas trs lev 320 et la difficult doptimisation due aux valeurs des coefficients de couplage inter-rsonateurs, nous avons prfr chercher dautres solutions. Celle-i aurait t trs instable aux variations technologiques.
V.5.2. Structure bimode en ronateur patch en croix perturb
V . 5. 2 .1 . Prsentation d u rsonateu r p ertu rb
Un rsonateur patch perturb, montr figure 33, a deux modes qui se couplent et qui rsonnent deux frquences f1 et f2 et prsente donc deux ples.
figure 33. rsonateur patch perturb
~ 82 ~
Le rsultat du calcul lectromagntique fait sur ce rsonateur montre bien 2 ples de transmission coupls comme le montre la figure 34
S12
S11
figure 34. simulation dun rsonateur
Le couplage des modes duaux a t difficile raliser pour cette structure. Un des deux modes est beaucoup plus coupl que lautre ce qui fait quune large bande est impossible sauf si nous trouvons une autre manire de coupler ce filtre.
V . 5. 2 .2 . S imu l ation d u n fil tre 4 p l es
En tudiant les coefficients de couplage et de modle travers le logiciel FELO dvelopp XLIM, pour un filtre Tchbychev, un filtre 4 ples suffira. La courbe idale est montre figure 35. Cette structure, issue de la structure prcdente avec une lgre modification, a le mme facteur de qualit que la prcdente qui est de 320.
~ 83 ~
S11
S21
Freq (GHz)
figure 35. courbe idale dun filtre Tchbychev 4 ples
figure 36. Filtre avec 2 rsonateurs perturbs
La figure 36 montre la structure conue avec deux rsonateurs patch perturbs. Le problme que nous avons rencontr dans ce cas tient aux dimensions de la dformation qui doivent tre trs faibles. Avec ce genre de topologie il tait presque
~ 84 ~
impossible datteindre le couplage ncessaire car un moment la dformation ne pouvait plus tre diminue. Or par la suite, nous avons besoin dlargir la bande afin de diminuer les effets de temprature et de lenvironnement lors de lintgration de ce filtre dans un systme spatial. Cest pour cela que nous avons dcid de travailler avec un filtre 5 ples en intgrant entre les deux rsonateurs un autre rsonateur patch. Cela va nous permettre dlargir la bande passante sans diminuer la rjection.
figure 37. Filtre 5 ples avec deux rsonateurs en modes duaux
Le rsultat de simulation nest pas compltement optimis comme le montre la figure 37. Comme les deux topologies nont pas permis de raliser notre matrice idale et quelles sont plus complexes raliser, nous avons explor en mme temps une autre topologie plus simple raliser et optimiser en utilisant des rsonateurs liniques quart donde cette fois. Avec cette structure, notre but a t plus rapidement atteint quavec la topologie de modes duaux que nous avons en consquence abandonne.
~ 85 ~
V.5.3. Filtre quart donde[12][13]

Les rsonateurs liniques qui ont t fabriqus et mesurs par Matthieu Chatras montrent des coefficients de qualit de 600, permettant ainsi de limiter les pertes et damliorer la rjection hors bande. En utilisant une simulation idale, pour un filtre Tchebychev, compte tenu de notre gabarit. Un filtre 4 ples sera ncessaire pour rpondre au gabarit souhait. En faisant des calculs, nous obtenons [14] : Qext = 91.6; K12 = k34 = 0.0175; K23 = 0.03 Les filtres quart donde vont nous permettre une rduction considrable des dimensions. Un compromis entre la taille du filtre et la largeur des rsonateurs, et donc le facteur de qualit, a t fait. Par consquent, nous avons choisi une largeur de 2 mm.
V . 5. 3 .1 . C omp araison d es d imensions entre stru ctu re qu art d ond e et d emi-ond e
La figure 38 montre une comparaison entre les dimensions des deux structures demi et quart dondes.
7.4 mm
/2
33.117 mm
11.5 mm
/4
15 mm
figure 38. Comparaison des dimensions des structures demi et quart donde
~ 86 ~
Au niveau dun wafer de Silicium de 4 nous observons, sur la figure 39, laumentation du nombre de circuits. Au lieu de 10 filtres demi onde (figure 39-a) le wafer pourra maintenant contenir 27 filtres quart dondes (figure 39-b).
a) 10 demi-onde
b) 27 quart donde
figure 39. comparaison du nombre de circuits par wafer avec des filtres demi-onde ou quart donde
La taille du filtre que nous venons de proposer est fortement rduite par rapport celle obtenue avec la gomtrie initiale. De plus il est difficile de raliser les 10 filtres lors du mme run car certains filtres sont trs proches des bords du wafer, dans des endroits o les diffrentes tapes du process peuvent engendrer des dfauts.
V . 5. 3 .2 . Mod l isation/rsu l tats
Le filtre quart donde est compos de quatre rsonateurs court-circuits qui sont excits par des accs au dbut sur silicium puis intgrs dans les rsonateurs. Le couplage de ces rsonateurs est critique, la simulation doit donc se faire en intgrant la ligne d'excitation dans le rsonateur pour assurer le Qext voulu dans le gabarit. Ce type daccs est ncessaire pour obtenir le couplage demand. Nous nous sommes donc orients vers une simulation 3D avec HFSS. La figure 40 montre laccs utilis et la boucle magntique de couplage. Nous voyons aussi que le seul mode qui sinstalle dans laccs sur silicium est le mode coplanaire.
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Les autres modes ont une constante de propagation trs petite et ne se propagent donc pas.
Fente Largeur H microruban w H cpw Mode coplanaire = 89.8 Ligne coplanaire
Plan de masse
figure 40. boucle magntique de couplage et champ dans laccs
Loptimisation des dimensions de ce filtre se fait en plusieurs tapes. Premirement nous avons choisi les paramtres qui influent sur le facteur de qualit vide qui sont la largeur du rsonateur la hauteur de la cavit suprieure de blindage et la hauteur de la cavit infrieure de blindage. Aprs une tude paramtrique entre le facteur de qualit et les diffrents paramtres nous remarquons que les dimensions optimales permettant une ralisation sans difficult de fabrication sont les suivantes : Largeur rsonateur = 2 mm ; hauteur cavit sup = 425 m ; hauteur cavit inf = 760 m Pour le calcul du facteur de qualit, nous avons simplifi la structure en simulant un rsonateur avec des cavits de mme hauteur mais flancs droits comme le montre la figure 41. Le facteur de qualit simul avec HFSS en oscillations libres est gal 500 pour une largeur de 2 mm du rsonateur.
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figure 41. rsonateur simul en oscillations libres
La deuxime partie de loptimisation concerne les distances de couplages. Pour le calcul de Qext, nous simulons un rsonateur avec un accs intgr comme celui montr figure 40. La distance par rapport laquelle nous calculons le Qext est la largeur de la ligne coplanaire intgre w (la distance entre les deux fentes).
105 100 95 90 85 80 75 70 0,92
Qext
0,97
1,02
1,07
1,12
distance entre les deux fentes en mm

figure 42. relation entre la largeur de la ligne coplanaire w et le Qext
Pour le calcul de kij, nous simulons la structure de la figure 43 avec deux rsonateurs dcoupls (excitation faible). La largeur de la ligne intgre dans le rsonateur est suffisamment petite pour que les rsonateurs soient dcoupls.
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di
figure 43. calcul kij
0,033 0,031 0,029 0,027 0,025
kij
0,023 0,021 0,019 0,017 0,015 400
450
500
550
600
650
700
750
di en m
figure 44. relation entre la distance inter-rsonateur et kij
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La figure 44 montre la relation entre la distance inter-rsonateur et kij. A partir de cette courbe, nous allons extraire les valeurs des distances adopter. Sachant que la structure est symtrique alors nous avons dR1R2 = dR3R4 = 675 m et dR2R3 = 440 m.
R2 R1 R4 R3
Membrane
Rsonateur
figure 45. structure du filtre quart donde
Rsonateur /2
Rsonateur /4
Sij (dB)
S11
S12
figure 46. Rsultat de simulation 3D
La figure 45 montre une vue gnrale du filtre quart donde 4 ples avec une approche identique celle ralise lors de la structure initiale demi onde : Le circuit est entour par un
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anneau de silicium (form cause linclinaison de la gravure de silicium) de 100 m qui le spare des vias mtalliss. Aprs simulations en 3D et optimisations, nous procdons une comparaison des performances des deux structures demi et quart donde pour sassurer du bon choix de la structure qui va remplacer la demi-onde. La figure 46 montre une comparaison entre le rsultat obtenu en utilisant la structure /4 et /2. Le logiciel utilis est HFSS. On remarque que les deux structures ont la mme bande passante et la mme rjection (suprieure 60 dB 19.1 GHz). Par contre les pertes dinsertion sont plus importantes pour la structure quart donde. Ce qui est du la diffrence entre les facteurs de qualit. Pour industrialiser ces structures il faudra modifier le processus technologique pour satisfaire les conditions des units de production. Pour atteindre notre objectif, nous avons recours la structure demi-onde industrialise (qui a t fabrique) montre figure 47 (a). On y voit des vias mtalliques (remplis par lintermdiaire des trous creuss sur le capot suprieur) qui remplaceront la mtallisation entire utilise pour blinder le circuit micro-usin et figure 47 (b) qui montre la structure quart donde 3D modifie et simule.
Via mtallis
(a)
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15 mm
11.5 mm
Parties non mtallises en silicium
(b)
figure 47. (a) : Vias mtalliss (b) : structure quart donde avec processus technologique modifi
Cette structure vient dun assemblage de 3 wafers de Si qui sont micro usins. Les dimensions du filtre sont prsentes sur la figure 47b. Nous obtenons une taille de 11.5*15mm. Les vias sont raliss grce des masques sur la face suprieure du wafer suprieur. La figure 48 montre le procd de gravure du wafer suprieur effectu sur les deux faces pour crer les vias
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.
figure 48. Gravure du wafer suprieur et cration des vias
Les accs dexcitation sont placs sur un substrat de Si. Deux types daccs ont t explors comme le montre la figure 49, un accs coplanaire (a) utilis pour une mesure sous pointes et un accs micro-ruban (b) pour relier le filtre aux autres lments par wire bonding. Une largeur de 300 m permettant de connecter 3 fils a t optimise pour rduire la self parasite lors du report [15].
Mtal
Mtal Zone de report
(a)
(b)
figure 49. (a): accs coplanaire (b): accs micro-ruban pour report
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Micro-ruban coplanaire
S11
Sij (dB)
S12
figure 50. rsultats de simulation des structures coplanaire et micro-ruban par HFSS
Les deux cas ont t traits et calculs et les deux rsultats de simulation permettent de vrifier le gabarit demand. La figure 50 montre les rsultats du filtre avec accs coplanaires et avec accs micro-rubans. Pour la structure avec 2 accs microruban, il a fallu rajuster le Qext pour retrouver la bonne rponse. On remarque bien que dans les 2 cas la rjection 19.1 GHz est suprieure 60 dB ce qui est trs important pour satisfaire les spcifications demandes. Aprs packaging les dimensions totales du filtre sont de (15mm*11.5mm).
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VI. Mesures du filtre quart donde et tude de sensibilit
VI.1. Mesure
Les mesures du filtre nont pas t conformes aux simulations. Plusieurs problmes de fabrication ont t rencontrs. La remise la masse des rsonateurs quart donde na pas t assure. Un dcalage frquentiel a t aussi not du linclinaison du capot suprieur (lors de la simulation, linclinaison na pas t prise en compte). La figure montre une des mesures effectues sur le filtre qui montre dimportantes pertes dinsertion avec un dcalage frquentiel vers les basses frquences.
Sij en dB
S11
S21
figure 51. mesure du filtre quart donde
Nous avons cherch tudier les paramtres dont les variations peuvent causer cette diffrence de rponse entre simulations et mesures.
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VI.2. Effet de linclinaison sur la frquence

Dans les simulations sur lesquelles nous nous sommes bases, nous navons pas pris en compte linclinaison due au micro-usinage et les flancs des capots taient droits aux niveaux des accs.
figure 52. structure simule avec des flancs droits
Mallheureusement, ce paramtre est important et peut crer un dcalage frquentiel. En ralit tous les flancs sont inclins. Une inclinaison vers lintrieur peut causer un dcalage frquentiel vers les hautes frquences et une inclinaison vers lextrieur peut causer un dcalage frquentiel vers les basses frquences. Ce dernier cas est notre cas avec une erreur commise sur le masque qui a fait une augmentation de la largeur de la structure de 600 m ce qui nous fait une largeur de 6.51 mm au lieu de 5.91 mm. Cette augmentation de la largeur a chang le comportement lectrique des rsonateurs. Une simulation simplifie a t faite pour vrifier cette thorie avec une structure de largeur 6.51 mm. Le rsultat confirme le dcalage frquentiel vers le bas.
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figure 53. structure quart donde incline
figure 54. rponse du filtre avec une largeur de 6.51 mm
VI.3. Dcalage du capot suprieur

Des tudes faites ont montr que le dcalage de ce dernier a malheureusement une norme influence sur la rponse du filtre.
~ 98 ~
Pour connatre leffet dun dsalignement des diffrents wafers nous avons simul une structure dans laquelle le capot suprieur est dcal. La figure 55 montre le dcalage.
figure 55. dcalage du capot suprieur
La figure 56 montre une comparaison entre la structure sans dcalage et avec dcalage. Nous remarquons quun lger dcalage du capot dtriore fortement la rponse du filtre.
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Sij en dB
Sans dcalage
Avec dcalage de 20 m
figure 56. comparaison entre la structure idale et celle avec dcalage du capot suprieur
VII. Conclusion
Les rsultats prsents dans ce chapitre montrent un bon accord entre les simulations et les mesures et un bon accord avec le gabarit demand par TAS. La rduction de lencombrement du filtre a t ralise ainsi que lindustrialisation du procd de fabrication. La technologie du micro-usinage nous a permis de raliser des filtres avec des pertes
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raisonnables et un bon facteur de qualit. La fabrication et les mesures du filtre quart donde se sont heurtes beaucoup de problmes. Cest pour cela que nous sommes revenues des structures demi-ondes plus conventionnelles. Des structures avec des rsonateurs demi-ondes sont en cours de tests. La premire structure est montre figure 57 avec 4 rsonateurs demionde. Les premiers rsultats de simulation sont montres figure 58.
figure 57. filtre 4 ples avec des rsonateurs demi-onde
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figure 58. rponse du filtre 4 ples
Dautres structures avec deux rsonateurs en modes duaux sont aussi en cours doptimisation. La rduction de lencombrement peut encore tre accrue en optimisant les dimensions des vias ce qui va nous permettre de rduire encore la taille du filtre. Avec la ralisation de la structure accs micro-ruban la connexion avec les circuits du systme satellitaires est assure grce la mise en cascade de trois fils ( wire bonding).
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CHAPITRE 3 ETUDE DE FILTRES MICRO-USINS INTGRABLES 150 GHZ
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~ 108 ~
Chapitre 3 : Etude de filtres micro-usins intgrables 150 GHz
Etude de filtres micro-usins intgrables 150 GHz
I. Introduction
Ce chapitre porte sur la conception des filtres dans le domaine sub-millimtrique. Le micro-usinage a lavantage de proposer une solution planaire de filtrage avec une propagation des champs lectromagntiques dans lair donc quasiment sans dispersion. Cette technologie base sur la photolithographie assure une bonne fiabilit des dimensions. Elle se positionne donc comme un bon candidat pour une monte en frquence. Nous avons effectu des mesures de pertes de lignes ces frquences, en comparant avec des simulations effectues avec un calcul par lments finis. Nous avons ensuite tudi une fonction de filtrage, permettant de slectionner les informations vhicules une frquence prcise, liminant tous les signaux ntant pas cette frquence. Nous avons ainsi tudi pas pas les diffrentes tapes conduisant la ralisation dun filtre. Dans un premier temps nous nous sommes penchs sur loptimisation dun rsonateur, lment primordial du filtre, en optimisant ses dimensions pour augmenter le coefficient de qualit tout en limitant les risques de modes parasites. Le rsonateur tudi est suspendu sur une fine membrane dilectrique et entour dair, permettant ainsi la propagation des champs dans lair. A partir de ce rsonateur, nous avons conu deux filtres passe bande 150 GHz avec des bandes troites et une forte rjection. Le premier est un filtre 2 ples de conception aise. Le deuxime est un filtre 5 ples respectant un gabarit fix plus svre. Ces filtres sont utilisables pour des applications de radiomtrie, de transmission par satellites ou dobservation de la terre. Aux hautes frquences, avec la technologie de membrane suspendue, les accs coplanaires sur silicium souffrent de propagation de modes de substrat parasites qui vont piger l'nergie dans le silicium et bloquer alors la transmission entre lentre et la sortie. En premier lieu, on va optimiser les dimensions des cavits pour avoir le meilleur facteur de
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Chapitre 3 : Etude de filtres micro-usins intgrables 150 GHz qualit possible puisque les caractristiques du filtre dpendent de ce facteur. Les accs standards sur silicium causent dimportantes fuites en hautes frquences. Une solution est alors propose pour liminer ces pertes en isolant le substrat. Ensuite les dimensions des rsonateurs demi ondes et des distances inter rsonateurs et entre sortie sont tudies pour obtenir le gabarit ncessaire. Pour le filtre 5 ples, la largeur maximale est gale 900 m pour viter la propagation des modes suprieurs de cavits. Pour avoir un facteur de qualit plus lev, nous avons travaill avec des structures priodiques et nous avons conu un rsonateur et un filtre 2 ples en utilisant une technologie similaire celle employe pour les filtres prcdents. Cette structure est base sur le principe des rflecteurs de Bragg. Cela permet daugmenter fortement le coefficient de qualit des rsonateurs. La cration de la bande interdite va amliorer lisolation et la rjection autour de la bande passante du filtre.
II. Domaine sub-millimtrique et tat de lart
II.1. Structures planaires micro-usines

La technologie du micro-usinage a t prsente dans les deux premiers chapitres. Plusieurs exemples dans la littrature sont disponibles. Les membranes dilectriques sont utilises pour suspendre des filtres et des lignes de transmission. Dans la bande W [2], 3 filtres passe bande avec des lignes couples ont t fabriqus et mesurs avec 6.1% de bande autour de 94.7 Ghz et des pertes de 3.6 dB, 12.5% de bande autour de 95 Ghz et 2.2 dB et 17.7% pour 94.9 et 1.4 dB. Finalement un filtre base de guide donde micro-usin est tudi dans [3] 400 GHz avec des pertes dinsertion simules de 0.65 dB et une bande passante de 20 GHz est conue.
II.2. Les structures filtrantes priodiques micro-usines

Ce genre de structure excite sur un mode de rsonance donn permet la ralisation de filtres micro-ondes pouvant satisfaire aux contraintes suivantes :

une intgration aise dans un environnement planaire MMIC, une ralisation simple,
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de bonnes performances lectriques, un faible cot de fabrication, des applications dans le domaine millimtrique et sub-millimtrique. Un filtre micro-usin structure priodique avec un pic de transmission 150 GHz a
dj t imagin au laboratoire XLIM [4]. La structure est base sur un guide micro-usin dans lequel est place une membrane de polymre utilise comme support afin d'y raliser des motifs mtalliques priodiques. Ces pavs mtalliques sont disposs comme le montre la figure 1
figure 1. Motifs priodiques
II.3. Filtres raliss ou conus proche et au del de 100 GHz utilisant dautres technologies
II.3.1. Filtre en plastique base de guides dondes avec des iris

Dans la rfrence [5], un filtre en plastique en bande W a t ralis en utilisant des techniques de gravure chaud et dlectrolyse slective. Il a une frquence de 96.77 GHz, 3.15 % de bande passante, 1.22 dB de pertes dinsertion et un coefficient de rflexion de 9.3 dB. Le facteur de qualit vide mesur est 1210. La figure 2 montre la configuration de ce filtre.
figure 2. Configuration dun filtre iris
~ 111 ~
II.3.2. Filtre en technologie coplanaire

Un filtre 165 Ghz et avec 57% de bande a t fabriqu [6]. La fabrication de filtres de bandes troites est impossible avec cette technologie. La structure a t amliore par des couches minces avec lignes micro-ruban [7] :cette technologie peut tre implmente sur nimporte quel substrat. Une membrane de BCB est dpose. Entre la membrane et le substrat un plan de masse constitu de mtal existe, ce qui permet dliminer les fuites dans le substrat. Des lignes micro-ruban sont dposes sur la membrane par lectrolyse et des accs coplanaires sont raliss en tendant le mtal sur les parois de la membrane pour les mesures ce qui permet de simplifier la ralisation et de ne pas utiliser de vias. Cette structure permet davoir un circuit compact comme le montre la figure 3:
Plan de masse
figure 3. Structure de couches minces sur un substrat avec des accs coplanaires
Cette technologie offre lavantage dtre indpendante du substrat et peut tre implmente sur des substrats ayant dj des circuits. En revanche, le coefficient de qualit des rsonateurs reste relativement faible.
II.3.3. Technologie photo-imageable couche paisse [8]

Cette technologie est simple, faible cot, prcise et prsente une facilit dintgration. Elle consiste utiliser un substrat en Alumine puis dposer au-dessus une couche de mtal qui formera le mur infrieur du guide et le plan de masse pour les lignes micro-ruban puis imprimer une couche de dilectrique. Cette couche est photo-image pour former les cavits ncessaires aux parois latrales du guide et les vias ncessaires la transition microruban coplanaire pour les tests. Finalement une couche de conducteur est imprime et photo-image pour occuper les tranchs formes et dfinir le mur suprieur du guide et les lignes dalimentation micro-ruban. La figure 4 montre la forme finale de cette structure.
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Membrane Mtal substrat
figure 4. Structure couche paisse
Avec cette technologie, les structures 3D sont difficiles imprimer avec prcision et la hauteur du guide est limite. Les pertes du conducteur sont inversement proportionnelles la plus petite dimension du guide. Sajoutent ces pertes les pertes dues la rugosit de la surface et des pertes engendres par les dsalignements des couches successives. Une srie de rsonateurs coupls a t utilise pour fabriquer des filtres passe bande. Les pertes dinsertion obtenues pour une frquence de 150 GHz sont 3.86 dB pour 8 % de bande relative et 4.09 dB pour une frquence de 180 GHz avec 7 % de bande.
II.3.4. Technologie en cramiques multicouches [9]

Cette technologie consiste alterner des couches de dilectriques demi ondes et quart dondes avec diffrents indices de rfraction. En principe cela ressemble au miroir de Bragg. Elle n'apporte pas une relle diminution des pertes qui pnalisent les circuits planaires. Les dimensions minimales observer entre deux lignes sont trs importantes (150 200 m), ce qui peut tre trs pnalisant pour l'obtention de forts couplages. Des filtres 150 GHz et 0.8 THz ont t mesurs. Le filtre 150 GHz prsentait une bande passante de 10.5 %. La figure 5 montre la faon dalterner les diffrentes couches. Un autre filtre (figure 6) a t ralis avec la technologie LTCC (low temperature cofired ceramics) 150 GHz avec une bande passante de 1.6 % et 4.6 dB de pertes dinsertion[10].
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figure 5. Alternance des couches
figure 6. filtre 2 ples LTCC
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II.3.5. Tableau rcapitulatif de ltat de lart

Nous dressons dans ce paragraphe le tableau rcapitulatif des diffrentes technologies cites dans cette partie avec un ou deux exemples de filtres raliss aux frquences millimtriques ou sub-millimtriques.
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Solution LTCC de filtrage Facteur de qualit vide 150 290 100 couches minces
Filtre En technologie coplanaire 50
photoimageable couche paisse 180
Guide en plastique
priodique
Micro-usinage : filtre sur membrane
1210
300-400
Intgration sensibilit aux tolrances

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facile
Trs facile
Trs facile
difficile
difficile
facile
Trs facile
importante
faible
faible
moyenne
importan te
faible
faible
de fabrication 150 Exemple (f0) 150 1.6 Bande passante (%) 10.5 Pertes dinsertion (dB) 4.6 1.5 5 3.5 7 94 10 57 7 3.86 1.22 4.09 Bas cot remarques Bas cot Bas cot Pertes importantes Fabrication simple Bas cot Bas cot QL = 199 3 1.5 180 165 180 8 3.15 6 58 3.6 150 96.77 58.5 250 6.1 94.7
La miniaturisation des circuits et la monte en frquence constituent deux lments importants des systmes de communication du futur. Cela ncessite un haut degr dintgration, des performances plus leves et un cot trs rduit. La solution consiste profiter de la souplesse de conception, la facilit dintgration et le cot de dveloppement rduit de la technologie planaire associe au micro-usinage. Ce qui va rduire considrablement les pertes de rayonnement grce une encapsulation des rsonateurs et les pertes dilectriques grce la propagation des champs dans lair.
III. Structure planaire micro-usine

Aprs la prsentation des diffrentes technologies, nous avons choisi de travailler avec les structures micro-usines parfaitement matrises XLIM et qui prsentent de nombreux avantages au niveau de cot dencombrement et dintgration avec de bonnes performances. Ces performances dpendent videmment du facteur de qualit qui sera tudi par la suite.
III.1. Etude de facteur de qualit et de sa dpendance aux paramtres de la topologie utilise. Optimisation des dimensions de la cavit.
Nous avons vu dans le deuxime chapitre que deux caractristiques majeures des filtres sont directement dpendantes du Q0 des rsonateurs, les pertes d'insertion et la rjection hors bande. Des Q0 trop faibles engendreront invitablement des pertes d'insertion. Nous allons maintenant tudier la structure globale afin de maximiser le coefficient de qualit. Trois paramtres dimensionnels font varier la valeur de Q0 dun rsonateur linique demi-onde prsent sur la figure 7. Ces paramtres sont w, la largeur de la ligne, hsup, et hinf les paisseurs d'air des cavits. La longueur L = frquence de rsonance dsire.
du rsonateur permet d'obtenir la 2
~ 117 ~
hsup
hinf
(a)
(b)
figure 7. Structure utilise pour l'tude du Q0 : (a) vue transverse (b) vue longitudinale
Une simulation en transmission d'un rsonateur lmentaire coupl deux lignes d'excitation permet de dterminer la largeur 3 dB de la courbe de rsonance.
Le coefficient de qualit est alors dduit par la relation [10]:
equ.1
Q0 =
f0 1 f 3 dB 1 S 21
max
avec
f0 : frquence de rsonance
f 3 dB : bande passante 3 dB
S 21
max
: module de S21 au maximum du pic de rsonance
En augmentant la largeur du rsonateur, nous pourrons augmenter le facteur de qualit. En effet, si lon considre que les pertes principales sont les pertes mtalliques, la rsistance de la ligne peut scrire :
~ 118 ~
Chapitre 3 : Etude de filtres micro-usins intgrables 150 GHz R = L/S Avec : rsistivit du mtal L : longueur de la ligne S : section de la ligne et L sont figs avec le mtal choisi et la frquence de travail souhaite, le seul paramtre notre disposition est la section de la ligne. En laugmentant, nous rduisons la rsistance de la ligne et nous augmentons donc le coefficient de qualit. Un autre paramtre permettant de jouer sur le coefficient de qualit est la hauteur des cavits. En repoussant le plan de masse du rsonateur nous limitons les pertes mtalliques dues aux cavits. Pour notre tude 150 GHz, nous avons limit les dimensions du rsonateur et de la cavit pour rduire les effets parasites.
III.2. Dtermination de la largeur du botier

En adoptant la technologie sur membrane, le circuit se retrouve maintenu sur une fine membrane dans lair avec des murs mtalliques tout autour. La largeur intrieure du filtre devra donc tre maintenue une dimension infrieure la frquence de coupure du guide cre par le blindage de la cavit. Un guide paralllipipdique peut tre reprsent par la figure 8.
c b a
figure 8. reprsentation du guide.
Sa frquence de coupure est donne par la relation :

equ.2
f c10 =
c 1 = 2a 2a
a tant la plus grande dimension transverse du guide

~ 119 ~
Chapitre 3 : Etude de filtres micro-usins intgrables 150 GHz La figure 9 prsente lvolution de la frquence de coupure de ce guide en fonction de sa largeur.
figure 9. volution de la frquence de coupure en fonction de la largeur
Pour viter lexcitation des modes, nous devons donc limiter sa dimension transverse 900 m. Pour maintenir des conditions dassemblage des cavits pas trop critiques et pas trop difficiles raliser, nous avons choisi de garder 200m de chaque ct du rsonateur par rapport au bord de la cavit comme le montre la figure 10. 200 m
Rsonateur 200 m
figure 10. Dimensionnement du rsonateur par rapport au bord de la cavit (partie suspendue)
Pour respecter une section transverse de 900 m nous devons utiliser des rsonateurs de 500 m de large. Pour la hauteur des cavits dair, nous avons utilis toute lpaisseur du wafer infrieur (525m) mais seulement 200m pour la cavit suprieure. Lobjectif est dtre assur de maintenir un mode micro-ruban avec la masse suprieure. Les dimensions de la structure que nous retenons sont donc les suivantes : Largeur ligne = 500 m Hauteur cavit suprieure = 200 m Hauteur cavit infrieure = 525 m La conductivit de lor est = 4.09 * 107 S/m.
~ 120 ~
Chapitre 3 : Etude de filtres micro-usins intgrables 150 GHz Pour le BCB nous avons pris pour nos simulations : r =2.31 ; tg = 2*10-3
III.3. Simulations en 2.5 D avec Momentum

Nous avons tudi dans cette partie le rsonateur qui est la base de la ralisation des filtres. Un rsonateur demi-onde (/2) montr figure 11 provoque une rsonance une frquence telle que : = C/f = 3.108 /150.109 = 2mm. /2 = 1mm. Cest la valeur thorique que nous devons obtenir. Mais en simulant nous avons obtenu les valeurs suivantes (figure 2.8): l = 707 m w = 500 m gap = 633 m lb= 900 m
La figure 11 montre la structure que nous allons simuler sur Momentum : Rsonateur demi-onde
lb Accs 1 w l Ligne dexcitation
gap
Accs 2
figure 11. rsonateur quasiment en oscillation libre sous MOMENTUM
Afin de mesurer le facteur de qualit vide la frquence propre du rsonateur, les lignes dexcitation doivent tre positionnes suffisamment loin du rsonateur. Le rsonateur est alors dcoupl et le coefficient de surtension vide Q0 est dtermin partir de la rponse en transmission du circuit (figure 12):
~ 121 ~
figure 12. rponse en transmission du rsonateur
Le facteur de qualit obtenu 250 est comparable ou meilleur aux autres technologies planaires ou quasiplanaires.
III.4. Etude des pertes dans les accs et paramtres ajustables pour la frquence de coupure du guide et solutions envisages pour rsoudre le problme
III.4.1. Mise en vidence du guide

Pour exciter le rsonateur, nous devons utiliser une ligne coplanaire. Mais il y a un problme : 150 GHz les fuites dans le substrat sont trs importantes. En effet, la configuration des accs coplanaires sur silicium massif, peut permettre la propagation de modes dans le silicium. La transition entre la ligne coplanaire sur silicium et la ligne microruban sur membrane de BCB favorise la cration dune boucle de champ magntique qui peut exciter le mode du guide de silicium situ sous la ligne coplanaire comme le montre la figure 13:
~ 122 ~
(a)
(b)
figure 13. mise en vidence du guide donde en Si, (a) vue de dessous (b) vue de ct
Nous allons maintenant nous intresser la frquence de coupure de ce guide et tudier les degrs de liberts dont nous pouvons disposer en fonction des paramtres gomtriques de la structure. Nous pouvons ainsi jouer, comme le montre la figure 14, sur lpaisseur du substrat de silicium (h) et sur lcart entre les vias (D).
~ 123 ~
Si
Via mtallis
Si
Via mtallis
Si h
D
figure 14. paramtres ajustables pour la frquence de coupure du guide.
Les valeurs de frquence de coupure obtenues sont prsentes figure 15
figure 15. Frquence de coupure du mode quasi TE
Nous pouvons remarquer daprs la figure 15 quavec une hauteur de 525 m nous allons avoir des frquences de coupure au-dessous de 80 GHz quelle que soit la largeur du guide adopte. La seule possibilit serait de rduire lpaisseur du substrat de manire trs importante (paisseur infrieure 100 m), mais cela saccompagnerait dune rduction du coefficient de qualit. Nous rejetons donc lide de rduire lpaisseur du substrat de silicium. Compte tenu de lattaque humide du silicium (flancs inclins) que nous proposons dutiliser, nous ne pouvons pas rduire suffisament les dimensions transverses du guide et repousser ainsi sa frquence de coupure au-dessus de notre frquence de travail (150 GHz). Des
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Chapitre 3 : Etude de filtres micro-usins intgrables 150 GHz modifications sur la structure dexcitation devront donc tre apportes. Pour rsoudre ce problme, nous proposons dutiliser un plan de masse entre le BCB et le Si pour viter les fuites dans le substrat, comme le montre la figure 16. De cette manire, le substrat de silicium sera totalement isol des lignes daccs coplanaires. Nous liminerons ainsi les fuites dans le substrat, ce qui reprend lide des publications [6][7].
Plan de masse
Si
Si
Si
figure 16. ajout dun plan de masse entre le BCB et le silicium
III.4.2. Simulation 3D du guide

Nous allons maintenant revenir sur la mise en vidence de la ncessit disoler le substrat et sur lintrt du plan de masse en prsentant des rsultats de simulations effectus avec HFSS. La structure simule est prsente figure 17.
figure 17. structure avec le guide de silicium sous les accs CPW
Les dimensions de cette simulation ont t imposes par les contraintes physiques de la fabrication. La largeur totale de la structure est conditionne par lcart entre les vias servant blinder la structure. Lors de cette simulation des courts-circuits lectriques parfaits ont donc t utiliss pour assurer le blindage de la structure. Pour simplifier la simulation, nous avons utilis des flancs verticaux pour les vias. Cela ne modifie pas le principe de fonctionnement
~ 125 ~
Chapitre 3 : Etude de filtres micro-usins intgrables 150 GHz du guide de Si. Des accs distribus ont t utiliss pour exciter cette structure. La largeur est gale 900 m. La rponse simule de cette structure est propose figure 18.
S11
Sij (dB)
S21
figure 18. rsultats de simulation 3D avec HFSS
Cette simulation met clairement en vidence le problme de pertes dnergie dans la structure. Il y a des frquences pour lesquelles lnergie nest pas du tout transmise. La figure 19 prsente une cartographie du champ lectrique la frquence 156 GHz dun de ces zros de transmission.
figure 19. reprsentation graphique du champ lectrique
~ 126 ~
Chapitre 3 : Etude de filtres micro-usins intgrables 150 GHz A cause de la transition coplanaire micro-ruban au moment o la ligne passe du silicium massif la partie suspendu, le mode de guide sous la ligne coplanaire est excit et lnergie nest donc pas transmise entre lentre et la sortie.
III.4.3. Elimination du guide

Pour contourner ce problme, nous proposons dutiliser un plan de masse sous le BCB qui a pour but disoler ce guide du silicium. La structure propose est prsente figure 20. Le plan de masse se situe uniquement sous les accs CPW et non au centre pour garder un facteur de qualit lev.
Air
Plan de masse sous le BCB
figure 20. plan de masse sous le BCB
Cette modification mise part, les dimensions de la structure sont identiques la figure 17. La rponse simule de cette structure avec un calcul par la mthode des lments finis est prsente figure 21 :
~ 127 ~
S21
Sij (dB)
S11
figure 21. rsultats de simulation de la structure avec plan de masse sous le BCB
Ce rsultat de simulation nous permet de mettre en vidence limportance du plan de masse sous le BCB lorsquil y a du silicium. Il ny a plus de fuite dnergie dans le substrat, le coefficient de transmission est conforme nos attentes. On note cependant sur la courbe une mauvaise adaptation due au fait que la largeur de la ligne a t garde constante sur les parties sur BCB avec plan de masse et sur la partie centrale o le BCB est entour dair. Limpdance de la ligne sur ces deux parties est donc diffrente. Cette dsadaptation dimpdance se traduit par la remonte du coefficient de transmission. Cependant aucun pic parasite nest observ dans la transmission sur une large bande de frquence autour de 150 GHz.
III.4.4. Prsentation technologique
III . 4. 4 .1 . Descrip tion d e l a stru ctu re
Comme nous venons de le prsenter dans la partie prcdente, llment cl du problme est dviter les pertes et les fuites dnergie dans le silicium sous les lignes daccs. Il a donc fallu apporter des modifications technologiques et gomtriques pour transformer les systmes dexcitation classiques et les rendre compatibles un fonctionnement 150 GHz. Dun point de vue technologique, il va donc falloir passer dune structure de BCB sur Si/SiO2 avec une paisseur de 8 m une structure de BCB sur plan de masse avec une paisseur plus importante. Ltude de cette paisseur est ncessaire pour rduire les pertes. En
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Chapitre 3 : Etude de filtres micro-usins intgrables 150 GHz simulant une ligne microruban sur membrane avec un plan de masse sous de la membrane (figure 22) et en faisant varier lpaisseur e de la membrane, nous montrons sur la figure 23 les rsultats obtenus. Nous remarquons que pour e = 27 m nous avons un bon coefficient de rflexion comme le montre la figure figure 23.
figure 22. Ligne microruban sur un substrat de BCB
Lpaisseur de 27 m est choisie dans ce graphique car elle correspond une paisseur classique propose par le fabricant de BCB
e = 8 m S11 dB e = 15 m e = 27 m
figure 23. relation entre le coefficient de rflexion S11 et lpaisseur e du substrat
La figure 24 prsente la premire technologie avec une paisseur de 8 m et la figure 25 montre la nouvelle technologie avec la nouvelle paisseur.
~ 129 ~
figure 24. ligne CPW sur BCB 8 m
BCB
Zone
Plan de masse
isole
Via de blindage
figure 25. ligne CPW sur BCB avec plan de masse.
La figure 26 montre la configuration du champ lectrique dans laccs.
BCB (27 m)
Plan de masse
figure 26. Champ E dans laccs (ligne coplanaire)
Avec cette nouvelle configuration la zone de silicium sous le BCB est donc protge par le plan de masse. Il ny aura donc pas de fuite possible dnergie. Nous prsentons maintenant les tapes technologiques utilises pour raliser une telle structure. Malheureusement, nous prsentons galement les problmes technologiques rencontrs au cours des diffrentes tapes
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Chapitre 3 : Etude de filtres micro-usins intgrables 150 GHz du process. En rsum, dans cette configuration dpaisseur et de plan de masse le BCB ne rsiste pas dans le TMAH, servant la gravure du silicium.
III . 4. 4 .2 . Prsentation d e l a tech niqu e d e fabrication d e l a stru ctu re
Les diffrentes tapes de la ralisation sont prsentes de manire simplifie sur les figures 27, 28, 29 et 30 :
a . Etap e 1 :
Au : 3m BCB : 27m Si
figure 27. Dpt de matriaux
La premire tape consiste dposer sur le substrat de silicium un plan de masse. Ce plan de masse est grav aux endroits o la membrane sera suspendue puis une membrane de BenzoCycloButne (BCB, r = 2.6) est dpose ainsi quune couche mtallique.
b. Etap e 2 :
figure 28. Dessin des motifs du circuits
La couche dor est grave pour obtenir les motifs souhaits dans ltape 2.
c. Etap e 3 :
figure 29. Gravure du Silicium
Nous procdons une attaque chimique du silicium par du TMAH pour suspendre le circuit dans lair
d . Etap e 4 :
~ 131 ~
figure 30. Blindage et assemblage
Finalement, le blindage de la structure est assur en reliant les 3 parties composes du plan de masse du wafer intermdiaire et de la cavit de blindage suprieure. Comme on la dj mentionn, la dernire tape de fabrication des rsonateurs et des filtres (le micro-usinage) a rencontr des problmes. Nous avons uniquement russi raliser et mesurer des lignes sur BCB pais avec plan de masse, mais pas de rsonateurs suspendus. Pour les rsonateurs et filtres une autre modification technologique que nous allons prsenter dans ce chapitre est ncessaire. Le process de fabrication est issu de ce qui a t dvelopp au laboratoire XLIM par Matthieu Chatras et Pierre Blondy pour la ralisation de filtre 30 GHz. Lajout dun plan de masse sous le BCB sest heurt 4 problmes technologiques quil a fallut liminer. Trois ont t levs, le dernier subsiste aujourd'hui. Mauvaise polymrisation du BCB pais. Les techniques et les mthodes utilises pour une couche de 8 m n'ont pas pu s'appliquer une couche de 25-30 m. Il y avait, lors de la polymrisation, des cloques et des bulles qui apparaissaient dans la couche de BCB. Une fois la polymrisation effectue, il n'y a pas possibilit de faire machine arrire (la moindre bulle ou cloque dans le BCB se traduit par une rupture des membranes, lors de la libration). Nous avons effectu des batteries de tests pour rsoudre ce probme (quantit de BCB, de promoteur d'adhrence, paliers de temprature la plaque chauffante, paliers de vitesse de rotation lors du dpt, polymrisation four et/ou plaque...). Ce problme a t rsolu aprs une prpolymrisation au four (120C), avant le dbut de la phase de vitrification, puis par une cuisson finale la plaque (275C).
Non adhrence du BCB sur le plan de masse.
~ 132 ~
Chapitre 3 : Etude de filtres micro-usins intgrables 150 GHz Lors de la lithographie de la face avant, le BCB se dcollait du plan de masse dans les agents de gravure des mtaux. Diffrentes tudes ont alors t menes concernant la couche mtallique infrieure (Condition de l'lectrolyse, dpt avec une vaporation diffrente, changement des techniques de dpt (pulvrisation cathodique)...). Cette tape a t rsolue avec l'ajout d'une couche de Cr vapore sur la couche d'or, permettant alors l'adhrence du BCB au plan de masse qui est alors constitu d'une tri-couche Cr-Au-Cr. Arrachage du plan de masse infrieur lors de la lithographie des rsonateurs sur le BCB. Cette fois le BCB adhre bien au plan de masse, tellement bien qu'il l'arrache du Si lorsque l'on grave la face avant... Ce problme d'adhrence du plan de masse a t rsolu en jouant sur les conditions de dpt et d'paisseur de la couche d'accrochage de Cr sous la couche dor. Arrachage du BCB dans le TMAH. C'est la dernire tape du process, toutes les lithographies ont t effectues, il ne reste plus qu' librer les membranes en attaquant le Si dans le TMAH. C'est le problme qui est rencontr aujourd'hui et qui na pas encore t rsolu. Le BCB rsiste seulement 2 heures dans le TMAH, alors quil doit tenir toute une journe pour graver compltement le silicium.
III.5. Mesure des lignes sur BCB
III.5.1. Prsentation
Une tude prliminaire a t mene avec LineCalc dADS pour trouver les dimensions dune ligne coplanaire, avec un plan de masse, adapte 50 ohms, pour une membrane dpaisseur de 27 m et une permittivit effective de 2.31. La gomtrie simule par LineCalc est prsente figure 31
w
figure 31. ligne coplanaire
gap
~ 133 ~
Chapitre 3 : Etude de filtres micro-usins intgrables 150 GHz Le logiciel nous donne alors comme rsultats les valeurs suivantes : Largeur de la ligne : w = 71 m ; gap = 26 m Nous allons faire les simulations sur une trs large bande de frquences pour ne pas tre obligs de changer les dimensions de la ligne chaque fois que nous voulons une frquence de travail diffrente. Sinon nous serions contraints dintgrer les lignes coplanaires dans le calcul du coefficient de qualit externe et de faire une tude plus complexe avec les lments finis puisque la ligne coplanaire et le rsonateur ont des substrats diffrents (impossible simuler avec un logiciel 2,5 D comme Momentum). Nous effectuons la simulation en nous limitant au plan de masse, puisquil va empcher les fuites dans le substrat, en considrant les pertes dilectriques (tg = 0.003) et les pertes mtalliques (la conductivit de lor fixe 3.5 * 107 S/m). Lpaisseur de la membrane tant de 27 m tandis que les paisseurs mtalliques ont t ngliges. Une vue, dans le sens de la propagation, est propose figure 32.
BCB Plan de masse

figure 32. structure simule
III.5.2. ligne coplanaire droite

Nous avons simul des lignes droites. La structure, en vue de dessus est prsente figure 33:
gap
figure 33. ligne coplanaire droite
La simulation de cette ligne est prsente figure 34 (simulation par lments finis). Les dimensions sont les suivantes :
~ 134 ~
Chapitre 3 : Etude de filtres micro-usins intgrables 150 GHz Largeur ligne = 71 m Gap = 26 m Longueur ligne = 2 mm
figure 34. rponse simule avec EMXD dune ligne droite
Une photographie de la ligne mesure est prsente figure 35
figure 35. photographie de la ligne
La rponse mesure de cette ligne est montre figure 36
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figure 36. Rponse mesure de la ligne
Cette ligne prsente des pertes de 1 dB 150 GHz. La bande dans laquelle le coefficient de rflexion est infrieur -15dB reprsente 6,25 GHz. Il est noter un lger dcalage frquentiel entre la simulation et la mesure. Une explication tient au fait que le plan de masse lors de la fabrication nest pas vraiment un plan de masse mais plutt un plan mtallique sous la ligne. En effet dans cette configuration le substrat nest pas attaqu par la face arrire. Nous navons donc pas la possibilit de connecter le plan de masse sous le BCB avec la masse de la ligne coplanaire sur le BCB. Nous dplorons galement un problme de calibration puisque le coefficient de transmission passe par des valeurs positives autour de 154 GHz. Malheureusement les rsonateurs et les filtres nont pas pu tre mesurs car nous navons pas russi lever un verrou technologique. Dans cette configuration dpaisseur et de plan de masse le BCB ne rsiste pas dans le TMAH, servant la gravure du silicium. Le procd technologique, tel quil tait envisag, avant les problmes darrachage du BCB dans le TMAH est prsent en annexe A. Nous proposons alors une autre orientation, en positionnant les accs de mesure directement sur la membrane de BCB.
III.6. ACCES DIRECTEMENT SUR LA MEMBRANE

En dpit des nombreux tests technologiques que nous avons mens, nous navons pas russi raliser le circuit sur membrane paisse avec un plan de masse sous le BCB. Nous nous orientons donc vers une solution technologique identique celle que nous matrisons (membrane 8 m sur Si/Si02). Pour viter les pertes dans les accs et les fuites
~ 136 ~
Chapitre 3 : Etude de filtres micro-usins intgrables 150 GHz dans le silicium, nous proposons davoir les accs coplanaires sur la membrane. Des essais mcaniques sur une membrane de 8 m nous ont permis de vrifier la possibilit de poser des pointes RF sans casse de la membrane.
III.6.1. Rsonateur Q 0
Nous avons galement simul un rsonateur pour connatre le coefficient de qualit de cette structure. La gomtrie du rsonateur est prsente figure 37. La moiti de la structure est prsente (plan de symtrie). Un facteur de qualit de 250 est obtenu en oscillations forces extrait du rsultat de la figure 38.
Plan de symtrie
figure 37. structure du rsonateur avec les accs sur la membrane
figure 38. Rsonateur simul
~ 137 ~
III.6.2. Filtre 2 ples

La gomtrie du filtre 2 ples que nous avons simul est prsente figure 39.
figure 39. structure du filtre avec les accs sur la membrane
Les degrs de libert pour le rglage du filtre sont identiques ceux dont on dispose pour les structures prsentes prcdemment.
III.6.3. Fabrication
Une solution de TMAH est utilise pour graver le substrat sous le circuit rsonnant mais galement pour creuser des vias. Avant la gravure, une fine membrane (Benzocyclobutne) est dpose sur le substrat. Elle sert de support pour le circuit rsonant en or qui est dpos par vaporation puis lectrolyse. La figure 40 montre les diffrentes couches de notre structure : le substrat avec le circuit, la cavit suprieure mtallise et le plan de masse infrieur. Ces parties sont assembles la fin du processus par une colle conductrice. Cette colle sert aussi remplir les vias et assurer le blindage latral. La fabrication complte est dtaille en annexe C.
~ 138 ~
Si
(8 m) figure 40. Vue transversale de lempilement des wafers.
III.6.4. Mesures du filtre et du rsonateur

Les mesures ont t faites en utilisant un analyseur de rseau vectoriel HP8510C avec des modules dextensions millimtriques OML (Oleson Microwave Lab) qui fonctionnent dans lintervalle de frquences allant de 110 GHz 170 GHz. Pour cela, une calibration SOLT (Short Open Load Through) a t utilise. La figure 41 montre la cavit de blindage. La figure 42 montre lendroit du circuit (cercl) o les pointes de mesure sont dposes. On distingue la ligne coplanaire et le capot de blindage recouvrant le circuit.
figure 41. Cavit de blindage
Capot suprieur
figure 42. Accs de mesure et capot de blindage.
~ 139 ~
III.6.5. Le facteur de qualit vide

La simulation en oscillations libres (HFSS), dun rsonateur micro-usin, a donn un facteur de qualit vide Q0 gal 270 150 GHz. La figure 43 montre le rsonateur fabriqu avec comme dimensions totales (vias inclus) 8.5mm*4.5mm. 3 mm
figure 43. Photo du rsonateur fabriqu.
figure 44. Coefficient de transmission mesur dun rsonateur 150 GHz.
La figure 44 montre le coefficient de transmission mesur lorsque les accs sont trs dcoupls. On extrait alors de la mesure un facteur de qualit de 230. La faible diffrence entre mesure et simulation est due des difficults dalignement des 2 wafers lors de lassemblage et la variation de la hauteur de cavit lors de la fabrication. De plus les pertes des matriaux nont pas t caractrises cette frquence et sont approximatives pour les simulations. Le rsonateur est en revanche parfaitement centr en frquence.
III.6.6. Filtre 2 ples

Nous avons conu un filtre 150 GHz avec une ondulation de 0.1 dB et une bande passante relative de 4 %. On calcule un Qext gal 26 et un coefficient de couplage inter rsonateur gal 0.05. Pour raliser ce filtre, on fait varier dans un premier temps la distance de couplage en entre et en sortie (gap) en couplant un seul rsonateur. On dduit, par
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Chapitre 3 : Etude de filtres micro-usins intgrables 150 GHz consquence, une courbe de relation entre Qext et gap en calculant la phase du coefficient de rflexion S11. On extrait ensuite, de la courbe de relation, la valeur de gap correspondant au Qext voulu.
figure 45. Rsonateur coupl par une ligne microruban
45 40
Qext
35 30 25 20 20 30 40 50 60 70 gap en m
figure 46. Relation entre Qext et gap
En regardant la courbe de relation entre Qext et le gap, nous avons une distance de 30 m qui correspond un Qext de 26. Ensuite nous simulons la distance inter-rsonateurs avec dcouplage des accs respectant le couplage inter-rsonateur du gabarit choisi comme le montre la figure 47.
R1 R2
figure 47. Deux rsonateurs dcoupls
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Chapitre 3 : Etude de filtres micro-usins intgrables 150 GHz La distance inter-rsonateurs est dduite de la courbe montre figure 48 et qui reprsente la relation entre la distance d et le coefficient kij.
0,055 0,05
k12
0,045 0,04 0,035 300 350 400 450 d en m
figure 48. Relation entre kij et d
Deux rsonateurs microrubans sont coupls lectriquement pour raliser un filtre deux ples excits par des lignes microrubans comme le montre la figure 49. La figure 50 montre la comparaison des paramtres S entre simulation et mesure. Les deux courbes prsentent les mmes rjections et bandes passantes. On obtient en mesure un filtre 149.4 GHz avec des pertes dinsertion de 4.5 dB. La diffrence est due aux dsalignements des wafers et aux incertitudes de hauteurs des cavits micro-usines lors de la fabrication et lincertitude destimation des caractristiques des matriaux cette frquence. Une partie des pertes est galement lie au rayonnement cause des tunnels, au dessus des lignes CPW, qui sont un peu plus larges que prvu.
figure 49. Photo du filtre 2 ples ralis.
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figure 50. Comparaison mesure et simulation
On trouve un trs bon accord entre la mesure et la simulation surtout au niveau de la rjection et de la bande passante avec f = 4 %. Cette topologie peut videmment tre utilise pour des structures de filtrage beaucoup plus complexes (nombre de ples, gabarit, fonction elliptique).
III.7. Conception dun filtre 5 ples

En utilisant la mme mthode de conception qui a t prcdemment dcrite, nous avons simul un filtre 5 ples de type Tchebychev respectant le gabarit ci-dessous : f0 = 150 GHz
f = 2 GHz
Compte tenu de ce gabarit, les valeurs thoriques respecter pour le couplage Entre/Sortie et pour le couplage inter-rsonateur sont : Qext = 100 k12 = k45 = 0.01 k23 = k34 = 0.0078
2 topologies de filtres cinq ples ont t testes.

~ 143 ~
III.7.1. Accs par une intgration en surface
III . 7. 1 .1 . Fil tre 5 p l es
Pour cette structure, on va simuler un filtre 5 ples similaire au filtre 2 ples mais avec les accs sur un plan suprieur. Ceci va nous permettre denvisager un report ais mais la ligne daccs ne sera pas blinde. Le couplage entre les accs et le rsonateur se fait par une boucle magntique en utilisant une fente entre les lignes et les rsonateurs. La structure est montre en vue latrale sur la figure 51:
Vias
Excitation
Fente Membrane Vias
figure 51. Vue latrale de la demi structure simule
On optimise la distance entre les rsonateurs et le capot compltement blind sauf dans les deux fentes. Il y a un compromis choisir entre la valeur de la hauteur qui permettra damliorer le facteur de qualit et la distance ncessaire pour un couplage optimal. On optimise aussi les dimensions des fentes et des distances inter-rsonateurs. On choisit de prendre une hauteur de 300 m pour augmenter autant que possible le facteur de qualit vide. A partir de cette valeur, on va optimiser la largeur de la fente ncessaire pour avoir le bon couplage.
III . 7. 1 .2 . C al cu l d u Q ex t en fonction d e l a fente
La figure 52 montre laccs qui excite le rsonateur travers la fente. On optimise la largeur w de la fente qui donne la valeur de Qext voulu. Plusieurs calculs sont effectus avec le logiciel HFSS pour extraire la valeur souhaite.
~ 144 ~
Chapitre 3 : Etude de filtres micro-usins intgrables 150 GHz Fente Accs w Plan de masse Rsonateur Membrane
figure 52. Vue sur laccs coplanaire sur le plan suprieur
La figure 53 montre la relation entre le Qext et w la largeur de la fente. Pour la valeur de Qext gale 100, on obtient une valeur de w gale 73 m. La prochaine tape est loptimisation des distances inter-rsonateurs.
120 110 100 90 80 70 60 50 50 60 70 80 90 w ( en m) 100 110 120
Qext
figure 53. courbe reprsentative de la relation entre le Qext et w
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III . 7. 1 .3 . C al cu l K ij
La figure 54 montre deux rsonateurs dposs sur une membrane et coupls travers des fentes par des lignes. En dcouplant les accs, on calcule la distance inter-rsonateur. La figure 55 montre la relation entre le coefficient inter rsonateur et la distance inter-rsonateur. A partir de cette relation, nous pouvons extraire les valeurs correspondant k12 et k23. Elles sont de lordre de 1020 et 1040 m.
membrane di w
rsonateur
fente
figure 54. Deux rsonateurs dposs sur une membrane et excits travers des fentes
0,02
0,015
kij
0,01 0,005 0 800 850 900 950 1000 1050 1100
di (en m)
figure 55. Relation entre kij et di
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Chapitre 3 : Etude de filtres micro-usins intgrables 150 GHz Les tudes sur les diffrents coefficients de couplage inter-rsonateur ou entre / sortie ayant t menes, nous pouvons les associer pour la simulation du filtre. Donc aprs avoir optimis toutes ces distances, on va simuler avec HFSS la structure totale avec les 5 rsonateurs. On montre sur la figure 56 la reprsentation du champ E la frquence de 150 GHz. Nous remarquons que le champ est bien concentr au niveau de la fente et des cinq rsonateurs. Il est maximal lextrmit de chaque rsonateur.
figure 56. champ E rparti dans la structure
figure 57. Simulation avec HFSS
La figure 57 montre les paramtres S calculs avec HFSS avec 6.8 dB de pertes dinsertion et une adaptation suprieure 10 dB dans la bande. Les pertes sont importantes car le filtre est
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Chapitre 3 : Etude de filtres micro-usins intgrables 150 GHz extrmement slectif (1.3%). Cette structure souffre de pertes dinsertion importantes. Il y a aussi une perte dnergie ce qui fait que S11 en dehors de la bande nest pas compltement rflchi. Cela est du au rayonnement des lignes daccs qui ne sont pas blindes et provoquent ces pertes. Nous allons essayer de baisser le niveau de pertes. Pour cela, on va utiliser de nouveau la structure avec les accs sur le mme plan.
III.7.2. Accs sur membrane sur le mme plan

Pour cette structure on va simuler un filtre 5 ples avec les accs sur le mme plan.
III . 7. 2 .1 . C al cu l d e kij
lvolution du couplage inter-rsonateur en fonction de lcart entre chacun des rsonateurs est prsent figure 58.
figure 58. volution du couplage inter-rsonateur en fonction de la distance entre rsonateur
III . 7. 2 .2 . C al cu l d e Q ex t
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105 100 95
Qext
90 85 80 75 70 65 60 120 130 140 150 160 170 180
gap (m )
figure 59. volution du coefficient du couplage entre sortie en fonction du gap
Lvolution du Qext en fonction du gap est montre figure 59.

III . 7. 2 .3 . S imu l ation avec Momentu m
A partir des ces valeurs et en respectant le couplage Entre/Sortie, nous pouvons simuler le filtre complet. Le layout de ce filtre est prsent figure 60.
figure 60. structure du filtre 5 ples dimensions : 0.9 * 7.7 mm
La rponse obtenue grce une simulation avec Momentum est prsente figure 61. Cette courbe de simulation permet de retrouver le gabarit que lon stait fix, une frquence gale 150 GHz, une bande passante de lordre de 2 GHz. Les pertes dinsertion de ce filtre sont de lordre de 5 dB. La rjection du filtre est bonne, 148,5 GHz, la rjection est gale 30dB.
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0 -10 -20
Sij (dB)
-30 -40 -50 -60 -70 147
S12
S11
148
149
150
151
152
153
154
freq, GHz
figure 61. rponse du filtre 5 ples
III . 7. 2 .4 . Etu d e d es mod es p arasites d e l a cavit et au gmentation d e l isol ation frqu entiel l e
Les simulations prcdentes ont t effectues avec Momentum (mthode 2.5D) qui ne tient pas compte de la gomtrie incline des cavits de blindage. Nous avons donc tudi notre structure en 3D avec un calcul par lments finis. En travaillant sur cette structure, on a remarqu des modes parasites qui sinstallent. Ces modes dpendent surtout de la largeur globale. Une tude approfondie a t mene sur la structure sans les rsonateurs pour pouvoir discerner les pics parasites des autres pics correspondant aux rsonateurs et surtout diminuer considrablement le temps de calcul. Cette tude montre, pour des largeurs suprieures une certaine valeur w critique gale 900 m, lexistence de 2 pics de rsonances dans la plage 140-160GHz et qui sont trs proches de notre frquence de travail 150GHz. La figure 62 montre la demi structure en 3 D avec un plan de symtrie.
~ 150 ~
Plan de symtrie
figure 62. tude de la structure en 3D
La nature incline de notre processus de fabrication fait que la structure, principalement la largeur infrieure, ne permet pas dloigner les frquences parasites. En remarquant que la largeur des rsonateurs est gale 500m et quil faudra laisser une marge de 200 m de chaque ct cela nous fait une largeur de 900 m au niveau du circuit. Ce qui fera une largeur infrieure nettelment plus grande due la nature incline de la structure. En simulant sans rsonateur comme le montre la figure, on obtient deux pics de rsonances 142 GHz et 154 GHz, comme le montre la figure 63.
S21 (dB)
figure 63. Pics parasites
~ 151 ~

a . S tru ctu re incl ine
En simulant la structure de la figure 64, aprs inclusion des rsonateurs, on obtient aprs optimisation un filtre 5 ples avec le pic parasite 142 GHz. Lautre pic nest pas visible sans doute cause dun manque de prcision au niveau de linterpolation des points de frquences et du choix de la frquence dadaptation du maillage.
Sij (dB)
figure 65. Paramtres S du filtre
~ 152 ~
Chapitre 3 : Etude de filtres micro-usins intgrables 150 GHz Ce filtre prsente des pertes dinsertion de 5.4 dB une bande passante de 2 GHz et une adaptation de 15 dB (figure 65).
b. S tru ctu re mod ifie
Pour avoir une largeur minimale qui poussera les pics parasites loin de notre frquence de travail, nous proposons une gravure sche qui va micro-usiner le silicium en flancs droits. On va alors obtenir une largeur uniforme gale 900 m comme le montre la figure 66.
Flanc droit
figure 66. Structure modifie
S21 (dB)
figure 67. Paramtre S21
~ 153 ~
Chapitre 3 : Etude de filtres micro-usins intgrables 150 GHz La figure 67 montre le paramtre S21. On remarque alors que les pics parasites sont limins et quil ny a aucune transmission dans la plage allant de 138 GHz 162 GHz.
1. Calcul du Qext
Pour calculer le Qext, on simule un rsonateur excit par une ligne comme le montre la figure 68. Ensuite on extrait la phase de S11 et on dduit partir de f0 et f la valeur de Q ext correspondant la distance du couplage dentre comme le montre la figure 69. Nous rappelons que la valeur Qext que lon cherche est gale 100. Ce qui correspond une distance gale 167 m.
figure 68. Rsonateur excit par une ligne
110 105 100 95 90
Qext
85 80 75 70 65 60 120 130 140 150 160 170 180
gap (m)
figure 69. Relation entre Qext et gap
~ 154 ~
2. Calcul Kij
En dcouplant les rsonateurs, on calcule la relation entre Kij et les distances interrsonateurs. Afin de gagner du temps, nous allons nous servir de la relation dj tablie pour la structure incline pour dduire nos valeurs. Aprs optimisation des distances inter-rsonateurs et des gaps de couplage dentre sortie, nous pouvons commencer optimiser la structure totale. 3. Structure totale A partir des ces valeurs et en respectant le couplage Entre/Sortie, nous pouvons simuler le filtre complet comme le montre la figure 70. On a cinq rsonateurs demi onde, capacitivement coupls, simuls avec HFSS.
Sij (dB)
figure 71. Paramtres S du filtre 5 ple
~ 155 ~
Chapitre 3 : Etude de filtres micro-usins intgrables 150 GHz Ce filtre a 6 dB de pertes dinsertion, 2 GHz de bande passante et une trs bonne rjection comme le montre la figure 71. Ce filtre est trs bien isol et satisfait le gabarit au niveau de bande passante et de rjection. Reste encore rgler ladaptation. Par rapport la structure intgrable, qui avait 6.8 dB de pertes dinsertion, dans ce cas les accs sont blinds alors que dans lautre structure les accs sont dans lair. En revanche, une gravure sche est ncessaire.
III.8. Bilan des structures planaires optimises

Dans la partie prcdente de ce chapitre, nous avons conu des filtres planaires microusins avec des rsonateurs liniques demi-ondes. A 150 GHz, les accs standard sur silicium souffrent dnormes pertes dnergie. Notre premier objectif tait de trouver une solution pour ne pas exciter des modes suprieurs parasites qui vont empcher le fonctionnement des filtres. La solution qui a t adopte consiste micro-usiner le substrat au dessous des accs. Aprs une tude sur les pertes dans les accs, un filtre 2 ples a t conu pour vrifier le potentiel de cette technologie 150 GHz. Les mesures effectues ont montr des rponses similaires celles simules au niveau de la bande avec 4% de bande relative, de la frquence, de ladaptation, de la rjection hors bande et du facteur de qualit gale 230. La diffrence note se situe au niveau des pertes dinsertion qui sont nettement suprieures en mesure. Ce problme provient surtout du rayonnement et des tolrances de fabrication qui font augmenter nettement les pertes. En mme temps, deux topologies de filtres 5 ples taient en phase de conception pour pouvoir satisfaire le gabarit demand par le CNES et Astrium. Les deux filtres sont trs difficilement optimisables. Nanmoins, nous avons pu trouver des performances acceptables et trs proches de notre gabarit souhait avec des pertes dinsertion simules de lordre de 6 dB et une adaptation suprieure 10 dB.
~ 156 ~
IV. Structure priodiques avec patchs mtalliques
IV.1. Prsentation-contexte
Nous cherchons maintenant concevoir une structure avec un facteur de qualit plus lev. Pour cela nous souhaitons exploiter le potentiel des structures priodiques mtalliques hautes frquences en essayant de rduire le poids et lencombrement. La topologie du filtre envisage est de type guide donde dair o le silicium est micro-usin par une solution de TMAH. Les applications dans le domaine sub-millimtrique concernent surtout les radars, la radiomtrie et lobservation de la terre. Les structures priodiques prsentent des proprits disolation importantes et un fort facteur de qualit Q0. La mthode consiste optimiser une transition coplanaire guide donde sur une large bande. Ensuite, des patchs mtalliques priodiques sont dposs dans le guide sur une fine membrane BCB (BenzoCycloButne). Le vecteur d'onde k dcrivant la propagation d'une onde lectromagntique dans une structure priodique n'existera pas dans certains domaines de frquence appels bandes interdites lectromagntiques [12][13][14][15]. En enlevant un motif et en perturbant la priodicit, on cre un pic de rsonance et une transmission cette frquence.
IV.2. Fabrication
Cette structure consiste micro-usiner 3 wafers de Silicium avec une solution de TMAH pour former un guide avec des flancs inclins. Sur le wafer intermdiaire, on va dposer une fine membrane de BCB de 8 m. Sur cette membrane on dpose des motifs mtalliques priodiques par vaporation et lectrolyse. Les flans des 3 wafers sont mtalliss. La structure en vue en coupe est prsente figure 72 .
~ 157 ~
430 m 400 m 465 m

figure 72. Vue latrale de la structure priodique
IV.3. Etude des modes du guide
IV.3.1. Le guide
La frquence de coupure dun guide donde mtallique dpend de ses dimensions. La figure 73 montre le mode fondamental du guide qui dpend de a, la largeur du guide.
figure 73. Mode fondamental dun guide mtallique
On optimise un guide avec une frquence de coupure du mode fondamental 145 GHz. On ne voit pas de propagation dautres modes dans une bande de 30 GHz. Cela va influer sur lisolation du rsonateur et du filtre tudis par la suite. La frquence dpend de la plus grande dimension du guide quon choisit comme tant la hauteur h. Cette hauteur est constitue de
~ 158 ~
Chapitre 3 : Etude de filtres micro-usins intgrables 150 GHz lempilement des 3 substrats de Si. La frquence de rsonance sera fonction des dimensions du guide. La figure 75 montre la variation du champ E. Le champ varie suivant la hauteur h et est fixe suivant la largeur ce qui confirme que cest le mode fondamental.
figure 74. simulation de la propagation du guide.
figure 75. Champ E dans le guide
La gravure du Si (par TMAH) se fait en respectant un angle de 54.7 ce qui explique la forme pyramidale du guide obtenu. Le point dlicat de cette tape est de ne pas dposer du mtal sur la membrane ce qui aurait pour consquence de perturber le guide en son milieu et de bloquer la propagation des ondes lectromagntiques.
~ 159 ~
IV.4. La transition
Pour pouvoir tester et mesurer le circuit avec des pointes de mesure, une transition coplanaire guide dondes est utilise. Le but est de pouvoir adapter cette ligne au guide. Pour raliser cela, un patch microruban est plac dans le guide qui va tre excit sur son mode fondamental [16]. La figure 79 montre une simulation sans pertes des paramtres S de la transition ralise. Le logiciel utilis est HFSS. Lobjectif fix est que la transition soit efficace partir de 150 GHz. La simulation nous montre un coefficient de rflexion infrieur 10 dB de 150 175 GHz. Cela suffira pour raliser les fonctions de filtrage quon veut avec des bonnes performances.
figure 76. transition ligne coplanaire-guide donde
figure 77. zoom sur laccs optimiser
Les paramtres sur lesquels nous avons travaill pour optimiser cette transition sont montrs sur la figure 78 :
~ 160 ~
figure 78. paramtres doptimisation de la transition
Finalement les dimensions optimises sont telles que : L = 364 m a = 430 m b = 400 m I = 260 m
S12
S11
figure 79. Rsultats de simulation de transition large bande avec HFSS.
Cette transition est donc efficace dans lintervalle 148-175 GHz.
~ 161 ~
IV.5. Bande interdite lectromagntique
IV.5.1. Prsentation
A ccs
(a)
(b) figure 80. (a)Patchs priodiques (vue de dessus), (b) vue 3D du guide.
Pour raliser une bande interdite il suffit de prendre la transition optimise et dajouter dans le guide des patchs mtalliques priodiques. Le choix du pas priodique p, du nombre et des dimensions des motifs permettent de centrer la bande interdite en frquence et de loptimiser. Dans notre cas, le pas a t optimis pour une frquence centrale de la bande interdite autour de 150GHz. La figure 80 montre la structure ralisant la bande interdite. Pour avoir une bande interdite assez rjective, 7 motifs ont t ncessaires comme le montre la figure 80.a. La figure 80.b montre une vue 3D du guide excit par un patch et dans lequel les sept motifs mtalliques sont dposs.
IV.5.2. Etude paramtrique de la bande interdite

On explore les 3 paramtres essentiels ayant une influence sur la rponse de la bande interdite. Ces paramtres sont : le pas du rseau, la largeur des patchs mtalliques et le nombre de patchs.
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IV . 5 .2 . 1. Pas d u rseau p riod iqu e (p riod icit)
Le thorme de Bragg tablit une relation entre la frquence centrale de la bande interdite observe et le pas du rseau priodique qui doit valoir une demi longueur d'onde guide. Le choix de ce paramtre va donc permettre de rgler la position en frquence de la bande interdite, il doit donc tre tudi en premier lieu. Daprs la formule suivante : g =
c f . eff
On dduit g partir de f = 150 GHz. Ceci nous donne 3.7 mm. Donc un pas de rseau gal 1.85 mm. Cette valeur ne sapplique pas exactement en ralit puisque la structure est diffrente dune structure de Bragg usuelle. Pour cela on a recours une tude paramtrique. En fixant le nombre des motifs et la largeur de ces motifs on fait varier seulement le pas du rseau et on obtient la valeur optimale du pas de rseau qui est gale 1960 m. De nombreuses tudes [17][18] ont mis en vidence que le rapport 2 entre le pas de rseau et la longueur du motif est le meilleur. La figure 81 montre la comparaison entre plusieurs valeurs de pas de rseau en terme de paramtre de transmission.
figure 81. variation du pas de rseau
IV . 5 .2 . 2. Nombre d e motifs et d imensions d e ces motifs
Ces deux paramtres vont influer principalement sur la longueur, la largeur, la profondeur et la pente de la bande interdite ainsi que sur l'ondulation dans la bande passante.
~ 163 ~

a . Nombre d e motifs l mentaires
Pour avoir une rjection assez forte, il faut augmenter le nombre de motifs ceci au dtriment des dimensions totales de la structure. En faisant un compromis et aprs tude paramtrique (figure 82), un nombre de motifs gal 7 est retenu.
figure 82. comparaison de la bande interdite pour diffrents nombres de motifs n b. Dimensions d es motifs
Dans cette tude, nous avons explor l'effet de l'volution des dimensions des motifs mtalliques sur les caractristiques de la bande interdite. Nous avons donc fix le nombre de motifs gal 7 et le pas de rseau sa valeur optimise. Reste optimiser la largeur du motif. Celle-ci influe sur la largeur de la bande interdite et la rjection. Aprs tude, on obtient la largeur w gale 350m comme valeur optimise en prenant en compte que la variation de ce paramtre dcale fortement la frquence centrale et influe sur lisolation. La figure 83 montre une comparaison entre trois largeurs des motifs : 250, 350 et 450 m. Ce paramtrage a t fait avec un maillage moins lourd que le maillage utilis pour extraire la courbe exacte de la bande interdite qui montre pour 350 m une isolation jusqu 161 GHz.
~ 164 ~
figure 83. optimisation de la largeur des motifs
IV.5.3. Structure globale

Aprs optimisation des paramtres, La bande interdite est cre. Cette bande interdite doit tre suffisamment large en frquence et profonde en rjection pour laisser au filtre concevoir une potentialit de rjection et d'isolation en frquence importante.
S11
S12
figure 84. Bande interdite.
La figure 84 montre la bande interdite simule partir de ces patchs en tenant compte de toutes les tudes paramtriques prcdentes. On remarque que la transmission est interdite entre 145 GHz et 160 GHz alors que le guide seul transmet lnergie dans cette bande de frquences.
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IV.6. Rsonateur fort facteur de qualit 150 GHz

Une des applications de ces structures priodiques est le filtrage hyperfrquence. Pour raliser une rsonance dans cette bande interdite, il faut perturber la priodicit en enlevant un lment comme le montre la 0. Cela va nous permettre de dfinir une zone propagative encadre par deux zones vanescentes. Un pic de rsonance apparatra alors au milieu de la bande interdite. Les caractristiques des parties vanescentes vont fixer le degr dexcitation du rsonateur. Plus la rjection des zones vanescentes est importante, moins le rsonateur va tre excit. La structure volumique va nous permettre dobtenir un grand facteur de qualit. Le dcouplage du rsonateur est ralis en diminuant la longueur du patch qui excite le mode fondamental du guide comme le montre la figure 86. En dcouplant le rsonateur un facteur de qualit Q0 de 850 a t obtenu (figure 87). On remarque que laugmentation du nombre de motifs mtalliques priodiques amliorent la rjection mais cela augmente aussi les pertes dinsertion. On devra faire un compromis entre les deux. Laugmentation de la largeur des motifs amliore aussi la rjection.
figure 85. Perturbation de la priodicit des patchs.
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figure 86. Accs dcoupl pour calculer le facteur de qualit
figure 87. Transmission simule du rsonateur dcoupl.
IV.7. Filtre 2 ples

En partant du rsonateur on perturbe deux fois la priodicit en crant deux zones propagatives, spares par une partie vanescente compose de trois motifs mtalliques, o le champ est concentr comme le montre la 0.
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La longueur des deux patchs ct de lentre et de la sortie dtermine le couplage entre sortie. Pour rgler le coefficient de couplage inter-rsonateur, on joue sur le nombre de patchs entre les cavits et leurs dimensions. Pour rgler le Qext, on joue sur les zones vanescentes et leurs dimensions. Pour coupler le filtre, on utilise juste un seul motif avant la partie propagative.
S11
S12
Figure 74. Rsultat de simulation du filtre.

La figure 74 montre la simulation dun filtre 2 ples bande trs troite (0.5%) ralise avec HFSS, prsentant 3.8 dB de pertes dinsertion 152.5 GHz et une isolation frquentielle de 8 GHz.
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IV.8. fabrication
La structure est actuellement en cours de fabrication en ce moment. Plusieurs masques sont requis pour la ralisation de cette structure. En premier lieu, le dpt de membrane BCB est ralis sur le substrat en silicium et un autre dpt de chrome sur la face infrieure est effectu pour dfinir le masque de gravure. Ensuite le dpt et la lithographie des patchs mtalliques priodiques sont faits. Ltape suivante est la gravure du substrat sous le circuit. La cavit forme doit avoir les flancs mtalliss ce qui est le point le plus dlicat de cette ralisation. Trois cavits graves sont ensuite assembles pour former le guide micro-usin.
V. Conclusion
Dans ce chapitre, nous avons montr les diffrentes technologies utilises dans le domaine submillimtrique en citant brivement leurs avantages et inconvnients. Des exemples de la littrature, des filtres raliss en utilisant ces diffrentes technologies, ont t dcrits. Ensuite la structure planaire micro-usine, que nous avons choisie pour concevoir nos circuits, est dtaille avec une tude du facteur de qualit vide incluant les pertes associes cette structure et les paramtres amliorant le facteur de qualit. Les problmes et limitations de la technologie du micro-usinage sont abords avec une tude du botier et de ses dimensions. Une autre tude importante concerne le guide cr sous les accs coplanaires qui peut tre excit aux frquences submillimtriques. Pour ce dernier problme deux options sont proposes et tudies. La premire consiste mettre un plan de masse entre le substrat et la membrane dilectrique (des lignes de transmission ont t fabriques et mesures) et lautre, celle que nous avons adopte, consiste graver le substrat au-dessous des accs. Avec cette dernire solution, un rsonateur et un filtre 2 ples ont t fabriqus et mesurs avec 4.5 dB de pertes dinsertion et un facteur de qualit de 230. Laccord tait trs bon entre simulation et mesure. Plusieurs topologies de filtres 5 ples ont t tudies avec une adaptation suprieure 10 dB dans chaque cas et des pertes dinsertion qui varient entre 5 et 6 dB pour des fonctions de filtrage slectives (quelques % de bande relative).
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Chapitre 3 : Etude de filtres micro-usins intgrables 150 GHz Dans ce chapitre, nous avons galement montr la faisabilit des structures priodiques des frquences submillimtriques. Un rsonateur et un filtre ont t conus en utilisant des structures priodiques mtalliques. Un facteur vide de 800 a t calcul et un filtre avec des pertes dinsertion de 3.8 dB 152 GHz a t propos. Le Q0 obtenu cette frquence est trs lev. Ces rsultats peuvent tre gnraliss des filtres ayant plus de rsonateurs.
~ 170 ~

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~ 172 ~
~ 173 ~
~ 174 ~
Chapitre 4 : Rsonateur sub-millimtrique accordable en technologie MEMS
CHAPITRE 4
RESONATEUR SUB-MILLIMETRIQUE ACCORDABLE EN TECHNOLOGIE MEMS
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~ 176 ~
Rsonateur sub-millimtrique accordable en technologie MEMS
I. Introduction
Dans ce chapitre, nous allons dcrire lvolution des fonctions accordables en frquence partir de diffrentes techniques de ralisation et dexemples extraits de la littrature. Ensuite nous allons comparer ces techniques pour dterminer notre choix de composants MEMS RF. Les proprits des diffrents types de composants MEMS (Micro-Electrical-Mechanical System) sont exposes avec leur principe de fonctionnement. Nous allons surtout nous arrter sur les microcommutateurs et les capacits variables ou varactors qui sont utiliss pour raliser des fonctions accordables. Nous nous limiterons aux applications ddies llectronique. Nous allons ensuite aborder les principes dactionnement des MEMS en accordant une attention particulire lactionnement lectrostatique. Les techniques de fabrication de ces circuits sont dcrites en incluant les diffrentes mthodes de dpts et de lithographies mais galement les matriaux les plus utiliss. Dans la suite du chapitre nous prsentons notre travail qui consiste optimiser une cavit rsonante une frquence de 150 GHz. Dans cette cavit seront intgres des capacits variables MEMS qui vont servir la ralisation des fonctions accordables discrtes. La simulation et la mesure des tats est montre avec les valeurs des pertes, du facteur de qualit et du dcalage frquentiel.
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II. Principe et intrt des structures accordables

La volont de multiplication et de perfectionnement des fonctions microondes a abouti ces dernires annes au dveloppement des composants accordables. Ces dispositifs accordables ont permis lintgration de certaines fonctions (filtres, dphaseurs, antennes balayage) et la compensation des dispersions technologiques. Cette compensation se fait en remplaant des composants frquence fixe par dautres accordables en frquence. A ct de tout cela, laccordabilit a un effet sur linstrumentation. En fait les composants accordables ont permis de dvelopper une mthode de caractrisation en bruit de dispositifs intgrs [1]. Cest surtout suite lvolution rapide des tlcommunications que laccordabilit est devenue une ncessit. Laccordabilit va permettre la diminution du nombre de fonctions et laugmentation du dbit sans influer les performances globales. Pour concevoir des dispositifs multibandes multiprotocoles il y a une ncessit davoir des fonctions accordables. Laccordabilit va permettre de rduire lencombrement et le cot des systmes de tlcommunication. Quelle que soit la mthode de conception, pour raliser des fonctions accordables, il est impratif dutiliser des composants variables. Plusieurs technologies existent. Les composants semi-conducteurs (varactor et transistor) sont les plus rpandus pour des raisons historiques et conomiques. Des composants en technologie MEMS ou des composants ferrolectriques ou magntiques font lobjet de recherches pour tenter de remplacer les semi-conducteurs. Dans la partie suivante, nous dcrivons les diffrents types de structures accordables et les technologies utilises.
~ 178 ~
III. Les technologies envisageables pour la ralisation de dispositifs accordables
III.1. Semiconducteurs
III.1.1. Les interrupteurs et les varactors

Les semi conducteurs ont t utiliss pour fabriquer une large gamme de composants et rpondre en particulier aux fonctions de commutation et daccordabilit. Les diodes PIN et les transistors FET sont utiliss pour raliser des interrupteurs avec un temps de commutation rapide qui varie entre 1 et 100 ns et une rsistance srie qui varie entre 0.1 ohms et quelques ohms. Ils sont aussi caractriss par leur faibles poids et encombrement. Nanmoins les pertes dinsertion surtout pour des frquences micro-ondes et les non linarits limitent la possibilit de les intgrer dans des circuits agiles. La diode est passante quand on lui applique une tension positive et se comporte comme un circuit ouvert en prsence dune tension ngative. Pour les transistors FET, la valeur de la tension de grille assure la commutation. Un exemple de commutateur JFET est montr figure 1. Dans ce genre de commutateur, une impulsion ngative produit une impulsion positive la sortie. Lorsque Vgs la tension de la grille est nulle la tension Vout est galement nulle. Quand Vgs est gale Vin alors la tension Vout = VDD et ID est galement nul [2].
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figure 1. Commutateur JFET
Nous pouvons concevoir, avec la technologie des semi-conducteurs des capacits variables suivant la polarisation [3][4]. Pour cela nous pouvons utiliser par exemple une diode schottky polarise en inverse. Pour une faible valeur de polarisation nous pouvons obtenir des capacits avec des valeurs leves. Le facteur de qualit des circuits est par contre rduit fortement cause de la forte rsistance srie. Ce problme peut tre rsolu en utilisant une rsistance ngative cette fois au dtriment de la linarit et du facteur de bruit. Les caractristiques principales sont, comme pour les interrupteurs, le temps de raction, la rsistance srie, le ratio entre les valeurs maximale et minimale de la capacit, et l'inductance parasite due la topologie. Les ordres de grandeur des deux premires caractristiques sont quivalents ceux des interrupteurs. Le rapport entre le maximum et le minimum de la capacit est de l'ordre de 5 10. La figure 2 propose un exemple de varicap [5] :
figure 2. diode varicap
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Chapitre 4 : Rsonateur sub-millimtrique accordable en technologie MEMS Les inconvnients et les limitations de cette technologie ont pouss les chercheurs vers dautres solutions prometteuses comme par exemple les MEMS. Une comparaison entre les performances des commutateurs MEMS et les semiconducteurs [6][7] montre que les commutateurs MEMS ont des performances meilleures au niveau des pertes dinsertion et de lisolation surtout au fur et mesure quon monte en frquence. Ils ont aussi une forte linarit et une faible consommation de puissance. Mais de lautre ct le temps dactivation des commutateurs base de semi-conducteurs est nettement meilleur que pour ceux base de MEMS. Les tensions dactivation des MEMS sont suprieures celles des semi-conducteur ce qui est problmatique pour certaines applications. Il y a aussi les problmes des MEMS lis au packaging et la fiabilit. Un tableau rcapitulatif des performances des MEMS des transistors fet et des diodes pin est montr sur le tableau n.1 : MEMS RF Courant Isolation Pertes dinsertion Tenue en puissance (W) Consommation de puissance Tension dactionnement Temps de commutation Capacit srie (tat haut) Rsistance srie tat bas (contact ohmique) Rapport de capacit tat bas (contact capacitif) Frquence de coupure (contact ohmique) 0 Trs forte 0.05-2 dB <10 Pin 3-20 mA Moyenne 0.3-1.2dB <10 FET 0 faible 0.4-2.5dB <10
0.05-0.1 mW 5-100 mW 0.05-0.1 mW 20-80V 50-1000 ns 1-10fF 0.5-2 40-500 20-80THz 3-5V 1-100ns 40-80fF 2-4 10 1-4 THz 0.5-2 THz 3-5V 1-100ns 70-140fF 4-6
Tableau n.1 : comparaison des principales caractristiques des diffrents commutateurs
III.1.2. Les inductances variables

Les inductances accordables ne sont pas pour le moment utilises dans lindustrie, parce que diminuer la taille des inductances est trs difficile, et qu'en raliser une fonction accordable est aussi trs dlicat.
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III.1.3. Les limitations des composants semi-conducteurs

Comme nous L4avons vu lutilisation des semi-conducteurs prsente certains inconvnients comme les pertes, le bruit, les non linarits (les caractristiques de courant en fonction de la tension dans les jonctions semi-conductrices ne sont pas linaires.) et les limitations en puissance (conductivits thermiques insuffisantes pour supporter des fortes puissances)...Nanmoins ils supportent plus de puissance que les composants MEMS qui eux sont limits aux applications de faibles puissanceS.
III.2. La technologie MEMS
III.2.1. Point de vue gnral

Cette technologie est ne au dbut des annes 70. Les MEMS sont des micro systmes mcaniques dont certaines parties peuvent tre dplaces ou dformes. Lune des principales caractristiques que nous utiliseronS est quune dformation mcanique cre une modification des caractristiques lectriques. Pour raliser ces dispositifs MEMS, les chercheurs ont dvelopp des tapes technologiques innovantes et originales (utilisation dune couche sacrificielle pour les structures surleves et non accroches au substrat). Des techniques de gravure profonde, de gravure slective, de dpts de couches paisses ou minces sont galement ncessaires. L'actionnement des composants MEMS se fait, gnralement, par une force lectrostatique [7]. Mais on trouve aussi des MEMS actionns par une dformation thermique [9]. Certains MEMS sont aussi actionns grce une couche de matriaux pizolectriques [10]; une polarisation du matriau provoque une dformation du cristal. D'autres faons moins rpandues sont lactionnement par champ magntique et lactionnement par SMA [11](Shape Memory Alloys). La partie mobile du dispositif est conue avec une couche mince dformable par exemple avec une micro-poutre avec un ou deux ancrages.
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III.2.2. Les commutateurs et les varactors

Les commutateurs et les varactors sont des composants variables qui selon leurs diffrents tats peuvent changer les spcificits des circuits dans lesquels ils sont intgrs.
III . 2. 2 .1 . L es commu tateu rs
Un commutateur peut tre passant permettant au signal dtre transmis ou bloquant le signal. Il est compos dune poutre dformable mono-encastre ou bi-encastre et dune lectrode fixe (figure 3).
figure 3. (a) Poutre mono-encastre (cantilever) et (b) poutre bi-encastre (pont)
Les principaux facteurs qui dfinissent la performance des commutateurs sont les pertes dinsertion et lisolation. On peut trouver deux types de commutateurs : ils sont soit ohmiques soit capacitifs. Un contact ohmique est ralis si la poutre en tat bas cre une rsistance et un contact capacitif veut dire que le commutateur est une capacit dans les deux tats. Pour que la poutre vienne en contact avec llectrode fixe, il faut lui appliquer une force dactionnement. Un paramtre important caractrisant un commutateur est la dure de passage de ltat bloqu ltat passant. Il sagit du temps de commutation. Nous allons dcrire les deux types de contact existant :
b. C ontact oh miqu e [ 13]
Un commutateur ohmique est caractris par un contact mtal-mtal qui se ralise grce une force dactionnement. Il est reprsent par une rsistance Ron ltat ferm et par une capacit Coff ltat ouvert. Un exemple de contact ohmique est montr figure 4 :
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figure 4. commutateur contact ohmique
Le contact ohmique se dtriore aprs plusieurs cycles de commutations ce qui rduit les performances. Cela est du une augmentation de la rsistance et un change de matire entre les deux lectrodes. Il y aura alors une usure non uniforme des contacts. Un autre phnomne de dfaillance est du au possible collage des deux contacts du un fort chauffement de la zone de contact. Les contacts ohmiques sont surtout utilis en srie. La frquence de coupure de ce composant est extraite de la formule suivante :
fc =
equ.1
1 2 RonCoff
Cette frquence de coupure est souvent spcifie avec la figure de mrite. Elle reprsente la frquence o le rapport entre limpdance ltat off et limpdance ltat on devient unitaire. Elle dfinit thoriquement alors la limite suprieure de fonctionnement du commutateur contact ohmique, mme si elle nglige les effets de linductance qui deviennent significatifs hautes frquences.
c. C ontact cap acitif [ 14]
Ce contact est reprsent par deux capacits Con et Coff. Le contact dans ce cas est de type mtal-isolant. La taille de la zone de contact dans ce cas est plus grande que dans le cas du contact ohmique pour atteindre une impdance assez faible lors de ltat bas. Un exemple de contact capacitif est montr figure 5 :
~ 184 ~
figure 5. commutateur contact capacitif
Le rapport Coff/Con caractrise ce type de contact. Un bon rapport Coff/Con est en gnral de lordre de 10. Nous pouvons extraire la valeur de Con de la formule suivante :
equ.2
Con= Cdiel 1+ r td
o est la rugosit, r est la permittivit relative, td lpaisseur du dilectrique et Cdiel est la capacit sans tenir compte de la rugosit. Contrairement au contact ohmique les contacts capacitifs en parallle sont favoriss. La dtrioration de ce type de contact pourra venir du choix de lisolant (et de son paisseur) qui doit tre capable de supporter de trs fortes tensions dactivation.
III . 2. 2 .2 . C ap acits variabl es [ 15]
La varactor ou la capacit variable a le mme principe de fonctionnement que le commutateur. La diffrence vient du fait quavec les varactors nous pouvons raliser des fonctions daccordabilit continues alors quavec le commutateur laccordabilit est discrte. Les applications de ce composant sont multiples : les oscillateurs contrls en tension, les rseaux accordables dadaptation en impdance, les filtres accordables, les dphaseurs, les duplexeurs et les lignes retard. Les avantages de ces composants sont surtout leur faibles pertes, le facteur Q lev aux frquences millimtriques, leur packaging compact, leur faible consommation de puissance et leur IIP3 lev. Nous allons tudier quelques paramtres importants de ce composant.
~ 185 ~

a . TR (p l age d accord abil it)
Le TR ou variation de la capacit est un facteur important des capacits variables MEMS. Il est dfini comme :
equ.3
TR =
C max C min C min
Ce facteur dpend du gap entre les lectrodes, de la surface, du dilectrique et du type dactionnement.
b. Facteu r d e qu al it
Nous pouvons reprsenter une capacit par un circuit srie ou parallle comme le montre la figure 6.
figure 6. circuit quivalent une capacit
Dans chacun de ces deux cas, le facteur de qualit est dfini par les formules suivantes : Circuit srie : Q =
wLs 1 = Rs wCRs
Circuit parallle : Q =
Rp = wCRp wLs
Il faut diminuer au maximum les rsistances si nous voulons un facteur de qualit lev. Pour atteindre notre objectif de bons mtaux conducteurs sont ncessaires. Plus lpaisseur du
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Chapitre 4 : Rsonateur sub-millimtrique accordable en technologie MEMS mtal sera grande et la longueur des lignes de connexions courtes et plus le facteur de qualit sera lev.
c. Frqu ence d e sel f rsonance l ectriqu e FS R
Une capacit et une inductance sont souvent associes et peuvent crer un phnomne de self-rsonance. La frquence FSR est donne par la formule : fFSR = 1 2 LsC
Au del de cette frquence la capacit se comporte comme une inductance. En consquence il est important de diminuer linductance gnre par les lignes daccs afin daugmenter fFSR.
III.2.3. Les inductances variables [16]

Comme pour les semi-conducteurs, les inductances sont difficiles intgrer. Deux mthodes sont gnralement utilises pour rendre les inductances accordables. Une mthode consiste commuter certaines parties de linductance et faire ainsi varier le nombre de spires et par consquent la valeur de linductance. Une autre mthode est de dplacer les spires les unes par rapport aux autres pour varier le couplage lectromagntique entre elles.
III.3. Les matriaux permittivit variable

En contrlant la permittivit nous agissons sur londe lectromagntique. Dans cette partie, nous tudions les effets ferrolectriques et pizolectriques qui agissent sur les matriaux pour faire varier leur permittivit.
III.3.1. Les matriaux ferrolectriques

Les matriaux ferrolectriques connus depuis 350 ans ont une constante dilectrique leve avec une variation non linaire avec une tension continue. Leffet ferrolectrique est non existant au-del de la temprature de curie Tcurie. Dans ce cas le matriau est en tat paralectrique o la permittivit diminue suivant le champ appliqu. En consquence, la capacit, qui est proportionnelle la permittivit relative du dilectrique, varie aussi (suivant
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Chapitre 4 : Rsonateur sub-millimtrique accordable en technologie MEMS la tension de polarisation) crant ainsi la possibilit daccorder les circuits. Dans larticle [17], un filtre 4 ples quasi-elliptique a t ralis en utilisant des capacits ferrolectriques BST (Barium strontium titanate). La frquence centrale de ce filtre est 8.35 GHz avec une accordabilit de 500 MHz pour une tension de 30V. En appliquant une tension entre les lectrodes la capacit BST diminue et provoque le dcalage frquentiel.
figure 7. influence de la tension sur la rponse
III.3.2. Les matriaux pizolectriques

Ces matriaux ont le mme principe que les ferrolectriques. Un champ dforme les cristaux ce qui cre une polarisation et en consquence une variation de la permittivit et par l mme la possibilit de fonctions accordables [18]. Les dformations possibles sont schmatises sur la figure 8 :
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figure 8. dformation des cristaux
III.4. Matriaux magntiques
La variation de la permabilit magntique a un effet similaire la variation de la permittivit. Une polarisation permanente qui varie suivant le champ magntique externe peut raliser des fonctions accordables [19].
III.5. Bilan
Daprs la bibliographie collecte sur le sujet, nous allons montrer dans ce bilan les avantages et inconvnients de chaque technologie. La technologie semiconductrice est la plus dveloppe pour raliser des dispositifs accordables RF de part lvolution de toute la technologie de l'lectronique numrique et en vue d'une co-intgration des parties RF et numriques. Mais ces composants non-linaires, provoquent des intermodulations en forts signaux. Ils sont aussi limits en puissance et souffrent de fortes pertes lies au substrat. Enfin, les jonctions semiconductrices sont des sources de bruits. Pour palier ces dfauts, de nouvelles technologies sont en cours de dveloppement. L'alternative la plus proche de la production de masse est la technologie MEMS. Les moyens technologiques mis en jeu permettent de raliser des composants moins sujets aux pertes. En vue globale, Il est vident que les commutateurs MEMS, avec leur trs faible capacit de l'tat haut (commutateurs de la srie) et de leur bon ratio de capacit
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Chapitre 4 : Rsonateur sub-millimtrique accordable en technologie MEMS (commutateurs de contact de capacit), offrent un rendement bien suprieur par rapport aux commutateurs semi-conducteurs pour les applications de faible moyenne puissance. L'une des limitations principales de la technologie MEMS est la mise en botier. En effet, la technologie MEMS est relativement sensible l'environnement extrieur, entre autres aux poussires et lhumidit, ce qui ncessite une encapsulation hermtique de petites dimensions, qui ne doit pas pour autant dgrader les performances RF. Les interrupteurs MEMS souffrent actuellement encore de quelques problmes de fiabilit, ou de dure de vie. De manire gnrale, les MEMS sont, de par leur principe de fonctionnement, des composants dont la variation est moins rapide; le temps de commutation est en gnral de lordre de quelques centaines nanosecondes quelques s. Les composants MEMS, essentiellement reprsents par les interrupteurs ohmique et capacitif, et, dans une moindre mesure, par les capacits variables, permettent la conception de dispositifs RF passifs, moyennes puissances, trs faible bruit, haute frquence (suprieure 100 GHz), et faibles pertes. L'utilisation des interrupteurs ohmiques en srie et des capacits variables en parallle est souvent prconise pour minimiser les effets parasites et augmenter leur efficacit. Les matriaux ferrolectriques ont de bons facteurs de qualit avec une bonne tenue en puissance et une forte linarit mais ils ncessitent dimportantes tensions. Par contre les pizolectriques ont une variation de permittivit limite mais les coefficients de qualit obtenus sont trs levs [20]. Leur utilisation va introduire des tapes technologiques additionnelles dans la conception des circuits intgrs. Les matriaux magntiques offrent des possibilits de ralisation de fonctions accordables indites, comme des isolateurs, des circulateurs et des oscillateurs larges bandes. Par contre, lintgration de la commande magntique la technologie CMOS est trs difficile. Ainsi, se conclut cette tude sur les diffrents composants accordables radiofrquences. Dans la suite, la technologie MEMS est utilise en se basant sur nos besoins, les comptences et les moyens du laboratoire.
~ 190 ~
IV. Principe dactionnement du MEMS
IV.1. Actionnement lectrostatique [20]

Dans cette partie, nous allons dcrire le principe et les avantages de lactionnement lectrostatique.
IV.1.1. La force lectrostatique

Toute charge lectrique cre autour delle un champ lectrique. Tout champ lectrique exerce une force sur une particule charge. Ce principe, largement connu depuis l'poque de Maxwell, n'a pas t tellement utilis au cours des dernires dcennies, mais les MEMS ont trouv un grand intrt dans l'utilisation des actionneurs lectrostatiques: Le principal problme de l'effet lectrostatique est qu'il diminue avec le carr de la distance entre les deux corps chargs. une chelle microscopique, c'est un avantage norme, car la plupart des structures ont une trs faible rapport d'aspect (largeur et longueur sont grandes, devant l'paisseur et le gap dans la direction verticale), donc la distance entre les corps est vraiment trs petite. La force lectrostatique est la force la plus largement utilise dans la conception des MEMS. Dans l'industrie, elle est utilise pour les micro-rsonateurs, les interrupteurs, les micro-miroirs Presque tous les types de micro-actionneur ont une ou plusieurs versions dactionnement lectrostatique.
IV.1.2. Les avantages et les inconvnients

La force lectrostatique dpend largement de la surface et de la distance entre les lectrodes. Ainsi, si nous sommes dans le cas o la surface est trs grande devant la distance, lactionnement lectrostatique prsente un avantage. Par contre, comme lquation de la force donne une dpendance au carr de la distance cela signifie que plus la distance est leve plus la tension dactionnement est grande. Ceci est le principal inconvnient car les tensions dactionnement peuvent facilement atteindre des dizaines voire des centaines de volts. Ceci peut savrer tre un inconvnient si on travaille avec un circuit intgr compact.
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Chapitre 4 : Rsonateur sub-millimtrique accordable en technologie MEMS Un point intressant est le fait que le circuit est capacitif ce qui signifie que la consommation lectrique est trs faible quelle que soit la tension. Trs peu de courant est ncessaire pour charger la capacit forme par les lectrodes. Une autre donne prise en considration est le comportement dhystrsis de lactionneur qui peut tre un avantage ou un inconvnient selon lapplication. Cela rduit la sensibilit au bruit des appareils lectriques mais signifie galement une plus grande variation de tension pour un cycle dactionnement complet.
IV.1.3. Principe
figure 9. Schma des deux lectrodes avec les forces agissant sur llectrode variable
Pour dplacer llectrode mobile, une force lectrostatique Fe intervient. A lorigine de cette force il y a une diffrence de potentiel entre les deux lectrodes qui cre un champ lectrique. Une force de rappel Fr, due la rigidit des matriaux, va sopposer la force lectrostatique Fe. Il existe une autre force qui soppose Fe qui est la force de contact Fc. A lquilibre, la somme des trois forces est nulle. La force de rappel Fr est calcule, en approximant llectrode mobile un ressort avec une constante de raideur k, partir de la formule suivante :
~ 192 ~

equ.4
Fr = k z
La force lectrostatique est lie la tension applique, aux dimensions et espacements des lectrodes et la nature du dilectrique. Elle est donne par la formule suivante : 1 S Fe = V 2 2 2 d
equ.5
avec V la tension applique, d la distance entre les deux lectrodes, la permittivit du milieu et S la surface de contact. Une instabilit existe dans ce type dactionnement puisque la force lectrostatique augmente beaucoup plus rapidement que la force de rappel entranant finalement la chute brusque de la micro-poutre sur le substrat. La tension seuil est la tension partir de laquelle llectrode mobile seffondre brusquement sur lautre lectrode. Pour calculer cette tension, nous cherchons tout dabord la relation entre la tension et la distance sparant les deux lectrodes. Nous considrons d0 comme la distance initiale et d la distance lors de lactionnement. En utilisant lquation de lquilibre des forces et en considrant Fc nulle nous obtenons la relation suivante : 1 2 S V 2 = k (d 0 d ) 2 d
equ.6
avec d0 la distance initiale entre les deux lectrodes, d la distance entre les deux lectrodes, la permittivit du milieu et S la surface de contact. En dessinant la courbe reliant d et V (figure 10), nous remarquons que la tension de seuil correspond une hauteur de la poutre de 2/3d0 et donc une distance parcourue de 1/3d0. La tension seuil Vs est donc donne par la relation suivante :
~ 193 ~
equ.7
Vs =
8k d 03 27 S
figure 10. relation entre la distance entre les deux lectrodes et la tension applique
IV.2. Actionnement thermique [22]

La loi de Joule dit qu'un matriau travers par un courant lectrique permet de rcuprer une nergie. La chaleur vient de la vibration des atomes et des lectrons qui constitue la matire. Considrons maintenant que tous les atomes vibrent fortement. Ils auront tendance se repousser pour obtenir autant de place que leur amplitude de vibration est grande. Cela signifie que la taille de llment va augmenter. Ce phnomne est l'expansion thermique. La plupart du temps, l'expansion thermique est assez faible dans les tats solides. Les polymres ont des coefficients de dilatation thermique parmi les plus levs, les mtaux viennent ensuite, et les cramiques sont les matriaux les moins expansifs. Il y a deux faons d'amplifier le dplacement du la dilatation thermique pour le rendre plus utile par rapport la taille de l'appareil, et ainsi, fabriquer un actionneur thermique efficace. La premire est purement gomtrique. La seconde implique une fabrication plus complique en associant plusieurs couches de matriaux diffrents.
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Chapitre 4 : Rsonateur sub-millimtrique accordable en technologie MEMS Pour la premire mthode, si un courant circulant travers une structure passe par diffrents niveaux de rsistivit, lchauffement calcul sera plus lev l o la rsistance est plus leve. Ainsi, concevoir une structure avec des largeurs diffrentes entraine des dilatations diffrentes. L'un des actionneurs thermiques les plus connus dans le domaine des MEMS est le bras asymtrique montr figure 11.
figure 11. bras asymtrique
Le principe est trs simple: le courant circule travers trois parties rsistives mobiles. Si l'un des chemins d'accs est plus mince que l'autre, il va devenir plus chaud que les deux autres. Donc, son expansion sera plus leve. La partie la plus mince va crer une force mcanique poussant la structure dans le sens des autres parties. Il s'agit d'une amplification de la dilatation thermique, suffisante pour tre utilise pour la conception dun actionneur thermique. L'autre faon d'obtenir une telle amplification est lie aux proprits du matriau. L'expansion thermique est une proprit particulire chaque matriau. Donc, deux matriaux diffrents auront deux dilatations thermiques diffrentes. Si on chauffe une structure faite de deux matriaux diffrents, la diffrence de dilatation thermique va crer un actionneur avec un grand dplacement.
IV.3. Actionnement magntique [23]

Lactionnement magntique est bas sur les matriaux magntiques. La poutre ferromagntique va tre dforme sous laction dun champ magntique. Un exemple dactionneur magntique est montr figure 12. Un aimant polymre, magntis en direction de l'paisseur, est srigraphi sur lextrmit libre d'une poutre cantilever en cuivre. De l'autre
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Chapitre 4 : Rsonateur sub-millimtrique accordable en technologie MEMS ct du substrat, une bobine planaire carre, produit le gradient du champ magntique ncessaire l'actionnement de l'aimant. aimant
Cantilever (cuivre)
substrat
bobine
figure 12. actionneur magntique
Ce type dactionneur est peu utilis en raison de la complexit de sa fabrication et dutilisation et de la forte valeur de courant lectrique consomm (de 20 150 mA).
IV.4. Actionnement pizolectrique [24]

La pizolectricit est un phnomne propre certains types de cristaux ou de cramiques anisotropes. Le PZT est un matriau caractris par son fort coefficient pizolectrique. La pizolectricit apparat la surface de ces corps, quand on les soumet des pressions, des forces mcaniques (effet direct ). Rciproquement, l'application d'une tension lectrique sur ces matriaux donne lieu une modification des dimensions des cristaux (effet inverse ). Il y a l un moyen de transformer un signal lectrique (par exemple application dun champ lectrique une poutre) en dformation mcanique (donc dplacement suivant le signe de polarisation) et rciproquement. En polarisant inversement la tension la poutre revient son tat initial. Le PZT est un matriau utilis dans plusieurs exemples de la littrature [25][26][27] et caractris par son fort coefficient pizolectrique. Lactionnement PZT permet de faibles tensions de fonctionnement (0-5 V) et vite les effets de charges communs dans les conceptions lectrostatiques. Lorsqu'une tension est
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Chapitre 4 : Rsonateur sub-millimtrique accordable en technologie MEMS applique la couche de PZT, la couche de PZT se dilate et pousse l'lectrode du haut vers les lignes micro-ondes. La dformation dpend du type et de l'paisseur du matriau PZT, ainsi que de la constante de raideur de la membrane ou cantilever. Lactionnement PZT peut donner lieu de grandes forces de contact qui sont avantageuses pour les commutateurs DC de contact puissances moyennes. Toutefois, une paisse couche de matriau PZT (3-5 mm) est ncessaire pour aboutir 1-2 mN de forces de contact. Le principal avantage de l'actionnement PZT est que la force dpend de la polarit de la tension applique et peut rellement tre inverse. Lactionnement PZT provoque donc une force d'actionnement et une force de rappel, et cela peut aider attnuer les problmes de stiction dans les commutateurs capacitifs. De plus les commutateurs lectrostatiques ont besoin de plusieurs dizaines de volts de tensions qui ne sont pas compatibles avec les produits de communication portables. Afin de rduire la tension d'actionnement, la force pizolectrique en utilisant PZT peut tre utilise. Les PZT sont trs intressants puisque les matriaux en couches minces pizolectriques peuvent provoquer un stress et une dformation plus importants mme une basse tension. Un exemple dactionnement pizolectrique est montr figure 13
figure 13. Actionneur pizolectrique
Lactionnement pizolectrique PZT souffre des tempratures leves (600C) gnralement ncessaires pour raliser le dpt dun film pizolectrique convenable avec des dformations assez leves. Le nitrure d'aluminium (AlN) ou l'oxyde de zinc (ZnO) peuvent tre utiliss comme une substitution aux films PZT pour actionner des cantilevers. LAIN ou le ZnO offrent une meilleure compatibilit avec la technologie CMOS du point de vue fabrication, car elle peut tre dpose par pulvrisation cathodique basse temprature (200C pour Aln et 150C pour ZnO) [28][29].
~ 197 ~
IV.5. Actionnement par SMA (Shape Memory Alloys ou alliages mmoire de forme) [30]
Un alliage mmoire de forme ayant subi une dformation froid peut, aprs chauffage et au-dessus dune temprature seuil, revenir une forme de rfrence mmorise.
IV.6. Bilan
En rsum, nous allons choisir un mode dactionnement correspondant nos besoins. Pour lactionnement thermique le temps de commutation est plus grand que pour les autres modes. Lactionnement magntique souffre de fortes consommations de courant et lactionnement pizolectrique souffre dimportantes pertes dilectriques et ncessite des mthodes de fabrication pas toujours compatibles avec les mthodes classiques. Lactionnement lectrostatique prsente une tension dactionnement leve mais il est plus adapt notre projet et cest ce mode qui va tre utilis.
V. Rsonateur volumique accordable 150 GHz
V.1. Approche thorique et simulation

Le rsonateur volumique est compos dun substrat de silice fondue (r#3,78) sur lequel on vient dposer la mtallisation qui sert raliser les lignes dexcitation coplanaires et les capacits MEMS. Une demi-cavit mtallise en or, de hauteur 430 m est ensuite reporte laide dune colle poxy de forte conductivit. Un tunnel a galement t usin au-dessus des lignes dexcitation qui ont t dimensionnes de faon obtenir un sous-couplage de la cavit, facilitant ainsi la mesure du facteur de qualit vide. La frquence de rsonance du rsonateur initial (sans capacits commutes MEMS) est donne par lquation :
~ 198 ~

f0=
equ.8
1 2 Lres.Cres
avec Lres et Cres respectivement linductance et la capacit quivalente du rsonateur. Le rsonateur a pour dimensions (1900m*1500m*430m). Il est montr sur la figure 14. Ces dimensions ont t optimises avant lintgration des capacits variables pour obtenir une rsonance 150 GHz comme le montre la figure 15. Nous calculons le facteur de qualit vide de cette structure et nous obtenons 1190 avec le logiciel HFSS, 149.8 GHz. Les pertes mtalliques et dilectriques ont t prises en compte.
1500 m
figure 14. cavit reporte sur le substrat
~ 199 ~
1900 m
figure 15. Simulation de la cavit sans MEMS
V.2. Intgration des capacits commutes MEMS

Un circuit devient accordable en modifiant sa charge capacitive ou en changeant sa permittivit. Nous avons vu que la frquence de rsonance de la cavit est fonction de la capacit Cres. En faisant varier cette capacit, nous rendons le circuit agile en frquence. Nous avons tudi le concept technologique suivant: lintgration dune capacit commute MEMS de grande dimension [15] (340 m de long) dans un rsonateur volumique rectangulaire mode vanescent. Pour cela une demi-cavit est reporte sur un wafer o ont t intgres plusieurs varactors MEMS. Le principe consiste alors crer une capacit parasite localise lendroit o les lignes du champ E du mode considr (TE101) sont maximales afin de crer un dcalage frquentiel important. La figure 16 montre une vue de dessus de la structure avec les capacits MEMS ltat bas.
~ 200 ~
figure 16. vue de dessus de la structure avec lintgration des capacits MEMS dans la cavit
La frquence de rsonance est alors exprime de la manire suivante :
equ.9
f0=
1 2 Lres.(Cres + Cmems m + Cmems cg + Cmems cd )
avec Cmems-m : la capacit parasite forme entre le cantilever du milieu et la cavit Cmems-cg : la capacit parasite forme entre le cantilever latral gauche et la cavit Cmems-cd : la capacit parasite forme entre le cantilever latral droite et la cavit Il y a 8 cas possibles qui donneront certaines frquences identiques.
V.3. Optimisation des dimensions des MEMS
V.3.1. Influence sur le facteur de qualit

Linsertion de commutateurs MEMS va changer la valeur du facteur de qualit que nous avons calcul. Dans la suite nous montrons les paramtres qui font varier cette valeur et nous justifions nos choix pour les dimensions que nous considrons optimales.
~ 201 ~

V . 3. 1 .1 . Infl u ence d e l a l ongu eu r d es MEMS
Laugmentation de la longueur des mems cre un gap plus large ce qui augmente les pertes et diminue le facteur de qualit. La figure 17 montre les 3 MEMS. La figure 18 montre lvolution du Q0 en fonction de la longueur des MEMS.
gap
longueur
figure 17. Reprsentation des 3 mems
840 740 Q0 640 540 440 280 340 longueur en m 400
figure 18.
Relation entre la longueur des mems et Q0
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V . 3. 1 .2 . Infl u ence d es gap s crs p ar l es MEMS su r l e facteu r d e qu al it
En optimisant la valeur du gap qui existe entre les commutateurs MEMS et la masse autour, nous avons choisi la plus petite valeur possible facilement ralisable (15 m) vu que laugmentation des gaps diminue le facteur de qualit vide comme le montre la courbe de la figure 19. Par rapport au facteur de qualit calcul pour une cavit sans les MEMS, nous avons une chute du facteur de qualit de 280.
750 700 650 600 550 500 10 30 50 70 gap en m

figure 19.
Q0
Relation entre le gap des mems et Q0
V.3.2. Influence sur laccordabilit

Plus les dimensions des commutateurs MEMS augmentent plus nous aurons un dcalage frquentiel important. Par contre un compromis doit tre trouv entre le dcalage frquentiel souhait, la tension dactionnement ncessaire et les pertes qui augmenteront.
V.3.3. Influence sur la tension dactionnement

Les commutateurs MEMS que nous devons choisir doivent avoir des dimensions qui permettent dutiliser de faibles tensions dactivation. Plus la longueur des MEMS va augmenter plus nous allons avoir une tension grande et un dcalage important. La longueur des MEMS est choisie gale 340 m et la largeur gale 85 m pour garder une bonne constante de raideur et une tension raisonnable de lordre de 100 V.
~ 203 ~
V.4. Insertion des lectrodes dactionnement

Le rseau de polarisation des capacits commutes ne doit pas tre en contact avec la cavit puisque les varactors sont partie intgrante de la structure. Une astuce technologique consiste dposer une couche de dilectrique qui servira disolant entre le rsonateur et le rseau de polarisation. Le BCB a t choisi pour ses proprits lectroniques (faible tangente de pertes) et technologiques (planarisation lors dun dpt). La figure 20 montre le rseau de polarisation dun MEMS et la figure 21 montre le rseau de polarisation des 3 MEMS.
figure 20. Vue de cot (a) et vue de dessus (b) dun MEMS et de son rseau de polarisation
~ 204 ~
figure 21. rseau de polarisation des 3 MEMS
Les dimensions du plot dactionnement sont volontairement plus grandes que la surface du MEMS. En effet, lors dventuelles fuites du signal dans le plot dactionnement celui-ci doit pouvoir retourner dans la paroi de la cavit. Le surdimensionnement du plot dactionnement cre donc une forte capacit avec la paroi de la cavit permettant le retour des courants. Dautre part, lactionnement du MEMS se fait par lintermdiaire de deux capacits. La premire est comprise entre le MEMS et le plot dactionnement (Cactionnement). La deuxime se trouve entre les deux plaques mtalliques du plot de commande (Ccommande) comme le montre la figure 22 et la figure 23.
figure 22. actionnement des MEMS par lintermdiaire de deux capacits (Cactionnement et Ccommande)
figure 23. tension de commande
~ 205 ~

Vmems = Vactionnement Cactionnement 1+ Ccommande
equ.10
Au regard de cette formule, nous avons tout intrt augmenter au maximum Ccommande pour diminuer Vactionnement. Nous avons un pont de diviseur de tension dans ce cas avec Vcommande gale deux fois Vmems.
V.5. Simulation et mesure des diffrents tats

Les 3 commutateurs MEMS chacun 2 tats : ltat haut correspondant 0 (avant lactionnement) et ltat bas correspondant 1 (aprs actionnement). La numrotation se fait en commenant par le MEMS du milieu puis celui de gauche et finalement celui de droite. La simulation des rsonateurs avec les capacits variables intgres montre un facteur de qualit de 410 ltat haut, un facteur de 700 ltat bas. Pour les deux autres tats nous avons un facteur de qualit de 420 pour 011 et 485 pour 100. Daprs les simulations, le dcalage frquentiel maximal est de lordre de 12 GHz. La figure 25 montre les 8 tats simuls :
dB (S12)
figure 24. comparaison des 8 tats simuls
~ 206 ~
Chapitre 4 : Rsonateur sub-millimtrique accordable en technologie MEMS En regroupant les quatre principaux tats les plus distinctifs dans une mme courbe nous remarquons plus clairement le dcalage frquentiel ralis, correspondant aux 8 tats, comme le montrent la figure 26 et la figure 26:
(a)
(b)
(c)
(d)
figure 25. (a) MEMS ltat 000, (b) MEMS ltat 111, (c) MEMS ltat 011 , (d) MEMS ltat 100
000
011
100 111
dB (S12)
figure 26. comparaison entre les 4 tats simuls les plus signifiants
V.5.2. Simulation dune cavit couple

Une cavit couple a t simule comme le montre la figure 27. Un couplage magntique a t utilis pour coupler plus la cavit. Les pertes dinsertion simules sont de lordre de 2.8 dB.
~ 207 ~
figure 27. vue des deux couche mtalliques avec le couplage magntique des accs sans la cavit
La conductivit de lor est = 4.09 * 107 S/m. Pour le BCB nous avons pris pour nos simulations : r =2.31 ; tg = 2*10-3
dB (Sij)
figure 28. rsultat de la simulation de la cavit couple
~ 208 ~
Chapitre 4 : Rsonateur sub-millimtrique accordable en technologie MEMS Finalement un filtre accordable a t imagin partir de ce rsonateur comme le montre la figure 29. Deux cavits couples par un iris sont dposes sur le substrat mtallis.
figure 29. filtre 2 ples accordable quasi-planaire
VI. Fabrication
La premire tape consiste dposer sur le substrat une couche mtallique (Titane or Titane) correspondant la polarisation. Ensuite vient ltape de lithographie pour dessiner le rseau de polarisation. Lor et le titane sont gravs. Une fine couche de BCB (2 m) est dpose entre les deux lectrodes. Les deux couches sacrificielles pour crer le MEMS sont ensuite dposes la tournette avec 0.8m pour PMGI SF11 et 0.1 m de 1813. La seconde couche mtallique est ensuite dpose avec la gravure pour former les accs et les motifs des MEMS. La figure 30 montre les diffrentes tapes prcdentes :
~ 209 ~
figure 30. dpt de toutes les couches du circuit
Ltape suivante est celle de la libration des MEMS en enlevant les couches sacrificielles (figure 31).
figure 31. libration des MEMS
Les capots (en silicium basse rsistivit) formant les cavits sont micro-usins dans une solution de TMAH et sont ensuite mtalliss et colls au substrat.
VII. Conclusion
Dans ce chapitre, les diffrentes technologies utilises dans la littrature pour raliser des fonctions accordables ont t prsentes en sappuyant sur des exemples. Les composants MEMS et les diffrents types de commutation ont galement t dcrits.
~ 210 ~
Chapitre 4 : Rsonateur sub-millimtrique accordable en technologie MEMS Les types dactionnement de ces composants ont t prsents et en particulier celui que nous avons utilis qui est lactionnement lectrostatique. Les rsultats prsents dans ce chapitre sont encourageants. La technologie MEMS permet de raliser des filtres volumiques accordables et intgrables avec de bonnes performances. Nous avons tudi une configuration originale qui nous a permis de tester la faisabilit et la performance de la structure. Ces rsonateurs accordables ont t conus de manire rigoureuse en utilisant HFSS. Une cavit micro-usine en or a t reporte sur un wafer servant de mur mtallique et sur lequel ont t fabriques plusieurs capacits variables MEMS de 340 m de long. Lemplacement de ces varactors a t optimis de faon assurer une perturbation maximale des lignes de champs du mode fondamental du rsonateur afin dobtenir un dcalage frquentiel maximum. Les facteurs de qualit simuls sont compris entre 410 et 700 (selon ltat de la capacit variable) et le dcalage frquentiel simul est de 12 GHz, ce qui correspond un accord de 8%. Les perspectives seront damliorer le facteur de qualit et de raliser des filtres accordables.
~ 211 ~

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~ 213 ~

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Conclusion gnrale
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Conclusion gnrale
Conclusion gnrale
Les travaux prsents dans ce mmoire ont t consacrs la conception, puis la ralisation de filtres allant de 20 150 GHz. Pour rpondre aux besoins de nos tudes, plusieurs topologies de filtres micro-usins ont t ralises. Le premier chapitre a permis de dcrire le principe du filtrage et les mthodes de synthse des filtres. La fonction de filtrage est un lment essentiel dans un systme satellitaire. Les points forts et les points faibles de chaque technologie ont t prsents et nous avons choisi la solution technologique correspondant le mieux aux besoins de nos partenaires industriels. Le deuxime chapitre est ddi la ralisation dun filtre compact passe bande, bande troite 19.825 GHz. Cette tude a principalement port sur deux topologies de rsonateurs planaires, un rsonateur linique demi-onde et un rsonateur quart donde. Il ressort de cette analyse, que les deux types de rsonateur prsentent quasiment le mme facteur de qualit vide, par contre, au niveau des dimensions, le filtre quart donde permet une rduction significative de la taille du filtre. En revanche la structure devient trs sensible aux variations de dimensions et est donc trs difficilement ralisable. Les filtres conus avaient pour objectif une intgration dans un rcepteur de tlcommunication. Ltape suivante a donc consist faire subir aux filtres des tests de qualification spatiale. Une tude spcifique sur leffet du choc thermique sur le filtre a galement t propose. Le troisime chapitre de ce manuscrit a t consacr la conception, puis la ralisation de filtres dans le domaine submillimtrique.
~ 217 ~
Conclusion gnrale
Dans un premier temps, un filtre passe-bande deux ples utilisant deux rsonateurs demi-onde fonctionnant en bande W (150 GHz) a t conu et fabriqu. Les mesures du dispositif ont permis de valider la topologie du filtre.
Dans un deuxime temps, nous avons conu deux filtres cinq ples, toujours 150 GHz, utilisant la mme topologie de silicium micro-usin. Deux topologies qui diffrent aux niveaux des systmes dexcitation ont t proposes.
La dernire partie de ce chapitre a t consacre la conception de structures priodiques, bande interdite, insres dans un guide donde micro-usin. Une topologie de rsonateur et de filtre utilisant des patchs mtalliques a t dveloppe.
La technologie du micro-usinage a permis la conception de filtres rpondant aux problmes d'interconnexion, ainsi qu'aux contraintes de cot et d'encombrement, et se pose donc comme une concurrente de la technologie guide d'ondes. Enfin, le chapitre quatre dcrit les diffrents composants et matriaux utiliss pour raliser des structures accordables. Une attention particulire aux MEMS et leurs diffrents types dactionnement a t porte. Une cavit accordable, grce des capacits variables MEMS, a ainsi t conue 150 GHz.
~ 218 ~
Liste des titres et travaux
Revues internationales
Raghida Hajj, Matthieu Chatras, Pierre Blondy, Jerome Puech 2 Pole Micromachined Bandpass Filter at 150 GHz with 4% 3 dB-Bandwidth Accepte IEEE electronic letters.
Confrences europennes ou internationales
Raghida Hajj, Matthieu Chatras, Pierre Blondy, Olivier Vendier Micromachined filters for space applications European Frequency and Time Forum, EFTF 2008, Toulouse, France Raghida Hajj, Matthieu Chatras, Pierre Blondy, J.C. Orlhac, J. puech, C. Goldstein A 2 pole micromachined bandpass filter at 150 GHz IEEE, ICECS, International Conference on Electronics, Circuits and Systems, 2007, Marrakech, Morocco Raghida Hajj, Matthieu Chatras, Pierre Blondy, Wolfgang Tschanum, Olivier Vendier Micromachined filters for space applications 6th Round Table on Micro/Nano Technologies for Space, ESA, 2007 the Netherlands.
Raghida Hajj, Matthieu Chatras, Paul Ferrand, Dominique baillargeat, Pierre Blondy Periodic Band Gap Structure for Submillimetric Filtering International Workshop on Microwave Filters, 16-18 November 2009 Toulouse, France
Raghida Hajj , Matthieu Chatras , Pierre Blondy , and J. Puech Study of the Feeding System for a Submillimetric Micromachined Bandpass Filter International Workshop on Microwave Filters, 16-18 November 2009 Toulouse, France
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Confrences nationales
Raghida Hajj, Matthieu Chatras, Pierre Blondy Filtre

passe bande micro-usin 150 GHz avec 4% de bande relative
16mes Journes Nationales Microondes,JNM, Mai 2009, Grenoble, France. Raghida Hajj, Matthieu Chatras, Paul Ferrand, Dominique baillargeat, Pierre Blondy Rsonateur et filtre dans le domaine submillimtrique en structure priodique bande
interdite
16mes Journes Nationales Microondes,JNM, Mai 2009, Grenoble, France
Raghida Hajj, Matthieu Chatras, Pierre Blondy Solutions Planaires pour Filtrage Submillimtrique GDR OndesGT4,Novembre 2009, Paris, France
~ 220 ~
Annexe A
Annexe A
I. OXYDATION THERMIQUE
Une couche d'oxyde de Silicium (SiO2) est utilise comme masque pour venir attaquer ponctuellement le Silicium. Le motif est alors dessin par lithographie. Il existe deux mthodes pour obtenir cette couche, par voie sche ou humide.
Le dpt est obtenu par la croissance d'un oxyde de Silicium partir d'une raction d'oxydation du Si du wafer une temprature proche de 1000C.
Pour la voie sche, la raction est :
Si + O 2 SiO 2
Et pour la voie humide :
Si + 2H 2 O SiO 2 + 2H 2
Des couches d'oxyde de Silicium d'un micron peuvent alors tre ralises. Cette tape est ralise l'AIME Toulouse. Nos wafers ont alors un dpt pleine plaque sur les deux faces.
~ 221 ~
Annexe A
II. PRINCIPE DE LEVAPORATION
Les matriaux vaporer sont placs dans un creuset chauff au-del de la temprature d'vaporation du matriau. Ceci s'effectue dans une enceinte, sous un vide pouss (10-6 millibar). Le chauffage des creusets est effectu grce un fort courant lectrique (100 160 Ampre, selon le mtal). Les atomes ainsi arrachs vont alors se dposer sur la cible. La figure II.6 prsente cette technique.
Cible : wafer
Zone dvaporation mtal dposer
creuset chauff
pompage
Figure X : Principe du dpt par vaporation
A XLIM, nous disposons d'un tel quipement. Sauf indication particulire, tous nos dpts mtalliques ont donc t raliss par vaporation.
Il est relativement facile mettre en uvre, cependant, son rendement n'est pas trs bon cause de la large zone d'vaporation. On essaie donc de faire des dpts collectifs avec plusieurs wafers en mme temps.
~ 222 ~
Annexe A
III. LE DEPT ELECTROLYTIQUE
Ce dpt est ralis dans une cuve lectrolytique par transport d'ions Au+ vers la cathode. Le substrat recouvrir est alors fix sur cette lectrode. Une fine couche d'accrochage d'or est cependant indispensable. Elle a t ainsi pralablement dpose par vaporation. Ce dpt lectrochimique s'ajoute donc au premier dpt avec l'avantage d'tre peu coteux et d'avoir un trs bon rendement. Des paisseurs de plusieurs microns peuvent ainsi tre facilement ralises.
IV. PHOTOLITHOGRAPHIE
La lithographie est une technique qui permet de crer des motifs dans une couche de circuit. La lithographie consiste en l'exposition la lumire ultra-violette, travers un masque, d'une fine couche de rsine photosensible, tale la surface du wafer. C'est le masque qui, en servant d'cran aux rayons ultra-violet focaliss va permettre de slectionner les parties du substrat insoler. La figure II.1 prsente le comportement d'un masque vis vis de la lumire.
~ 223 ~
Annexe A Rayons UV
Zone transparente Zone opaque
Rsine photo-sensible
Figure II.1 : Filtrage spatial de la lumire par le masque
La lumire traverse uniquement les zones transparentes et est stoppe par les zones opaques. Elle viendra donc insoler ponctuellement la rsine photosensible.
Ces zones opaques sont gnralement obtenues avec des dpts de chrome ou des sels d'argent, impermables aux rayons ultra-violet mis par l'aligneur de masques. Le dpt de cette rsine photosensible s'effectue la tournette. L'paisseur dpose dpend alors de la vitesse de rotation de la tournette et de la viscosit de la rsine. La figure II.2 prsente l'volution de l'paisseur de rsine S18.18 [7] en fonction de la vitesse de rotation.
C'est cette rsine que nous avons couramment utilise durant nos fabrications.
~ 224 ~
Annexe A
3 paisseur rsine (m) 2,5 2 1,5 1 0,5 0 0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000 8000 vitesse rotation (tour/min)
Figure II.2 : Epaisseur de rsine en fonction de la vitesse de rotation
Il existe deux types de rsines photosensibles : les rsines positives et les rsines ngatives.
Pour des rsines positives, les rayons ultra-violets (UV) brisent les chanes carbones aux endroits exposs, permettant ainsi de dissoudre ces zones et de les liminer dans un dveloppeur.
Pour les rsines ngatives, les UV polymrisent la rsine aux endroits exposs, la rendant ainsi rsistante au dveloppeur. Les zones non exposes seront alors dissoutes. Les figures II.3 et II.4 prsentent les diffrentes tapes d'une lithographie pour une rsine positive et ngative.
Gravure et dveloppement rsine
Zone graver substrat
~ 225 ~
Annexe A
Figure II.3 : Motif avec une rsine positive
Gravure et dveloppement rsine
Zone graver substrat
Figure II.4 : Motif avec un rsine ngative
Remarque : la rsine 18.18 que nous avons utilise est une rsine positive.
V. GRAVURE
Le matriau est grav par des attaques chimiques en solution. Ce type de gravure a gnralement un caractre isotropique (sauf pour le silicium dans le TMAH ou de KOH).
La figure II.8 prsente une comparaison entre une gravure anisotropique par voie sche et une gravure isotropique par voie humide.
masque
Sous-gravure
Gravure sche
Gravure humide
Figure II.5 : Comparaison entre gravure sche et humide
On s'aperoit alors que les temps de dveloppement lors de la gravure humide doivent tre trs bien contrls pour viter les sous-gravures.
~ 226 ~
Annexe A
Pour une grande facilit de mise en uvre et pour de trs faibles cots de fonctionnement, nous avons utilis la gravure humide. Lors de notre fabrication, nous avons t conduits graver les matriaux prsents dans le tableau 1, en prcisant pour chacun la solution de gravure utilise.
Matria ux Sol. gravure

2
SiO
Si
Au
Cr 18.18
Rsine
HF KOH
TMAH
KI2 etch
Cr
Actone
Tableau 1 : Matriaux avec leurs agents de gravure
Bien videmment, les solutions de gravure doivent avoir de fortes slectivits envers les diffrents matriaux. Par exemple, lors de la gravure du Si, les couches d'Au, de Cr ou de SiO2 doivent rsister.
Parmi les diffrents types de gravures humides, nous allons prsenter en dtails, le micro-usinage volumique du Si.
VI. Micro-usinage volumique du Si (voie humide)

Le micro-usinage de substrat a pour but de supprimer le substrat dans des zones o se propageront les champs lectromagntiques. Le but est de remplacer un milieu o la propagation s'effectuera avec pertes (matriaux, r, tg) par un milieu sans pertes (air, r = 1, tg # 0). Afin d'expliquer plus en dtails cette technique, nous allons prsenter la gravure anisotropique du Silicium, lment cl de la ralisation de nos circuits et cavits.
~ 227 ~
Annexe A L'un des gros avantages de cette gravure chimique est qu'elle offre une bonne prcision, une vitesse de gravure correcte (# 1 m.min-1) et de trs faibles cots (compars la gravure sche par plasma). De plus, elle est trs simple mettre en uvre et ne requiert aucun matriel spcifique.
La gravure anisotropique du Si est donc une raction chimique entre une solution de gravure et le silicium. L'lment primordial est que la cintique de cette raction dpend de l'orientation cristallographique des surfaces en contact avec la solution.
La figure II.9 prsente en dtail une gravure anisotropique.
Bords de gravure {110}
Figure II.6 : Gravure anisotropique
Le substrat est orient (100) et le masque de gravure a t dessin dans la direction (110). Lors de la gravure le plan (111) n'est pas attaqu (du moins d'une manire ngligeable par rapport aux autres directions). Il sert alors d'arrt naturel lors de la gravure. On obtient ainsi une pyramide base rectangulaire (figure II.10).
~ 228 ~
Annexe A
Figure II.7 : Photographie d'un substrat micro-usin
Il est noter qu'il existe un angle d'attaque, lors de la gravure sur silicium (100), de 54,7, comme le prsente la figure II.11.
On peut alors connatre aisment la profondeur de gravure en mesurant la distance x grce un projecteur de profil.
Si 54.7 x h
tg 54,7 =
h x
h = x tg 54,7
Figure II.8 : Angle d'attaque du silicium
Les solutions de gravure du silicium prsentant un caractre anisotropique sont les hydroxydes dont les principaux sont KOH, NaOH, NH4OH ou TMAH.
La raction est une oxydation du silicium par les hydroxydes pour former un silicate :
~ 229 ~
Annexe A
Si + 2OH + 4H + (Si OH )2 + 2H 2
2+
Les silicates ragissent ensuite avec les hydroxydes pour former un complexe soluble dans l'eau :
+ 2 (SiOH )2 2 + 4OH SiO 2 (OH )2 + 2 H 2 O
Les solutions chimiques les plus utilises pour la gravure anisotropique du Silicium sont l'hydroxyde de potassium (KOH) et le ttramthyl amonium hydroxyde (TMAH).
Avec de telles solutions, 85C, on atteint sans problme des vitesses de gravure de 1 m.min-1 avec une anisotropie de gravure entre les plans (111) et (100) proche de 1 pour 400.
En plus d'une slectivit cristallographique, ces solutions de gravure chimique doivent prsenter une slectivit de matriaux. En effet, lors du micro-usinage, beaucoup de matriaux sont plongs avec le silicium dans le bain de gravure. Ils devront rsister la raction chimique. Nous pouvons ainsi citer :
Les mtaux (Cr, Ti, Au,). Les oxydes SiO2. La membrane sur laquelle sera suspendu le circuit (BCB).
Des essais, prsents dans [8] ont mis en vidence une vitesse d'attaque du SiO2 (servant de masque lors de la gravure) dans le TMAH de 7 nm.h-1 85C. Le tableau 2 tablit une comparaison des cintiques de raction.
~ 230 ~
Annexe A Matriaux Cintique gravure SiO2 Si 7 nm.h-1 40 m.h-1 de
A 85C et concentration TMAH 25 %
Tableau 2 : Comparaison des cintiques de gravure
L'oxyde de Silicium, trs peu attaqu par le TMAH, pourra donc nous servir de couche de masque pour protger le silicium non attaqu.
La gravure anisotropique du Si ncessite que le silicium soit accessible par la solution de gravure et dlimit par un masque rsistant cette solution ailleurs. Ceci est illustr sur la figure II.12.
Si
Si
Masque de gravure
Figure II.9 : Slection de la zone graver par le masque
La dfinition de ces ouvertures est ralise en utilisant les techniques classiques de photolithographie. Pour nos circuits, nous avons utilis, comme masque de gravure un duo Cr+SiO2 rsistant trs bien au TMAH.
~ 231 ~
Annexe A
VII. ASSEMBLAGE
Une fois les diffrents lments du circuit raliss, il faut les assembler les uns aux autres. La figure II.13 montre une structure micro-usine et blinde, forme par trois substrats. Un substrat haute rsistivit est utilis pour le circuit sur membrane et deux substrats basse rsistivit pour les cavits de blindage.
Figure II.10 : vue en coupe d'un lment suspendu sur une membrane
Le but de cette tape est d'assurer une isolation lectromagntique et mcanique du circuit sur membrane. La photo de la figure II.14 montre la zone de gravure pour raliser la cavit, ainsi que les vias servant effectuer cette tape.
vias
Figure II.11 : Substrat micro-usin
~ 232 ~
Annexe A Les vias sont alors remplis d'une colle conductrice l'poxy argente ce qui permet de blinder lectriquement la structure. Aprs polymrisation la tenue mcanique des trois lments est trs bonne. Le circuit, une fois les trois wafers assembls, peut tre considr comme une puce relativement solide.
L'tape la plus critique de l'assemblage est l'alignement des trois wafers. Il faut alors viter de court-circuiter l'accs du filtre avec un mauvais alignement du substrat suprieur. Des marques d'alignement dessines avec les motifs du circuit permettent de pallier ce problme.
~ 233 ~
Annexe A
FABRICATION
La premire ralisation que nous avons effectue comportait un plan de masse en chrome et or, puis 3 couches de BCB taient utilises pour atteindre une paisseur de lordre de 24 m. Cette structure est propose figure 13 :
Au Si
Figure 13 : gomtrie initiale
BCB
Nous avons utilis sous la couche dor une couche daccrochage de chrome qui permet davoir une bonne adhrence entre la mtallisation en or et le substrat de silicium. Cette couche de Cr a une paisseur de 300 . En ce qui concerne la couche dAu, elle se comporte dune couche vapore de 1500 suivie dun dpt lectrolytique permettant datteindre une paisseur de 2 3 m. La polymrisation du BCB se fait aprs chaque couche dpose. Lobjectif est de polymriser suffisamment la premire couche avant de dposer la suivante, sans que la polymrisation de la suivante nendommage la prcdente. Ltape suivante est le dpt de la mtallisation sur la face avant. Les mmes techniques ont t utilises pour cette couche que pour le plan de masse (vaporation Cr + Au et lectrolyse dAu). Malheureusement nous avons rencontr bon nombre de problmes.
~ 234 ~
Annexe A
I. BCB MULTICOUCHE
Le principal a t le suivant : Dcollage du BCB dans le bain dlectrolyse pour la couche mtallique de la face suprieure. Nous avons alors incrimin la polymrisation du BCB. Les temps de polymrisation que nous avions utiliss taient les suivants :
Premire couche : 20 secondes Deuxime couche : 30 secondes Troisime couche : 1 minute
Nous avons alors men une srie de tests sur les conditions de polymrisation pour rsoudre ce problme. Le tableau 1 prsente les tests que nous avons effectus, il indique le temps de polymrisation (en seconde) qui ont t effectus pour chacune des couches. Test 1 Polymrisation 1 Polymrisation 2 Polymrisation 3 30 Test 2 Test 3 40 Test 4 Test 5
30
40
60
30
40
40
60
60
60
60
60
60
60
Tableau 1 : temps de polymrisation (en seconde) pour chacune des couches.
En dpit de tous ces essais nous navons pas russi rsoudre notre problme. Nous nous sommes alors orients vers une nouvelle gamme de BCB qui permet datteindre directement une paisseur entre 20 et 30 m (en un seul dpt).
~ 235 ~
Annexe A
II. POLYMERISATION DU BCB EPAIS
Avec ce nouveau BCB la polymrisation se fait en une seule tape, nous veillerons simplement modifier les temps de polymrisation pour avoir un bon durcissement de la rsine. Sur cette tape, nous avons rencontr nouveau des problmes. Lors de la polymrisation de grosses bulles apparaissaient toujours sur les bords du wafer et quelques fois galement au centre. Les principaux problmes taient rpartis sur la priphrie du wafer, lendroit o les effets de bord sont les plus importants. Pour rsoudre ce problme nous avons essay de jouer sur lpaisseur de la couche de promoteur dadhrence sous le BCB (en jouant sur la vitesse de rotation de la tournette). Nous avons galement test linfluence de paliers pour la rotation de la tournette pour crer une acclration progressive. Ces 2 tests nont pas permis de rsoudre le problme de bulles dans le BCB. Nous nous sommes alors tourns vers une polymrisation en deux tapes : Une prpolymrisation au four avant la phase de vitrification du BCB Une polymrisation classique la plaque
Lobjectif de la prpolymrisation au four est dliminer lair enferm sous le BCB avant de le faire durcir et de figer la couche. Cette tape au four, permet un durcissement nettement plus progressif (20 minutes) permettant dliminer lair sous le BCB. Cette modification a donn de bons rsultats et laspect physique de la membrane aprs polymrisation est identique celui des membranes 8 m. Nous validons donc cette tape technologique.
III. DEPOT DU CIRCUIT

Nous devons maintenant dposer la couche mtallique, sur le BCB, qui va tre utilise pour raliser les lignes daccs et les rsonateurs. De la mme manire que pour le plan de masse, nous utilisons une vaporation de Cr (couche daccrochage) suivi dune vaporation
~ 236 ~
Annexe A dor. Enfin une lectrolyse est effectue pour augmenter lpaisseur de mtallisation. La structure est alors prsente figure 14.
Au Si
BCB
Figure 14 : dpt de la couche mtallique sur le BCB
Lors de cette tape, nous avons galement rencontr des problmes. La couche de BCB adhre trs mal au plan de masse et se dcolle dans les agents de gravure de lor et du silicium. Pour rsoudre ce problme nous avons men diffrents tests : Epaisseur dlectrolyse Condition sur lvaporation de lor (paisseur, vitesse de dpt) Plan de masse ralis par pulvrisation cathodique Ajout dune couche daccrochage entre le plan de masse et le BCB
Ce dernier test a donn de bons rsultats, ainsi nous rajoutons sur notre plan de masse une couche de Cr permettant une bonne adhrence du BCB. Le plan de masse est alors compos dune tri-couche Cr/Au/Cr. (la couche dor est toujours compose dune couche vapore suivi dune croissance lectrolytique) Le problme qui sest ensuite pos est larrachage du plan de masse au substrat de silicium. Ce problme a t solutionn en jouant sur lpaisseur de la couche daccrochage de Cr du plan de masse. A ce stade du process nous matrisons donc la ralisation du plan de masse, le dpt de la couche de BCB dpaisseur 27 m et la ralisation de motifs sur la face suprieure, nous pouvons donc aborder la ralisation et la mesure de ligne sur ce substrat.
~ 237 ~
Annexe A
~ 238 ~
Annexe B : Fabrication filtre 2 ples
Annexe B
Il ny a priori pas de contraintes technologiques quant la ralisation des membranes et des accs. Le procd technologique permettant cette ralisation est le suivant :
Pour le circuit sur membrane, nous utilisons un substrat de silicium haute rsistivit et pour les cavits suprieures et infrieures des substrats de basse rsistivit.
Dpt des couches de masque SiO2 (1 m) double face et Cr (300 ) face arrire (figure A.1)
SiO2
Si Cr SiO2
Figure A.1 : Dpt des couches de masque
Elimination de SiO2 face avant aux endroits o le circuit va tre suspendu (acide fluorhydrique)
Ouverture de la face arrire, en gravant le chrome et l'oxyde de silicium pour avoir accs au Si (chrome etch + acide fluorhydrique) (figure A.2)
~ 239 ~
Annexe B : Fabrication filtre 2 ples SiO2
Si Cr SiO2
Figure A.2 : Ouverture des zones de masque

Dpt de BCB face suprieure la tournette (8 m).
Mtallisation face avant : Evaporation : Cr 300 + Au 1500 Electrolyse Au total # 3 m
Lithographie face avant pour obtenir les motifs mtalliques des circuits gravure de l'or dans KI2 et du chrome dans du Cr etch (figure A.3)
circuit Membrane - BCB
Si Cr SiO2
Figure A.3 : Gravure des motifs
Micro-usinage du Si dans du TMAH jusqu' ouverture complte de la membrane (figure A.4)
~ 240 ~
Annexe B : Fabrication filtre 2 ples circuit Membrane - BCB
Si Cr SiO2
Figure A.4 : Micro-usinage du silicium
NB : Pour blinder les structures des cavits sont ralises en rptant les tapes 1), 3), 4), 7). Aprs mtallisation, on obtient la figure A.5.
mtallisation
Figure A.5 : Cavit micro-usine

On peut alors assembler les circuits et les cavits et les reporter sur une semelle mtallique.
~ 241 ~
RESUME Des filtres, faible cot et destins une intgration dans des satellites, ont t fabriqus avec des techniques de micro-usinage. Dans le premier chapitre, une vue d'ensemble des filtres destins aux tlcommunications spatiales est prsente. Les diffrents types de filtres, ainsi que leurs avantages et inconvnients ont t dtaills. Laccent est ensuite mis sur le choix des technologies et lintrt du micro-usinage. La mthode de synthse des filtres y est galement explique. Des filtres et des rsonateurs a 19.825 GHz et a 150 GHz ont alors t conus et raliss dans les chapitres 2 et 3 pour des applications spatiales. A 19.825 GHz, lobjectif tait de concevoir un filtre offrant de bonnes performances lectromagntiques (notamment en rjection) et dont les dimensions soient parfaitement compatibles avec un rcepteur fabriqu par Thales Alenia Space. Autour de 150 GHz, en exploitant le micro-usinage volumique du silicium, des filtres planaires coupls lectriquement ont t tudis. Une analyse de structures mtalliques priodiques, prsentant des bandes interdites lectromagntiques, a t faite. Lintrt de ces structures est de permettre une augmentation du facteur de qualit des rsonateurs. Un filtre 2 ples base de guide a structures priodiques a pu ainsi tre conu. Le dernier chapitre de cette thse est consacr aux dispositifs accordables. Le domaine submillimtrique a toujours t vis. Apres une prsentation des diffrentes technologies permettant laccord frquentiel, lintgration de capacits variables MEMS dans des cavits rsonantes est retenue. Ainsi une topologie offrant un bon facteur de qualit, une intgration aise et un large accord frquentiel est propose. ABSTRACT Low cost filters, for integration in satellites, were manufactured using micromachining techniques. In the first chapter, an overview of filters for space communications is presented. Different types of filters, their advantages and disadvantages have been detailed. Emphasis is then placed on the choice of technology and the interest of micro-machining. The method of synthesis of filters is also explained. Filters and resonators at 19,825 GHz and 150 GHz were then designed and made in Chapters 2 and 3 for space applications. At 19 825 GHz, the goal was to design a filter with good electromagnetic performance (including rejection) and whose dimensions are fully compatible with a receiver built by Thales Alenia Space. Around 150 GHz, using micromachining of silicon, electrically coupled planar filters have been studied. A periodic analysis of metallic structures, presenting electromagnetic band gap, has been made. The interest of these structures is to increase the quality factor of resonators. A two-pole filter based on periodic structures could thus be designed. The last chapter of this thesis is devoted to tunable devices. The sub-millimeter field has always been targeted. After a presentation of various technologies for the frequency agreement, the integration of MEMS capacitors in resonant cavities is chosen. Thus a topology with a good quality factor, easy integration and a wide frequency agreement is proposed.

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UNIVERSITE DE LIMOGES ECOLE DOCTORALE Sciences et Ingnierie pour linformation FACULTE des SCIENCES et TECHNIQUES de LIMOGES

Anne 2010 Thse N.23-2010

Raghida HAJJ Le Mardi 13 Juillet 2010

Conception et ralisation de fonction de filtrage dans les domaines millimtriques et sub-millimtriques

Thse dirige par Matthieu Chatras et Pierre Blondy

P. Ferrari C. Person G. Dambrine P. Blondy M. Chatras

Rapporteur Rapporteur Examinateur Examinateur Examinateur

B. Espana F. Courtade L. Rigaudeau

Invite Invit Invite

de la fonction de transfert [9]........................................................ 14

et modifications apportes pour une industrialisation.............. 59

Conclusion gnrale ................................................................................ 217 Annexe A .................................................................................................. 221

FABRICATION ...................................................................................... 234

Annexe B .................................................................................................. 239

FILTRES : METHODES DE SYNTHESE

Chapitre 1 : Filtres : mthodes de synthse

Filtres : mthodes de synthse

II. Systmes dexcitation

II.1. Guides dondes

figure 1. Diffrentes structures de guide dondes.

II.2. Lignes de transmission

figure 2. Les diffrents types de lignes planaires

II.2.2. La ligne microruban

figure 3. constitution dune ligne microruban

II.2.3. La ligne coplanaire

figure 4. ligne coplanaire

o : longueur donde dans le vide d : longueur donde dans le dilectrique

Chapitre 1 : Filtres : mthodes de synthse

III.1. Thorie des filtres

III.1.1. Notion de la fonction de transfert [9]

figure 5. Fonction de transfert H

Chapitre 1 : Filtres : mthodes de synthse

III.1.2. Cahier de charge : gabarit

figure 6. Gabarit des diffrents types de filtres

III.1.3. Notion de bande passante dun filtre passe bande [10]

Chapitre 1 : Filtres : mthodes de synthse

G(h) = G(b) = G(0)-3,

figure 7. dfinition de la bande passante 3 dB

III.1.4. Synthse de filtres passe bande [11][12]

Chapitre 1 : Filtres : mthodes de synthse

figure 8. Mthode de dtermination du filtre convenable

f norm (a) Butterworth Gain (b) Tchbychev type 1

(c) Tchbychev type 2

III.1.5. Filtre passe bas prototype

avec p : bande passante

III.1.6. Notion de modle lectrique dun rsonateur

Chapitre 1 : Filtres : mthodes de synthse

figure 10. Modle RLC srie rsonant

la fonction de transfert est dans ce cas :

Pour un filtre passe bande le rapport

R est utilis pour rgler la valeur de la bande 2L

passante. Plus ce rapport augmente plus la bande passante slargira.

III.1.7. Utilisation des paramtres de couplage extraits partir de la matrice idale

Chapitre 1 : Filtres : mthodes de synthse

figure 12. Phase de S11

le coefficient de couplage inter-rsonateur nous permet de calculer la distance interrsonateur.

figure 13. Dcouplage des rsonateurs

Chapitre 1 : Filtres : mthodes de synthse

figure 14. Coefficient de transmission S12

III.2. Filtres planaires

III.2.1. Filtres coplanaires CPW [20][21]

figure 15. Filtre 2 ples coplanaire base de rsonateurs quart donde

III.2.2. Filtres microrubans [23][24]