1.

Condutores - O que caracteriza o material bom condutor o fato de os eltrons de valncia (por exemplo, o cobre possui um eltron na ltima camada) estarem fracamente ligados ao tomo, podendo ser facilmente deslocados do mesmo. Ou seja, ao ser aplicao uma diferena de potencial, h passagem de corrente eltrica Isolantes - Obviamente, os materiais isolantes devem corresponder aos materiais que apresentam os eltrons de valncia rigidamente ligados aos seus tomos. Ou seja, a resistnciaa passagem de corrente. Semicondutores - Assim como existem materiais condutores e materiais isolantes, existe um tipo de material que um meio termo entre esses dois primeiros. Esse material o semicondutor. 2.Semicondutor intrnseco aquele encontrado na natureza na sua forma mais pura, ou seja a concentrao de portadores de carga positiva igual concentrao de portadores de carga negativa. Semicondutores extrnsecos ou dopados so semicondutores intrnsecos onde introduzimos uma impureza para controlarmos as caractersticas eltricas do semicondutor 3.Quando introduzimos um tomo de uma impureza trivalente este possui somente trs eltrons para completar as ligaes covalentes, logo uma das ligaes covalentes do silcio ficar incompleta. Quando introduzimos um tomo de uma impureza pentavalente este possui cinco eltrons para completar as ligaes covalentes, sendo que um eltron excedente torna-se livre para se conduzir 4. a regio numa rede cristalina de material semicondutor dopado, caracterizada como ausncia de um eltron, porm comportando-se efetivamente como um portador de carga positiva 5.Os portadores de carga majoritrios so os eltrons, e os minoritrios as lacunas. 6. Os portadores de carga majoritrios sao as lacunas, e os minoritrios os eltrons. 7. Os diodos modernos so feitos de um cristal semicondutor, como o silcio, ao qual so adicionadas impurezas, no intuito de criar uma regio de portadores negativos (eltrons), chamada regio "tipo-n", e uma regio de portadores positivos (lacunas), denominada regio "tipo-p". Os terminais do diodo so conectados a cada uma dessas regies. No interior do cristal, a fronteira entre essas duas regies chamada de juno PN, sendo responsvel pela caracterstica unidirecional do componente 8.A polarizao do diodo dependente da polarizao da fonte geradora. A polarizao direta quando o plo positivo da fonte geradora entra em

contato com o lado do cristal P(chamado de anodo) e o plo negativo da fonte geradora entra em contato com o lado do cristal N(chamado de ctodo). A polarizao indireta quando o inverso ocorre. 9. A camada de depleo age como uma barreira impedindo a continuao da difuso dos eltrons livres. A intensidade da camada de depleo aumenta com cada eltron que atravessa a juno at que se atinja um equilbrio. 10. Quando o diodo polarizado diretamente a camada de depleo diminiu, ou seja, diminiu a resistncia do diodo tornando-o um bom condutor possibilitando a passagem de corrente.

11. quando o diodo reversamente polarizado a camada de depleo aumenta, aumentando a resistencia do diodo, para um diodo ideal a corrente que circularia em seus terminais seria zero, mas no real ha uma pequena corrente chamada corrente de fuga.

12

13.
( )

14.
( )

15.

=1

16.

17.

18.

19.

20.

21.

22.

23.

24.

25.

26.

27.

28.

( )

INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAO CINCIA E TECNOLOGIA DO AMAZONAS

RESOLUO DA LISTA 1 DE EXERCCIOS DISCIPLINA: ELETRNICA ANALGICA Pof. MSC. MARCOS MACIEL ALUNO: WINGRID FRANSON PEREIRA DA ROCHA