DIODO Un diodo es un elemento que consta de dos terminales cuya caracterstica tensin-corriente no es lineal.

Est formado por un cristal semiconductor dopado de tal manera que una mitad es tipo "p" y la otra "n", constituyendo una unin pn. La terminal que corresponde con la parte "p" se llama nodo y el que coincide con la "n" es el ctodo. El diodo est compuesto por un cristal de silicio o de germanio dopado, es decir, al que se le han incluido impurezas. El dopado del silicio (o del germanio) se realiza para variar sus propiedades de semiconductor. Los tomos de estos semiconductores tienen cuatro electrones sueltos en su capa de valencia, lo cual les confiere sus cualidades semiconductoras, al unirse estos tomos de silicio o germanio por enlace covalente, quedan con la configuracin electrnica de gas noble, es decir con ocho electrones de valencia en su ltima capa. Cuando dopamos estos cristales con tomos de ms de cuatro electrones de valencia, quedan electrones sueltos de la capa de valencia al crear enlaces covalentes y cuando dopamos estos cristales con tomos de menos de cuatro electrones en su capa de valencia quedan huecos al crear estos enlaces covalentes. Lado P y lado N del diodo. Al lado del diodo dopado con tomos trivalentes (con tres electrones en su capa de valencia) se le llama lado P (positivo). Al silicio dopado con tomos pentavalentes se le llama semiconductor de tipo N (negativo). El semiconductor de tipo P tiene ms huecos aceptores de electrones que electrones libres, por lo que se dice que los huecos son los portadores mayoritarios y el semiconductor de tipo N tiene ms electrones libres que huecos, por lo que estos son los portadores mayoritarios y los huecos los portadores minoritarios. Comprobacin de un diodo. Conectando la sonda positiva del polmero (en escala de Ohmios) en el extremo P del diodo y la negra en el extremo N, la resistencia debe de ser pequea, si colocamos la sonda roja en el extremo N y la sonda negra en el extremo P, la resistencia debe de ser infinita.

Curva caracterstica del diodo

Figura 1. Curva caracterstica del diodo. Tensin umbral, de codo o de partida (V ): La tensin umbral de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para incrementos pequeos de tensin se producen variaciones grandes de intensidad. Corriente mxima (Imax): Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que depende de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, vara sobre todo del diseo del mismo. Corriente inversa de saturacin (Is): Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco. Depende de la temperatura del material, y se admite que se duplica por cada incremento de 10 de la temperatura. Tensin de ruptura (Vr): Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, conducir la corriente inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, del orden de 5 V, el diodo comienza a conducir tambin en polarizacin inversa.

La ruptura puede deberse a dos efectos: Efecto diodo inverso (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es elevada los electrones se aceleran e incrementan su energa cintica, de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar que salten a la banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocan con ms electrones de valencia y los liberan tambin. El resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de la tensin superiores a 6 V. Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material, menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el diodo est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del orden de 3105 V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia y aumentar la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores. Para tensiones inversas de entre 4 y 6 V la ruptura del diodo se puede producir por ambos efectos.

El Diodo Ideal El diodo ideal se puede considerar como el elemento ms fundamental de los circuitos no lineales. Es un dispositivo que consta de dos terminales representado con el smbolo que se muestra en la figura 2 (a). El cual tiene una caracterstica corriente-tensin tal como se puede observar en la figura 2 (b) .se puede interpretar la caracterstica de los terminales del diodo ideal de la siguiente manera: si es aplicado al diodo ideal una tensin negativa [en relacin con la direccin de referencia indicada en la figura 2(a)], no pasa corriente y el diodo tiene un comportamiento de circuito abierto [figura 2. (c)

Figura 2. El diodo ideal: (a) smbolo de circuito del diodo; (b) caracterstica iv ; (c) circuito equivalente en la polarizacin inversa ; (d) circuito equivalente en la polarizacin directa. Diferencias entre el diodo de unin PN y el diodo ideal Las principales diferencias entre el comportamiento real e ideal son: -La resistencia del diodo en polarizacin directa no es nula. -La tensin para la que comienza la conduccin es V ON. -En polarizacin inversa aparece una pequea corriente. -A partir de una tensin en inversa el dispositivo entra en conduccin por avalancha. En la Figura 3 vemos representadas ms claramente estas diferencias entre los comportamientos del diodo de unin PN e ideal.

Figura 3: Diferencias entre el comportamiento del diodo de unin PN y del diodo ideal.

La polarizacin del diodo

Para que un diodo pueda conducir la corriente elctrica, hay que eliminar en todo o en parte la zona desrtica, lo que quiere decir que hay que disminuir la barrera. Esto se realiza con la aportacin de una fuente externa de tensin elctrica, lo que supone ofrecer a las cargas una energa determinada para que logren liberarse de sus enlaces y as puedan moverse. Este proceso se denomina polarizacin. La polarizacin puede ser de dos tipos: directa o inversa. La polarizacin directa consiste en situar un potencial mayor en el nodo que en el ctodo, tal y como se muestra en la figura adjunta. Una polarizacin inversa se consigue conectando el terminal nodo a un potencial que sea ms negativo que el que se conecte al ctodo, que ser ms positivo. En la polarizacin directa la zona desrtica disminuye, ya que el potencial positivo del nodo crea una repulsin sobre las cargas positivas o mayoritarias del semiconductor tipo P, mientras que el potencial negativo del ctodo intenta repeler de la misma forma las cargas mayoritarias o negativas del semiconductor tipo N. Esto provoca que en la zona desrtica se acumulen las cargas, con lo que se disminuye la barrera entre ambos semiconductores. Esta disminucin conlleva una mayor facilidad en el paso de cargas a travs del diodo, que se comportar como un conductor de corriente. Por el contrario, y tal y como se observa en la figura ya aludida, en el caso de aplicar en los terminales del diodo una polarizacin inversa, la zona desrtica aumenta, ya que el nodo -que dispone de un potencial negativo- atrae las cargas del semiconductor tipo P, de la misma forma que el ctodo -que tiene potencial positivo- atrae las cargas negativas del semiconductor tipo N. En este caso, el diodo presenta mucha dificultad al paso de la corriente, con lo que se comporta como un material aislante.

Por tanto, nos encontramos ante la situacin en la que el diodo podr conducir electricidad a travs de l, segn se polarice en un caso o en otro, comportndose del mismo modo que un interruptor controlado por voltaje.

Polarizacin directa Se da la polarizacin directa cuando el terminal positivo de la fuente est conectado a el material tipo p y el terminal negativo de la fuente est conectado al material tipo n.

En este caso debido a que la fuente obliga a que los electrones libres y huecos fluyan hacia la unin, la corriente circula con facilidad. Debido al movimiento de los electrones libres hacia la unin, se generan iones positivos en el extremo derecho de la unin que atraern los electrones hacia el cristal desde el circuito extremo.

Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n. Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.