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2.3 Configuracin de emisor comn.

La configuracin de transistores que se encuentra con mayor frecuencia se muestra en la figura 3.13 para los transistores pnp y npn. Se denomina configuracin de emisor comn porque el emisor es comn tanto a las terminales de entrada como a las de salida (en este caso, es tambin comn a las terminales de la base y del colector). De nuevo se necesitan dos conjuntos de caractersticas para describir en forma completa el comportamiento de la configuracin de emisor comn: una para la entrada o circuito de la base y una para la salida o circuito del colector. Ambas se muestran en la figura 3.14.

Figura 3.13

Figura 3.14

Las corrientes del emisor, colector y la base se muestran en su direccin de comente convencional real. Aun cuando la configuracin del transistor ha cambiado, siguen siendo aplicables las relaciones de comentes desarrolladas antes para la configuracin de base comn. En la configuracin de emisor comn las caractersticas de la salida sern una grfica de la corriente de salida (IC) versus el voltaje de salida (VCE) para un rango de valores de la corriente de entrada (IB). Las caractersticas de la entrada son una grfica de la comente de entrada (IB) versus el voltaje de entrada (VBE ) para un rango de valores del voltaje de salida (VCE). Obsrvese que en las caractersticas de la figura 3.14 la magnitud de IB es del orden de microamperes comparada con los miliamperes de IC. Ntese tambin que las curvas de IB no son tan horizontales como las que se obtuvieron para IE en la configuracin de base comn, lo que indica que el voltaje de colector a emisor afectar la magnitud de la corriente de colector.

La regin activa en la configuracin de emisor comn es aquella parte del cuadrante superior derecho que tiene la linealidad mayor, esto es, la regin en la que las curvas correspondientes a IB son casi lneas rectas y se encuentran igualmente espaciadas. En la figura 3.14 a esta regin se localiza a la derecha de la lnea sombreada vertical en VCEsat por encima de la curva para IB igual a cero. La regin a la izquierda de VCEsat se denomina regin de saturacin. En la regin activa de un amplificador emisor comn la unin colector-base est polarizada inversamente, en tanto que la unin base-emisor est polarizada directamente. Se recordar que stas fueron las mismas condiciones que existieron en la regin activa de la configuracin de base comn. La regin activa de la configuracin de emisor comn puede emplearse en la amplificacin de voltaje, corriente o potencia. La regin de corte en la configuracin de emisor comn no est tan bien definida como en la configuracin de base comn. Ntese, en las caractersticas de colector de la figura 3.14 que IC no es igual a cero cuando IB = 0. En la configuracin de base comn, cuando la corriente de entrada IE = 0, la corriente de colector fue slo igual a la corriente de saturacin inversa ICO, por lo que la curva IE = 0 y el eje de voltaje fueron (para todos los propsitos prcticos) uno. La razn de esta diferencia en las caractersticas del colector puede obtenerse mediante la manipulacin adecuada de las ecuaciones (3.3) y (3.6). Es decir, Ecuacin (3.6): IC = IE + ICBO La sustitucin da Ecuacin (3.3): IC = ( IC + IB) + ICBO Reordenando obtenemos:

Si consideramos el caso discutido anteriormente, donde IB = 0 A, y sustituimos un valor tpico de a tal como 0.996, la corriente de colector resultante es la siguiente:

Si icbo fuera de 1 uA, la corriente de colector resultante con IB = 0 A sena 250 (1 pA) = 0.25 mA, como se refleja en las caractersticas de la figura 3.14. Para referencia futura, a la corriente de colector definida por la condicin IB = 0 uA se le asignar la notacin indicada por la ecuacin (3.9):

En la figura 3.15 las condiciones que envuelven a esta corriente definida nuevamente se muestran con su direccin de referencia asignada. Para propsitos de amplificacin lineal (la menor distorsin) el corte para la configuracin de emisor comn se determinar mediante IC = ICEO En otras palabras, la regin por debajo de IB = 0 uA deber evitarse si se requiere una seal de salida sin distorsin. Cuando se emplea como interruptor en la circuitera lgica de una computadora, un transistor tendr dos puntos de operacin de inters: uno en el corte y el otro en la regin de saturacin. La condicin de corte, en el caso ideal, sera IC = O mA para el voltaje VCE elegido. Puesto que ICEO es por lo general de pequea magnitud para los materiales de silicio, el corte existir para propsitos de conmutacin cuando I B = O uA o IC = ICEO nicamente en el caso de transistores de silicio. En los transistores de germanio, sin embargo, el corte para propsitos de conmutacin se definir como aquellas condiciones que existen cuando IC = ICBO. Esta condicin puede obtenerse normalmente en los transistores de germanio polarizando inversamente la unin de base emisor, polarizada por lo regular en forma directa a unos cuantos dcimos de volt. Recurdese para la configuracin de base comn que el conjunto de caractersticas de entrada se aproxim por una

lnea recta equivalente que result en VBE = 0.7 V para cualquier nivel de IE mayor de O mA. Para la configuracin de emisor comn puede tomarse la misma aproximacin, resultando en el equivalente aproximado de la figura 3.16. El resultado apoya nuestra anterior conclusin de que para un transistor en la regin "activa" o de conduccin el voltaje de base a emisor es 0.7 V. En este caso el voltaje se ajusta para cualquier nivel de la corriente de base.

Beta( ) En el modo de cd los niveles de IC e IB se relacionan por una cantidad denominada beta y definida por la siguiente ecuacin:
cd

= IC / IB

El nombre formal para ca es factor de amplificacin de corriente directa de emisor comn. Puesto que la corriente de colector es por lo general la corriente de salida para una configuracin de emisor comn y la corriente de base es la corriente de entrada, el trmino amplificacin se incluye en la nomenclatura anterior. Aunque no son exactamente iguales, los niveles de ca, y de cd estn por lo general razonablemente cercanos y con frecuencia se utilizan en forma intercambiable. Se puede desarrollar una relacin entre y empleando las relaciones bsicas presentadas con anterioridad. Utilizando = IC /IB obtenemos IB = IC / , y de = IC/IE tenemos que IE = IC / Sustituyendo en IE = IC + IB IC / = IC + (IC / ) y dividiendo ambos lados de la ecuacin por IC resultar en IC / = 1 + (1 / ) de modo que

encontramos que ICEO = ( + 1) ICBO ICEO ICBO como se indica en la figura 3.14a. La beta es un parmetro particularmente importante porque proporciona un enlace directo entre niveles de corriente de los circu Los de entrada y salida para una configuracin de emisor comn. Es decir, IC IB Y puesto que IE = IC + IB = IB + IB IE = ( + 1) IB

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