UNIVERSIDAD DE LA COSTA DEPARTAMENTO DE CIENCIAS BSICAS REA DE LABORATORIO DE FSICA

IDENTIFICACIN DE CONDUCTORES NO LINEALES: EL DIODO WALTER BARRIOS, BRYAN ALGARN, NSTOR LOZANO, HAROLD MIRANDA
INGENIERA CIVIL, INGENIERA CIVIL, INGENIERA ELECTRNICA, INGENIERA DE SISTEMAS Laboratorio de fsica campos GRUPO: MDL

Resumen
En el siguiente informe de fsica de campos realizado en la universidad de la costa se identific un semiconductor de carcter no lineal, el diodo el cual le medimos el voltaje, posteriormente se midi la corriente en el voltio directo, ms tarde se midi la corriente con el diodo invertido, con los datos que nos arroj lo anteriormente mencionado se procedi a calcular la resistividad. Cabe destacar que para la realizacin de esta experiencia fue necesario utilizar dos multmetros los cuales se cambiaron a la funcin de voltmetro, ampermetro, y por ultimo a la funcin de ohmmetro.

PALABRAS CLAVES

Semiconductor, voltaje, voltio directo, diodo, resistividad, voltmetro, ampermetro, ohmmetro.

Abstract
In the following report of physics of fields made in the university of the coast a semiconductor of character nonlinear was identified, the diode which we measured the voltage to him, later the current in the direct volt was moderate, later was moderate the current with the invested diode, with the data that threw to us previously mentioned was come to calculate resistivity. It is possible to emphasize that for the accomplishment of this experience it was necessary to use two multimetros which changed to the function of voltmeter, ammeter, and finally to the function of ohmmetro.
KEYWORDS

Semiconductor, voltage, directs volt, diode, resistivity, voltmeter, ammeter, ohmmetro.

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1. INTRODUCCION La historia de los semiconductores comienza en su utilizacin con fines tcnicos, se utilizaron pequeos detectores diodos y se emplearon a principios del siglo XX, en los radioreceptores de esa poca. Algunos semiconductores, como el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio (Se), constituyen elementos que poseen caractersticas intermedias entre los cuerpos conductores y los aislantes, por lo que no se consideran ni una cosa, ni la otra. Sin embargo, bajo determinadas condiciones esos mismos elementos permiten la circulacin de la corriente elctrica en un sentido, pero no en el sentido contrario. Esta propiedad se utiliza para rectificar corriente alterna, detectar seales de radio, amplificar seales de corriente elctrica, funcionar como interruptores o compuertas utilizadas en Electrnica Digital, entre otras. El diodo semiconductor es el dispositivo semiconductor ms sencillo y se puede encontrar, prcticamente en cualquier circuito electrnico. Los diodos se fabrican en versiones se silicio (la ms utilizada) y de germanio. El presente informe tiene como objetivo principal comprobar que el diodo no cumple la ley de ohm, ya que representado grficamente no nos arroja una lnea recta, y determinar el material del cual est hecho el diodo utilizado en la prctica de laboratorio. Otros objetivos secundarios pero relevantes son: medir Voltaje en el Diodo Vd (V), medir la corriente en el diodo directo, medir la corriente en el diodo invertido, calcular R (), medir R () experimental. 2. FUNDAMENTOS TEORICOS 2.1 SEMICONDUCTORES Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad elctrica inferior a la de un conductor metlico pero superior a la de un buen aislante. El semiconductor ms utilizado es el silicio, que es el elemento ms abundante en la naturaleza, despus del oxgeno. Otros semiconductores son el germanio y el selenio.

Figura 1. (Lugar que ocupan en la Tabla Peridica los trece elementos con. Caractersticas de semiconductores)

2.2 DIODO

Un rectificador de corriente elctrica o DIODO es un componente electrnico de dos o ms terminales o electrodos que solo permite la circulacin de la corriente en un solo sentido, que para cargas elctricas positivas es desde el electrodo "A" de mayor potencial elctrico denominado nodo, hacia el electrodo "K" de menor potencial (denominado ctodo). Por lo tanto un diodo es, en general, un componente unidireccional, asimtrico.

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cuanto al manejo de corriente y el voltaje en inverso que Pueden soportar.

Figura 2. (diodo y su smbolo)

Figura 4(smbolo del diodo rectificador)

2.3 TIPOS DE DIODOS * DIODO DETECTOR O DE BAJA SEAL

DIODO ZENER

Los diodos detectores tambin denominados diodos de seal o de contacto puntual, estn hechos de germanio y se caracterizan por poseer una unin PN muy diminuta. Esto le permite operar a muy altas frecuencias y con seales pequeas. Se emplea por ejemplo, en receptores de radio para separar la componente de alta frecuencia (portadora) de la componente de baja frecuencia (informacin audible). Esta operacin se denomina deteccin.

Un diodo zener es un semiconductor que se distingue por su capacidad de mantener un Voltaje constante en sus terminales cuando se encuentran polarizados inversamente, y por ello se Emplean como elementos de control, se les encuentra con capacidad de watt hasta 50 watt y Para tensiones de 2.4 voltios hasta 200 voltios. El diodo zener polarizado directamente se comporta como un diodo normal, su voltaje permanece cerca de 0.6 a 0.7 V.

Figura 5. (Smbolo del diodo zener)

Figura3. (Smbolo del diodo detector)

* DIODO VARACTOR

DIODO RECTIFICADOR

Los diodos rectificadores son aquellos dispositivos semiconductores que solo conducen en polarizacin directa (arriba de 0.7 V) y en polarizacin inversa no conducen. Estas caractersticas son las que permite a este tipo de diodo rectificar una seal. Los hay de varias capacidades en

El diodo varactor tambin conocido como diodo varicap o diodo de sintona. Es un dispositivo semiconductor que trabaja polarizado inversamente y actan como condensadores variables controlados por voltaje. Esta caracterstica los hace muy tiles como elementos de sintona en receptores de radio y televisin. Son tambin muy empleados en osciladores,

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amplificadores, generadores de FM y otros circuitos de alta frecuencia.

marcadores luminosos, lectores de cdigos de barras y otras muchas aplicaciones.

Figura 6. (Smbolo del diodo varactor)

Figura 8. (Smbolo del diodo laser)

DIODO EMISOR DE LUZ (LEDs)

* DIODO ESTABILIZADOR Est formado por varios diodos en serie, cada uno de ellos produce una cada de tensin correspondiente a su tensin umbral. Trabajan en polarizacin directa y estabilizan tensiones de bajo valores similares a lo que hacen los diodos Zener.

Es un diodo que entrega luz al aplicrsele un determinado voltaje. Cuando esto sucede, ocurre una recombinacin de huecos y electrones cerca de la unin NP; si este se ha polarizado directamente la luz que emiten puede ser roja, mbar, amarilla, verde o azul dependiendo de su composicin.

Figura 9. (Smbolo del diodo estabilizador) Figura 7. (Smbolo del diodo emisor de luz)

* *
DIODO LSER

DIODO TNEL

Los diodos lser, tambin conocidos como lseres de inyeccin o ILDs. Son LEDs que emiten una luz monocromtica, generalmente roja o infrarroja, fuertemente concentrada, enfocada, coherente y potente. Son muy utilizados en computadoras y sistemas de audio y video para leer discos compactos (CDs) que contienen datos, msica, pelculas, etc., as como en sistemas de comunicaciones para enviar informacin a travs de cables de fibra ptica. Tambin se emplean en

Los diodos tnel, tambin conocidos como diodos Esaki. Se caracterizan por poseer una zona de agotamiento extremadamente delgada y tener en su curva una regin de resistencia negativa donde la corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje. Esta ltima propiedad los hace muy tiles como detectores, amplificadores, osciladores, multiplicadores, interruptores, etc. En aplicaciones de alta frecuencia.

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Figura 10. (Smbolo del diodo tnel)

Figura 12. (Smbolo del diodo backward)

DIODO PIN

DIODO SCHOTTKY

Su nombre deriva de su formacin P (material P), I (zona intrnseca) y N (material N) Los diodos PIN se emplean principalmente como resistencias variables por voltaje y los diodos Gunn e IMPATT como osciladores. Tambin se disponen de diodos TRAPATT, BARITT, ILSA, etc. Son dispositivos desarrollados para trabajar a frecuencias muy elevadas, donde la capacidad de respuesta de los diodos comunes est limitada por su tiempo de trnsito, es decir el tiempo que tardan los portadores de carga en atravesar la unin PN. Los ms conocidos son los diodos Gunn, PIN e IMPATT.

Los diodos Schottky tambin llamados diodos de recuperacin rpida o de portadores calientes, estn hechos de silicio y se caracterizan por poseer una cada de voltaje directa muy pequea, del orden de 0.25 V o menos, y ser muy rpidos. Se emplean en fuentes de potencia, sistemas digitales y equipos de alta frecuencia.

Figura 13. (Smbolo del diodo schottky)

* FOTODIODOS

Figura 11. (Smbolo del diodo PIN)

DIODO BACKWARD

Son diodos de germanio que presentan en polarizacin inversa una zona de resistencia negativa similar a las de los diodos tnel.

Los fotodiodos son diodos provistos de una ventana transparente cuya corriente inversa puede ser controlada en un amplio rango regulando la cantidad de luz que pasa por la ventana e incide sobre la unin PN. A mayor cantidad de luz incidente, mayor es la corriente inversa producida por que se genera un mayor nmero de portadores minoritarios, y viceversa. Son muy utilizados como sensores de luz en fotografa, sistemas de iluminacin, contadores de objetos, sistemas de seguridad, receptores de comunicaciones pticas y otras aplicaciones.

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Figura 14. (Smbolo del fotodiodo)

2.3 CONDUCTORES NO HMICOS Son aquellos en los que no se cumple la ley de Ohm, para todas las tensiones o intensidades. Los conocidos como VDR (Resistores dependientes de la tensin). Tienen un valor hmico diferente segn el valor de la tensin (voltaje) aplicada. Normalmente la resistencia sube cuando sube la tensin. La funcin entre la tensin y la resistencia responde a una ecuacin exponencial. Hay otras clases de resistores cuya resistencia vara con la temperatura, y como en los resistores se disipa siempre calor cuando son recorridos por corriente elctrica, el mismo calor generado en ellos les produce un cambio de su resistencia. Pueden tener un coeficiente de temperatura negativo (NTC) con lo que la resistencia disminuye con la corriente, o positivo (PTS) que se comportan de manera inversa. Un ejemplo sencillo de un semiconductor elctrico es el DIODO.

semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrnsecos. Un semiconductor altamente dopado, que acta ms como un conductor que como un semiconductor, El nmero de tomos dopantes necesitados para crear una diferencia en Las capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequeo. Cuando se agregan un pequeo nmero de tomos dopantes (en el orden de 1 cada 100.000.000 de tomos) entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero. Cuando se agregan muchos ms tomos (en el orden de 1 cada 10.000 tomos) entonces se dice que el dopaje es alto o pesado. Este dopaje pesado se representa con la nomenclatura N+ para material de tipo N, o P+ para material de tipo P.

2.4 MATERIALES TIPO P Y TIPO N Se les llama semiconductores de tipo P a los semiconductores contaminados con impurezas aceptoras. Las impurezas aceptoras son aquellas que agregan un hueco en el material. Estas son impurezas con 3electrones en su rbita de valencia. Al tener solo 3 electrones queda una unin incompleta dejando un hueco para que un electrn libre pueda tomar ese lugar. Este material es de tipo P debido a que la conduccin elctrica se produce debido a su gran nmero de huecos (portadores mayoritarios). Comparados con los electrones los huecos tienen polaridad positiva. Los semiconductores tipo N son aquellos a los que se le agregan impurezas

2.4 DOPAJE DE MATERIALES En la produccin de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (tambin referido como intrnseco) con el fin de cambiar sus propiedades elctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de

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donoras (que donan un electrn). Estas impurezas suelen tener 5 electrones. De estos 5 electrones 4 formaran una unin con los tomos vecinos y 1 quedara libre. De esta forma este material contiene un mayor nmero de electrones libres comparados con los huecos libres. Este material es de tipo N debido a que la conduccin elctrica se produce debido a su gran nmero de electrones (Portadores mayoritarios) depolaridad negativa. En ambos casos la conduccin se hace por medio de los electrones pero se puede decir que en el material tipo P la conduccin se produce por el movimiento de huecos ya que los electrones se desprenden de una unin dejando un hueco para pasar a otro.

medido tena que variar desde 2 voltios hasta 11 voltios. Despus se midi la corriente del circuito con ayuda de un multmetro que se cambi a la funcin de ampermetro.

2.5 VOLTAJE DE RUPTURA El voltaje de ruptura es aquel voltaje mximo que se puede aplicar a los terminales del capacitor. Si se sobrepasa, el dielctrico se puede perforar provocando un corto circuito.

3. DESARROLLO EXPERIMENTAL Inicialmente se procedi a disear un circuito elctrico, el cual se conect a una fuente de poder AC en la parte negativa de dicho circuito se ubic una resistencia y un diodo, Posteriormente de haber armado este circuito, se procedi a medir los voltajes de la fuente, De la resistencia y del diodo, cabe destacar que se tomaron los datos de corriente colocando el diodo directo y el diodo invertido, el voltaje

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4 .DATOS OBTENIDOS EN EL LABORATORIO

TABLA 1: Valores de los voltajes y corriente obtenidos en el laboratorio.

4.1 Clculo y anlisis de resultados En la tabla 1 se pueden observar los datos obtenidos en el laboratorio, donde previamente a la obtencin de los datos se elabor un circuito, que constaba de una fuente de poder DC, una resistencia y un diodo, estos dos ltimos ambos en el negativo del circuito. Posteriormente una vez ya medidos todos los voltajes de la fuente de poder, la resistencia y el Diodo, e identificada el valor de la corriente del circuito gracias al Ampermetro, se procedi a determinar la Resistencia para cada pareja de datos obtenidos (voltaje-corriente) usando la siguiente frmula de la resistencia de la ley de ohm, antes de hallar las resistencias se debe tener en cuenta que las resistencias a encontrar todas fueron teniendo en cuenta el voltaje en el Diodo, as:

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de la resistencia tanto del Diodo referente al voltaje aplicado en ellos. Dnde: R= Resistencia V= Voltaje I= corriente Una vez ya usada la formula anterior obtenemos el valor de la resistencia para cada pareja de (voltaje-corriente), cuyos resultados estn expresados en la siguiente tabla 2: Debido a que se quiere estudiar el comportamiento lineal de dos factores, de la resistencia como del diodo, por lo tanto se deben hacer dos grficas, teniendo en cuenta el voltaje presente en cada uno de ellos y la corriente del circuito medida previamente por el ampermetro. Esto es: X Y

VOLTAJE (v) CORRIENTE (mA) 1.412 0.003 2.396 0.005 3.398 0.007 4.389 0.009 5.388 0.011 6.404 0.013 7.450 0.015 8.430 0.017 9.370 0.019 10.40 0.021 TABLA 3: Datos para la graficacin de I vs V con respecto a la Resistencia. TABLA 2: Valores de las Resistencias obtenidos con la ley de ohm Volviendo a la tabla 1, se puede observar claramente que a mayor voltaje aplicado en la fuente de poder DC, el voltaje presente en la resistencia aumentaba rpidamente, mientras que en el Diodo el voltaje aumentaba relativamente poco. Para hacer un estudio ms profundizado, procederemos a graficas los valores obtenidos, para as poder obtener un estudio ms preciso del comportamiento

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GRAFICA 1 Una vez ya graficado y estudiado el comportamiento de la resistencia, procederemos a analizar el comportamiento en el plano, respecto al Diodo, Pero para antes de graficar los valores cabe destacar previamente que la resultante sera un comportamiento de carcter No lineal, esto lo podemos deducir observando los datos obtenidos en el laboratorio, ya que se observa que a medida que se aumenta el voltaje en el circuito, el voltaje en el diodo aumente muy lentamente, por lo tanto si procedemos a graficar estos datos, la resultante debera demostrar un comportamiento No lineal. Esto si lo llevamos a cabo teniendo en cuanta los datos obtenidos en el laboratorio, esto es VOLTAJE EN EL DIODO(v) 0.594 0.620 0.639 0.653 0.663 0.673 0.680 0.687 0.693 0.698 CORRIENTE (mA) 0.003 0.005 0.007 0.009 0.011 0.013 0.015 0.017 0.019 0.021

0.025 0.02 0.015 0.01 0.005 0 0 5 10 15 Serie y = 0,002x

GRAFICA 1: Corriente (I) vs Voltaje (V) Respecto a la Resistencia. Como ya lo hemos podido identificar en experiencias anteriores, ya sabemos que para el caso de la resistencia, en su graficacin de I vs V se puede observar un comportamiento lineal, y se sabe que para la resistencia, la corriente es directamente proporcional al voltaje aplicado en el circuito. Y de esta graficacin obtuvimos que la pendiente es equivalente a 0.002, est pendiente si la remplazamos en la frmula de la corriente dada por la ley de ohm. Teniendo en cuenta que es equivalente a la pendiente obtenemos que

Como deseamos conocer el valor de la resistencia despejamos R:

TABLA 4: Datos para la graficacin de I vs V con respecto al Diodo. Por ende a la tabla 4, procedemos a la graficacin de I vs V para el Diodo.

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GRAFICA 2 PORCENTAJE DE ERROR %

0.025 0.02 0.015 0.01 Series1 0.005 0 0.55 0.6 0.65 0.7 0.75 Linear (Series1)

y = 0.1729x - 0.1021
y = 1,5139x2 - 1,7902x + 0,5325

Por ltimo el clculo los datos, se tuvo en Cuenta el valor porcentual del error, presente debido a que se est midiendo ciertas unidades como lo son, voltaje (v), Corriente (A) y Resistencia (R) con aparatos electrnicos que pueden sufrir alguna descompostura o des calibracin, y por lo tanto se debe hallar el error presente en cada uno de los resultados obtenido, y para ello utilizamos la formula general del valor porcentual del error, la cual viene dada de la siguiente manera:

GRAFICA 2: Corriente (I) vs Voltaje (V) Respecto al Diodo.

| |

Teniendo en cuantas las dos graficas obtenidas, 1 y 2. Si analizamos su comportamiento teniendo en cuenta sus materiales, la Resistencia y el diodo. Podemos concluir que la Resistencia obedece la ley de ohm, mientras que el Diodo no obedece dicha ley, ya que no Describe el comportamiento de carcter lineal que obedecen los conductores hmicos, en cambio de eso el diodo describe un comportamiento curvilneo, el cual se podra definir como una funcin cuadrtica, por lo tanto se puede afirmar que el diodo es un conductor No hmico o un conductor No lineal.

Este clculo del valor porcentual del error lo hacemos teniendo en cuenta las resistencias tericas y experimentales predefinidas antes de iniciar el presente informe, Resistencias cuyos valores eran de 500 y 495.5 Respectivamente, esto es:
| |

En esta experiencia debe considerarse que los valores de los voltajes experimentales obtenidos no son del todo acertados, debido al margen de error que se calcul en cada uno de los resultados, que por muy minsculo que parezca siempre posee una influenza significativa en el resultado final.

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5. CONCLUCIONES Se pueden concluir segn Los resultados de las pruebas realizadas, que el diodo no cumple la ley de ohm, En el caso del diodo estudiado experiencia anterior tambin se lleg a la conclusin de ser un componente semiconductor no hmico, dado que se necesita un voltaje determinado para que recin entonces sea capaz de permitir el paso a la corriente elctrica; adems es aislante en la direccin contraria al paso dela corriente, esto se comprob en el laboratorio al invertir el diodo y realizar una medicin que tuvo como resultado un valor cero, cabe aadir que el diodo al no cumplir la ley de ohm, nos arrojara una grfica ms o menos curva y no de carcter lineal.

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