UNIVERSIDAD NACIONAL JORGE BASADRE GROHMANN

FACULTAD DE INGENIERA
ESCUELA ACADMICO PROFESIONAL DE INGENIERA EN INFORMTICA Y SISTEMAS

Informe N4
Transistor Bipolar: Corte y Saturacin

Curso Docente Estudiante Cdigo Ao Horario

: : : : : :

Sistemas Electrnicos Digitales Ing. Ana Cori Moron Alonso Godinez Salazar 2012-36156 2do A Mircoles ,4:00 pm 6:00 pm 09/10/2013 23/10/2013

Fecha de elaboracin : Fecha de entrega :

TACNA PERU 2013

I.

Objetivos

Identificar y probar las terminales de un transistor BJT Identificar el tipo de transistor NPN o PNP Analizar cuando un transistor entra en modo de conmutacin Identificar las aplicaciones prcticas de un transistor

II.

Fundamento Terico
2.1. Transistor BJT: Los transistores bipolares son de tipo NPN o PNP, ya que estn formados por dos semiconductores contaminados con impurezas de diferente polaridad. El transistor bipolar est formado por una unin PN y por otra NP, caracterstica que hace que un semiconductor de determinado tipo se encuentre entre dos de tipo opuesto al primero, como se muestra en la figura 1. Lo que se obtiene con esta configuracin es una seccin que proporciona cargas (de huecos o de electrones) que son captadas por otra seccin a travs de la seccin media. El electrodo que proporciona las cargas es el emisor y el que las recoge es el colector. La base es la parte de en medio y forma las dos uniones, una con el colector y otra con el emisor. Adems, la base controla la corriente en el colector. Este tipo de transistores recibe el nombre de transistores de unin (El Prisma.com, 2013)

Figura 1. Tipos de Transistores NPN y PNP

Emisor La unin base-emisor se polariza en forma directa. Los valores del voltaje de polarizacin ms comunes son 0.3 v para el Ge y 0.7 v para el Si. El emisor P del transistor PNP de la figura 1a inyecta huecos a su unin con la base. La direccin de la corriente de huecos en el emisor est sealada por la flecha que aparece en su smbolo. Cuando la flecha apunta hacia la base la unin entre el emisor y ella es del tipo PN. En el transistor de la figura 1b, el emisor inyecta electrones en la base. Por consiguiente, para un emisor de tipo N el smbolo es una flecha que seala en direccin contraria a la base y opuesta al flujo de electrones. En los smbolos para transistores, el emisor es el nico que tiene una flecha. Cuando sta apunta hacia la base, el transistor es PNP; en caso contrario, el transistor es NPN. En la prctica, todos los transistores pequeos utilizados en amplificadores de audio y RF son de tipo NPN, fabricados con silicio y con voltajes de polarizacin directa entre la base y el emisor de 0.6 v

Colector
La funcin de este electrodo es remover las cargas de su unin con la base. En la figura 1a, el transistor PNP tiene un transistor P que recibe huecos. En el transistor NPN de la figura 1b, el colector N recibe electrones. La unin base-colector siempre tiene un voltaje con polarizacin inversa. Los valores ms frecuentes de este voltaje varan de 4 a 100 v. La polarizacin inversa impide el flujo de portadores mayoritarios del colector hacia la base. Sin embargo, en la direccin opuesta, de la base hacia el colector, el voltaje en este ltimo atrae las cargas en la base que proporciona el emisor.

Base L a base separa el colector del emisor. La unin base-emisor tiene polarizacin
directa y, por tanto, la resistencia del circuito del emisor es muy baja. La unin base-colector tiene polarizacin inversa y, por consiguiente, la resistencia del circuito del colector es muy grande

Zonas de funcionamiento del transistor bipolar: Activa directa El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente). Este parmetro lo suele proporcionar el fabricante dndonos un mximo y un mnimo para una corriente de colector dada (Ic); adems de esto, suele presentar una variacin acusada con la temperatura y con la corriente de colector, por lo que en principio no podemos conocer su valor. Algunos polmetros son capaces de medir este parmetro pero esta medida hay que tomarla solamente como una indicacin, ya que el polmetro mide este parmetro para un valor de corriente de colector distinta a la que circular por el BJT una vez en el circuito. Saturacin En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor. Corte El transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan prcticamente nulas (y en especial Ic). Activa inversa Esta zona se puede considerar como carente de inters

III.

Materiales y Equipo

Transistores BC548 ,BC547 1 Multmetro digital/M-1740 ELENCO Cables de prueba 1 Fuente de tensin alterna 0-9 V 2 Diodos LED 2 Condensadores 100F Resistencias de 300(2) ,1k(2) 1 Protoboard

IV.

Procedimiento y Desarrollo 4.1. Experiencia 1 : Identificacin fsica del transistor

1. Se ubic el selector del multmetro en la funcin diodos 2. Se fij la punta negativa en una pata del transistor y altern la punta positiva con las dos patas restantes 3. Se observ si se notaba algn resultado en el display del multmetro al probar las puntas positivas. Si no era as, se fij la punta negativa en otra pata y repiti el procedimiento 4. Se identific las terminales del transistor y anot los resultados en una tabla 5. Se tom el transistor y se introdujo en el multmetro con transistmetro 6. Se coloc el transistor en todas las combinaciones posibles hasta que el display del multmetro marque una medida 7. Se anot la posicin correcta del transistor y su ganancia a temperatura ambiente en una tabla

4.2. Experiencia 2 : Oscilador basado en corte-saturacin

1. Se arm el siguiente circuito en el protoboard

Figura 2: Circuito del oscilador basado en corte-saturacin 2. Se conect el circuito a una fuente de alimentacin de 9V y se observ

V.

Resultados y discusiones 5.1. Experiencia 1 : Identificacin fsica del transistor

Tras probar las patas del transistor para encontrar la base, emisor, colector, y luego medir los voltajes colector-base y base-colector. Estos fueron los datos obtenidos

TRANSISTOR BC547B 2NB9004 BC548

POLARIDAD NPN NPN NPN

VCB 0.722 0.696 0.677

VBE 0.720 0.690 0.650

GRFICO E-B-C E-B-C C-B-E

Tabla 1: Voltajes Colecto-Emisor-Base de transistores

La prueba de diodos en el multmetro digital sirve para medir la continuidad de este. Luego de medir los transistores con el transistmetro del multmetro se obtuvo los siguientes resultados:

TRANSISTOR BC547B 2NB9004 BC548

POLARIDAD NPN NPN NPN

hFE 305 187 356

GRFICO E-B-C E-B-C C-B-E

Tabla 1: Ganancia de los transistores

El transistmetro del multmetro mide el hFE, que es la ganancia de corriente del emisor comn del transistor. El aumento de temperatura hace que aumente la ganancia hasta cierto punto, en este punto la ganancia decae muy rpido

5.2. Experiencia 2: Oscilador en corte-saturacin

Tras armar el circuito dado, se observ que los LED prendan intercaladamente

Figura 3: Circuito del oscilador basado en corte-saturacin con fuente administrada

Esto es porque un los transistores tambin permutaban sus estados entre corte y saturacin. Si cambiamos los condensadores por unos de menor capacidad, quizs los LED no logren encenderse, esto es porque condensadores de menor capacidad no guardan mucha energa de la fuente, por consiguiente la base quizs no reciba voltaje suficiente.

CUESTIONARIO

a) Relacin entre corriente y voltaje en un transistor

Un transistor es un dispositivo controlado por voltaje es decir, que del voltaje depende si el transistor se polariza inversa o directamente, por ende este dejara o no pasar corriente a travs l.

b) Aplicaciones prcticas del transistor en corte-saturacin

Funciona como interruptor para la realizacin de circuitos de control (integrados), control de rels, control de lmparas, modulacin por anchura de impulsos PWM

VI.

Conclusiones Las terminales de un transistor son el emisor, la base y el colector Se puede identificar si un transistor es PNP o NPN por la posicin de la base. Si la base est ubicada en el centro entonces el transistor ser NPN, y en otro caso el transistor ser PNP Se logra la conmutacin de estados corte-saturacin en transistores gracias a un capacitor o condensador gracias a su carga y descarga La aplicacin ms prctica de un transistor es utilizarlo como un switch en los circuitos integrados

VII.

Referencias Bibliogrficas
El Prisma.com. (22 de Octubre de 2013). El Prisma. Obtenido de http://www.elprisma.com/apuntes/ingenieria_electrica_y_electronica/transistors/default.asp Young Freedman, S. Z. (2009). Fisica Universitaria, con fisica moderna. Mexico: Pearson.