Universidad de Costa Rica Facultad de Ingeniera Escuela de Ingeniera Elctrica

IE 0502 Proyecto Elctrico

Montaje y prueba de un fotodiodo de silicio y una celda de selenio en un fotmetro del laboratorio

Por: Hugo Alberto Mejas Espinoza

Ciudad Universitaria Rodrigo Facio Agosto del 2008

Montaje y prueba de un fotodiodo de silicio y una celda de selenio en un fotmetro del laboratorio
Por: Hugo Alberto Mejas Espinoza

Sometido a la Escuela de Ingeniera Elctrica de la Facultad de Ingeniera de la Universidad de Costa Rica como requisito parcial para optar por el grado de: BACHILLER EN INGENIERA ELCTRICA Aprobado por el Tribunal:

_________________________________ Ing. Lus Diego Marn Profesor Gua

_________________________________ Ing. Leonardo Steller Profesor lector

_________________________________ Ing. Max Obando Profesor lector

ii

DEDICATORIA

A Dios y mi familia

ii

RECONOCIMIENTOS
A mis campaneros de universidad y el profesor gua, que me ayudaron siempre en todo lo que necesitaba

iv

NDICE GENERAL

NDICE DE FIGURAS ................................................................................. vi NDICE DE TABLAS .................................................................................. vii NOMENCLATURA .................................................................................... viii RESUMEN ..................................................................................................... ix CAPTULO 1: Introduccin ......................................................................... 7
1.1 1.2 1.3 Descripcin del trabajo ...........................................................................................7 Justificacin ............................................................................................................7 Objetivos .................................................................................................................8 1.3.1 Objetivo general .................................................................................................. 8 1.3.2 Objetivos Especficos ......................................................................................... 8 1.4 Metodologa ............................................................................................................9

CAPTULO 2: Desarrollo terico ............................................................... 10

2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 3.1 3.2 Fotmetro de alta sensitividad Marca Pasco Model OS-8020 .............................10 Celda de selenio ....................................................................................................13 Fototransistor BPW77N ........................................................................................16 Circuito convertidor de corriente a tensin...........................................................18 Filtros de densidad neutral ....................................................................................21 Mediciones con la celda de selenio (con un haz de luz incandescente) ...............24 Mediciones con los filtros de densidad neutral .....................................................29

CAPTULO 3: Datos experimentales ......................................................... 24

CAPTULO 4: Conclusiones y recomendaciones ...................................... 34 BIBLIOGRAFA .......................................................................................... 36 APNDICES ................................................................................................. 37

Manual del fotmetro de alta sensitividad. ...........................................................................37 Hoja del fabricante del fototransistor BPW77N. ..................................................................41

NDICE DE FIGURAS

Figura 2.1 fotmetro marca PASCO, modelo OS-8020 ................................................... 10 Figura 2.2 Diagrama del fotmetro marca PASCO, modelo OS-8020............................. 11 Figura 2.3 Diagrama de un amplificador inversor ............................................................ 12 Figura 2.4 Diagrama de conexin de una celda de selenio [2] ......................................... 14 Figura 2.5 Grafica de la respuesta espectral de la celda de selenio .................................. 14 Figura 2.6 Espectro de luz visible por el hombre ............................................................. 15 Figura 2.7 Configuracin de un fototransistor [4] ............................................................ 17 Figura 2.8 Grafica del respuesta espectral del fototransistor ............................................ 18 Figura 2.9 Diagrama de un convertidor corriente a tensin.............................................. 19 Figura 2.10 Filtro de densidad neutral .............................................................................. 21 Figura 3.1 Grafico de la sensitividad vrs el voltaje .......................................................... 28 Figura 3.2 Grafico de filtro de densidad neutral vrs tensin ............................................ 31 Figura 3.3 Grafico de filtro de densidad neutral vrs tensin para el lser ........................ 33

NDICE DE TABLAS

Tabla 3.1 Tabla de datos Sensitividad 1000 a diferentes distancias ................................. 25 Tabla 3.2 Tabla de datos Sensitividad 300 a diferentes distancias ................................... 25 Tabla 3.3 Tabla de datos Sensitividad 100 a diferentes distancias ................................... 26 Tabla 3.4 Tabla de datos Sensitividad 30 a diferentes distancias ..................................... 26 Tabla 3.5 Tabla de datos Sensitividad 10 a diferentes distancias ..................................... 27 Tabla 3.6 Tabla de datos Sensitividad 3 a diferentes distancias ....................................... 27 Tabla 3.7 Tabla de datos Sensitividad 1 a diferentes distancias ....................................... 28 Tabla 3.8 Tabla de datos a sensitividad 1 con diferentes filtros de densidad neutral ....... 29 Tabla 3.9 Tabla de datos a sensitividad 3 con diferentes filtros de densidad neutral ....... 29 Tabla 3.10 Tabla de datos a sensitividad 10 con diferentes filtros de densidad neutral ... 30 Tabla 3.11 Tabla de datos a sensitividad 30 con diferentes filtros de densidad neutral ... 30 Tabla 3.12 Tabla de datos a sensitividades variables con diferentes FDN ....................... 32

NOMENCLATURA
FDN Filtro de densidad neutral

RESUMEN

Hacer pruebas con el la celda de selenio, existente en el fotmetro marca PASCO modelo OS-8020 para comprobar la exactitud del dispositivo a la hora de censar la intensidad luminosa, realizando pruebas a diferentes distancias, y con diferentes filtros de densidad neutral. Se utilizan tanto un haz de luz incandescente, as como un lser. Por la mala respuesta del dispositivo al cambiar los FDN, se propone cambiar el censor por un fototransistor BPW77N, pero agregndole un circuito convertidor de corriente a tensin, el cual soluciona varios problemas de implementar dicho dispositivo, en el fotmetro de alta sensitividad.

CAPTULO 1: Introduccin
1.1 Descripcin del trabajo
Este trabajo consiste en analizar las caractersticas pticas de dos fotodetectores semiconductores, el fotodiodo de silicio y la celda de selenio, y comparar su funcionamiento en un fotmetro de laboratorio. Para ello se harn pruebas con el fotmetro de laboratorio marca PASCO modelo OS8020 con ambos dispositivos.

1.2

Justificacin
El creciente desarrollo de la tecnologa, ha sido posible gracias la aparicin de sensores de alta precisin. Los sensores pticos no escapan ha este aporte, como en

los aparatos electrnicos que disminuyen el consumo de energa por las noches, en el desarrollo de innovadoras sustancias qumicas bajo luz controlada, en sistemas de seguridad, por mencionar algunos. Se justifica este trabajo al realizar la comparacin de datos obtenidos en pruebas de laboratorio, tanto con el fotodiodo de silicio como con la celda de selenio, para determina cual es ms eficiente para esta funcin

1.3

Objetivos

1.3.1

Objetivo general Realizar un procedimiento de comparacin entre una celda de selenio y un fotodiodo de silicio medir la cantidad de luz relativa en un fotmetro de laboratorio

1.3.2

Objetivos Especficos Estudiar y documentar los principios tericos de la fotodeteccin con base en celdas de selenio y fotodiodos de silicio para medir magnitudes fotomtricas.

Analizar la eficiencia del fotmetro marca PASCO modelo OS-8020 existente en LAFTLA funcionando con una celda de selenio.

Analizar las caractersticas pticas y elctricas del fototransistor BPW77N para su montaje en el fotmetro marca PASCO modelo OS-8020.

Repetir un anlisis de eficiencia del fotmetro marca PASCO modelo OS-8020 existente en LAFTLA funcionando con el fototransistor modelo BPW77N.

Comparar resultados de diversos experimentos de medicin de cantidad de luz

1.4

Metodologa
Investigacin bibliogrfica para el desarrollo del marco terico, lo que permite fundamentar las generalidades y los conceptos necesarios para el entendimiento del tema en estudio. (3 semanas)

Realizar prcticas para familiarizarse con soldadura sobre dispositivos sensibles a la temperatura. (2 semanas)

Realizar pruebas del laboratorio para comprobar las caractersticas pticas de los dispositivos en estudio. (4 semanas)

Realizar una comparacin entre los el fotodiodo de silicio y la celda de selenio. (4 semanas)

Escribir informe final. (3 semanas)

10

CAPTULO 2: Desarrollo terico

2.1 Fotmetro de alta sensitividad Marca Pasco Model OS-8020
Para este proyecto se utiliza el fotmetro de alta sensitividad marca PASCO modelo OS-8020, perteneciente al laboratorio de fotnica y tecnologa lser aplicada (LAFTLA), pero al ser un modelo antiguo (alrededor de 1977) se desea cambiar la celda de selenio que posee actualmente por una fototransistor de ms alta sensitividad BPW77N. El fotmetro es una herramienta de medicin de luz incidente de aproximadamente de 0,1 1.000 lux

Figura 2.1 fotmetro marca PASCO, modelo OS-8020

Si La herramienta se utiliza sin sonda para adquirir las mediciones se puede determinar la luz incidente en funcin del ngulo de incidencia. Pero para estos experimentos, no es factor de importancia, por ello se instala la sonda de fibra ptica para tener un mejor control sobre la superficie en la cual se desea la lectura.

11 El fotmetro tiene el siguiente esquemtico, donde se logra apreciar como se comporta el circuito internamente.

Figura 2.2 Diagrama del fotmetro marca PASCO, modelo OS-8020

En el diagrama del circuito del fotmetro se observa que el amplificador operacional LF356 tiene una configuracin de amplificador inversor. Como se muestra en la siguiente figura:

12

Figura 2.3 Diagrama de un amplificador inversor El voltaje en Vin no es cero, como se muestra en la figura 2.2, pues hay un pequeo voltaje generado por la celda de selenio (ms adelante se explicara como). Con lo anterior se puede determinar la variacin de la ganancia de salida, con la siguiente formula propia de un amplificador operacional en configuracin de inversor y con ello tener control de la seal de salida:
Vout = Rf Rin

Vin

(2.1-1)

Para variar la sensitividad se cambia nicamente la resistencia de retroalimentacin (Rf) en el amplificador operacional LF356, el cual va en funcin inversa de la resistencia. Para variar el cero (punto ms oscuro). Se vara la resistencia que alimenta el offset del amplificador operacional LF356, hasta lograr el punto en que la aguja de la pantalla se ubica en la posicin exacta del cero. Pero la parte ms importante es el comportamiento del la celda de selenio en el circuito del fotmetro de alta sensitividad. Esta celda alimenta la ganancia negativa del

13 amplificador operacional LF356. Variando la resistencia (Rin) como se explicara ms adelante.

2.2

Celda de selenio
Este semiconductor es muy utilizado en la electrnica actual, y tambin en alto

voltaje debido a sus propiedades cuando interacciona con la luz. Cuando la luz incide sobre una celda de selenio, el bombardeo de fotones libera gran cantidad de electrones de los tomos del semiconductor generando cargas libres, tanto positiva como negativa. Si al semiconductor se le conectan dos cables (uno por cada zona), se verifica la existencia de un voltaje entre los mismos. Si los terminales de la celda son conectados a una carga elctrica, circular una corriente elctrica en el circuito formado por la celda, los cables de conexin y la carga externa. Pero hay que dejar claro que solo una parte del espectro luminoso es capaz de generar dicho comportamiento, por ello las celdas de selenio no pueden usarse en censores de iluminacin de longitudes de onda muy largas (infrarrojos) o muy cortas (ultravioleta) e incluso en varios del espectro visible. Este espectro es definido por el fabricante en funcin de su construccin.

14

Figura 2.4 Diagrama de conexin de una celda de selenio [2]

Para la celda de selenio del fotmetro PASCO el fabricante determina el espectro de de funcionamiento en la siguiente grafica:

Figura 2.5 Grafica de la respuesta espectral de la celda de selenio

15 Como es espectro de la luz visible por el hombre se encuentra alrededor de los 400 a los 700 nanmetros (ver figura 2.6), si se considera capaz de tomar mediciones en el espectro de luz visible.

Figura 2.6 Espectro de luz visible por el hombre

Dado que la variacin de la intensidad de luz a voltaje es no lineal (produciendo voltajes en circuito abierto entre 200 y 600 mV), generalmente se relaciona con la magnitud de la corriente (aprovechando la reduccin de la resistencia con el incremento en intensidad de luz), producindose una relacin bastante lineal. [3] La eficiencia de conversin es la relacin entre la energa elctrica generada y la energa luminosa utilizada para obtenerla. Esta relacin es dada en forma porcentual, de la energa generada entre la energa incidente. En el presente, celdas producidas en escala industrial tienen una eficiencia de conversin que oscila entre un 9 y un 12 %. El valor terico mximo para la eficiencia de una celda de selenio que responde solamente a un

16 rango reducido del espectro luminoso, es de alrededor del 25 al 28% [2], dependiendo del material semiconductor. Recalcando que el sistema de conversin elctrico de los ms bajos hasta ahora utilizados, si lo comparamos con la eficiencia de una mquina elctrica, que transforma energa mecnica a energa elctrica (alredor de 90% a 98% de eficiencia). Y para evitar prdidas por la luz reflectada se deposita una finsima capa de material antirreflectante. Debido a su alta capacitancia, las celdas selenio presentan respuestas mayores a 5 milisegundos. La principal desventaja de las celdas es su sensitividad a cambios en temperatura

2.3

Fototransistor BPW77N
Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, solo que puede

trabajar de 2 maneras diferentes: - Como un transistor normal con la corriente de base (Ib) (modo comn) - Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminacin). Se pueden utilizar las dos en forma simultnea, aunque el fototransistor se utiliza principalmente con la patita de la base sin conectar. (IB = 0) La corriente de base total es igual a corriente de base (modo comn) + corriente de base (por iluminacin): IBT = IB + IP Si se desea aumentar la sensibilidad del fototransistor, debido a la baja iluminacin, se puede incrementar la corriente de base (IB), con ayuda de polarizacin externa

17 El circuito equivalente de un fototransistor, es un transistor comn con un fotodiodo conectado entre la base y el colector, con el ctodo del fotodiodo conectado al colector del transistor y el nodo a la base.

Figura 2.7 Configuracin de un fototransistor [4]

El fototransistor es muy utilizado para aplicaciones donde la deteccin de iluminacin es muy importante. Como el fotodiodo, tiene un tiempo de respuesta muy corto, solo que su entrega de corriente elctrica es mucho mayor. En el grfico se puede ver el circuito equivalente de un fototransistor. Se observa que est compuesto por un fotodiodo y un transistor. La corriente que entrega el fotodiodo (circula hacia la base del transistor) se amplifica veces, y es la corriente que puede entregar el fototransistor. Siendo es la ganancia de corriente del fototransistor [4]. Es un fototransistor de alta sensitividad tiene un espectro de funcionamiento que encierra la luz visible, como tambin gran parte de la longitud infrarroja (mayor a los 700 nanmetros). Como se muestra en la siguiente figura:

18

Figura 2.8 Grafica del respuesta espectral del fototransistor

2.4

Circuito convertidor de corriente a tensin

Uno de los problemas que se encuentra referente a la sustitucin de la celda de

selenio con el fototransistor es que el transistor no genera ningn potencial, por el contrario genera un diferencial de corriente en funcin del la intensidad de luz captada por el fotosensor. Otro detalle importante es: El fototransistor requiere de una alimentacin externa, al comportarse como un transistor comn, la compuerta de la corriente que comnmente se controla con la patilla B (base) es sustituida por la intensidad de luz del sensor, pero este censor no genera potencial

19 como si lo hace la celda de selenio, debe implementarse una fuente con una resistencia para generar la corriente que el foto transistor va a controlar. La corriente que varia en el transistor, es muy pequea, y es difcil para que sea analizada por el fotmetro de alta sensitividad, para resolver este problema debe amplificarse por medio de un amplificador operacional. Todos los detalles anteriormente analizados se pueden resolver con un circuito sencillo, el cual posee todas las condiciones de amplificacin y conversin que se requieren.

Figura 2.9 Diagrama de un convertidor corriente a tensin

Aunque se pueden utilizar un gran nmero de amplificadores operacionales diferentes para realizar esta amplificacin, se utiliza en este caso un LM308, debido a que tiene una excelente ganancia, es ms inmune al ruido que otros operacionales y su respuesta de frecuencia es mejor (Hay que tomar en cuenta que la ganancia de un amplificador operacional disminuye al aumentar la frecuencia). [5]

20 Este circuito est diseado para recibir pulsos de luz. Si se desea que este amplificador se utilice como detector de luz hay que retirar el condensador C1 y el fotodiodo debe de conectarse directamente a la entrada no inversora (smbolo negativo) del amplificador operacional (patilla 2). Este circuito es muy sensible y funciona muy bien como receptor de de seales de luz. El amplificador esta configurado como un amplificador inversor. Esto significa que la forma de onda de la salida es opuesta a la de la entrada (est desfasada 180). La ganancia del amplificador se puede controlar con ayuda del potencimetro R2 Otra manera de observar este circuito es como convertidor de corriente (corriente del fotodiodo) a tensin (salida del amplificador operacional). El voltaje de salida es el producto de la corriente del fotodiodo por la resistencia R1 El capacitor C2 se utiliza en el LM308 para mejorar su respuesta de frecuencia. Este circuito puede funcionar tambin con el amplificador operacional 741C (ms barato), pero la ganancia y la respuesta de frecuencia es menor. En este caso el capacitor C2 no es necesario El voltaje de alimentacin puede estar entre los 6 y 15 Voltios [5]

21

2.5

Filtros de densidad neutral

Los filtros de densidad neutral no dependen de la longitud de onda, ideales para sistemas de control de la iluminacin. Como controlar la cantidad de luz que pasa a la cmara, sin que afecte a la calidad cromtica de las imgenes.

Figura 2.10 Filtro de densidad neutral

Por el material con el que estn fabricados (vidrio ptico gris neutro de alta calidad), filtran todo el espectro visible, permitiendo la reduccin de la intensidad de la luz sin que se altere el color o el contraste. Mediante su uso disminuye la cantidad de luz que llega a la pelcula. Esto permite trabajar con diafragmas abiertos (menor nmero f/) o tiempos de exposicin largos.

22

La misin principal de los filtros de densidad neutra (ND) es reducir la cantidad de luz que pasa a travs de la lente. Como resultado, si mantenemos la misma velocidad de obturacin que tenamos antes de aplicar el filtro, una vez aplicado ste necesitaremos una apertura de diafragma mayor para obtener la misma exposicin. Del mismo modo, si mantenemos la apertura, necesitaremos una velocidad de obturacin ms lenta para que pueda pasar la misma cantidad de luz que antes de aplicar el filtro.

Estos filtros presentan un comportamiento lineal en su transmitancia (T) y de ella se deriva la densidad ptica (D) la cual tiene un comportamiento logartmico con respecto a T, dado por la siguiente formula:

1 D = log T

(2.5-1)

Generalmente se usa la densidad ptica relativa (Dr), dada por diferencia de la densidad ptica (D) recubierto por un sustrato y la densidad ptica (Do) en la misma regin sin el recubrimiento del sustrato. Representado por:

D r = D Do

(2.5-2)

En trminos del ndice de refraccin n se tiene:

1 D0 = 2 log n + 4n (2.5-3)

23 Los filtros de densidad neutral tambin ayudan ha:

Reducir la intensidad de la luz.

Hay ocasiones en las que la combinacin de la apertura ms pequea de nuestra cmara (p.e., f 8.0) y la velocidad de obturacin mayor (p.e.,
1 ) no son suficientes para 2000

lograr una exposicin correcta de la fotografa. En esos casos, un filtro ND permite limitar la cantidad de luz que pasa a travs de la lente. Un caso en el que se produce esto es con el uso de ISO alto.

Utilizar una velocidad de obturacin menor

Reducir la intensidad de la luz significa que podemos utilizar una velocidad de obturacin menor o una apertura del diafragma mayor. Una velocidad de obturacin menor puede causar que aparezcan borrosos los objetos en movimiento, consiguiendo una mayor sensacin de movimiento.

Utilizar una apertura de diafragma mayor

Ya que los filtros ND reducen la cantidad de luz que puede pasar a travs de la lente, se pude utilizar para incrementar la apertura del diafragma mientras mantenemos la misma velocidad de obturacin. Teniendo en cuenta que cuanto mayor es apertura del diafragma, menor es la profundidad de campo, se puede aplicar el filtro ND para conseguir una profundidad de campo menor sin que nuestras fotografas queden sobreexpuestas.

24

CAPTULO 3: Datos experimentales

3.1 Mediciones con la celda de selenio (con un haz de luz incandescente)
Las primeras mediciones se realizaron con la celda de selenio existente en el fotmetro de alta sensitividad PASCO. Los primeros experimentos consisten en hacer una variacin de la longitud a varias sensitividades y determinar tanto la intensidad relativa (dado en la pantalla del fotmetro) como la tensin obtenida por medio de un multmetro que se coloca en el fotmetro, de un haz de luz incandescente. Se tiene extremo cuidado en la calibracin de los instrumentos de medicin, colocando el cero mecnico y el cero elctrico en el fotmetro justo sobre la lnea cero del la pantalla principal. Los rieles se calibraron por medio de un lser para comprobar que el censor y la lnea descrita por el haz de luz generado se desplacen congruentemente, con un margen de error imperceptible por el ojo humano. Para cada variacin de la sensitividad se tomo el tiempo para calibrarlo de tal forma que todos empezaran en el mismo cero, tratando de que las graficas fueran lo ms congruentes posibles entre si, y as determinar si cumple con la ley del cuadrado inverso, o si tiene un comportamiento lineal.

25

Tabla 3.1 Tabla de datos Sensitividad 1000 a diferentes distancias

Exp 1
Distancia (cm) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Sensitividad 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 Intensidad relativa 8,6 2,9 1,25 0,7 0,4 0,3 0,25 0,2 0,19 0,19 Tensin (mVolts) 726 403 315 286 271,1 263,9 259,5 256,9 254,9 253,5

Tabla 3.2 Tabla de datos Sensitividad 300 a diferentes distancias

Exp 2
Distancia (cm) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 Sensitividad 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 Intensidad relativa 8,8 2,7 1,2 0,7 0,5 0,3 0,21 0,2 0,19 0,18 0,18 Tensin (mVolts) 738 395 312,9 284,7 272,1 264,4 259,8 256,9 254,8 253,3 252,2

26

Tabla 3.3 Tabla de datos Sensitividad 100 a diferentes distancias

Exp 3
Distancia (cm) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 Sensitividad 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 Intensidad relativa 9 3 1,3 0,8 0,45 0,3 0,25 0,2 0,18 0,17 0,17 Tensin (mVolts) 752 406 318,6 286,5 271,3 263,9 259,6 256,5 254,4 252,9 251,7

Tabla 3.4 Tabla de datos Sensitividad 30 a diferentes distancias

Exp 4
Distancia (cm) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 Sensitividad 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 Intensidad relativa 8,1 2,62 1,1 0,65 0,43 0,3 0,25 0,19 0,18 0,18 0,18 Tensin (mVolts) 695 388 305,2 282,9 269,6 263,6 260 257,4 255,8 254,7 253,6

27

Tabla 3.5 Tabla de datos Sensitividad 10 a diferentes distancias

Exp 5
Distancia (cm) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 Sensitividad 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 Intensidad relativa 8,3 2,5 1 0,6 0,4 0,23 0,21 0,19 0,18 0,16 0,16 Tensin (mVolts) 706 382,8 301 278,8 267 260,8 257 254,5 252,6 251,4 250,4

Tabla 3.6 Tabla de datos Sensitividad 3 a diferentes distancias

Exp 6
Distancia (cm) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 Sensitividad 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 Intensidad relativa 9,4 3 1,3 0,8 0,5 0,4 0,3 0,21 0,21 0,2 0,18 Tensin (mVolts) 765 410 319,6 287,9 274,2 266,1 261,4 258,3 256 254,7 253,5

28

Tabla 3.7 Tabla de datos Sensitividad 1 a diferentes distancias

Exp 7
Distancia (cm) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 Sensitividad 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 Intensidad relativa 9,4 2,9 1,3 0,8 0,5 0,4 0,3 0,23 0,2 0,2 0,18 Tensin (mVolts) 765 401 317,3 287,2 274 268,2 263,9 261 259,2 257,1 256

900

800

700

600 Sensibilidad 1000 Voltaje (mVolts) 500 Sensibilidad 300 Sensibilidad 100 Sensibilidad 30 Sensibilidad 10 Sensibilidad 3 Sensibilidad 1

400

300

200

100

0 0 2 4 6 Longitud (cm) 8 10 12

Figura 3.1 Grafico de la sensitividad vrs el voltaje

29

3.2 Mediciones con los filtros de densidad neutral

Con un procedimiento similar al experimento anterior, pero colocando la fibra ptica a una distancia fija que origine una medida alta en el display de intensidad relativa, con el fin de poder usar los filtros de densidad neutral a variados porcentajes. Se procede a realizar estos mismos pasos pero cambiando la sensitividad, hasta donde sea permitido por la celda de selenio. Se tomaran medidas de la tensin, dada por el multmetro, y de sensitividad relativa, dada por el fotmetro de alta sensitividad.

Tabla 3.8 Tabla de datos a sensitividad 1 con diferentes filtros de densidad neutral
Filtro (%) 50 10 1 0 Sensitividad 1 1 1 1 Tensin (mV) 519 300 254,4 758 Intensidad relativa Distancia (cm) 4,2 0,8 0,05 7,8 10,6 10,6 10,6 10,6

Tabla 3.9 Tabla de datos a sensitividad 3 con diferentes filtros de densidad neutral
Filtro (%) 50 10 1 0 Sensitividad 3 3 3 3 Tensin (mV) 506 301,7 253,6 756 Intensidad relativa Distancia (cm) 4,2 8,5 0,8 8,5 0,05 8,5 8,5 8,5

30

Tabla 3.10 Tabla de datos a sensitividad 10 con diferentes filtros de densidad neutral
Filtro (%) 50 10 1 0 Sensitividad 10 10 10 10 Tensin (mV) 500 300 253 751 Intensidad relativa Distancia (cm) 4,2 4,3 0,8 4,3 0,05 4,3 8,4 4,3

Tabla 3.11 Tabla de datos a sensitividad 30 con diferentes filtros de densidad neutral
Filtro (%) 50 10 1 0 Sensitividad 30 30 30 30 Tensin (mV) 519 229 254 760 Intensidad relativa Distancia (cm) 4,2 3,5 0,8 3,5 0,05 3,5 8,55 3,5

31

Con los datos anteriores se crea la siguiente grafica:

FND vrs Volts

800

700

600

500 Sensitividad 1 Filtro (%) Sensitividad 3 400 Sensitividad 10 Sensitividad 30 300

200

100

0 0 20 40 60 Tensin (mV) 80 100 120

Figura 3.2 Grafico de filtro de densidad neutral vrs tensin

Ahora sustituyendo el haz de luz incandescente por un lser, con longitud de onda cercana a los 725nm (color rojo), donde la distancia es variada pues por ser un haz intenso la variacin de la intensidad relativa en funcin de la longitud es casi imperceptible por el fotmetro.

32

Se toman medidas con diferentes filtros de densidad neutral y a variables sensitividades, en este caso solo vamos a usar las mediciones dadas por el multmetro que se coloca en el fotmetro. Para esta parte es de vital importancia la calibracin del haz con la superficie de la fibra ptica, si la superficie de la fibra no es cubierta completamente con el rea del haz del lser, puede generar mediciones que se alejan mucho de las esperadas.

Tabla 3.12 Tabla de datos a sensitividades variables con diferentes FDN

Sensitividad 1000 300 100 Tensin mV Filtro 50% Filtro 10% 297 270 416 331 760 504

Sin filtro 304,3 451 869

Filtro 1% 247,8 255 276

Con los datos anteriormente obtenidos se genera el siguiente grafico:

33

FDN vrs Volts

1000

900

800

700

Tensin (mV)

600 Sensitividad 1000 Sensitividad 300 Sensitividad 100 400

500

300

200

100

0 0 20 40 60 Filtro de densidad neutral (%) 80 100 120

Figura 3.3 Grafico de filtro de densidad neutral vrs tensin para el lser

34

CAPTULO 4: Conclusiones y recomendaciones

En la primera etapa del proyecto se hicieron mediciones con la celda de selenio con el fin de ver su comportamiento a diferentes distancias, estos datos son reflejados en la figura #3.1, aqu se demuestra que posee un comportamiento muy cercano a la funcin del cuadrado inverso, teniendo como limite la medicin de la luz ambiente, que es justo lo esperado del comportamiento propio de la luz. Haciendo las mediciones con los filtros de densidad neutral no se tienen los mismos resultados satisfactorios dados en la primera etapa de experimentacin, el valor final dado por el multmetro no varia en forma equitativa con los valores de los filtros de densidad neutral, ya que no atena la luz como se esperara. Esto para ambos grficos obtenidos con las diferentes fuentes de luz, lser y luz incandescente Para mejorar estas graficas es cuestin de agregar un mejor transductor al circuito del fotmetro de alta sensitividad, una recomendacin es agregar un fototransistor, dispositivo que se encarga de abrir o cerrar una compuerta en funcin de la intensidad de la luz, a diferencia de la celda de selenio que genera una excitacin y un diferencial de voltaje en funcin de la variacin de la intensidad de la luz. Para utilizar el fototransistor BPW77N en el fotmetro se tiene el problema de la diferencia de funcionamiento en comparacin con la celda de selenio, especficamente en la respuesta que generan con la excitacin de la luz. El transistor no genera voltaje como si lo hace la celda de selenio, adems de que el fotmetro funciona con un diferencial de

35

voltaje y no con un diferencial de corriente. Otro punto de inters es la baja intensidad del amperaje entregado por el fototransistor, el cual es bastante difcil de censar. La propuesta presentada en este reporte, especficamente explicada en el capitulo 2.4, es complementar al fototransistor un convertidor de corriente a tensin, con este circuitos integrado se garantiza que la corriente es amplificada, mejorando la respuesta del dispositivo a cambios mnimos de en la iluminacin. Revisando el fotmetro internamente se puede conectar al transformador existente a 12Volts, y fsicamente no habra problema de agregar dicho circuito.

BIBLIOGRAFA
1. Bolaos, G, Procedimientos para mejora del uso del espectrofotmetro marca

PASCO usando el programa DataStudio aplicado a estudios radiomtricos para el LAFTLA , 2008.
2. L. Gasquet, H. Conversin de la Luz Solar en Energa Elctrica, Primera Edicin, 2005. Pginas web: 3. Transductores fotoelctricos, http://www.angelfire.com/un/biomedicafime/CLASE_11.pdf . 4. Fototransistores, fotorresistencias y fotodiodos, http://www.angelfire.com/un/biomedicafime/CLASE_11.pdf . 5. Amplificador para fotodiodo, convertidor corriente a tensin, http://www.unicrom.com/cir_ampl_fotodiodo.asp

37

APNDICES
Manual del fotmetro de alta sensitividad.

38

39

40

41

Hoja del fabricante del fototransistor BPW77N.

42

43

44

45

46