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30 DE OCTUBRE DE 2013

PRACTICA 3. TRANSISTORES BJT.


ELECTRNICA ANALGICA.
JUAN ALBERTO LPEZ GARCA.
UNIVERSIDAD POLITCNICA DE TULANCINGO.

Transistores BJT.
Los transistores fueron creados en los laboratorios Bell en el ao de 1947, sus siglas en ingles BJT (Bipolar Junction Transistor) se le da por la unin de tres materiales semiconductores, se pueden
encontrar en unin NPN y PNP, unin de materiales tipo N y P, anteriormente se haban descubierto los transistores FET (Field Effect Transistor), pero en ese momento no se les haba encontrado una aplicacin, por lo que no se fabricaron masivamente hasta despus, por eso se les considera a los BJT como los primeros en tener aplicaciones reales. Los transistores BJT poseen tres terminales (E) Emisor, (C) Colector y (B) Base como se muestra en la simbologa de la siguiente imagen.

La unin Base-Emisor funciona como un diodo, por lo que podemos dividir el transistor en mallas, para ser ms exacto dos mallas, una de la unin Colector-Emisor, y otra de la unin Base-Emisor, en cada unin se posee un voltaje, (VCE) Voltaje Colector-Emisor y (VBE) Voltaje Base-Emisor, este ltimo vendra siento el voltaje del diodo. Por lo que en un transistor BJT tendramos varias reglas, como la primera ley de Kirchhoff, que dice que en un nodo, todas las corrientes que entran son iguales a las que salen, por lo que en el transistor tendramos: Ie=Ic+Ib Ie= Corriente de emisor Ic= Corriente de colector Ib= Corriente de base

Igual existe una direccin directa entre Ic e Ib, que dice que: Ic= Ib Donde es la ganancia correspondiente al transistor, y en los transistores BJT varia de entre 80 a 300, es adimensional porque solo se considera una ganancia. Con esta ecuacin podemos decir que los transistores BJT tambin funcionan como amplificadores de corriente.

Materiales utilizados.
Transistor BC548 Transistor 2N2222 Transistor TIP31 Resistencia 1k Resistencia 56k Fuente de voltaje 12V DC Fuente de voltaje de 0-5V DC Multmetro Tablilla de experimentacin.

Desarrollo de la prctica.
Creamos el circuito correspondiente a las instrucciones dadas por el profesor, conectamos la resistencia de 56k a la base con la fuente variable de 0-5V para que la corriente de la base se mantuviera en rango de A (Micro-Amperes), y conectamos la resistencia de 1k al colector, alimentada por la fuente de 12V, este voltaje no lo cambiaremos, y por ltimo el emisor conectado a tierra.

Como primer caso conectamos el BC548B, de acuerdo a su hoja de especificaciones, sabemos que sus terminales son las siguientes:

Y aqu se aprecia la imagen de la tablilla de experimentacin, con el BC548B:

De acuerdo a las instrucciones de la prctica, debamos tomar lectura de los siguientes datos con el multmetro: Ib, Ic, VCE y debamos obtener con la misma relacin de Ic= Ib, por lo que para calcular tenemos que:

Las lecturas que obtuvimos al ir variando el voltaje de 0-5V de la base, se muestran en la siguiente tabla:

CB548B Vin (Voltaje de la base) 0 0.2 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 3.0 4.0 5.0

IB (A) 0 0 5.7143E-08 3.75E-07 1.2929E-06 3.0357E-06 4.4821E-06 6.125E-06 9.3036E-06 1.3714E-05 1.7375E-05 2.0054E-05 2.4107E-05 4.1786E-05 5.8929E-05 7.7679E-05

IC (A) 0 0 0.0000062 0.0000633 0.0002635 0.00068 0.00103 0.00145 0.00224 0.003349 0.00428 0.00496 0.00596 0.00991 0.01154 0.01188

VCE (Volts) 12 12 12 12 11.9 11.49 11.13 10.72 9.92 8.81 7.9 7.22 6.22 2.27 0.63 0.29

= Ic / Ib 0 0 108.5 168.8 203.812155 224 229.800797 236.734694 240.767754 244.197917 246.330935 247.337489 247.22963 237.162393 195.830303 152.937931

De acuerdo a la hoja de especificaciones del BJT BC548B tenemos:

Al obtener el promedio de la ganancia tenemos que = 186.46, por lo que al comparar con la hoja

de especificaciones podemos decir que est dentro del rango de hfe.


Al graficar Ic en funcin de Ib obtenemos la siguiente grfica.

IC (Ib) CB548B
0.014 0.012 0.01 0.008 0.006 0.004 0.002 0 -0.00001 -0.002 0 0.00001 0.00002 0.00003 0.00004 0.00005 0.00006 0.00007 0.00008 0.00009

VCE (Volts)
14 12 10 8 6 4 2 0 0 0.00001 0.00002 0.00003 0.00004 0.00005 0.00006 0.00007 0.00008 0.00009

Podemos observar en el grafico que cuando La base est en 0V, la corriente en Ib es de 0A, y por la relacin que tenemos que Ic= Ib, Ic=0A, y el voltaje VCE se mantiene en 12V, pero al ir incrementando el V de entrada, Ib va teniendo valores ms grandes, por lo que Ic igual va creciendo, y VCE va disminuyendo, podemos ver que casi llegamos a la zona de corte del transistor, donde VCE=0V y donde la corriente Ic se mantendra constante.

Despus de concluir con el BJT CB548B, decidimos probar el BJT TIP31, de acuerdo a su hoja de especificaciones tenemos que sus terminales son las siguientes:

Las lecturas que obtuvimos al ir variando el voltaje de 0-5V de la base, se muestran en la siguiente tabla:

TIP31 Vin (Voltaje de la base) 0 0.2 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 3.0 4.0 5.0

IB (mA) 0 0 1.1875E-06 2.7554E-06 4.9089E-06 5.8929E-06 7.3214E-06 0.00000875 1.2321E-05 1.7321E-05 1.9464E-05 2.3214E-05 2.6786E-05 4.4821E-05 6.3036E-05 7.9821E-05

IC (mA) 0 0 0.0000703 0.0001794 0.0003394 0.00042 0.00052 0.00065 0.00093 0.00136 0.00156 0.0019 0.0022 0.00404 0.006 0.00784

VCE (Volts) 12.1 12.1 12.1 11.9 11.83 11.7 11.6 11.5 11.24 10.81 10.6 10.27 9.95 8.13 6.18 4.33

= Ic / Ib 0 0 59.2 65.1095269 69.1393234 71.2727273 71.0243902 74.2857143 75.4782609 78.5154639 80.146789 81.8461538 82.1333333 90.1354582 95.184136 98.2192394

De acuerdo a la hoja de especificaciones del BJT TIP31 tenemos:

Al obtener el promedio de la ganancia tenemos que = 68.23, por lo que al comparar con la hoja de

especificaciones podemos decir que est cerca del rango de hfe.


Al graficar Ic en funcin de Ib obtenemos la siguiente grfica.

IC (Ib) TIP31
0.009 0.008 0.007 0.006 0.005 0.004 0.003 0.002

0.001
0 -0.00001 0 -0.001

0.00001 0.00002 0.00003 0.00004 0.00005 0.00006 0.00007 0.00008 0.00009

VCE (Volts)
14 12 10 8 6 4 2 0 0 0.00001 0.00002 0.00003 0.00004 0.00005 0.00006 0.00007 0.00008 0.00009

Podemos observar en el grafico que cuando La base est en 0V, la corriente en Ib es de 0A, y por la relacin que tenemos que Ic= Ib, Ic=0A, y el voltaje VCE se mantiene en 12V, pero al ir incrementando el V de entrada, Ib va teniendo valores ms grandes, por lo que Ic igual va creciendo, y VCE va disminuyendo, podemos ver que nos falt incrementar el voltaje de base para llegar a la zona de corte del transistor, donde VCE=0. Y donde la corriente Ic se mantendra constante. Esto pudo afectarnos que al promediar nos diera un poco fuera del rango marcado en la hoja de especificaciones.

Despus de concluir con el BJT CB548B, decidimos probar el BJT 2N2222, de acuerdo a su hoja de especificaciones tenemos que sus terminales son las siguientes:

Las lecturas que obtuvimos al ir variando el voltaje de 0-5V de la base, se muestran en la siguiente tabla:

2N2222 Vin (Voltaje de la base) 0 0.2 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 3.0 4.0 5.0

IB (mA) 0 0 1.9643E-07 1.3304E-06 1.8321E-06 4.0732E-06 5.3571E-06 0.0000075 1.0179E-05 1.5179E-05 1.7679E-05 2.1071E-05 2.4643E-05 4.2321E-05 0.00006 7.8214E-05

IC (mA) 0 0 0.00004 0.000278 0.0003885 0.00088 0.00111 0.00171 0.00231 0.00351 0.00412 0.00498 0.00581 0.00973 0.01192 0.01198

VCE (Volts) 12 12 12 11.89 11.79 11.28 11.1 10.46 9.85 8.64 8.04 7.2 6.35 2.49 0.255 0.1978

= Ic / Ib 0 0 203.636364 208.966443 212.046784 216.045594 207.2 228 226.947368 231.247059 233.050505 236.338983 235.768116 229.907173 198.666667 153.16895

De acuerdo a la hoja de especificaciones del BJT 2N2222 tenemos:

Al obtener el promedio de la ganancia tenemos que = 188.81, por lo que al comparar con la hoja

de especificaciones podemos decir que est dentro del rango de hfe.


Al graficar Ic en funcin de Ib obtenemos la siguiente grfica.

IC (Ib) 2N2222
0.014

0.012
0.01 0.008 0.006 0.004

0.002
0 -0.00001 -0.002 0 0.00001 0.00002 0.00003 0.00004 0.00005 0.00006 0.00007 0.00008 0.00009

VCE (Volts)
14 12 10

8 6 4 2
0 0 0.00001 0.00002 0.00003 0.00004 0.00005 0.00006 0.00007 0.00008 0.00009

Podemos observar en el grafico que cuando La base est en 0V, la corriente en Ib es de 0A, y por la relacin que tenemos que Ic= Ib, Ic=0A, y el voltaje VCE se mantiene en 12V, pero al ir incrementando el V de entrada, Ib va teniendo valores ms grandes, por lo que Ic igual va creciendo, y VCE va disminuyendo, podemos ver si llegamos a la zona de corte del transistor, donde VCE es muy cercano a 0V e Ic se mantiene constante.

Conclusin: Los transistores BJT trabajan tienen tres zonas caractersticas: 1. Zona de corte: Cuando la corriente en la base es igual a cero, es decir est a tierra) o tiene una corriente muy chica que se considere despreciable, la corriente en Ic ser cero, y el VCE es igual al voltaje aplicado al colector (Vcc).

2. Zona de saturacin: Cuando la corriente en el colector se mantiene constante aunque aumentes la corriente en la base, pero en este caso VCE es igual a cero.

3. Zona de operacin. Esta es la zona en la que trabajamos la mayora del tiempo en la prctica, en esta zona podemos observar que cuando aumentamos Ib, se incrementa de igual forma Ic, pero VCE va disminuyendo.

Donde ms pudimos observar este comportamiento fue en los transistores BJT 2N2222 y el BC548B, donde partimos de la zona de corte, pero solo en el 2N2222 llegamos a la zona de saturacin. Y podemos decir que un BJT funciona como un regulador de corriente.