Fizica

FIZIC *F* FJ.
FIZICA SOLIDULUI

- 1 -

FJ.
FIZICA SOLIDULUI

FIZIC *F* FJ. FIZICA SOLIDULUI

- 2 -
CUPRINS
Introducere 4
Capitol FJ.01. Structura cristalin a solidului .. 5
FJ.01.1. Reele cristaline . 5
FJ.01.2. Indicii Miller .. 11
FJ.01.3. Defecte n cristal 19
FJ.01.4 Aplicaii .. 21
Capitol FJ.02. Proprietile termice ale solidelor 22
FJ.02.1. Moduri normale de vibraie ale reelei cristaline .. 22
FJ.02.2. Fononi 26
FJ.02.3. Cldura specific a solidelor . 27
FJ.02.4. Aplicaii . 33
Capitol FJ.03. Benzi energetice n solide 34
FJ.03.1. Nivelele energetice ale unui atom liber . 34
FJ.03.2. Colectivizarea electronilor ntr-un solid 35
FJ.03.3. Spectrul energetic al electronilor ntr-un cristal 39
FJ.03.4. Dependena energiei electronului de vectorul de und . 44
FJ.03.5. Masa efectiv 47
FJ.03.6. Conductori, dielectrici i semiconductori . 48
FJ.03.7. Aplicaii 49
Capitol FJ.04. Conductibilitatea electric a solidelor . 51
FJ.04.1. Starea de neechilibru a gazului electronic ntr-un conductor n absena cmpului electric 51
FJ.04.2. Micarea electronilor ntr-un cmp electric .. 55
FJ.04.3. Conductana specific a unui conductor ... 57
FJ.04.4. Dependena de temperatur a mobilitii purttorilor de sarcin .. 60
FJ.04.5. Conductibilitatea electric a metalelor pure . 61
FJ.04.6. Conductibilitatea electric a aliajelor metalice . 62
Capitol FJ.05. Proprietile magnetice ale solidelor 64
FJ.05.1. Cmpul magnetic n materiale magnetice . 64
FJ.05.2. Proprietile magnetice ale solidelor . 68
FJ.05.3. Teoria diamagnetismului, paramagnetismului i feromagnetismului ... 73
Capitol FJ.06. Fizica fenomenelor de contact . 78
FJ.06.1. Contactul a dou metale 78
FJ.06.2. Contactul metal-semiconductor 84
FJ.06.3. Contactul semiconductor-semiconductor . 88
Capitol FJ.07. Fenomene termoelectrice 94
FJ.07.1. Efectul Seebeck 94
FJ.07.2. Efectul Peltier .. 95
FJ.07.3. Efectul Thomson .. 98
Capitol FJ.08. Fenomene galvanomagnetice . 99
FJ.08.1. Efectul Hall .. 99
FJ.08.2. Efectul Ettingshausen .. 100
FJ.08.3. Efectul Nernst . 102
FJ.08.4. Efectul magnetorezistiv .. 102
FJ.08.5. Aplicaii .. 103
Capitolul FJ.09. Aplicaii de laborator .. 104
FJ.09.1. Dependena de temperatur a proprietilor electrice i magnetice .. 104
FJ.09.2. Metode de studiu pentru fenomene galvanomagnetice . .. 108
FJ.09.3. Metode de studiu pentru fenomene de contact .... 112
FJ.09.4. Metode de studiu pentru fenomene termoelectrice .. 118
FJ.09.5. Metode de studiu pentru fenomene de histerezis .... 120
Capitol FJ.10. Autoevaluare . 123

- 3 -
Capitol FJ.01. Structura cristalin a solidulului . 123
Exerciii i probleme rezolvate .... 123
Exerciii i probleme propuse spre rezolvare .. 123
ntrebri/ chestiuni recapitulative ................................................................................................. 123
Capitol FJ.02. Proprietile termice ale solidelor . 124
Exerciii i probleme rezolvate ... 124
ntrebri/ chestiuni recapitulative.................................................................................................. 125
Capitol FJ.03. Benzi energetice n solide . 125
Capitol FJ.04. Conductibilitatea electric a solidelor .. 126
Capitol FJ.05. Proprietile magnetice ale solidelor . 128
Capitol FJ.06. Fizica fenomenelor de contact ... 129
Capitol FJ.07. Fenomene termoelectrice . 130
Exerciii i probleme rezolvate... 130
Capitol FJ.08. Fenomene galvanomagnetice ... 131
Teste recapitulative FJ Fizica Solidului....................................................................... 133
Test rezolvat . ... 133
Test propus spre rezolvare ... 135
Bibliografie ...................................................................................................................................... 137


- 4 -
Introducere
Fizica solidului este acea parte a fizicii care se ocup cu studiul proprietilor corpurilor
solide, ea mai fiind denumit studiul strii condensate. Fenomenele analizate sunt de mare
importan n practic, intruct ea intervine (aspect insesizabil la prima vedere) n makoritatea
aplicaiilor tehnice. Fenomenele mecanice sunt corelate cu aspecte de rezistena materialelor,
cercetrile pentru detectarea unor materiale mai pergormante fiind efectuate pe baza analizei
structurii microscopice a clasei de materiale analizate. Fluidele (lichidele, gazele) utilizate n
energetic trebuie s fie etanate de materiale cu proprieti termice bine precizate (de conducie sau
de izolare), iar aplicaiile electrice de generare i transport a energiei electrice necesit luarea n
considerare a prorietilor electrice de conducie, dar i a celor magnetice asociate precum i
categoria fenomenelor de histerezis. Fenomenele de contact, cele termoelectrice i
galvanomajnetice sunt utile n structuri semiconductoare de msurare i comand, precum i n
dispozitive avansate de laborator ce au scopul de a valida modelele fizice i matematice utilizate.
Abordarea aspectelor de fizica solidului necesit cunotine de baz din multe ale capitole
ale fizicii, intervenind aspecte de mecanic (la deplasarea purttorilor de sarcin), de termodinamic
i fizic statistic pentru a se evalua posibilitatea i influena unor vibraii cu diferite energii la
diverse temperaturi, de electrictate i magnetism pentru a se analzia influena cmpurilor electrice i
magnetice externe i interne asupra atomilor i electronilor, precum i noiuni fundamentale de
fizic cuantic ce determin nivelele de energie i probabilitile de ocupare i tranziii pentru
diverse structuri, sub aciunea unor diveri factori externi.
Dei dificultile de stabilire a aproximaiilor strict necesare determinrii unor modele
teoretice i metodele de analiz a acestor modele sunt laborioase, rezultatele obinute justific pe
deplin interesul unor grupuri avansate de cercetare n aprofundarea i extinderea cumoaterii n
domeniul fizicii solidului.


- 5 -

FJ.01. Structura cristalin a solidului
Cuvinte-cheie
structura cristalin, reele cristaline, operaii de simetrie, indici
Miller, Zone Brillouin, reea reciproc, atomi interstiiali, vacane
n reea, dislocaii

FJ.01.1 Reele cristaline
In natur, starea solid este realizat sub o anumit temperatur i peste o anumit presiune
(aceste mrimi limit fiind corelate intre ele si specifice fiecrui material). Cnd condiiile de
temperatur si presiune sunt ndeplinite, structura intern se modific, ajungndu-se la o stare de
echilibru termodinamic n care energia sa liber are o valoare minim.
In general, expresia energiei libere n funcie de parametrii care determin structura intern a
corpului are mai multe minime. Starea ce corespunde minimului absolut al energiei libere este
denumit starea stabil de echilibru, iar strile ce corespund unor minime relative ale energiei libere
sunt denumite stri metastabile de echilibru. In cazul solidelor, starea stabil de echilibru este
reprezentat de structura cristalin n care unitile structurale ale solidului (elementele
componente ce pot fi atomi, ioni, grupuri de ioni sau molecule) au o aezare geometric regulat
n spaiu. Strile metastabile corespund structurii amorfe n care dispunerea geometric regulat a
acestor uniti structurale dispare. Teoretic, strile metastabile (amorfe) se realizeaz mai greu i
dureaz mai puin timp dect strile stabile (cristaline). Exist ns i situaii n care viteza de
trecere dintr-o stare metastabil ntr-o stare stabil este att de mic, nct corpul poate fi socotit
amorf pentru o perioad lung de timp.
Formarea cristalelor este determinat de condiiile n care are loc procesul de solidificare
(trecerea din starea lichid n starea solid). Acesta ncepe de obicei n jurul unui centru de
solidificare, unde o aglomerare de atomi duce la apariia unei configuraii cristaline ce se extinde
ulterior n regiunile nconjurtoare. Dac exist un singur de astfel de centru de cristalizare (cazul
solidificrii lente), se va obine n final un monocristal, cu o anumit reea determinat prin
repetarea periodic n spaiu a structurii configuraiei cristaline iniiale. Dac apar ns mai muli
astfel de centri de cristalizare (cazul solidificrii rapide) va rezulta un policristal format din mai
multe regiuni denumite cristalite (formate fiecare n jurul unui centru). In cazul n care solidificarea
se face brusc, atunci dimensiunile cristalitelor vor fi foarte mici i se obine starea amorf, n care
procesul de ordonare are loc numai pe domenii limitate (putndu-se vorbi doar de o ordine
apropiat, nu i de o ordine ndeprtat ca n cazul strii cristaline).
In cazul substanelor care se pot gsi att n stare cristalin ct i n stare amorf, aceast
stare amorf este denumit i stare sticloas. Ea este obinut prin rcirea brusc a unui lichid
vscos, fapt ce mpiedic cristalitele nou formate s se dezvolte. Analiza structurii strii amorfe se
poate face prin dou metode structurale: modelele microcristaline i modelele cu distribuie
aleatoare (ntmpltoare) continu. Modelele microcristaline consider c structura solidului amorf
este constituit din mici cristale (cristalite) cu diametre mai mici de 20 . Dimpotriv, modelele cu
distribuie continu consider c n afara ordinii n care sunt implicai vecinii cei mai apropiai ai
unui atom dat nu exist niciun fel de alt ordine cristalin la scar orict de mic. Dei ambele
modele reuesc s descrie trsturile eseniale ale solidelor amorfe din punct de vedere calitativ,

- 6 -
datele experimentale de difracie a radiaiilor X (principala metod de investigare, justificat prin
faptul c lungimea de und a radiaiilor X folosite este mai mic sau egal cu distana dintre planele
determinate de nodurile reelei cristaline, aprnd astfel fenomene de interferen i difracie pentru
anumite direcii ale fasciculelor mprtate) indic o concordan mai bun pentru modelele cu
distribuie aleatoare continu.
Ca o prim observaie, se poate meniona faptul c n cazul corpurilor solide forele de
interacie (atractive) dintre atomi sau molecule sunt destul de puternice pentru ca aceste elemente
constituente s ocupe poziii fixe, fiind legate ntre ele ntr-un mod permanent, ntr-o anumit reea
(disprnd agitaia termic din cazul lichidelor sau gazelor). Aceste poziii nu au ns un caracter fix
dect dac sunt analizate drept poziii medii, ntruct datorit temperaturii aceste elemente se afl
ntr-o continu micare oscilatorie (vibraie) n jurul acestor poziii de echilibru. Ca urmare,
periodicitatea reelei nu poate fi considerat dect dac se face abstracie de aceste deplasri.
Intruct amplitudinea lor este mic n raport cu distanele dintre nodurile reelei (ce corespund
poziiilor medii ale atomilor/ionilor/moleculelor), aceast aproximaie ste justificat. La creterea
peste o anumit limit a temperaturii, aceste amplitudini de oscilaie pot crete ntr-un asemenea
grad nct s distrug aezarea stabil i ordonat a elementelor constituente (ce determin
rigiditatea solidului) i astfel are loc schimbarea strii de agregare (trecerea n stare lichid).
Geometric, reelele cristaline sunt reprezentate de un aranjament regulat de puncte n
spaiu. Ele constituie de fapt o abstracie matematic. Prin ataarea unui grup de atomi (numit baz)
fiecrui punct (nod) al reelei se ajunge la structura cristalin. Baza este reprezentat de atomul,
ionul sau grupul de atomi (ori grupul de molecule n cazul substanelor organice cristaline) care
constituie unitatea structural a substanei respective. Coeziunea acestor uniti structurale este
determinat n principal de fore de natur electric (forele magnetice fiind mult mai mici). Forele
electrice, la rndul lor, pot fi mprite n fore ce pot fi analizate prin aproximaiile fizicii clasice
(cum sunt forele electrostatice-coulombiene ce intervin n cazul legturii chimice heteropolare-
ionice) i fore de tip pur cuantic (cum sunt forele de schimb, ce intervin n cazul legturii chimice
homopolare-covalente). Pentru legtura homopolar particulele importante pentru coeziune sunt
ionii localizai n nodurile reelei, iar pentru legtura homopolar particulele importante pentru
coeziune sunt electronii (particule uoare i foarte puin localizate caracterizate de teoria statistic
Ferni-Dirac ce dau natere unor efecte ce pot fi studiate exclusiv prin mecanica cuantic).
Cristalele n care predomin legtura heteropolar se numesc cristale ionice (sau polare)
deoarece particulele din nodurile reelei sunt ioni. Cristalele n care predomin legtura homopolar
sunt n general metalele (particulele din noduri sunt atomi neutri, cu observaia c electronii-n
special cei de valen-nu rmn grupai n jurul unui anumit atom, ci sunt colectivizai sub forma
unui gaz electronic supus statisticii Fermi-Dirac). Semiconductorii sunt, n general, cristale polare
care conin ns destule impuriti. Aceste impuriti pot furniza electroni cristalului de baz sau pot
absorbi electroni de la cristalul de baz, genernd goluri n banda de valen. In mare msur, att
aceti electroni suplimentari, ct i golurile generate pot fi colectivizai n mare msur, asigurnd
prin circulaia lor o conductivitate mult mai mare dect cea a cristalelor ionice, ns mai mic dect
cea a metalelor. Pe de alt parte, coeziunea lor se datoreaz tot forelor heteropolare (coulombiene)
dintre noduri, ntruct numrul electronilor practic liberi nu este suficient de mare pentru a asigura
neutralitatea nodurilor (ca n cazul metalelor, unde practic electronii care circul de la un atom la
altul prin ntregul material stau n vecintatea fiecruia dintre ei un scurt intreval de timp, suficient
totui pentru ca, la orice moment, fiecare atom s aib n vecintate numrul suficient de electroni
care s-i asigure neutralitatea).

- 7 -
Simetria spaial a reelelor impune proprietatea acestora de a putea fi transformate n ele
nsele printr-o serie de operaii de simetrie. Operaia de simetrie aplicat unui nod dintr-un cristal,
unui grup de noduri sau ntregului cristal are ca efect aducerea structurii cristaline ntr-o poziie
identic cu cea iniial. La simetria de translaie are loc o deplasare a cristalului paralel cu el nsui,
pornind dintr-un centru de simetrie, cu un vector de translaie
dat de relaia
= +
+
unde , , sunt ntregi arbitrari iar ,
, sunt vectori de translaie denumii i vectori

fundamentali sau primitivi, obinndu-se o structur identic cu cea iniial (n cazul unei reele
bidimensionale, simetria de translaie este definit doar de doi vectori fundamentali, iar n cazul
unei reele unidimensionale este suficient un singur vector fundamental sau primitiv pentru
definirea acestei simetrii). Reeaua generat printr-o astfel de translaie este denumit reea Bravais
simpl.
Similar, se poate defini simetria de rotaie ca fiind proprietatea de invarian (de regsire a
structurii iniiale) n urma unei operaii de rotaie n jurul unei axe (denumit ax de simetrie) cu un
unghi
(n fiind un ntreg, aspect firesc ntruct unghiul de rotaie dup care se regsete
structura trebuie s fie submultiplu al lui 2 ), precum i simetria de reflexie, dat de invariana
reelei cristaline n raport cu operaia de reflexie efectuat pe anumite plane din reea.
Folosind notiuni din teoria algebric a grupurilor (util n acest caz ntruct similar
proprietilor elementelor unui grup compunerea a dou transformri de simetrie genereaz o alt
transformare de simetrie, structura iniial regsindu-se n final) se arat c exist 230 grupuri
spaiale posibile ce determin modul de construire a unei posibile reele cristaline. Aceste 230 de
grupuri spaiale sunt reunite n 32 clase de simetrie, formnd 14 tipuri de reele Bravais, respectiv 7
sisteme cristaline.
Pentru determinarea celor 14 tipuri de reele Bravais, respectiv a celor 7 tipuri de reele
cristaline, se impune mai nti definirea celulei elementare, a celulei primitive i a constantelor
reelei.
Celula elementar este reprezentat de fapt de un poliedru regulat (figur spaial convenabil
aleas) ale crui muchii au cele mai mici dimensiuni (pentru a nu exista alte structuri interioare ei
de acelai tip) i a crui simetrie concide cu simetria cristalului (astfel nct prin repetare spaial
periodic n trei direcii independente determinate de muchiile sale s se genereze ntreaga reea
spaial cu aceeai simetrie). Este de remarcat faptul c celula elementar nu este unic definit in
cazul unui cristal dat.
Un tip important de celul elementar este constituit de celula primitiv. Ea corespunde
celulei elementare de cel mai mic volum, care cuprinde de obicei noduri sau puncte din reea doar n
vrfurile sale, fiind construit n mod uzual pornind de la un nod al reelei din care i au originea
cei trei vectori fundamentali ce vor genera un paralelipiped nclinat n spaiu.
In funcie de vectorii fundamentali ,
, i de unghiurile (dintre
i ), (dintre i ) i
(dintre i
) Bravais a obinut urmtoarea clasificare a sistemelor cristalografice:

- Triclinic, cu
, pentru care exist doar un singur tip de reea, cel cu

celul primitiv, la care se poate observa repetiia unor paralelipipede nclinate, cu fee reprezentate
de paralelograme.
- Monoclinic, cu
i = = 90 pentru care exist dou tipuri de reea: (i)

reea monoclinic simpl cu celul primitiv de tip paralelipiped nclinat cu patru fee laterale

- 8 -
reprezentate de dreptunghiuri la care se pot observa paralelograme formate de vectorii i
n
plane paralele i pentru care nodurile din planele succesive se afl pe aceeai vertical i (ii) reea
monoclinic cu baze centrate, la care se pot observa, suplimentar, noduri situate n mijlocul
paraleogramelor reprezentate de dou suprafee laterale opuse denumite baze.
- Ortorombic, cu
i = = = 90 , cu patru tipuri de reea: (i) cu celul

elementar primitiv de tip paralelipiped (toate feele laterale fiind dreptunghiuri), (ii) cu celul
elementar cu baze centrate (la care se observ suplimentar noduri situate n mijlocul
dreptunghiurilor reprezentate de dou suprafee laterale opuse denumite baze ale paralelipipediului
menionat), (iii) cu celul elementar cu fee centrate (la care se observ suplimentar noduri situate
n mijlocul tuturor feelor laterale ale paralelipipedului menionat) i (iv) cu celul elementar cu
volum centrat, la care se observ suplimentar noduri situate n mijlocul paralelipipedelor menionate
anterior.
- Trigonal sau romboedric, cu =
= i = = 90 pentru care exist un singur

tip de reea, cel cu celul primitiv la care se poate observa repetiia unor paralelipipede nclinate,
cu fee laterale reprezentate de romburi.
- Tetragonal sau ptratic, cu =
i = = = 90, cu dou tipuri de reea: (i) cu

celul primitiv de tip paralelipiped (cu fee laterale reprezentate de dou ptrate i patru
dreptunghiuri) i (ii) cu celul elementar cu volum centrat, la care se observ suplimentar noduri
situate n centrul paralelipipedelor menionate anterior.
- Hexagonal, cu =
i = = 90, = 120, pentru care exist un singur tip de

reea, cel cu celul primitiv de tip paralelipiped cu romburi (formate prin alturarea a dou
tringhiuri echilaterale) n plane paralele i cu nodurile din planele succesive aflate pe aceeai
vertical (de remarcat faptul c repetiia acestor romburi la intervale regulate n plan permite
observarea unor structuri de tip hexagon regulat, ceea ce justific denumirea sistemului).
- Cubic, cu =
= i = = = 90, pentru care exist trei tipuri de reea; (i) cu

celul primitiv de tip cub, (ii) cu celul elementar cu volum centrat (la care se observ
suplimentar un nod situat n mijlocul cubului menionat anterior) i (iii) cu celul elementar cu fee
centrate (la care se observ suplimentar noduri situate n mijlocul tuturor feelor laterale ale cubului
menionat anterior).
Schematic, aceste sisteme cristalografice cu variantele de celule elementare sunt
reprezentate n figura 1.
Detalii suplimentare referitoare la reelele cristaline pot fi gsite n:
- Capitolul IV: Geometry of Solids, paragraful 8: Crystal Structure, pag. 87 din lucrarea Lecture
Notes for Solid State Physics, Steven Simon, Oxford University 2011, disponibil la pagina web
http://www-thphys.physics.ox.ac.uk/people/SteveSimon/condmat2011/LectureNotes.pdf
unde sunt detaliate aspectele referitoare la stabilirea (n plan i spaiu) a celulelor elementare pentru
solide compuse din mai multe tipuri de atomi, la construcia celulei unitare Wigner-Seitz, la
poziiile atomilor n cadrul celulei elementare pentru diferite tipuri de reea cristalin etc.
- Capitolul 4: Broken Translational Invariance in the Solid State, paragraful 4.9.1, pag. 47: Bravais
Lattices din lucrarea Solid State Physics, Chetan Nayak, University of California, 2000,
disponibil la pagina web
http://www.physics.ucla.edu/~nayak/solid_state.pdf
(unde sunt detaliate proprietile de simetrie).


- 9 -

(Fig.1a) Sistem Cristalogtafic Triclinic (celul primitiv de forma unor paralelipipede nclinate)

(i) (ii)
(Fig.1b) Sistem Cristalografic Monoclinic: (i) cu celul primitiv tip paralelipiped nclinat, (ii) cu
celul elementar cu baze centrate

(i) (ii) (iii) (iv)
(Fig.1c) Sistem Cristalografic Ortorombic: (i) cu celul primitiv tip paralelipiped, (ii) cu celul
elementar cu baze centrate, (iii) cu celul elementar cu fee centrate, (iv) cu celul elementar cu
volum centrat

(Fig.1d) Sistem Cristalografic Trigonal (celul primitiv de forma unor paralelipipede nclinate, fee
laterale reprezentate de romburi)


- 10 -

(i) (ii)
(Fig.1e) Sistem Cristalografic Tetragonal: (i) cu celul primitiv tip paralelipiped, (ii) cu celul
elementar cu volum centrat

(Fig.1f) Sistem de Cristalizare Hexagonal (celul primitiv tip paralelipiped cu romburi)

(i) (ii) (iii)
(Fig.1g) Sistem de Cristalizare Cubic: (i) celul primitiv de tip cub, (ii) celul elementar cu volum
centrat, (iii) celul elementar cu fee centrate

(Fig.1h) Orientarea aproximativ a vectorilor elementari ai reelei pentru sistemele cristalografice
din figurile 1a-1g
Figura 1. Sistemele Cristalografice Tipuri de Celule Elementare Posibile

a
b
c


- 11 -

FJ.01.2 Indicii Miller
In procesul de orientare n interiorul reelei cristaline se impune cunoaterea poziiei i a
orientrii diverselor plane cristalografice care trec prin nodurile reelei. Direcia cristalin este
definit printr-o dreapt care conine cel puin dou noduri din reeaua cristalin respectiv, iar
planul cristalin este determinat de cel puin trei noduri ale acelei reele. In fapt, datorit simetriei de
translaie a reelei, att direciile ct i planele cristaline cuprind un numr foarte mare de noduri din
cristal.
Poziia i orientarea planelor cristaline pot fi definite printr-un sistem de axe de coordonate
ce coincid cu triedrul celulei primitive prezentate anterior prin analiza distanelor de la originea
considerat la punctele de intersecie ale planelor respective cu axele de coordonate, lund ca
unitate pentru aceste distane constantele reelei cristaline a, b, c (modulele vectorilor fundamentali
,
, ). Astfel, dac planul cristalografic a crui orientare trebuie determinat taie cele trei axe n
punctele de coordonate a
0
, b
0
, c
0
, se vor determina mai nti rapoartele

iar apoi se vor stabili cele mai mici numere ntregi care s se gseasc ntre ele n acelai raport ca
i fraciile de mai sus. Pentru constantele reelei cristaline luate ca unitate, rapoartele anterioare se
reduc la inversele numerelor a
0
, b
0
, c
0
. Se calculeaz cel mai mic multiplu comun al acestora, iar
numerele ntregi m, n, p rezultate din nmulirea acestui multiplu cu inversele numerelor a
0
, b
0
, c
0

reprezint aa-numiii indici Miller (mnp) ai planului respectiv. Spre exemplu, dac planul cristalin
considerat ar tia vectorii fundamentali conform rapoartelor
, atunci ar rezulta inversul

acestor rapoarte sub forma
, iar dup aducerea la acelai numitor s-ar obine numrtorii 6,

9, 9. Intruct se caut cele mai mici numere ntregi care se afl n acest raport vor rezulta n final
indicii Miller 2, 3, 3 ce se scriu sub forma ce indic poziia planului ntre paranteze (233), conform
figurii 2.
Se poate observa c planele cristaline a cror orientare este determinat de indici Miller mai
mici prezint o densitate de noduri mai mare (distana n acel plan ntre dou noduri ale reelei este
mai mic). De obicei, planele cristaline cu indici Miller relativ mici (pn la valorile 3 sau 4)
corespund de fapt feelor cristalului.
Dac intersectarea uneia dintre axe este la infinit, atunci indicele Miller corespunztor este
zero, iar atunci cnd planul cristalografic taie una din axe n partea negativ n raport cu originea,
indicele Miller este negativ, notndu-se acest aspect cu o liniu deasupra cifrei respective.
Planele cu indicii Miller (Dm, Dn, Dp) (obinui prin multiplicarea cu D a mrimilor m, n, p)
reprezint un set de plane paralele. Similar, plane cu aceiai indici Miller se pot obine dac se
efectueaz analiza n raport cu alt nod al reelei. Ca urmare, unei astfel de familii de plane paralele a
cror orientare poate fi stabilit utiliznd aceiai indici Miller i se ataeaz aceti indici Miller scrii
n interiorul unor acolade, i astfel notaia {mnp} va desemna acest set de plane paralele.

- 12 -

Fig. 2. Planul de Indici Miller (233)

Fig. 3. Zonele Brillouin de Ordin I, II i III pentru o Reea Ptrat :
Zona de Ordin I- Suprafaa Nehaurat Central
Zona de Ordin II Suprafaa Simplu Haurat
Zona de Ordin III- Suprafaa Dublu Haurat
a
b
c
3/3
2/3
2/3
2/a -2/a
2/a
-2 /a

- 13 -

Aa cum s-a indicat, ntr-o reea cristalin cu celul elementar determinat de vectorii
,
, oricrui punct () aflat n interiorul uneia din celulele reelei i va corespunde, n alt
celul, un punct echivalent de coordonate ( +
) cu vectorul
de forma
= +
+
cu h, k, l numere ntregi. Aceast reea spaial (real) este denumit i reeaua direct.
Matematic, utiliznd noiuni din geometria vectorial, fiecrei reele directe i se poate ataa
o reea reciproc. In acest scop se definesc vectorii fundamentali
prin relaiile
= 2
= 2

= 2

unde V
0
reprezint volumul celulei elementare al reelei directe (reeaua spaial real) dat de relaia
= (
)
Se observ imediat c vectorul
este perpendicular pe vectorii
i , vectorul
este
perpenducular pe vectorii i iar vectorul
este perpendicular pe vectorii i
ceea ce arat c
reeaua reciproc are o orientare bine definit n raport cu reeaua direct. Volumul celulei
elementare determinate de aceti vectori fundamentali ai reelei reciproce este invers proporional
cu volumul celulei elementare determinate de vectorii reelei directe.
O importan deosebit n studiul reelei reciproce o prezint aa-numitele zone Brillouin.
Acestea reprezint celule elementare ale reelei reciproce construite n felul urmtor: (a) Se
stabilete ca origine un nod arbitrar al reelei reciproce, din care se duc vectorii
la vecinii de
diferite ordine, iar apoi (b) se construiesc planele mediatoare pe aceti vectori (unele trecnd chiar
prin alte noduri ale reelei reciproce) ce vor delimita diferite volume ce formeaz zonele Brillouin
(prima, a doua, etc.-exemplu pentru o reea ptrat n figura 3).
Dac n expresia acestor vectori
ai reelei reciproce se introduc indicii Miller m, n, p

menionai anterior, se obine un vector

Utiliznd noiuni din geometria vectorial, se poate arta c acest vector este perpendicular pe
planele echivalente {mnp}. Distana de la origine la planul (mnp) va fi aceeai cu distana dintre
dou plane succesive din familia de plane {mnp} menionat anterior, putnd fi determinat prin
relaia
=
2
|
|

ce permite determinarea distanei dintre planele definite de anumii indici Miller pentru fiecare tip
de cristal (caracterizat de anumii vectori ai reelei i de anumite unghiuri ntre acetia).
Reeaua reciproc prezint o importan deosebit n studiul difraciei radiaiilor X pe
cristale (principala metod de investigare a acestora) ntruct formulele de difracie Laue i Bragg
vor avea astfel o semnificaie intuitiv simpl. Deasemenea, reeaua reciproc este util n studiul
teoriei cuantice a metalelor.

- 14 -
S ncepem prin a indica aspecte ale difraciei radiaiilor pe un ir reticular (liniar) de atomi.
Dac se analizeaz difracia radiaiilor n cazul unui ir reticular (liniar) de atomi cu constanta a
(distana dintre noduri), rezult (similar difraciei pe un numr mare de fante) c maximele de
difracie apar de-a lungul acelor direcii ce ndeplinesc condiia
a (cos cos
0
) = n
deoarece expresia din partea stng a relaiei de mai sus reprezint diferena de drum optic ntre
dou fascicule elementare difractate de noduri adiacente (unghiul
0
reprezint unghiul de inciden
format de radiaia incident cu irul de atomi, iar unghiul reprezint unghiul de refracie format de
radiaia mprtiat de-a lungul acelei direcii cu acelai ir de atomi). Relaia anterioar poate fi
rescris sub forma
(2/ )(cos-cos
0
)= n (2 )/a
ceea ce reprezint condiia ca diferena dintre proiecia vectorului de und al fasciculului incident la
unghiul
0
i proiecia vectorului de und al undei difractate (mprtiate) la unghiul n raport cu
irul de atomi (ambele egale n modul cu 2/ ) s fie egal cu un multiplu al modulului vectorului
reelei reciproce
de modul 2 /a. Acest aspect duce la presupunerea c diferena dintre vectorul

de und al fasciculului incident i cel al fasciculului mprtioat ar putea fi exprimat printr-un
multiplu al reelei reciproce.
Intr-un mod mai riguros, Bragg a extins aceast analiz la reele formate din plane paralele.
Astfel, dac se consider un flux de radiaii X incidente la unghiul n raport cu planele paralele
ale unei reele cristaline (distana dintre plane fiind notat cu d - aceeai ca distanta dintre atomi,
conform figurii 4), diferena de drum dintre fasciculele reflectate de plane (mprtiate) de doi
atomi din aceste plane adiacente (centre de mprtiere atinse de radiaia X) va fi
= 2 d sin
(aceast distan fiind considerat n raport cu un plan fictiv construit perpendicular pe direcia
fasciculelor reflectate sub acelai unghi fa de planele paralele ale reelei). Interferena
constructiv a acestor fascicule reflectate de planele retelei este determinat de condiia ca aceast
diferen de drum s corespund unui numr ntreg de lungimi de und ale radiaiei incidente, adic
2 d sin = N
(ceea ce reprezint legea lui Bragg pentru difracia radiaiilor X pe planele cristaline). Utiliznd
vectorii de und
i respectiv
(ai undei incidente respectiv ai undei reflectate, egali n modul

cu 2 / i orientai n direcia de propagare a fasciculului respectiv), i atand un vector

distanei d menionate anterior, rezult prin scderea celor doi vectori de und
|
| =
2
sin
(acest vector fiind orientat pe direcia lui
). Apoi, prin multiplicare cu n ambii termeni ai

relaiei anterioare (ce prezint condiia de interefren constructiv), urmat de trecerea lui din
partea dreapt n partea stng a ecuaiei i a lui d din partea stng n partea dreapt, rezult
succesiv

2
=
2

Egalnd expresia (2/ ) sin n ultimile dou relaii se poate scrie

unde vectorul
ndeplinete condiiile de a fi un vector al reelei reciproce (modulul su este dat de

raportul dintre 2 i constanta reelei d distana dintre plane).

- 15 -
Prin urmare, a rezultat condiia Bragg de obinere a unor maxime de difracie sub forma
condiiei ca diferena dintre vectorul de und ai undei mprtiate (reflectate) i vectorul de und al
undei incidente s fie un multiplu al vectorului fundamental al reelei reciproce.
Intr-un mod riguros, Laue a extins condiiile de difracie la reelele tridimensionale pornind
de la aceleai considerente de interferen. In acest sens, notnd cu
i respectiv versorii
fasciculului incident, respectiv mprtiat de-a lungul unei anumite direcii de doi atomi aflai la
distana r unul de altul (vectorul de la unul din atomi la cellat fiind notat cu , conform figurii 5),
rezult c diferena de drum optic se poate scrie sub forma

unde primul termen reprezint parcursul suplimentar al unui fascicul elementar nainte de a fi
mpratiat de unul din atomi fa de parcursul fascicului elementar mprtiat de cellalt atom, iar al
doilea termen reprezint parcursul suplimentar al unui fascicul elementar mprtiat de cellalt atom
fa de parcursul fascicului elementar mprtiat de primul atom considerat (amndoi termenii de
mai sus fiind considerai pozitivi). Relaia de mai sus este justificat de faptul c produsul scalar
este egal cu r s cos = r cos (modulul vectorului s fiind unu), rezultnd proiecia diferentei de
poziie dintre cei doi atomi pe direcia fasciculelor elementare refractate la unghiul , iar produsul
scalar
este egal cu r s
0
cos
0
= r cos
0
(modulul vectorului s
0
fiind unu), rezultnd protecia
diferentei de poziie dintre cei doi atomi pe direcia fasciculelor elementare incidente.
Rescriind relaia de mai sus sub forma

rezult condiia de interferen constructiv

iar pentru diferena de faz rezult
2
2

Figura 4. Difracia Bragg ntre Dou Plane Cristaline

d


- 16 -

Figura 5. Unda Incidenta i Unda Imprtiat Caz general. Studiul Ecuaiilor lui Laue

r
s
0
s
0


- 17 -

Aceast condiie, aplicat prin nlocuirea lui cu vectorii de translaie fundamentali ,
, devine:
=
2
= 2
=
2
= 2
=
2
= 2
cu m, n i p numere ntregi, astfel nct diferena de faz sa fie egal cu un multiplu de 2 de-a
lungul fiecreia din direciile fundamentale ale cristalului. Acest aspect este justificat, intuitiv, prin
faptul c se poate imagina un paralelipiped nclinat generat de aceti vectori fundamentali ce are
situate pe diagonala mare cele dou noduri ce determin mpratierea, iar n interiorul acestui
paralelipiped au loc trei tipuri de vibraii ntre cele trei perechi de fee opuse pe direcii
perpendiculare pe acestea, lungimea de und a fiecrei vibraii fiind egal cu un submultiplu al
distanei dintre astfel de dou fee, similar undelor staionare dintr-o incint. Aceaste vibraii
prezint m, n, respectiv p oscilaii complete de-a lungul acestor distane dintre feele opuse, definite
n fapt de direciile vectorilor reelei reciproce i au o amplitudine nul pe feele laterale ale
paralelipipedului nclinat considerat.
Este deci necesar ca

= ,
= ,
=
Dac (pentru uurina scrierii) se noteaz cu , respectiv cosinuii directori ai lui
fa de
vectorii fundamentali a, b respectiv c, iar modulul S al vectorului
(o diferen ntre doi versori,

aparinnd prin urmare intervalului [-2, 2]) este scris sub forma S = 2 sin (un unghi auxiliar
introdus) atunci relaiile de mai sus pot fi scrise sub forma

= 2 =
= 2 =

= 2
=
Acestea constituie relaiile lui Laue ce stabilesc, n funcie de parametrii reelei, direcia radiaiilor
X mprtiate ce contribuie la o interferen constructiv pentru un anumit . Ele se pot scrie i sub
forma
2 sin

respectiv (prin amplificare cu 2 )
2
=
2
=
2
=
2


- 18 -
iar dac inem cont de faptul c 2 / reprezint modulul att al vectorului undei incidente
, ct i
al celei mprtiate (refractate)
, iar 2 sin este diferena dintre versorii acestor dou direcii (n

modul) , rezult mai nti
2
= |
|
Partea stng a celor trei ecuaii anterioare va reprezenta astfel proiecia acestei diferene pe cei trei
vectori fundamentali ,
, (ntruct direcia diferenei versorilor face unghiurile , respectiv

cu vectorii fundamentali), iar partea dreapt a lor poate fi scris utliznd vectorii
ai reelei
reciproce (de modul 2/a, 2/b respectiv 2/c). Rezult astfel c cele trei ecuaii anterioare indic
necesitatea ca pentru cele trei direcii fundamentale diferena dintre vectorii de und s fie egal cu
un multiplu al vectorului reelei reciproce corespunztor acelei axe, i astfel n final se obine
condiia intuitiv

(diferena dintre cei doi vectori de und menionai s fie egal cu un vector
al reelei reciproce).
Avnd n vedere faptul c n teoria cuantic impulsul unui foton este egal cu produsul dintre
vectorul de und de modul 2/ i constanta =h/(2), avnd orientarea identic cu direcia de
propagare a fasciculului din care face parte, se poate considera n mod intutiv (pe baza teoriei
conservrii impulsului) c impulsul unui foton din fasciculul mprtiat (difractat) este dat de suma
vectorial dintre impulsul unui foton din fasciculul incident (iniial) care s-ar fi ciocnit de o
particul fictiv (definit n interiorul solidului) de impuls egal cu un vector
al reelei reciproce
datorat vibraiilor din interiorul unui paralelipiped generat de vectorii fundamentali ai reelei. Acest
aspect va fi detaliat n subcapitolul urmtor, unde vor fi prezentate modurile de vibraie ale reelei i
conceptul de fonon (particul fictiv definit n interiorul solidului, corespunztoare acestor
vibraii).
Detalii suplimentare referitoare la indicii Miller i aplicaii pentru unde n solid pot fi gsite
n:
- Capitolul IV: Geometry of Solids, paragraful 9, pag. 105: Reciprocal Lattice, Brillouin Zone,
Waves in Crystals, pag.105, i Capitolul V: Neutron and X-Ray Diffraction, paragraful 10, pag.
105: Wave Scattering by Crystals, pag.122 (The Laue and Bragg conditions) din lucrarea Lecture
unde reeaua reciproc este construit pornind de la transformarea Fourier, iar aspectele referitoare
la familiile de plane ale reelei reciproce i la caracteristicile electronilor i undelor vibraionale n
reeaua reciproc sunt detaliate utiliznd condiiile de mprtiere.
- Capitolul 4: Broken Translational Invariance in the Solid State, paragraful 4.10 Bragg Scattering,
pag. 52 din lucrarea Solid State Physics, Chetan Nayak, University of California, 2000,
(unde este detaliat mprtierea undelor folosind noiuni din teorai reelei reciproce prezentate
succint n cele dou subparagrafe anterioare 4.9.2: Reciprocical Lattices i 4.9.3: Bravais Lattices
with a Basis ).


- 19 -
FJ.01.3 Defecte n cristal

Pn n acest moment a fost analizat o distribuie perfect regulat a atomilor (sau a ionilor
ori moleculelor) n reea. In realitate, cristalele (indiferent dac sunt ntlnite n natur sau create n
laborator) prezint o serie de imperfeciuni. In mod generic, defectele ce constau din modificarea
structurii cristaline ideale sunt denumite defecte structurale i pot fi punctiforme, liniare sau
bidimensionale.
Defectele punctiforme (zerodimensionale) sunt reprezentate de vacane n reea (nod
vacant), de atomi interstiiali (suplimentari) din acelai material, de atomi de impuriti.
Spre exemplu, defectele Schottky sunt defecte punctiforme generate de deplasarea din
nodurile reelei spre suprafa a unor noduri, aprnd astfel vacane (noduri vacante). Acest tip de
defecte Schottky se ntlnete mai ales la metale. Fiind generate de vibraia i agitaia termic, ele
pot fi studiate n mod statistic cu ajutorul termodinamicii.
In acest sens, considernd N ioni n cristal i un numr n de vacane, precum i o anumit
cantitate de energie de activare E necesar realizrii acestui tip de defect, va rezulta c pentru
crearea celor n vacane este necesar energia total nE
s
. Totodat, se poate ine cont de faptul c,
datorit creterii dezordinii, entropia cristalului real este mai mare dect cea a cristalului perfect
(ideal), ceea ce nseamn c se poate scrie
S = S
0
+S(n)
S(n) = K
B
ln W(n)
unde creterea de entropie S(n) de la valoarea S
0
(pentru cristalul ideal) la S (pentru cel real, cu n
vacane) este determinat de produsul dintre constanta lui Boltzmann K
B
i numrul W(n) de stri
microscopice ce pot realiza starea macroscopic dat (probabilitatea termodinamic). In acest caz,
probabilitatea W(n) este reprezentat de numrul de configuraii n care pot fi aezate cele n vacane
fa de cei N ioni, rezultnd
=
!
! !

Variaia energiei libere F a cristalului real fa de cel ideal va fi dat de diferena dintre variaia
energiei totale U i variaia energiei legate T S(n), adic
F = U T S(n) = nE
s
T S(n)
(unde U este variaia energie interne egal cu nE
s
iar T este temperatura). Mrimea W(n) poate fi
aproximat pentru valori mari ale lui N prin formula lui Stirling ln N! N (ln N -1) , iar prin
nlocuire i derivare n raport cu n rezult
ln

Expresie ce trebuie s fie egal cu zero la echilibru termodinamic (n caz contrar sistemul evolund
n continuare ctre o stare de energie liber minim). Rezult astfel
ln

i ntruct n N se poate aproxima numitorul logaritmului cu N, rezultnd
= exp(
)
adic numrul de vacane crete cu temperatura (scade numitorul unui exponent negativ). Ca ordin
de mrime, la metale energia de activare E
s
a defectelor Schottky este de ordinul a 1eV (ceea ce
implic un raport n/N de ordinul 10
-5
pentru temperaturi spre mii de grade). In cristalele de NaCl E
s


- 20 -
este de ordinul a 2eV, iar densitatea de vacane n la temperatura camerei este de ordinul a 10
8
/cm
3
.
In aceste cristale i n cristalele ionice n general se formeaz vacane pozitive i negative care se
neutralizeaz pe suprafaa cristalului, mentinnd astfel o suprafa neutr. Pentru aceste cristale,
numrul perechilor de defecte Schottky n
p
este dat de relaia
exp (

)
(a aprut factorul 2 la numitorul exponentului ntruct este vorba de perechi).
Un alt tip de defect punctual este dat de deplasarea unui ion din nodul reelei cristaline ntr-o
poziie situat ntre alte dou noduri ale reelei (rezultnd un interstiiu). Un astfel de defect format
dintr-o vacan i un atom intesrtiial se numete defect Frenkel. Pentru a se stabili legea de formare
a defectelor de acest tip se consider c reeaua are n total N noduri i N
i
interstiii i c n noduri au
fost prsite de ionii ce s-au plasat n interstiii, formnd defectele Frenkel. Dac se notez cu N-n
numrul nodurilor rmase ocupate, rezult (utiliznd elemente din analiza combinatoric) c
numrul de moduri n care se poate realiza starea cu cele n defecte Frenkel este reprezenta de
probalilitatea termodinamic W dat de relaia
() =
!
! !

! !

In ipoteza c defectele Frenkel nu interacioneaz ntre ele, variaia energiei libere a cristalului real
fa de cea a cristalului ideal este dat de relaia
F = n E
F
K
B
T ln W(n)
unde E
F
este energia de activare a defectului Frenkel. Aplicnd aceeai formul de aproximare a lui
Stirling (pentru a se ajunge la relaii fr expresii factoriale) i impunnd condiia de echilibru
termodinamic
= 0 rezult (n mod similar cu cazul anterior) pentru nN, nN

1
, expresia
=
2

Similar defectelor Schottky, concentraia acestui tip de defecte crete la creterea temperaturii.
Este de remarcat i existenta defectelor de tip centru de culoare, responsabile n multe cazuri
pentru apariia culorii unor cristale transparente. Spre exemplu, n cazul unui cristal de halogenur
alcalin ce este transparent n spectrul vizibil pot apare vacane de ioni negativi (centre pozitive) n
urma nclzirii n atmosfer cu vapori ai metalelor alcaline. Aceste poziii sunt ocupate de electroni,
crendu-se un centru ce absoarbe lumina n domeniul vizibilului.
Pot apare deasemeni atomi de impuriti, ce pot fi de substituie (cnd ocup un nod al
reelei) sau de interstiiu, cnd ocup o poziie ntre planele reelei cristaline. Datorit faptului c
aceste defecte nu au o aceeai densitate n interiorul cristalului, va apare i un flux (deplasare) al
acestor defecte datorit gradientului de concentraie (sub influena temperaturii). Numrul de
impuriti care trec prin unitatea de suprafa, n unitatea de timp, este dat de legea lui Fick
i = - D grad N
unde N este concentraia impuritilor (dependent de poziie) iar D este constanta de difuzie.
Aceasta depinde de temperatur sub forma
=
exp

unde E este energia de activare specific defectelor respective.
Din categoria defectelor monodimensionale (liniare) cele mai importante sunt reprezentate
de dislocaii. Existena lor este determinat de faptul c atomii dintr-o anumit regiune a cristalului
nu sunt aranjai dup ordinea crsitalin considerat ideal. Sub aciunea forelor exterioare,

- 21 -
cristalele sufer deformaii ntruct planele cristalului se deplaseaz unele fa de altele, aspect ce
determin apariia unei tensiuni de forfecare. In cazul deformaiilor de forfecare mici, tensiunea
elastic corespunztoare este dat de relaia
= G x/a
unde a este distana dintre plane, x este deplasarea unui plan al cristalului fa de vecinul imdiat iar
G este modulul de forfecare.
Existena unei dislocaii poate fi pus n eviden cu ajutorul unui vector
(denumit vectorul
lui Burgers) care indic diferena ntre poziiile iniial i final dup parcurgerea unui circuit
rectangular (dreptunghiular) la care numrul de noduri parcurse este acelai pentru laturile opuse. In
cazul n care distana dintre atomi nu se pstreaz constant la parcurgerea laturilor opuse (variind
ca modul sau orientare) circuitul rectangular nu se nchide perfect iar diferena ntre poziia de
plecare i cea final va fi o msur a dislocaiei. Trebuie menionat si posibilitatea aparitiei unor
dislocaii neliniare pot fi ntlnite dislocaii de form elicoidal (de rsucire). Densitatea
dislocaiilor variaz de la 10
6
-10
7
dislocaii pe m
2
(pentru cristale de germaniu i siliciu de calitate)
la 10
15
-10
16
dislocaii / m
2
(pentru cristale metalice puternic deformate).
Defectele bidimensionale se refer la suprafeele de separare dintre dou cristale sau pri cu
structuri diferite ale aceluiai cristal sau cnd separ cristalul de o anumit faz lichid ori gazoas.
La o suprafa ce separ dou cristale solide pot fi obsevate fie o zon n care cele dou cristale i
pstreaz n mod riguros configuraia pn la jonciune, fie o zon de tranziie n care atomii celor
dou cristale se ntreptrund fr ca structura crsitalin s fie modificat, fie o zon n care atomii
celor dou cristale se amestec, noua configuraie fiind diferit de cea a cristalelor adiacente.
Mai pot fi ntlnite aa-numitele frontiere de granulaie, ele indicnd suprafeele de
separaie a unor monocristale de dimensiuni mici, cu orientri diferite, prezente n masa unui anumit
material. Astfel de frontiere apar n procesul de formare a cristalelor, cnd rcirea este efectuat fr
precauie.
Dintre defectele tridimensionale pot fi menionate aglomerrile de impuriti n cristale,
pecum i micile caviti din interiorul corpurilor solide.
Alte aspecte referitoare la defecte n solid pot fi gsiten:
- Capitolul 1: What is Condesen matter Physics?, paragraful 1.6, pag. 4: 1.6 Other phases: liquid
crystals, quasicrystals, polymers, glasses din lucrarea Solid State Physics, Chetan Nayak,
University of California, 2000, disponibil la pagina web
(unde sunt detaliate fazele n care se pot afla structuri similare cristalelor).

FJ.01.4. Aplicaii
Aspectele principale legate de aplicaii ale teoriei generale a structurii cristaline a solidelor i
ale statisticii defectelor n cristal sunt reprezentate de procedeele tehnologice de cretere a
cristalelor. Avnd proprieti de ordonare spaial, apar efecte suplimentare la cristale fa de
corpurile amorfe. Este suficient s amintim n acest sens (la limit) duritatea unor cristale precum
diamantul (cu aplicaii n mecanic) dar i proprietile electronice ale materialelor semiconductoare
cu aplicaii n electronic (ele permind varierea proceselor de conducie din exterior, fapt ce
permite procesarea electronic a informaiei). Din acest motiv se urmrete permanent proiectarea
unor metode de cretere a cristalelor de mai mare acuratee, astfel nct influena factorilor ce
genereaz apariia defectelor (ce modific drastic proprietile cristalelor) s fie minimizat.


- 22 -

FJ.02. Proprietile termice ale solidelor
Cuvinte-cheie
vibraie colectiv, ramur acustic, ramur optic, fononi,
temperatura Debye, temperatura Fermi, legea Wiedemann-Frantz

FJ.02.1 Moduri normale de vibraie ale reelei cristaline

Intr-o reea cristalin, atomii execut mici vibraii n jurul poziiilor de echilibru, cu o
amplitudine determinat de temperatur (vibraie termic). Intr-o prim aproximaie, aceast
micare de vibraie poate fi considerat drept o micare oscilatorie, iar atomii respectivi drept nite
oscilatori armonici n interaciune.
In cadrul acestui model al oscilatorilor cuplai se analizeaz iniial un ir liniar de atomi
identici de mas m, aflai unul faa de altul la distana a (constanta reelei). Se noteaz cu U
n

amplitudinea instantanee de oscilaie pentru oscilatorul notat cu indicele n. Se presupune c ntre
atomii nvecinai acioneaz fore ce pot fi aproximate cu fore de tip elastic (cvasielastice),
proporionale cu modificarea distanei dintre atomi fa de a (cea din cazul poziiei de echilibru),
deci cu diferena dintre poziiile atomilor fa de starea de echilibru.
Lund n considerare doar interaciunile acestuia cu oscilatorii nvecinai, i presupunnd c
acest oscilator se deprteaz de vecinul de ordin n+1

i se apropie de vecinul de ordin n-1, atunci
asupra oscilatorului n va actiona o for rezultant dat de suma dintre dou fore de semn contrar
exercitate de atomii nvecinai, for ce poate fi scris succesiv sub forma:
F
n
= [(U
n+1
- U
n
)] - [(U
n
U
n-1
) ]
F
n
= (U
n+1
2U
n
+ U
n-1
)
Ecuaia de micare a oscilatorului va deveni
= (
)
(cele dou puncte desupra amplitudinii U indicnd dubla derivare n raport cu timpul pentru a
rezulta acceleraia, conform legii dinamicii).
Se ncearc pentru aceast ecuaie o soluie de forma unei unde plane progresive
U
n
= U
0
exp[it qna]
unde na= x este poziia nodului respectiv n lungul irului, cu n un numr ntreg , iar q = 2/ =
/v (v fiind viteza de propagare a vibraiei). In funcie de expresia lui U
n
se obine succesiv (prin
derivare i substituie)
exp []
exp []
Prin nlocuirea acestor expresii n ecuaia forei ce acioneaz asupra oscilatorului n i simplificare a
ecuaiei rezultate cu U
n
va rezulta
= 2
exp exp []
2
1
ce se poate scrie sub forma
-m
2
= 2 (cos qa 1)
sau

- 23 -
= 4
2

de unde rezult
=
4

/
sin
2

Aadar pulsaia undei plane ce se propag prin irul de atomi depinde de vectorul de und q =2/,
ceea ce indic prezena fenomenului de dispersie. Dac deformaia elastic relativ local e a irului
de atomi se scrie sub forma e = U/x (deformaia raportat la lungimea pe care se manifest),
atunci raportul C dintre fora elastic F i aceast deformaie e definete rigiditatea irului de atomi
considerat sub forma
=

Fiind egal numeric cu fort necesar unei deformaii relative unitate, adic o deformaie cu a
efectuat pe distana a, mai poate fi scris sub forma C = a (ntruct o deformaie de mrime a
solicit fora a). Densitatea liniar se poate scrie sub forma = m/a (masa unui atom raportat la
distana dintre doi atomi succesivi ai reelei liniare), i prin substituie n expresia pulsaiei se
ajunge la
=
4/

/
sin
2

=
2
2

Intruct viteza de propagare a sunetului prin cristal este
(conform aspectelor fundamentale

din teoria elasticitii) rezult
=
2
2

In cazul n care vectorul de und q ia valori mici (lungimea de und fiind mare) se poate
aproxima sinusul din relaia de mai sus prin argumentul lui, rezultnd prin substituie =v
0
q. In
aceast situaie viteza de faz v
f
= /q este egal cu viteza de grup v
g
= d/dq. Dac ns
aproximaia de mai sus nu mai poate fi folosit, atunci viteza de faz se scrie sub forma general
=
2
sin
2

iar viteza de grup va fi dat de relaia
=

cos
2

i se observ cum v
g
0 pentru

(la marginea primei zone Brillouin). Intruct viteza de grup

este cea care indic transferul de energie n mediul de propagare al undei, atunci transferul de
energie devine minim, pulsaia avnd o valoare maxim
=
2

iar n interiorul materialului se formeaz unde staionare, oscilaia atomului n din ir putnd fi scris
sub forma
exp cos ()

- 24 -
Valorile admisibile ale vectorului de und q sunt determinate n mod preliminar n ipoteza
c irul din cristal are N atomi, iar (matematic) n ecuaia undei progresive atomul cu indicele N+1
va corespunde atomului cu indicele 1, atomul cu indicele N+2 va corespunde atomului cu indicele 2
etc. Ca urmare amplitudinile de oscilaie ale undei progresive trebuie s se regseasc atunci cnd
indicele crete cu N , respectiv parcursul variaz cu lungimea irului de N atomi (notat cu L = aN).
Aceast condiie de periodicitate impune ca
exp[iqaN] = 1
=
2

=
2

unde k este un numr ntreg. Aceast analiz poate fi extins dac se efectueaz raportul U
n+1
/U
n

ntre deplasrile a doi atomi consecutivi din ir. Folosind expresia undei progresive i simplificnd
factorul temporal, rezult exp(iqa); ntruct domeniul de la - la al exponentului acoper toate
valorile posibile ale exponenialei, rezult c analiza poate fi limitat n practic la
- qa
sau

ceea ce corespunde primei zone Brillouin (observndu-se astfel i importana lor n practic datorit
proprietilor de periodicitate evideniate mai sus).
Dac se analizeaz vibraiile unei reele cu dou tipuri de atomi n celula elementar, atunci
se poate considera un ir de atomi echidistani (plasai la distana a unul fa de altul), n care atomi
cu masa m ocup pozitiile corespunztoare unui indice par, iar atomi cu masa M ocup poziii
corepunztoare unui indice impar (dispunere alternativ, coordonatele de poziie pentru cele dou
tipuri de atomi fiind 2na, respectiv (2n+1)a ). Ecuaiile de micare pentru cele dou tipuri de atomi
vor fi
= (
= (
)
iar soluiile posibile ncercate vor fi de forma
U
2n
= A exp{i[t+ 2naq]}
U
2n+1
= B exp[i(t+(2n+1)aq]}
Substituia acestora n cele dou ecuaii de micare anterioare, dup efectuarea simplificrilor,
conduce la perechea de ecuaii
(2 m
2
) A (2 cos qa) B = 0
(-2 cos qa) A + (2 M
2
) B = 0

Acest sistem de ecuaii admite o soluie diferit de zero n raport cu necunoscutele A i B dac
determinantul sistemului format n raport cu aceste dou mrimi este nul. Aceasta conduce la
ecuaia biptratic n raport cu
2
1
+
1
+
4
= 0
implicnd
=
1
+
1
+
1

/

cu soluii posibile
1
(pentru semnul plus), respectiv
2
(pentru semnul minus). In cazul n care q ia
valori mici, atunci sinusul poate fi aproximat cu argumentul lui, iar radicalul dintr-o valoare

- 25 -
apropiat de unu (obinut prin raportarea expresiei de sub radical la termenul din faa radicalului) se
poate dezvolta n serie Taylor oprind termenii de ordin zero i unu. Pentru

sinusul devine
egal cu unitatea, i astfel rezult:
(i) pentru
(ce corespunde pulsaiei mai mari, denumit i ramura optic)
= 2
1
+
1
, ( 0)
=
2
2

(ii) pentru
(ce corespunde pulsaiei mai mici, denumit i ramura acustic)
=
2
+

, ( 0)
=
2
2

In cazul ramurii acustice toi atomii vibreaz n faz (valorile amplitudinilor de oscilaie Ai B au
acelai semn ce multiplic factorul exponenial n expresia amplitudinii de oscilaie pentru cele
dou tipuri de atomi au acelai semn), n timp ce n cazul ramurii optice atomii vibreaz n opoziie
de faz (mrimile A i B au semne contrare), ionii reelei cu sarcini electrice de semne contrare
formnd un dipol electric ce poate interaciona cu undele electromagnetice (denumirea de ramur
optic fiind astfel justificat).
Se poate introduce noiunea de mod normal de vibraie, dac (pentru cazul simplificat al
irului format dintr-un singur tip de atomi) se analizeaz energia total a celor N

oscilatori ce va
cuprinde att energie cinetic ct i energie potenial. Considernd c atomul cu indicele n din ir
are o energie cinetic respectiv o energie potenial, rezult pentru energia total H expresia
H =H
c +
H
p
=

(conform definirii energiei cinetice i energiei poteniale de deformaie). Aceasta se poate rescrie
sub forma
=
2
+

Primul termen indic energia vibratorie a N oscilatori independeni, iar cel de-al doilea indic o
energie datorat cuplajului (intercaiunii) dintre oscilatorii nvecinai. Anularea acestui termen se
poate face prin efectuarea unei substituii bazate pe dou noi coordonate P
q
i Q
q
(dou serii de
mrimi ce corespund fiecare unui anumit vector de und q) care s descrie amplitudinea oscilaiei
ntr-un nod U
n
i impulsul atomului din nodul respectiv p
n
sub forma unor expresii similare seriilor
Fourier
=
1
cos
1
sin
=
1
sin +
cos

Inlocuind aceste noi variabile n expresia anterioar a energiei totale, se observ c termenii ce
prezentau interaciunea dintre oscilatori se reduc (datorit propriettilor produselor de functii tip
sinus/cosinus ce conin factori cu frecvene diferite), rezultnd n final o sum de termeni H
q
ce
corespund fiecare energiei unui oscilator cu vector de und q

- 26 -
=
=
1
2

Noile variabile P
q
i Q
q
satisfac relaiile lui Hamilton

iar numrul de moduri de oscilaie este determinat de numrul valorilor posibile ale lui q, deci de
numrul de atomi N considerat (fiind doar N atomi, pot exista doar N grade de libertate ce sunt n
mod firesc independente ntre ele).

Detalii suplimentare referitoare la vibraiile solidelor pot fi gsite n:
- Capitolul III: Toy Models of Solids in One Dimension: Mainly Vibrations, paragrafele 5: The one-
dimensional monatomic solid, i 6: The one-dimensional diatomic solid (de la pag. 55 la pag. 77,
exceptnd subparagraful 5.2.3 referitor la fononi) n lucrarea Lecture Notes for Solid State
Physics, Steven Simon, Oxford University 2011, disponibil la pagina web
unde sunt prezentate detaliat modurile normale de vibraie.

FJ.02.22 Fononi

Intruct structura cristalin este format din particule microscopice aflate n oscilaie, similar
introducerii vectorilor de und ai reelei reciproce se poate considera (n cazul modurilor normale
de oscilaie prezentate mai sus) c aceste vibraii pot fi cuantificate pe baza principiilor mecanicii
cuantice (ntr-un mod asemntor celui folosit de Planck pentru cuantificarea radiaiei termice, cnd
s-a presupus c exist un numr finit, ntreg, de oscilatori elementari cu o anumit energie, iar
diferena dintre aceste energii ale diferitelor nivele de oscilaie este egal cu o anumit constant).
In acest scop, coordonatele normale P
q
i Q
q
ataate fiecrui mod normal de vibraie
(prezentate mai sus) trebuie s fie considerate operatori ce trebuie s satisfac relaiile de comutare
specifice teoriei cuantice n cazul operatorilor conjugai
[Q
q
; P
q
] = i
q,q

[Q
q
; Q
q
] = [ P
q
; P
q
] = 0
unde
q,q
= 1 (pentru q = q) i
q,q
= 0 (pentru qq). Dac
q
i E
q
reprezint funcia de und i
respectiv energia corespunztoare modului de vibraie caracterizat de vectorul de und q, atunci
ecuaia lui Schredinger va fi scris sub forma
H
q

q
= E
q

q

Efectund nlocuirea

n expresia hamiltonianului dat de suma termenilor corespunztori fiecrui mod normal de oscilaie,
se obine
=

Cuantificarea acestor vibraii conduce la concluzia preliminar c pentru fiecare mod de vibraie
caracterizat de vectorul de und q trebuie s existe un anumit numr ntreg n
q
de cuante de energie,
fiecare dintre ele avnd energia
q
=
q
(similar cuantelor de energie ale cmpului

- 27 -
electromagnetic). Intruct ele corespund de fapt unei vibraii a materiei, au fost denumite fononi.
Ca urmare, energia proprie unui mod de vibraie q ce cuprinde n
q
astfel de cuante va fi
+
1
2
;
= 0, 1, 2,
(se observ existena unei aa-numite energii de zero E
0
=
q
/2 ce corespunde valorii nule a
numrului de cuante pentru acel mod, aspect ce poate fi explicat doar pe baza teoriei cuantice). Ca
urmare, starea fundamental de vibraie (cea cu energie minim) va corespunde energiei
=
1
2

Similar expresiei impulsului fotonului, pentru fononi se consier impulsul a fi dat de relaia p
q
= q.

Detalii suplimentare referitoare la fononi pot fi gsite n:
- Capitolul III: Toy Models of Solids in One Dimension: Mainly Vibrations, subparagraful 5.2.3:
Quantum Modes: Phonons, pag. 62, din lucrarea Lecture Notes for Solid State Physics, Steven
Simon, Oxford University 2011, disponibil la pagina web
unde fononii sunt prezentai pornind de la modelul oscilatorului armonic cuantic, utiliznd statistica
bosonilor (prin analogie cu statistica fotonilor).
- Capitolul 4: Broken Translational Invariance in the Solid State, paragrafele 4.1: Simple Energetics
of Solids, 4.2: Phonons: Linear Chain i 4.3: Quantum Mechanics of a Linear Chain, de la pag. 30
la pag. 37 n lucrarea Solid State Physics, Chetan Nayak, University of California, 2000,
unde sunt detaliate aspectele de mecanic statistic.
-Capitolul 6: Phonon Dynamics, pag. 47, din lucrarea "Solid State Physics" de Jung Hoon Han,
Sungkyunkwan University, Korea, 2010, disponibil la pagina web:
http://manybody.skku.edu/Lecture%20notes/Solid%20State%20Physics.pdf
unde dinamica fononilor este studiat att clasic, ct i cuantic.

FJ.02.3 Cldura specific a solidelor
Cuantificarea vibraiilor reelei cristaline a permis o abordare mai precis a aspectelor legate
de transferul de energie spre reeaua cristalin i de cldurile specifice ale solidelor.
Un prim model bazat pe aceste aspecte a fost elaborat de Einstein. El a pornit de la
presupunerea c fiecare atom din solid se poate afla ntr-o micare de vibraie de-a lungul tuturor
celor trei axe de coordonate tridimensionale, i astfel la un moment dat exist 3N de astfel de
oscilatori independeni ce ar oscila cu o aceeai frecven . Suplimentar fa de energia de zero E
0

= h/2, aceti oscilatori vor avea doar energii ce pot varia prin cuante de energie h= . Se
consider c n starea de energie corespunztoare lui n
q
= 1 se vor afla N
1
oscilatori, n starea de
energie corespunztoare lui n
q
= 2 se vor afla N
2
oscilatori etc. Pentru numrul total de oscilatori N
va rezulta
N = N
0
+ N
1
+ N
2
+
Analiznd dou stri energetice succesive ce difer ntre ele printr-o cuant de energie h , n starea
de energie mai mic (inferioar) aflndu-se N
n
oscilatori, iar n starea de energie mai mare
(superioar) aflndu-se N
n+1
oscilatori. Conform legii distribuiei dup energie a lui Boltzmann, cele
dou numere se afl n raportul

- 28 -
N
n+1
= N
n
exp(- h/K
B
T)
iar dac se impune condiia ca suma acestor numere de atomi N
n
s fie egal cu N , se obine
expresia

Folosind principiul stabilirii valorii medii pentru o anumit mrime n funcie de propbabilitataea de
apariie a fiecrei valori posibile (medie ponderat) rezult numrul cuantic de excitaie medie (de
ocupare) <n> pentru un singur oscilator
< > =

cu s lund valori ntregi de la 0 la . Notnd

=
se poate scrie expresia de mai sus utiliznd la numrtor derivata n raport cu variabila de nsumare
a sumei unei serii geometrice, iar la numitor suma termenilor aceleiai serii geometrice cu raia z. Se
ajunge n final la expresia
< > =
1

1

iar energia medie <u> pentru un singur oscilator va fi
< > = < > =
1

(fr a se mai aduga energia de zero menionat anterior, ce nu afecteaz deducerea cldurilor
specifice ntruct derivata unei constante este nul). Intruct s-au considerat N oscilatori
independeni avnd o aceeai frecven, se va obine pentru energia lor medie <U> expresia
< > = < > =
exp

1

Se obine apoi cldura molar derivnd aceast expresie a energiei totale n raport cu T, nlocuind
pe N mai nti cu N
A
(numrul lui Avogadro, fiind vorba de un mol), apoi cu 3N
A
(deoarece fiecrui
atom i corespund de fapt 3 oscilatori, aa cum s-a artat), i nlocuind n final produsul N
A
K
B
cu R
(constanta gazelor perfecte), conform aspectelor fundamentale din teoria cinetic a gazelor,
rezultnd
= 3
1 1

unde (pentru simplificarea scrierii) s-a introdus temperatura Einstein
E
= h/K
B
. La temperaturi
ridicate
E
/T 1 iar prin dezvoltarea n serie a exponenialelor i reinerea doar a primilor termeni
rezult C
V
= 3R (similar cazului clasic). La temperaturi sczute ns se ajunge prin aproximri la

- 29 -
= 3

ce indic o scdere exponenial a lui C
v
cu temperatura.
Modelul lui Einstein este util pentru frecvene de vibraie ale atomilor ce corespund
domeniului optic. Abaterile acestui model de la datele experimentale se datoreaz faptului c n
procesul de vibraie n jurul poziiilor de echilibru atomii exercit efecte asupra celor din nodurile
nvecinate, acetia ajungnd s se deplaseze n acelai timp. Astfel modelul unui set de oscilatori
independeni cu o aceeai frecven trebuie nlocuit cu un model n care se manifest o vibraie
colectiv a tuturor atomilor cristalului.
Pentru determinarea spectrului de frecvene corespunztor acestui model, Debye a utilizat
ipoteza unui solid cu N atomi pentru care numrul total de frecvene independente este limitat la 3N
(numrul de grade de libertate ale ansamblului analizat). O vibraie colectiv a atomilor va fi
caracterizat prin existena unor unde de vibraie caracterizate printr-un vector de und k ce poate
lua un numr finit de valori (dependent de volumul considerat, deoarece este egal cu numrul de
celule elementare ale acestuia). Fiecrei valori posibile a vectorului de und k i corespunde o
anumit frecven de vibraie.
Energia unei anumite unde de vibraie va fi deasemeni cuantificat, fiind de forma
+
1
2

unde n reprezint numrul cuantic,
este vectorul de und corespunztor undei de vibraie, este

frecvena corespunztoare iar indicele j indic direcia spaial (una dintre cele trei axe spaiale)
specific vibraiei respective (tipul de polarizare). Pentru un singur tip de polarizare (indicele j
nemaifiind notat) unui mod de vibraie i va fi asociat energia
1

(conform aspectelor indicate la modelul Einstein prezentat anterior). Energia W corespunztoare
tipului de polarizare considerat va fi determinat de nsumarea dup
a energiilor
pentru un
mod, respectiv
=

Considernd c solidul are
dN

= D()d
moduri de vibraie n intervalul de frecven , + d , se va putea scrie energia sub forma
=
=
unde D() a fost definit astfel nct s reprezinte densitatea modurilor de vibraie. Aceast densitate
poate fi determinat pornind de la ipoteza preliminar c undele staionare pot apare ntr-un
paralelipiped de laturi a, b i c doar cnd vectorul de und
ndeplinete condiiile
=
, =
, =

unde setul de numere m
i
conine numere ntregi, iar k
x
, k
y
i k
z
reprezint proieciile vectorului de
und
pe cele trei axe (relaiile de mai sus indicnd necesitatea de a exista unde staionare n acest
paralelipiped, amplitudinea de oscilaie a acestora pe feele laterale fiind nul deoarece pe parcursul
distanelor a, b i c faza va varia cu un multiplu de ). Rezult astfel

- 30 -

Trebuie fcut observaia c pentru aceleai valori (n modul) pentru k
x
, k
y
, k
z
(proieciile
vectorului de und pe cele trei axe) exist de fapt 8 unde progresive diferite ntre ele ca sens (pentru
fiecare ax existnd dou direcii diferite ale proieciei lui
, pentru un acelai modul al proieciei

respective).
Astfel, pentru fiecare set de numere m
1
, m
2
, m
3
se determin o valoare posibil k a
modulului vectorului de und sub forma

iar ntr-un spaiu tridimensional fictiv al vectorului de und
(cu axele de coordonate reprezentate

de k
x ,
k
y
i k
z
) fiecrui mod de oscilaie definit de acest set de numere i va corespunde un volum
elementar

(distana de la un punct la altul n acest spaiu al vectorilor de und k de-a lungul celor trei axe fiind
/a, /b respectiv /c). Tot n acest spatiu fictiv al lui
se poate considera volumul cuprins ntre k i

k+dk drept o ptur plasat pe suprafaa exterioar a unei sfere de raz k (modulul vectorului
cu
un volum ce poate fi exprimat (n coordonate polare) sub forma cunsocut din teoria trecerii la
coordonate polare
= 4

(aproximativ suprafaa sferei de raz k multiplicat cu grosimea dk a acestei pturi exterioare
cuprins ntre sfera de raz k i sfera de raz k+dk ). Considernd doar punctele din zona n care
cele trei proiecii ale lui
au o valoare pozitiv (fapt ce implic mprirea volumului elementar

anterior la 8) i determinnd apoi dN
k
(densitatea de moduri de vibraie n jurul lui k) prin
/8

1
8
4

unde V este volumul paralelipipedului analizat. Se poate trece la analiza n frecven prin substituia
=
2

(deoarece =
, adic raportul dintre vitez i frecven), iar apoi (prin derivare) la diferene
infinitezimale
=
2

rezultnd n final (prin substituia lui k i dk n expresia lui dN
k
, i prin multiplicarea final cu trei
ntruct de-a lungul unei direcii oarecare se pot propaga trei unde cu aceeai frecven dar diferite
ca polarizare, una longitudinal i dou transversale)
= 3
4

Ulterior s-a presupus c numrul total de oscilaii posibile (cuprins ntre frecvena nul i o anumit
frecven maxim
max
poate fi aflat prin integrarea expresiei de mai sus ntre aceste limite, iar
rezultatul poate fi egalat cu 3N (numrul total de vibraii posibile, dup cum s-a presupus de la
nceput pentru acest model). Rezult astfel

- 31 -
3 =
4

ceea ce permite determinarea lui
max
n funcie de viteza v i apoi aflarea lungimii de und minime
min
(corespunztoare acestei frecvene maxime) prin mprirea vitezei la aceast frecven maxim
(ntruct viteza este raportul dintre lungime de und i frecven). Rezult astfel (prin simplificare
cu viteza v)
3
4

2
unde d este distana dintre atomii vecini din reea (deoarece d
3
= V
0
= V/N , unde V
0
este volumul
ocupat de un anumit nod din reea).
Penultima relaie de mai sus permite scrierea frecvenei n funcie de
max
sub forma
=
4
3

iar prin efectuarea acestei substituii n expresia anterioar a lui dN

i efectiarea simplificrilor
rezult pentru numrul de moduri de oscilaie din intervalul de frecven ( , + d ) expresia
= 9
=

unde mrimea D() reprezint densitatea de moduri de oscilaie (definit prin numrul de moduri
din acel interval raportat la intervalul de frecven). Aceast ultim relaie permite scrierea valorii
energiei totale W sub forma
= =
9

Difereniind aceast relaie n raport cu temperatura T se obine cldura specific C
V
. Introducnd
pentru simplificare notaiile
D
- temperatura Debye, definit prin
h
max
= K
B
D

i introducnd variabila
=
, cu

se ajunge pentru C
V
la relaia
= 9
exp 1

Temperatura Debye indic limita de la care ncepe s devin important existena fononilor
(fenomenele cuantice). Pentru T
D
limta superioar de integrare tinde spre infinit, iar integrala
va tinde spre valoarea 4
4
/15. Ca urmare, intrucnd valoarea aproximativ pentru i grupnd K
B
T
= R (ca mai nainte) se va obine expresia aproximativ
= 235

ce indic dependena de puterea a treia a temperaturii pentru cldura specific (aspect n
concordan cu experiena la temperaturi joase, unde intervin fononii acustici, cu lungimi de und
mari).

- 32 -
Un aspect ce trebuie subliniat este indicat de influena electronilor de conducie. Dac s-ar
analiza suplimentar i influena electronilor la cldura specific (n paragraful anterior fiind
analizat doar influena atomilor), atunci, teoretic, faptul c aceti electroni ar trebui s prezinte o
energie cinetic medie
< > =
3
2

ar implica o cldur specific suplimentar de (3/2)K
B
pentru fiecare electron. Acest aspect ar duce
ns la o cretere foarte mare a cldurii specifice fa de rezultatele experimentale, aspect ce a fost
explicat prin luarea n considerare pentru o posibil contribuie suplimentar doar a electronilor
dintr-un interval de energie egal cu K
B
T (ce poate fi primit uor din exterior) fa de nivelul Fermi
W
F
- nivelul pn la care s-ar umple cu electroni solidul la 0
o
K. Astfel, dac la aceast
temperatur cei N
0
electroni ar fi distribuii la intervale egale de energie de la 0 la W
F
, atunci un
nivel ar conine doi electroni (conform principiului de excluziune al lui Pauli), rezultnd N
0
/2
nivele energetice considearte n prim aproximaie a fi echidistante. Astfel rezult pentru energia
W ce separ ntre ele dou nivele succesive valoarea
=
/2
=
2

iar numrul de electroni din intervalul K
B
T ar fi dat de raportul dintre intervalul de energie i
diferena dintre nivele (ce indic numrul nivelelor din acel intreval) multiplicat cu doi (numrul de
electroni pe un nivel)
= 2

Introducnd notaia T
F
- temperatura Fermi, definit prin

rezult c numrul de electroni ce contribuie la conducia termic este determinat aproximativ de
raportul
=

ceea ce arat c doar o fracie din electronii liberi trebuie luat n considerare (aspect conform cu
datele experimentale practic contribuia cuantic fiind de ordinul a un procent fa de cazul
clasic).
Deasemenea, trebuie menionate principalele aspecte legate de conductibilitatea termic. In
cristale solide, transferul de energie termic se poate realiza prin electroni de conducie (la metale)
sau prin vibraiile reelei (spre exemplu, n cazul cristalelor ionice sau covalente excitaia termic
provoac unde ce se propag n material).
Legile generale ale conductibilitii (deduse experimental) indic un flux al energiei termice
(ce traverseaz unitatea de suprafa n unitatea de timp) proporional cu gradientul de temperatur
din acel punct. Prin analogie cu fenomenele din gaze (unde apare noiunea de drum liber mediu) se
poate arta c aceast constant de proporionalitate K poate fi aproximat sub forma
=
1
3

unde C
f
reprezint capacitatea caloric pe unitatea de volum, v
f
reprezint viteza undelor termice
datorate fononilor (practic viteza sunetului n solid) iar
f
reprezint drumul liber mediu al
fononilor. Contribuia suplimentar a electronilor de conducie poate fi scris sub o form
asemnntoare

- 33 -
=
3

unde mrimile de mai sus se refer la electronii din cristal. Introducnd timpul de relaxare (cel
dintre dou ciocniri) va rezulta n final c aceast contribuie suplimentar la valoarea lui K este
proporional cu temperatura T i timpul de relaxare , fiind invers proporional cu masa
electronilor (cum era de ateptat). La metale se utilizeaz n practic legea Wiedemann-Frantz,
conform creia
=
unde L este o constant de proporionalitate (numrul lui Lorentz 2.4510
-8
W
0
K
-2
), iar este
conductibilitatea electric.
In ceea ce privete fenomenel de dilatare termic, se poate remarca (succint) c dilatarea
termic este mai mare n cazul solidelor metalice, fiind mai mic pentru solidele ionice sau
covalente. Fenomenologic, la solidele ionice coeficienii de dilatare termic au valori mai ridicate
cnd distanele dintre ioni sunt mai mari. Deasemenea, la creterea sarcinii ionice, coeficientul de
dilatare scade (aspecte uor de neles din punct de vedere intutiv).

Detalii suplimentare referitoare la cldura specific a solidelor pot fi gsite n:
- Capitolul I: Physics of Solids without Considering Microscopic Structure: The
Early Days of Solid State, Paragraful 2: Specific Heat of Solids: Boltzmann, Einstein, and Debye,
pag. 7, din lucrarea Lecture Notes for Solid State Physics, Steven Simon, Oxford University
2011, disponibil la pagina web
unde cldura specific este analizat pornind de la formulele Planck ale teoriei precuantice.
- Capitolul 4: Broken Translational Invariance in the Solid State, paragrafele 4.7: Debye Theory i
4.8: More Realistic Phonon Spectra: Optical Phonons, van Hove Singularities, de la pag. 43 la pag.
47 n lucrarea Solid State Physics, Chetan Nayak, University of California, 2000, disponibil la
pagina web
unde sunt detaliate coreciile necesare la temperaturi mari, precum i influena fononilor optici.

FJ.02.4 Aplicaii
Aspectele legate de modurile de vibraie ale reelei cristaline sunt importante pentru studiul
riguros al interaciei undelor cu atomii sau moleculele din corpul solid n condiii normale de
temperatur (mult diferite de zero absolut). Existena modurilor normale de vibraie i cuantificarea
realizat prin introducerea fononilor permit modelarea fenomenelor de interacie dintre unde
electromagnetice i plane cristaline aflate n vibraie utiliznd modele similare celor pentru
interaciunea dintre un foton i un electron izolat, cu bune rezultate n determinarea direciilor n
care un fascicul luminos este mprtiat (efectul Brillouin, utilizat n transmiterea optic a
informaiei).
Pe de alt parte, determinarea precis a dependenei cldurilor specifice ale solidului este
necesar pentru stabilirea duratei i intensitii unor cicluri de nclzire-rcire a materialelor, astfel
nct materialul supus procesului s ajung la anumite temperaturi i s se menin la acestea un
anumit interval de timp necesar unor transformri interne de structur (n final materialul
prezentnd proprieti mecanice sau electromagnetice superioare).


- 34 -

Capitolul FJ.03. Benzi energetice n solide
Cuvinte-cheie
colectivizarea electronilor, benzi de energie, benzi permise, benzi
interzise, energia Fermi, funcii Bloch, mas efectiv

FJ.03.1 Nivelele energetice ale unui atom liber

Conform principiilor teoriei cuantice, ntr-un atom liber electronii se vor afla ntr-o stare
descris de o funcie de und ce satisface ecuaia lui Schroedinger, scris n aproximaia
nerelativist sub forma
2
= , ,
unde reprezint laplaceianul funciei de und , i U(x, y, z) este energia potenial. Aceasta
este ecuaia lui Schroedinger temporal, obinut din expresia clasic a energiei totale (scris sub
forma sumei dintre energia cinetic, exprimat n funcie de impuls, i energia potenial U) prin
considerarea energiei totale, a impulsului i a energiei poteniale drept operatori ce acioneaz
asupra unei funcii de und caracteristice electronului. Presupunnd apoi c aceast funcie de und
se poate scrie sub forma
(x, y, z, t) = (x, y, z) exp{- Wt/(i)}
unde reprezint aa-numita funcie de und spaial (independent de timp) ce este
multiplicat cu un factor exponenial ce descrie faza, similar cazului fotonilor pentru care
pulsaia este proporional cu energia W.
Prin substituie si simplificare n ecuaia anterioar se ajunge la ecuaia lui Schroedinger
atemporal
=
2
=
a crei soluie trebuie s satisfac anumite cerine de continuitate, limitare etc. (impuse de
semnificaia ei n raport cu fizica clasic) dar i anumite condiii impuse de fizica cuantic. Astfel,
valorile lui W ce pot fi observate pot fi doar valorile proprii ale operatorului energiei aplicat funciei
de und spaiale, iar strile corespunztoare acestor valori proprii sunt denumite stri proprii. Se
arat (matematic) faptul c o astfel de stare poate fi caracterizat complet de un set de numere
cuantice ce cuprinde: (i) numrul cuantic principal n = 1, 2, 3, .. , (ii) numrul cuantic orbital n
l
= 0,
1, 2n-1, (iii) numrul cuantic magnetic n
m
= 0, 1, 2, n
l
, (iv) numrul cuantic de spin s =
1/2 .
Nivelele de energie ale unui atom izolat sunt determinate n principal de numrul cuantic
principal n (ntr-o mult mai mic msur intervenind numrul cuantic orbital n
l
prin luarea n
considerare a unor interaciuni magnetice la scar intra-atomic, denumite cuplaje). Ca urmare, se
obine un spectru discret de valori posibile ale energiei. Grupul de nivele energetice caracterizat de
acelai numr cuantic principal formeaz o ptur. Pentru pturile unui sistem se folosesc notaiile
K (n=1), L (n=2), Nivelele energetice dintr-o ptur sunt determinate de diferitele valori ale lui
n
l
, utilizndu-se notaiile s (n
l
=0), p (n
l
=1) etc. Fiecrui nivel energetic i corespund 2n
l
+1 stri,
determinate de numrul cuantic magnetic, iar fiecare stare poate avea doi electroni cu spin diferit.

- 35 -

Detalii suplimentare referitoare la nivelele energetice ale unui atom liber pot fi gsite n
capitolele de mecanic cuantic unde, pe baza ecuaiei Schroedinger pentru un electron aflat sub
influena cmpului electric al nucleului (ce genereaz energia potenial) se deetrmin strile
posibile ale electronului, fiecare stare fiind caracterizat de un anumit set de numere cuantice.
Aspecte referitoare la diverse tipuri de legturi ntre atomii ce compun moleculele pot fi
ntlnite n:
-Capitolul II: What Holds Solids Together, paragraful 4: Chemical bonding, pag. 33, din lucrarea:
Lecture Notes for Solid State Physics, Steven Simon, Oxford University 2011, disponibil la
pagina web

FJ.03.2. Colectivizarea electronilor ntr-un solid
Intr-un solid atomii nu mai pot fi considerai a fi izolai, electronii fiind influenai de atomii
nvecinai. Ca urmare, funcia de und care i descrie va trebui s ia n considerare influena mai
multor atomi, aprnd un fenomen de colectivizare a atomilor.
In cazul simplificat a doi atomi aflai la o distan pentru care nu se manifest fenomene de
interacie semnificative se va putea considera electronul pentru un anumit atom ca fiind situat ntr-o
groap de potenial (electronii fiind practic localizai), iar funcia de und a fiecrui electron va fi
legat de cea a celuilalt electron doar prin condiia ca funcia de und a sistemului (format prin
alturarea funciilor de und ale fiecrui electron) s fie simetric sau antisimetric. Acest aspect
este impus de regula mecanicii cuantice ca funcia de und ce descrie un ansamblu de particule s
fie simetric sau antisimetric la permutarea a dou particule din ansamblu ntre ele.
Dac ns atomii sunt apropiai la o distan pentru care fenomenele de interacie se
manifest semnificativ, atunci expresia i forma funciilor de und se modific substanial.
Electronii pot fi considerai a aparine unei singure gropi de potenial formate prin alturarea celor
dou gropi de potenial ale atomilor, iar funciile de und din aceast groap de potenial pot fi la
rndul lor simetrice sau antisimetrice n raport cu mijlocul regiunii, aceast condiie fiind impus
acum ns de necesitatea unor valori nule pentru funcie la marginea gropii (a intervalului). Energia
strilor de energie minim (ce sunt primele ocupate de electronii celor doi atomi) difer pentru
cazul simetric fa de cel antisimetric, i astfel se poate spune c doi electroni ce ar fi ocupat acelai
nivel de energie pentru cei doi atomi izolai vor ajunge acum s ocupe dou nivele de energie
diferite (apropiate ntre ele) pentru grupul de doi atomi, electronii fiind astfel colectivizai iar
nivelele energetice despicate.
Un proces similar apare n urma apropierii a doi atomi ce conin un numr mai mare de
electroni. De la o anumit distan ncep s se manifeste fore de respingere ntre nveliurile
electronice complete ale atomilor, ceea ce are influen mai ales asupra electronilor periferici.
Nivelele energetice ale acestor electroni periferici sunt primele care se despic (ei sunt primii
colectivizai).
Pentru un sistem unidimensional (un ir de atomi identici), n urma apropierii atomilor,
fiecare nivel energetic al unui atom va fi afectat de cte o despicare pentru fiecare interacie cu
ceilali atomi. Pentru 4 atomi ce interacioneaz vor apare 4 nivele distincte, pentru 8 atomi vor
apare 8 nivele etc. ce vor forma o band de energie provenit din acelai nivel iniial al unui atom
izolat, rezultnd n final benzi de energie. Pentru electronii periferici aceste benzi sunt mai largi

- 36 -
(diferenele de energie dintre nivelele nou formate sunt mai mari) comparativ cu benzile de energie
create de electronii din straturile profunde (pentru acetia influena atomilor nvecinai este mai
mic, ei fiind situai mai aproape de nucleu).
Benzile de energie astfel formate (numite i benzi permise) nu se ntreptrund n general,
fiind separate ntre ele prin intervale denumite benzi interzise, ce devin mai largi pentru electronii
din straturile profunde.
Aspectele menionate mai sus pot fi extinse i la un solid tridimensional (cazul general),
pentru care, n urma interaciei dintre atomii constitueni, se formeaz o aceeai structur de benzi
permise i interzise. Pentru fiecare band permis numrul strilor pentru nivelele energetice
corespunztoare va fi de N ori mai mare dect numrul de stri pentru nivelul energetic al atomului
izolat.
Este de remarcat c densitatea nivelelor de energie (numrul de nivele raportat la intervalul
de energie) este mai mare spre mijlocul benzii fa de limitele ei. Structura de benzi permise i
interzise (n condiii date ale parametrilor fizici exteriori) este specific fiecrui cristal.
O prim analiz a acestor benzi de energie s-a bazat pe modelul electronilor liberi. Acetia
sunt reprezentai de electronii periferici ce aparin tuturor atomilor din corpul solid. Se presupune c
nucleele sunt fixe n reea iar problema ansamblului de electroni se reduce la cea a unui singur
electron (neglijndu-se interaciunile reciproce). Intruct electronii se supun statisticii cuantice
Fermi-Dirac, Sommerfeld a elaborat un model matematic aplicabil electronilor de valen ai
solidului, ce cosnider solidul n ansamblu drept o groap de potenial finit macroscopic n care
nivelele de energie ale acestor electroni formeaz o band de energie denumit banda de conducie
(ei determinnd fenomenele de conducie electric i termic). Ocuparea nivelelor acestei benzi se
face ncepnd de la nivelul de zero, conform principiului de excluziune al lui Pauli (cel mult doi
electroni pentru o aceeai stare, dac nu se ine cont de spin) pn la energia Fermi (denumit n
practic nivelul Fermi) W
F
ce reprezint ultimul nivel energetic din banda de conducie ocupat de
electroni la 0
o
K. Acele nivele libere situate n banda de conducie deasupra nivelului Fermi prezint
diferene de energie mici fa de acest nivel (fiind coninute n aceeai band) i astfel pot fi ocupate
relativ uor cnd din exterior se transmite energie electric sau termic. Considernd energia
potenial din interiorul acestei gropi de potenial macroscopice (corespunztoare ntregului solid)
drept nul, se poate scrie ecuaia lui Schroedinger (pentru cazul unidimensional) sub forma
+
2
= 0
Presupunnd solidul drept o reea unidimensional de lungime L, se introduce condiia suplimentar
ca funcia de und trebuie s ndeplineasc aa-numita condiie de ciclicitate
(x) = (xL) = (x2L) etc
(justificat prin asemnarea cu o coard vibrant cu aceleai condiii la limit la ambele capete,
prelungit ipotetic prin repetarea lungimii sale L). O soluie a acestei ecuaii este de forma = A
exp(ikx), unde vectorul de und k (ce determin faza la variaia distanei) este reprezentat de
=
2

/

ce conduce la
=

(dependen ptratic a energiei de vectorul de und). Adugnd condiia de faz nul pentru x = 0,
x = L similar vibraiilor unei coarde fixate la capete, echivalent cu kL = n , rezult

- 37 -
=

ce indic un spectru discret de energie (impus de spectrul discret al valorilor vectorului de und k).
Tinnd cont de relaia dintre pulsaie i energie din mecanica cuantic W =, din relaiile de mai
sus rezult mai nti
=

i ulterior o vitez de grup
=

ce implic mv = k, adic impulsul clasic al electronului liber p = mv este egal cu impulsul cuantic
dat de multiplicarea vectorului de und k cu constanta lui Planck normalizat .
Aspecte similare apar i n cazul tridimensional. Cosnidernd pentru simplitate o acceai
distan L ce determin periodicitatea spaial a reelei pentru toate cele trei direcii, rezult pentru
ecuaia Schroedinger sub form tridimensional
+
2
= 0
o soluie posibil
= exp (
)
cu proieciile pe cele trei axe ale lui k impuse de respectarea condiiilor

cu n
x
, n
y
, n
z
= 0, 1, 2 etc. Intruct

se poate scrie energia sub forma
=
2

2
2

2

unde a fost definit un nou numr cuantic n (ce determin nivelul de energie al electronului) prin
relaia

ceea ce indic degenerarea nivelelor de energie (pentru aceeai valoare a energiei pot exista mai
multe stri descrise de valori diferite pentru n
x
, n
y
, n
z
). Intr-un spaiu tridimensional fictiv al
vectorului de und k, punctelor de pe suprafee sferice de raz k dat le corespund aceleai valori
ale energiei (energia W fiind proporional cu k
2
i pentru cazul tridimensional). Ca urmare, n acest
spaiu vor apare grupuri apropiate de asemenea suprafee ce constituie benzile de energie
menionate anterior, intervalele de valori posibile ale energiei (benzile permise) fiind separate ntre
ele de benzile interzise. Trebuie menionat faptul c justificarea matematic a existenei benzilor
permise i interzise nu este posibil n cadrul modelului electronilor liberi, acesta fiind util doar
pentru analiza funciilor de und ale electronilor n interiorul unei benzi date.
Ultima suprafa sferic ocupat cu electroni la 0
o
K corespunde nivelului Fermi (fiind
denumit suprafa Fermi) ntruct ocuparea nivelelor ncepe de la nivelele inferioare (dinspre
origine) spre nivelele superioare plasate pe o suprafa de raz k mai mare.

- 38 -
Utiliznd energia Fermi W
F
se poate determina numrul cuantic n
F
corespunztor din
relaia

precum i modulul vectorului de und k
F
corespunztor prin

Volumul unei stri energetice n acest spaiu fiind (/L)
3
(ele corespunznd unor puncte aflate la
distana /L unul fa de altul de-a lungul axelor), iar volumul sferei Fermi (volumul ocupat la 0
o
K)
fiind egal cu volumul sferei de raz k
F
, rezult imediat numrul de stri energetice N
s
n acest spaiu
sub forma
=
4
3

Apoi, multiplicnd pe N
s
cu doi (fiind 2 electroni pentru o anumit stare dac se neglijeaz spinul)
rezult numrul de electroni n acest interval energetic, ce poate fi exprimat totodat sub forma
produsului dintre densitatea volumic de electroni de conducie n
V
i volumul L
3
al cubului de
latur L analizat. Aceast egalitate implic
=
3
8

/

ceea prin nlocuire expresia energiei Fermi n funcie de densitatea volumic de electroni de
conducie sub forma
2
3
/

ce permite determinarea energiei Fermi (important pentru statistic) pentru un anumit material, n
condiii date. Ea permite utilizarea funciei de distribuie Fermi-Dirac
=
1
1 +

cu reprezentnd potenialul chimic (uor diferit de energia Fermi cnd temperatura difer de 0
o
K).
La T=0
o
K funcia poate fi aproximat cu unitatea pentru W<W
F
i cu zero pentru W>W
F
. Pentru
temperaturi diferite de zero absolut trecerea valorii funciei f(W) de la unitate la zero nu se mai
realizeaz brusc (la W
F
), ci pe un interval de lrgime aproximativ egal cu K
B
T (lrgimea fiind
definit matematic ca intervalul pe care derivata f/E scade la jumtate fa de maximum existent
pentru aceast derivat la W
F
).

Detalii suplimentare referitoare la colectivizarea electronilor ntr-un solid pot fi gsite n:
-Capitolul 1: Second Quantization, de la pag. 5 la pag.8 (pna la introducerea operatorilor de creare
i anihilare ce implic un formalism mai avansat), din lucrarea "Solid State Physics" de Jung Hoon
Han, Sungkyunkwan University, Korea, 2010, disponibil la pagina web:
unde ansamblul de electroni este studiat pe baza principiilor mecanicii cuantice referitoare la
particule identice.


- 39 -
FJ.03.3. Spectrul energetic al electronilor ntr-un cristal
Cu modelul electronilor liberi se pot explica unele proprieti macroscopice ale metalelor (ce
au un numr mare de electroni liberi) sau semiconductorilor, dei n acest caz se neglijeaz
interaciunea dintre electroni i reea precum i interaciunea reciproc dintre electroni.
Luarea n consideraie a acestor aspecte impune totui efectuarea unor ipoteze
simplificatoare, n absena crora dificultile matematice de rezolvare a ecuaie Schroedinger ar
face imposibil obinerea unui model de lucru. In acest sens se efectueaz mai nti aproximaia
adiabatic, conform creia n timpul unei perioade de micare a electronilor (perioada fiind corelat
cu pulsaia dependent de energie i cu dimensiunile geometrice caracteristice cristalului) ionii
rmn n poziii fixe ntruct masa lor este mult mai mare dect cea a electronilor. Astfel se separ
micarea electronilor de cea a ionilor, fiind neglijate energia cinetic a ionilor i interaciunea lor
reciproc.
A doua aproximaie efectuat este cea unielectronic, necesar ntruct evaluarea energiei
poteniale dintre electroni i a celei dintre electroni i ioni prezint dificulti matematice destul de
mari. In acest sens, problema poate fi redus la una unielectronic (uniparticul), considernd c
fiecare electron se mic ntr-un potenial efectiv creat de restul electronilor i de ionii cristalului.
Acest potenial a fost denumit potenial selfconsistent. Datorit caracterului su periodic (determinat
de periodicitatea spaial a reelei cristaline) el impune utilizarea unor funcii cu acelai caracter
pentru funcia de und a electronilor din corpul solid. Aceste funcii au fost denumite funcii
Bloch, fiind de ateptat ca pentru atomii din reeaua cristalin s prezinte un maxim n dreptul
fiecrui nucleu (probabilitatea de localizare a unui electron ntr-o anumit zon fiind proporional
cu ptratul amplitudinii funciei de und).
In cazul aproximaiei unielectronice funcia Bloch utilizat de obicei este de forma
=
1
exp (
)
la care amplitudinea
() prezint o periodicitate impus de cea a reelei
( +
)
cu
un vector al reelei (fiind astfel invariant la translaia cu un vector al reelei), iar N reprezint
numrul de celule elementare pentru care electronul prezint maxim de localizare (condiia de
normare dat de necesitatea ca
= 1 impunnd prezena factorului la numitor).

In vederea simplificrii n continuare a problemei determinrii acestor funcii Bloch
(ce
corespund de fapt amplitudinii funciei de und a electronului caracterizat de un anumit vector
) a
fost creat modelul Kronig-Penney, conform cruia variaia periodic a energiei poteniale U a
electronului n lungul unei reele unidimensionale creeaz n dreptul nodurilor reelei gropi de
potenial de lime a, separate ntre ele de bariere de potenial de nlime U
0
i lime b. Ecuaia lui
Schroedinger pentru electronul aflat n aceast reea unidimensional cu potenialul periodic V(x)
prezentat anterior este de forma
+
2
( () = 0
unde W este energia total a electronului. Incercnd o soluie de forma unei funcii Bloch pentru
(aa cum s-a indicat) se obin prin substituie, succesiv, relaiile
exp + exp ()

- 40 -
exp + 2
exp
exp ()
Prin substituia acestor expresii n ecuaia lui Schroedinger pentru un electron (prezentat mai sus)
i simplificare cu factorul exponenial, se obine
+2
+
2
= 0
unde prin W
K
s-a notat expresia
2

In zona gropii de potenial energia potenial U(x) este nul iar ecuaia de mai sus devine
+ 2
+
2
= 0
In acest caz ecuaia caracteristic (obinut prin testarea unor soluii de forma Cexp(x) ) va fi
+ 2 +
2
= 0
cu soluii de forma
,
=
)
ce implic (prin reducerea unor termeni sub radical) o notaie de forma
,
=
cu determinat prin
=
2

/

Soluia pentru amplitudinea u a funciei Bloch va fi astfel
= exp + exp { +}
Pentru zona a<x<a+b (zona barierei de potenial adiacente gropii de potenial analizate) se
folosete aceeai metodologie pentru ecuaia Schroedinger, cu singura diferen c energia
potenial va avea o valoare nenul V
0
. rdcinile ecuaiei caracteristice menionate vor fi
,
=
)
sau
,
=
cu determinat prin
=
2
)
/

Soluia general a ecuaiei Schroedinger pentru aceast zon devine
= exp + exp { +}
Tinnd cont de condiiile la limit (fiind necesar ca funcia u(x) s fie continu la limitele celor dou
zone, respectiv pentru x=a, iar derivata ei du/dx s fie deasemeni continu n aceste puncte) precum
i de repetarea n spaiu a acestor dou expresii pentru succesiunea de gropi i bariere de potenial,
rezult succesiv condiiile matematice
(i) din egalarea celor dou expresii pentru u cnd x=0 (expresia lui u pentru bariera de potenial de
la stnga lui zero se egaleaz cu expresia lui u pentru groapa de potenial de la dreapta lui zero, ce
implic egalarea lui x cu zero pentru ambele expresii)

- 41 -
+ = +
(ii) din egalarea celor dou derivate du/dx obinute utiliznd cele dou expresii cnd x = 0 (unde
bariera de potenial de la stnga lui zero este adiacent cu groapa de potenial de la dreapta lui zero)
+ = +
(iii) din egalarea valorii primei expresii pentru x=a (sfritul primei gropi de potenial) cu valoarea
celei de-a doua expresii pentru x = -b (nceputul ultimei bariere de potenial la stnga lui zero),
aspect impus de repetabilitatea expresiilor la nceputul fiecrei bariere de potenial, rezult
exp + exp + = exp + exp {+ +}
(iv) din egalarea celor dou derivate ale expresiilor pentru x=a respectiv x=-b (aceleai puncte de
mai sus), aspect impus de repetabilitatea expresiei derivatei la nceputul fiecrei bariere de
potenial, rezult
+ +
= + +
Aceste relaii de mai sus formeaz un set de patru ecuaii omogene ce admite soluii nenule n raport
cu necunoscutele A, B, C, D doar dac determinantul corespunztor este nul. Prin calcule obinuite
se ajunge la ecuaia echivalent
cos + = cos +
2
sin ()
Pentru valori foarte mici ale lui b i foarte mari ale lui , considerate astfel nct produsul acestor
dou mrimi C
0
s fie constant - aspect impus de studiul transparenei unei bariere de potenial
pentru care transparena depinde n principal de aria ei n reprezentare (V,x) rezult
2
proporional
cu U
0
, produsul b tinde spre zero. In final, pentru simplificarea ecuaiei poate fi introdus mrimea
= lim
2

ce permite rescrierea ecuaiei sub forma

sin
+cos = cos
Aceast relaie reprezint aproximaia Kronig-Penney, ce permite (teoretic) determinarea vectorului
de und k n funcie de , deci de energia electronului. Dac P=0 (ar lipsi bariera de potenial) ar
rezulta ecuaia
cos = cos
ceea ce pentru k restrns la
implic = k iar energia electronului ar deveni cea a unui

electron liber
=
2

Dac P , atunci e necesar ca factorul ce multiplic pe p s fie nul, respectiv a = n , iar pentru
determinat astfel rezult pentru energia W un ir cuantificat
=

Pentru cazul general se consider funcia
=
sin
+cos
ce corespunde practic sumei dintre o funcie cosinus (alternant) i o funcie tip sinus cardinal
(oscilant i descresctoare cnd argumentul se ndeprteaz de origine). Ea este determinat de

- 42 -
energia W prin mrimea , iar pentru a exista valori ale vectorului de und k corespunztoare
acestei energii este necesar ca
() = cos
deci f trebuie s fie cuprins n intervalul (-1, 1). Deoarece f este o funcie continu cu oscilaii
descresctoare ca amplitudine suprapuse peste o oscilaie constant ca amplitudine, aceast condiie
este ndeplinit pentru anumite intervale ale lui a (ce corespund benzilor permise) separate de
intervale pentru care aceast condiie nu este ndeplinit (ce corespund benzilor interzise de
energie). Odat cu creterea energiei (deci a parametrului ) crete i ltimea zonelor permise. Se
observ c luarea n considerare n cadrul modelului Kronig-Penney a periodicitii reelei a permis
justificarea matematic a existenei benzilor permise i interzise. In figura 6 este exemplificat o
astfel de funcie f(a) n funcie de a (expresie matematic direct proporional cu radicalul de
ordinul doi al energiei i de constanta reelei) pentru o valoare a parametrului P aproximativ egal
cu 2. Intervalele pentru care exist un vector de und k soluie a ecuaiei de mai sus sunt evideniate
ngroat pe axa Ox. Se observ pe grafic cum benzile interzise ncep pentru
= , 2, 3
ceea ce corespunde marginilor zonelor Brillouin prezentate anterior. Deasemenea, se observ pe
grafic cum pentru un acelai vector de und k (ce implic o aceeai valoare pentru cos(ka) ) pot
exista mai multe valori posibile ale expresiei a pentru care ecuaia de mai sus este satisfcut.
Aceasta nseamn c mai multe valori ale energiei W pot corespunde unui aceluiai vector de und,
fiecare valoare posibil a energiei fiind situat in alt zon permis. In plus, pentru vectorul de und
analiza poate fi restrns la intervalul de valori pentru care este satisfcut condiia
0
(pentru k pozitiv), respectiv
0
(pentru k negativ) ceea ce corespunde intervalului primei zone Brillouin prezentate anterior. Acest
aspect era de ateptat dac se ine cont de faptul c funcia de und a electronului are o periodicitate
spaial determinat de constanta reelei a, i astfel adugarea la vectorul de und a unui vector
corespunztor reelei reciproce (multiplu de 2/a ) de forma
=
2
,
ar modifica factorul de faz cu un multiplu de 2 pe orice distan multiplu de a, ceea ce corespunde
acelorai valori pentru funciile trigonometrice ale fazei funciei de und. Pe un parcurs egal cu
constanta reelei, adugarea la vectorul de und a unui multiplu al reelei reciproce va duce la o
variaie spaial a amplitudinii
() pe distane corespunztoare unor submultipli ai constantei

reelei, ceea ce se poate ngloba ntr-o nou expresie a amplitudinii
. Rezult astfel c
determinarea soluiilor posibile pentru k n interiorul primei zone Brillouin permite de fapt
determinarea soluiilor posibile i pentru vectori de und ce aparin altor zone Brillouin, deoarece
aceti vectori din alte zone se pot obine din vectorul de und iniial k nsumat cu vectori K ai reelei
reciproce.
Din punct de vedere fizic, saltul de energie ce apare la limitele zonelor Brillouin poate fi
explicat prin apariia unor unde staionare n lungul reelei unidimensionale similare coardei
vibrante, unde ce pot fi (n raport cu un nod al reelei considerat drept origine a spaiului) de tip
sin(kx) sau cos(kx). Pentru funciile tip sinus, de forma
= sin


- 43 -
densitatea de probabilitate pentru electroni (ptratul modulului funciei de und, ce indic
probabilitatea localizrii electronilor) va avea un maxim la x = a/2 (jumtatea distanei dintre
atomi), deci energie potenial minim n modul i maxim ca valoare (fiind negativ deoarece
sarcinile ionilor i electronilor sunt de semn opus) deoarece electronii sunt deprtai la maxim de
ionii din noduri, iar pentru funciile tip cosinus, de forma
cos

densitatea de probabilitate pentru electroni va avea un maxim la x=0 (n dreptul ionilor din
nodurile reelei), iar energia potenial va avea un modul maxim i (fiind negativ) va avea o
valoare minim. Diferena de energie dintre aceste funcii reprezint aproximativ saltul de energie
ntre dou valori posibile ale energiei pentru x = /a .

Figura 6. Reprezentarea Grafic (Schematic) a Funciei

cos , 2
(Intervalele n care -1<f(a)<1 sunt evideniate ngroat pe axa Ox)

f( a)
a
1
-1
0
-
2 -2
3

- 44 -

FJ.03.4. Dependena energiei electronului de vectorul de und
In vederea unui calcul mai riguros care s indice dependena energiei de vectorul de und k
prin luarea n considerare a existenei benzilor de energie permise i interzise, se poate utiliza
metoda perturbaiilor n cadrul aa-numitului model al electronilor slab legai. In acest sens
potenialul periodic U(r) al reelei este descompus n serie Fourier dup vectorii reelei reciproce
sub forma
=
exp(

Pornind de la o valoare medie U
0
(ce este independent de aceti vectori ai reelei reciproce) i de
la soluia
()
= exp (
)
pentru electronul liber, cu energia corespunztoare
()
=
2

se ajunge la o prim prim valoare corectat a energiei electronului n reea sub forma
()
+

Se consider apoi o funcie de und
()
ce va fi o combinaie linear a funciei necorectate
(iniiale)
()
i a unei expresii suplimentare
(
)
()
provenite din influena termenului
corespunztor lui
(vector al reelei reciproce) din dezvoltarea n serie Fourier a energiei poteniale

U(r) .
()
=
()
+
()

Scriind ecuaia Schroedinger pentru aceste expresii corectate
+U(r)
()
=
()
()

iar apoi efectund dubla derivare impus de operatorul impuls, multiplicnd cu funciile complex
conjugate
()
i respectiv
()
i integrnd cele dou expresii obinute pe ntreg spaiul, rezult
()

= 0
()
+
= 0
(deoarece funciile
()
i
()
sunt ortonormate, integrala produsului dintre una din funcii i
complex conjugata ei este egal cu unitatea pe acel spaiu, iar integrala produsului dintre o funcie i
complex conjugata celeilalte funcii este zero datorit faptului c vectorul de und
al reelei
reciproce i vectorul
considerat iniial corespund unor oscilaii cu amplitudine nul la limtele

zonei spaiale considerate). In raport cu coeficienii
1
,
2
, acest set de ecuaii are soluii nenule
dac determinantul format n raport cu ele este nul, ceea ce implic o anumit relaie ntre corecia
de ordin nti a energiei i celelalte mrimi. Pentru cazul simplificat U
0
=0, rezult
()
=
()
2

()

()

+4

Se observ cum valorile posibile ale energiei (n aceast aproximare mai precis) apar ca fiind
departajate de un interval de valori interzise (determinat de expresia ce corespunde radicalului din

- 45 -
formula de mai sus). Lrgimea acestei benzi interzise E
g
corespunde minimului acestui radical, ceea
ce implic
()
=
()

i ntruct
()
=

(conform relaiei dintre vectorul de und i energie la un electron liber), rezult c aceast diferen
minim se obine cnd
2
= 0
ceea ce implic pentru un vector al unei reele reciproce ptratice notat sub forma
=
2
+
2

(cu n
1
, n
2
numere ntregi) relaia

Atunci cnd n
1
=1, n
2
=0 , sau n
2
=1, n
1
=0 se obin limitele primei zone Brillouin, aa cum s-a
indicat anterior (limitele acestei zone sunt k
x
= /a). Pentru n
1
=1, n
2
= 1

se obin limitele celei
de-a doua zone Brillouin, ce va fi astfel delimitat n spaiul k
x
, k
y
(al proieciilor vectorului de und
k) de patru drepte.
In figura 7 s-a reprezentat dependena energiei W de expresia ka (produsul dintre vectorul de
und i constanta reelei) pentru o reea unidimensional (caz simplificat). La limitele zonelor
Brillouin (cnd k = /a, 2/a) s-a prezentat saltul de energie ce corespunde lrgimii benzii
interzise (ce poate fi calculat aproximativ folosind teoria perturbaiilor prezentat n acest paragraf).
Faptul c aceeai valoare a energiei se poate regsi n aceeai band pentru valori ale vectorului de
und k decalate prin /a (vector al reelei reciproce) se reflect n alternanele de form
aproximativ sinusoidal din interiorul fiecrei benzi permise, iar condiia de salt la marginile
benzilor permise a impus ca maximele funciilor de tip sinus ale unei benzi inferioare s fie plasate
aproximativ n dreptul minimelor funciilor de tip sinus ale benzii imediat superioare. Prin linie
ngroat a fost prezentat dependenta energiei de produsul ka n aproximaia electronilor liberi. Pe
msur ce se avanseaz spre benzi permise superioare lrgimea benzilor permise (notate ZP) crete
iar cea a benzilor interzise (notate ZI) scade.
In practic analiza n interiorul fiecrei benzi permise poate fi efectuat doar pentru prima
zon Brillouin (notata B-I, urmtoarele benzi fiind notate cu B-II i B-III), datorit periodicitii din
interiorul fiecrei benzi (procedeu denumit reducere la prima zon Brillouin, iar schema fiind
denumit schema redus).


- 46 -

Figura 7. Dependena Energiei de Vectorul de Und n Benzile Permise
In cadrul fiecrei benzi permise vectorul de und k (considerat doar n prima zon Brillouin,
conform celor indicate mai sus) poate lua valori permise de condiia de ciclicitate
x L
unde L este lungimea cristalului. Substituind cu expresia funciilor de tip Bloch rezult
exp exp
i simplificnd cu u(x) (ce este egal cu u(x+L) datorit periodicitii amplitudinii la variaii de
poziie reprezentate de multiplu al constantei reelei) rezult succesiv
exp exp
exp 1
2 ,
Condiia de restrngere la prima zon Brillouin pentru analiz impune succesiv

Substituind pe kL cu 2p i pe L cu Na (N fiind numrul de atomi pe lungimea L a cristalului
analizat) rezult

2

- 47 -
ceea ce arat c numrul ntreg p poate lua valori ntre N/2 i N/2 (N valori posibile), la fiecare
dintre ele corespunznd un vector de und k determinat prin relaia
=
2

Aceasta arat cum fiecare band permis se descompune de fapt n N nivele energetice apropiate
ntre ele, fiecare corespunznd unuia din cei N electroni colectivizai de atomii din nodurile reelei
(dup cum s-a indicat la nceputul acestui subcapitol).

Detalii suplimentare referitoare att la spectrul de energie al electronilor ntr-un potenial
periodic (aspectele prezentate n paragraful anterior), ct i la dependena energiei electronilor de
vectorul de und (noiuni prezenatte n acest paragraf) pot fi gsite n:
- Capitolul VI: Electron in Solids, paragraful 11: Electrons in a Periodic Potential, pag. 143, din
lucrarea Lecture Notes for Solid State Physics, Steven Simon, Oxford University 2011, disponibil
la pagina web
unde spectrul electronilor n solid este obinut pornind de la teoria perturbaiilor, ulterior fiind
introduse n mod riguros funciile Bloch.
- Capitolul 4: Electronic Bands, paragrafele 5.1: Introduction, 5.2 Independent Electrons in a
Periodic Potential: Bloch's theorem, 5.3: Tight-Binding Models i 5.4: The -function Array, de la
pag. 57 la pag. 66 (cu atenie la modul de notare a strilor) n lucrarea Solid State Physics, Chetan
Nayak, University of California, 2000, disponibil la pagina web
unde se ajunge la analiza pe baza zonelor Brillouin pornind de la teorema Bloch.
-Capitolul 2: Tight-binding Model, paragrafele 2.1: Bloch's theorem i 2.2: Kronig-Penney Model,
de la pag. 13 la pag. 18, n lucrarea "Solid State Physics" de Jung Hoon Han, Sungkyunkwan
University, Korea, 2010, disponibil la pagina web:
unde modelul Kronig-Penney este introdus n mod riguros pornind de la condiiile de frontier.

FJ.03.5. Masa efectiv
In conformitate cu principiile mecanicii cuantice, electronului aflat n micare n interiorul
reelei i se asociaz un pachet de unde Bloch, iar deplasarea sa va fi determinat de o vitez de grup
definit prin

Prin utilizarea relaiei de legtur dintre energie i pulsaie
= =
se ajunge la
=
1

Dac ns se primete energie din exterior, atunci va apare o acceleraie definit prin

ce se poate scrie i sub forma

- 48 -
=
1

In cazul unei variaii de energie dW determinat de aciunea unui cmp electric exterior E n
intervalul de timp dt, ntruct dW e dat de produsul dintre fora electric F i deplasare se obine
= =

rezult succesiv
=

Substituind aceast expresia n relaia anterioar a acceleraiei, rezult
=
1

unde factorul de proporionalitate dintre for i acceleraie, conform aspectelor fundamentale ale
mecanicii clasice, va corespunde unei mase denumite mas efectiv m
*
(ntruct ea este cea care
intervine efectiv n dinamica particulei n reea) definit prin

In cazul tridimensional, masa efectiv va fi reprezentat de un tensor de forma unei matrici, cu
elemente definite prin
=
1

unde x
i
, x
j
corespund axelor specifice cristalului tridimensional analizat.

Detalii suplimentare referitoare la determinarea masei efectice a purttorilor de sarcin n
solid pot fi gsite n:
- Capitolul III: Toy Models of Solids in One Dimension: Mainly Vibrations, paragraful 7: One-
dimensional tight binding model (interlude and preview), subparagraful 7.2: Solution of the
tightbinding model in 1d, pag. 79, din lucrarea Lecture Notes for Solid State Physics, Steven
Simon, Oxford University 2011, disponibil la pagina web
unde proprietile de dispersie sunt evideniate.

FJ.03.6. Conductori, dielectrici i semiconductori
. Considernd mai nti un solid monovalent, format din N atomi, rezult c fiecare band
energetic a acestuia va fi compus din N nivele energetice provenite din despicarea nivelelor
corespunztoate atomului izolat datorit colectivizrii electronilor. Fiecare ns poate fi ocupat de
doi electroni, ceea ce face ca (teoretic) jumtate din numrul nivelelor din acea band s rmn
neocupate. Sub aciunea unui cmp electric exterior, electronii pot relativ uor cpta surplusul de
energie pentru a trece pe aceste nivele energetice superioare neocupate din aceeai band, genernd
procesul de conducie electric. Un astfel de solid se numete conductor.
In cazul simplificat al unui solid bivalent, ce conine doi electroni de valen, ar rezulta c
toate nivelele energetice permise ar fi ocupate de doi electroni, ceea ce ar implica lipsa unor
deplasri ale electronilor ntre nivelele energetice ale unei benzi permise, chiar i n prezena unui
cmp exterior. Pentru a putea deveni electroni de conducie, ei trebuie s efectueze un salt ntr-o
band energetic superioar, cu nivele energetice neocupate ceea ce ar necesita energii de ordinul

- 49 -
electron-volilor pentru fiecare particul, relativ dificil de obinut. Un astfel de solid este n condiii
normale un dielectric (practic un izolator electric i termic). In cazul n care ns aceast diferen
este mai mic de 3eV este posibil ca un anumit numr de electroni s treac din ultima band
ocupat (cea de valen) n prima band superioar liber (numit band de conducie) n principal
datorit vibraiilor termice, i astfel solidul poate fi considerat un semiconductor.
Proprietile de mai sus pot fi relativ uor de explicat folosind noiunea de nivel Fermi E
F
.
Dc nivelul Fermi este situat n interiorul unei benzi permise, atunci cantiti mici de energie
suplimentar pot transfera pe nivele energetice superioare n interiorul aceleiai benzi, conform
statisticilor cuantice (materialul fiind conductor). Dac nivelul Fermi este situat n interiorul unei
benzi interzise, atunci fie un numr relativ restrns de electroni poate prelua din mediu energia
necesar pentru a trece pe nivele libere dintr-o band permis superioar (cea inferioar fiind
complet ocupat teoretic la 0
o
K) cazul materialelor semiconductoare, fie rmn practic pe nivelele
energetice inferioare exceptnd situaii deosebite cnd se primesc cantiti deosebite de energie din
mediu (cum ar fi descrcrile electrice) un astfel de material fiind denumit dielectric.

Detalii suplimentare referitoare att la analiza comparativ a conductorilor,
semiconductorilor i izolatorilor pot fi gsite n:
- Capitolul VI: Electron in Solids, paragraful 12: Insulator, Semiconductor, or Metal, pag. 153, din
la pagina web
unde se extinde modelul benzilor de energie la mai multe dimensiuni, se indic limitele modelului
i sunt menionate succint proprietile optice ale acestor clase de materiale.
- Capitolul 5: Electronic Bands, paragrafele 5.6: Some General Properties of Electronic Band
Structure, 5.7: The Fermi Surface, 5.8: Metals, Insulators, and Semiconductors, de la pag. 68 la
pag. 74 n lucrarea Solid State Physics, Chetan Nayak, University of California, 2000, disponibil
la pagina web
unde se evideniaz posibilitatea suprapunerii benzilor energetice, se menionez aproximrile
utilizate n determinarea suprafeei Fermi, iar apoi sunt indicate deosebirile de structur a benzilor
dintre diversele clase de materiale.

FJ.03.7. Aplicaii
Proprietile acestor trei tipuri de materiale fiind diferite, n tehnic exist aplicaii diferite
pentru ele. Materialele semiconductoare sunt folosite la prelucrarea electronic a informaiei, fiind
esenial s se obin materiale sau aliaje cu proprieti stabile ce s depind intr-o msur extrem de
mic de variaia unor parametri de mediu precum temperatura, pentru a nu se transmite semnale sau
informaii eronate prin circuitele electronice utilizate. Aceste aspecte necesit un studiu teoretic al
posibilelor combinaii de materiale astfel nct experimentele s continue doar pentru acele variante
ce au fost validate preliminar din punct de vedere teoretic.
Pentru materialele conductoare este important a se obine o conducie ct mai bun necesar
transportului sau distribuiei energiei electrice, fiind necesar ns ca structura mecanic a acestora s
nu fie afectat de fluctuaiile mari ale valorilor de temperatur ce pot apare frecvent n transportul
energiei de la generatoare spre consumatori. Suplimentar, este necesar izolarea acestora pentru
sigurana i protecia muncii, ceea ce necesit un studiu al fenomenelor de contact chimic dintre

- 50 -
conductoare i zona izolatoare, precum i luarea n considerare a aspectelor legate de disiparea
cldurii generate prin conducie. Toate aceste aspecte necesit deasemeni studii teoretice
preliminare.
Materialele dielectrice (izolatoare) sunt eseniale n izolarea electric i termic a zonelor de
tensiuni i energii nalte, pentru a permite operaiile de mentenan. In cazul lor solicitrile
mecanice sunt cele mai frecvente cauze ale modificrii proprietilor de izolare, fiind important a se
stabili teoretic i apoi valida experimental domeniul admisibil de solicitri mecanice.


- 51 -

Capitolul FJ.04. Conductibilitatea electric a solidelor
Cuvinte-cheie
material conductor, material dielectric, material semiconductor,
conductibilitate electric

FJ.04.1. Starea de neechilibru a gazului electronic ntr-un conductor n absena
cmpului electric
Funciile statistice de distribuie Fermi-Dirac i Bose-Einstein se refer la particule precum
electronii sau cvasiparticule precum fononii aflate n echilibru termodinamic. Sub aciunea unor
factori externi ns (variaie de temperatur sau energie electromagnetic primite din exterior)
aceast stare de echilibru dispare, aprnd o micare orientat a acestor particule sub forma unor
fluxuri de particule (cnd are loc o deplasare propriu-zis a acestora) ori de energie (cnd o cantitate
suplimentar de energie este transmis succesiv, din aproape n aproape, n interiorul corpului
solid). Aceste fenomene de deplasri dirijate sunt denumite fenomene de transport. In cazul lor
funcia de distribuie la echilibru f
0
va fi nlocuit de funcia de distribuie perturbat f(k, r, t) ce
depinde de starea energetic a particulei de impuls k , de poziie r i de timpul t. Atunci cnd se
analizeaz fenomene de conducie n interiorul corpului solid, aceast funcie perturbat va descrie
procesele de neechilibru ce apar la fenomenele de transport datorit unor interaciuni precum cea
dintre electron i vibraiile reelei sau cea dintre electron i impuritile ori defectele din cristal i
datorit cmpurilor exterioare.
Pentru un regim staionar, variaia n timp a acestei funcii de distribuie perturbate f(k,r,t) va
corespunde unei sume
= 0
ce prezint separat contribuiile datorate ciocnirilor, respectiv cmpului extern. Suma aceasta este
zero ntruct n regim staionar aceast distribuie nu varizaz n timp. Avnd n vedere c n mod
uzual f depinde explicit de timp, f /t = 0 rezult
= 0
unde primul termen (denumit termen de cmp) exprim micarea ordonat (uneori denumit
micare de drift) a particulelor impus de cmpul exterior, iar cel de-al doilea termen (termenul de
ciocnire) indic interaciunile electron-fonon i electron-impuritate menionate anterior. Funcia f
depinznd doar de k i r, derivarea total n raport cu timpul implic derivri pariale n raport cu k
i r urmate de derivarea ulterioar a mrimilor k i r n raport cu timpul. Tinnd cont de faptul c
dr/dt = v (viteza), iar dk/dt = F/ (dup cum s-a indicat n paragraful anterior ce a prezentat
conceptul de mas efectiv ntr-un cristal), rezult

Variaia funciei f n spaiu (n raport cu r) este generat n mod uzual de variaii n spaiu ale
temperaturii sau concentraiei (parametri ce intrevin n expresia lui f) i astfel derivarea n raport cu
r (gradientul funciei f) poate fi exprimat prin derivri iniiale ale lui f n raport cu temperatura T i
concentraia n , urmate de derivarea acestor mrimi n raport cu r

- 52 -

Intruct la echilibru variaia funciei de distribuie f datorat forelor externe nsumat cu variaia
datorat ciocnirilor trebuie s dea un rezultat nul (aa cum s-a indicat mai sus), rezult succesiv

Aceast relaie este denumit ecuaia de transport Boltzmann sau ecuaia cinetic. Cnd aciunea
factorilor exteriori nceteaz, starea de echilibru iniial se va restabili asimptotic n timp datorit
cioncirilor, dup o funcie variabil n timp f(t,r). Constanta de timp caracteristic acestui proces
este denumit timp de relaxare , ce intervine n procesul de relaxare conform relaiei
=
()

Prin integrare n raport cu timpul, rezult expresia variaiei n timp a diferenei dintre funcia f la
neechilibru i funcia f
0
la echilibru sub forma

exp

Dup cum este firesc, dependena funciei de distribuie f de vectorul de und k implic i o
anumit probabilitate de tranziie dintr-o stare caracterizat de vectorul k ntr-o stare caracterizat
de vectorul k i invers. In acest sens, probabilitatea de tranziie a particulelor (n unitatea de timp)
din starea caracterizat de k n starea caracterizat de k va fi notat cu P(k,k), iar probabilitatea
tranziiei contrare (din starea caracterizat de k n starea caracterizat de k) va fi notat cu P(k,k) .
Suplimentar, trebuie inut cont de faptul c tranziiile sunt posibile dac starea iniial este ocupat,
iar starea final este liber. Acest aspect este reprezentat matematic sub forma produsului de forma

pentru tranziii din starea caracterizat de vectorul k n starea caracterizat de vectorul k (sistemul
fiind caracterizat de funcia f n absena echilibrului). Ca urmare, termenul corespunztor ciocnirilor
se va exprima prin
= ,
,

1

La echilibru termodinamic (indicat de funcia f
0
att pentru starea k ct i pentru starea k) este
necesar ca fluxurile de tranziie ce indic sosirile ntr-o anumit stare k i respectiv plecrile din
aceast stare k s fie egale ntre ele, ceea ce corespunde la
(,
= (
, )

Prin introducerea forat ca factor comun a acestei expresii se poate scrie termenul datorat
ciocnirilor pentru starea de neechilibru indicat de f prin
= ,

In cazul perturbaiilor mici fa de echilibru, prin dezvolatrea funciei f n raport cu energia W (i
nlocuirea ulterioar a ei cu o expresie
=


- 53 -
(adic produsul scalar dintre dintre impuls i un alt vector ce determin proporionalitatea) se obine
n prim aproximaie

Utiliznd pentru f
0
expresia determinat de distribuia Fermi-Dirac, se poate verifica imediat
egalitatea

iar apoi se substituie expresia df
0
/dW obinut din aceast relaie n expresia anterioar ce exprim
pe f n prim aproximaie ( f
0
+ f
1
) iar n final aceast dezvolare (aproximare) se substituie n
termenul ce indic influena ciocnirilor, rezultnd
=
1

In cele din urm, innd cont de expresia termenului ce semnific influena ciocnirilor exprimat
prin intermediul timpului de relaxare se ajunge la
1
()
= ,
1

ce permite determinarea timpului de relaxare pentru un anumit vector de und k n funcie de
probabilitile de tranziie ntre aceast stare i celelalte stri posibile i de anumite funcii auxiliare
(de proporionalitate) dependente de energie.
In cazul simplificat al mprtierii elastice a purttorilor de sarcin pe impuriti sau fononi
(ciocniri elastice ntre electroni i impuritile din reea sau interacii ale electronilor cu vibraia
reelei n urma creia energia final va fi aceeai cu energia iniial) se poate scrie

i se ajunge la expresia mai simpl
1
= ,

unde k
, k
sunt proieciile vectorilor de und
pe direcia vectorului al funciei auxiliare.

In cazul unor ciocniri neelastice ce prezint doar variaii mici ale energiei ntre starea iniial
i cea final se pot neglija abaterile de la influena funciei de echilibru asupra funciei auxiliare i
se ajunge la o expresie des utilizat de forma
1
= ,

A) Cazul fononilor acustici
Dac se analizeaz mprtierea pe fononi acustici (interaciile dintre electron i vibraiile
reelei) trebuie s se in cont de faptul c vectorul de und variaz n acest caz cu un vector q ce
corespunde unui fonon. Variaiile de energie sunt relativ mici n urma unei astfel de interacii cu
fononi n cazul metalelor sau al unei interacii cu fononi acustici (lungimi de und mari) pentru
semiconductori sau dielectrici, aproximaia anterioar este valabil n continuare iar relaia pentru
determinarea timpului de relaxare utilizat va fi expresia aproximativ
1
= (,
) 1


- 54 -
Probabilitile de tranziie ale electronilor de pe nivelele caracterizate de k pe cele caracterizate de
k sunt proporionale cu numrul de fononi n
q
cu vectorul de und q (dac se preia un fonon din
vibraiile reelei i astfel impulsul su pe direcia lui se adaug la proiecia k

pe aceast direcie a
vectorului de und al electronului), respectiv cu n
q
+1 (dac se transmite un fonon spre vibraiile
reelei, i astfel proiecia sa se scade din proiecia k

pentru a rezulta k

). Deasemenea,
probabilitile de tranziie sunt proporionale cu energia
q
a acestor fononi , iar condiia de
conservare a energiei trebuie plasat sub forma argumentului unei funcii Dirac ce apare ca
factor, astfel nct probabilitatea s fie nul dac aceast condiie nu este ndeplinit. Deoarece
energia fononului se consider mic n raport cu cea a electronilor pentru cazul analizat, argumentul
acestei funcii va conine doar diferena dintre energiile strilor iniial i final. Va rezulta
+1

pentru absorbia, respectiv emisia unui fonon. Introducnd aceste probabiliti n expresia anterioar
a timpului de relaxare, substituind pe k

cu k
q (conform conservrii impulsului), nlocuind

variabila de nsumare k cu q (datorit substituiei menionate), substituind energia
q
n funcie de
q i viteza v
s
( = v k n cazul general) iar apoi trecnd de la sum la integral n raport cu q n
spaiul posibil al vectorului de und al fononilor (utiliznd coordonate sferice pentru a exprima
posibila orientare a lui n raport cu
) se obine
1
+1

Introducnd distribuia Fermi pentru n
q
, notnd
=

i innd cont c n cazul metalelor
= 2

unde
este vectorul de und Debye iar
este temperatura Debye, rezult

1
exp 1

Ultimul pas este dat de nlocuirea lui k n funcie de energia W i de aproximarea expresiei de mai
sus pentru temperaturi nalte (
D
/T 1) i temperaturi joase (
D
/T ) rezultnd pentru \timpul
de relaxare aproximrile
/

(la temperaturi nalte) i
/

(la temperaturi joase).
B) Cazul fononilor optici
Dac se analizeaz mprtierea electronilor pe fononi optici (situaie ntlnit n general la
cristalele ionice ce prezint dipoli electrici) trebuie inut cont de faptul c probabilitile de tranziie

- 55 -
sunt proporionale cu ptratul energiei electronului n cmpul dipolului i cu numrul de fononi n
q
.
La temperaturi ridicate interaciunile electron-fonon pot fi considerate elastice i printr-un procedeu
de calcul asemntor celui anterior se ajunge la
/

iar pentru temperaturi joase, deoarece energia electronului este mai mic dect cea a fononilor, se
ajunge n urma aproximrilor la o relaie de forma
exp

unde
0
corespunde fononilor optici.
C) Cazul impuritilor ionizante
In prezena impuritilor ionizante probabilitatea de tranziie a electronilor va fi influenat
n principal de potenialul de tranziie electron-impuritate, iar aproximrile permise n aceast
situaie conduc la
/

D) Cazul impuritilor neutre
Aceast situaie este caracteristic unor temperaturi mai joase, iar aproximrile conduc la o
relaie ce arat c timpul de relaxare este determinat n principal de inversul concentraiei de
impuriti de acest tip prin proporionalitate direct.

Detalii suplimentare referitoare la starea de neechilibru a purttorilor de sarcin pot fi gsite
n:
- Paragrafele Bloch Theory, Semi-classical Electron Dynamics, Boltzmann Theory, Time Evolution
of f(r, k, t) (de la pag.24 la pag. 33), n Notele de Lectur Transport Theory, Vijay B. Shenoy,
Centre for Condensed Matter Theory, Indian Institute of Science, prezentate la SERC School on
Condensed Matter Physics 06 i disponibile la pagina web
http://www.physics.iisc.ernet.in/~shenoy/LectureNotes/ttlec1.pdf
unde funcia de distribuie este folosit n mod extensiv pentru determinarea dinamicii electronilor.

FJ.04.2. Micarea electronilor ntr-un cmp electric
Expresiile obinute n paragraful anterior pentru timpul de relaxare permit utilizarea
acestui parametru n diverse condiii de temperatur sau concentraie pentru stabilirea propriettilor
de conductibilitate electric ale solidelor.
Intr-un model simplificat (elaborat de Drude n ipoteza c electronii se mic similar
particulelor dintr-un gaz) se consider c n absena unui cmp electric exterior electronii de
conducie dintr-un solid ar avea o micare haotic similar agitaiei termice, stare caracterizat de o
anumit vitez medie u i de un anumit parcurs mediu ntre dou ciocniri
=
unde reprezint timpul dintre dou ciocniri succesive (similar ca semnificaie cu timpul de
relaxare, dup cum se va arta).
Sub aciunea unui cmp electric exterior, asupra electronilor va aciona o for electric

(semnul minus fiind impus e faptul c sarcina e a electronului este negativ). Ca urmare, electronii
vor fi supui unei acceleraii

- 56 -
=

iar n intervalul de timp vor parcurge o anumit lungime l ajungnd la o vitez maxim v
1

valoarea medie a vitezei pe acest interval va fi v
1
/2, adic
=

Densitatea curentului de conducie j va fi determinat de cantitatea de electricitate ce strbate
unitatea de arie (considerat perpendicular pe vitez) n unitatea de timp, ceea ce implic
= =
2

unde n indic numrul de electroni liberi pe unitatea de volum. Considernd c acest cmp exterior
E este generat de aplicarea unei tensiuni U la capetele conductorului de lungime l, va rezulta
=

(presupunnd cmpul uniform). Scriind apoi curentul de conducie I sub forma
=
(unde S este aria seciunii conductorului) se obine n urma efecturii substituiilor
=
2
=

ce corespunde legii lui Ohm I = U/R (rezistena electric R fiind determinat de numitorul expresiei
de mai sus). Din expresiile anterioare rezult deasemeni expresia conductivitii electrice (ce nu
depinde de dimensiunile geometrice ale conductorului) sub forma factorului de proporionalitate
dintre j i E
=
2

Acest model a fost completat de Lorentz prin luarea n considerare a statisticii numrului de
electroni conform distribuiei Maxwell-Boltzmann. Astfel, sarcina electric medie transportat de
electroni prin unitatea de suprafa va trebui scris sub forma
= cos

unde f
n
reprezint funcia de distribuie a lui Lorentz
+ cos

( este unghiul format de viteza v a electronilor cu axa Ox, W este energia electronilor,
este
funcia de distribuie a electronilor la echilibru ce a fost modificat n funcia de distribuie la
neechilibru f
n
prin adugarea a doi termeni provenii din dezvoltarea n serie a acestei funcii n
raport cu: (i) variabila x pe o distan egal cu proiecia drumului liber mediu l pe axa Ox i (ii) n
raport cu energia W pentru o variaie a acesteia egal cu lucrul mecanic pe distana l al forei
electrice eE).
Trecnd la coordonate sferice, efectund nlocuirile i considernd c funcia de distribuie
nu variaz n spaiu, adic
= 0
se obine n cele din urm relaia dintre j i funcia de distribuie
sub forma

- 57 -
=
4

Dac se ine cont de faptul c
=
2

/

(din expresia energiei cinetice) i se substituie v n funcie de W (modificndu-se astfel i variabila
de integrare) se obine

unde C este o constant.

Detalii suplimentare referitoare att la micarea electronilor n cmp electric pot fi gsite n:
- Paragraful 3: Electrons in Metals An Early Look, subparagraful 3.1: Drude (Kinetic) Theory,
unde este prezentat detaliat modelul Drude al deplasrii electronilor.

FJ.04.3. Conductana specific a unui conductor
In cazul metalelor expresia densittii de curent poate fi particularizat prin utilizarea pentru
funcia
a unei expresii de forma
=
1
exp

1

unde energia Fermi W
F
(energia maxim a electronilor la 0
o
K) este determinat de relaia
3
8
/

(cu n
0
densitatea de electroni de conducie pe unitatea de volum), iar dac se introduce n relaie
viteza v
F
a electronilor ce au energia Fermi (pentru a elimina constanta cuantic h) se ajunge, prin
aproximare, la o expresie a conductivitii electrice de forma
=

Considernd viteza medie u ca fiind jumtate din viteza maxim posibil
=
2

i egalnd pe l cu , se obine conductivitatea sub forma
=
2

(similar legii lui Ohm). Se poate introduce apoi mrimea fizic denumit mobilitatea electronilor
definit prin relaia
=


- 58 -
(mobilitatea fiind astfel factorul ce multiplic concentraia purtatorilor i sarcina lor pentru a rezulta
conductivitatea, avnd un sens mai larg dect viteza purttorilor). Pentru modelul analizat
mobilitatea rezult sub forma
=
2
=
2

unde timpul de relaxare a fost introdus prin
=

Acest model a putut explica unele aspecte ale conductivitii, ns a condus la multe
dezacorduri cu datele experimentale n ceea ce privete influena temperaturii asupra conduciei
electrice. Din acest motiv el a fost completat ulterior cu noiuni mai riguroase n vadrul unui model
cuantic al conduciei electrice pentru solide.
In acest sens s-a pornit de la presupunerea c n absena unui cmp electric electronii zonei
permise de valen ai metalelor sunt plasai pe nivele energetice inferioare nivelului Fermi, n timp
ce nivelele superioare acestei valori limit sunt complet neocupate. Dac un cmp electric (chiar de
mic amplitudine) acioneaz asupra metalului, unii dintre electroni trec de pe nivelele inferioare pe
nivelele superioare energiei Fermi, ceea ce determin o micare dirijat a electronilor n cadrul
acestei benzi permise (fiind generat un curent electric).
In mod intutiv, se poate considera c, n absena cmpului electric, electronii liberi (de
conducie) sunt plasai n interiorul unei sfere figurate n spaiul impulsurilor (axele fiind p
x
, p
y
, p
z
).
In figura 9.8 este reprezentat o astfel de sfer Fermi. Raza sferei este reprezentat de impulsul
maxim posibil ce corespunde energiei Fermi, respectiv
= 2

cu m
*
masa efectiv a electronului. Deoarece, n interiorul acestei sfere, pentru fiecare electron cu o
anumit orientare a impulsului exist un alt electron cu o orientare opus , rezult c viteza
medie a acestui ansamblu de electroni este nul.
Sub aciunea unui cmp exterior constant E va apare o anumit for

i va fi imprimat o acceleraie
=

care implic o deplasare a ansamblului sferei din spaiul impulsurilor pe direcia cmpului electric
exterior. Datorit acestei micri dirijate este creat curentul electric de conducie, dat de densitatea
de curent
=

O astfel de acceleraie constant ar implica ns (conform relaiei de mai sus) o cretere nelimitat
n timp a densitii de curent. Absena acestui fenomen a indicat existena unui mecanism de frnare
a electronilor, determinat de ciocnirile menionate anterior. Aceste ciocniri pot fi reprezentate n
spatiul impulsurilor prin tranziii ale electronilor din zona nou-ocupat n acest spaiu de sfera
Fermi (deplasat de aciunea cmpului electric E, reprezentat dublu haurat in gigura 8) n zona
eliberat de aceast deplasare a sferei (reprezentat simplu haurat n figura 8). Datorit faptului c
ambele zone au fost generate de deplasarea unei sfere n spaiul impulsurilor (pe o anumit direcie)
este uor de remarcat faptul c aceste zone sunt situate simetric n raport cu originea acestui spaiu,
ceea ce indic o aceeai energie (modulul vectorului de und fiind acelai). Tranziiile de acest fel
corespund unor ciocniri elastice, n care energia se conserv. Cele dou tendine contrare
(deplasarea sferei Fermi de ctre cmpul electric exterior i tranziiile din zona nou-ocupat n cea

- 59 -
eliberat situat simetric) vor stabiliza dup un anumit interval sfera Fermi ntr-o nou poziie, cu
centrul deplasat n raport cu originea din spaiul impulsurilor, ceea ce implic pentru acest ansamblu
un impuls mediu p
0
diferit de zero.
In mod firesc, va apare astfel o densitate de curent electric de conducie

unde v
0
indic viteza medie a electronilor datorat acestui impuls mediu nenul. Intruct electronii
ajung la o anumit vitez maxim v ntr-un anumit interval de timp , iar viteza medie v
0
este
determinat de v/2 , rezult succesiv
2

2

Prin substituie n expresia lui j se obine pentru conductivitate expresia

(similar celei prezentate anterior), cu observaia c timpul de relaxare (timpul dintre dou ciocniri
consecutive ale electronilor, indicat n teoria clasic prin raportul dintre drumul liber mediu i
viteza medie v
0
) va fi nlocuit de o expresie n care va reprezenta lungimea de und asociat
electronului.

Figura 8. Deplasarea Sferei Fermi n Spaiul Impulsurilor sub Aciunea Cmpului Electric

Aceste unde asociate se propag prin reeaua cristalin, ce acioneaz asupra lor asemeni
unei reele de difracie care le difuzeaz. La temperaturi joase, reeaua practic nu vibreaz (lipsesc
vibraiile termice) iar pentru lungimi de und ale electronilor mai mari dect constanta reelei (caz
uzual) acest fenomen de difracie va lipsi, ceea ce justific n linii mari fenomenul de
supraconductibilitate prezent la metale.

Detalii suplimentare referitoare la conductivitatea electric pot fi gsite n:
- Paragraful 3: Electrons in Metals An Early Look, subparagraful 3.2: Sommerfeld (Free-
Electron) Theory of Metals (exceptnd noiunile referitoare la paramagnetism), pag. 24, din lucrarea
Lecture Notes for Solid State Physics, Steven Simon, Oxford University 2011, disponibil la
pagina web
unde sunt indicate deasemeni (comparativ) avantajele modelelor Drude i Sommerfeld.
P
y
p
z
p
x

- 60 -
-Capitolul 4: Measurable quantities, paragraful 4.2: Electrical and thermal conductivity, pag. 37, n
lucrarea "Solid State Physics" de Jung Hoon Han, Sungkyunkwan University, Korea, 2010,
disponibil la pagina web:
unde conductivitatea electric este prezentat n asociere cu cea termic..

FJ.04.4. Dependena de temperatur a mobilitii purttorilor de sarcin
Fenomenele prezentate anterior i expresiile aproximative obinute permit o sintetizare a
infleunei temperaturii asupra mobilitii purttorilor de sarcin prin utilizarea unor relaii
simplificate utile pentru estimri rapide ale rezistivitii la diverse tipuri de materiale.
Astfel, pentru un material conductor propriu-zis (reprezentat de un metal la care nivelul
Fermi este situat n interiorul unei benzi permise) rezistivitatea electric (inversul conductivitii
electrice ) crete cu temperatura. La temperaturi mai nalte aceast dependen (T) este linear,
de forma
=

unde este coeficientul de variaie cu temperatura. Pe msur ce temperatura scade aceast relaie
se ndeprteaz de realitate, ea trebuind nlocuit cu o aa-numit relaie de tip putere (legea Bloch-
Gruneisen):
= 0 +

exp 11 exp()

unde (0) indic rezistivitatea rezidual datorit efectelor de mprtiere a undelor asociate
electronilor de ctre impuriti (ce va fi detaliat n paragraful urmtor), A este o constant ce
depinde de viteza Fermi a electronilor (la limitele sferei Fermi prezentat n paragraful anterior),
este temperatura Debye (stabilit de obicei experimental, apropiat ns de temperatura Debye

indicat de teoria conductivitii termice), iar parametrul n depinde de natura interaciilor ce trebuie
luate n considerare. Astfel, acest parametru va corespunde la:
(i) n=5 atunci cnd rezistivitatea este datorat ciocnirilor electronilor cu fononii (cazul
metalelor simple)
(ii) n=3 atunci cnd rezistivitatea este datorat unor mprtieri ce implic tranziii ale
electronilor ntre nivele ce corespund unor orbitali diferii (s-d), situaie ntlnit pentru metalele de
tranziie
(iii) n=2 atunci cnd rezistivitatea este datorat unor ciocniri ntre electroni.
Pentru un material semiconductor (reprezentat de un material la care nivelul Fermi este
situat n interiorul unei benzi interzise de lime relativ redus, ce permite tranziii sub aciunea unor
fluxuri exterioare de energie de nivel mediu) se poate utiliza cu o foarte bun aproximaie o relaie
de forma
1
= +ln + ln()

unde constantele A, B i C sunt denumite coeficienii Steinhart-Hart. O formul mai simpl, dar cu
grad de precizie mai mic, este relaia
1
=
1
+
1
ln

ce poate fi scris i sub forma

- 61 -
= exp

unde parametrul D este, de obicei, direct proporional cu energia de activare W
G
(limea benzii
interzise ce separ banda de valen de banda de conducie) prin relaia
=

Aceast dependen indic faptul c, spre deosebire de metale, rezistivitatea scade atunci cnd
temperatura crete. Fenomenul este generat n principal de creterea concentraiei de purttori de
sarcin (electroni n banda de conducie i goluri n banda de valen) ce se deplaseaz sub aciunea
cmpului electric exterior, statistica lor dependent de temperatur fiind descris de statistica
Fermi-Dirac (bazat pe legi exponeniale) i n mai mic msur de variaia mobilitii purttorilor
de sarcin (supus i ea acelorai influene ale ciocnirilor ca n cazul metalelor).
Din punct de vedere al conduciei electrice mai poate fi definit aa-numitul material
izolator. El este reprezentat de un material la care nivelul Fermi este situat n interiorul unei benzi
interzise de lime relativ mare, ce permite tranziii doar sub aciunea unor fluxuri exterioare de
energie de nivel ridicat.

Detalii suplimentare referitoare la influena temperaturii asupra conduciei electrice
conductivitatea electric pot fi gsite n lucrarea:
- Correlativity and the origin of the T
2
difference between the Bloch Grneisen law and the
Debye law, de Jin-Feng Wang, Cheng-Ju Zhang, and Ji-Fan Hu, publicat n Canadian Journal of
Physics vol. 82: pag. 585592 (2004), cu abstractul disponibil la pagina web
http://www.nrcresearchpress.com/doi/abs/10.1139/p04-039
unde sunt prezentate n corelaie relaiile Debye i Bloch-Gruneisen.

FJ.04.5. Conductibilitatea electric a metalelor pure
Dup cum s-a indicat, din punct de vedere teoretic mprstierea electronilor datorat
fononilor (vibraiilor retelei) ar trebui s dispar practic pentru temperaturi foarte mici, iar
rezistivitatea ar tinde spre zero. Cu toate acestea, chiar pentru metalele considerate teoretic pure, din
cauza defectelor inerente i a unor impuriti ce afecteaz structura cristalin apar interacii
electron-defect sau electron-impuritate urmate de mprtierea electronilor, i astfel rezistivitatea
nu se va mai anula la 0
o
K. Aceast rezistivitate rezidual (0) este termenul ce se adaug la
termenul determinat de puterea n caracteristic interaciilor electron-fonon sau electron-electron din
legea Bloch-Gruneisen prezentat anterior.
Aditivitatea rezistenei reziduale cu rezistena de origine termic poate fi justificat prin
analiza influenei impuritilor asupra timpului de relaxare . Acesta va fi definit n acest caz drept
timpul necesar ca, dup dispariia influenei cmpului exterior, viteza ordonat v a electronilor s
scad la 1/e din valoarea v
0
existent n momentul dispariiei cmpului exterior (moment considerat
origine a timpului). Legea de variaie a vitezei v n timp va fi astfel de forma
=
exp

ceea ce implic o vitez relativ de descretere de forma
1
=
1


- 62 -
Intruct descreterea este cauzat att de prezena unor defecte ct i din cauza vibraiei termice,
viteza relativ de variaie a lui v va fi o sum a acestor dou contribuii considerate a aciona
independent (probabilitatea unei interacii cu un fonon nefiind influenat de o interacie anterioar
cu un defect, i reciproc). Ca urmare, se poate descompune aceast vitez relativ de scdere sub
forma unei sume de doi termeni
1
=
1
+
1

unde
, respectiv
reprezint timpii de relaxare specifici fenomenelor de agitaie termic,

respectiv defectelor de structur (ce pot corespunde prezenei unor atomi de impuritate). Intruct n
toate expresiile anterioare ale conductivitii electrice n funcie de timpul de relaxare relaia
dintre aceste mrimi a fost de proporionalitate direct, rezult c rezistivitatea (inversul
conductivitii) poate fi scris succesiv sub forma
=
=
1
+
1

unde

ceea ce justific aditivitatea rezistivitii reziduale datorate defectelor sau impuritilor la
rezistivitatea datorat vibraiilor termice ale reelei (fononilor).

Detalii suplimentare referitoare la conductibilitatea electric pot fi gsite n:
- Paragrafele Conductivity from BTE, How to calculate , T dependence of , from e-phonon
scattering (de la pag. 34 la pag. 44), n Notele de Lectur Transport Theory, Vijay B. Shenoy,
Centre for Condensed Matter Theory, Indian Institute of Science, prezentate la SERC School on
Condensed Matter Physics 06 i disponibile la pagina web
unde influena diverilor factori asupra timpului este analizat.

FJ.04.6. Conductibilitatea electric a aliajelor metalice
Intr-un aliaj format din dou feluri de atomi se poate considera c N
A
atomi dintr-un anumit
tip reprezint de fapt un numr de defecte n reeaua cristalin a atomilor din cellat tip, putndu-se
presupune c rezistivitatea datorat defectelor structurale va fi proporional cu acest numr de
defecte N
A
, adic

Deasemeni, se poate considera ca cei N
B
atomi din cellalt tip reprezint defecte n reeaua cristalin
a primului tip de atomi, ceea ce ar implica o proporionalitate

Prin luarea n considerare a ambelor relaii anterioare rezult pentru rezistivitatea aliajului o
expresie de forma

In cazul n care numrul total de atomi N se consider a fi constant, se obine succesiv
=


- 63 -
Aceasta implic faptul c rezistivitatea aliajului are un maxim atunci cnd variabila N
A
din expresia
de mai sus este egal cu N/2 , ceea ce corespunde cazului cnd concentraiile celor dou tipuri de
atomi sunt egale (aspect confirmat experimental).

Detalii suplimentare referitoare la proprietile electrice ale aliajelor metalice pot fi gsite la
NDT (Non-Destructive-Testing) Resources sub forma unor tabele disponibile la pagina web
http://www.ndt-ed.org/GeneralResources/MaterialProperties/ET/et_matlprop_index.htm
unde sunt indexate prorietile principalelor tipuri de metale i aliaje utilizate n tehnic.

FJ.04.7. Aplicaii
Aspectele legate de conductibilitatea electric a solidelor sunt importante att n aplicaii
tehnice ce implic un transfer de energie sub forma energiei electrice, ct i aplicaii legate de
transmisia, stocarea sau prelucrarea electronic a informaiei.
In cazul transmisiei energiei sunt utilizate preponderent metalele, i din acest motiv
determinarea proprietilor electrice ale acestora i a influenei factorilor de mediu asupra lor sunt
eseniale n obinerea unor randamente maxime, pentru evitarea pierderilor i pentru evitarea
fenomenelor nedorite implicate de utilizarea echipamentelor n alte condiii dect cele admisibile
tehnic.
In cazul aplicaiilor electronice (bazate preponderent pe semiconductori) este necesar att
determinarea proprietilor electrice ale acestora n funcie de concentraii i factorii de mediu, ct i
stabilirea intervalului permis pentru factorii de mediu n care nu apar fenomene parazite ce
genereaz sau transmit informaii false prin intermediul circuitelor electronice (gama de
temperatur fiind astfel mult mai restrns dect n cazul metalelor datorit sensibilitii termice
mai mari a semiconductoarelor fa de temperatur i ali factori externi).


- 64 -

Capitolul FJ.05. Proprietile magnetice ale solidelor
Cuvinte-cheie
susceptivitate diamagnetic, susceptivitate paramagnetic,
susceptivitate feromagnetic, magnei moleculari, domenii Weiss

FJ.05.1. Cmpul magnetic n materiale magnetice
Un corp solid plasat ntr-un cmp magnetic
se magnetizeaz, devenind un magnet cu

intensitate de magnetizare
. In general intensitatea de magnetizare variaz direct proporional cu

cmpul magnetizant, prin relaia

unde susceptivitatea magnetic (factorul de proporionalitate) este adimensional.
La cea mai mare parte a corpurilor (la dielectrici, la cea mai mare parte din metale) vectorul
are direcia vectorului
, fiind ns orientat n sens opus. Astfel factorul va fi negativ (de o

valoare foarte mic, ordinul de mrime fiind 10
-5
- 10
-7
) iar materialele sunt denumite diamagnetice.
Pentru un numr mai mic de corpuri (ce cuprinde o mic parte a metalelor i unele materiale
dielectrice) vectorii
au acceai orientare, ceea ce implic pentru o valoare pozitiv (de

ordin de mrime similar celui pentru materialele diamagnetice). Astfel de materiale sunt denumite
paramagnetice.
In afara acestor dou mari categorii mai exist corpurile feromagnetice, ce prezint
magnetizaii chiar n absena unui cmp magnetic extern, ale cror proprieti depind puternic de
temperatur i care vor fi tratate distinct.
Relaia dintre inducia magnetic
, intensitatea cmpului magnetic
i intensitatea de
magnetizare
este de forma

(unde
reprezint permeabilitatea magnetic a vidului), ceea ce prin substituia lui
funcie de

conduce la
1 +

unde prin s-a notat mrimea
=
(1 + )
ce indic permeabilitatea magnetic a mediului analizat.
Prima ipotez asupra proprietilor magnetice a fost elaborat de Ampere. Pornind de la
constatarea c orice curent electric creeaz un cmp magnetic, el a presupus c proprietile
magnetice ale corpurilor sunt datorate unor cureni la nivel microscopic (denumii cureni
moleculari) ce creaz magnei moleculari, fiecare avnd un moment magnetic propriu. In absena
unor cmpuri externe, orientarea acestor magnei moleculari este haotic, de medie nul, i astfel nu
se observ proprieti magnetice la nivel macroscopic. Orientarea lor poate deveni ns ordonat sub
aciunea unui cmp exterior, i astfel proprietile magnetice pot fi justificate.
Aceast ipotez a fost detaliat prin luarea n considerare a micarii efectuate n jurul
nucleului de electronii dintr-un atom. Momentul magnetic creat de aceast micare orbital a
electronilor a fost denumit moment magnetic orbital. Toi electronii dintr-un atom au un moment
magnetic orbital, iar din nsumarea acestora rezult momentul magnetic al atomului. Pe ansamblu,
aceste momente magnetice orbitale ale electronilor se compenseaz, iar aceast compensare poate

- 65 -
s fie: (i) parial, cnd din aceast nsumare rezult un moment magnetic propriu (nenul) pentru
atom, sau (ii) total, cnd suma vectorial a acestor momente magnetice orbitale ale electronilor din
atom este nul iar atomul nu va avea un moment magnetic propriu. Ca urmare, materialele
paramagnetice ar fi reprezentate de materialele compuse din atomi ce au un moment magnetic
propriu (ce se poate orienta sub aciunea cmpurilor exterioare), iar materialele diamagnetice ar fi
reprezentate de materialele compuse din atomi ce nu au un moment magnetic propriu (fiind ns
posibil s l obin sub aciunea cmpului exterior).
Conform teoriei cuantice ns electronii efectueaz suplimentar o micare de spin, creia i
corespunde un moment magnetic de spin. Acesta influeneaz proprietile atomului prin aa-
numitul cuplaj spin-orbit. Pe de alt parte, conform teoriei cuantice o parte din electronii corpurilor
solide vor aparine unor nivele energetice corespunztoare ntregului material. Ca urmare, aspectele
impuse de teoria cuantic implic o abordare cantitativ mai riguroas.
In conformitate cu aspectele impuse de teoria benzilor de energie n solide prezentate
anterior, n interiorul solidului exist att electroni ce efectueaz micri orbitale (denumii electroni
legai, caracterizai prin aa-numitele funcii Heitler-London) ct i electroni din banda de conducie
(denumii i electroni liberi, caracterizai prin funcii de tip Bloch). Sub aciunea unui cmp
magnetic exterior fiecare orbit electronic capt o micare de precesie n jurul direciei cmpului.
Aceasta creaz un cmp magnetic suplimentar ce dispare atunci cnd aciunea cmpului exterior
dispare (proprieti diamagnetice).
In condiiile unui cmp exterior de inducie
, un electron din interiorul atomului ce se

depalseaz pe orbite de raz r va fi supus unei fore centrifuge F
C
ce este egalat (pentru traiectorii
de raz i vitez unghiular constante) de fora electrostatic F
E
, i de fora F
L
. Aceste fore sunt
descrise de relaiile

(unde este viteza unghiular, iar Z este numrul de protoni ai nucleului). Din condiia de echilibru

rezult succesiv
= 0
(s-a considerat inducia
perpendicular pe traiectoria circular a electronului). Soluia acestei

ecuaii (considernd drept necunoscut) este de forma
=

sau
=

unde prin
0
s-a notat viteza unghiular n absena cmpului magnetic exterior (
= 0), ceea ce
corespunde la


- 66 -
Pentru cmpuri exterioare slabe se poate considera

ceea ce implic
=

cu o diferen a vitezei unghiulare de forma
=
2

ce genereaz o variaie I a curentului electric I pe orbita circular (determinat de produsul dintre
sarcina electric e ce se deplaseaz i frecvena rotaiilor =/ (2) ) de forma
=
2
=
4

Intruct momentul magnetic
z
creat de o astfel de micare circular este dat de produsul dintre
curentul electric I i aria S a suprafeei delimitate de orbit, rezult c sub aciunea induciei B
(orientate de-a lungul axei Oz) va apare un moment magnetic suplimentar ce indic efectul
diamagnetic, de forma
4

Dac se consider c orbitele electronilor sunt distribuite n spaiu cu diverse orientri fa de axa
Oz (direcia lui
) rezult c proieciile orbitelor pe planul xOy (perpendicular pe Oz) nu vor mai fi

reprezentate de cercuri, i din acest motiv vor trebui luate n calcul att o deprtare medie a
electronului de nucleu ct i o distan medie de la nucleu la proiecia orbitei pe acest plan.
Deoarece

iar n simetria sferic

rezult
=
2
3

ceea ce conduce prin substituie la

iar pentru un numr de n atomi pe unitatea de volum, fiecare avnd Z electroni, se obine momentul
magnetic total pe unitatea de volum

ce implic o susceptivitate diamagnetic determinat prin relaia

Aceast relaie (denumit i formula lui Langevin) indic pentru susceptivitatea diamagnetic o
valoare negativ, cum era de ateptat. Acest fenomen apare pentru orice orbital atomic, i astfel
fiecare corp va avea un diamagnetism atomic (la unele subtane el fiind mascat de fenomene
paramagnetice, dup cum se va arta). Aa dup cum reiese din relaile de mai sus, susceptivitatea

- 67 -
diamagnetic datorat electronilor legai (din orbitele atomice) este independent de temperatur. In
cazul metalelor cu proprieti diamagnetice, la susceptivitatea datorat electronilor legai trebuie
adugat un termen datorat electronilor liberi (de conducie).
Pentru acetia micarea pe ansamblul cristalului poate fi considerat a avea o traiectorie
elicoid, rezultat din micarea de translaie de-a lungul cmpului magnetic i micarea circular
periodic dintr-un plan perpendicular, care va trebui i ea s fie cuantificat similar electronilor
nscrii pe traiectorii circulare n atom (modelul Bohr). Energia electronilor va fi astfel de forma
,
+
1
2

adic suma dintre energia cuantificat cu valori ntregi ale lui
0
n planul xOy perpendicular pe
inducia
(pornind de la energia de zero (1/2)

0
unde
0
este viteza unghiular obinut din
egalarea forei centrifuge cu fora Lorentz pe traiectorii circulare, considernd apoi valori ntregi
pentru numrul cuantic n
B
) i energia cinetic pe direcia Oz a induciei B (pentru care s-a nlocuit
impulsul p
z
cu k
z
).
Aceast expresie este apoi substituit n funcia statistic de distribuie Fermi-Dirac pentru
electroni f , iar aceasta este apoi substituit n expresia ce determin energia liber (considerat
drept potenial termodinamic) n funcie de distribuia statistic
=
ln

unde sumarea se efectueaza pentru toate strile a cror energie este caracterizat de n i de k
z
.
Pentru metale funcia Fermi-Dirac poate fi aproximat cu o funcie treapt (este egal cu unitatea
pentru energii mai mici dect energia Fermi i nul cnd energia depete energia Fermi, chiar
dac temperatura variaz). Aceast aproximaie permite aproximarea lui (folosind faptul c
energia cuantificat n micarea circular nu poate depi energia Fermi iar apoi aplicnd formula
lui Euler pentru a se nlocui nsumarea dup indici cu o integral). Ulterior se determin
magnetizarea prin relaia
=
1
,

(ntruct variaia infinit mic d a energiei libere este dat n acest caz de energia magnetic
suplimentar M
dia
dB pe unitatea de volum multiplicat cu volumul considerat, n condiii constante
de temperatur i volum). In final se deriveaz parial magnetizarea n raport cu inducia B i se
nmultete cu
0
(ceea ce corespunde undei derivri n raport cu H, conform expresiei B =
0
H )
pentru a rezulta susceptivitatea magnetic, rezultnd n cele din urm
=
1
3

=
1
2

unde
BP
corespunde magnetonului Bohr-Procopiu pentru electron, definit prin
2

iar D(W
F
) reprezint densitatea de stri pe unitatea de volum cnd energia este egal cu energia
Fermi W
F
, dat de relaia
=
3
2

(obinut prin substituia lui W cu W
F
n expresia general a densitii de stri funcie de energie).
Din relaiile de mai sus se poate deduce c proprietile diamagnetice ale electronilor liberi n
metale nu depind practic de temperatur.

- 68 -
Pentru semiconductori aproximaiile din expresia potenialului termodinamic i a derivatelor
sale pariale conduc la o susceptivitate dielectric datorat electronilor liberi invers proporional cu
temperatura, similar legii Curie ce va fi prezentat n paragraful urmtor. Acest aspect era de
ateptat, avnd n vedere c numrul de electroni de conducie la un semiconductor depinde de
temperatur ntruct banda interzis permite tranziii n domeniul temperaturilor uzuale.

Detalii suplimentare referitoare la diamagnetism pot fi gsite n:
- Capitolul VI: Magnetism and Mean Field Theories, subparagraful 15.2:Larmor Diamagnetism,
unde se indic condiiile n care modelul Larmor al diamagnetismului poate fi extins la molecule.

FJ.05.2. Proprietile magnetice ale solidelor
Substanele paramagnetice se caracterizeaz prin apariia n material a unei magnetizaii de
aceeai orientare cu cea a cmpului extern aplicat. Ca urmare, susceptivitatea magnetic
para

caracteristic acestui fenomen va fi mai mare ca zero. Aceast proprietate se ntlnete la atomii i
moleculele cu un numr impar de electroni sau atomii i ionii liberi cu un nivel energetic interior
incomplet (elementele din grupa de tranziie), ceva mai rar la compuii cu un numr par de
electroni.
Teoria clasic a paramagnetismului electronilor legai de atom a fost elaborat de Langevin,
ce a tratat pe baza funciei de distribuie Boltzmann un ansamblu de momente magnetice atomice
(moleculare) ce nu interacioneaz ntre ele i care sunt supuse micrii de vibraie termic.
Conform statisticii clasice, momentele magnetice fr interaciune se pot orienta n orice
direcie. Intr-un cmp magnetic
momentul magnetic al atomului va avea energia

=

La magnetizarea total a substanei vor contribui proieciile cos ale momentului magnetic pe
direcia cmpului magnetic exterior. Conform distribuiei Boltzmann, probabilitatea ca momentul
magnetic s aib energia
= cos
va fi de forma
=
exp
cos

iar concentraia volumic de atomi dn al cror moment magnetic este curpins ntr-un unghi solid d
(orientrile din acest unghi solid fiind la unghiul fa de direcia cmpului exterior) va fi de forma
= exp
cos

In coordonate sferice, pentru zona de pe sfer cu puncte situate la unghiul fa de direcia
cmpului exterior va trebui utilizat pentru d o relaie de forma
= 2 sin
(obinut prin raportarea ariei unui cilindru de raz Rsin i nlime infinit mic Rd la R
2
, conform
definiiei unghiului solid). Aceasta implic succesiv
= 2 exp
cos
sin

- 69 -
= 2 exp
cos
sin

(prin integrare dup orientrile posibile pentru unghiul ). Cu notaiile
=
, = cos , = sin
se rescrie relaia anterioar sub forma
= 2 exp

ce implic
=
2
exp exp()
ceea ce permite determinarea constantei de normare sub forma
=
2exp exp()

Magnetizarea total produs de atomii cu momente magnetice i diverse orientri va fi astfel,
succesiv
= cos
= 2 exp

= 2
exp + exp ()

exp exp()

=
exp +exp()
exp exp()

1

(n ultima relaie s-a nlocuit constanta de normare C n funcie de n). Avnd n vedere definirea
cotangentei hiperbolice sub forma
coth =
exp +exp()
exp exp()

se poate scrie n final
= coth
1

Expresia din parantez corespunde funciei lui Langevin L(a) definit prin
= coth
1

rezultnd scrierea simplificat
= ()
Pentru valori mici ale cmpului exterior
i la temperaturi ridicate (cazul temperaturilor uzuale,

deprtate de 0
o
K) este ndeplinit condiia
=

(s-a nlocuit B n funcie de cmpul magnetic H i de permeabilitatea electric a vidului
0
) i astfel
funcia L(a) poate fi dezvoltat n serie
=
45
+
2
945

Dac se reine doar primul termen din dezvoltare, rezult aproximarea

- 70 -
=
3
=

i astfel susceptivitatea paramagnetic
para
va fi dat de

ceea ce poate fi scris i sub forma

unde constanta

depinde doar de proprietile de material. Aceast dependen a susceptivitii paramagnetice de
inversul temperaturii absolute este cunoscut drept legea lui Curie, confirmat experimental.
Pentru o mai mare rigurozitate fenomenele pot fi analizate din punct de vedere al mecanicii
cuantice. In acest sens, pentru un corp paramagnetic ce conine n atomi, fiecare cu un moment
magnetic elementar provenit din interacia momentului su de spin cu cmpul creat de orbitele
electronilor, momentul magnetic total va fi
=
unde valoarea medie a momentului magnetic pentru un atom izolat va fi determinat de
probabilitatea P
i
de apariie a unei valori posibile
i
prin expresia mediei ponderate
=

Notnd cu W
i
energia atomului n starea de moment magnetic
rezult probabilitatea P
i
sub
forma
exp

unde C
1
este determinat pe baza condiiei de normare
=
1
exp

In condiiile interaciei spin-orbit momentul magnetic total se va exprima utiliznd un numr
cuantic intern J, sub forma
+1

In aceast relaie produsul J(J+1) apare datorit formulelor mecanicii cuantice de determinare a
valorii proprii pentru momentul cinetic,
BP
este magnetonul Bohr-Procopiu prezentat anterior, iar
g
J
este un factor de proporionalitate denumit factorul Lande (dependent de numerele cuantice L i
S prin regula compunerii momentelor din mecanica cuantic) dat de suma a doi termeni sub forma
= +
=

+1 +1 +( +1)
( +1)

=

+1 + +1 ( +1)
( +1)

(unde g
o
este factorul de proporionalitate Lande orbital, egal cu unitatea, iar g
s
este factorul de
proporionalitate Lande determinat de micarea de spin, egal aproximativ cu 2).

- 71 -
Ins fiecare moment magnetic elementar
se poate orienta n 2J+1 moduri, pentru fiecare

dintre ele proiecia momentului magnetic pe direcia cmpului fiind

unde m
J
este numrul cuantic magnetic ce poate lua valori de la J la J. In aceast situaie energia
W
i
va fi de forma

iar valoarea proieciei momentului magnetic total
pe direcia cmpului exterior H va fi

= =

exp
exp

Aproximnd

i dezvoltnd n serie exponenialele pn la termenii de ordinul nti, se obine
=
1 +
1 +

Termenul sub form de fracie de la numitor poate fi neglijat n raport cu unitatea datorit
aproximaiei considerate. Prin desfacerea parantezei de la numrtor vor apare doi termeni, dintre
care primul este nul (corespunde nsumrii lui m
J
de la -J la J) iar cel de-al doilea va avea o
nsumare a ptratelor lui m
J
ntre aceleai limite. Utiliznd formula cunoscut de nsumare a
ptratelor unor numere consecutive, se obine succesiv

=
+1(2 +1)
3
( +1)

ntruct factorul (2J+1) s-a simplificat (numitorul este dat de nsumarea unitii tot de 2J+1 ori).
Rezult astfel susceptivitatea paramagnetic sub forma
+1

unde J poate fi cuprins (n practic) de la valoarea minim spre valori maxime tinznd spre
infinit.
In cazul n care cupajul spin-orbit este rupt vor trebui luate n considerare, separat,
contribuiile datorate micrii orbitale i respectiv micrii de spin, iar factorii dependeni de J din
expresia susceptivitii vor fi nlocuii prin
+1
+1 +
( +1)
unde L, g
0
i respectiv S, g
s
reprezint numerele cuantice i factorii de proporionalitate Lande
pentru micarea orbital, respectiv pentru micarea de spin.
Pentru ambele cazuri menionate analiza cuantic regsete dependena susceptivitii
paramagnetice de inversul temperaturii absolute (legea lui Curie).
Un raionament analog poate fi utilizat i pentru stabilirea influenei electronilor de
conducie asupra susceptivitii. Pentru aceti electroni, paramagnetismul se datoreaz micrii de
spin, deoarece traiectoria acestor electroni poate fi considerat n mare msur drept rectilinie i
nenchis , genernd astfel un cmp magnetuc ce poate fi neglijat. Fiecare electron are ns un

- 72 -
moment magnetic propriu datorat micrii de spin i care se poate orienta ntr-un cmp magnetic
exterior.
Notnd cu n numrul electronilor de conducie pe unitatea de volum a corpului i innd
cont de faptul c proiecia momentului magnetic pe o anumit ax (n cazul de fa direcia
cmpului magnetic exterior
ce determin inducia
), poate lua doar valorile m

s
= , folosind
distribuii statistice corespunztoare energiei fiecrei proiecii posibile va rezulta
=
2

exp
exp
+exp

unde g2 corespunde factorului de proporionalitate g
s
= 2 pentru acest caz. Considernd aceeai
aproximaie

se ajunge la
=

ceea ce ar implica n prim aproximare o susceptivitate paramagnetic

dependent de temperatur (factorul g fiind aproximativ 2).. In realitate aceast dependen de
temperatur nu se confirm, ntruct cei doi electroni de pe un acelai nivel energetic nu i pot
orienta spinul pe aceeai direcie (conform principiuluii de excluziune al lui Pauli). Ca urmare, unii
electroni din zona benzii de valent, plasai n apropierea nivelului Fermi, vor trece pe nivele libere
cu energia superioar nivelului Fermi. Intruct numrul electronilor ce trec pe nivele superioare este
direct proporional n prim aproximaie cu temperatura, respectiv

(unde T
F
este o aa-numit temperatur Fermi dependent de energia Fermi) rezult prin substituie
i simplificare c susceptivitatea paramagnetic a electronilor de conducie este independent de
temperatur.

Detalii suplimentare referitoare la paramagnetism pot fi gsite n:

- Capitolul I: The Early days of Solid State, suparagraful 3.2.3: Magnetic Spin Susceptibility (Pauli
Paramagnetism) pag. 28, din lucrarea Lecture Notes for Solid State Physics, Steven Simon,
Oxford University 2011, disponibil la pagina web
unde este determinat susceptibilitatea gazului Fermi compus din electroni.
- Capitolul VI: Magnetism and Mean Field Theories, paragraful 15: Paramagnetism and
Diamagnetism, pag. 182 (exceptnd subparagraful 15.2 referitor strict la diamagnetism), din
la pagina web
unde se prezint aplicaii ale regulilor lui Hund referitoare la orientarea spinilor electronilor ntr-un
ansamblu cu referire la principiile mecanicii cuantice referitoare la un ansamblu de particule.

- 73 -

FJ.05.3. Teoria diamagnetismului, paramagnetismului i feromagnetismului
In paragrafele anterioare n care s-au indicat proprietile magnetice ale cmpurilor i
cmpurile magnetice n solide au fost detaliate aspecte legate de influena cmpurilor exterioare
asupra orbitelor electronice (abordare bazat pe teoria clasic a electromagnetismului) precum i
posibilitatea momentelor magnetice elementare (studiate folosind principii de cuantificare a
energiei, ansamblul fiind tratat utiliznd funcii de distribuie). Prima abordare a permis detalierea
fenomenului numit diamagnetism, la care magnetizarea produs de cmpuri externe n material este
de sens opus fa de cel al cmpului aplicat, iar cea ce-a doua abordare a permis tratarea
fenomenelor de paramagnetism, la care magnetizarea generat n material are acelai sens cu cel al
cmpului exterior.
Pentru ambele fenomene menionate aceast magnetizare din material va dispare atunci cnd
aciunea cmpului exterior nceteaz. Mai exist ns o categorie de materiale la care apare un
fenomen denumit feromagnetism, caracterizat prin prezena unei magnetizri spontane chiar n
absena cmpurilor exetrioare. Corpurile din aceste materiale erau cunoscute drept magnei
permaneni. S-a mai constatat c n prezenta unui cmp exterior aceast magnetizare a corpului
crete extrem de mult, fiind mult mai puternic dect cea specific fenomenelor de diamagnetism i
feromagnetism. Susceptivitatea feromagnetic este cu multe ordine de mrime mai mare dect cea
diamagnetic sau paramagnetic, fiind ns de remarcat c aceasta nu se manifest dect pn se
ajunge la o aa-numit intensitate de magnetizare de saturaie. Deasemeni, la micorarea intensitii
cmpului magnetizant (exterior) apare o scdere a intensitii de magnetizare a corpului
feromagnetic ce nu mai corespunde cu valorile nregistrate pentru acelai cmp exterior la creterea
anterioar a cmpului. Se observ o rmnere n urm (remanen) ce are ca rezultat asa-numita
magnetizare remanent ce corespunde momentului n care intensitatea cmpului exterior s-a anulat.
Apoi, la inversarea sensului cmpului exterior (mrindu-se din nou intensitatea cmpului exterior,
acesta avnd ns acum o orientare opus celei anterioare) se va obine o magnetizare nul n
interiorul materialului doar atunci cnd intensitatea cmpului magnetic exterior atinge o anumit
valoare, denumit cmp coercitiv (n acest moment anulndu-se magnetizarea remanent din
material-rmas dup scderea anterioar treptat, pn la zero, a intensitii cmpului extern).
Ulterior, prin creterea treptat peste acest cmp coercitiv a intensittii cmpului exterior pentru
orientarea schimbat va apare o magnetizare de semn schimbat (cum era de ateptat), a crei
valoare va crete treptat pn la o valoare limit (de saturaie), iar apoi cmpul exterior poate fi
sczut n intensitate, apoi inversat, ciclul putnd continua.
Valorile obinute ntr-un astfel de ciclu pentru magnetizarea remanent, magnetizarea de
saturaie i cmpul coercitiv au acelai modul n cazul celor dou orientri posibile ale cmpului
exterior (n coordonate H, M acest ciclu este simetric n raport cu originea). Acest ciclu este
denumit ciclu de histerezis (reprezentat n figura 9), indicnd dependena magnetizrii de evoluia
anterioar a cmpului exterior.
Iniial, aceste proprieti ale corpurilor feromagnetice au fost analizate de Weiss n ipoteza
c momentele magnetice elementare ale atomilor au o aceeai orientare n regiuni limitate ale
mediului - numite domenii magnetice, sau domenii Weiss. In absena unui cmp exterior,
orientarea tuturor acestor domenii este ntmpltoare, momentele magnetice ale domeniilor se
anuleaz reciproc, iar astfel nu apare o magnetizare de ansamblu a corpului. Dac ns din exterior
acionez un anumit cmp magnetizant, atunci aceste domenii se orienteaz datorit magnetizrii

- 74 -
spontane proprii iar magnetizarea corpului pe ansamblu crete foarte rapid. In momentul n care
toate aceste domenii interne s-au aliniat se ajunge la magnetizarea de saturaie a corpului.
La dispariia cmpului exterior, domeniile magnetice nu pot reveni la o orientare haotic
(ntmpltoare) imediat, datorit faptului c fiecare domeniu are dimensiuni mult mai mari dect
cele ale momentelor magnetice elementare. Similar forelor de frecare, apar fore n cadrul fiecrui
domeniu ce tind s menin orientarea anterioar a momentelor (aspect justificat la nivel cuantic
prin interaciuni de schimb ntre electroni).

Figura 9. Forma Ciclului de Histerezis la Materialele Feromagnetice

In acest sens se consider c existena unei magnetizri totale
pentru corpurile
feromagnetice implic prezena unui anumit cmp magnetic interior
proporional cu aceast
magnetizare total, prin relaia

Acest cmp intern se suprapune peste cmpul exterior
pentru a crea cmpul magnetic efectiv
prin relaia

Pentru a obine expresia susceptivitii feromagnetice
fero
se consider c fiecare atom posed un
moment magnetic de spin S . Se utilizeaz apoi o metod de estimare similar celei folosite pentru
studiul susceptivitii paramagnetice (unde media proieciilor momentului magnetic pe direcia
cmpului exterior poate lua doar valori discrete dintr-un anumit set, iar probabilitatea de apariie a
unei anumite valori depinde de energia de interaciune prin intermediul distribuiei Boltzmann), cu
diferena c prin prin utilizarea unor proprieti de derivare a termenilor sumei unei serii geometrice
i de stabilire a acestei sume pentru o progresie de acest tip se obine n mod riguros pentru
magnetizarea unitii de volum o expresie de forma

unde variabila Y a fost introdus prin substituia

H
M

- 75 -
B este inducia magnetic, g
J
corespunde factorului Lande pentru cazul analizat,
BP
este
magnetonul Bohr-Procopiu, n este densitatea de atomi pe unitatea de volum, J este numrul cuantic
corspunztor momentului cinetic total (proiecia sa putnd lua valori de la J la J, cum s-a indicat),
iar B
J
(Y) este aa-numita funcie Brillouin de parametru J, de forma
=
2 +1
2
coth
2 +1
2

1
2
coth
2

In cazul feromagnetismului magnetizarea va fi determinat doar de momentul magnetic de spin
(ntruct interaciunea dintre eletroni datorit orientrii spinului este cea care detrmin meninerea
orientrii domeniilor, similar forelor de friciune la lichide). Prin urmare
,

2,

(s-a nlocuit inducia B prin produsul dintre permeabilitatea magnetic a vidului
0
i cmpul
magnetic efectiv determinat de suma dintre cmpul exterior i cel intern). Pentru temperaturi
obinuite (mari n raport cu zero absolut) i cmpuri relativ mici se poate folosi pentru funcia B
J

aproximaia
=
+1
3

(s-a nlocuit notaia B
J
cu B
S
deoarece J a fost substituit cu S ca parametru n interiorul expresiei
funciei Brillouin). Rezult astfel
( +1)
3

i notnd
=
=
(mrimea T
C
fiind denumit temperatura Curie feromagnetic) se obine n final susceptivitatea
feromagnetic sub forma raportului dintre M
fero
i H
0
determinat de relaia de mai sus

ceea ce indic scderea rapid a susceptivitii feromagnetice cnd temperatura depete
temperatura Curie T
C
(apar proprieti paramagnetice, caracterizate de o susceptivitate mult redus).
Relaiile anterioare justific i prezena magnetizrii spontane. Pentru cmpuri exterioare
slabe se poate face aproximaia H
o
0, i notnd magnetizaia M
fero
din acest caz cu M
s
variabila
intermediar Y din funcia Brillouin va deveni
=

Introducnd suplimentar variabila M
0
prin

rezult pentru magnetizarea M
s
din acest caz (prin substituia notaiilor de mai sus i a aproximrii
H
o
0 n ecuaia anterioar a lui M
fero
) o ecuaie de forma

Reprezentarea pe acelai grafic (n figura 10) a acestor dou funcii n raport cu M
s
va corespunde
unei drepte cresctoare ce pornete din origine (funcia din partea stng a egalitii), respectiv unei
curbe concave cresctoare ce pornete din origine (funcia din partea dreapt a ecuaiei), fiind astfel

- 76 -
posibile (pentru anumite temperaturi T<T
C
) dou intersecii ntre graficele funciilor: una la zero
(corespunde la M
s
= 0, ceea ce nu prezint interes) i alta la o anumit valoare M
s
nenul ce
corespunde magnetizrii spontane specific feromagnetismului).
Aa cum s-a indicat, acest cmp intern este generat de interaciunea dintre spinii electronilor.
Spre deosebite de atomul de hidrogen la care energia minim este obinuta pentru o orientare
antiparalel a spinilor electronilor ce interacioneaz, n cazul corpurilor feromagnetice energia
minim este realizat pentru o orientare paralel a spinilor electronilor implicai. Zonele n care
aceti spini sunt aliniai reprezint domeniile magnetice prezentate anterior.

Detalii suplimentare referitoare la feromagnetism i fenomene asociate pot fi gsite n:
- Capitolul VII: Magnetism and Mean Field Theories, pag. 181 (exceptnd paragraful 15:
Paramagnetism and Diamagnetism ce studiaza aspecte prezentate anterior), din lucrarea Lecture
unde sunt indicate att aspecte suplimentare ce in de orientarea domeniilor din material, ct i alte
tipuri de orientri ale domeniilor (antiferomagnetism, ferimagnetism etc.) .
-Capitolul 7: Ordering in solids, paragraful 7.1: Magnetism, pag. 53, n lucrarea "Solid State
Physics" de Jung Hoon Han, Sungkyunkwan University, Korea, 2010, disponibil la pagina web:
unde un nou tip de cuante ce pot fi definite doar n interiorul materialului (magnonii ce cuantific
energia magnetic) sunt prezentate.

Figura 10. Determinarea Grafic a Magnetizrii Spontane Specific Feromagnetismului

B
s
M
s

- 77 -

FJ.05.4. Aplicaii
Fenomenele magnetice au o gam extrem de larg de aplicaii, att n producerea i
transformarea energiei (electromagneii i magneii permaneni genernd cmpuri induse prin
micri de rotaie n cazul generatoarelor electrice, sau fore i cupluri la motoarele electrice,
trebuind menionata deasemeni utilizarea transformatoarelor bazate pe magnetizarea n curent
alternativ pentru modificarea parametrilor tensiunii electrice) ct i la nregistrarea ori redarea
informaiei pe cale electromagnetic sau optic (prin utilizarea proprietii unui mediu magnetizat
de a schimba starea de polarizare a luminii efectul Faraday, de exemplu). Din acest motiv
cunoaterea propriettilor magnetice ale materialelor este esenial n asigurarea unui randament
ridicat n energetic i acionri, fiind deasemeni necesar s se stabileasc influena factorilor de
mediu pentru stabilirea condiiilor optime de funcionare.


- 78 -

Capitolul FJ.06. Fenomene de contact
Cuvinte-cheie
contact metal-metal, contact metal-semiconductor, contact
semiconductor-semiconductor, potenial de contact, lucru mecanic
de extracie

FJ.06.1. Contactul a dou metale
Atunci cnd dou materiale cu proprieti diferite sunt puse n contact, comportarea
electronilor este puternic influenat de diferena ntre parametrii ce determin starea acestora n
cele dou materiale, aprnd astfel o tendin de deplasare a acestora. In cazul conductoarelor
(metalelor), pentru ca o particul s fie scoas din interiorul materialului prin suprafaa sa este
necesar ca aceasta s primeasc un anumit lucru mecanic (denumit lucru mecanic de ieire sau lucru
mecanic de extracie). Acest lucru mecanic depinde de natura conductorului i de condiiile de
mediu (temperatur, presiune).
Dac dou metale diferite sunt puse n contact, atunci n zona de contact metal-metal dintre
ele se produce un schimb de electroni, acetia trecnd de la conductorul caracterizat de un lucru
mecanic mai mic spre conductorul caracterizat de un lucru mecanic mai mare. Acest proces dureaz
un timp limitat, pn cnd ntre cele dou metale se stabilete o diferen de potenial electric de
contact, cnd transferul de electroni nceteaz datorit semnului acestei tensiuni (ea se opune
deplasrii n continuare a electronilor n sensul iniial).
In relaiile urmtoare se va folosi drept valoare de referin (de zero) pentru nivelele
energetice acel nivel energetic al unor electroni eliberai din cmpul nucleelor i lipsii de energie
cinetic (vitez nul), iar astfel nivelele energetice din atom vor avea valori negative ntruct
eletronii din interiorul atomului au nevoie s primeasc o energie pozitiv pentru a ajunge la nivelul
de zero al energiei, fiind eliberai astfel din cmpul nucleelor din reeaua cristalin.
In acest sens se consider dou materiale metalice M
1
i M
2
separate ntre ele, caracterizate
prin nivelele Fermi W
F!
i W
F2
ale electronilor din banda de conducie (electronii ocupnd nivele
energetice pn la acest nivel, conform caracteristicii metalelor). Se noteaz cu W
e1
i W
e2
aa-
numitul lucru mecanic de extracie pentru aceste metale, considerate pentru electronii aflai pe cel
mai nalt nivel energetic (practic energia Fermi), dup cum se indic n figura 11. In cazul n care
W
F1
> W
F2
va rezulta W
e1
< W
e2
, ntruct electronii de pe nivelul energetic cel mai ridicat din M
1

(cei de nivelul Fermi, ultimul ocupat) au un nivel superior de energie fa de electronii situai pe cel
mai ridicat nivel energetic (nivelul Fermi) n cellalt metal M
2
, avnd nevoie astfel de o energie
suplimentar mai mic pentru a putea prsi atomul.
Cnd cele dou materiale sunt aduse n apropiere, (fiind permis schimbul de electroni) o
parte din electronii de conducie ai metalului M
1
pot trece, prin efect tunel (prsind solidul de care
aparin prin traversarea barierei de potenial care i menine n interiorul su), n metalul M
2

(ocupnd nivele de energie inferioare nivelului su anterior i devenind electroni de conducie ai
acestuia). Intr-o mai mic msur, exist un transfer de electroni n sens contrar (de la M
2
la M
1
, tot
prin efect tunel).
Pe ansamblu, vor trece mai muli electroni din M
1
n M
2
i astfel acesta va avea din ce n ce
mai muli electroni de conducie, ceea ce duce la creterea nivelului Fermi al su (datorit
principiului de excluziune al lui Pauli, va fi nevoie de mai multe nivele energetice pentru numrul

- 79 -
su sporit de electroni de conducie, iar aceasta duce la o energie mai mare pentru ultimul nivel
ocupat). In momentul n care nivelul Fermi din M
1
ajunge s fie egal cu nivelul Fermi din M
2
acest
proces (pe ansamblu) nceteaz, fiindc electronii oricrui material nu mai pot gsi nivele energetice
inferioare n cellalt material, traversarea barierei de potenial (efectul tunel) nemaifiind justificat.
In urma transferului de electroni (pn n mometul egalrii energiilor Fermi) metalul M
1
se
ncarc electric pozitiv (fiind prsit de un anumit numr de electroni), iar metalul M
2
(cel care a
primit electroni) se ncarc electric negativ. Astfel va apare ntre cele dou materiale o diferen de
potenial de contact, care se opune n continuare deplasrii electronilor.
Tinnd cont de faptul c energia unui electron eliberat din cmpul nucleului (la marginea
gropii de potenial) n fiecare dintre metale este suma dintre energia Fermi (energia ultimului nivel
ocupat) i lucrul mecanic de extracie, pentru energiile W
1
iW
2
ale electronilor eliberai n cele
dou metale pot fi scrise relaiile

i ntruct nivelele Fermi se egaleaz la echilibru (dup cum s-a indicat), respectiv
!
=

rezult diferena W dintre energiile electronilor eliberai sub forma
=

iar diferena de potenial de contact corespunztoare va fi

(conform definirii diferenei de potenial drept raport ntre diferene de energie i sarcina electric).
Acest potenial mai este denumit i potenial de contact extern.
Se observ astfel c diferena de potenial de contact extern este egal cu diferenta dintre
lucrurile mecanice de extracie a electronilor din cele dou metale, raportat la sarcina acestora.
Fenomenele din zona suprafeei de contact pot fi detaliate atunci cnd distana dintre cele
dou metale este egal cu constanta reelei, aprnd aspecte noi n zona de contact propriu-zis.
Electronii dintr-un metal pot trece n reteaua cristalin a celuilalt metal, deoarece limea benzii de
conducie (intervalul energetic ocupat de electronii din banda de conducie n fiecare metal) este
diferit (limita inferoar a benzii de conducie difer n general de la un metal la altul). Pentru acest
proces trebuie analizate fenomene din interiorul celor dou benzi de conducie ale metalelor,
pornind de la distribuia Fermi-Dirac, cu diferena major c de aceast dat nivelul de referin al
energiei n cele dou metale (nivelul de zero) este considerat nivelul inferior al benzii de conducie
(considerat astfel a fi egal cu zero n ambele metale, dup cum se indic n figura 12), iar nivelul
Fermi (dei egal n cele dou metale n valoare absolut, adic considerat de la nivelul electronilor
eliberai din cmpul nucleului ce au energie nul) va fi diferit, fiind definit n raport cu acest nivel
n relaiile urmtoare.
In acest sens se consider c, de-a lungul direciei perpendiculare pe suprafaa de separaie
dintre metale (se presupune identic cu axa Ox) fluxul de electroni este dat de numrul


- 80 -

(Figura 11.a) Metale nainte de Contact

(Figura 11.b) Metale dup Contact
Figura 11. Potenialul de Contact Extern ntre Dou Metale

W
F2
W
F1
W
e1
W
e2
W
1
W
2
M
1
M
2
W
F
W
e1
W
e2
M
1
M
2
W
12

- 81 -

(Figura 12.a) Metale nainte de Egalarea Nivelului Fermi

(Figura 12.b) Metale dup Egalarea Nivelului Fermi
Figura 12. Potenialul de Contact Intern ntre Dou Metale

W
c1
W
c2
W
F1
W
F2
M
1
M
2
W
F1
W
F2
W
i12
M
1
M
2

- 82 -

de electroni care traverseaz n unitatea de timp o suprafa de arie unitar, ceea ce corespunde
numrului de electroni dintr-un cilindru cu aria bazelor egal cu unitatea i de nlime egal cu
viteza
=
Restrngnd analiza doar la electronii ce au o anumit vitez v
x
(ce implic i un anumit impuls p
x

de-a lungul direciei analizate), innd cont de faptul c numrul de electroni dn(p
x
) cu impulsul
cuprins ntre (p
x
,p
x
+dp
x
) este determinat de distribuia Fermi-Dirac, se poate scrie
1 +exp

(unde energia W a electronilor este suma dintre energia potenial i cea cinetic, dependent de
vitez). Viteza v
x
poate fi substituit n funcie de impulsul de-a lungul axei Ox prin relaia
cunoscut

rezultnd pentru un flux format de electronii cu impulsul
()
din metalul M
1
spre metalul M
2

expresia
()

()
=
()
()
()
()
1 +exp

i pentru un flux format din electronii cu impuls
()
din metalul M
2
spre metalul M
1
expresia
()
=
()
()
()
()
1 +exp

(unde W
1
, W
2
sunt energiile electronilor n cele dou metale, iar W
F1
i W
F2
sunt energiile Fermi n
cele dou metale). Presupunnd c la echilibru vor exista ntotdeauna dou astfel de fluxuri egale
ntre ele ce se compenseaz reciproc (astfel nct pe ansamblu s nu mai existe flux de electroni
dintr-un metal spre cellalt), va rezulta din egalarea a dou astfel de fluxuri elemenatre (indicate de
formulele de mai sus), simplificarea constantelor i simplificarea componentelor p
y
, p
z
ce nu sunt
orientate de-a lungul direciei de deplasare analizate (aceste componente trebuind s fie egale n
cele dou materiale ntruct nu sunt afectate de vreun fenomen ce acioneaz peprpendicular pe
direcia analizat)
()
()
1 +exp
()
()
1 +exp

Se consider apoi c energiile W
1
i W
2
ale electronilor ce au impulsurile
()
i
()
pot fi
exprimate prin relaiile
()
2
+
()
2
+

(unde U
1
, U
2
repezint energiile poteniale n cele dou materiale, iar W
c1
, W
c2
reprezint energiile
cinetice n cele dou materiale ce au fost substituite imediat n funcie de impulsuri). Efectund

- 83 -
diferena ntre cele dou relaii anterioare i presupunnd c aceast diferen W trebuie s fie
constant (independent de impulsuri) rezult pentru W o expresie de forma
=
=
1
2
()
()

Efectund difereniala acestei expresii n raport cu
()
i
()
, iar apoi egalnd aceast diferenial
cu zero (deoarece n partea stng a ecuaiei de mai sus este o constant, deci o funcie cu
difereniala nul) rezult n urma simplificrilor
()
()
=
()
()

Rezult astfel egalitatea numrtorilor ambelor pri ale expresiei anterioare rezultate din egalarea
fluxurilor elementare de electroni de impuls
()
i respectiv
()
, ceea ce implic necesitatea
egalitii numitorilor n cele dou pri ale aceleiai expresii. Aceasta implic (prin egalarea
exponenilor de la numitor)

rezultnd ulterior

Ca urmare, se poate considera c, pentru energii cinetice egale, electronii dintr-un metal vor avea
energii totale mai mari cu aceast cantitate
dect electronii din cellalt metal, ceea ce indic un

spor de energie potenial.
Astfel apare aa-numitul potenial de contact intern, ce poate fi justificat intutiv prin luarea
n considerare a faptului c egalarea energiilor Fermi (ca nivel absolut) presupune c la nivelul
Fermi de valoare mai sczut s-a adugat o anumit barier energetic intern
egal cu
diferena dintre energiile Fermi ale celor dou metale nainte de contact, respectiv

ce mpiedic difuzia electronilor cu energie cinetic mai mare din vecintatea nivelului Fermi al
unui dintre metale spre cellalt metal (unde energiile cinetice ale electronilor din apropierea
nivelului Fermi sunt mai reduse). Aceast diferena de energie genereaz o diferen de potenial de
contact intern

creat de o anumit distribuie de sarcin spaial n vecintatea contactului dintre metale.
Este util de menionat influena procesului de formare a echilibrului asupra concentraiilor
electronilor din cele dou metale. Grosimea stratului electric este de acelai ordin de mrime cu
constanta reelei (aproximativ 510
-10
m), iar pentru o diferen ntre lucrul mecanic de extracie din
cele dou metale de ordinul a 1eV rezult un cmp electric de ordinul 210
9
V/m (raportul dintre
diferena de potenial i distana pe care se manifest). Densitatea de electroni ce asigura un astfel
de cmp (pentru o sarcin distribuit pe o suprafa) este de ordinul 10
17
/m
2
(conform teoremei lui
Gauss pentru o suprafa ncrcat cu sarcini).
Avnd n vedere c densitatea de electroni liberi pe unitatea de suprafa ntr-un metal poate
fi estimat prin raportul ntre densitatea volumic de electroni liberi (de ordinul 10
28
/m
3
) i numrul
de plane atomice dispuse pe distana de 1m (de ordinul a 310
9
/m), rezult o densitate de ordinul
10
19
/m
2
, deci de 100 ori mai mare dect densitatea de electroni suplimentar ce creeaz potenialul
electric de contact. Prin urmare, doar 1% din electroni sunt afectai de formarea acestei zone de
contact, i astfel procesul de conducie n cele dou metale nu este practic afectat de existena
acestei diferene de potenial.

- 84 -

Detalii suplimentare referitoare la contactul ntre dou metale pot fi gsite n:
- Open Course: Physics for Solid-State Applications Lecture Notes, prezentat la la Massachusetts
Institute of Technology tinut de Rajjev Ram, Terry Orlando, disponibil la pagina web
http://web.mit.edu/6.730/www/ST04/Lectures/Lecture27.pdf
unde diagramele de energie pentru contactul dintre dou metale sunt prezentate succint, ulterior
fiind indicate ecuaiile ratelor ce indic probabilitatea de tranziie dintre nivele implicate precum i
aspecte referitoare la recombinri.

FJ.06.2. Contactul metal-semiconductor
In cazul contactului dintre un material metalic i un semiconductor, analiza va ncepe prin
considerarea situaiei n care semiconductorul aflat n contact este de tip n, ceea ce nseamn c la
temperatura obinuit a mediului exist un numr mai mare de electroni aflai pe banda de
conducie fa de numrul de locuri libere (goluri) n banda de valen. Nivelul Fermi al
semiconductorului se afl n mod uzual la jumtatea benzii interzise, iar lucrul mecanic de extracie
al metalului W
eM
pentru electroni aflai la nivelul Fermi n metal (practic ultimul nivel energetic
ocupat) se consider a fi mai mare dect lucrul mecanic de extracie W
eS
considerat ns pentru
semiconductori ca fiind cel necesar pentru electroni aflai n semiconductor, ipotetic, la nivelul
Fermi- toate nivelele fiind considerate n valoare absolut, energia de valoare nul corespunznd
electronilor eliberai din cmpul nucleelor din reeaua cristalin. Se poate observa c definirea
riguroas a lucrului mecanic de extracie n raport cu energia necesar a fi transmis unui electron de
la nivel Fermi pentru a fi eliberat din cmpul nucleului coincide cu interpretarea sa intuitiv ca lucru
mecanic de extracie pentru electronii aflai pe cel mai nalt nivel energetic pentru metale (acela
fiind practic ultimul nivel ocupat), ns difer pentru electronii din semiconductor unde acetia nu
pot ocupa nivele n interiorul benzii interzise (unde nivelul Fermi este plasat). Motivaia este dat de
faptul c la semiconductori eliberarea unui nivel n banda de conducie duce practic imediat la
ocuparea acestui nivel de un electron din banda de valen i viceversa, ceea ce implic luarea n
considerare a unui lucru de extracie mediu.
Similar situaiei prezentate anterior (contactul a dou metale) are loc procesul de stabilire a
echilibrului termodinamic al sistemului, realizat prin transportul de electroni dinspre semiconductor
spre metal n zona de contact metal-semiconductor (reprezentat n figura 13) pn n momentul
n care nivelele Fermi ajung la aceeai valoare n ambele materiale (astfel nct statistica
electronilor s fie acceai n cele dou materiale, pentru a nu mai exista fenomene de transport).
Prin urmare, n zona suprafeei de contact va apare o barier de energie potenial W
12
(notat i
W
D
) ce corespunde pentru electroni unui potenial de contact V
12
(notat i V
D
deoarece mai este
denumit i potenial de difuzie) determinat de relaia

similar contactului dintre dou metale. Detalierea fenomenelor din zona de contact dup egalarea
nivelelor energiei Fermi indic faptul c electronii din banda de conducie a metalului au nivele
energetice corepunztoare nivelelor din banda interzis pentru semiconductor, i astfel nu pot


- 85 -

(Figura 13.a) Metal i Semiconductor nainte de Contact

(Figura 13.b) Metal i Semiconductor dup Contact
Figura 13. Potenialul de Contact Metal-Semiconductor
W
eM
W
eS

S
W
FS
W
FM
M
S
W
D
W
FS
W
FM
W
CS

S

- 86 -

efectua tranziii la acelai nivel energetic (sau pe nivele inferioare) n interiorul semiconductorului.
Electronii din banda de conducie a semiconductorului de tip n au poziii libere la nivele energetice
inferioare n interiorul metalului, ns pentru a putea ocupa astfel de nivele trebuie s treac de o
barier de potenial W
bs
reprezentat de suma ntre afinitatea electronic
(lucrul mecanic necesar

pentru ca electronii de la nivelul benzii de conducie din semiconductor s ajung electroni eliberai
din cmpul nucleelor) i bariera de energie potenial de contact W
D
nou-format (prin egalarea
nivelelor Fermi) pentru a ajunge apoi pe un nivel energetic mai mic cu W
CF
dect cel de pe care au
plecat (apropiat de energia Fermi a metalului), unde W
CF
este dat de relaia

unde W
Cs
este energia electronilor din banda de conducie la semiconductor, iar W
Fs
este energia
nivelului Fermi al semiconductorului (egalat acum cu energia Fermi a metalului). Aceast
diferen ntre W
D
i W
b
(diferena de energie potenial de contact) este cauzat de faptul c
electronii din banda de conducie a semiconductorului au nevoie doar de un lucru mecanic egal cu
afinitatea electronic
pentru a ajunge electroni eliberai din cmpul nucleelor, nu de W

eS
ce este
considerat pentru electroni situai ipotetic pe nivelul Fermi al semiconductorului.
In practic ns contribuia afinitii electronice
aceast barier de potenial

are valori reduse, fiind considerat transparent pentru simplificarea calculelor. Inlimea barierei
de potenial va fi considerat practic egal cu W
D
.
Analiznd n detaliu fenomenele din zona de contact, trebuie observat faptul c aceste
diferene de potenial se datoreaz unei acumulri de sarcini spaiale care, pentru zona
semiconductorului, va cuprinde o distan mult mai mare dect n zona metalului. Aceasta se
datoraez densitii mult mai mici de electroni n banda de conducie pentru semicomductor dect
pentru metal, i astfel pentru meninerea barierei de potenial este necesar contribuia electronilor
de pe mai mult de 10
5
plane atomice, unde vor apare ioni pozitivi n urma transferului de electroni
spre metal. Regiunea din semiconductor n apropierea suprafeei de contact care este srcit de
electroni se numete regiune srcit, sau regiune de sarcin spaial ori strat de barier.
In aceast zon srcit se poate determina distribuia de electroni utiliznd ecuaia Poisson
ce indic legtura dintre potenialul de contact V
D
(x) (considerat a varia de-a lungul axei Ox
perpendicular pe suprafaa de contact) i densitatea spaial de sarcin electric
() ce variaz
de-a lungul aceleiai direcii sub forma
()

unde
reprezint permitivitatea electric a semoconductorului (ecuaia provine din legea induciei

electrice din electromagnetismul clasic ce permite stabilirea induciei electrice D i a cmpului
electric E=D/ n funcie de densitatea de sarcin electric, urmat de substituia cmpului electric
n funcie de potenialul electric V
D
). Presupunnd c regiunea este total srcita de electroni,
rezult c densitatea de sarcin electric va fi reprezentat de produsul dintre concentraia de
impuriti donoare N
D
(cele ce contribuie n principal cu electroni pentru banda de conducie,
fiecare atom contribuind cu cte un electron suplimentar fa de banda de valen), rezult c
densitatea de sarcin electric va fi -eN
D
, i astfel, pentru (0,
) (pe distana corespunztoare

regiunii srcite) se poate scrie ecuaia
()


- 87 -
Efectund prima integrare se obine cmpul electric E
b
sub forma unui polinom de gradul nti.
Impunnd condiia ca acest cmp electric s se anuleze la marginea regiunii srcite (aproximarea
unei anulri brute a cmpului electric din zon la limitele regiunii de sarcin spaial) se stabilete
i constanta de integrare, rezultnd

Efectund apoi a doua integrare se obine potenialul de contact V
D
sub forma unui polinom de
gradul doi. Impunnd condiia de anulare a potenialului electric la limita zonei de sarcin spaial
(cnd x = L
s
, similar condiiei anterioare) rezult expresia potenialului electric de contact n
funcie de distan sub forma

ce implic o valoare maxim (n modul) V
b
(obinut pentru x=0 ) de forma
0 =

Relaia de mai sus permite determinarea lrgimii zonei srcite, sub forma
=
2
/

Pentru valori uzuale ale permitivitii electrice a semiconductorilor (
= 10 ) i diferenei de
potenial de contact ( de ordinul 1eV ) se obin lrgimi L
s
de ordinul a 10
-7
m.
Cunoscnd legea de variaie a barierei energetice cu distana se poate determina cu o
precizie mai mare (folosind pentru simplificare distribuia Maxwell-Boltzmann, aproximaie
permis la temperaturile uzuale ale mediului ambiant) concentraia n
n
(x) a electronilor din banda de
conducie pentru regiunea srcit
exp
()

unde W
CF
este diferena dintre energia nivelului benzii de conducie W
Cs
i energia Fermi W
F
la
semiconductor (cum s-a mai indicat), iar W
D
(x) este contribuia suplimentar la energia electronilor
din semiconductor, n zona de sarcina spaial, datorat barierei de energie dependent de distan (
N
C
fiind o constant de normare). Tinnd cont de condiia ca la marginea regiunii de sarcin spaial
( cnd W
D
(x) = 0 ) concentraia electronilor din banda de conducie s fie egal cu o anumit
valoare n
0
specific semiconductorului (n absena fenomenelor de contact), rezult succesiv
exp
exp
()

Proprietile de conducie ale unei astfel de structuri depind mult de sensul unei posibile
tensiuni aplicate din exterior (pentru o anumit polarizare aprnd un curent semnificativ prin
circuit iar pentru o alt polarizare existnd un curent foarte mic de sens contrar) ntruct apare o
barier energetic pentru purttorii majoritari din semiconductor (electronii) care poate fi
influenat semnificativ de o tensiune exterioar.
Dac ns s-ar pune n contact un semiconductor de tip n cu un metal n condiiile n care
lucrul mecanic de extracie la metal este mai mic dect la semiconductor, aspectele de mai sus i
pstreaz caracteristicile generale (formarea de sarcin spaial, egalarea nivelelor Fermi, apariia
potenialului de contact) cu diferena c semnul diferenei de potenial se schimb iar zona de

- 88 -
sarcin spaial din semiconductor va consta dintr-un surplus de sarcini negative (electroni
transferai din metal) descris de o densitate ce crete exponenial pe msura apropierii de zona de
separaie. Intruct concentraia electronilor crete pe msura apropierii de zona de separaie ntre
materiale, regiunea respectv este denumit strat de antibarier. Spre deosebire de cazul anterior,
proprietile de conducie prin structur nu depind semnificativ de sensul unei tensiuni aplicate din
exterior, deoarece nu apare o barier energetic pentru purttorii majoritari din semiconductor
(electronii) care s fie influenat de aceast tensiune exterioar.
In cazul n care un semiconductor de tip p este pus n contact cu un metal, se ntlnesc
fenomene similare, dependente de diferenele intre lucrul mecanic de extracie n metal i respectiv
semiconductor, cu diferena c n semiconductor va fi modificat n regiunea de sarcin spaial
densitatea golurilor. Cnd lucrul mecanic de extracie la metal este mai mic dect lucrul mecanic de
extracie pentru semiconductor va apare o regiune de sarcin spaial srcit n goluri i o barier
de potenial pentru acestea la tendina de a trece n metal, ceea ce implic dependena proprietilor
de o tensiune extern (proprieti de redresare, fiind favorizat puternic conducia pentru o anumit
sens al tensiunii exterioare). Dac lucrul mecanic de extracie este mai mic la semiconductor dect
la metal, atunci regiunea de sarcin spaial a semiconductorului va fi mbogit n goluri (aprnd
un strat de antibarier, cum s-a artat), nu va exista o barier energetic pentru goluri i astfel
proprietile de conducie nu vor fi influenate semnificativ de sensul unei tensiuni exterioare.

Detalii suplimentare referitoare la contactul metal-semiconductor pot fi gsite n:
- Lecture 27: Quasi-fermi levels and Non-equilibrium din lucrarea: Physics for Solid-State
Applications Lecture 27, prezentat ca Open Course la Massachusetts Institute of Technology tinut
de Rajjev Ram, Terry Orlando, disponibil la pagina web
unde se pune accent pe ecuaia ratelor ce indic variaia n timp a distribuiei electronilor pe nivelele
de energie.
- Capitolul 4: PN and Metal-Semiconductor Junctions, Partea III: Metal-Semiconductor Junction,
din lucrarea: Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits (de la pag. 133 la pag. 145),
prezentat la University of California at Berkeley de Chenming Calvin Hu, disponibil la pagina web
http://www.eecs.berkeley.edu/~hu/Chenming-Hu_ch4.pdf
unde se prezint suplimentar valori numerice pentru diverse variante de contact Metal-
Semiconductor.

FJ.06.3. Contactul semiconductor-semiconductor
In cazul n care dou materiale semiconductoare sunt puse n contact, de interes practic va fi
situaia n care unul dintre materialele semiconductoare este de tip n (fiind dopat cu impuriti
donoare ntr-o anumit concentraie N
D
), iar cellat este de tip p (fiind dopat cu impuriti
acceptoare N
A
). Stabilirea echilibrului termodinamic al sistemului se face prin transferul de electroni
din regiunea n n regiunea p i prin transferul de goluri din regiunea p n regiunea n, datorit
proceselor de difuzie generate de diferenele (gradienii) de concentraie, prin zona de contact
semiconductor-semiconductor.
Ca urmare a difuziei purttorilor majoritari, n apropierea suprafeei de separaie se
formeaz sarcini spaiale n ambele regiuni, ce creaz un cmp electric ce se opune acestui fenomen

- 89 -
de difuzie. Existena acestui cmp electric cauzeaz apariia unei bariere energetice de potenial W
D

i a potenialului de barier V
D
(similar aspectelor prezentate anterior), cu valori determinate prin
=
()

()
=

unde
()
,
()
corespund lucrului mecanic de extracie pentru semiconductorul de tip p,
respectiv semiconductorul de tip n. Dac cele dou zone au rezultat prin doparea cu impuriti a
aceluiai tip de semiconductor iniial, atunci diferena dintre nivelele Fermi n cele dou regiuni va
fi determinat de influena concentraiilor de impuriti i de temperatur. Utiliznd distribuia
Fermi-Dirac n ipoteza c electronii din banda de conducie ajung att de pe nivelele de valen ale
atomilor din reeaua de baz, ct i din atomii de impuriti donoare, iar golurile provin att din
tranziii ale atomilor din reeaua de baz, ct i din atomii de impuriti acceptoare, rezult
aproximaia
ln

unde n
i
reprezint concentraia intrinsec de purttori (electroni/goluri) n structura de baz
(nedopat cu impuriti). Intr-un mod similar celui din paragraful anterior, n funcie de potenialul
de barier se poate determina concentraia de purttori minoritari (goluri difuzate n regiunea de tip
n sau electroni difuzai n zona de tip p) la limitele zonelor de sarcin spaial, n funcie de
concentraiile acestor purttori n zona din care provin, sub forma unor funcii exponeniale
=
()
exp
=
()
exp

unde p
n
, p
p
indic concentraiile de goluri n regiunea de tip n, respectiv cea de tip p, n
p
, n
n
indic
concentraiile de electroni n regiunea de tip p, respectiv cea de tip n, indicele zero indic faptul c
relaiile sunt valabile la echilibru, n absena unei tensiuni din exterior, iar

Pentru simplificarea analizei se conider din nou aproximaia regiunilor total srcite,
rezultnd c sarcina electric de o parte i de alta a suprafeei de contact (pe distana l
p
jn
semiconductorul de tip p i pe distana l
n
n semiconductorul de tip n, originea fiind stabilit la
suprafaa de contact) va fi eN
A
n zona de tip p i respectiv eN
D
n zona de tip n (toate impuritile
au fost ionizate). Folosind pentru ambele regiuni aceeai ecuaie Poisson pentru determinarea
potenialului de barier n funcie de distan, impunnd condiia de anulare a cmpului electric
generat de acest potenial la limitele regiunilor srcite (pentru x = -l
p
, x=l
n
) i condiia ca expresia
cmpului obinute pentru cele dou regiuni s coincid pentru x=0 (zona de contact), rezult
succesiv relaia ce indic egalitatea sarcinilor spaiale (n modul) n cele dou regiuni
()
=
()

lungimea celor dou regiuni n funcie de potenialul de contact V
D
dintre cele dou tipuri de
material
()
=
2
1 +
()
=
2
1 +
/

i o expresie ptratic pentru dependena de distan a potenialului de contact n regiunile srcite,
astfel:

- 90 -
(i) n zona p
+
()

(ii) n zona n

()

Aprnd aceast barier de potenial pentru purttorii majoritari, proprietile de conducie
ale unei astfel de structuri vor fi influenate puternic de sensul unei tensiuni externe aplicate. Astfel,
dac tensiunea aplicat din exterior are tendina de a micora bariera energetic dintre cele dou
regiuni, atunci curentul electric datorat difuziei purttorilor majoritari va fi favorizat, fiind astfel
mai puternic dect curentul de drift generat de cmpul electric n zona barierei de potenial. Pe
ansamblu aceti cureni nu se mai compenseaz (ca n situaia echilibrului termodinamic, unde
nivelele Fermi se egalau). Intruct electronii i golurile sunt supui distribuiei Fermi-Dirac ce poate
fi aproximat cu distribuia Boltzmann la temperaturile uzuale ale mediului ambiant, iar aceast
tensiune suplimentar V
ext
intervine sub forma unei energii exterioare

ce apare ca termen la exponentul W/(K
B
T) al funciei de distribuie, rezult c n aceste condiii
concentraiile purttorilor minoritari la limitele regiunilor srcite vor fi determinate (comparativ cu
concentraiile la echilibru) de relaiile
=
()
exp

(pentru golurile injectate din regiunea p n regiunea n), i respectiv
=
()
exp

(pentru electronii injectai din regiunea n n regiunea p).
Densitatea de curent electric poate fi determinat n modelul simplificat al lui Shockley
(jonciune ideal i abrupt, tensiunea extern aplicat se regsete la bornele regiunilor sracite,
lungimile regiunilor sracite sunt mult mai mici dect lungimea de difuzie a purttorilor minoritari
injectai, putndu-se neglija astfel recombinrile) pornind de la constatarea c densitatea de curent
total este dat de suma densitilor de curent pentru electroni i respectiv goluri, fiecare avnd o
component de difuzie i una de drift (datorit cmpului electric) sub forma

pentru densitatea de curent din zona n (indicat prin indicele n ntre paranteze, unde
n
,
p

reprezint mobilitile pentru electroni respectiv goluri, n
n
, p
n
reprezint concentraiile de electroni
respectiv goluri n zona n, D
n
, D
p
reprezint coeficienii de difuzie pentru electroni respectiv goluri,
iar pentru goluri s-a inut cont de semnul pozitiv al sarcinii acestora) i similar pentru densitatea de
curent din zona p. Aceste componente ale curentului sunt reprezentate n figura 14.
La limitele zonei srcite cmpul electric poate fi considerat aproximativ nul, i astfel la
marginea zonei srcite n regiunea p va exista pentru electroni doar un curent de difuzie format din
electroni injectai din zona n, precum i un curent de goluri. Acest curent de goluri poate fi egalat cu
curentul de goluri la cealalt limit a regiunilor srcite (limita regiunii din zona n) ntruct se
neglijeaz recombinrile. Ins la cealalt limit se poate aproxima din nou cmpul electric cu zero,
i astfel n acel punct curentul de goluri va fi reprezentat tot de un curent de difuzie al golurilor

- 91 -
injectate din zona de tip p. In concluzie, dac se nsumeaz valoarea densitii de curent de difuzie
al electronilor pentru x=-l
p
(limita zonei sracite n regiunea p) cu valoarea densitii de curent de
difuzie al golurilor pentru x=l
n
(limita zonei srcite n regiunea de tip n) se obine expresia
densitii de curent prin jonciune pentru aa-numita polarizare direct (ce favorizeaz conducia
prin scderea barierei de potenial).
In acest sens se stabiliete mai nti expresia de goluri i electroni injectai n cealalt
regiune i ajuni la limta regiunii de srcire neafectai de recombinri sub forma diferenei dintre
valorile la neechilibru i cele la echilibru (ambele indicate anterior), rezultnd n urma nlocuirilor
exp
exp
1
Tinnd cont de ecuaia difuziei ce determin legea de scdere a acestei concentraii cu
distana

Figura 14. Componentele Densitilor de Curent la Jonciunea p-n-Model Shockley

x
j(x)
l
n
-l
p
0
j

(n
n
)
J(p
n
)
j(p
p
)
j(n
p
)

- 92 -

(unde L
p
, L
n
sunt distanele de difuzie ale golurilor, respectiv electronilor) cu soluii de forma unor
exponeniale de exponent x/L
p
(pentru goluri), respectiv x/L
n
(pentru electroni) se ajunge n cele
din urm la expresia concentraiilor purttorilor injectai n funcie de distan
=
()
exp
1 exp
=
()
exp
1 exp

(s-au ales constantele de integrare astfel nct s fie satisfcute condiiile pentru x=l
n
, x= -l
p
iar
concentraiile s scad pentru x pentru zona n, respectiv pentru x- pentru zona p). Prin
derivare n aceste puncte se obine gradientul concentratiilor, prin multiplicare cu constanta de
difuzie i sarcina electric se obin densitile de curent de difuzie n aceste puncte pentru purttorii
minoritari, iar prin nsumarea celor doi termeni se obine n cele din urm densitatea de curent prin
dioda ideal sub forma
=
exp
1
unde j
s
(denumit i densitate de curent de saturaie) este determinat de relaia
()
()

Se observ c valoarea densitii de curent de conducie crete practic exponenial cu tensiunea
pentru polarizarea direct. In cazul n care ns orientarea tensiunii exterioare ar fi fost de sens
contrar (-V
ext
) , bariera energetic ar fi fost mrit, iar purttorii majoritari nu ar mai putea traversa
practic aceast barier. In schimb, purttorii minoritari ar fi injectai n cealalt regiune (electronii
din zona p n zona n, iar golurile din zona n n zona p). In urma acestor transferuri, conecntraiile
purttorilor minoritari nu vor mai fi mrite, ci micorate pe anumite distane din vecintatea
regiunilor srcite. Similar polarizrii directe, apar pentru aceste concentraii, la limita regiunilor
srcite, relaii de forma
=
()
exp
=
()
exp

Cu aceleai ipoteze simplificatoare folosite la studiul polarizrii directe, prin determinarea
curenilor de difuzie la limitele zonelor srcite i nsumarea termenilor se obine n cele din urm
=
exp
1
Pentru valori ale tensiunii inverse semnificativ mai mari dect V
T
0.025 V rezult

adic prin jonciune trece un curent foarte mic n sensul tensiunii, ce este denumit curent de
saturaie.

Detalii suplimentare referitoare la contactul semiconductor-semiconductor pot fi gsite n:
- Lecture 27: Quasi-fermi levels and Non-equilibrium din lucrarea: Physics for Solid-State
Applications Lecture 27, prezentat ca Open Course la Massachusetts Institute of Technology tinut
de Rajjev Ram, Terry Orlando, disponibil la pagina web

- 93 -
unde se detaliaz fluxurile de electroni i goluri pentru condiii de non-echilibru (cnd apar
fenomene de recombinare datorit unor fluxuri luminoase exterioare).
- Capitolul 4: PN and Metal-Semiconductor Junctions, Partea I: PN Junction, din lucrarea: Modern
Semiconductor Devices for Integrated Circuits (de la pag. 89 la pag. 117), prezentat la University
of California at Berkeley de Chenming Calvin Hu, disponibil la pagina web
http://www.eecs.berkeley.edu/~hu/Chenming-Hu_ch4.pdf
unde se prezint suplimentar caracteristicile diodelor PN la diverse temperaturi de lucru (n Partea a
II-a a lucrrii fiind detaliate dispozitivele optoelectronice).

FJ.06.4. Aplicaii
Fenomenele de contact au un rol important n practic, ntruct situaiile n care dou metale
diferite sunt puse n contact sunt extrem de frecvente, iar potenialul de contact generat trebuie luat
n considerare atunci cnd sunt efectuate msurtori electrice sau electronice ntre cele dou
materiale.
In cazul n care sunt folosii semiconductori, fenomenele de contact dintre ele sunt utilziate
n electronica de putere pentru redresarea curentului (fiind favorizat conducia ntr-un anumit
sens), astfel nct prin aparate sau motoare electrice s existe un singur sens de circulaie a
curentului. Deasemenea, acest fenomen de conducere practic unidirecional este utilizat n
circuitele electronice pentru prelucrarea semnalelor transmise pe cale electronic.


- 94 -

Capitolul FJ.07. Fenomene termoelectrice
Cuvinte-cheie
Efectul Seebeck, Efectul Peltier, Efectul Thomson

FJ.07.1. Efectul Seebeck
Efectul Seebeck apare ntre dou jonciuni formate din doi conductori sau semiconductori,
cnd cele dou jonciuni se gsesc la temperaturi diferite.
Astfel, ntr-un circuit nchis de form circular format din dou asemenea materiale (fiecare
acoperind cte un semicerc din cadrul circuitului nchis, conform figurii 15) se constat c att timp
ct temperaturile de la cele dou contacte diametral opuse sunt egale nici-un fel de curent electric
nu va fi generat de-a lungul circuitului. Atunci ns cnd temperaturile T
1
i T
2
ale celor dou
contacte sunt diferite o anumit tensiune electromotoare va apare n circuit, ce va genera un curent
electric.
In principiu, efectul Seebeck este o consecin direct a existenei unei diferene de potenial
la contactul a dou metale datorat valorilor diferite pentru lucrul mecanic de extracie (aa cum s-a
artat anterior), o interpretare mai riguroas care s in cont de influena temperaturii fiind bazat
pe distribuia electronilor liberi n metale n aproximaia stabilit de Sommerfeld. Conform acestui
model, fiecare metal este caracterizat de o anumit funcie S dependent de energia Fermi i de
temperatura sa. Aceste funcii mai sunt denumite coeficieni Seebeck, ei determinnd tensiunea
electromotoare care apare ntr-un circuit nchis format din dou metale prin expresia

unde S
A
i S
B
sunt coeficienii Seebeck ai celor dou metale aflate n contact.
Estimarea lor n cadrul teoriei electronilor liberi pornete de la presupunerea c o anumit
diferen de temperatur infinit mic dT creeaz o anumit diferen de potenial infinit mic dV
ntre electronii acumulai n anumite puncte i ionii rmai n puncte situate la distana infinit mic
dl, de-a lungul circuitului analizat. Astfel, un electron ce ar strbate acest interval dl ar trebui s
nving diferena de potenial energetic edV (lucrul mecanic al sarcinii electrice e n diferena de
potenial) pentru a ajunge ntr-un punct unde energia sa medie (funcie de temperatur) ar varia de
la W(T) la W(T+dT) . Utiliznd pentru dependena de temperatur a energie medii expresia din
modelul Lorentz-Sommerfeld
=
3
5
()
1 +
5
12

()

(unde W
F(0)
este energia Fermi la 0
o
K) i substituind aceast expresie pentru W(T) i W(T+dT) n
legea conservrii energiei
= + ()
se obine
=
4
()
+
2
()

ceea ce permite determinarea coeficientului Seebeck S sub forma

- 95 -

Figura 15. Efectul Seebeck-Tensiune Generat ntre Jonciuni Aflate la Temperaturi Diferite

Figura 16. Efectul Peltier Absorbie/Degajare de Cldur la Jonciuni Parcurse de Curent

Rezultatele prezise de acest model trebuiesc multiplicate cu un factor de corecie 1.23 pentru a
coincide cu datele experimentale pentru coeficienii Seebeck. Este de remarcat faptul c exist
metale precum cuprul, argintul, aurul la care exist tendina ca electronii s se deplaseze dinspre
zona mai rece spre zona mai cald (coeficienii Seebeck sunt pozitivi, aspect ce nu poate fi explicat
prin modelul indicat mai sus).

FJ.07.2. Efectul Peltier
Efectul Peltier poate fi considerat drept inversul efectului Seebeck, ntruct n acest caz o
tensiune exterioar este utilizat pentru generarea unui curent ntr-un circuit format din doi
conductori sau semiconductori, ceea ce determin absorbie de cldur la unul dintre contacte i
degajare de cldur la cellat contact dintre acetia. Cnd sensul curentului este inversat, efectul
este i el inversat (contactul care anterior se nclzea va fi acum rcit i invers). Fluxul de energie
S
A

S
B

T
1
T
2
V
0
A
B
A
B
I
U
ext

AB
I
AB
I


- 96 -
termic (cantitatea de cldur absorbit sau degajat pe unitatea de timp) este direct proporional cu
intensitatea curentului, putnd fi scris relaia diferenial

unde
reprezint cldura Peltier schimbat prin acest proces (raportat la unitatea de timp, ceea ce
corespunde scrierii
/ pe un interval infinit mic), I este intensitatea curentului iar

AB

este diferena ntre aa-numiii sunt aa-numiii coeficieni Peltier
A
i
B
ai celor dou metale,
conform figurii 16.
Din punct de vedere fizic, fenomenul poate fi explicat prin faptul c electronii aflai n zona
de contact dintre dou metale sau semiconductori au energii medii diferite n fiecare material.
Electronii care ajung din zona cu energie medie mai mare n cea cu energie medie mai mic vor
efectua tranziii pe nivele inferioare de energie (spre nivelul Fermi) prin interacii cu vibraiile
reelei (fononii) transfernd surplusul de energie acestora i nclzind zona de contact. Dimpotriv,
cnd electronii trec din zona cu energie medie mai mic n cea cu energie medie mai mare se ine
cont de faptul c doar electronii ce au energii relativ mari (mai mari dect energia medie a zonei)
pot efectua tranziii, iar n urma plecrii lor ali electroni din acea zon vor tinde s ocupe acele
nivele prin absorbia unor fononi (prelund energie din vibraiile reelei) i rcind zona.
Presupunnd c electronii aflai la echilibru termic la nivelul de energie medie W cu
impulsul k vor primi un impuls suplimentar k
d
datorit deplasrii de-a lungul axei Ox adugat la
impulsul anterior k de proiecie k
x
(celelalte dou componente ale impulsului anterior k
y
i k
z

rmnnd neschimbate), energia cinetic a lor va fi descris succesiv de expresiile
+ 2

Fluxul de energie
w
pe direcia Ox va fi determinat de produsul dintre aceast energie cinetic i
viteza de-a lungul axei Ox, determinat de expresia
()
=

rezultnd
+2

(unde s-a nlocuit cu k
2
suma ptratelor componentelor sale k
x
, k
y
, k
z
pe axe). Desfcnd paranteza,
neglijnd termenii de ordinul doi n k
d
i efectund media expresiei de mai sus (ce implic anularea
termenilor de putere impar n raport cu k
x
deoarece acesta poate avea n egal msur valori
pozitive i negative), rezult pentru fluxul de energie expresia

ce poate fi rescris sub forma
2
+
2
3

(s-a nlocuit ptratul lui k
x
cu k
2
/3, deoarece n absena deplasrii cele trei proiecii ale impulsului k
pe axe aveau valori medii egale pentru ptratele lor).
Ins energia cinetic a electronilor n absena deplasrii este egal cu

- 97 -

2

iar viteza propriu-zis a ansamblului de electroni (viteza medie de-a lungul axei Ox) este
determinat prin

ceea ce permite scrierea fluxului de energie sub forma

5
3

Pentru a obine ns fluxul de cldur trebuie s se ia n considerare doar cantitatea de energie ce
depete nivelul Fermi, rezultnd astfel fluxul de energie raportat la nivelul Fermi

5
3

iar coeficientul Peltier pentru respectivul material poate fi determinat prin raportul dintre acest flux
de cldur i fluxul de curent determinat de un electron

rezultnd o estimare teoretic de forma

5
3

Figura 17. Efectul Thomson. Absorbie/Degajare de Cldur ntr-un Parcurs dintr-un Anumit
Material Aflat n Gradient Termic

T
1
T
2
> T
1
I
J dT/dx

- 98 -

FJ.07.3. Efectul Thomson
Efectul Thomson const n generarea sau absorbia de cldur de-a lungul unui circuit
dintr-un anumit metal sau semiconductor, atunci cnd exist o diferen de temperatur ntre
extremitile circuitului. Spre exemplu, n cazul fierului, acesta va absorbi caldur dac este
strbtut de un curent de la extremitatea rece spre cea cald, conform figurii 17. Dac sensul
curentului este inversat, fierul va ceda cldur mediului (se va rci). Pentru cupru efectul este
contrar. Materialele ce se comport precum cuprul au un aa-numit efect Thomson pozitiv, iar cele
ce se comport precum fierul au un aa-numit efect Thomson negativ.
Cantitativ, fluxul de enrgie termic
absorbit n bar (cldur raportat la unitatea de

timp) poate fi determinat utiliznd o relaie de forma

unde este coeficientul Thomson specific acelui material, J este densitatea de curent iar dT/dx
corespunde gradientului de temperatur considerat orientat de-a lungul axei Ox a barei.
Intre coeficienii Seebeck, Peltier i Thomson pot fi stabilite, pe baza principiilor
termodonamicii proceselor ireversibile aplicate fluxurilor de cldur i curent determinate de
gradienii de temperatur i potenial electric, expresiile cunoscute drept relaiile lui Thomson
=

=

FJ.07.4. Aplicaii
Fenomenele termoelectrice sunt folosite pe larg att pentru msurarea electric i
electronic a diferenelor de temperatur (efectul Seebeck), ct i pentru rcirea magnetic a unor
jonciuni ntre metale cu coeficieni Peltier sau Thomson diferii (utiliznd efectul Peltier pentru a
prelua cldur dintr-un punct al circuitului i a o disipa n alt punct al circuitului). In plus, aceste
fenomene permit o verificare a modelelor teoretice referitoare la structura nivelelor de energie n
solide (prin compararea datelor experimentale pentru coeficienii Seebeck, Peltier cu cei estimai
teoretic pe baza diverselor formule pentru energia medie a electronilor).

Detalii suplimentare referitoare la fenomenele termoelectrice pot fi gsite n:
- Capitolul 17: Transport phenomena and Fermi liquid theory, din cursul de Solid State Physics al
lui M.S.Chang, National Taiwan Normal University , disponibil la pagina web:
http://phy.ntnu.edu.tw/~changmc/Teach/SS/SSG_note/mchap17.pdf
unde, pornind de la funcia de distribuie (pag.1-10) sunt introduse relaiile lui Onsager ce permit o
tratare unitar a fenomenelor termoelectrice (pag.11-52), cu exemplificri i aplicaii tehnice.


- 99 -

Capitolul FJ.08. Fenomene galvanomagnetice
Cuvinte-cheie
Efectul Hall, Efectul Nernst, Efectul Ettingshausen, Efectul
magnetorezistiv

FJ.08.1. Efectul Hall
Efectul Hall const n apariia ntr-un conductor sau semiconductor a unui cmp electric
suplimentar cnd acesta, fiind strbtut de un curent caracterizat de densitatea j
x
(orientat de-a
lungul axei Ox), este plasat ntr-un cmp magnetic B
z
(pe direcia Oz) ce acioneaz perpendicular
pe direcia curentului. Acest cmp electric generat E
y
va fi orientat perpendicular pe direcia
curentului prin material i pe liniile de cmp magnetic. Direciile corespunztoare densitii de
curent j
x
, cmpului electric iniial E
x
, induciei magnetice aplicate B
z
i cmpului suplimentar
generat E
y
au fost reprezentate n figura 19, cu aceti vectori orientai n sensul pozitiv al axelor Ox,
Oy i Oz alese conform regulii triedrului drept.
Se consider deplasarea purttorilor de sarcin e pe direcia Ox sub aciunea unui cmp
electric E
x
, inducia magnetic orientat de-a lungul axei Oz iar cmpul electric suplimentar orientat
de-a lungul axei Oy (de mrime E
y
). In condiiile unui raport constant ntre E
x
i E
y
, se poate scrie
=

iar echilibrul ntre fora Lorentz i fora electrostatic de-a lungul axei O
y
va impune

unde viteza v a electronilor de-a lungul axei Ox este legat de mobilitatea lor prin relaia
=

(relaie ce ia n considerare doar modulele mrimilor implicate, nu i sensul lor) ce implic
posibilitatea determinrii mobilitii prin cunoaterea unghiului dintre axa Ox i direcia cmpului
electric
din material i a induciei magnetice B

z
, sub forma
=

Densitatea curentului n funcie de concentraia n a purttorilor pe unitatea de volum se poate scrie
sub forma
= =

implicnd
=

rezultnd (prin substituia mobilitii n funcie de tg )
=

Inversul produsului ne (o valoare constant pentru acel material, notata cu R
H
) va putea fi scris sub
forma
=
1

(s-a substituit j
x
n funcie de conductivitatea i s-a reintrodus E
y
n expresie). Aceast mrime R
H

(numit constanta Hall) este cea care determin pentru materialul analizat intensitatea cmpului

- 100 -
electric suplimentar E
y
n raport cu produsul dintre densitatea de curent electric de conducie prin
material i inducia magnetic aplicat perpendicular pe direcia acestui curent.
Semnul constantei Hall este determinat (aa cum se observ din relaia de mai sus) de
semnul purttorilor de sarcin considerai, fiind astfel negativ pentru electroni i pozitiv pentru
goluri.

FJ.08.2. Efectul Ettingshausen
Efectul Ettingshausen apare simultan cu efectul Hall, ntruct n urma aciunii cmpului
magnetic exterior asupra curentului prin metal sau semiconductor va apare i o diferen de
temperatur de-a lungul direciei pe care aprea cmpul electric suplimentar.
Similar efectului Hall, acest efect de variaie a temperaturii va fi caracterizat de un coeficient
Ettingshausen P specific materialului, ce va corespunde raportului

Astfel acest coeficient permite determinarea gradientului de temperatur creat de-a lungul direciei
Oy perpendiculare att pe direcia fluxului de curent iniial j
x
, ct i pe direcia cmpului magnetic
exterior B
z
. El este de cele mai multe ori negativ, indicnd zona de temperatur mai ridicat
conform figurii 20.

Figura 19. Efectul Hall. Apariia unui Cmp Electric Suplimentar E
y
dup Aplicarea unui Cmp
Magnetic Transversal B
z

B
z
E
x
E
y
j
x

- 101 -

Figura 20. Efectul Ettingshausen. Apariia unui Gradient de Temperatur dup Aplicarea unui
Cmp Magnetic Exterior

Figura 21. Efectul Nernst. Apariia unui Cmp Electric Transversal E
y
dup Aplicarea unui Cmp
Magnetic Exterior, n Condiiile Existenei unui Flux Termic

j
x
B
z
T + dT
T
T + dT T
B
z
E
y

- 102 -
FJ.08.3. Efectul Nernst
Efectul Nernst const n apariia unui cmp electric transversal E
y
pe direcia unui flux
termic printr-un material (orientat de-a lungul axei Ox, reprezentat de fluxul purttorilor de sarcin
dinspre zona cu temperatur mai mare spre cea cu temperatur mai mic), atunci cnd din exterior
este aplicat un cmp magnetic B
z
perpendicular pe direcia fluxului termic, conform figurii 20. El
este definit de un coeficient Nernst N specific materialului, ce corespunde raportului
=

Acest coeficient permite stabilirea cmpului electric suplimentar n funcie de gradientul de
temperatur corespunztor fluxului termic i de cmpul magnetic exterior. Pentru valori pozitive ale
lui E
y
, B
z
i dT n figura 21, semnul coeficientului Nernst va fi negativ deoarece gradientul de
temperatur este negativ.
Ambele efecte ce coreleaz aspectele termice cu cele de transport ori generare de cmp
electric sub influenta unui cmp magnetic exterior (efectele Ettingshausen i Nernst) pot fi studiate
preliminar prin procedee ale termodinamicii proceselor ireversibile (similar efectelor prezentate
anterior n acest subcapitol) sau studiate pornind de la variaii ale funciei de distribuie dup viteze
datorit unor modificri n spaiul impulsurilor, ceea ce genereaz transferuri de energie termic
(cum s-a indicat la studiul efectului Peltier). Suplimentar, apare influena curbrii traiectoriilor ntr-
un cmp magnetic exterior pentru electronii ce au viteze diferite de viteza medie, aspect ce va fi
detaliat n paragraful urmtor.

FJ.08.4. Efectul magnetorezistiv
Efectul magnetorezistiv const ntr-o variaie a rezistivitii metalelor sau
semiconductoarelor cnd un cmp magnetic exterior este suprapus cmpului electric ce determin
conducia.
Din punct de vedere fizic, acest fenomen se poate explica prin faptul c acest cmp magnetic
exterior genereaz un cmp electric suplimentar orientat perpendicular pe direcia de naintare a
ansamblului de electroni. Pentru electronii care au viteza medie determinat de egalitatea dintre
fora Lorentz i fora electrostatic datorat acestui cmp electric suplimentar nu va exista nici-o
modificare a traiectoriei, ns electronii care au viteze diferite de aceast vitez medie vor trebui s
strbat traiectorii oblice de-a lungul materialului (traiectoriile nu vor mai fi orientate de-a lungul
lui Ox precum j
x
n figura 18 corespunztoare efectului Hall). Ca urmare a acestor deplasri
transversale ale electronilor curentul longitudinal prin material este redus, ceea ce corespunde unei
creteri a rezistivitii.
Se mai poate lua n considerare i faptul c viteza de deplasare a purttorilor (n modul) este
afectat, dac se analizeaz cazul n care o tensiune este aplicat ntre conturul circular interior i
conturul circular exterior (concentric cu primul) ce mrginesc un anumit material. In acest caz fora
Lorentz creaz un cmp echivalent E
ech
determinat prin relaia

ce se suprapune peste cmpul electric exterior E ce determin conducia (n situaia aceasta fora
Lorentz nu este compensat de tensiunea Hall), iar viteza electronilor este reprezentat de produsul
dintre cmpul electric total i mobilitatea . Ca urmare, se poate scrie
=


- 103 -
cu soluia pentru viteza v de forma
=
1 +

(se poate verifica uor prin substituie, n ipoteza
).
La acest fenomen se adaug creterea relativ a distanelor pe care electronii trebuie s le
parcurg efectiv ce poate fi estimat prin utilizarea dezvoltrii unei funcii cosinus pn la termenii
de ordinul doi, rezultnd o expresie de forma
= (0)1 +

unde este mobilitatea electronilor iar a este un factor de proporionalitate ce include i corecia
datorat geometriei zonei de material analizate.

FJ.08.5. Aplicaii
Fenomenele termoelectrice sunt folosite pe larg pentru msurarea electric i electronic a
cmpurilor magnetice exterioare (efectul Hall, efectul magnetorezistiv). In plus, aceste fenomene
permit o verificare a estimrii proprietilor de conducie (comparnd mobilitatea determinat
experimental prin efectele Hall sau magnetorezistiv cu cea estimat prin distribuia statistic a
electronilor pe nivelele de energie din solid).

Detalii suplimentare referitoare la fenomenele galvano-magnetice pot fi gsite n:
- Paragrafele: Thermogalvanic Transport, Magneto Transport, Semiclassical Dynamics in a
Magnetic Field, Magnetoresistance, Nernst Effect, Ettingshausen Efect (de la pag. 34 la pag. 62), n
Notele de Lectur Transport Theory, Vijay B. Shenoy, Centre for Condensed Matter Theory,
Indian Institute of Science, prezentate la SERC School on Condensed Matter Physics 06 i
disponibile la pagina web
unde fenomenele de transport sunt analizate n mod riguros pornind de la funcia de distribuie..


- 104 -

Capitolul FJ.09. Aplicaii de laborator
FJ.09.1. Dependena de temperatur a proprietilor electrice i magnetice

In aceast paragraf este indicat dependena de temperatur a unor caracteristici de material,
cum sunt rezistivitatea electric (n cazul semiconductorilor) i permeabilitatea magnetic (n cazul
materialelor magnetice), n scopul de nelegere a rolului temperaturii n transmiterea modificrilor
locale prin intermediul benzii de conducie din cadrul corpului solid, dar i de distrugere a ordinii
locale n cazul unor structuri cu anumite proprieti de ordonare a momentelor magnetice.

A) VARIATIA REZISTENTEI UNUI SEMICONDUCTOR CU TEMPERATURA
Mecanica cuantic arat c microsistemele (electroni, molecule, ioni, etc.) izolate dispun de
un spectru discret de energii, ntre care pot efectua tranziii. Tranziiile spre nivelele energetice
superioare au loc cu absorbie de energie, din exterior, iar cele spre nivele inferioare, sunt nsoite
de emisie de radiaii .
Dac numrul atomilor crete foarte mult, interaciile suplimentare care apar duc la despicri
ale nivelelor anterioare, rezultnd un numr enorm de nivele, grupate sub forma unor mnunchiuri
numite benzi energetice permise. Acestea sunt separate n general de domenii lipsite de nivele
energetice, numite benzi interzise.
De o atenie aparte n cadrul studiului, se bucur dou benzi permise particulare, numite
banda de valen i banda de conducie (fig. 1). Ele sunt separate n mod obinuit, de o band
interzis de lrgime E.
Banda de valen reprezint acel domeniu energetic, n care se ncadreaz electronii ce
particip la realizarea legturilor ntre atomi. Acetia sunt electroni legai n sensul c se gsesc n
vecintatea unui atom, neavnd o energie suficient pentru a-l putea prsi. Dac primesc de undeva
energia necesar, atunci ei pot deveni liberi s circule peste tot i intr din punct de vedere energetic
n banda de conducie. Se observ n fig. 1 c surplusul energetic necesar trebuie s fie E.
Dac E este mic, trecerea se face cu uurin, iar substana dispune de un fond important de
electroni de conducie. Se spune c acea substan este un conductor electric.
Invers, dac E ecte mare, trecerea se face greu, iar substana este srac n electroni de
conducie. Ea conduce foarte prost curentul electric, practic de loc, de aceea se numete izolator
electric.
ntre aceste dou extreme se gsesc semiconductorii. Iat deci, c lrgimea benzii interzise
este o mrime de interes fizic, important a fi cunoscut pentru aplicaiile practice. Determinarea
mrimii E n cazul unui semiconductor este de altfel i scopul acestei lucrri.


- 105 -
Tinnd cont de cele expuse anterior, este uor de constatat c rezistena electric a unui
semiconductor trebuie s scad odat cu creterea temperaturii. n
adevr, creterea temperaturii nseamn un aflux energetic din exterior.
Unii dintre electronii cantonai n banda de valen, primesc energia
necesar i devin liberi, trecnd n banda de conducie. Ca atare, mai
muli electroni de conducie nseamn o cretere a curentului electric,
deci o rezisten mai sczut.
Teoria riguroas a distribuiei pe stri energetice a electronilor
dintr-un solid este dat de repartiia cuantic a lui Fermi - Dirac. Pentru
a evita calculele mai complicate corespunznd acestei repartiii
cuantice, vom ine seama de faptul c pentru semiconductori unele
fenomenele de conducie pot fi aproximate corect de repartiia clasic canonic (Maxwell -
Boltzmann). Aceasta prevede c la echilibru, electronii sunt distribuii dup energiile pe care le au,
astfel nct numrul dn(E) al celor care au energia cuprins n intervalul (E,E+dE), este dat de :
dn E
dE
Ce
E
k T
B
( )
=

formul cunoscut sub denumirea de "distribuie Boltzmann".
n cazul nostru, considernd (vezi fig. 1) marginea superioar a benzii de valen drept nivel
de referin (nivel de zero), numrul electronilor din banda de conducie va fi :
T k
E
E
T k
E
E
c
B B
e Const dE Ce E dn n

= = = . ) (
Cum rezistena electric este invers proporional cu acest numr, avem c :
R Const e
E
k T
B
= .

Logaritmnd aceast ultim formul, obinem :
T k
E
Const R
B
1
. ln

+ =
adic ecuaia unei drepte , n variabilele (lnR) i (1/T) cu panta p=(E)/k
B
. Astfel, dac dispunem
de date experimentale asupra variaiei rezistenei semiconductorului cu temperatura, se poate trasa
un grafic lnR=f(1/T) iar din panta acestuia se poate calcula lrgimea benzii interzise E. De
reamarcat faptul c se utilizeaz cicluri de nclzre-rcire pentru rezultate estimative, ntruct
efectuarea unor msurtori de precizie impune utilizarea unor incinte termostatate.

B) DEPENDENTA DE TEMPERATURA A PEMEABILITATII MATERIALELOR
FEROMAGNETICE
Feritele sunt substane magnetice semiconductoare a cror formul chimic general este MOFe
2
O
3

, unde M este un ion bivalent al unui metal de tranziie din grupa fierului: Cu
2+
, Zn
2+
, Ni
2+
, Co
2+

etc.
Punctul Curie reprezint o temperatur caracteristic fiecrei ferite deasupra creia
proprietile magnetice ale feritei nu se mai manifest ca atare.
Magnetismul substanelor se datoreaz prezenei i orientrii momentelor magnetice
individuale ale constituienilor acestora. Astfel, substanele sunt susceptibile s se magnetizeze ntr-
un cmp magnetic macroscopic, adic s-i creeze un cmp magnetic propriu. Dup proprietile


- 106 -
magnetice, substanele se mpart n trei grupe fundamentale: diamagnetice, paramagnetice i
feromagnetice. Aceast clasificare se face dup valorile susceptibilitii magnetice pe unitatea de
volum din substane, definite ca raportul dintre momentul magnetic al unitii de volum din
substan,
r
Mi cmpul magnetic macroscopic de inducie
r
B :
=
r
r
M
B

Substanele diamagnetice au susceptibilitatea magnetic ( ) negativ iar cele paramagnetice au
pozitiv, dar relativ mic.
Substanele feromagnetice se caracterizeaz printr-o magnetizare important datorat
existenei unei interacii cuantice puternice a momentelor magnetice ale atomilor existeni n reeaua
cristalin. n urma acestei interacii se creeaz o stare ordonat a momentelor magnetice
corespunztoare unei orientri paralele a acestora. Dac orientarea momentelor magnetice ale
atomilor vecini este antiparalel atunci substana este antiferomagnetic. n acest caz structura
magnetic a cristalului apare drept complex, constnd n dou subreele magnetizate n sens
contrar. Dac momentele magnetice ale celor dou subreele sunt egale numeric atunci nu se
manifest nici o magnetizare spontan a cristalului. Dac ele sunt diferite apare o diferen ntre
momentele magnetice ale celor dou subreele i n consecin cristalul se magnetizeaz spontan.
Acesta este cazul antiferomagnetismul necompensat sau al ferimagnetismului . Deoarece cuplarea
momentelor magnetice nu se realizeaz la nivelul ntregului cristal ci microscopic, la nivel zonal, n
cadrul fiecrei subreele apar domenii de magnetizare spontan, numite domenii Weiss,
caracterizate prin alinierea paralel a momentelor magnetice (fig.2). n fig. 1 s-a reprezentat doar
momentul rezultant al fiecrei perechi de momente magnetice antiparalele.

Fig.2

ntregul corp ferimagnetic apare virtual mprit n astfel de domenii ale cror momente
magnetice rezultante sunt orientate dezordonat.
Un cmp magnetic extern poate orienta momentele magnetice ale domeniilor, substana
magnetizndu-se puternic. Vibraiile termice ale atomilor submineaz ns aciunea de orientare
astfel c, peste o anumit temperatur, caracteristica fiecrei substane ferimagnetice, magnetizarea
spontan dispare i corpul devine paramagnetic. Temperatura la care aceast tranziie are loc este
numit temperatur Curie, pe care ne propunem s-o determinm n lucrarea de fa, n cazul unei
ferite.
Stiind c susceptibilitatea variaz n faza paramagnetic cu temperatura conform legii
Curie-Weiss :
=
C
T T
C


- 107 -
vom determina i valoarea substanei Curie, C, deoarece T C
C
= , unde este constanta
cmpului molecular care are n cazul feritei folosite valoarea, 4000.
Pentru determinarea punctului Curie se utilizeaz un transformator cu o bobin primar P i
dou bobine secundare S
1
, S
2
nfurate invers i conectate n serie. n circuitul acestora se afl un
instrument de msur de curent continuu (milivoltmetru sau microampermetru) i o diod
redresoare (figura 3).
Cele dou nfurri S
1
i S
2
sunt practic identice astfel c tensiunile induse n ele se
compenseaz i instrumentul de msur (G) arat indicaia zero. Dac ns ntr-una din nfurrile
secundare se introduce o bar de ferit F, simetria lor se stric, tensiunea indus n nfurarea care
conine ferita fiind mai mare dect a celeilalte, iar instrumentul va indica o anumit tensiune sau un
anumit curent. Aceasta depinde de masa i forma feritei, de permeabilitatea sa magnetic precum i
de caracteristicile constructive ale nfurrilor (lungime, numr de spire etc.) i ale instrumentului
de msur. Deoarece toate caracteristicile constructive sunt o dat stabilite prin montaj se va putea
modifica doar magnetizarea feritei prin varierea temperaturii acesteia i n consecin indicaia
instrumentului de msur va depinde exclusiv de aceasta. Astfel, ferita este introdus ntr-un cuptor
C alimentat de la reea prin intermediul unui ntreruptor (K).
Temperatura este indicat de termometrul T care este aezat cu gradaia 70
0
C la nivelul
capacului cuptorului.
Prin mrirea treptat a temperaturii se va reduce permeabilitatea magnetic a feritei, scznd
n mod corespunztor deviaia pe instrumentul G, aceasta devenind practic zero dup atingerea
punctului Curie.

Fig. 3

Trasnd pe hrtie milimetric graficul dependenei curentului I n funcie de temperatura , se
pot tangentele la fiecare curb (la nclzire i rcire) n punctele de inflexiune. Aceste tangente se
prelungesc pn la intersecia cu axa abcisei i se citesc cele dou valori pentru temperatur.
Punctul Curie se calculeaz ca media aritmetic a acestor temperaturi. Apoi se poate determina
valoarea constantei Curie, C cu ajutorul relaiei: T C
C
= . Se remarc utilziarea i de aceast dat
a unor cicluri de nclzire rcire.


- 108 -

FJ.09.2 Metode de studiu pentru fenomenele galvanomagnetice

In acest paragraf se exemplific metodele specifice pentru studiul fenomenelor
galvanomagnetice n cazul efectului Hall. Se urmrete punerea n eviden a deviaiei traiectoriei
purttorilor de sarcin electric care circul printr-o prob semiconductoare (n prezena unui cmp
electric) sub aciunea unui cmp magnetic extern.
Se determin concentraia purttorilor de sarcin n sau p ntr-o prob dintr-un semiconductor
intrinsec cu ajutorul observrii unor mrimi macroscopice determinabile experimental.
Printr-un semiconductor extrinsec nelegem un semiconductor cu impuriti n care
conducia electric se face prin electroni (semiconductori cu impuriti donoare de tip n) sau prin
goluri (semiconductori cu impuriti acceptoare de tip p).
Efectul Hall face parte din categoria efectelor galvanometrice care constituie fenomene
fizice care apar la o substan ce conine sarcini electrice n micare i care se afl ntr-un cmp
magnetic extern B.
El se materializeaz prin apariia unui cmp electric, numit cmp electric Hall ,E
H
,n proba
semiconductoare (considerat n cazul nostru paralelipipedic) de dimensiuni a, b, c.

Fig. 1

Efectul Hall apare pe o direcie normal pe planul determinat de direcia lui B i E (care sunt
perpendiculari ntre ei). n cazul nostru E, B i E
H
formeaz un triedru drept.
Observaie: Pentru simplificare considerm sistemul de referin poziionat astfel nct
direciile celor trei vectori sunt:

( )
( )
( )
, 0, 0 ;
0, , 0 ;
0, 0, ; H H
H
E E E
B B B
E E E
=
=
=
ur ur
ur ur
ur ur

Sub aciunea cmpului electric exterior E prin proba semiconductoare apare un curent
electric I.

- 109 -
Prin aplicarea cmpului magnetic B ntre feele laterale ale probei (perpendicular pe E i B)
apare o diferen de potenial

H A B
U V V = = tensiune Hall
Tensiunea Hall este dat de deviaia purttorilor de sarcin electric sub aciunea forei
Lorentz:
( )
L
F e B =
uur r
r

Intensitatea cmpului electric Hall este dat, n cazul nostru, de:
H
U
E
a
=
Fora electric datorat cmpului electric Hall este:
el H
F eE =
r r

Fora total care acioneaz asupra purttorilor de sarcin este:
t el L
F F F = +
r r r

La echilibru:
el L
F F =
r r

ceea ce nseamn prin dezvoltarea celor doi membrii ai acestei expresii
( )
sin ,
H
eE evB v B =
r
r

innd cont c
v B
r
r

rezult
H
E e evB =
Expresia densitii de curent
j nev =
r
r

(unde e este concentraia purttorilor de sarcin n prob) i innd cont de
I
j n
S
=
r
r

unde n
r
este versorul normalei la suprafaa transversal a probei i S este seciunea probei,
S a b = .
Obinem astfel pentru viteza v
r
a purttorilor de sarcin n prob expresia:
j
I
v
neS ne
= =
r
r

n timp ce cmpul electric Hall va fi:
1
H
j
E B j B
ne ne
= =
r
r r

ceea ce ne conduce la expresia:
.
1
const. Hall
not
H
R
ne
= =
unde, am notat cu
H
R , constanta Hall.
n consecin, constanta Hall are (n modul) expresia:


- 110 -
1
H
H
U
R
ne jBa
= =
i rezult pentru concentraia de electroni
H
jBa
n
e U
=

Definim mobilitatea Hall a purttorilor de sarcin, ca fiind: raportul ntre viteza medie a
purttorilor de sarcin orientai n cmp Hall i modulul cmpului electric Hall:
H
H
H
V
E
=
de unde rezult legtura ntre mobilitatea Hall, pe de o parte i conductibilitatea electric i
constanta Hall, pe de alt parte:
H H
R =

3. Dispozitiv de observare experimental

Fig. 2

Se folosete dispozitivul experimental din fig.2 format din:
un electromagnet confecionat din oel cu slab remanen magnetic;
o caset coninnd proba P semiconductoare ce se studiaz.

n fig. 3a este dat schema pentru msurarea intensitii curentului electric prin prob pentru
diverse valori ale tensiunii electrice continue aplicat pe prob i a tensiunii Hall.
n fig. 3b este dat schema circuitului de alimentare a electromagnetului.


- 111 -

Fig. 3

Figura 3a cuprinde:
circuitul de alimentare a probei format din:
- proba P;
- un miliampermetru mA , ce permite msurarea curentului i prin prob;
- sursa S
1
;
- poteniometrul R
1
;
- ntreruptorul K
1
;
circuitul de msurare a tensiunii Hall cuprinde un mV pentru msurarea
H
U . O msurare mai
precis a
H
U se face folosind metoda de msurare prin compensare.
Figura 3b cuprinde:
- bobina B a electromagnetului;
- ampermetrul mA pentru msurarea curentului I prin electromagnet;
- poteniometrul R
2
;
- sursa de alimentare a electromagnetului S
2
;
- ntreruptorul K.


- 112 -
FJ.09.2 Metode de studiu pentru fenomene de contact

In acest paragraf se prezint aspecte specifice ale studiului fenomenelor de contact, cu
exemplificare n cazul analizei potenialului de contact metal-semiconductor. Potenialul de
difuzie apare datorit schimbului de purttori de sarcin ntre dou substane puse n contact.
Contactul celor dou substane (metal i semiconductor) implic o modificare a
proprietilor acestora, att la suprafaa de contact, ct i n profunzime. Fenomenele determinate
de contact se compun din :
variaia proprietilor semiconductorului la introducerea lui ntr-un cmp electric;
apariia unei diferene de potenial la contactul metal metal;
apariia unei diferene de potenial la contactul metal semiconductor.
n legtur cu acestea se observ:
1. Atunci cnd se introduce un semiconductor ntr-un cmp electric exterior omogen,
cmpul electric al acestuia se anuleaz pe o anumit distan de suprafaa sa, datorit deplasrii
purttorilor de sarcin liberi n volumul su, provocat de cmpul exterior. Cmpul exist numai
ntr-un strat superficial n care se afl i sarcina spaial. Cmpul nu va ptrunde n volumul
semiconductorului deoarece sarcina spaial ecraneaz cmpul electric exterior.
2. Avem de a face cu o curbarea a zonelor de energie n regiunea sarcinii spaiale. Dac
aceast curbare se face n sus, stratul superficial se mbogete cu goluri, iar dac se curbeaz n
jos, stratul superficial se mbogete cu electroni. ntr-un semiconductor intrinsec, conducia
straturilor de la suprafa crete independent de sensul cmpului. ntr-un semiconductor cu
impuriti, conducia stratului superficial se mrete dac cmpul exterior extrage din volum
purttorii de sarcin majoritari i se micoreaz dac stratul superficial se mbogete cu purttori
de sarcin minoritari. Variaia conduciei stratului superficial se numete efect de cmp.
3. Grosimea stratului n care se curbeaz considerabil zonele de energie (care conine sarcina
de volum i cmpul electric se caracterizeaz printr-o mrime
D
L

0 0
2 2
0
;
2
D D
i
KT KT
L L
e n e n

= = ,
n semiconductorul intrinsec ( )
0 0 i
n p n = = i respectiv n cel cu impuriti

2
0 0
exp ; ,
D i
d
d
n
n N p L
N

= =

fiind numit lungimea de ecranare Debye.
4. Dac cmpul are o intensitate suficient de mare se poate produce modificarea tipului
conduciei. Domeniul n care se produce modificarea tipului conduciei poart numele de jonciune
fizic p-n.
5. Concentraia electronilor liberi ntr-un metal este suficient de mare pentru ca lungimea de
ecranare s fie considerabil mai mic dect distana interatomic.

- 113 -
6. Atunci cnd realizm contactul ntre dou metale diferite, ntre dou puncte oarecare
externe oarecare ale lor, exist o diferen de potenial numit diferen de potenial de contact
extern. Datorit existenei saltului de energie potenial, se egaleaz fluxurile electronilor dintr-un
metal n altul. n consecin, rezult c, pe contact apare o diferen de potenial de contact
intern care determin saltul de energie potenial.
7. n cazul n care unul din metale este nlocuit cu un semiconductor, i datorit faptului ca
n volumul metalului nu poate exista un cmp electric n absena unui curent, ntreaga diferen de
potenial de contact cade pe stratul adiacent suprafeei semiconductoare, determinnd curbarea
zonelor de energie i apariia unor sarcini de volum.
8. La realizarea contactului a dou corpuri, electronii trec din corpul cu energia Fermi mai
mare n corpul cu energia Fermi mai mic. Fluxul orientat dispare n momentul n care nivelele
Fermi se egalizeaz.
Fenomenul poate fi explicat calitativ cu ajutorul teoriei cuantice a efectului tunel.
Se consider o particul de energie E care se mic unidimensional i ntlnete o barier de
potenial ca cea din figura 1.

Fig. 1


- 114 -
Conform mecanicii clasice particula poate trece din zona I n zona II doar dac energia sa
depete nlimea
0
V a bariei de potenial. Conform mecanicii cuantice exist totui o
probabilitate nenul ca particula s traverseze bariera chiar dac energia sa este mai mic dect
nlimea barierei de potenial. Acest fenomen este cunoscut sub numele de efect tunel.
Transparena barierei de potenial de form oarecare ( ) V V x = este conform mecanicii cuantice:
( )
2
1
0
exp 2
2
x
x
h
T T m V x E dx

=

unde: m - reprezint masa particulei; E - reprezint energia particulei. Pentru a nelege cum
apare aceast barier de energie s analizm fig. 2 unde sunt reprezentate nivelele energetice ale
interferenelor metal vacuum i semiconductor vacuum , independente unele de altele i totodat
s definim cteva mrimi caracteristice:

Fig. 2. Diagrama nivelelor energetice la contactul M S (S tip. n)
a, b) cazul
M S
> . Contactul are proprieti de redresare (apare bariera);
c, d) cazul
M S
< . Contactul este ohmic deoarece n banda de conducie
nu exist bariera de potenial pentru electroni.

- 115 -

Nivele de vid - reprezint nivelul energetic al unui electron liber n vid, cu energie cinetic
zero.
Afinitatea electronic
S
- energia necesar unui electron pentru a trece de la limita
inferioar a benzii de conducie pe nivelul de vid. ( ) 4,13eV, 4, 08eV, 4, 01eV
Ge GaAs Si
= = = .
Lucrul de extracie (sau lucrul de ieire termodinamic) - reprezint diferena energetic
dintre nivelul de vid i nivel Fermi (
F
E ). Acest lucru de extracie pentru majoritatea metalelor i
semiconductoarelor este cuprins ntre 2-5 eV.
Pentru exemplul din 2.a lucrul de extracie
M
al metalului este mai mare dect lucrul de
extracie
S
al semiconductorului ( )
M S
> .
La aducerea n contact a celor dou corpuri, n primul moment se realizeaz o stare de
neechilibru. n procesul schimbului de electroni, trecerea preferenial electronilor va fi din
substana cu energie Fermi mai mare n substana cu energia Fermi mai mic. Deci electronii din
banda de conducie a semiconductorului vor trece n metal pn cnd poziiile nivelelor Fermi
coincid. fig. 2.b
Avnd n vedere c lucrul de extracie al metalului este mai mare dect al semiconductorului
( )
M S
> , din semiconductor nspre metal vor trece mai muli electroni dect invers.
ntre metal i semiconductor apare o diferen de potenial:
M S
D
U
e

=
unde
19
1, 6 10 e

= C este sarcina electronului. Aceast diferen de potenial poart
denumirea de potenial de contact sau potenial de difuzie.
Datorit formrii barierei energetice, contactul metal semiconductor cu
M S
> are
proprieti de redresare i este ohmic cnd
M S
< n cazul semiconductorului de tip n fig. 2. d.
Potenialul de contact se poate determina din dependena de temperatur a curentului de
saturaie I
S
sau a rezistenei difereniale R
d
care conin pe I
S
.
Intensitatea curentului care curge prin structura metal semiconductor (M S), poate fi
determinat ca la o diod cu vid, calculul avnd la baz teoria emisiei termoelectronice.
Dac structura metal semiconductor (M S) este polarizat direct cu tensiunea U, atunci
curentul termoelectronic care curge dinspre semiconductor spre metal este:
( )
0
exp
4
D
S M
e U U en v
I
kT

=

r

unde,
0
n - este concentraia purttorilor n semiconductor;
v
r
- este viteza termic a electronilor;

23
1, 38 10 / k K J
= - constanta Boltzmann;
T - este temperatura.
Curentul metal semiconductor este:


- 116 -
exp
D Fs
M S
eU E
I
kT
+
=

unde, - este o constant;

Fs
E - este energia nivelului Fermi n semiconductor.
La echilibru termic ( ) 0 U = avem
S M M S
I I

= i rezult:

0
exp
4
Fs
en v E
kT

=

r

iar prin substituie rezult:
0
exp
4
D
M S
en v eU
I
kT

=

r

Curentul care curge prin structura (M S) este egal cu diferena net a celor doi cureni
termoelectrici, fiind de forma

0
exp exp 1 exp 1
4
D
S M M S S
en v eU eU eU
I I I I
kT kT kT

1 1 | | | | | |
= = =
| | | 1 1
\ \ \ ] ]
r

unde:
0
exp
4
D
S
en v eU
I
kT

=

r

Difereniind penultima relaie se obine rezistena diferenial:
( )
1
0
4
exp exp
D
d
S
e U U dI kT eU kT
R
dU eI kT en v kT

= = =

r

innd cont c ( )
1/ 2
v kT
r
se poate scrie:

( )
( )
1/ 2
exp
D
D
e U U
R
const
kT
kT
=
de unde rezult prin logaritmare:

( )
( )
1/ 2
1
ln
D d
e U U R
ct
k T
kT

= +


- 117 -
Pentru o tensiune de polarizare
0
U U = , dac se msoar
d
R n funcie de temperatur i se
construiete graficul
( )
1/ 2
1
ln
d
R
f
T
kT
1
| |
= 1
|
\
1
]
, atunci se obine o dreapt din partea creia se poate
determina potenialul de contact.
( )
1/ 2
0
ln
1
d
D
R
kT
k
U U
e
T
= +

Montajul experimental din figura 3 conine:
o diod cu Germaniu (EFD 314 ) avnd contact din Wolfram;
o surs de tensiune stabilizat S;
un voltmetru electronic VE cu afiaj numeric (E 303, DIGITAL VOLTMETER);
un microampermetru A ;
un cuptora C a crui nclzire poate fi controlat cu ajutorul unui reostat;
un termometru industrial T.

Fig. 3


- 118 -
FJ.09.4 Metode de studiu pentru fenomene termoelectrice
n acest paragraf se prezint aspectele specifice ale studiului fenomenelor termoelectrice, cu
exemplificare pentru procedeul de determinare a coeficienilor termoelectrici. Se arat cum se pot
pune n eviden efectele termoelectrice Seebeck, Peltier i Thomson.
Efectele termoelectrice nu au o existen separat, ele fiind consecina fenomenelor de
transport ale cldurii i electricitii care se produc simultan. Cu toate acestea, pentru a fi studiate
mai uor le vom trata n mod distinct. Atunci cnd considerm un ansamblu de conductori
constituit din dou materiale diferite cu dou jonciuni diferite ntre ele, constatm apariia unei
diferene de potenial la extremitile conductorului. Diferena de potenial depinde doar de natura
metalelor aflate n contact i de temperaturile celor dou jonciuni. Acest efect poart numele de
efect Seebeck.
Definim coeficientul Seebeck ca raport al tensiunii electrice generate i al diferenei de
temperatur ntre cele dou jonciuni ale dispozitivului:
( )
12
dV
a T
dT
= (unitate practic:
-1
V K )
Atunci cnd un curent electric traverseaz un ansamblu de doi conductori diferii aflai la
aceeai temperatur, se observ apariia la nivelul jonciunii ntre conductori a unei absorbii sau
degajri de cldur. Aceast este proporional cu intensitatea curentului ce traverseaz jonciunea
i cu timpul ct a durat fenomenul respectiv. Acest efect poart numele de efect Peltier i schimbul
de cldur pe unitatea de timp este dat de:
( )
12 P
Q T I =
unde ( )
12
T este coeficientul Peltier. Dac se inverseaz sensul curentului electric, efectul
termic apare, de asemenea, inversat.
Atunci cnd curentul electric parcurge un singur conductor ale crei poriuni se afl la
temperaturi diferite, se observ c acesta schimb cldur cu mediul exterior i altfel dect prin
efect Joule.
Dac cantitatea de cldur schimbat de conductor cu mediul n unitatea de timp i pe
unitatea de lungime este
T
Q i diferena de temperatur ntre dou puncte aflate la o distan egal
cu unitatea este T , atunci:

T
Q T I =
Unde coeficientul este coeficientul Thomson, care caracterizeaz de data aceasta un
singur conductor i nu un cuplu de conductori iar efectul se numete efect Thomson.
Avnd n vedere faptul c ntr-un ansamblu de conductori multi-jonciune are loc datorit
efectelor termoelectrice o degajare de cldur n unele dintre jonciuni i o absorbie de cldur la
nivelul altora, putem construi cu ajutorul acestui fenomen un dispozitiv care s fie utilizat pentru
nclzire sau pentru rcire.
n continuare se va studia funcionarea unui asemenea dispozitiv n scopul rcirii. Pentru a-i
mri eficacitatea se folosesc materiale semiconductoare mai eficiente dect cele metalice i se
nseriaz mai multe termocuple n serie astfel nct jonciunile calde s fie dispuse n zone
apropiate ntre ele (la fel i cele reci). Acestea sunt poziionate astfel nct s intre alternativ n
contact cu cele dou surse termice din experiment, aa cum se arat n figura 2.

- 119 -

Fig. 2
Jonciunea rece este n contact termic cu o rezisten de nclzire. Temperatura T a ei este
variabil funcie de intensitatea curentului I prin termoelement i puterea debitat prin efect Joule de
rezistene de nclzire. n momentul n care puterea caloric Q absorbit de jonciunea rece egaleaz
pierderile termice ntre corpul care trebuie rcit i mediul exterior se atinge starea de echilibru
termic. Jonciunea cald (care este n contact termic cu mediul exterior) rmne la o temperatur
constant
0
T . Aceasta este realizat prin rcirea ei cu ajutorul unui radiator ventilat ca n figura 3.

Fig. 3 Schema dispozitivului experimental

- 120 -
n Fig. 3, pentru simplificare , s-a reprezentat un singur termoelement, coninnd cele dou
jonciuni
1 2
M M (punile de cupru), aflate la temperaturile
0
T (jonciunea cald) respectiv T
(jonciunea rece), parcurse de curentul I. Rezistena de nclzire
0
R este alimentat de tensiunea
0
U . Termoelementul cu care se lucreaz are 49 n = de puni de cupru pe fiecare din feele sale.
Faa rece este n contact termic cu o rezisten de nclzire, izolat termic de mediul
nconjurtor (vezi figura 3) .Faa cald este adus la o temperatur apropiat de temperatura
ambiant datorit radiatorului ventilat. Temperatura feei reci se msoar cu ajutorul unui senzor
semiconductor cu afiaj digital. Intensitatea curentului ce parcurge elementul Peltier se msoar cu
ajutorul unui ampermetru, iar tensiunea aplicat se citete cu ajutorul voltmetrului sursei de tensiune
stabilizat.

FJ.09.5 Metode de studiu pentru fenomene de histerezis
In acest paragraf se prezint metodele de studiu specifice pentru analiza unor proprieti
electrice de cmpul extern, cu exemplificare pentru analiza dependenei polarizrii electrice de
cmpul electric alternativ aplicat.
Substanele feroelectrice fac parte din clasa mai larg a substanelor dielectrice. Substanele
feroelectrice prezint polarizare spontan i structur de domenii. Aceasta exist numai ntr-un
anumit interval de temperatur i are o direcie unic n cadrul fiecrui domeniu. De la un domeniu
la altul direcia poate varia i n plus, un cmp electric exterior, o poate influena. Cristalele
feroelectrice pot prezenta modificri structurale care s nu posede toate polarizarea spontan.
Se numete transformare de faz modificarea structurii unui astfel de cristal la care apare sau
dispare polarizarea spontan.
Temperatura la care se realizeaz aceast modificare poart numele de temperatur Curie.
n zona temperaturilor de tranziiei majoritatea proprietilor electrice, optice, termice, etc.
ale cristalului prezint anomalii i se pot modifica brusc.
Structura de domenii poate da dependena neliniar a polarizrii electrice n cmpul exterior
( )
P E
r r
.
n fig. 1 este artat curba de histerezis a unei substane feroelectrice.

Fig. 1

- 121 -

Diagrama din figura anterioar arat faptul c n prezena unui cmp exterior are loc o
reorientare a domeniilor materialului.
Aspectele neliniare ale curbei sunt cauzate de ntrzierea cu care domeniile urmeaz variaia
cmpului electric (lucru care conduce la un defazaj ntre cmp i polarizare).
Din punct de vedere calitativ fenomenul poate fi descris n urmtorul fel: domeniile
polarizate paralel cu cmpul exterior se mresc, iar cele cu polarizare antiparalel cu cmpul scad.
Rezultatul este c polarizarea crete i dependena
( )
P E
r r
este redat de curba a-b-c.
Atunci cnd se ajunge la situaia c toate domeniile s-au orientat deja pe direcia i sensul
cmpului electric exterior, polarizarea a ajuns la valoarea de saturaie
s
P .
Cristalul a devenit n acest moment un singur domeniu. Valoarea polarizrii spontane este
obinut din prelungirea poriunii liniare din punctul c. Atunci cnd ne referim la polarizarea
spontan ne gndim la polarizarea dintr-un singur domeniu i nu la polarizarea total a cristalului.
Atunci cnd micorm cmpul electric aplicat avem de-a face cu fenomenul de descretere
al polarizrii, fiind remarcabil faptul c la anularea cmpului electric apare o polarizare remanent
rem
P (care este descris pe figur prin curba c-d) .
Pentru anularea polarizrii remanente trebuie aplicat un cmp electric n direcie opus care
s inverseze polarizarea remanent.
Acest cmp poart numele de cmp coercitiv, notat cu
c
E (fiind reprezentat de punctul e).
Apoi, polarizarea probei i schimb sensul corespunztor orientrii domeniilor dup noua
direcie i noul sens al cmpului electric. Valoarea maxim a cmpului electric devine
s
P (fiind
reprezentat grafic n punctul f).
Atunci cnd se realizeaz evoluia ulterioar ctre valori pozitive ale cmpului dependena
( )
P E
r r
este asemntoare cu cea descris anterior (urmnd pe grafic curba f-g-h-c).
Dispozitivul experimental este redat n figura 2

Fig. 2


- 122 -
Pe plcile orizontale ale osciloscopului OSC se aplic un semnal proporional cmpului
electric E din prob:
U
E
d
=
unde:
d - este grosimea probei;
U - este tensiunea indicat de voltmetrul V (precizm c pentru o ncadrare
corect pe ecran, tensiunea U este aplicat pe plci prin intermediul poteniometrului
2
P ). Se
vizualizeaz pe osciloscop curbele
( )
P E
r r
(vezi figura 3) .

Fig. 3

i pentru fiecare tensiune vom citi dimensiunile
1 2 3
, , n n n corespunztoare cmpului electric
coercitiv
c
E , cmpului electric maxim
m
E i polarizrii maxime
s
P .


- 123 -

Capitolul FJ.10. Autoevaluare

Capitol FJ.01. Structura cristalin a solidului

Exerciii/ probleme rezolvate

1) Creterea presiunii favorizeaz trecerea din starea lichid n starea solid?

(Rspuns: Da, sunt favorizate interaciile dintre atomi i dintre electronii acestora) 2 puncte

2) Apariia mai multor centri de cristalizare este favorizat de o pant mai mare sau mai mic de
scdere a temperaturii ?

(Rspuns: O variaie mai rapid a temperaturii n sens negativ favorizeaz apariia mai multor
centri de cristalizare, situaie ce corespunde unei pante mai mari de scdere a temperaturii n raport
cu timpul) 4 puncte

3) Simetria n raport cu operaia de oglindire fa de o anumit ax este identic cu simetria n
raport cu o anumit operaia de rotaie?

(Rspuns: Nu, deoarece oglindirea fa de o anumit ax implic unghiuri de rotaie diferite pentru
punctele situate pe direcii diferite ce pornesc de la un anumit centru de simetrie) 10 puncte

Exerciii/ probleme propuse spre rezolvare
1) Apariia defectelor din cristale este favorizat de creterea temperaturii?

(Rspuns: Da se va explica) 2 puncte

2) Sistemul cubic de cristalizare prezint mai multe transformri de simetrie dect sistemul
triclinic?

(Rspuns: Da se va explica) 4 puncte

3) Indicii Miller corespunztori unui plan din cristal sunt direct sau invers proporionali cu numrul
de noduri ale reelei ce pot fi ntlnite n acel plan pe unitatea de suprafa?

(Rspuns: Invers proporionali- se va explica) - 10 puncte

ntrebri/ chestiuni recapitulative

1) La un cristal real entropia este mai mare sau mai mic n raport cu cea a unui cristal ideal?


- 124 -
2) Din ce motiv distana dintre planele aceleiai familii (descrise de aceeai indici Miller) poate fi
considerat drept distana de la originea unei celule elementare la planul ce intersecteaz acea celul
n puncte de coordonate invers proporionale indicii Miller ai acestei familii?

3) Deplasarea atomilor de impuriti n cristal este posibil teoretic i la temperaturi apropiate de
zero absolut?

4) Ce tip de solicitare extern poate provoca dislocaii de form elicoidal?

Capitol FJ.02. Proprieti termice ale solidelor


1) Vibraiile reelei cristaline sunt similare ca polarizare cu vibraiile cmpului electromagnetic
(sunt vibraii transversale)?

(Rspuns: Nu, deoarece vibraiile reelei cristaline sunt determinate de variaia distanei dintre doi
atomi nvecinai, fiind astfel vibraii longitudinale) 2 puncte

2) Care este diferena calitativ dintre vibraiile ce corespund ramurii acustice i cele ce corespund
ramurii optice n cazul reelei formate din dou feluri de atomi intercalai?

(Rspuns: In cazul ramurii acustice toi atomii vibreaz n faz, iar n cazul ramurii optice atomii
nvecinai vibreaz n opoziie de faz, sensul deformaiei fiind opus) 4 puncte

3) Din punct de vedere intuitiv (n limitele fizicii clasice) era de ateptat ca la un vector de und mai
mare pentru un mod de vibraie a solidului s corespund o vitez mai mic?

(Rspuns: Da, intruct un vector de und mai mare corespunde unei lungimi de und mai mici, ceea
ce implic alternane ale deformaiei pe intervale mai scurte, iar astfel de deformaii se propag mai
lent) 10 puncte

1) Densitatea de moduri de oscilaie depinde liniar sau neliniar de frecven? Din ce motiv?

(Rspuns: Dependena este neliniar a se explica) 2 puncte

2) Valoarea maxim posibil a modulului vectorului de und pentru un solid n cadrul modelului
Debye pentru calculul cldurilor specifice depinde de volumul corpului cristalin analizat?

(Rspuns: Nu a se explica) 4 puncte


- 125 -
3) In limitele fizicii clasice, era de ateptat ca lungimea de und minim n cadrul modelului Debye
s fie aproximativ dublul constantei reelei?

(Rspuns: Da a se explica) 10 puncte


1) Din ce motiv numrul maxim de frecvene de oscilaie este limitat n cazul unui corp solid
cristalin?

2) Din ce motiv existena energiei de zero (efect cuantic) nu influeneaz calculul cldurilor
specifice ale solidului?

3) De ce fiecare atom este considerat a avea trei grade de libertate n cadrul modelului lui Einstein
pentru determinarea cldurilor specifice?

4) Temperatura Debye (stabilit pornind de la frecvena maxim n cadrul modelului Debye)
depinde de dimensiunile corpului analizat ?

Capitol FJ.03. Benzi energetice n solide


1) Din ce motiv la temperaturi diferite de zero absolut pot exista electroni cu o energie mai mare
dect nivelul Fermi?

(Rspuns: Deoarece electronii sunt particule descrise de statistica Fermi-Dirac, ce nu permite
existena mai multor particule n aceeai stare) 2 puncte

2) Din ce motiv n cadrul modelului electronilor liberi apare o structur de nivele energetice ce nu
sunt separate prin benzi interzise?

(Rspuns: Deoarece n cadrul acestui model solidul a fost considerat drept o groap de potenial
macroscopic n care nivelele de energie ale electronilor formeaz o band de conducie) 4 puncte

3) In cadrul modelului electronilor liberi, din ce motiv numrul cuantic este determinat printr-o
relaie similar teoremei lui Pitagora folosind numere ntregi corespunztoare fiecrei axe?

(Rspuns: Deoarece proieciile vectorului de und pe fiecare ax sunt determinate de condiia de
existen a unor funcii de und similare undelor staionare, fiind proporionale cu un anumit numr
ntreg, iar n final modulul vectorului de und corelat cu energia este determinat prin nsumarea
vectorial a acestor proiecii) 10 puncte


- 126 -
1) In urma colectivizrii electronilor dintr-o reea cristalin, numrul de nivele energetice dintr-o
ptur (zona permis) depinde de numrul atomilor implicai?

(Rspuns: Da- a se explica) 2 puncte

2) Poziia nivelului Fermi la semiconductori este similar celei de la dielectrici sau celei de la
metale?

(Rspuns: Similar dielectricilor a se detalia) 4 puncte

3) In condiii normale de temperatur i presiune pot apare goluri n banda de valena a
semiconductorilor sau este necesar aplicarea unui cmp electric sau electromagnetic exterior?

(Rspuns: Da a se detalia) 10 puncte


1) In ce condiii exterioare numrul cuantic magnetic poate influenta valoarea energiei unui electron
dintr-un atom izolat?

2) In cadrul modelului Kronig-Penney, reducerea lrgimii benzilor interzise la creterea energiei
poate fi explicat grafic?

3) Din ce motiv n cadrul schemei reduse a dependenei energiei de vectorul de und (pentru prima
zon Brillouin) valorii nule a lui k i corespund alternativ valori minime i maxime ale energiei n
interiorul fiecrei benzi?

4) De ce se consider deplasarea electronului ca fiind determinat de viteza de grup i nu de viteza
de und a funciei de und asociate?

Capitol FJ.04. Conductibilitatea electric a solidelor


1) Indicai motivele fizice pentru care funcia de distribuie f a electronilor nu depinde explicit de
timp (eventual prin menionarea unor fenomene neobservate experimental implicate de afirmaia
contrar).

(Rspuns: Dac funcia de distribuie ar depinde explicit de timp s-ar observa rspunsuri diferite ale
ansamblului de electroni pentru aceleasi excitaii exterioare, aspect infirmat experimental) 2
puncte

- 127 -
2) Din ce motiv n regim staionar influena ciocnirilor i a cmpului electric exterior asupra funciei
de distribuie este de sens contrar?

(Rspuns: Ciocnirile tind s compenseze influena cmpului exterior, deoarece n caz contrar
funcia de distribuie s-ar modifica nelimitat n timp i nu s-ar mai obine regimul staionar) 4
puncte

3) In ce mod probabilitatea de tranziie a electronului ntre dou stri caracterizate de vectori de
und diferii este influenat de probabilitile de ocupare ale acestor stri?

(Rspuns: Probabilitile de tranziie sunt influenate de probabilitile de ocupare ale acestor stri,
fiind necesar ca starea final s fie liber iar cea iniial s foe ocupat ntruct electronii n cazul
electronilor este valabil principiul de excluziune al lui Pauli) 10 puncte

1) Ca regul general, timpul de relaxare cauzat de mprtierea electronilor pe fononi, impuriti
etc. devine mai mare la creterea temperaturii?

(Rspuns: Nu,, acesta va scade a se explica) 2 puncte

2) In regim staionar, rata tranziiilor dintr-o anumit stare este egal cu rata tranziiilor din acea
stare n sens probabilistic sau ca valoare exact n orice interval de timp?

(Rspuns: In sens probabilistic a se detalia fenomenul) 4 puncte

3) In cazul mprtierii electronii pe fononi acustici (interacie cu vibraiile reelei) probablitatea de
tranziie descris de absorbia unui fonon cu un anumit vector de und q este proporional cu
numrul de fononi acustici nq cu acest vector de und? Dar n cazul transmiterii unui fonon spre
vibraiile reelei?

(Rspuns: Da- n primul caz; Nu n cel de-al doilea. A se detalia) 10 puncte


1) In analiza conduciei electrice pe baza funciei de distribuie Lorentz, din ce motiv se consider
c aceast funcie de distribuie nu variaz n spaiu

2) Care este explicaia fizic a existenei rezistivitii reziduale (la zero absolut), n absena
interaciilor electronilor cu vibraiile reelei?

3) In cazul semiconductorilor exist o influen a interaciunii electronilor cu vibraiile reelei
asupra rezistivitii? Difer aceast influen (ca semn) fa de cea din cazul metalelor?


- 128 -
4) La creterea diferenei de energie ntre banda de conducie i cea de valen din cazul
semiconductorilor se va observa o scdere a rezistivitii?

Capitol FJ.05. Proprieti magnetice ale solidelor


1) Din ce motiv susceptivitatea diamagnetic (ce poate fi explicat n cadrul electromagnetismului
clasic) este negativ?

(Rspuns: Deoarece n cadrul electromagnetismului clasic orice fenomen magnetic indus este de
sens contrar cauzei exterioare care l-a generat) 2 puncte

2) In cadrul teoriei clasice a diamagnetismului, compensarea momentelor magnetice proprii
corespunztoare fiecrui electron are loc pe intervale extinse n spaiu (prin compensarea
momentelor unor domenii) sau la nivel local?

(Rspuns: Compensarea are loc la nivel local, rezultnd momentul magnetic al atomului analizat)
4 puncte

3) Intr-un cmp magnetic exterior, care este forma traiectoriilor electronilor colectivizai n
interiorul reelei cristaline? Aceast traiectorie creeaz moment magnetic?

(Rspuns: Forma traiectoriilor colectivizai din interiorul reelei va fi elicoidal, iar aceast micare
va crea la rndul ei un moment magnetic) 10 puncte

1) Existena domeniilor spaiale cu aceeai orientare a momentului magnetic genereaz un cmp
magnetic ce se suprapune peste cmpul magnetic exterior sau care l anuleaz pe acesta?

(Rspuns: Se suprapune a se explica mecanismul) 2 puncte

2) Substanele feromagnetice difer de cele paramagnetice doar prin valoarea mult mai mare a
susceptivitii magnetice?

(Rspuns: Nu, apar fenomene diferite calitativ tip histerezis a se detalia mecanismul) 4 puncte

3) Intr-un cmp magnetic exterior, orbitele electronilor colectivizai sunt parcurse (ntr-un plan
perpendicular pe direcia cmpului exterior) cu aceeai vitez unghiular?

(Rspuns: Nu, apare o cuantificare a se detalia) 10 puncte


- 129 -

1) Justificai fizic influena temperaturii asupra susceptivitii paramagnetice (legea lui Curie).

2) Din ce motiv susceptivitatea paramagnetic datorat electronilor de conducie este independent
de temperatur?

3) Din ce motiv soluia nenul a susceptivitii feromagnetice determinate pe cale grafic dispare
pentru valori ale temperaturii peste o anumit limit?

4) Orientarea paralel a momentelor magnetice ale electronilor ntr-un cmp magnetic exterior este
similar legturii covalente?

Capitol FJ.06. Fizica fenomenelor de contact


1) Din ce motiv valoarea de zero a energiei se stabilete pentru un electron situat n afara atomului?

(Rspuns: Deoarece nivelul de zero corespunde situaiei n care o particul se poate deplasa imediat
pe o direcie cnd primete o energie din exterior; aceasta nu se ntmpl pentru un electron din
atom, ce are nevoie de o energie supliemtar pentru a se elibera din cmpul nucleului) 2 puncte

2) Egalarea energiilor Fermi pentru dou metale puse n contact implic un transfer prealabil de
sarcini?

(Rspuns: Da, ntruct acest transfer duce la apariia unei energii poteniale ce contribuie la egalarea
energiilor Fermi pentru cele dou metale) 4 puncte

3) Care este diferena dintre potenialul de contact extern i potenialul de contact intern ntre dou
metale?

(Rspuns: Potenialul de contact extern este considerat ntre dou puncte deprtate de zona de
contact dintre cele dou metale, intervenind n difuzia electronilor cu energii, relativ apropiate de
nivelul Fermi, n timp ce potenialul de contact intern apare ntre dou puncte situate n imediata
veintate a suprafeei de contact, intervenind n difuzia electronilor cu energii apropiate de nivelul
inferior al benzii de conducie) 10 puncte

1) De ce curentul de drift a putut fi aproximat cu zero n afara regiunilor srcite, n cadrul
modelului simplificat Shockley al jonciunii p-n?

(Rspuns: Nu exist cmp electric- a se explica motivul) 2 puncte


- 130 -
2) De ce raportul lungimilor regiunilor srcite este invers proporional cu concentraiile de
impuriti donoare, respectiv acceptoare n cazul jonciunii p-n?

(Rspuns: Se stocheaz sarcini spaiale a se detalia fenomenul) 4 puncte

3) Care este diferena la conducie dintre un strat de barier i un strat de antibarier la contactul
dintre un metal i un semiconductor?

(Rspuns: Stratul de barier dezavantajeaz transferul de purttori majoritari spre metal, n timp ce
stratul de antibarier l favorizeaz a se detalia implicaiile la polarizarea jonciunii) 10 puncte


1) Din ce motiv nivelul de referin al energiei este stabilit la limita inferioar a benzii de conducie
la studiul fenomenului de potenial de contact intern ntre dou metale?

2) Din ce motiv lucrul mecanic de extracie pentru un semiconductor este stabilit n raport cu
nivelul Fermi (aflat n interiorul benzii interzise)?

3) Care este diferena ntre afinitatea electronic i lucrul mecanic de extracie pentru un
semiconductor?

4) Din ce motiv stratul de antibarier nu influeneaz semnificativ conducia la schimbarea
polaritii unei tensiuni exterioare, n cazul jonciunii dintre un metal i un semiconductor?

Capitol FJ.07. Fenomene termoelectrice


1) De ce efectul Peltier este inversul efectului Seebeck?

(Rspuns: Deoarece la efectul Peltier o tensiune exterioar duce la preluarea de cldur de la un
capt al materialului i degajarea acesteia la celalalt capt al materialului) 2 puncte

2) De ce tensiunea electromotoare indus ntr-un circuit nchis prin efect Seebeck este detrminat
sub forma unei integrale ntre dou limite de temperatur?

(Rspuns: Deoarece se consider c la fiecare variaie infinitezimal a poziiei corespunde o variaie
infinitezimal a temperaturii i o anumit tensiune electric infinit mic, fiind astfel necesar
efectuarea unei integrale pentru a se afla tensiunea pe ntregul circuit) 4 puncte

3) Din ce motiv fizic coeficienii Seebeck ai metalelor depind de temperatur?

(Rspuns: Deoarece energia electronilor considerai a fi situai n zone de temperaturi diferite nu
variaz liniar cu temperatura, rezult c derivata energiei cu temperatura ce intervine n calculul
coeficenilor Seebeck va depinde de temperatur) 10 puncte

- 131 -
1) Dac sensul gradientului de temperatur i sensul curentului prin circuit se inverseaz simultan,
sensul trabsferului de temperatur se modific?


2) In relaia ce definete fluxul de energie cinetic la efectele termoelectrice, viteza ce multiplic
energia cinetic pentru a determina fluxul este aceeai vitez ce permite stabilirea energiei cinetice
funcie de mas?

(Rspuns: Nu a se face precizri) 4 puncte

3) Modelul electronilor liberi poate explica existena unor coeficieni Seebeck pozitivi?

(Rspuns: Nu a se detalia) 10 puncte


1) Din ce motiv efectele Seebeck, Peltier i Thomson pot fi studiate pe baza termodinamicii
proceselor ireversibile?

2) Prin ce mecanism plecarea electronilor cu energii mai mari dintr-o anumit zon contribuie la
rcirea zonei respective n cazul efectului Thomson?

3) De ce energia Fermi se scade din energia total a electronilor n studiul efectului Peltier prin
mecanismul de transport al electronilor cu energii mai mari spre zonele adiacente?

4) Din ce motiv termenii de ordin impar n raport cu impulsul din expresia energiei cinetice a
electronilor ce primesc un impuls suplimentar de-a lungul unei anumite axe nu influenteaz
valoarea final, considerat drept valoare medie?

Capitol FJ.08. Fenomene galvanomagnetice


1) In ce mod intervine fora Lorentz n cazul efectului Nernst?

(Rspuns: Fora Lorentz este cea care acioneaz asupra electronilor pentru ca acaetia s se
acumuleze n anumite regiuni i s genereze astfel cmpul electric suplimentar) 2 puncte


- 132 -
2) Cmpul electric suplimentar generat prin efectul Hall este determinat de valoarea medie a vitezei
electronilor sau are fluctuaii datorate distribuiei statistice a electronilor n jurul acestei viteze
medii?
(Rspuns: ca la orice fenomen statistic, apar fluctuaii n jurul acestei valori medii) 4 puncte
3) In ce mod devierea electronilor sub aciunea unui cmp magnetic exterior contribuie la apariia
unui gradient termic n cazul efectului Ettingshausen?

(Rspuns: In zona n care sunt deviai electronii se modific funcia de distribuie a electronilor,
aprnd suplimentar transfer de energie al acestora nspre/dinspre vibraiile reelei) 10 puncte

1) La efectul magnetorezistiv contribuie electronii ce au viteze egale cu viteza medie?


2) Care este semnul coeficientului Ettingshausen P n cazul electronilor analizai pe baza modelului
electronilor liberi?

(Rspuns: Semnul coeficientului Ettingshausen este negativ a se justifica) 4 puncte

3) Este posibil ca un gradient de temperatur s genereze un cmp magnetic semnificativ similar
situaiei unui solenoid?

(Rspuns: Nu a se detalia) 10 puncte


1) In cazul unor permutri circulare ntre notaiile axelor din relaiile de definire pentru coeficienii
Nenst i Ettingshausen, semnul acestora se mai pstreaz?

2) Din ce motiv efectul Ettingshausen apare simultan cu efectul Hall?

3) De ce creterea relativ a distanelor parcurse n cazul efectului magnetorezistiv utilizeaz
dezvoltarea unei funcii tip cosinus?

4) In cazul n care conducia ar fi fost realizat de goluri, ar mai fi aprut aceeai direcie de
deplasare a golurilor ca n cazul electronilor (n sens contrar gradientului de temperatur)?


- 133 -
Teste recapitulative FJ Fizica Solidului

Test rezolvat (100 puncte)

1) Din ce motiv ionii nu pot forma legturi homopolare n structura cristalin?

(Rspuns: Deoarece forele de natur electric impun aranjarea ionilor n reea, rezultnd legturi
heteropolare) 5 puncte

2) Din ce motiv celula elementar nu este n general unic definit pentru un anumit tip de cristal?

(Rspuns: Intruct ea este reprezentat de o figur spaial convenabil aleas astfel nct s se
regseasc simetriile reelei cristaline, iar noiunile de geometrie n spaiu nu impun o unicitate a
ei) 5 puncte

3) In cazul reelei formate prin intercalarea a dou tipuri de atomi, vibraiile de diverse frecvene
(obinute n cazul soluiei nebanale a unui sistem de ecuaii, respectiv prin egalarea cu zero a valorii
unui determinant) apar instantaneu?

(Rspuns: Nu, deoarece n urma oricrei excitaii exterioare este necesar un anumit timp pentru
formarea undelor staionare de diverse frecvene) 5 puncte

4) Energia de zero (efect cuantic) este un efect ce apare i n condiii apropiate de zero absolut?

(Rspuns: Energia de zero reprezint un termen ce se adaug suplimentar la orice valoare a energiei
calculat prin metode clasice, inclusiv pentru valorile nule calculate n limitele termodinamicii
clasice la zero absolut) 5 puncte

5) Dac atomii ce vor forma reeaua cristalin sunt apropiai treptat, primii electroni colectivizai
vor fi cei periferici sau cei mai apropiai de nucleu (din straturile profunde)?

(Rspuns: Nivelele energetice ale electronilor periferici sunt primele care se despic, ntruct aceti
electroni sunt primii care interacioneaz ntre ei) 5 puncte

6) In cazul unor particule descrise de distribuia Bose-Einstein (pentru care nu se aplic principiul
de excluziune al lui Pauli) ar mai fi aprut o structur n care distribuia lor s fie caracterizat de
nivelul Fermi?

(Rspuns: Nu, ntruct toate particulele s-ar fi putut afla pe nivelul de energie de zero la temperatura
de zero absolut) - 10 puncte

7) Indicai motivul fizic pentru care revenirea funciei de distribuie la valoarea de echilibru
termodinamic se face exponenial descresctor n funcie de timp.

(Rspuns: Deoarece revenirea este descris de o ecuaie difereniala de ordinul unu cu coeficieni
constani, ce are ca soluie o funcie exponenial descresctoare) 10 puncte

- 134 -

8) Pentru un sistem de fermioni (electroni) cu doar dou stri posibile, pentru ce funcie de
distribuie rata tranziiilor dintr-o stare n alta este maxim (lund n considerare gradul de ocupare
al strilor)?

(Rspuns: Fiind vorba de un sistem de fermioni cu dou stri descrise fiecare de probabilitile f
1
i
f
2
ce nsumate dau unu, rezult c probabilitatea de tranziie este descris de o relaie de tip f
1
(1-f
2
)
ce indic o rat proporional cu probabilitatea ca o stare s fie ocupat, iar cealalt s fie liber;
aceast funcie are un maxim pentru f
1
= 1) 10 puncte

9) Susceptivitatea diamagnetic (n cadrul modelului clasic) este direct sau invers proporional cu
numrul atomic Z? Din ce motiv?

(Rspuns: In cadrul modelului clasic, susceptivitatea diamagnetic - n modul - este direct
proporional cu numrul atomic Z, ntruct apare o contribuie a tuturor celor Z electroni la
momentul diamagnetic generat) 10 puncte

10) In cadrul modelului deducerii susceptivitii paramagnetice pe baza funciei de distribuie, ar
rezulta o susceptivitate pozitiv dac funcia de distribuie (definit n raport cu energia) ar fi fost
simetric n raport cu originea?

(Rspuns: Nu, deoarece ar fi aprut cu aceeai probabilitate o anumit orientare a cmpului
magnetic i orientarea contrar, iar momentele magnetice corespunztoare s-at fi anulat reciproc)
10 puncte

11) In urma punerii n contact a dou metale cu lucruri mecanice de extracie diferite, fluxul net de
electroni de la un metal spre cellalt (n absena unor tensiuni electrice exterioare) este un fenomen
tranzitoriu sau permanent?

(Rspuns: Fluxul de electroni este un fenomen tranzitoriu ce dureaz doar pn n momentul n care
acumularea de sarcini contribuie la egalarea nivelelor Fermi) 5 puncte

12) ) Din ce motiv apare regiunea srcit de sarcini electrice n zona semiconductorului, la punerea
n contact dintre un metal i un semiconductor?

(Rspuns: Deoarece densitatea de purttori este mult mai mare la un metal dect la un
semiconductor, egalarea sarcinilor spaiale se realizeaz n interiorul metalului pe o distan extrem
de scurt) 10 puncte

13) Faptul c n cazul efectului Peltier se absoarbe cldur dintr-o anumit zon contrazice
principiul doi al termodinamicii?

(Rspuns: Nu, deoarece rcirea zonei se realizeaz prin transfer dirijat de cldur spre alt zon,
similar funcionrii mainilor frigorifice) 5 puncte


- 135 -
14) Cmpul electric suplimentar generat prin efectul Hall apare instantaneu la aplicarea unui cmp
magnetic exterior sau necesit un anumit interval de timp tranzitoriu?

(Rspuns: Este necesar s treac un anumit timp tranzitoriu pentru a se realiza acumularea de
sarcini ce genereaz cmpul magnetic suplimentar) - 5 puncte

Test propus spre rezolvare (100 puncte)

1) Din ce motiv unele plane mediatoare dintre cele ce permit construirea zonelor Brillouin pot trece
prin noduri ale reelei? 5 puncte

2) Prin ce mecanism apariia centrelor de culoare determin modificarea spectrului luminii ce
traverseaz cristalul? 5 puncte

3) Ce aspect fizic a limitat validitatea modelului lui Einstein de determinare a cldurilor specifice?
-10 puncte

4) Cte tipuri de und (diferite ca polarizare i direcie de propagare) exist pentru aceleai valori
ale modulelor proieciei vectorului de und pe cele trei axe n cadrul modelului Debye? 5 puncte

5) Din ce motiv n cazul undelor staionare aprute pentru valori ale vectorului de und la limita
zonelor Brillouin energia potenial electrostatic dintre electron i ionii cei mai apropiai din
nodurile reelei este negativ? 5 puncte

6) Pentru un acelai vector de und, masa efectiv a electronului n cristal difer n funcie de
banda permis n care acesta este plasat? 10 puncte

7) Conductivitatea electric poate fi explicat fr a se lua n considerare ciocnirile? Cum ar
interveni n relaii parcursul liber mediu n acest caz? 5 puncte

8) Contribuia unor cauze diferite la frnarea electronilor contribuie aditiv la variaia conductivitii
electrice? 10 puncte

9) In cadrul expresiilor aproximative ale modelului cuantic al paramagnetismului, susceptivitatea
paramagnetic diferit de zero se obine datorit termenilor de ordin par sau impar ale dezvoltrilor
n serie? 10 puncte

10) Din ce motiv fizic corpurile feromagnetice prezint ca susceptivitate valoarea nenul permis de
rezolvarea grafic a ecuaiei ce egaleaz o funcie linear cu funcia Brillouin, din moment ce
soluia nul este deasemeni permis? 5 puncte

11) Pentru cazul unui nivel Fermi mai ridicat pentru un semiconductor de tip n dect pentru un
metal anterior punerii acestora n contact, poate apare o deplasare de electroni dinspre metal spre
semiconductor ulterioar punerii lor n contact (n absena unei tensiuni exterioare) pentru a se
ocupa alte nivele energetice? 5 puncte


- 136 -
12) Din ce motiv concentraiile n impuriti donoare, respectiv acceptoare influeneaz potenialul
de contact n cazul jonciunii p-n? 10 puncte

13) Din moment ce fora Lorentz este perpendicular pe vitez, de ce n cazul efectului
magnetorezistiv pentru transfer de electroni printr-o poriune de material mrginit de dou cercuri
concentrice modulul vitezei este influenat de un cmp magnetic exterior? 10 puncte

14) Sensul gradientului de temperatur coincide cu sensul fluxului termic (definit ca fluxul de
purttori de sarcin generat de gradientul de temperatur) n cazul efectului Nernst- vezi fig. 21?)
5 puncte


- 137 -

Bibliografie

[B01] Bursuc I.D., Sulianu N.D., Solidul (Fenomene, Teorie, Aplicaii), Editura Stiinific, Buc., 1991
[K01] Kittel Ch., Introducere n fizica solidului, Editura Tehnic, Buc., 1972 i reeditri succesive
[L01] Luca E., Elemente de Fizic Modern, vol. II, Editura Junimea, Iai, 1976
[S01] Sandu D., Electronica Fizic i Aplicaii, Editura Univ. Al.I. Cuza, Iai, 1994
[S02] Sergiescu V., Introducere n Fizica Solidului, Editura Tehnic, Buc., 1985

Fizica

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Fizica

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

FIZIC *F* FJ.

, sunt vectori de translaie denumii i vectori

) Bravais a obinut urmtoarea clasificare a sistemelor cristalografice:

, pentru care exist doar un singur tip de reea, cel cu

i = = 90 pentru care exist dou tipuri de reea: (i)

i = = = 90 , cu patru tipuri de reea: (i) cu celul

= i = = 90 pentru care exist un singur

i = = = 90, cu dou tipuri de reea: (i) cu

i = = 90, = 120, pentru care exist un singur tip de

= i = = = 90, pentru care exist trei tipuri de reea; (i) cu

, atunci ar rezulta inversul

, iar dup aducerea la acelai numitor s-ar obine numrtorii 6,

este perpendicular pe vectorii

este perpendicular pe vectorii i

ai reelei reciproce se introduc indicii Miller m, n, p

de modul 2 /a. Acest aspect duce la presupunerea c diferena dintre vectorul

(ai undei incidente respectiv ai undei reflectate, egali n modul

). Apoi, prin multiplicare cu n ambii termeni ai

ndeplinete condiiile de a fi un vector al reelei reciproce (modulul su este dat de

(o diferen ntre doi versori,

, iar 2 sin este diferena dintre versorii acestor dou direcii (n

, (ntruct direcia diferenei versorilor face unghiurile , respectiv

= 0 rezult (n mod similar cu cazul anterior) pentru nN, nN

(conform aspectelor fundamentale

(la marginea primei zone Brillouin). Intruct viteza de grup

(ce corespunde pulsaiei mai mari, denumit i ramura optic)

(ce corespunde pulsaiei mai mici, denumit i ramura acustic)

este vectorul de und corespunztor undei de vibraie, este

, pentru un acelai modul al proieciei

(cu axele de coordonate reprezentate

se poate considera volumul cuprins ntre k i

au o valoare pozitiv (fapt ce implic mprirea volumului elementar

() prezint o periodicitate impus de cea a reelei

= 1 impunnd prezena factorului la numitor).

implic = k iar energia electronului ar deveni cea a unui

() pe distane corespunztoare unor submultipli ai constantei

(vector al reelei reciproce) din dezvoltarea n serie Fourier a energiei poteniale

considerat iniial corespund unor oscilaii cu amplitudine nul la limtele

sunt proieciile vectorilor de und

pe direcia vectorului al funciei auxiliare.

q (conform conservrii impulsului), nlocuind

este vectorul de und Debye iar

este temperatura Debye, rezult

a unei expresii de forma

este temperatura Debye (stabilit de obicei experimental, apropiat ns de temperatura Debye

reprezint timpii de relaxare specifici fenomenelor de agitaie termic,

se magnetizeaz, devenind un magnet cu

. In general intensitatea de magnetizare variaz direct proporional cu

are direcia vectorului

, fiind ns orientat n sens opus. Astfel factorul va fi negativ (de o

au acceai orientare, ceea ce implic pentru o valoare pozitiv (de

, intensitatea cmpului magnetic

reprezint permeabilitatea magnetic a vidului), ceea ce prin substituia lui

, un electron din interiorul atomului ce se

perpendicular pe traiectoria circular a electronului). Soluia acestei

) rezult c proieciile orbitelor pe planul xOy (perpendicular pe Oz) nu vor mai fi

(pornind de la energia de zero (1/2)

momentul magnetic al atomului va avea energia

i la temperaturi ridicate (cazul temperaturilor uzuale,

se poate orienta n 2J+1 moduri, pentru fiecare

pe direcia cmpului exterior H va fi

), poate lua doar valorile m

pentru a crea cmpul magnetic efectiv

FIZIC F FJ.